TW201415678A - 被覆密封片材之半導體元件、其製造方法、半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

被覆密封片材之半導體元件、其製造方法、半導體裝置及其製造方法 Download PDF

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Hiroyuki Katayama
Takashi Kondo
Yuki Ebe
Munehisa Mitani
Yasunari Ooyabu
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Abstract

本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法包括：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之半導體元件間的空間之方式配置。

Description

被覆密封片材之半導體元件、其製造方法、半導體裝置及其製造方法
本發明係關於一種被覆密封片材之半導體元件、其製造方法、半導體裝置及其製造方法，詳細而言係關於一種被覆密封片材之半導體元件之製造方法、藉此所獲得之被覆密封片材之半導體元件、使用其之半導體裝置之製造方法、及藉此所獲得之半導體裝置。
作為製造具備光半導體元件之光半導體裝置、或者具備電子元件之電子裝置之方法，已知有首先於基板上安裝複數個半導體元件(光半導體元件或電子元件)，繼而以被覆複數個半導體元件之方式設置密封層之方法。
尤其是於光半導體元件及半導體裝置分別為LED(Light Emitting Diode，發光二極體)及LED裝置之情形時，於複數個LED之間發光波長或發光效率產生不均，因此安裝有此種LED之LED裝置會有複數個LED之間之發光產生不均之不良情況。
為了消除該不良情況，例如業界正在研究利用螢光體層被覆複數個LED而製作被覆螢光體層之LED，其後，根據發光波長或發光效率而分選出被覆螢光體層之LED後安裝於基板上。
例如提出有藉由如下方式所獲得之晶片零件：於石英基板上，經由黏著片材黏貼晶片，繼而，自晶片之上方以接觸石英基板之上表 面之方式塗佈樹脂，製作包含利用樹脂所被覆之晶片的擬晶圓，其後，將擬晶圓自石英基板及黏著片材剝離後，以晶片單元切割擬晶圓而單片化(例如參照日本專利特開2001-308116號公報)。其後，將日本專利特開2001-308116號公報之晶片零件安裝於基板上，獲得半導體裝置。
然而，塗佈於晶片上之樹脂根據目的及用途會有相對較硬之情況，於該情形時，晶片會於石英基板之面方向受到來自以接觸石英基板之上表面之方式所塗佈之樹脂之較大之應力。於是，會使晶片產生自最初設定於石英基板上之預定位置偏移之位置偏移(晶片位移(shift))，因此，將切晶後之晶片密封的樹脂之尺寸產生較大不均。其結果會有半導體裝置中之各種特性產生不均之不良情況。
尤其是於使用將樹脂成形為片狀之樹脂片材而被覆晶片之情形時，上述晶片位移變得明顯。
本發明之目的在於提供一種可抑制半導體元件之位置偏移的被覆密封片材之半導體元件之製造方法、藉此所獲得之被覆密封片材之半導體元件、使用其之半導體裝置之製造方法、及藉此所獲得之半導體裝置。
本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法之特徵在於包括：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
於本發明中，由於將密封片材以被覆複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之半導體元件間的空間之方式配置，故而於使密封片材與複數個半導體元件接觸時，可使對複數個半導體元件所施加之來自密封片材之應力逸出至空間內。因此，可降低對複數個半導體元件所施加之來自密封片材之應力。其結果，可製造半導體元件之位置偏移 得以抑制之被覆密封片材之半導體元件。
又，於本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法中，適宜為上述密封片材露出相互對向之上述半導體元件之對向面之一部分。
根據本發明，由於露出相互對向之半導體元件之對向面之一部分，故而可確實地形成上述空間。
又，於本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法中，適宜為上述半導體元件為光半導體元件，進而適宜為上述光半導體元件為LED，又，適宜為上述密封片材為含有螢光體之螢光體片材。
根據本發明，由於藉由含有螢光體之螢光體片材而被覆光半導體元件，故而可藉由螢光體片材轉換自光半導體元件所發出之光之波長，發出高能量之光。
又，本發明之被覆密封片材之半導體元件之特徵在於，其係藉由包括如下步驟的被覆密封片材之半導體元件之製造方法而獲得：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
由於本發明之被覆密封片材之半導體元件抑制半導體元件之位置偏移，故而會抑制尺寸不均。因此，可確保穩定之特性。
又，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於包括：準備被覆密封片材之半導體元件之步驟、及將上述被覆密封片材之半導體元件之半導體元件安裝於基板上或者預先將複數個半導體元件安裝於基板上之步驟；且上述被覆密封片材之半導體元件係藉由包括如下步驟的被覆密封片材之半導體元件之製造方法而獲得：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰 接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
由於本發明之半導體裝置之製造方法包括準備確保穩定特性之被覆密封片材之半導體元件的步驟，故而可製造具有穩定之特性之半導體裝置。
又，本發明之半導體裝置之特徵在於，其係藉由如下半導體裝置之製造方法而獲得，該方法包括：準備被覆密封片材之半導體元件之步驟、及將上述被覆密封片材之半導體元件之半導體元件安裝於基板上或者預先將複數個半導體元件安裝於基板上之步驟；且上述被覆密封片材之半導體元件係藉由包括如下步驟的被覆密封片材之半導體元件之製造方法而獲得：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
本發明之半導體裝置可確保穩定之特性。
根據本發明之半導體裝置之製造方法，可製造半導體元件之位置偏移得以抑制之被覆密封片材之半導體元件。
本發明之被覆密封片材之半導體元件可確保穩定之特性。
1‧‧‧支持片材
2‧‧‧支持板
3‧‧‧黏著層
4‧‧‧LED
5‧‧‧螢光體片材
6‧‧‧脫模片材
7‧‧‧螢光體層
8‧‧‧切縫
9‧‧‧基板
10‧‧‧被覆螢光體層之LED
10'‧‧‧被覆螢光體片材之LED
11‧‧‧轉印片材
12‧‧‧延伸支持片材
13‧‧‧脫模片材
14‧‧‧推壓構件
15‧‧‧LED裝置
16‧‧‧吸引構件
17‧‧‧拾取裝置
18‧‧‧基準標記
19‧‧‧間隙
20‧‧‧密封保護層
21‧‧‧貫通孔
22‧‧‧支持凹部
23‧‧‧支持突起部
24‧‧‧載置區域
25‧‧‧黏著突起部
27‧‧‧間隔件
28‧‧‧開口部
29‧‧‧LED4之凸塊
30‧‧‧空間
31‧‧‧進入部分
32‧‧‧彎曲面
33‧‧‧周端面
34‧‧‧接觸面
35‧‧‧下垂部分
L1‧‧‧LED4間之間隔
L2‧‧‧空間30之長度
L3‧‧‧間隔件27之1邊之長度
L4‧‧‧間隔件27之寬度
L5‧‧‧支持凹部22之1邊之長度
L6‧‧‧支持突出部23之寬度
T0‧‧‧LED4之厚度
T1‧‧‧進入部分31之厚度
T2‧‧‧空間30之厚度
T3‧‧‧螢光體片材5之於壓接前之厚度
T4‧‧‧螢光體片材5之最大厚度
T5‧‧‧間隔件27之厚度
T6‧‧‧支持凹部22之深度
T7‧‧‧黏著突出部25之突出長度
圖1係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第1實施形態的步驟圖，圖1(a)表示準備支持片材之支持片材準備步驟，圖1(b)表示將LED配置於支持片材之上表面之LED配置步驟，圖1(c)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖1(d)表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟， 圖1(e)表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖1(e')表示對於圖1(e)之LED剝離步驟中使用拾取裝置而將被覆螢光體層之LED自黏著層剝離之狀態進行詳細說明的步驟圖，圖1(f)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖2表示圖1(a)所示之支持片材的平面圖。
圖3係說明第1實施形態之變化例的步驟圖，圖3(a)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖3(b)表示藉由螢光體片材來密封LED之上表面之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖3(c)表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖3(d)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖4係說明第1實施形態之變化例的步驟圖，圖4(a)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖4(b)表示藉由螢光體片材來密封LED之表面之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖4(c)表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖4(d)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖5表示圖1(e)及圖1(e')所示之LED剝離步驟之變化例，且其係將未經單片化之複數個被覆螢光體層之LED剝離之變化例。
圖6係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第2實施形態的步驟圖， 圖6(a)表示準備支持片材之支持片材準備步驟，圖6(b)表示將LED配置於支持片材上之LED配置步驟，圖6(c)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖6(d)表示藉由螢光體片材密封LED之上部之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖6(e)表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖6(f)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖7表示圖6(a)所示之支持片材的平面圖。
圖8係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第3實施形態的步驟圖，圖8(a)表示準備支持片材之支持片材準備步驟，圖8(b)表示將LED配置於支持片材上之LED配置步驟，圖8(c)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖8(d)表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖8(e)表示將支持板自黏著層剝離之支持板剝離步驟，圖8(f)表示將被覆螢光體層之LED自黏著層剝離之LED剝離步驟，圖8(f')表示對於圖8(f)之LED剝離步驟中使用拾取裝置而將被覆螢光體層之LED自黏著層剝離之狀態進行詳細說明的步驟圖，圖8(g)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖9係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第4實施形態的步驟圖， 圖9(a)表示準備支持片材之支持片材準備步驟，圖9(b)表示將LED配置於支持片材上之LED配置步驟，圖9(c)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖9(d)表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖9(e)表示將被覆螢光體層之LED轉印至轉印片材之第1轉印步驟，圖9(f)表示將被覆螢光體層之LED轉印至延伸支持片材之第2轉印步驟，圖9(g)表示將被覆螢光體層之LED自延伸支持片材剝離之再剝離步驟，圖9(g')係表示對於圖9(g)之再剝離步驟中使用拾取裝置而將被覆螢光體層之LED自延伸支持片材剝離之狀態進行詳細說明的步驟圖，圖9(h)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖10係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第5實施形態的步驟圖，圖10(a)表示準備支持片材之支持片材準備步驟，圖10(b)表示將LED配置於支持片材上之LED配置步驟，圖10(c)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖10(d)表示藉由螢光體片材密封LED之上部之LED密封步驟，圖10(e)表示將被覆螢光體層之LED轉印至轉印片材之第1轉印步驟，圖10(f)表示將螢光體片材切割之切割步驟，圖10(g)表示將被覆螢光體層之LED轉印至延伸支持片材之第2轉 印步驟，圖10(h)表示將被覆螢光體層之LED自延伸支持片材剝離之再剝離步驟，圖10(h')係表示對於圖10(h)之再剝離步驟中使用拾取裝置而將被覆螢光體層之LED自延伸支持片材剝離之狀態進行詳細說明的步驟圖，圖10(i)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖11係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第6實施形態的步驟圖，圖11(a)表示準備支持片材之支持片材準備步驟，圖11(b)表示將LED配置於支持片材上之LED配置步驟，圖11(c)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖11(d)表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟，圖11(e)表示將支持板自黏著層剝離之支持板剝離步驟，圖11(f)表示將被覆螢光體層之LED轉印至轉印片材之第1轉印步驟，圖11(g)表示將黏著層自被覆螢光體層之LED剝離之黏著層剝離步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖11(h)表示將被覆螢光體層之LED轉印至延伸支持片材之第2轉印步驟，圖11(i)表示將被覆螢光體層之LED自延伸支持片材剝離之再剝離步驟，圖11(i')係表示對於圖11(i)之再剝離步驟中使用拾取裝置而將被覆螢光體層之LED自延伸支持片材剝離之狀態進行詳細說明的步驟圖， 圖11(j)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖12係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第7實施形態的步驟圖，圖12(a)表示將LED配置於支持片材之上表面之LED配置步驟，圖12(b)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖12(c)表示對螢光體片材照射活性能量線而使螢光體片材硬化，並藉由該螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟，圖12(d)表示將螢光體片材切割之切割步驟，圖12(e)表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖12(e')表示對於圖12(e)之LED剝離步驟中使用拾取裝置而將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之狀態進行詳細說明的步驟圖，圖12(f)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖13係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第8實施形態的步驟圖，圖13(a)表示準備支持片材之支持片材準備步驟，圖13(b)表示將LED配置於支持片材上之LED貼合步驟，圖13(c)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖13(d)表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖13(e)表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖13(f)表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖14係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及 半導體裝置之製造方法之第9實施形態的步驟圖，圖14(a)表示預先將LED安裝於基板上之步驟，圖14(b)表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置，獲得LED裝置之步驟。
圖15係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第10實施形態的步驟圖，圖15(a)係表示準備支持片材之支持片材準備步驟、及將間隔件配置於支持片材上之間隔件配置步驟，圖15(b)係表示將LED配置於支持片材之上表面之LED配置步驟，圖15(c)係表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖15(d)係表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖15(e)係表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖15(e')係表示對於(e)之LED剝離步驟中使用拾取裝置而將被覆螢光體層之LED自黏著層剝離之狀態進行詳細說明的步驟圖，圖15(f)係表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖16係表示圖15(a)之配置有間隔件之支持片材的平面圖。
圖17係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第11實施形態的步驟圖，圖17(a)係準備具備設置有支持凹部之支持板之支持片材的支持片材準備步驟，圖17(b)係將LED配置於支持片材之上表面之LED配置步驟，圖17(c)係表示形成黏著突出部，且將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材 配置步驟，圖17(d)係表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟、及將螢光體片材切割之切割步驟，圖17(e)係表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖17(f)係表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖18係表示圖17(a)所示之支持片材之平面圖。
圖19係表示本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法及半導體裝置之製造方法之第11實施形態之變化例的步驟圖，圖19(a)係表示準備具備設置有支持凹部之支持板之支持片材的支持片材準備步驟，圖19(b)係表示將LED配置於支持片材之上表面，形成黏著突出部之LED配置步驟，圖19(c)係表示將螢光體片材以一面被覆LED一面形成跨及相互鄰接之LED間的空間之方式配置之螢光體片材配置步驟，圖19(d)係表示藉由螢光體片材來密封LED之上部之LED密封步驟，及將螢光體片材切割之切割步驟，圖19(e)係表示將被覆螢光體層之LED自支持片材剝離之LED剝離步驟，圖19(f)係表示將被覆螢光體層之LED安裝於基板上之安裝步驟。
圖20係表示成為本發明之比較例之被覆螢光體層之LED的側面圖，圖20(a)係表示製作LED之側面之下部由螢光體層被覆之被覆螢光體層之LED的步驟，圖20(b)係表示藉由加熱而覆晶安裝被覆螢光體層之LED之步驟。
圖21係表示LED之側面之下部露出之被覆螢光體層之LED的側面圖。
本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法包括：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及螢光體片材配置步驟，其係將密封片材以被覆複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之半導體元件間的空間之方式配置。
以下，藉由第1實施形態~第9實施形態，參照圖1~圖14對本發明之被覆密封片材之半導體元件之製造方法進行說明。
<第1實施形態>
於圖1中，有將紙面上下方向稱為第1方向，紙面深度方向稱為第2方向(前後方向)、紙面左右方向稱為第3方向之情形。關於圖2以下之圖式之方向亦與圖1相同。又，於圖2及圖7中，為了明確表示下述支持板2及基準標記18之相對配置，省略下述黏著層3。
作為被覆密封片材之半導體元件之被覆螢光體層之LED10之製造方法，如圖1(a)~圖1(e)所示，包括：支持片材準備步驟(參照圖1(a))；配置作為半導體元件之光半導體元件之LED4之LED配置步驟(半導體元件配置步驟之一例，參照圖1(b))；LED被覆步驟(參照圖1(c)及圖1(d))；獲得被覆螢光體層之LED10之切割步驟(參照圖1(d)之虛線)；及LED剝離步驟(參照圖1(e)及圖1(e'))。
LED被覆步驟包括：螢光體片材配置步驟，其係於LED配置步驟之後，將作為密封片材之螢光體片材5以被覆LED4且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置(密封片材配置步驟之一例，參照圖1(c))；及LED密封步驟，其係使螢光體片材5硬化，從而藉由螢光體片材5來將LED4之上部密封(參照圖1(d))。
又，作為半導體裝置之LED裝置15之製造方法包括安裝步驟(參 照圖1(f))。
以下，詳細說明第1實施形態之各步驟。
[支持片材準備步驟]
支持片材準備步驟係準備支持片材1之步驟。如圖1(a)及圖2所示，支持片材1係形成於面方向(相對於厚度方向之正交方向)上延伸之片狀，俯視形狀(於厚度方向上投影時之形狀)例如係形成為大致矩形。
又，支持片材1係以預先設置有下述所說明之切割步驟(參照圖1(d)之虛線)中成為切割基準之基準標記18之方式準備。
如圖2所示，基準標記18係於支持片材1之面方向上之周端部，隔開間隔地設置有複數個。例如基準標記18係分別設置於支持片材1上相互對向之兩邊，且基準標記18係於支持片材1之兩邊對向之方向上形成相對向之1對之方式形成。1對基準標記18係與其後所配置之LED4(虛線)對應設置，且其係以於將基準標記18作為基準而切割螢光體片材5時可使LED4單片化之方式配置。
各基準標記18係形成為俯視下容易識別之形狀，例如形成為俯視大致三角形。
支持片材1之尺寸係最大長度例如為10mm以上、300mm以下，又，1邊之長度例如為10mm以上、300mm以下。
支持片材1係以可支持下述說明之LED4(參照圖1(b))之方式構成，如圖1(a)及圖2所示，例如包括：支持板2、積層於支持板2之上表面之黏著層3。
支持板2係形成於面方向上延伸之板狀，設置於支持片材1之下部，且形成為與支持片材1俯視大致相同形狀。
又，於支持板2上形成有基準標記18。基準標記18於剖面觀察下雖未圖示，例如以自上表面凹至上下方向中途之凹部、或者貫通上下 方向之孔之形式形成。
支持板2至少無法於面方向上延伸，且包含硬質之材料，具體而言，作為此種材料，可列舉：例如氧化矽(玻璃、石英等)、氧化鋁等氧化物，例如不鏽鋼、矽等金屬等。
支持板2之於23℃下之楊式模數例如為1×106Pa以上，較佳為1×107Pa以上，更佳為1×108Pa以上，又，例如為1×1012Pa以下。若支持板2之楊式模數為上述下限以上，則可確保支持板2之硬質，更進一步確實地支持下述LED4(參照圖1(b))。再者，支持板2之楊式模數例如可由JIS H 7902：2008之壓縮彈性模數等求出。
支持板2之厚度例如為0.1mm以上，較佳為0.3mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為2mm以下。
又，於支持板2上形成有用以於下述所說明之LED剝離步驟(圖1(e)及圖1(e'))中插入推壓構件14之貫通孔21。
如圖2所示，貫通孔21係於支持板2上與其後所配置之LED4對應設置，並隔開間隔地設置有複數個。例如貫通孔21係可於以基準標記18作為基準而將被覆螢光體層之LED10單片化時推壓各被覆螢光體層之LED10之方式配置。
更具體而言，以使複數個貫通孔21於俯視下前後左右隔開相等間隔之方式排列配置於支持片材1上。
貫通孔21之形狀例如形成俯視圓形，關於其大小，孔徑例如為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，又，例如為1mm以下，較佳為0.7mm以下。
又，貫通孔21之大小(平面面積)相對於LED4之大小(平面面積)，例如為10%以上，較佳為20%以上，又，例如為90%以下，較佳為80%以下。
黏著層3係形成於支持板2之整個上表面。
即，黏著層3係以被覆貫通孔21之方式積層於支持板2之上表面。
作為形成黏著層3之黏著材料，例如可列舉：丙烯酸系感壓接著劑、聚矽氧系感壓接著劑等感壓接著劑。
又，作為黏著材料，除了藉由紫外線照射、化學藥品或加熱而使黏著力降低者以外，通常能夠廣泛地自可用作黏著劑者中選擇。
黏著層3之厚度例如為0.01mm以上，較佳為0.02mm以上，又，為1mm以下，較佳為0.5mm以下。
準備支持片材1時，例如將支持板2與黏著層3貼合。
支持片材1之厚度例如為0.2mm以上，較佳為0.5mm以上，又，為6mm以下，較佳為2.5mm以下。
[LED配置步驟]
LED配置步驟係準備複數個LED4，並將複數個LED4配置於黏著層3上之步驟。於LED配置步驟中，如圖1(b)及圖2之假想線所示，準備複數個LED4，並將該等相互隔開間隔地配置於支持片材1之上表面上。
各LED4係將電能轉換為光能之半導體元件(更具體而言為光半導體元件)，例如形成為厚度比面方向長度(最大長度)短之剖面觀察大致矩形及俯視大致矩形。又，於LED4之上表面或內部設置有發光層(未圖示)，於LED4之下表面設置有未圖示之凸塊(參照圖20之符號29)。作為LED4，例如可列舉發出藍色光之藍色LED(發光二極體元件)。
LED4之面方向之最大長度例如為0.1mm以上、3mm以下，又，1邊之長度例如為0.1mm以上、3mm以下。又，LED4之厚度T0例如為0.05mm以上、1mm以下。
於LED配置步驟中，例如將複數個LED4排列配置於支持片材1之上表面。具體而言，以使複數個LED4於俯視下前後左右相互隔開相 等間隔之方式配置LED4。
又，將LED4以與貫通孔21於厚度方向上相對向之方式配置於黏著層3之上表面，以使未圖示之凸塊與支持片材1相對向之方式將LED4與黏著層3貼合。藉此，LED4係以可維持其排列狀態之方式經由黏著層3由支持板2之上表面支持(感壓接著)。
各LED4係以使所對應之貫通孔21位於其中央之方式配置。
各LED4間之間隔L1例如為0.05mm以上、2mm以下。
[LED被覆步驟]
LED被覆步驟係藉由螢光體片材5來被覆LED4之表面，獲得具備LED4與螢光體片材5之被覆螢光體層之LED10之步驟。LED被覆步驟包括螢光體片材配置步驟(參照圖1(c))、及LED密封步驟(參照圖1(d))。
(螢光體片材配置步驟)
螢光體片材配置步驟係於LED配置步驟之後，將螢光體片材5以部分被覆LED4且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置之步驟。於圖1(b)之上側圖及圖1(c)中，螢光體片材5係由含有硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成。
作為硬化性樹脂，可列舉：例如藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂，例如藉由活性能量線(例如紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂等。較佳為可列舉熱硬化性樹脂。
具體而言，作為硬化性樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等熱硬化性樹脂。較佳為可列舉聚矽氧樹脂。
作為聚矽氧樹脂，例如可列舉：2階段硬化型聚矽氧樹脂、1階段硬化型聚矽氧樹脂等聚矽氧樹脂，較佳為可列舉2階段硬化型聚矽氧樹脂。
2階段硬化型聚矽氧樹脂係具有2階段之反應機制，且於第1階段之反應中B階段化(半硬化)，於第2階段之反應中C階段化(完全硬化)的熱硬化性聚矽氧樹脂。另一方面，1階段硬化型聚矽氧樹脂係具有1階段之反應機制，且於第1階段之反應中完全硬化的熱硬化性聚矽氧樹脂。
又，B階段係硬化性聚矽氧樹脂可溶於溶劑中之A階段、與經完全硬化之C階段之間之狀態，且係硬化及凝膠化略微進行，於溶劑中膨潤但未完全溶解，藉由加熱而軟化但未熔融的狀態。
作為2階段硬化型聚矽氧樹脂，例如可列舉：具有縮合反應與加成反應之2個反應體系的縮合反應-加成反應硬化型聚矽氧樹脂等。
硬化性樹脂之調配比率係相對於螢光樹脂組合物，例如為30質量%以上，較佳為50質量%以上，又，例如為99質量%以下，較佳為95質量%以下。
螢光體具有波長轉換功能，例如可列舉：可將藍色光轉換為黃色光之黃色螢光體、可將藍色光轉換為紅色光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，可列舉：例如Y3Al5O12：Ce(YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔-鋁-石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(Terbium Aluminum Garnet，鋱-鋁-石榴石)：Ce)等具有石榴石型晶體結構之石榴石型螢光體，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。
作為紅色螢光體，例如可列舉：CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。
較佳為可列舉黃色螢光體。
作為螢光體之形狀，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，較佳為可列舉球狀。
螢光體之最大長度之平均值(於球狀之情形時為平均粒徑)例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100 μm以下。
螢光體之調配比率係相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如為80質量份以下，較佳為50質量份以下。
進而，螢光樹脂組合物亦可含有填充劑。
作為填充劑，可列舉：例如聚矽氧粒子等有機微粒子，例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒子。又，填充劑之調配比率係相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為70質量份以下，較佳為50質量份以下。
並且，如圖1(c)所示，將螢光體片材5以被覆複數個LED4且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置時，首先如圖1(b)之上側圖所示，準備螢光體片材5。準備螢光體片材5時，係將硬化性樹脂及螢光體、以及視需要所調配之填充劑進行調配而製備螢光樹脂組合物。繼而，將螢光樹脂組合物塗佈於脫模片材6之表面上，其後進行加熱。
於硬化性樹脂含有2階段硬化型聚矽氧樹脂之情形時，藉由上述加熱使硬化性樹脂B階段化(半硬化)。即，形成B階段之螢光體片材5。
該螢光體片材5之於23℃下之壓縮彈性模數例如為0.01MPa以上，較佳為0.04MPa以上，又，例如為1.0MPa以下，較佳為0.5MPa以下。
若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述下限以上，則可確保充分之柔軟性。另一方面，若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述上限以下，則可一面防止對LED4施加過量之應力一面埋設LED4。
螢光體片材5之於壓接(下述)前之厚度T3例如為50μm以上，較佳 為100μm以上，又，為2000μm以下，較佳為1000μm以下。
繼而，如圖1(c)所示，將螢光體片材5以部分被覆複數個LED4且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置。
以形成有空間30之方式配置螢光體片材5時，將螢光體片材5之下部埋入複數個LED4間之間隙之上部。
對複數個LED4之上部壓接螢光體片材5係藉由控制壓力、或螢光體片材5之壓入量而實施。
壓力係對應螢光體片材5之於23℃下之壓縮彈性模數而適宜設定。
壓入量係調整壓製裝置中之壓板之上下(厚度)方向之位移量而控制。
又，壓接係於減壓環境下、或常壓環境下實施，就抑制產生空隙之觀點而言，較佳為於減壓環境下實施。
再者，藉由將螢光體片材5載置於複數個LED4之上表面，其後將螢光體片材5放置特定時間，從而基於螢光體片材5之自身重量及螢光體片材5之柔軟性(低壓縮彈性模數)而使螢光體片材5略微朝下垂，藉此，亦可將螢光體片材5埋入複數個LED4間之間隙之上部。
螢光體片材5中，將埋入(埋置)複數個LED4間之間隙之上部之部分設為自螢光體片材5之上部向下方突出為剖面大致矩形的進入部分31。進入部分31之側面被覆LED4之上部之側面。另一方面，螢光體片材5未被覆LED4之側面(複數個LED4相互對向之對向面)之下部(一部分)而露出。
進入部分31之厚度(厚度方向長度)T1係LED4之上表面與壓入後之螢光體片材5之最下表面(即，進入部分31之下表面)之厚度方向長度T1。進入部分31之厚度T1係以相對於LED4之厚度T0，例如成為5%以上、較佳為成為10%以上、更佳為成為20%以上，又，例如成為 95%以下、較佳為成為90%以下、更佳為成為80%以下之方式進行設定。又，進入部分31之厚度T1係以相對於螢光體片材5之於壓接前之厚度T3，例如成為5%以上、較佳為成為10%以上，又，例如成為95%以下、較佳為成為90%以下之方式進行設定。具體而言，進入部分31之厚度T1例如為0.01mm以上，較佳為0.05mm以上，更佳為0.1m以上，又，例如為1mm以下，較佳為0.8mm以下，更佳為0.5mm以下。
配置於LED4之上部後之螢光體片材5之最大厚度T4例如為50μm以上，較佳為100μm以上，又，為2000μm以下，較佳為1000μm以下。再者，螢光體片材5之最大厚度T4係上部之厚度與進入部分31之進入長度T1之總和。
藉此，藉由螢光體片材5被覆各LED4之上部，另一方面，形成各LED4間之下部自螢光體片材5露出之空間30。
空間30係跨及各LED4間的空間，且係藉由複數個LED4之下部之側面、黏著層3之上表面、及螢光體片材5之下表面(即，進入部分31之下表面)所劃分的空間。又，跨及各LED4間的空間30於剖面觀察下可見形成有複數個，但俯視下係分別相互連通。具體而言，如參照圖2所示，空間30係於俯視下形成為自黏著層3之外形形狀中除去LED4之形狀的大致格子形狀(大致柵格形狀)。再者，於空間30內，自LED4所露出之黏著層3之上表面不會接觸螢光體片材5之下表面，具體而言，與進入部分31之下表面於厚度方向上隔開間隔。
空間30之厚度T2係以相對於LED4之厚度T0例如成為5%以上、較佳為成為10%以上、更佳為成為20%以上，又，例如成為95%以下、較佳為成為90%以下、更佳為成為80%以下之方式進行設定。又，空間30之厚度T2係以相對於螢光體片材5之於壓接前之厚度T3例如成為5%以上、較佳為成為10%以上，又，例如成為95%以下、較佳為成為 90%以下之方式進行設定。具體而言，空間30之厚度T2例如為0.01mm以上，較佳為0.05mm以上，更佳為0.1mm以上，又，例如為1mm以下，較佳為0.8mm以下，更佳為0.5mm以下。
若空間30之厚度T2為上述下限以上，則可確實地被覆複數個LED4之下部之側面。另一方面，若空間30之厚度T2為上述上限以下，則可確實地形成防止黏著層3之上表面及螢光體片材5之下表面彼此接觸的空間30。
其後，如圖1(c)之假想線所示，將脫模片材6自螢光體片材5之上表面剝離。
(LED密封步驟)
LED密封步驟係使螢光體片材5硬化，並藉由可撓性之螢光體片材5將LED4之上部密封之步驟。LED密封步驟係於螢光體片材配置步驟(參照圖1(c))之後實施。
於LED密封步驟中，如圖1(d)所示，使螢光體片材5硬化。具體而言，將螢光體片材5加熱至80℃以上、較佳為100℃以上，又，例如為200℃以下、較佳為180℃以下。
於硬化性樹脂含有2階段硬化型聚矽氧樹脂且埋設LED4之螢光體片材5為B階段之情形時，螢光體片材5藉由上述加熱而完全硬化，成為C階段。
又，於硬化性樹脂含有1階段硬化型聚矽氧樹脂之情形時，包含該硬化性樹脂之螢光體片材5藉由上述加熱而完全硬化，成為C階段。
或者，於硬化性樹脂含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，自上方對螢光體片材5照射活性能量線。
經硬化(完全硬化)之螢光體片材5具有可撓性，具體而言，23℃下之壓縮彈性模數例如為0.5MPa以上，較佳為1MPa以上，又，例如 為100MPa以下，較佳為10MPa以下。
若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述上限以下，則可確實地確保可撓性，例如亦可於下述切割步驟(參照圖1(d))中，使用切割裝置(下述)將螢光體片材5切割。若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述下限以上，則可保持切割後之形狀。
藉此，藉由螢光體片材5將LED4之上部之側面及上表面以密接狀被覆。即，藉由C階段之螢光體片材5來將LED4之上部密封。
[切割步驟]
切割步驟係於LED密封步驟之後，藉由對應複數個LED4來切割螢光體片材5，而由具備複數個LED4的被覆螢光體片材之LED10'獲得具備1個LED4之被覆螢光體層之LED10之步驟。如圖1(d)之虛線所示，於切割步驟中，沿厚度方向將複數個LED4之周圍之可撓性螢光體片材5切割。例如圖2之單點鏈線所示，將螢光體片材5例如切割成包圍各LED4之俯視大致矩形。
將螢光體片材5切割時，例如可使用利用圓盤狀之晶圓切割刀(dicing saw)(切晶刀片)之切晶裝置、利用裁刀之切割裝置、雷射照射裝置等切割裝置。
又，螢光體片材5之切割係以基準標記18作為基準而實施。具體而言，沿著連結形成1對之基準標記18之直線(圖2中以單點鏈線表示)，以形成切縫8之方式切割螢光體片材5。
再者，螢光體片材5之切割例如係以未使切縫8貫穿支持片材1之方式，具體而言未貫穿黏著層3之方式自螢光體片材5之上側朝下側切割。
藉由切割步驟，而以LED4密接於支持片材1之狀態獲得具備1個LED4、及由被覆該LED4之上部之螢光體片材5所形成之螢光體層7的被覆螢光體層之LED10。
[LED剝離步驟]
如圖1(e)所示，LED剝離步驟係將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離之步驟。於LED剝離步驟中，如圖1(e')所示，使用具備針等推壓構件14與筒夾等吸引構件16之拾取裝置17，經由貫通孔21藉由推壓構件14推壓黏著層3，而將被覆螢光體層之LED10自支持板2及黏著層3剝離。
詳細而言，首先將支持片材1設置於拾取裝置17上，對與欲剝離之被覆螢光體層之LED10對應的貫通孔21自下側對向配置推壓構件14。
並且，自下側向貫通孔21中插入推壓構件14。
於是，與貫通孔21對應之黏著層3相對於支持板2推頂至相對地上側，而與被覆螢光體層之LED10一併推至上方。
藉由吸引構件16，吸引被推至上方之被覆螢光體層之LED10。
並且，一面利用吸引構件16吸引被覆螢光體層之LED10一面相對於支持板2進一步向相對地上側移動，其後自黏著層3剝離。
再者，視需要亦可於LED剝離步驟之前，先藉由紫外線照射、化學藥品或加熱而使黏著層3之黏著力降低，再容易地剝離被覆螢光體層之LED10。
又，於LED剝離步驟中，由於螢光體層7未與黏著層3接觸而僅LED4與黏著層3接觸，故而可容易地將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離。
藉此，如圖1(e)所示，獲得自支持片材1剝離之被覆螢光體層之LED10。
[安裝步驟]
安裝步驟係於LED剝離步驟之後，將被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上之步驟。於安裝步驟中，根據發光波長或發光效率而分選 出被覆螢光體層之LED10後，如圖1(f)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得作為半導體裝置之LED裝置15。
具體而言，將被覆螢光體層之LED10以使設置於LED4之下表面之凸塊(未圖示)與設置於基板9之上表面之端子(未圖示)相對向之方式與基板9對向配置。即，將被覆螢光體層之LED10之LED4(視需要藉由加熱)覆晶安裝於基板9上。
藉此，獲得具備基板9、及安裝於基板9上之被覆螢光體層之LED10的LED裝置15。LED裝置15中，進入部分31與基板9於上下(厚度)方向上隔開間隔。
其後，視需要如圖1(f)之假想線所示，亦可於LED裝置15上設置將被覆螢光體層之LED10密封之密封保護層20(與螢光體層7不同之密封層)。藉此，可提高LED裝置15之可靠性。
並且，於上述被覆螢光體層之LED10中，由於將螢光體片材5以部分被覆複數個LED4且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置，故而於螢光體片材5與複數個LED4接觸(壓接)時，對複數個LED4所施加來自螢光體片材5之應力可逸出至空間30。因此，可降低對複數個LED4所施加來自螢光體片材5之面方向之應力。其結果，可製造LED4於面方向上偏移之LED之位置偏移得以抑制的被覆螢光體層之LED10。
又，藉由露出相互對向之LED4之側面之下部，而可確實地形成上述空間30。
另一方面，如圖20(a)所示，於LED4之側面之下部由螢光體層7被覆之情形時，如圖20(b)所示，若藉由被覆螢光體層之LED10之覆晶安裝時的加熱，於螢光體層7產生過熱，則螢光體層7之下端部較LED4之下端部更向下側下垂。並且，若螢光體層7之下垂部分35於面 方向上投影時，位於較LED4之凸塊29更下側，則藉由該下垂部分35，LED4之凸塊29相對於基板9浮升，阻礙LED4之凸塊29與基板9之端子(未圖示)接觸。
相對於此，於本實施形態中，如圖21所示，藉由LED4之側面之下部露出，即便藉由被覆螢光體層之LED10之覆晶安裝時的加熱，於螢光體層7產生過熱，螢光體層7之下垂部分35於面方向上投影時，亦可位於較LED4之凸塊29更上側，或者，可位於與凸塊29相同之高度。因此，可防止起因於LED4之凸塊29之相對於基板9之浮升的LED4之凸塊29與基板9之端子(未圖示)的接觸不良。其結果，可提高LED裝置15之連接可靠性。
又，由於使含有螢光體之螢光體片材5與LED4之上部接觸，故而可藉由螢光體層7來轉換自LED4所發出之光之波長，發出高能量之光。
並且，被覆螢光體層之LED10之LED之位置偏移得以抑制，而抑制尺寸不均。因此，可確保穩定之光學特性，具體而言，可確保穩定之亮度、穩定之色度、穩定之配向性等。
又，由於LED裝置15之製造方法包括準備穩定之光學特性得以確保之被覆螢光體層之LED10的步驟，故而可製造具有穩定之光學特性的LED裝置15。
並且，由於LED裝置15之LED之位置偏移得以抑制，而抑制尺寸不均，故而可確保穩定之亮度、穩定之色度、穩定之配向性等。
又，根據上述被覆螢光體層之LED10之製造方法，於支持片材準備步驟中，準備預先形成有貫通孔21之硬質之支持板2，於LED剝離步驟中，利用上述拾取裝置17，向支持板2之貫通孔21中插入推壓構件14而推壓黏著層3，藉此將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離。
因此，即便於LED剝離步驟前無需進行使黏著層3之黏著力降低 之步驟，亦可自黏著層3剝離LED4。
其結果，可縮減被覆螢光體層之LED10之製造所需之步驟數。
又，黏著層3之材料不僅係如藉由紫外線照射、化學藥品或加熱而使黏著力降低之材料，而可廣泛地進行選擇。
其結果，可提高步驟設計之自由度。
另一方面，該被覆螢光體層之LED10之製造方法包括切割步驟，並於切割步驟之後，將被覆螢光體層之LED10自支持片材1剝離。即，於切割步驟中，可一面藉由具備硬質之支持板2之支持片材1來支持LED4及螢光體片材5一面將螢光體片材5切割。因此，可獲得尺寸穩定性優異之被覆螢光體層之LED。
又，由於LED裝置15具備尺寸穩定性優異之被覆螢光體層之LED10，故而可靠性優異，因此發光效率提高。
又，於使螢光體片材5硬化之LED密封步驟之後，實施切割螢光體片材5之切割步驟，故而可於切割步驟中消除起因於可因硬化產生之螢光體片材5之收縮之尺寸誤差。因此，可獲得尺寸穩定性更進一步優異之被覆螢光體層之LED10。
進而，由於將LED4之上部密封之螢光體片材5為可撓性，故而於切割步驟中，不僅使用價格較高之切晶裝置而且可使用包括價格相對較低之切割裝置在內之各種切割裝置，順利地切割螢光體片材5。
進而，於該方法之螢光體片材配置步驟中，藉由B階段之螢光體片材5來將LED4之上部埋設，於LED密封步驟中，使螢光體片材5硬化而製成C階段，藉由C階段之螢光體片材5來將LED4之上部密封。因此，可一面藉由螢光體片材5容易且確實地被覆B階段之LED4之上部，一面藉由C階段之螢光體片材5來將LED4之上部確實地密封。
因此，被覆螢光體層之LED10之尺寸穩定性優異。
又，由於可減少被覆螢光體層之LED10其製造所需之步驟數，故 而可降低成本。
又，由於LED裝置15具備上述被覆螢光體層之LED10，故而可降低成本。
又，於該方法之支持片材準備步驟中，以預先設置有切割步驟中成為切割基準之基準標記18之方式準備支持片材1。
另一方面，於將擬晶圓自石英基板及黏著片材剝離後進行切晶的日本專利特開2001-308116號公報中所記載之方法中，對擬晶圓進行切割時，擬晶圓已不在石英基板上，而無法以如上述之基準標記18作為基準進行切晶。
相對於此，於上述方法中，切割步驟中LED4係由支持片材1支持，故而如此方式可以基準標記18作為基準而以優異之精度將LED4單片化。
[變化例]
於圖1之實施形態中，如圖1(c)所示，於LED被覆步驟中，藉由螢光體片材5來被覆LED4之上表面、及側面之上部，但例如亦可如圖3(a)所示，僅被覆LED4之上表面而使所有側面(整個側面)露出。
於該情形時，如圖3(a)所示，將螢光體片材5以使其下表面與複數個LED4之上表面位於同一平面上之方式，即以螢光體片材5之下表面與LED4之上表面形成與黏著層3平行的同一平面之方式載置於複數個LED4之上表面。再者，藉由載置螢光體片材5，而未形成如圖1(c)所示之進入部分31。進而，以不壓接螢光體片材5且不使螢光體片材5基於螢光體片材5之自身重量形成進入部分31之方式設定壓縮彈性模數，於該情形時，螢光體片材5之於23℃下之壓縮彈性模數例如為0.02MPa以上，較佳為0.05MPa以上，又，例如為1.0MPa以下，較佳為0.5MPa以下。
繼而，如圖3(b)所示，使螢光體片材5硬化。藉此，藉由螢光體 片材5來將LED4之上表面以密接狀被覆。即，藉由C階段之螢光體片材5來將LED4之上表面密封。
其後，依序實施切割步驟(參照圖3(b)之虛線)、LED剝離步驟(參照圖3(c))及安裝步驟(參照圖3(d))。
並且，根據圖3之實施形態，亦可發揮與圖1之實施形態相同之作用效果，進而，若與圖1中之實施形態相比，則可省略形成進入部分31之過程，因此可簡化步驟。
再者，於圖3之實施形態中，較佳為使用僅於上表面包含發光層(未圖示)之LED4。
另一方面，若為圖1之實施形態，則藉由進入部分31密封LED4之側面之上部，故而可使用於上表面及內部包含發光層(未圖示)的LED4。
又，於圖1之實施形態中，如圖1(c)所示，藉由螢光體片材5來被覆LED4之側面之上部，另一方面，露出LED4之側面之下部，但只要跨及相互鄰接之LED4間形成空間30即可，例如圖4(a)所示，亦可被覆LED4之所有側面(整個側面)。
於該情形時，於圖4(a)所示之螢光體片材配置步驟中，將螢光體片材5以被覆LED4之表面(上表面及側面。下表面除外)且於黏著層3之上表面包圍LED4、並且僅與位於LED4之外側附近之周端面33接觸之方式配置。
又，螢光體片材5中，填充於複數個LED4間之進入部分31之下表面包含相對於黏著層3之上表面，於上側隔開間隔地形成為彎曲狀之彎曲面32、及連續於彎曲面32且與黏著層3之周端面33接觸之接觸面34。
並且，空間30係藉由黏著層3之上表面與進入部分31之彎曲面32而劃分。又，空間30處於連通狀態，俯視下形成為自黏著層3之外形 形狀中除去LED4之外形形狀及黏著層3之周端面33之形狀的大致格子形狀(大致柵格形狀)。再者，空間30跨及各LED4之間，所謂「跨及」係指空間30之長度L2係以相對於LED4間之間隔L1成為充分長度之方式形成的狀態，具體而言，空間30之長度L2係以相對於LED4間之間隔L1例如成為80%以上、進而成為90%以上、進而成為95%以上之方式形成的狀態，最佳為以使相互鄰接之LED4所相互對向之側面露出之方式於LED4間連通形成空間30的狀態(參照第1實施形態之圖1(c)及圖1(d))，且其係以微小空隙(長度1~10μm)以外之空間形式而形成。
於該方法中，於螢光體片材配置步驟(參照圖4(a))之後，依序實施LED密封步驟(參照圖4(b))、切割步驟(參照圖4(b)之虛線)、LED剝離步驟(參照圖4(c))及安裝步驟(參照圖4(d))。
於LED密封步驟中，如圖4(b)所示，藉由螢光體片材5將LED4之側面及上表面以密接狀被覆。即，藉由C階段之螢光體片材5將LED4密封。
根據圖4之實施形態，亦可發揮與圖1之實施形態相同之作用效果，進而，若與圖1之實施形態相比，則LED4之整個側面係藉由螢光體片材5來密封，故而可提高LED4之耐久性及LED裝置15之發光效率。進而，可適宜地使用於上表面及內部具有發光層(未圖示)之LED4。
又，於圖2中，將貫通孔21形成為俯視圓形，但其形狀並無特別限定，例如可形成為俯視大致矩形、俯視大致三角形等俯視大致多角形狀等適宜之形狀。
又，於圖2中，將基準標記18形成為俯視大致三角形，但其形狀並無特別限定，例如可形成為俯視大致圓形、俯視大致矩形、俯視大致X字形、俯視大致T字形等適宜之形狀。
又，於圖1之實施形態中，首先於切割步驟中，如圖1(d)之虛線 所示，將複數個LED4、及被覆複數個LED4之上部之螢光體片材5單片化成複數個被覆螢光體層之LED10，繼而於LED剝離步驟中，如圖1(e)所示，將複數個被覆螢光體層之LED10分別自黏著層3剝離。但是，如圖5所示，於切割步驟中，亦可不將複數個LED4及與其對應之螢光體片材5單片化而於LED剝離步驟中將複數個LED4與螢光體片材5一併自黏著層3剝離。
於該情形時，拾取裝置17係如圖5所示，與複數個LED4對應，且具備複數個推壓構件14與複數個吸引構件16，使複數個推壓構件14連動之同時上下移動。
剝離複數個LED4時，首先將複數個LED4設置於拾取裝置17上，對各複數個貫通孔21自下側對向配置複數個推壓構件14。
並且，同時自下側向複數個貫通孔21中插入複數個推壓構件14。
於是，將整個黏著層3相對於支持板2推頂至相對地上側，而將複數個LED4及螢光體片材5一併推至上方。
藉由複數個吸引構件16，吸引被推至上方之複數個LED4及螢光體片材5。
並且，一面利用複數個吸引構件16來吸引複數個LED4及螢光體片材5一面相對於支持板2進一步向相對地上側移動，其後自黏著層3剝離。
又，於第1實施形態中，作為本發明中之半導體元件、被覆密封片材之半導體元件及半導體裝置，分別係以LED4、被覆螢光體層之LED10及LED裝置15作為一例進行說明，但例如可分別為光半導體元件、被覆螢光體片材之光半導體元件及光半導體裝置，作為具體例，可分別設為LD(雷射二極體)4、螢光體層被覆LD10及雷射二極體裝置7。
進而，作為本發明中之半導體元件、密封片材、被覆密封片材之半導體元件及半導體裝置，分別係以LED4、螢光體片材5(螢光體層7)、被覆螢光體層之LED10及LED裝置15作為一例進行說明，雖未圖示，但例如亦可將該等設為電子元件、密封片材(密封層)、被覆密封層之電子元件及電子裝置。
電子元件係將電能轉化為光以外之能量，作為具體例係轉換為訊號能等之半導體元件，具體可列舉電晶體、二極體等。電子元件之尺寸可根據用途及目的而適宜選擇。
密封片材係由含有硬化性樹脂作為必需成分且含有填充劑作為任意成分之密封樹脂組合物而形成。作為填充劑，進而可列舉碳黑等黑色顏料等。填充劑之調配比率係相對於硬化性樹脂100質量份，例如為5質量份以上，較佳為10質量份以上，又，例如為99質量份以下，較佳為95質量份以下。
密封片材之除透光性以外之物性(具體而言，壓縮彈性模數等)與第1實施形態之螢光體片材5之物性相同。
如參照圖1(d)所示，密封層係以切割密封片材而被覆各電子元件之上表面及側面之上部的保護層之形式形成。
<第2實施形態>
於圖6及圖7中，對與第1實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態中，於支持板2上設置有貫通孔21，但例如圖6(a)及圖7所示，亦可將支持板2形成為無貫通孔21之平板狀。
第2實施形態之被覆螢光體層之LED10之製造方法，如圖6(a)~圖6(e)所示，包括：支持片材準備步驟，其準備支持片材1(參照圖6(a))；LED配置步驟，其將LED4配置於支持片材1上(參照圖6(b))；螢光體片材配置步驟，其於LED配置步驟之後，將螢光體片材5以部 分被覆LED4且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置於LED4之上部(參照圖6(c))；LED密封步驟，其使螢光體片材5硬化，並藉由螢光體片材5而將LED4之上部密封(參照圖6(d))；切割步驟，其藉由於LED密封步驟之後，對應LED4將螢光體片材5切割，而獲得被覆螢光體層之LED10(參照圖6(d)之虛線)；及LED剝離步驟，其於切割步驟之後將被覆螢光體層之LED10自支持片材1剝離(參照圖6(e)之假想線)。
又，LED裝置15之製造方法包括安裝步驟(參照圖6(f))。
以下，對第2實施形態之各步驟進行詳細說明。
[支持片材準備步驟]
如圖6(a)及圖7所示，將支持片材1形成於面方向上延伸之平板片狀，俯視形狀例如形成為矩形。
又，如圖7所示，支持片材1係以預先設置有下述所說明之切割步驟中成為切割基準之基準標記18之方式準備。另一方面，有別於第1實施形態，未於支持片材1上之面方向中央設置貫通孔21。
支持片材1係以可支持下述說明之LED4(參照圖6(b))之方式構成，如圖6(a)及圖7所示，例如具備支持板2、及積層於支持板2之上表面之黏著層3。
支持板2係形成於面方向上延伸之板狀，設置於支持片材1之下部，且形成為與支持片材1俯視大致相同形狀。有別於第1實施形態，未於支持板2上之面方向中央設置貫通孔21。
黏著層3形成於支持板2之整個上表面。
作為形成黏著層3之黏著材料，例如可列舉與第1實施形態相同之感壓接著劑。又，黏著層3例如可由藉由活性能量線之照射而黏著力降低之活性能量線照射剝離片材(具體而言，於日本專利特開2005-286003號公報等中所記載之活性能量線照射剝離片材)、藉由加熱而 黏著力降低之熱剝離片材(具體而言，REVALPHA(註冊商標，日東電工公司製造)等熱剝離片材)等形成。具體而言，於下述螢光體片材5(參照圖6(b)之上側圖)之螢光樹脂組合物含有熱硬化性樹脂之情形時，較佳為由活性能量線照射剝離片材而形成黏著層3，另一方面，於下述螢光體片材5之螢光樹脂組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，較佳為由熱剝離片材而形成黏著層3。
[LED配置步驟]
於LED配置步驟中，如圖6(b)及圖7之假想線所示，準備複數個LED4，並將該等配置於支持片材1上。
[螢光體片材配置步驟]
如圖6(c)所示，將螢光體片材5以被覆複數個LED4之上部且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置。
具體而言，如圖6(b)之箭頭所示，將積層於脫模片材13上之螢光體片材5例如朝黏著層3壓接。又，壓接係於減壓環境下、或常壓環境下實施，較佳為於減壓環境下實施。
其後，如圖6(c)之假想線所示，將脫模片材13自螢光體片材5之上表面剝離。
[LED密封步驟]
LED密封步驟係於螢光體片材配置步驟(參照圖6(c))之後實施。
於LED密封步驟中，如圖6(d)所示，使螢光體片材5硬化。
藉此，藉由螢光體片材5來將LED4之上部之側面及上表面以密接狀被覆。即，藉由C階段之螢光體片材5來將LED4之上部密封。
[切割步驟]
如圖6(d)之虛線所示，於切割步驟中，沿厚度方向將LED4之周圍之可撓性之螢光體片材5切割。例如圖7之單點鏈線所示，將螢光體片材5切割成例如包圍各LED4之俯視大致矩形。
藉由切割步驟，而以LED4密接於支持片材1上之狀態獲得具備LED4、及由被覆LED4之螢光體片材5所形成之螢光體層7的被覆螢光體層之LED10。
[LED剝離步驟]
於圖6(e)中，於LED剝離步驟中，將被覆螢光體層之LED10自黏著層3之上表面剝離。即，將被覆螢光體層之LED10自支持板2及黏著層3剝離。具體而言，對黏著層3照射活性能量線、或者將黏著層3加熱而使黏著層3之黏著力降低。再者，於LED剝離步驟中，有別於第1實施形態，不使用推壓構件14(參照圖1(e'))而將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離。
又，於LED剝離步驟中，由於螢光體層7未與黏著層3接觸而僅LED4接觸黏著層3，故而可容易地將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離。
藉此，獲得自支持片材1剝離之被覆螢光體層之LED10。
[安裝步驟]
其後，根據發光波長或發光效率而分選出被覆螢光體層之LED10後，如圖6(f)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
藉此，獲得具備基板9、及安裝於基板9上之被覆螢光體層之LED10的LED裝置15。
其後，視需要如圖6(f)之假想線所示，於LED裝置15上設置將被覆螢光體層之LED10密封之密封保護層20(與螢光體層7不同之密封層)。藉此，可提高LED裝置15之可靠性。
並且，第2實施形態之被覆螢光體層之LED10之製造方法可發揮與第1實施形態相同之作用效果。
再者，於該第2實施形態之支持片材準備步驟(參照圖6(a))中，以 具備支持板2及黏著層3之方式準備支持片材1，雖未圖示，但例如亦可以不具備黏著層3而僅具備支持板2之方式準備支持片材1。
較佳為如圖6(a)所示，以具備支持板2及黏著層3之方式準備支持片材1。
藉此，於圖6(b)所示之LED配置步驟中，可於配置LED4時，經由黏著層3將LED4接著於支持板2上。因此，支持片材1可確實地支持LED4。
<第3實施形態>
於第3實施形態之圖式中，對與第1及第2實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。
於第2實施形態之LED剝離步驟(參照圖6(e))中，將被覆螢光體層之LED10自支持板2及黏著層3剝離，例如亦可如圖8(e)所示，首先將支持板2自黏著層3剝離，其後，如圖8(f)所示，僅自黏著層3剝離被覆螢光體層之LED10。
即，被覆螢光體層之LED10之製造方法與第2實施形態相同，包括：支持片材準備步驟(參照圖8(a))、LED配置步驟(參照圖8(b))、螢光體片材配置步驟(參照圖8(c))、LED密封步驟(參照圖8(d))、切割步驟(參照圖8(d)之虛線)及LED剝離步驟(參照圖8(f))，進而包括支持板剝離步驟，其係進而於切割步驟(參照圖8(d))之後、LED剝離步驟(參照圖8(f))之前，如圖8(e)所示，將支持板2自黏著層3剝離。
[支持板剝離步驟]
如圖8(e)所示，於支持板剝離步驟中，將支持板2自黏著層3之下表面剝離。
將支持板2自黏著層3剝離時，例如由藉由照射紫外線等活性能量線而黏著力降低之感壓接著劑來形成黏著層3，並且對該黏著層3照射活性能量線，使黏著層3之黏著力降低。其後，將支持板2自該黏著 層3剝離。
或者由藉由加熱而黏著力降低之感壓接著劑來形成黏著層3，並且對該黏著層3進行加熱，使黏著層3之黏著力降低。其後，將支持板2自該黏著層3剝離。
[LED剝離步驟]
繼而，於圖8(f)之箭頭所示之LED剝離步驟中，將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離。
具體而言，如圖8(f')所示，藉由拾取裝置17，將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離。拾取裝置17中，推壓構件14自下方推壓(推頂)與欲剝離之被覆螢光體層之LED10對應之黏著層3，藉此將欲剝離之被覆螢光體層之LED10推頂至上方，一面利用筒夾等吸引構件16吸引受到推頂之被覆螢光體層之LED10一面將其自黏著層3剝離。
藉此，如圖8(f)所示，獲得自支持片材1剝離之被覆螢光體層之LED10。
[安裝步驟]
其後，根據發光波長或發光效率而分選出被覆螢光體層之LED10後，如圖8(g)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
並且，根據第3實施形態之方法，於LED剝離步驟中，將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離，故而利用上述拾取裝置17，可容易且確實地將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離。
<第4實施形態>
於第4實施形態之圖式中，對與第1~第3實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。
於第1實施形態~第3實施形態之LED剝離步驟(參照圖1(e)、圖6(e)及圖8(f))中，將被覆螢光體層之LED10自支持片材1剝離，安裝步 驟(參照圖1(f)、圖6(f)及圖8(g))中，將被覆螢光體層之LED10直接安裝於基板9上。但是，例如圖9(e)及圖9(f)所示，亦可將被覆螢光體層之LED10依序轉印至轉印片材11及延伸支持片材12上，其後，如圖9(g)所示，將被覆螢光體層之LED10自延伸支持片材12剝離。
即，被覆螢光體層之LED10之製造方法與第2實施形態相同，包括：支持片材準備步驟(參照圖9(a))、LED配置步驟(參照圖9(b))、螢光體片材配置步驟(參照圖9(c))、LED密封步驟(參照圖9(d))及切割步驟(參照圖9(d)之虛線)，進而包括上述LED剝離步驟(參照圖9(e)~圖9(g))。又，LED裝置15之製造方法包括安裝步驟(參照圖9(h))。
[LED剝離步驟]
LED剝離步驟包括：轉印步驟，將被覆螢光體層之LED10轉印至延伸支持片材12上(參照圖9(f))；及再剝離步驟，其一面使延伸支持片材12沿面方向上延伸一面將被覆螢光體層之LED10自延伸支持片材12剝離(參照圖9(g)及圖9(g'))。
[轉印步驟]
將被覆螢光體層之LED10轉印至延伸支持片材12上時，預先如圖9(d)之箭頭及圖9(e)所示，將切割步驟(圖9(d)之虛線)之後之被覆螢光體層之LED10轉印至轉印片材11上(第1轉印步驟)。
轉印片材11係以與下述說明之延伸支持片材12相同之材料及厚度形成。
藉由將被覆螢光體層之LED10轉印至轉印片材11上，而自LED4之周圍之螢光體層7露出形成有未圖示之凸塊之LED4之表面(上表面及側面之上部)，另一方面，使螢光體層7之表面(下表面)與轉印片材11之上表面接觸(密接)。
其後，如圖9(f)所示，將被覆螢光體層之LED10轉印至延伸支持片材12上(第2轉印步驟)。
延伸支持片材12係可於面方向上延伸之可延伸之黏著片材，例如可列舉：藉由活性能量線之照射而黏著力降低之活性能量線照射剝離片材(具體而言，日本專利特開2005-286003號公報等中所記載之活性能量線照射剝離片材)、藉由加熱而黏著力降低之熱剝離片材(具體而言，REVALPHA(註冊商標，日東電工公司製造)等熱剝離片材)等，較佳為可列舉活性能量線照射剝離片材等。
延伸支持片材12之於23℃下之拉伸彈性模數例如為0.01MPa以上，較佳為0.1MPa以上，又，例如為10MPa以下，較佳為1MPa以下。
延伸支持片材12之厚度例如為0.1mm以上、1mm以下。
延伸支持片材12可使用市售品，具體而言，可使用UE系列(日東電工公司製造)等。
藉由將被覆螢光體層之LED10轉印至延伸支持片材12上，而使形成有未圖示之凸塊之LED4之表面(下表面)與延伸支持片材12之上表面接觸(密接)，另一方面，露出螢光體層7之表面(上表面)。
[再剝離步驟]
轉印步驟之後，如圖9(g)所示，一面使延伸支持片材12沿面方向上延伸一面將被覆螢光體層之LED10自延伸支持片材12剝離。
具體而言，首先如圖9(f)之箭頭所示，使延伸支持片材12延伸至面方向外側。藉此，如圖9(g)所示，於被覆螢光體層之LED10密接於延伸支持片材12之狀態下，拉伸應力集中於切縫8，故而切縫8擴展，並且，各LED4相互離開而形成間隙19。間隙19係以將各LED4隔開之方式形成為俯視大致格子形狀(大致柵格形狀)。
繼而，如圖9(g')所示，藉由推壓構件14，一面自下方推頂與欲剝離之被覆螢光體層之LED10對應之延伸支持片材12一面將該被覆螢光體層之LED10推頂至上方，一面藉由吸引構件16吸引受到推頂之被覆 螢光體層之LED10一面將其自延伸支持片材12剝離。
又，於延伸支持片材12為活性能量線照射剝離片材之情形時，將被覆螢光體層之LED10自延伸支持片材12剝離時，對延伸支持片材12照射活性能量線。或者於延伸支持片材12為熱剝離片材之情形時，對延伸支持片材12進行加熱。藉由該等處理，使延伸支持片材12之黏著力降低，故而可容易且確實地將被覆螢光體層之LED10自延伸支持片材12剝離。
藉此，獲得自支持片材1剝離之被覆螢光體層之LED10。
[安裝步驟]
其後，根據發光波長或發光效率而分選出被覆螢光體層之LED10後，如圖9(h)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
並且，於第4實施形態之方法中，一面使延伸支持片材12沿面方向上延伸一面將被覆螢光體層之LED10自延伸支持片材12剝離。
因此，於被覆螢光體層之LED10之周圍形成有間隙19，故而利用拾取裝置17，可更進一步容易且確實地將該被覆螢光體層之LED10自延伸支持片材12剝離。
並且，欲剝離之被覆螢光體層之LED10與其所鄰接之被覆螢光體層之LED10之間形成間隙19，故而亦可防止於使吸引構件16接近欲剝離之被覆螢光體層之LED10時，其所鄰接之被覆螢光體層之LED10與吸引構件16接觸而使該被覆螢光體層之LED10受到損傷。
<第5實施形態>
於第5實施形態之圖式中，對與第1~第4實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。
於第4實施形態中，如圖9(e)所示，將切割步驟(圖9(d)之虛線)後之被覆螢光體層之LED10轉印至轉印片材11上。但是，如參照圖10所 示，如圖10(d)之箭頭及圖10(e)所示，亦可首先將被覆螢光體層之LED10轉印至轉印片材11上，其後，如圖10(f)之虛線所示，實施切割步驟。
即，第5實施形態之被覆螢光體層之LED10之製造方法與第4實施形態相同，包括：支持片材準備步驟(參照圖10(a))、LED配置步驟(參照圖10(b))、螢光體片材配置步驟(參照圖10(c))、LED密封步驟(參照圖10(d))、轉印步驟(參照圖10(e)及圖10(f))、切割步驟(參照圖10(f)虛線)及再剝離步驟(參照圖10(g))。又，第5實施形態之LED裝置15之製造方法包括安裝步驟(參照圖10(i))。
於第1轉印步驟(參照圖10(e))之後、第2轉印步驟(參照圖10(f))之前實施以圖10(f)之虛線所表示之切割步驟。
並且，根據發光波長或發光效率而分選出所獲得之被覆螢光體層之LED10後，如圖10(i)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
<第6實施形態>
於第6實施形態之圖式中，對與第1~第5實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。
於第5實施形態中，如圖10(e)所示，第1轉印步驟中，將包含螢光體片材5及複數個LED4之被覆螢光體層之LED10轉印至轉印片材11上，此時，將包含支持板2及黏著層3之支持片材1自被覆螢光體層之LED10剝離。但是，如圖11(d)所示，亦可首先預先將支持片材1上之支持板2自黏著層3剝離，繼而如圖11(e)之箭頭及圖11(f)所示，將被覆螢光體層之LED10與黏著層3一併轉印至轉印片材11上，繼而，如圖11(f)所示，於延伸支持片材12上，將黏著層3自被覆螢光體層之LED10剝離。
即，第6實施形態之被覆螢光體層之LED10之製造方法與第5實施 形態相同，包括：支持片材準備步驟(參照圖11(a))、LED配置步驟(參照圖11(b))、螢光體片材配置步驟(參照圖11(c))、LED密封步驟(參照圖11(d))、轉印步驟(參照圖11(f)及圖11(h))、支持板剝離步驟(參照圖11(e))、黏著層剝離步驟(參照圖11(f)之箭頭及圖11(g))、切割步驟(參照圖11(g)之虛線)及再剝離步驟(參照圖11(i))。又，第6實施形態之LED裝置15之製造方法包括安裝步驟(參照圖11(j))。
又，以圖11(d)之箭頭及圖11(e)所示之支持板剝離步驟係於LED密封步驟(參照圖11(d))之後實施，其後，如圖11(f)所示，於轉印步驟之第1轉印步驟中，將黏著層3及被覆螢光體層之LED10轉印至轉印片材11上。其後，如圖11(f)之箭頭及圖11(g)所示，於黏著層剝離步驟中，將黏著層3自被覆螢光體層之LED10剝離。其後，如圖11(g)所示，於轉印步驟之第2轉印步驟中，將被覆螢光體層之LED10轉印至延伸支持片材12上。
並且，根據發光波長或發光效率而分選出所獲得之被覆螢光體層之LED10後，如圖11(j)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
<第7實施形態>
於第7實施形態之圖式中，對與第1~第6實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。
第7實施形態之被覆螢光體層之LED10之製造方法，如圖12(a)~圖12(e)所示，包括：LED配置步驟，其將LED4配置於支持片材32之上表面(參照圖12(a))；螢光體片材配置步驟，其將螢光體片材5以部分被覆LED4且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置(參照圖12(b))；LED密封步驟，其對螢光體片材5照射活性能量線，並藉由螢光體片材5將LED4之上部密封(參照圖12(c))；切割步驟，其對應LED4將螢光體片材5切割(參照圖12(d))；及LED剝離步驟，其將被覆 螢光體層之LED10自支持片材32剝離(參照圖12(e))。又，第7實施形態之LED裝置15之製造方法包括安裝步驟(參照圖12(f))。
以下，對第7實施形態之各步驟進行詳細說明。
<LED配置步驟>
如圖12(a)所示，於LED配置步驟中，將支持片材32形成於面方向(相對於厚度方向之正交方向)上延伸之片狀，且形成為與下述說明之螢光體片材5相同或比其大的俯視大致形狀，具體而言形成為俯視大致矩形片狀。
關於支持片材32，由於無需對於下述螢光體片材5之加熱硬化之耐熱性，故而亦可自耐熱性較低之片材中選擇。作為此種支持片材32，可支持LED4，並且可於面方向上延伸。又，支持片材32例如為藉由加熱而黏著力降低之熱剝離片材(具體而言，REVALPHA(註冊商標，日東電工公司製造)等熱剝離片材)，或亦可為藉由活性能量線(例如紫外線、電子束等)之照射而黏著力降低之活性能量線照射剝離片材(具體而言，日本專利特開2005-286003號公報等中所記載之活性能量線照射剝離片材)。再者，於支持片材32為活性能量線照射剝離片材之情形時，以使支持片材32之黏著力不會因活性能量線對螢光體片材5之照射而降低之方式選擇活性能量線硬化性樹脂、或照射條件。
支持片材32之尺寸係最大長度例如為10mm以上、300mm以下，又，1邊之長度例如為10mm以上、300mm以下。
支持片材32之於23℃下之拉伸彈性模數例如為1×104Pa以上，較佳為1×105Pa以上，又，例如為1×109Pa以下。若支持片材32之拉伸彈性模數為上述下限以上，則可確保支持片材32之面方向之延伸性，順利地實施下述支持片材32之面方向之延伸(參照圖12(e))。
支持片材32之厚度例如為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，又，例如為1mm以下，較佳為0.5mm以下。
於LED配置步驟中，例如將複數個LED4排列配置於支持片材32之上表面。具體而言，以使複數個LED4俯視下前後左右相互隔開相等間隔之方式將LED4配置於支持片材32之上表面。又，將LED4以使未圖示之凸塊與支持片材32之上表面相對向之方式貼合於支持片材32之上表面。藉此，LED4係以可維持其排列狀態之方式由支持片材32之上表面支持(感壓接著)。
各LED4間之間隔L1例如為0.05mm以上、2mm以下。
<螢光體片材配置步驟>
螢光體片材配置步驟係於LED配置步驟之後實施。
於圖12(b)所示之螢光體片材配置步驟中，以圖12(a)之上側圖所示之螢光體片材5係由含有活性能量線硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物形成。
活性能量線硬化性樹脂係藉由活性能量線之照射而硬化的硬化性樹脂，具體可列舉聚矽氧半硬化體，此種聚矽氧半硬化體係藉由對第1聚矽氧樹脂組合物或第2聚矽氧樹脂組合物進行加熱而以片材之形式獲得。
以下，分別對第1聚矽氧樹脂組合物及第2聚矽氧樹脂組合物進行詳細說明。
[第1聚矽氧樹脂組合物]
第1聚矽氧樹脂組合物例如含有：第1聚矽氧烷，其含有可藉由加熱而縮合之至少1對可縮合之取代基、及可藉由活性能量線而加成之至少1個可加成之取代基；第2聚矽氧烷，其含有可藉由活性能量線而加成且與第1聚矽氧烷之可加成之取代基形成1對的至少1個可加成之取代基。
作為1對可縮合之取代基，例如可列舉：選自羥基(-OH)、烷氧基、醯氧基、胺基(-NH2)、烷基胺基、烯氧基及鹵素原子所組成之群 中之至少1個取代基與羥基之組合(第1組合群)。
烷氧基係以-OR1表示。R1表示烷基或環烷基。作為烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基等直鏈狀或支鏈狀之碳數1以上20以下之烷基。較佳為可列舉碳數1以上之烷基，又，較佳為可列舉碳數10以下之烷基，更佳為可列舉碳數6以下之烷基。作為環烷基，例如可列舉：環戊基、環己基等碳數3以上6以下之環烷基。
作為烷氧基，例如可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、戊氧基、己氧基等具有碳數1以上20以下之直鏈狀或支鏈狀之烷基的烷氧基等。
又，作為烷氧基，例如亦可列舉：環戊氧基、環己氧基等具有碳數3以上6以下之環烷基的烷氧基等。
作為烷氧基，就製備之容易性或熱穩定性之觀點而言，較佳為可列舉具有碳數1以上之烷基之烷氧基，又，較佳為可列舉具有碳數10以下之烷基之烷氧基，更佳為可列舉具有碳數6以下之烷基之烷氧基，進而較佳為可列舉甲氧基。
醯氧基係以-OCOR1表示。R1表示上述烷基或環烷基。作為R1，較佳為可列舉烷基。
作為醯氧基，例如可列舉：乙醯氧基(-OCOCH3)、-OCOC2H5、-OCOC3H7等。較佳為可列舉乙醯氧基。
烷基胺基包含單烷基胺基及二烷基胺基。
單烷基胺基係以-NR2H表示。R2表示烷基或環烷基。作為R2，較佳為可列舉烷基。作為單烷基胺基，例如可列舉：甲基胺基、乙基胺基、正丙基胺基、異丙基胺基等N取代烷基之碳數為1以上10以下之單烷基胺基。
二烷基胺基係以-NR2 2表示。R2表示可相同或亦可不同之烷基或 環烷基。R2與上述含義相同。作為二烷基胺基，例如可列舉：二甲基胺基、二乙基胺基、二正丙基胺基、二異丙基胺基、乙基甲基胺基、甲基正丙基胺基、甲基異丙基胺基等N,N取代烷基之碳數為1以上10以下之二烷基胺基。
作為烷基胺基，較佳為可列舉二烷基胺基，更佳為可列舉與N,N取代烷基之碳數相同之二烷基胺基，進而較佳為可列舉二甲基胺基。
烯氧基係以-OCOR3表示。R3表示烯基、環烯基。作為烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳數3以上10以下之烯基。作為環烯基，例如可列舉：環己烯基、環辛烯基、降烯基等碳數3以上10以下之環烯基。
作為烯氧基，較佳為可列舉含有碳數2以上10以下之烯基之烯氧基，更佳為可列舉異丙烯氧基。
作為鹵素原子，例如可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。較佳為可列舉氯原子。
作為第1組合群，具體而言，例如可列舉：羥基彼此之組合、烷氧基與羥基之組合、醯氧基與羥基之組合、胺基與羥基之組合、烷基胺基與羥基之組合、烯氧基與羥基之組合、鹵素原子與羥基之組合等1對之組合。
進而，例如亦可列舉：烷氧基、醯氧基及羥基之組合等2對(具體而言，1對烷氧基與羥基、及1對醯氧基與羥基之合計2對)以上之組合。
作為第1組合群，較佳為可列舉羥基彼此之組合、烷氧基與羥基之組合，更佳為可列舉烷氧基與羥基之組合，進而較佳為可列舉具有碳數1以上10以下之烷基之烷氧基與羥基之組合，尤佳為可列舉甲氧基與羥基之組合。
並且，包含第1組合群之1對可縮合之取代基係藉由下述式(1)所表示之縮合即矽烷醇縮合而2個矽原子經由氧原子鍵結。
X=-OH,-OR1,-OCOR1,-NH2,-NR2H,-NR2 2,-OCOR3，鹵素原子
(式中，R1~R3與上述含義相同)
作為1對可縮合之取代基，例如亦可列舉：選自羥基及烷氧基中之至少1個取代基與氫原子之組合(第2組合群)。
作為烷氧基，可列舉第1組合群中所列舉之烷氧基。
作為第2組合群，具體而言，例如可列舉羥基與氫原子之組合、烷氧基與氫原子之組合等1對之組合。
進而，例如亦可列舉：羥基、烷氧基及氫原子之組合等2對(具體而言，1對羥基與氫原子與1對烷氧基與氫原子之合計2對)以上之組合。
並且，包含第2組合群之1對可縮合之取代基係藉由下述式(2)所表示之縮合即氫矽烷縮合而2個矽原子經由氧原子鍵結。
OR=OH,-OR1
(式中，R1與上述含義相同)
可於第1聚矽氧烷中以單獨之群組或併用複數個群組而含有上述第1組合群及第2組合群。
各可縮合之取代基係鍵結於構成第1聚矽氧烷之分子之主鏈之末端、主鏈之中途、及/或自主鏈分支之側鏈之矽原子上。較佳為一可縮合之取代基(較佳為羥基)鍵結於主鏈之兩末端之矽原子上，另一可縮合之取代基(較佳為烷氧基)鍵結於主鏈中途之矽原子上(參照下述之式(16))。
於1對可加成之取代基中，一可加成之取代基於第1聚矽氧烷中含有至少1個，另一之可加成之取代基於第2聚矽氧烷中含有至少1個。
作為1對可加成之取代基，例如可列舉：氫矽烷基與含乙烯性不飽和基之基之組合、含(甲基)丙烯醯基之基彼此之組合、含環氧基之基彼此之組合、含硫醇基之基與含乙烯性不飽和基之基之組合等。
氫矽烷基係以-SiH表示，其係氫原子直接鍵結於矽原子之基。
含乙烯性不飽和基之基於分子內含有乙烯性不飽和基，作為含乙烯性不飽和基之基，例如可列舉上述烯基、環烯基。較佳為可列舉烯基，更佳為可列舉乙烯基。
含(甲基)丙烯醯基之基於分子內含有甲基丙烯醯基(CH2=C(CH3)COO-)及/或丙烯醯基(CH2=CHCOO-)，具體而言，係以下述式(3)表示。
式(3)：CH2=CYCOO-R4- (3)
(式中，Y表示氫原子或甲基，R4表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之2價之烴基)
作為2價之飽和烴基，可列舉：例如亞甲基、伸乙基、伸丙基、 伸丁基等碳數1以上6以下之伸烷基，例如伸環戊基、伸環己基等碳數3以上8以下之伸環烷基等。
作為2價之芳香族烴基，例如可列舉：伸苯基、伸萘基等碳數6以上10以下之伸芳基等。
作為2價之烴基，較佳為可列舉2價之飽和烴基，更佳為可列舉伸烷基，進而較佳為可列舉伸丙基。
作為含(甲基)丙烯醯基之基，具體可列舉3-(甲基)丙烯醯氧基丙基等。
含環氧基之基於分子內含有環氧基，作為含環氧基之基，例如可列舉：環氧基、縮水甘油醚基、環氧環烷基等。較佳為可列舉縮水甘油醚基、環氧環烷基等。
縮水甘油醚基例如係以式(4)所表示之縮水甘油氧基烷基。
(式(4)中，R4表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之2價之烴基)
R4所表示之2價之烴基與上述式(3)之2價之烴基含義相同。
作為縮水甘油醚基，例如可列舉3-縮水甘油氧基丙基等。
作為環氧環烷基，例如可列舉：下述式(5)所表示之環氧環己基等。
(式中，R4表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之2價之烴基)
作為2價之飽和烴基，可列舉上述式(3)之2價之烴基，較佳為可列舉上述碳數1以上6以下之伸烷基，更佳為可列舉伸乙基。
作為環氧環烷基，具體可列舉2-(3,4-環氧環己基)乙基等。
含硫醇基之基係於分子內含有硫醇基(-SH)，可列舉：例如硫醇基，例如巰基甲基、巰基乙基、巰基丙基等巰基烷基等。
一可加成之取代基係取代於第1聚矽氧烷之主鏈之末端、中途及/或側鏈。另一之可加成之取代基係取代或位於第2聚矽氧烷之主鏈之末端、中途、及/或側鏈。
作為可加成之取代基，可列舉上述各1對或2對以上之組合。
作為1對可加成之取代基，就耐熱性及透明性之觀點而言，較佳為可列舉氫矽烷基與烯基之組合。
並且，1對可加成之取代基係以下述式(6)~式(9)所示之方式進行加成。
(式中，Z表示氫原子或甲基)
式(8)：
具體而言，於1對可加成之取代基為氫矽烷基與烯基(具體而言為乙烯基)之組合之情形時，如上述式(6)所示之方式進行矽氫化(氫矽烷基加成)。
又，於1對可加成之取代基為(甲基)丙烯醯基彼此之組合之情形時，如上述式(7)所示之方式進行聚合(加成聚合)。
又，於1對可加成之取代基為縮水甘油醚基彼此之組合之情形時，如上述式(8)所示之方式基於環氧基之開環而進行開環加成。
又，於1對可加成之取代基為硫醇基與烯基(具體而言為乙烯基)之組合之情形時，進行上述式(9)所示之烯-硫醇反應(加成)。
第1聚矽氧烷，具體而言係以下述式(10)表示。
(式中，R6表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基、可縮合之取代基及/或可加成之取代基。又，SiR6亦可表示可加成之取代基。A~E表示結構單元，A及E表示末端單元，B~D表示重複單元。Q表示B~E中之任一結構單元。a+b+c為1以上之整數。複數個R6中，至少1對之R6表示可縮合之取代基，並且至少1個R6或至少1個SiR6表示可加成之取代基)
式(10)中，R6所表示之1價之烴基中，作為1價之飽和烴基，例如可列舉烷基、環烷基等。作為烷基及環烷基分別與上述R1中所列舉之烷基及環烷基相同。
式(10)中，R6所表示之1價之烴基中，作為1價之芳香族烴基，例如可列舉：苯基、萘基等碳數6以上10以下之芳基等。
作為1價之烴基，較佳為可列舉甲基、苯基。
a例如為0以上之整數，較佳為1以上之整數，更佳為2以上之整數，又，例如為100000以下之整數，較佳為10000以下之整數。
b例如為0以上100000以下之整數，較佳為0以上10000以下之整數。
c例如為0以上100000以下之整數，較佳為0以上10000以下之整數。
a+b+c較佳為1以上100000以下之整數，更佳為1以上10000以下之整數。即，a~c中至少任一者為1以上之整數。
作為R6所表示之可縮合之取代基、及R6或SiR6所表示之可加成之取代基，可分別列舉上述可縮合之取代基及可加成之取代基。
第1聚矽氧烷例如可藉由使同時具有至少1個可縮合之取代基及至少1個可加成之取代基的第1矽化合物與含有至少1個可縮合之取代基的第2矽化合物進行部分縮合而製備(參照下述式(16))。
第1矽化合物例如係以下述式(11)表示。
式(11)：R7SiBnX1 3-n (11)
(式中，R7或SiR7表示可加成之取代基，B表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基，X1表示可縮合之取代基。n表示0或1)
作為R7或SiR7所表示之可加成之取代基，例如為上述可加成之取代基，較佳為構成1對可加成之取代基的取代基中之一者，更佳為可列舉含乙烯性不飽和基之基、含(甲基)丙烯醯基之基、含環氧基之基，進而較佳為可列舉含乙烯性不飽和基之基，尤佳為可列舉烯基，最佳為可列舉乙烯基。
作為X1所表示之可縮合之取代基，例如為上述可縮合之取代基，較佳為構成1對可縮合之取代基的取代基中之一者，更佳為可列舉羥基、烷氧基、醯氧基、胺基、烷基胺基、烯氧基、鹵素原子，更佳為可列舉烷氧基。
作為X1所表示之烷氧基，例如就反應性之觀點而言，較佳為可列舉具有碳數1以上10以下之烷基之烷氧基，更佳為可列舉具有碳數1以上6以下之烷基之烷氧基。具體可列舉甲氧基。
B所表示之1價之烴基與式(10)之R6所例示之1價之烴基含義相同。
於n為0之情形時，第1矽化合物係以下述式(12)表示，可設為含有3個可縮合之取代基的3官能型矽化合物。
式(12)：R7SiX1 3 (12)
(式中，R7或SiR7表示可加成之取代基，X1表示可縮合之取代基)
作為此種3官能型矽化合物，例如可列舉：乙烯基三甲氧基矽 烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、降烯基三甲氧基矽烷、辛烯基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等。
該等3官能型矽化合物可單獨使用或併用2種以上。
作為3官能型矽化合物，較佳為可列舉上述式(12)中，R7為乙烯基、X1全部為甲氧基的乙烯基三甲氧基矽烷。
另一方面，於上述式(11)中n為1之情形時，第1矽化合物係以下述式(13)表示，可設為含有2個可縮合之取代基的2官能型矽化合物。
式(13)：R7SiBX1 2 (13)
(式中，R7或SiR7表示可加成之取代基，B表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基，X1表示可縮合之取代基)
R7、SiR7、B及X1與上述含義相同。
作為2官能型矽化合物，例如可列舉：乙烯基二甲氧基甲基矽烷、乙烯基二乙氧基甲基矽烷、烯丙基二甲氧基甲基矽烷、丙烯基二甲氧基甲基矽烷、降烯基二甲氧基甲基矽烷、辛烯基二甲氧基甲基矽烷、辛烯基二乙氧基甲基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基二甲氧基甲基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二甲氧基甲基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基二甲氧基甲基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基二乙氧基甲基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基二甲氧基甲基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基二甲氧基甲基矽烷等。
該等2官能型矽化合物可單獨使用或併用2種以上。
作為2官能型矽化合物，較佳為可列舉上述式(13)中，R7為乙烯基、B為甲基、X1全部為甲氧基的乙烯基二甲氧基甲基矽烷。
第1矽化合物可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
第1矽化合物可單獨使用或併用2種以上。
具體而言，可列舉：3官能型矽化合物之單獨使用、2官能型矽化合物之單獨使用、3官能型矽化合物與2官能型矽化合物之併用等。較佳為可列舉3官能型矽化合物之單獨使用、3官能型矽化合物與2官能型矽化合物之併用。
第2矽化合物例如可列舉含有至少2個可縮合之取代基之聚矽氧烷，具體而言，含有鍵結於主鏈之末端之矽原子上的可縮合之取代基、及/或鍵結於自主鏈分支之側鏈之矽原子上的可縮合之取代基。
第2矽化合物較佳為含有鍵結於主鏈之兩末端之矽原子上的可縮合之取代基(2官能型矽化合物)。
此種第2矽化合物係下述式(14)所表示之兩末端型聚矽氧烷(2官能型聚矽氧烷)。
(式中，R8表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基，X2表示可縮合之取代基。又，n表示1以上之整數)
於式(14)中，作為R8所表示之1價之烴基，可列舉上述式(10)之R6所例示之1價之烴基，較佳為可列舉甲基、苯基。
於式(14)中，作為X2所表示之可縮合之取代基，可列舉上述式(10)之R6所例示之可縮合之取代基，較佳為可列舉羥基、氫原子，更佳為可列舉羥基。
於可縮合之取代基為羥基之情形時，將兩末端型聚矽氧烷設為下述式(15)所表示之矽烷醇基兩末端之聚矽氧烷(兩末端矽烷醇型聚矽氧油)。
(式中，R8表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基。又，n表示1以上之整數)
R8與上述含義相同。
上述式(14)及上述式(15)中，就穩定性及/或操作性之觀點而言，n較佳1以上10000以下之整數，進而較佳為1以上1000以下之整數。
作為兩末端型聚矽氧烷，具體可列舉：矽烷醇基兩末端之聚二甲基矽氧烷、矽烷醇基兩末端之聚甲基苯基矽氧烷、矽烷醇基兩末端之聚二苯基矽氧烷等。
第2矽化合物可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
就穩定性及/或操作性之觀點而言，第2矽化合物之數量平均分子量例如為100以上，較佳為200以上，又，例如為1000000以下，較佳為100000以下。數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法，以標準聚苯乙烯進行換算而算出。關於第2矽化合物以外之原料之數量平均分子 量，亦以與上述相同之方式算出。
使第1矽化合物與第2矽化合物部分縮合時，將包含該等之縮合原料與縮合觸媒一併進行調配。
第2矽化合物之調配比率係相對於第1矽化合物及第2矽化合物之總量(即，縮合原料之總量)100質量份，例如為1質量份以上，較佳為50質量份以上，進而較佳為80質量份以上，又，例如為99.99質量份以下，較佳為99.9質量份以下，更佳為99.5質量份以下。
又，第2矽化合物之可縮合之取代基(上述式(14)中之X2，具體而言為羥基)相對於第1矽化合物之可縮合之取代基(上述式(11)中之X1，具體而言為烷氧基)的莫耳比(X2/X1)例如為20/1以下，較佳為10/1以下，又，例如為1/5以上，較佳為1/2以上，最佳為實質上1/1。
於莫耳比超過上述上限之情形時，有於使第1及第2矽化合物進行部分縮合而獲得第1聚矽氧烷，其後使第1及第2聚矽氧烷完全縮合時無法獲得具有適度韌性之聚矽氧半硬化體的情況，另一方面，於莫耳比未達上述下限之情形時，第1矽化合物之調配比率過多，因此會有所獲得之聚矽氧硬化體之耐熱性降低的情況。
又，若莫耳比在上述範圍內(較佳為實質上1/1)，則可使第1矽化合物之可縮合之取代基(具體而言為烷氧基)與第2矽化合物之可縮合之取代基(具體而言為羥基)恰好完全縮合。
又，於併用3官能型矽化合物與2官能型矽化合物之情形時，2官能型矽化合物相對於3官能型矽化合物的比(2官能型矽化合物之質量份數/3官能型矽化合物之質量份數)，以質量基準計例如為70/30以下，較佳為50/50以下，又，例如為1/99以上，較佳為5/95以上。又，於併用3官能型矽化合物與2官能型矽化合物之情形時，第2矽化合物之可縮合之取代基(上述式(14)中之X2，具體而言為羥基)相對於3官能型矽化合物可縮合之取代基(上述式(12)中之X1，具體而言為烷氧基) 之莫耳比(X2/X1)例如為20/1以下，較佳為10/1以下，又，例如為1/5以上，較佳為1/2以上，最佳為實質上1/1。另一方面，於併用3官能型矽化合物與2官能型矽化合物之情形時，第2矽化合物之可縮合之取代基(上述式(14)中之X2，具體而言為羥基)相對於2官能型矽化合物可縮合之取代基(上述式(13)中之X1，具體而言為烷氧基)之莫耳比(X2/X1)例如為20/1以下，較佳為10/1以下，又，例如為1/5以上，較佳為1/2以上，又，最佳為實質上1/1。
作為縮合觸媒，只要為促進第1矽化合物及第2矽化合物之縮合的觸媒，則並無特別限定。作為縮合觸媒，例如可列舉：酸、鹼、金屬系觸媒等。
作為酸，例如可列舉：鹽酸、乙酸、甲酸、硫酸等無機酸(布忍斯特酸(Brnsted acid)酸)等。又，酸包含路易斯酸，作為此種路易斯酸，例如可列舉：五氟苯基硼、三氟甲磺酸鈧、三氟甲磺酸鉍、三呋喃基醯亞胺鈧、三氟甲磺酸氧釩、三呋喃基甲基化鈧、三甲基矽烷基三呋喃基醯亞胺等有機路易斯酸。
作為鹼，可列舉：例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鉀等無機鹼，例如氫氧化四甲基銨等。較佳為可列舉氫氧化四甲基銨等有機鹼。
作為金屬系觸媒，例如可列舉：鋁系觸媒、鈦系觸媒、鋅系觸媒、錫系觸媒等。較佳為可列舉錫系觸媒。
作為錫系觸媒，可列舉：例如二(2-乙基己酸)錫(II)、二辛酸錫(II)(tin(II)dicaprylate)、雙(2-乙基己酸)錫、雙(新癸酸)錫、油酸錫等含有碳數1以上20以下之直鏈狀或支鏈狀之羧酸的二(或雙)(羧酸)錫(II)等羧酸錫鹽，例如二丁基雙(2,4-戊二酸)錫、二叔碳酸二甲基錫、二叔碳酸二丁基錫、二乙酸二丁基錫(二丁基二乙醯氧錫)、二辛酸二丁基錫、二丁基雙(順丁烯二酸2-乙基己酯)錫、二辛基二月桂基錫、 二甲基二新癸酸錫、二油酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、二月桂酸二辛基錫、二叔碳酸二辛基錫、雙(巰基乙酸異辛酯)二辛基錫、四甲基-1,3-二乙醯氧基二錫氧烷、氧化雙(三乙基錫)、四甲基-1,3-二苯氧基二錫氧烷、氧化雙(三丙基錫)、氧化雙(三丁基錫)、氧化雙(三丁基錫)、氧化雙(三苯基錫)、聚(順丁烯二酸二丁基錫)、二乙酸二苯基錫、氧化二丁基錫、二丁基二甲氧基錫、二丁基雙(三乙氧基)錫等有機錫化合物等。
作為錫系觸媒，較佳為可列舉羧酸錫鹽，更佳為可列舉具有碳數1以上20以下之直鏈狀或支鏈狀之羧酸的二(羧酸)錫(II)，進而較佳為可列舉具有碳數4以上14以下之直鏈狀或支鏈狀之羧酸的二(羧酸)錫(II)，尤佳為可列舉具有碳數6以上10以下之支鏈狀之羧酸的二(羧酸)錫(II)。
縮合觸媒可單獨使用或併用。
縮合觸媒可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
又，縮合觸媒例如可溶解於溶劑中而製備成縮合觸媒溶液。縮合觸媒溶液中之縮合觸媒之濃度例如調整為1質量%以上99質量%以下。
縮合觸媒之調配比率係相對於第2矽化合物100莫耳，例如為0.001莫耳以上，較佳為0.01莫耳以上，又，例如為50莫耳以下，較佳為5莫耳以下。
繼而，於該方法中，將第1矽化合物、第2矽化合物及縮合觸媒進行調配後，例如於溫度0℃以上、較佳為10℃以上，又，例如為80℃以下、較佳為75℃以下，攪拌混合例如1分鐘以上、較佳為2小時以上，又，例如為24小時以下、較佳為10小時以下。
並且，藉由上述混合，第1及第2矽化合物於縮合觸媒之存在下 進行部分縮合。
具體而言，第1矽化合物之可縮合之取代基(上述式(11)中之X1)與第2矽化合物之可縮合之取代基(上述式(14)中之X2)進行部分縮合。
詳細而言，於第1矽化合物之可縮合之取代基為烷氧基且第2矽化合物之可縮合之取代基為羥基之情形時，以下述式(16)所示之方式使該等進行部分縮合。
再者，第2矽化合物之一部分未縮合而殘留，藉由其後之進一步縮合(完全硬化步驟)與第1聚矽氧烷之可縮合之取代基進行縮合。
如此所獲得之第1聚矽氧烷為液狀(油狀)，且為A階段。
作為第2聚矽氧烷，例如可列舉以下述式(17)所表示且側鏈含有至少1個可縮合之取代基的側鏈型聚矽氧烷。
式(17)：
(式中，F~I為結構單元，F及I表示末端單元，G及H表示重複單元。R8表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基，R9或SiR9表示可加成之取代基。d表示0或1，e表示0以上之整數，f表示1以上之整數。其中，全部之R8或R9可相同亦可不同)
於式(17)中，作為R8所表示之1價之烴基，可列舉上述式(10)之R6所例示之1價之烴基，較佳為可列舉甲基、苯基。
於式(17)中，作為R9或SiR9所表示之可加成之取代基，例如為上述可加成之取代基，較佳為構成1對可加成之取代基的取代基中之另一者，更佳為可列舉氫矽烷基、含乙烯性不飽和基之基(具體而言為乙烯基)，更佳為可列舉氫矽烷基。
於d為1之情形時，側鏈型聚矽氧烷為直鏈狀聚矽氧烷，於d為0之情形時，側鏈型聚矽氧烷為環狀聚矽氧烷。
d較佳為1。
e表示結構單元G之重複單元數，就反應性之觀點而言，較佳為0以上之整數，更佳為1以上之整數，又，較佳為100000以下之整數，更佳為10000以下之整數。
f表示結構單元H之重複單元數，就反應性之觀點而言，較佳為1以上之整數，更佳為2以上之整數，又，較佳為100000以下之整數，更佳為10000以下之整數。
例如就穩定性或操作性之觀點而言，側鏈型聚矽氧烷之數量平 均分子量為100以上1000000以下，較佳為100以上100000以下。
作為側鏈型聚矽氧烷，具體可列舉：甲基氫聚矽氧烷、甲基乙烯基聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-共聚-乙烯基甲基聚矽氧烷、乙基氫聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷-共聚-甲基苯基聚矽氧烷、甲基乙烯基聚矽氧烷-共聚-甲基苯基聚矽氧烷、2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷等。
該等側鏈型聚矽氧烷可單獨使用或併用2種以上。
較佳為可列舉R8為甲基、R9為氫原子(即，SiR9為氫矽烷基)或乙烯基，d為1、e為1以上之整數，且h為2以上之整數的直鏈狀之側鏈型聚矽氧烷。
又，作為第2聚矽氧烷，例如可列舉以下述式(18)所表示且分子之兩末端含有可加成之取代基的兩末端型聚矽氧烷(兩末端含有可加成之取代基之聚矽氧烷)。
(式中，R8表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基，R9或SiR9表示可加成之取代基，g表示1以上之整數。其中，全部之R8或R9可相同亦可不同)
作為R8所表示之1價之烴基，可列舉上述式(10)之R6所表示之1價之烴基，較佳為可列舉甲基、苯基。
作為R9或SiR9所表示之可加成之取代基，例如為上述可加成之取 代基，較佳為構成1對可加成之取代基的取代基中之另一者，更佳為可列舉氫矽烷基、含乙烯性不飽和基之基(具體而言為乙烯基)，更佳為可列舉氫矽烷基。
就反應性之觀點而言，g較佳為1以上之整數，更佳為2以上之整數，又，較佳為100000以下之整數，更佳為10000以下之整數。
就穩定性或操作性之觀點而言，兩末端型聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100以上1000000以下，較佳為100以上100000以下。
作為兩末端型聚矽氧烷，例如可列舉：兩末端氫矽烷基型聚二甲基矽氧烷、兩末端乙烯基型聚二甲基矽氧烷、兩末端氫矽烷基型聚甲基苯基矽氧烷、兩末端乙烯基型聚甲基苯基矽氧烷、兩末端氫矽烷基型聚二苯基矽氧烷、兩末端含有乙烯基之聚二甲基矽氧烷、兩末端含有乙烯基之聚二苯基矽氧烷等。
該等兩末端型聚矽氧烷可單獨使用或併用2種以上。
較佳為可列舉R8全部為甲基、R9為氫原子(即，SiR9為氫矽烷基)或乙烯基、g為2以上10000以下之整數的兩末端氫矽烷基型聚二甲基矽氧烷(有機氫聚矽氧烷)或兩末端含有乙烯基之聚二甲基矽氧烷。
於上述側鏈型聚矽氧烷及兩末端型聚矽氧烷中，作為第2聚矽氧烷，較佳為可列舉兩末端型聚矽氧烷。
第2聚矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
並且，製備第1聚矽氧樹脂組合物時，將第1聚矽氧烷與第2聚矽氧烷進行調配。較佳為將第1聚矽氧烷、第2聚矽氧烷與加成觸媒一併進行調配。
又，第1聚矽氧烷之可加成之取代基(一側，較佳為乙烯基(式(11)之R7))相對於第2聚矽氧烷之可加成之取代基(另一側，較佳為氫矽烷基(式(18)之SiR9))之莫耳比(R7/SiR9)例如為20/1以下，較佳為10/1以 下，更佳為5/1以下，又，例如為1/20以上，較佳為1/10以上，更佳為1/5以上。
又，第2聚矽氧烷之調配比率係相對於第1聚矽氧烷及第2聚矽氧烷之總量100質量份，例如為1質量份以上，較佳為50質量份以上，進而較佳為80質量份以上，又，例如為99.99質量份以下，較佳為99.9質量份以下，更佳為99.5質量份以下。
作為加成觸媒，只要為促進第1聚矽氧烷之可加成之取代基與第1聚矽氧烷之可加成之取代基之加成，具體而言促進上述式(6)~式(9)之加成的觸媒，則並無特別限定。就促進利用活性能量線的縮合之觀點而言，較佳為可列舉對活性能量線具有活性之光觸媒。
作為光觸媒，例如可列舉矽氫化觸媒等。
矽氫化觸媒促進氫矽烷基與烯基之矽氫化加成。作為此種矽氫化觸媒，例如可列舉過渡元素系觸媒，具體可列舉：鉑系觸媒、鉻系觸媒(六羰基鉻(Cr(CO)6)等)、鐵系觸媒(羰基三苯基膦鐵(Fe(CO)PPh3等)、三羰基雙苯基膦鐵(反式-Fe(CO)3(PPh3)2)、聚合物基質-(芳基-二苯基膦)5-n[羰基鐵](polymer substrate-(Ar-PPh2)5-n[Fe(CO)n])、五羰基鐵(Fe(CO)5)等)、鈷系觸媒(三羰基三乙基矽烷基鈷(Et3SiCo(CO)3)、四羰基三苯基矽烷基鈷(Ph3SiCo(CO)4)、八羰基鈷(Co2(CO)8)等)、鉬系觸媒(六羰基鉬(Mo(CO)6)等)、鈀系觸媒、銠觸媒系等。
作為矽氫化觸媒，較佳為可列舉鉑系觸媒。作為鉑系觸媒，可列舉：例如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸等無機系鉑，例如鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物、鉑-環戊二烯基錯合物、鉑-乙醯丙酮酸鹽錯合物等鉑錯合物等。
就反應性之觀點而言，較佳為可列舉鉑錯合物，更佳為可列舉鉑-環戊二烯基錯合物、鉑-乙醯丙酮酸鹽錯合物。
作為鉑-環戊二烯基錯合物，例如可列舉：三甲基(甲基環戊二烯 基)鉑(IV)、三甲基(環戊二烯基)鉑(IV)錯合物等。
作為鉑-乙醯丙酮酸鹽錯合物，例如可列舉：2,4-戊二酮酸鉑(II)(乙醯丙酮酸鉑(II))等。
再者，過渡元素系觸媒例如亦可列舉下述文獻等中所記載者。
文獻：ISSN 1070-3632,Russian Journal of General chemistry,2011,Vol.81,No.7,pp.1480-1492「Hydrosilyation on Photoactivated Catalysts」D.A.de Vekki
加成觸媒可單獨使用或併用。
加成觸媒可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合成者。
加成觸媒例如可溶解於溶劑中而製備成加成觸媒溶液。加成觸媒溶液中之加成觸媒之濃度例如為1質量%以上99質量%以下，又，於加成觸媒為過渡元素系觸媒之情形時，例如將過渡元素之濃度調整為0.1質量%以上50質量%以下。
加成觸媒之調配比率係相對於第1聚矽氧樹脂組合物整體100質量份，例如為1.0×10-11質量份以上，較佳為1.0×10-9質量份以上，又，例如為0.5質量份以下，較佳為0.1質量份以下。
又，加成觸媒亦可視需要與適量之光活性劑、光酸產生劑、光鹼產生劑等光助劑併用。
並且，藉由以上述調配比率調配含有第1聚矽氧烷與第2聚矽氧烷之各成分並攪拌混合，而可獲得第1聚矽氧樹脂組合物。
再者，第1聚矽氧樹脂組合物含有第1聚矽氧烷之製備時所殘留之一部分第2矽化合物。
並且，以如上所述之方式獲得之第1聚矽氧樹脂組合物例如為液狀，較佳為油狀(黏稠之液狀)，於25℃、1個大氣壓之條件下之黏度例如為100mPa．s以上，較佳為1000mPa．s以上，又，例如為100000 mPa．s以下，較佳為50000mPa．s以下。再者，黏度係於1個大氣壓之條件下使用流變儀而測定。再者，黏度係將第1聚矽氧樹脂組合物之溫度調節至25℃，使用E型錐，於轉速99s-1下測定。
具體而言，為了獲得第1聚矽氧樹脂組合物，首先將矽烷醇基兩末端之聚二甲基矽氧烷、乙烯基三甲氧基矽烷與二(2-乙基己酸)錫(II)(縮合觸媒)進行調配，製備油狀之第1聚矽氧烷，其後，添加兩末端氫矽烷基型聚二甲基矽氧烷(第2聚矽氧烷)、及三甲基(甲基環戊二烯基)鉑(IV)溶液或乙醯丙酮酸鉑(II)(加成觸媒)。
或者，首先將矽烷醇基兩末端之聚二甲基矽氧烷、乙烯基三甲氧基矽烷及乙烯基三甲氧基矽烷、及二(2-乙基己酸)錫(II)(縮合觸媒)進行調配，製備油狀之第1聚矽氧烷，其後，添加兩末端氫矽烷基型聚二甲基矽氧烷(第2聚矽氧烷)、及三甲基(甲基環戊二烯基)鉑(IV)錯合物溶液或乙醯丙酮酸鉑(II)(加成觸媒)。
[第2聚矽氧樹脂組合物]
第2聚矽氧樹脂組合物例如為包含含有可藉由加熱而縮合之至少1對可縮合之取代基、及可藉由活性能量線而加成之至少1對可加成之取代基的第3聚矽氧烷。
1對可縮合之取代基與第1聚矽氧樹脂組合物之第1聚矽氧烷中之1對可縮合之取代基相同。1對可縮合之取代基係取代於第3聚矽氧烷之主鏈之末端、中途及/或側鏈。
1對可加成之取代基與第1聚矽氧樹脂組合物之第1及第2聚矽氧烷之可加成之取代基相同。1對可加成之取代基係取代於第3聚矽氧烷之主鏈之末端、中途及/或側鏈。
第3聚矽氧烷例如係以下述式(19)表示。
式(19)：
(式中，R6表示選自飽和烴基及芳香族烴基中之1價之烴基、可縮合之取代基及/或可加成之取代基。J~N為結構單元，J及N表示末端單元，K~M表示重複單元。P表示K~M中之任一結構單元。k+l+m表示1以上之整數。其中，R6包含至少1對可縮合之取代基、及至少1對可加成之取代基)
R6所表示之1價之烴基、可縮合之取代基及可加成之取代基可列舉上述的上述式(10)所例示之1價之烴基、可縮合之取代基及可加成之取代基。
就穩定性或操作性之觀點而言，k+l+m較佳為1以上100000以下之整數，更佳為1以上10000以下之整數。
k例如為0以上之整數，較佳為1以上之整數，又，例如為100000以下之整數，較佳為10000以下之整數。
l例如為0以上100000以下之整數，較佳為0以上10000以下之整數。
m例如為0以上100000以下之整數，較佳為0以上10000以下之整數。
第3聚矽氧烷之數量平均分子量例如為100以上，較佳為200以上，又，例如為1000000以下，較佳為100000以下。
第3聚矽氧烷可使用市售品，又，亦可使用依據公知之方法所合 成者。
第3聚矽氧烷之含有比率係相對於第2聚矽氧樹脂組合物，例如為60質量%以上，較佳為90質量%以上，又，例如為100質量%以下。
由第2聚矽氧樹脂組合物獲得聚矽氧半硬化體時，於與第1聚矽氧樹脂組合物相同之條件下將第3聚矽氧烷與縮合觸媒一併進行加熱，其後，加入加成觸媒。
[螢光體]
作為螢光體，可列舉與第1實施形態中所列舉之螢光體相同之螢光體。螢光體之調配比率係相對於活性能量硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如為80質量份以下，較佳為50質量份以下。
[填充劑]
進而，螢光樹脂組合物亦可含有填充劑。作為填充劑，可列舉與第1實施形態中所列舉之填充劑相同之填充劑。填充劑之調配比率係相對於活性能量硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為70質量份以下，較佳為50質量份以下。
[螢光體片材5之製作]
製作螢光體片材5時，將A階段之第1聚矽氧樹脂組合物或第2聚矽氧樹脂組合物及螢光體、以及視需要所調配之填充劑進行調配，將該等之混合物塗佈於脫模片材13之表面，其後進行加熱，將螢光樹脂組合物製備成片狀。再者，螢光體及視需要所調配之填充劑亦可於A階段之第1聚矽氧樹脂組合物或第2聚矽氧樹脂組合物之製備中各成分之調配時、反應前、反應中、反應後之任一階段添加。
作為脫模片材13，可列舉：例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等)等聚合物 膜，例如陶瓷片材，例如金屬箔等。較佳為可列舉聚合物膜。又，亦可對脫模片材之表面實施氟處理等剝離處理。
混合物之塗佈例如可使用澆鑄、旋轉塗佈、輥式塗佈等。
作為加熱條件，加熱溫度例如為40℃以上，較佳為60℃以上，又，例如為180℃以下，較佳為150℃以下，加熱時間例如為0.1分鐘以上，又，例如為180分鐘以下，較佳為60分鐘以下。
若加熱條件在上述範圍內，則可確實地去除低分子成分(例如包含水之溶劑等)，完成縮合，使第1或第2聚矽氧樹脂組合物半硬化(B階段化)。
並且，於由第1聚矽氧樹脂組合物製備混合物之情形時，藉由上述加熱而使第1聚矽氧烷所含之至少1對可縮合之取代基進行縮合。藉此，於第1矽化合物之可縮合之取代基為烷氧基且第2矽化合物之可縮合之取代基為羥基之情形時，如下述式(20)所示，第1聚矽氧烷之分子量增大，藉此第1聚矽氧樹脂組合物凝膠化。即，第1聚矽氧樹脂組合物半硬化(B階段化)而獲得聚矽氧半硬化體。
或者，於由第2聚矽氧樹脂組合物製備混合物之情形時，藉由上述加熱而使第3聚矽氧烷所含之至少1對可縮合之取代基進行縮合。藉此，第3聚矽氧烷之分子量增大，藉此第2聚矽氧樹脂組合物凝膠化。即，第2聚矽氧樹脂組合物半硬化(B階段化)而獲得聚矽氧半硬化體。
藉此，獲得由含有聚矽氧半硬化體及螢光體(以及視需要所調配之填充劑)之螢光樹脂組合物所形成的螢光體片材5。
螢光體片材5之於23℃下之壓縮彈性模數例如為0.01MPa以上，較佳為0.04MPa以上，又，例如為1.0MPa以下。
若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述上限以下，則可確保充分之柔軟性。另一方面，若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述下限以上，則可一面防止對LED4施加過度之應力一面埋設LED4。
又，螢光體片材5之於波長400nm以下之透光率例如為50%以上，較佳為60%以上。
又，若螢光體片材5之透光率為上述下限以上，則可確實地確保透光性，可獲得亮度優異之LED裝置15(下述)。
螢光體片材5之厚度T3例如為10μm以上，較佳為100μm以上，又，例如為5000μm以下，較佳為2000μm以下。
藉此，如圖12(a)之上側圖所示，製作(準備)積層於脫模片材13上之螢光體片材5。
其後，將所製作之螢光體片材5以被覆複數個LED4之上部且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置。
其後，視需要如圖12(b)之假想線所示，將脫模片材13自螢光體片材5剝離。
<LED密封步驟>
於螢光體片材配置步驟之後，如圖12(c)之箭頭所示，於LED密封步驟中，對螢光體片材5照射活性能量線。
活性能量線例如包含紫外線、電子束等，例如可列舉於波長180nm以上之區域、較佳為200nm以上，又，例如為460nm以下、較佳為400nm以下之區域具有光譜分佈的活性能量線。
活性能量線之照射例如可使用化學燈、準分子雷射、黑光燈、水銀弧燈、碳弧燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈等照射裝置。再者，亦可使用可產生相較於上述波長區域為長波長側或短波長側之活性能量線的照射裝置。
照射量例如為0.001J/cm2以上，又，例如為100J/cm2以下，較佳為10J/cm2以下。
照射時間例如為10分鐘以下，較佳為1分鐘以下，又，為5秒鐘以上。
又，活性能量線例如自上方及/或下方朝螢光體片材5照射，較佳為如圖12(c)之箭頭所示自上方朝向螢光體片材5照射。
再者，關於活性能量線對螢光體片材5之照射，於支持片材32為活性能量線照射剝離片材之情形時，以使支持片材32之黏著力不會因活性能量線對螢光體片材5之照射而降低之方式選擇活性能量線照射剝離片材或照射條件。
亦可與上述活性能量線之照射一併進行加熱。
關於加熱之時機，可於活性能量線之照射之同時、或者活性能量線之照射之前或之後實施，較佳為於活性能量線之照射後實施。
關於加熱條件，溫度例如為50℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為250℃以下，又，為200℃以下，又，加熱時間例如為0.1分鐘以上，又，例如為1440分鐘以下，較佳為180分鐘以下。
藉由上述活性能量線之照射(及視需要實施之加熱)，使螢光體片材5完全硬化，成為C階段。
具體而言，於由第1聚矽氧樹脂組合物製備聚矽氧半硬化體之情 形時，藉由活性能量線之照射(及視需要實施之加熱)，如下述式(21)所示，於第1聚矽氧烷之可加成之取代基為乙烯基且第2聚矽氧烷之可加成之取代基為氫矽烷基之情形時，該等進行加成(氫矽烷基加成)。
或者，於由第2聚矽氧樹脂組合物製備聚矽氧半硬化體之情形時，藉由活性能量線之照射(及視需要實施之加熱)，於第3聚矽氧烷之可加成之取代基為乙烯基及氫矽烷基之情形時，該等進行加成(氫矽烷基加成)。
藉此，使聚矽氧半硬化體完全硬化。即，螢光體片材5完全硬化(C階段化)。
再者，完全硬化中之加成之進行度例如可藉由固體NMR(nuclear magnetic resonance，核磁共振)測定，根據源自可加成之取代基之波峰強度而確認。
經C階段化(完全硬化)之螢光體片材5具有可撓性，具體而言，23℃下之壓縮彈性模數例如為0.5MPa以上，較佳為1.0MPa以上，又，例如為100MPa以下，較佳為10MPa以下。
若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述上限以下，則可確實地確保可撓性，例如於下述切割步驟(參照圖12(d)之虛線)中，亦可使用價格相對較低之切割裝置將螢光體片材5切割。若螢光體片材5之壓縮彈性模數為上述下限以上，則可保持切割後之形狀。
藉此，藉由螢光體片材5來將LED4之上部之側面及上表面以密接狀被覆。即，藉由C階段之螢光體片材5來將LED4之上部密封。
<切割步驟>
於LED密封步驟之後，如圖12(d)之虛線所示，於切割步驟中，將LED4之周圍之可撓性之螢光體片材5沿厚度方向切割。例如將螢光體片材5例如切割成包圍各LED4之俯視大致矩形。
藉此，以LED4密接於支持片材32之狀態下，獲得具備LED4、及由被覆LED4之上部之表面(上表面及側面)之螢光體片材5所形成之螢光體層7的被覆螢光體層的LED10。
<LED剝離步驟>
於切割步驟之後，如圖12(e)所示，一面使支持片材32於面方向上延伸一面將被覆螢光體層之LED10自支持片材32剝離。
具體而言，首先如圖12(d)之箭頭所示使支持片材32於面方向外側延伸。藉此，如圖12(e)所示，於被覆螢光體層之LED10密接於支持 片材32之狀態下，拉伸應力集中於切縫8，故而切縫8擴展，並且，各LED4相互離開而形成間隙19。間隙19係以將各LED4隔開之方式形成為俯視大致格子形狀。
其後，將被覆螢光體層之LED10自支持片材32之上表面剝離。
具體而言，如圖12(e')所示，例如藉由具備針等推壓構件14、及筒夾等吸引構件16之拾取裝置17，將被覆螢光體層之LED10自支持片材32剝離。拾取裝置17中，推壓構件14自下方推壓(推頂)與欲剝離之被覆螢光體層之LED10對應之支持片材32，藉此將欲剝離之被覆螢光體層之LED10推頂至上方，一面藉由筒夾等吸引構件16吸引受到推頂之被覆螢光體層之LED10一面將其自支持片材32剝離。
並且，若使支持片材32於面方向上延伸，則於欲剝離之被覆螢光體層之LED10與其所鄰接之被覆螢光體層之LED10之間形成間隙19，故而亦可防止於使吸引構件16接近欲剝離之被覆螢光體層之LED10時，吸引構件16接觸其所鄰接之被覆螢光體層之LED10而使該被覆螢光體層之LED10受到損傷。
又，於代替上述支持片材32之延伸而上述支持片材32為熱剝離片材，或者除支持片材32之延伸以外，上述支持片材32亦為熱剝離片材之情形時，亦可將支持片材32加熱至例如為50℃以上、較佳為70℃以上，又，例如為200℃以下、較佳為150℃以下。
又，於代替上述支持片材32之延伸而上述支持片材32為活性能量線照射剝離片材，或者除支持片材32之延伸以外，上述支持片材32亦為活性能量線照射剝離片材之情形時，亦可對支持片材32照射活性能量線。
藉由該等處理，支持片材32之黏著力降低，可更進一步容易地將被覆螢光體層之LED10自支持片材32剝離。
藉此，如圖12(e)所示，獲得自支持片材32剝離之被覆螢光體層 之LED10。
<安裝步驟>
於LED剝離步驟之後，根據發光波長或發光效率而分選出被覆螢光體層之LED10後，如圖12(f)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
其後，視需要如圖12(f)之假想線所示，於LED裝置15上設置將被覆螢光體層之LED10密封之密封保護層20。藉此，可提高LED裝置15之可靠性。
並且，於第7實施形態之被覆螢光體層之LED10之製造方法中，係將由含有藉由活性能量線之照射而硬化之活性能量線硬化性樹脂及螢光體之螢光樹脂組合物所形成的螢光體片材5以被覆LED4之上部且形成有空間3之方式配置，其後，對螢光體片材5照射活性能量線，從而藉由螢光體片材5來將LED4之上部密封。因此，可抑制支持片材32之損傷而將LED4之上部密封，使螢光體均勻地分散於LED4之周圍。
即，可不對螢光體片材5加熱或減少加熱而對螢光體片材5照射活性能量線，從而使該螢光體片材5硬化，藉此將LED4之上部密封，因此，支持螢光體片材5之支持片材32無需具有耐熱性，即，可利用耐熱性較低之支持片材32。
而且，於使螢光體片材5完全硬化之情形時，照射活性能量線之照射時間與僅藉由加熱而使螢光體片材5完全硬化之情形相比，可設定為短時間。
又，藉由對應LED4而將螢光體片材5切割，而獲得具備LED4、及由被覆LED4之上部之表面之螢光體片材5所形成之螢光體層7的被覆螢光體層之LED10，其後，將被覆螢光體層之LED10自支持片材32剝離。因此，可將由損傷得以抑制之支持片材32支持之螢光體片材5以優異之尺寸穩定性切割，獲得尺寸穩定性優異之被覆螢光體層之 LED10。
又，若於切割步驟中一面藉由支持片材32支持螢光體片材5一面將其切割，其後，於LED剝離步驟中對支持片材32進行加熱，則對已於切割步驟中支持螢光體片材5而完成其作用之支持片材32進行加熱，且自其將被覆螢光體層之LED10剝離，因此，可高效率地獲得尺寸穩定性優異之被覆螢光體層之LED10。
因此，該被覆螢光體層之LED10之尺寸穩定性優異。
又，由於LED裝置15具備尺寸穩定性優異之被覆螢光體層之LED10，故而可靠性優異，因此發光效率提高。
<變化例>
於上述第7實施形態中，係由1層形成支持片材32，例如雖未圖示亦可由無法於面方向上延伸之硬質之支持板、與積層於支持板上之黏著層之2層所形成。
作為形成支持板之硬質材料，可列舉：例如氧化矽(石英等)等氧化物，例如不鏽鋼等金屬等。支持板之厚度例如為0.1mm以上，較佳為0.3mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為2mm以下。
黏著層係形成於支持板之整個上表面。作為形成黏著層之黏著材料，例如可列舉丙烯酸系感壓接著劑等感壓接著劑。黏著層之厚度例如為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，又，例如為1mm以下，較佳為0.5mm以下。
較佳為如圖12(a)之上側圖所示，由1層形成可於面方向上延伸之支持片材32。
藉此，於圖12(e)所示之LED剝離步驟中，可一面使支持片材32於面方向上延伸一面將被覆螢光體層之LED10自支持片材32剝離，如圖12(e')所示，可利用上述拾取裝置17，容易且確實地將被覆螢光體層之LED10自支持片材32剝離。
再者，由於支持片材32上未設置硬質之支持板，故而如參照圖12(e')所示，可藉由拾取裝置17之推壓構件14自下方推頂支持片材32及與其對應之被覆螢光體層之LED10。
而且，由於無需將硬質之支持板積層於黏著層上，故而可實現製程之簡單化。
<第8實施形態>
於第8實施形態之圖式中，對與第1~第7實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。
第8實施形態之被覆螢光體層之LED10之製造方法包括：支持片材準備步驟，其準備支持片材1(參照圖13(a))；LED貼合步驟，其將LED4經由黏著層3貼合於支持板2上(半導體元件配置步驟之一例，參照圖13(b))；LED密封步驟，其藉由螢光體片材5將LED4之上部密封(參照圖13(c)及圖13(d))；切割步驟，其對應LED4將螢光體片材5切割(參照圖13(d)之虛線)；及LED剝離步驟，其將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離(參照圖13(e))。又，第8實施形態之LED裝置15之製造方法包括安裝步驟(參照圖13(f))。
以下，對第8實施形態之各步驟進行詳細說明。
<支持片材準備步驟>
如圖13(a)所示，支持片材1具備支持板2、及積層於支持板2之上表面之黏著層3。
作為支持板2，可列舉與第1實施形態之支持板2相同者。
黏著層3係由藉由活性能量線之照射而黏著力降低之材料以活性能量線照射剝離層(片材)之形式形成，具體而言，例如可列舉丙烯酸系感壓接著劑層等感壓接著劑層。又，黏著層3例如亦可由日本專利特開2001-308116號公報中所記載之活性能量線照射剝離層(片材)形成。
黏著層3之厚度例如為0.01mm以上，較佳為0.02mm以上，又，為1mm以下，較佳為0.5mm以下。
準備支持片材1時，例如將支持板2與黏著層3貼合。支持片材1之厚度例如為0.2mm以上，較佳為0.5mm以上，又，為6mm以下，較佳為2.5mm以下。
<LED貼合步驟>
LED貼合步驟係於支持片材準備步驟之後實施。
於LED貼合步驟中，如圖13(b)之下側圖所示，例如將複數個LED4以排列狀貼合於黏著層3之上表面。具體而言，以使複數個LED4俯視下前後左右相互隔開相等間隔之方式將LED4貼合於黏著層3之上表面。又，將LED4以使未圖示之凸塊與黏著層3之上表面相對向之方式貼合於黏著層3之上表面。藉此，LED4係以可維持其排列狀態之方式由黏著層3之上表面支持(感壓接著)。
<LED密封步驟>
LED密封步驟係於LED貼合步驟之後實施。
於圖13(b)之上側圖中，螢光體片材5係由含有與第1實施形態之螢光樹脂組合物相同之螢光樹脂組合物形成為於面方向上延伸之片狀。
並且，如圖13(c)所示，藉由螢光體片材5來將LED4之上部密封時，首先如圖13(b)之上側圖所示，準備螢光體片材5。
繼而，如圖13(c)所示，將螢光體片材5以被覆LED4之上部且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配置(作為密封片材配置步驟之一例之螢光體片材配置步驟)。
其後，如圖13(c)之假想線所示，將脫模片材13自螢光體片材5之上表面剝離。
其後，如圖13(d)所示，使螢光體片材5硬化。於硬化性樹脂為熱 硬化性樹脂之情形時，使螢光體片材5熱硬化。具體而言，將螢光體片材5加熱至例如80℃以上、較佳為100℃以上，又，例如為200℃以下、較佳為180℃以下。
於熱硬化性樹脂含有2階段硬化型聚矽氧樹脂且埋設LED4之螢光體片材5為B階段之情形時，螢光體片材5藉由上述加熱而完全硬化，成為C階段。
又，於熱硬化性樹脂含有1階段硬化型聚矽氧樹脂之情形時，螢光體片材5藉由上述加熱而完全硬化，成為C階段。
或者於硬化性樹脂含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，對螢光體片材5自上方照射活性能量線。再者，於自上方照射活性能量線之情形時，以使黏著層3之黏著力不因此降低之方式選擇硬化性樹脂、或照射條件。
經硬化(完全硬化)之螢光體片材5具有可撓性，又，螢光體片材5之於波長400nm以下之透光率例如為50%以上，較佳為60%以上。若螢光體片材5之透光率為上述下限以上，則可確保螢光體層7之活性能量線之透射性，使活性能量線透射螢光體層7而到達黏著層3。同時可獲得亮度優異之LED裝置15(下述)。
藉此，藉由螢光體片材5將LED4之側面之上部及上表面以密接狀被覆。即，藉由C階段之螢光體片材5來將LED4之上部密封。
<切割步驟>
於LED密封步驟之後，如圖13(d)之虛線所示，於切割步驟中，將LED4之周圍之螢光體片材5沿厚度方向切割。例如圖2之單點鏈線所示，將螢光體片材5例如切割成包圍各LED4之俯視大致矩形。
藉由切割步驟，而以LED4密接於支持片材1之狀態獲得包含LED4、及由被覆LED4之上部之表面(上表面及側面)之螢光體片材5所形成之螢光體層7的被覆螢光體層之LED10。即，對應LED4而將螢光 體片材5單片化。再者，螢光體層7之物性(透光率等)與螢光體片材5之物性相同。
<LED剝離步驟>
於切割步驟之後，圖13(e)中，於LED剝離步驟中，將被覆螢光體層之LED10自黏著層3之上表面剝離。
將被覆螢光體層之LED10自黏著層3之上表面剝離時，首先如圖13(e)之向下之箭頭所示，自上方經由螢光體片材5對黏著層3照射活性能量線。
活性能量線例如包含紫外線、電子束等，例如可列舉於波長180nm以上之區域、較佳為200nm以上，又，例如為460nm以下、較佳為400nm以下之區域具有光譜分佈的活性能量線。
活性能量線之照射例如可使用化學燈、準分子雷射、黑光燈、水銀弧燈、碳弧燈、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈等照射裝置。再者，亦可使用可產生相較於上述波長區域為長波長側或短波長側之活性能量線的照射裝置。
照射量例如為0.001J/cm2以上，較佳為0.01J/cm2以上，又，例如為100J/cm2以下，較佳為10J/cm2以下。若照射量為上述下限以上，則可確實且效率良好地降低黏著層3之黏著力。另一方面，若照射量為上述上限以下，則可抑制成本增大，有效地防止機器之損傷。
照射時間例如為10分鐘以下，較佳為1分鐘以下，又，例如為5秒鐘以上。若照射時間之上限為上述上限以下，則可縮短LED剝離步驟所花費之時間。
並且，全部或一部分之活性能量線自上方透過螢光體層7而照射至黏著層3。
藉由該活性能量線之照射而使黏著層3之黏著力降低。
於該狀態下，如圖13(e)之向上之箭頭所示，將被覆螢光體層之 LED10自黏著層3剝離。再者，將被覆螢光體層之LED10自黏著層3剝離時，視需要可使用未圖示之具備筒夾等吸引構件之拾取裝置。具體而言，可一面藉由吸引構件來吸引被覆螢光體層之LED10一面將其自黏著層3剝離。
被覆螢光體層之LED10自黏著層3之剝離，係將LED4之下表面自黏著層3之上表面剝離。
藉此，獲得自黏著層3剝離之被覆螢光體層之LED10。
[安裝步驟]
於LED剝離步驟之後，根據發光波長或發光效率而分選出被覆螢光體層之LED10後，如圖13(f)所示，將分選出之被覆螢光體層之LED10安裝於基板9上。藉此，獲得LED裝置15。
藉此，獲得具備基板9、及安裝於基板9上之被覆螢光體層之LED10的LED裝置15。
其後，視需要如圖13(f)之假想線所示，於LED裝置15上設置將被覆螢光體層之LED10密封之密封保護層20。藉此，可提高LED裝置15之可靠性。
並且，根據第8實施形態之方法，於LED剝離步驟中，自上方經由螢光體片材5對黏著層3照射活性能量線。於是，活性能量線透過螢光體片材5而照射至黏著層3。因此，無需由透過活性能量線之基板材料形成支持板2，使該支持板2透過活性能量線。其結果，作為支持板2，並不限定於活性能量線透過性之支持板，而亦可自活性能量線遮斷性之支持板中選擇。
又，於切割步驟之後實施LED剝離步驟。即，於切割步驟中，可一面藉由具備硬質之支持板2之支持片材1來支持LED4及螢光體片材5，一面將螢光體片材5切割。因此，可獲得尺寸穩定性優異之被覆螢光體層之LED10。
進而，於該方法中，於LED剝離步驟中，對黏著層3照射活性能量線，因此與藉由黏著層3之加熱而使黏著層3之黏著力降低之方法相比，可防止由加熱引起之支持片材1之變形，可更進一步提高尺寸穩定性。
因此，該被覆螢光體層之LED10之尺寸穩定性優異。
又，由於LED裝置15具備尺寸穩定性優異之被覆螢光體層之LED10，故而可靠性優異，因此發光效率提高。
<變化例>
再者，於圖13(e)之實施形態之LED剝離步驟中，僅自上方對黏著層3照射活性能量線，但於第8實施形態中，只要自至少上方照射活性能量線即可，例如於由活性能量線透過性材料或活性能量線半透過性材料形成支持板2之情形時，亦可自上下兩側對黏著層3照射活性能量線。於該情形時，自支持片材1之下方照射之全部或一部分之活性能量線透過支持板2而到達黏著層3。
根據此種變化例，於LED剝離步驟中，可更進一步縮短用以使黏著層3之黏著力降低所需之時間即活性能量線之照射時間，可提高被覆螢光體層之LED10之製造效率。
<第9實施形態>
於第1~第8實施形態中，首先製作、準備被覆螢光體層之LED10(參照圖1(e)、圖6(e)、圖8(f)、圖9(g)、圖10(h)、圖11(i)、圖12(e)、圖13(e))，其後，將被覆螢光體層之LED10之LED4安裝於基板9上(參照圖1(f)、圖6(f)、圖8(g)、圖9(h)、圖10(i)、圖11(j)、圖12(f)、圖13(f))。
但是，如參照圖14所示，如圖14(a)所示，預先將複數個LED4安裝於基板9上，其後，如圖14(b)所示，亦可將螢光體片材5以被覆複數個LED4之上部且形成跨及相互鄰接之LED4間的空間30之方式配 置。
於第9實施形態中，如圖14(a)所示，將複數個LED4以前後左右相互隔開相等間隔之方式預先安裝於基板9上。
其後，將螢光體片材5以形成空間30之方式配置於基板9上。將螢光體片材5以形成有空間30之方式配置時，首先準備螢光體片材5。其後，如圖14(b)所示，將螢光體片材5對複數個LED4之上部壓接。又，壓接係於減壓環境下、或者常壓環境下實施，較佳為於減壓環境下實施。藉此，形成空間30。其後，只要螢光體片材5含有硬化性樹脂，則使螢光體片材5硬化，密封複數個LED4之上部。
藉此，獲得於基板9上形成被覆螢光體層之LED10並且具備基板9、複數個LED4及螢光體片材5的LED裝置15。
其後，亦可如圖14(b)之假想線所示，視需要設置密封保護層20後，對應各LED4將LED裝置15單片化。又，製造LED裝置15之同時製作被覆螢光體層之LED10。
若為第9實施形態，則未根據發光波長或發光效率而分選出被覆螢光體層之LED10之情況下預先將LED4安裝於基板9上，故而可省略分選出上述被覆螢光體層之LED10之過程。
<第10實施形態>
於上述第1實施形態中，如圖1(c)所示，於LED被覆步驟之螢光體片材配置步驟中，螢光體層7之壓入量係調整未圖示之壓製裝置中之壓板之上下方向的位移量而控制。然而，亦可例如如圖15所示，使用間隔件27加以控制。
於圖15及圖16中，對與第1實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。又，於圖16中，間隔件27(下述)係以影線表示。
於第10實施形態中，除了支持片材準備步驟(參照圖15(a))、LED 配置步驟(參照圖15(b))、LED被覆步驟(參照圖15(c)及圖15(d))、切割步驟(參照圖15(d)之虛線)、以及LED剝離步驟(參照圖15(e)及圖15(e'))以外，進而包括間隔件配置步驟(參照圖15(a))。
[間隔件配置步驟]
間隔件配置步驟如圖15(a)所示，係於支持片材準備步驟之後實施。
於間隔件配置步驟中，將間隔件27設置於支持片材1之上。如圖15(a)及圖16所示，間隔件27於黏著層3之上表面，以包圍載置有複數個LED4之載置區域24之方式進行配置。即，間隔件27於在厚度方向上投影時，以不與載置區域24重疊之方式，形成為俯視大致格子形狀。間隔件27之各個開口部28形成為包含各個載置區域24，具體而言，形成為大於載置區域24之俯視大致矩形狀。
間隔件27之開口部28之1邊之長度L3長於LED4之1邊之長度，具體而言，相對於LED4之1邊之長度，例如超過100%，較佳為110%以上，更佳為125%以上，進而較佳為150%以上，又，例如為300%以下。更具體而言，間隔件27之開口部28之1邊之長度L3例如為0.3mm以上，較佳為1.0mm以上，又，例如為5.0mm以下，較佳為3.0mm以下。又，間隔件27之寬度L4根據間隔件27之開口部28之1邊之長度L3適當設定，具體而言，例如為0.3mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為5.0mm以下，較佳為3.0mm以下。
間隔件27之厚度T5設定成空間30之所需厚度T2(參照圖15(c))，具體而言為由LED4之厚度T0(參照圖15(b))減去進入部分31之厚度T1(進入長度)(參照圖15(c))的長度。
作為形成間隔件27之材料，例如可列舉樹脂、金屬等。作為樹脂，例如可列舉：PET等聚酯例如聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴等。作為金屬，例如可列舉：鐵、銅、不鏽鋼等。又，於間隔件27之表面亦可 實施氟處理等剝離處理。
於將間隔件27設置於支持片材1之上時，例如，將預先外形加工成上述形狀之間隔件27載置於黏著層3之上表面。或者，亦可將由上述材料形成之片材積層於黏著層3之上表面上之後，藉由公知之圖案形成法形成為上述形狀。
[LED被覆步驟]
LED被覆步驟包括螢光體片材配置步驟(參照圖15(c))、及LED密封步驟(參照圖15(d))。
(螢光體片材配置步驟)
如圖15(c)所示，於螢光體片材配置步驟中，直至螢光體片材5之下表面與間隔件27之上表面接觸，將螢光體片材5對於複數個LED4之上部壓入。詳細而言，對向於載置區域24以外區域之螢光體片材5之下表面直至與間隔件27之上表面接觸，將螢光體片材5對於複數個LED4之上部壓入。再者，對向於載置區域24以外區域之螢光體片材5為進入部分31。
螢光體片材5之壓入藉由間隔件27之厚度T5而控制。具體而言，螢光體片材5之下表面與LED4之上表面接觸後，直至進入部分31之下表面與間隔件27之上表面接觸，壓入螢光體片材5。
再者，螢光體層7之壓入係以確保空間30之方式進行調節。
藉由第10實施形態亦可實現與第1實施形態相同之作用效果，進而，若與圖1之實施形態相比，則可將螢光體片材5之壓入藉由間隔件27之厚度T5而控制。即，可藉由準確調節間隔件27之厚度T5，而準確調節螢光體片材5之壓入量。
<第11實施形態>
於上述第2實施形態中，如圖6所示，支持板2形成為上表面平坦之平板狀，但亦可例如如圖17所示，於支持板2之上表面設置支持凹 部22。
於圖17及圖18中，對與第2實施形態相同之構件及步驟賦予相同之參照符號，並省略其詳細說明。於圖18中，支持突出部23(下述)係以影線表示。
於該第11實施形態中，包括支持片材準備步驟(參照圖17(a))、LED配置步驟(參照圖17(b))、螢光體片材配置步驟(參照圖17(c))、LED密封步驟(參照圖17(d))、切割步驟(參照圖17(d)之虛線)、及LED剝離步驟(參照圖17(e)之假想線)。
[支持片材準備步驟]
支持凹部22係以自支持板2之上表面向下側凹陷之方式而設置。即，支持凹部22成為上側敞開之凹部。如圖17(a)及圖18所示，支持凹部22設置成與黏著層3之載置區域24對應，具體而言，支持凹部22於俯視下，於前後方向及左右方向上相互隔開間隔而整齊配置。又，各個支持凹部22於在厚度方向上投影時，以包含各個載置區域24之方式而形成。各個支持凹部22形成為較各個載置區域24稍大之俯視矩形狀。於支持板2中，支持凹部22以外之部分成為支持突出部23。支持突出部23於在厚度方向上投影時，形成為俯視大致格子形狀。
支持凹部22之1邊之長度L5長於LED4之1邊之長度，具體而言，相對於LED4之1邊之長度，例如超過100%，較佳為110%以上，更佳為125%以上，進而較佳為150%以上，又，例如為300%以下。更具體而言，支持凹部22之1邊之長度L5例如為0.3mm以上，較佳為1.0mm以上，又，例如為5.0mm以下，較佳為3.0mm以下。又，支持突出部23之寬度L6為0.3mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為5.0mm以下，較佳為3.0mm以下。
支持凹部22之深度T6(即，支持突出部23之突出長度T6)調節成與如下說明之黏著突出部25之突出長度T7(參照圖17(c))相對應的長度， 具體而言，例如為0.01mm以上，較佳為0.05mm以上，更佳為0.1mm以上，又，例如為1mm以下，較佳為0.8mm以下，更佳為0.5mm以下。
黏著層3以填充支持凹部22之全部並且被覆支持突出部23之上表面之方式，於支持板2之上連續設置。再者，黏著層3之上表面形成為平坦狀。
[螢光體片材配置步驟]
如圖17(c)所示，於螢光體片材配置步驟中，螢光體片材5之下表面於黏著層3中，直至與對應於支持突出部23之黏著突出部25之上表面接觸，將螢光體片材5對於複數個LED4之上部壓入。即，首先螢光體片材5之下表面與複數個LED4之上表面接觸，其後，藉由螢光體片材5，複數個LED4向下方加壓，因此對向配置於LED4之下側之黏著層3，即填充於支持凹部22之黏著層3朝外方向(左右方向及前後方向)對被覆支持突出部23之上表面之黏著層3加壓。於是，被覆支持突出部23之上表面之黏著層3藉由支持突出部23上堆於上側，具體而言，形成自LED4之下表面(周圍之黏著層3之上表面)向上側突出的黏著突出部25。黏著突出部25於剖面觀察下，形成為對應於支持突出部23之形狀，具體而言，形成為對於周圍之黏著層3向上側突出為剖面觀察大致矩形狀之形狀。
再者，黏著突出部25係以確保空間30之方式形成。
黏著突出部25之突出長度T7設定成空間30之厚度T2(參照圖17(c))，具體而言，為由LED4之厚度T0減去進入部分31之厚度T1(進入長度)的長度。
第11實施形態之螢光體層被覆LED10之製造方法中，可實現與第2實施形態之相同之作用效果，進而，黏著突出部25之突出長度T7進而可藉由準確設定支持突出部23之突出長度T6而準確調節螢光體片材 5之壓入量。藉此可準確調節空間30之所需厚度T2。
<變化例>
於第11實施形態中，將黏著突出部25於螢光體片材配置步驟(參照圖17(c))中形成，例如亦可於LED配置步驟(參照圖18(b))中形成。
即，如圖19(b)所示，於LED配置步驟中，藉由將複數個LED4配置於黏著層3上而形成黏著突出部25。詳細而言，於LED配置步驟中，LED4配置於黏著層3上時，黏著層3由LED4加壓，藉此於載置區域24之周圍形成黏著突出部25。
又，雖未圖示，亦可於圖17及圖18所示之支持板2之支持凹部22設置貫通孔21(參照圖15及圖16)。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不可限定性地解釋。該技術領域之業者明確的本發明之變化例係包含於後述之申請專利範圍中。
1‧‧‧支持片材
2‧‧‧支持板
3‧‧‧黏著層
4‧‧‧LED
5‧‧‧螢光體片材
6‧‧‧脫模片材
7‧‧‧螢光體層
8‧‧‧切縫
9‧‧‧基板
10‧‧‧被覆螢光體層之LED
10'‧‧‧被覆螢光體片材之LED
14‧‧‧推壓構件
15‧‧‧LED裝置
16‧‧‧吸引構件
17‧‧‧拾取裝置
20‧‧‧密封保護層
21‧‧‧貫通孔
30‧‧‧空間
31‧‧‧進入部分
L1‧‧‧LED4間之間隔
T0‧‧‧LED4之厚度
T1‧‧‧進入部分31之厚度
T2‧‧‧空間30之厚度
T3‧‧‧螢光體片材5之於壓接前之厚度
T4‧‧‧螢光體片材5之最大厚度

Claims (8)

  1. 一種被覆密封片材之半導體元件之製造方法，其特徵在於包括：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
  2. 如請求項1之被覆密封片材之半導體元件之製造方法，其中上述密封片材露出相互對向之上述半導體元件之對向面之一部分。
  3. 如請求項1之被覆密封片材之半導體元件之製造方法，其中上述半導體元件為光半導體元件。
  4. 如請求項3之被覆密封片材之半導體元件之製造方法，其中上述光半導體元件為LED。
  5. 如請求項1之被覆密封片材之半導體元件之製造方法，其中上述密封片材為含有螢光體之螢光體片材。
  6. 一種被覆密封片材之半導體元件，其特徵在於，其係藉由包括如下步驟的被覆密封片材之半導體元件之製造方法而獲得：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括：準備被覆密封片材之半導體元件之步驟、及 將上述被覆密封片材之半導體元件之半導體元件安裝於基板上或者預先將複數個半導體元件安裝於基板上之步驟；且上述被覆密封片材之半導體元件係藉由包括如下步驟的被覆密封片材之半導體元件之製造方法而獲得：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
  8. 一種半導體裝置，其特徵在於，其係藉由如下半導體裝置之製造方法而獲得，該方法包括：準備被覆密封片材之半導體元件之步驟、及將上述被覆密封片材之半導體元件之半導體元件安裝於基板上或者預先將複數個半導體元件安裝於基板上之步驟；且上述被覆密封片材之半導體元件係藉由包括如下步驟的被覆密封片材之半導體元件之製造方法而獲得：半導體元件配置步驟，其係相互隔開間隔地配置複數個半導體元件；及密封片材配置步驟，其係將密封片材以被覆上述複數個半導體元件且形成跨及相互鄰接之上述半導體元件間的空間之方式配置。
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