TW201406458A - 用於經改良之異丙苯生產的具碳質材料之觸媒及其製造和使用方法 - Google Patents

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Abstract

本發明呈現複合觸媒。該複合觸媒包括基質。該基質包括沸石及無機氧化物。該複合物進一步包括佈置在該基質之表面上之碳質材料。該碳質材料佔該複合觸媒2.8重量%以上。

Description

用於經改良之異丙苯生產的具碳質材料之觸媒及其製造和使用方法 優先權之聲明
本申請案主張於2012年5月14日提出申請的美國申請案第13/471,118號之優先權。
本發明概言之係關於經由苯之催化烷基化形成異丙基苯(異丙苯)。在某些實施例中，本發明係關於在觸媒表面上形成碳質材料以增加異丙苯選擇性。
沸石係自共角AlO2及SiO2四面體形成之微孔結晶鋁矽酸鹽組合物。眾多種天然存在及合成製備之沸石皆用於多種工業製程中。合成沸石係採用Si、Al之適宜來源以及諸如鹼金屬、鹼土金屬、胺或有機銨陽離子等結構導向劑經由熱液合成來製備。結構導向劑駐留於沸石之孔中且很大程度上決定最終形成之具體結構。該等物質平衡與鋁結合之骨架電荷且亦可用作空間填充物。沸石之特徵在於具有均勻尺寸之孔開口，具有顯著離子交換能力，且能夠使分散於晶體之整個內空隙中之吸附相可逆地解吸附而未顯著置換任何組成永久性沸石晶體結構之原子。沸石可用作可在孔之外表面以及內表面上發生之烴轉化之 觸媒。
一個該烴轉化製程包含使用沸石觸媒用丙烯對苯進行催化單烷基化以產生異丙基苯(異丙苯)。儘管主要產物係異丙基苯，但亦產生多種呈少量形式之多烷基化苯變體。該等多烷基化變體(例如二異丙基苯(DIPB)及三異丙基苯(TIPB))並不合意。因此，非常需要增加較多烷基化變體至異丙基苯之催化烷基化之選擇性的技術。彼等熟習此項技術者意識到即使適度改良產物選擇性亦具有重要商業影響。
本發明呈現複合觸媒。複合觸媒包括基質。基質包括沸石及無機氧化物。複合觸媒進一步包括佈置在基質之表面上之碳質材料。碳質材料佔複合物2.8重量%以上。
在另一實施例中，呈現製造複合觸媒之方法。該方法包括提供包括沸石及無機氧化物之基質及在基質之表面上沈積碳質材料。該沈積包括將基質暴露於呈氣相或部分氣相之烴材料。碳質材料佔複合觸媒2.8重量%以上。
在又一實施例中，呈現製造異丙苯之方法。該方法包括提供包括沸石及無機氧化物之基質及在基質之表面上沈積碳質材料。該沈積包括將基質暴露於呈氣相或部分氣相之烴材料。碳質材料佔複合觸媒2.8重量%以上。該方法進一步包括藉由將複合觸媒暴露於包括丙烯及苯之流來形成異丙苯。該流包括液體。
100‧‧‧圖形
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圖1係碳含量對異丙苯選擇性之圖形；圖2係碳含量對活性(獲得最高溫度所需要之觸媒床部分)之圖形；且圖3係碳含量對橋頭碳百分數之圖形。
用於本發明製程中之催化組合物包括異丙苯烷基化觸媒UZM-8。UZM-8係微孔結晶沸石。在一實施例中，UZM-8係在不含鹼之反應介質中製備，其中僅使用一或多種有機銨物質作為結構導向劑。UZM-8沸石具有呈合成態形式之組成且在無水基礎上由經驗式(1)來表示。
R r p+Al1-x E x Si y O z (1)
在多個實施例中，R係至少一種選自由以下組成之群之有機銨陽離子：質子化胺、質子化二胺、四級銨離子、二四級銨離子、質子化烷醇胺及四級銨化烷醇銨離子。
在一實施例中，有機銨陽離子為非環狀。在一實施例中，有機銨陽離子不包括環狀基團作為一取代基。在一實施例中，有機銨陽離子包括至少一個甲基作為取代基。在一實施例中，有機銨陽離子包括至少兩個甲基作為取代基。在某些實施例中，陽離子係選自由以下組成之群：二乙基二甲基銨(DEDMA)、乙基三甲基銨(ETMA)、六甲雙銨(HM)及其混合物。
R對(Al+E)之比率係由自0.05至5變化之「r」表示。「p」值係R之加權平均化合價且係自1至2變化。Si對(Al+E)之比率係由自6.5至35變化之「y」表示。E係以四面體形式配位且存在於骨架中之元素。在某些實施例中，E係選自由以下組成之群：鎵、鐵、鉻、銦及硼。E之莫耳分數係由「x」表示且具有0至0.5之值，同時「z」係O對(Al+E)之莫耳比且藉由等式(2)給出。
z=(r．p+3+4．y)/2 (2)
UZM-8沸石亦可使用有機銨陽離子及鹼及/或鹼土陽離子二者作為結構導向劑來製備。如在以上不含鹼之情形下，此處可使用相同有機銨陽離子。觀察到鹼或鹼土陽離子通常當以小於0.05M+/Si之量存在時加速UZM-8之結晶。對於含有鹼及/或鹼土金屬之系統，微孔結晶UZM-8沸石具有呈合成態形式之組成且在無水基礎上由經驗式(3) 表示。
M m n+R r p+Al1-x E x Si y O z (3)
M係至少一種可交換陽離子。在某些實施例中，M係選自由鹼金屬及鹼土金屬組成之群。在多個實施例中，M包括鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈣、鍶、鋇或其混合物。在某些實施例中，R係選自由DEDMA、ETMA、HM及其混合物組成之群。
「m」值係M對(Al+E)之比率且自0.01至2變化。「n」值係M之加權平均化合價且自1至2變化。R對(Al+E)之比率係由自0.05至5變化之「r」表示。「p」值係R之加權平均化合價且自1至2變化。Si對(Al+E)之比率係由自6.5至35變化之「y」表示。E係以四面體形式配位且存在於骨架中之元素。在某些實施例中，E係選自由以下組成之群：鎵、鐵、鉻、銦及硼。
E之莫耳分數係由「x」表示且具有0至0.5之值，同時「z」係O對(Al+E)之莫耳比且藉由等式(4)給出。
z=(m．n+r．p+3+4．y)/2 (4)
在一些M係由單一金屬組成之實施例中，加權平均化合價係金屬之化合價，即+1或+2。在M係由複數種金屬組成之其他實施例中，金屬總量係由(5)表示且加權平均化合價「n」係藉由等式(6)給出。
M m n+=M m1 (n1)++M m2 (n2)++M m3 (n3)++...(5)
相似地，當僅存在一個R有機陽離子時，加權平均化合價為單一R陽離子之化合價，即+1或+2。當存在一個以上之R陽離子時，R之總量係藉由等式(7)給出，R r p+=R r1 (p1)++R r2 (p2)++R r3 (p3)+ (7)
且加權平均化合價「p」係藉由等式(8)給出。
在多個實施例中，微孔結晶UZM-8沸石係藉由熱液結晶藉由組合R、鋁及矽之反應性來源製備之反應混合物來製備。在多個實施例中，微孔結晶UZM-8沸石係藉由熱液結晶藉由組合R、鋁、矽及M之反應性來源製備之反應混合物來製備。在多個實施例中，微孔結晶UZM-8沸石係藉由熱液結晶藉由組合R、鋁、矽及E之反應性來源製備之反應混合物來製備。在多個實施例中，微孔結晶UZM-8沸石係藉由熱液結晶藉由組合R、鋁、矽、M及E之反應性來源製備之反應混合物來製備。
在多個實施例中，UZM-8沸石包括在觸媒表面上形成之具有凹杯之三維晶格及延伸穿過晶格之孔。
在多個實施例中，鋁之來源係選自由以下組成之群：烷氧化鋁、沈澱氧化鋁、鋁金屬、鋁酸鈉、鋁酸有機銨、鋁鹽及氧化鋁溶膠。烷氧化鋁之特定實例包含(但不限於)正第二丁醇鋁及正異丙醇鋁。在其他實施例中可使用鋁之其他來源。
在多個實施例中，二氧化矽之來源係選自由以下組成之群：正矽酸四乙酯、膠質二氧化矽、沈澱二氧化矽、鹼性矽酸鹽及矽酸有機銨。在其他實施例中可使用二氧化矽之其他來源。
由鋁矽酸有機銨溶液組成之特殊試劑亦可用作Al、Si及R之共同來源。
在多個實施例中，E之來源係選自由以下組成之群：鹼性硼酸鹽、硼酸、沈澱羥基氧化鎵、硫酸鎵、硫酸鐵、氯化鐵、硝酸鉻及氯化銦。在其他實施例中可使用E之其他來源。
在多個實施例中，M之來源係選自由以下組成之群：鹵化物鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、乙酸鹽及各別鹼金屬或鹼土金屬之氫氧化物。在其他實施例中可使用M之其他來源。
在某些實施例中，R可以有機銨陽離子或胺形式納入。在R係四級銨陽離子或四級銨化烷醇銨陽離子之實施例中，R之來源可係選自由以下組成之群：氫氧化物、氯化物、溴化物、碘化物及氟化物化合物。R之該等來源之特定實例包含(但不限於)DEDMA氫氧化物、ETMA氫氧化物、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、氫氧化六甲雙銨、四丙基氫氧化銨、甲基三乙基氫氧化銨、四甲基氯化銨及氯化膽鹼。在一些實施例中，R可以隨後水解形成有機銨陽離子之胺、二胺或烷醇胺形式納入。在一些實施例中，R之來源係選自由以下組成之群：N,N,N,N-四甲基-1,6-己二胺、三乙胺及三乙醇胺。在一些實施例中，R之來源係選自由以下組成之群：ETMAOH、DEDMAOH及HM(OH)2。
含有合意組份之反應性來源之反應混合物可藉由式(9)以氧化物之莫耳比予以闡述。
aM2/nO：bR2/pO：1-cAl2O3：cE2O3：dSiO2：eH2O (9)
在多個實施例中，「a」係自0至25變化，「b」係自1.5至80變化，「c」係自0至1.0變化，「d」係自10至100變化，且「e」係自100至15000變化。若使用烷氧化物，則較佳包含蒸餾或蒸發步驟以移除醇水解產物。
在自生壓力下在密封反應容器中使反應混合物在85℃至225℃且較佳在125℃至150℃之溫度下反應1天至28天之時間段且較佳5天至14天時間。完成結晶後，藉助(例如)過濾或離心自異質混合物分離固體產物，且然後用去離子水洗滌且在高達100℃之環境溫度下在空氣中乾燥。
在一些實施例中，UZM-8係自勻質溶液合成。可溶性鋁矽酸鹽前驅物在蒸解期間凝結以形成極小雛晶，該等極小雛晶具有較大外部表面積且在雛晶孔內具有較短擴散路徑。此可影響材料之吸附及催化特性二者。
合成態之UZM-8材料在其孔中將含有一些電荷平衡陽離子。在自含有鹼金屬或鹼土金屬之反應混合物合成之情形下，一些該等陽離子可係可交換為其他陽離子之可交換陽離子。在有機銨陽離子之情形下，其可藉由在受控條件下加熱來移除。在不含鹼之系統中製備UZM-8之情形下，最佳藉由受控煅燒來移除有機銨陽離子，從而產生沸石之酸形式而無任何中間離子交換步驟。另一方面，有時可經由離子交換移除有機銨部分。在離子交換之特定情形下，可經由在氨氣氛中煅燒UZM-8之有機銨形式來產生UZM-8之銨形式。
可藉由自骨架移除一些鋁原子且視情況插入矽原子來改變上文所闡述之UZM-8組合物之特性。處理製程包含(但不限於)用氟矽酸鹽溶液或漿液處理，用弱酸、強酸或複合酸等提取。在實施該等脫鋁處理中，UZM-8之具體形式並不重要，但可對最終產物之(尤其)脫鋁程度造成影響。
因此，UZM-8可以合成態來使用或可經離子交換以提供不同陽離子形式。就此而言，起始沸石可藉由經驗式(10)來闡述。
M' m' n ' +R r' p+Al(1-x)E x Si y O z' (10)
R、x、y及E係如上文所闡述且m'具有0至7.0之值，M'係選自由以下組成之群之陽離子：鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、氫離子、銨離子及其混合物，n'係M'之加權平均化合價且自1至3變化，r'具有0至7.0之值，r'+m'>0，且p係R之加權平均化合價且自+1至+2變化。z'之值係藉由式(11)給出。
z'=(m'．n'+r'．p+3+4．y)/2 (11)
UZM-8觸媒係用作眾多業內已知烴轉化製程之觸媒或觸媒載體。該等製程包含裂解、加氫裂解、芳香族化合物及異鏈烷烴二者之烷基化、異構化、聚合、重整、脫蠟、氫化、脫氫、轉烷基化、脫烷基化、水合、脫水、加氫處理、加氫脫氮、加氫脫硫、甲烷化及合成氣變換製程。
在許多烴轉化製程中，以5質量%至95質量%沸石及5質量%至95質量%黏合劑之比例將沸石與黏合劑混合以便於形成觸媒粒子，且在一些實施例中，沸石佔複合物之10質量%至90質量%。
在多個實施例中，觸媒包括介於2重量%至80重量%之間之沸石。在多個實施例中，觸媒包括介於50重量%至70重量%之間之沸石。在多個實施例中，觸媒包括介於20重量%至98重量%之間之無機氧化物。
在多個實施例中，黏合劑係呈多孔，表面積為5m2/g至800m2/g，且相對可耐受烴轉化製程中所利用之條件。在多個實施例中，黏合劑包括無機氧化物。在多個實施例中，黏合劑包括(但不限於)氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅、氧化鎂、氧化硼、二氧化矽-氧化鋁、二氧化矽-氧化鎂、氧化鉻-氧化鋁、氧化鋁-氧化硼、二氧化矽-氧化鋯、二氧化矽、矽膠及黏土。在多個實施例中，黏合劑包括非晶型二氧化矽及氧化鋁，包含γ-氧化鋁、η-氧化鋁及θ-氧化鋁。
在多個實施例中，使具或不具黏合劑之沸石形成多種形狀，例如丸狀、團塊、擠出物、球形等。在一些實施例中，擠出物係藉由習用方式來製備，其涉及在添加金屬組份之前或之後將沸石與黏合劑及適宜膠溶劑混合以形成具有恰當水分含量之均勻麵糰或稠膏糊，從而形成具有耐受直接煅燒之可接受完整性之擠出物。然後經由模具擠出麵糰以獲得成形擠出物。大量不同擠出物形狀皆可行，包含(但不限於)圓柱形、四葉形、啞鈴形及對稱與不對稱多葉形。在一些實施例 中，擠出物可藉由任何業內已知方式塑造成任何期望形式，例如球形。
在一些實施例中，沸石可藉由美國專利第2,620,314號中所闡述之油滴方法形成球形，該專利以引用方式併入本文中。該方法涉及將沸石及(例如)氧化鋁溶膠及膠凝劑之混合物滴入維持在高溫下之油浴中。將混合物液滴保持在油浴中直至其沉降且形成水凝膠球。然後將球連續自油浴取出且通常在油及氨溶液中實施特定老化處理以進一步改良其物理特徵。然後洗滌所得老化且膠凝之粒子並在50℃-200℃之相對較低之溫度下乾燥且在450℃-700℃之溫度下實施1小時至20小時時間段之煅燒程序。此處理使水凝膠轉化成相應的氧化鋁基質。
概言之，UZM-8觸媒包括Si/Al2莫耳比介於19-22之間之骨架，而UZM-8HR觸媒包括Si/Al2莫耳比介於23-35之間之骨架。
所形成UZM-8沸石觸媒(包含UZM-8及UZM-8HR二者)之用途之一係催化芳香族化合物之烷基化且較佳單烷基化。在該等應用中，使用UZM-8沸石觸媒使芳香族化合物與烯烴反應。在多個實施例中，烯烴包括2至20個碳原子。在多個實施例中，烯烴包括具支鏈烯烴或直鏈烯烴及端烯烴或內烯烴。在多個實施例中，烯烴包括乙烯、丙烯、稱為「洗滌劑範圍烯烴」之烯烴或其組合。「洗滌劑範圍烯烴」係具有內雙鍵或端雙鍵之含有6至20個碳原子之直鏈烯烴。在某些實施例中，烯烴包括含有8至16個碳原子之直鏈烯烴。在某些實施例中，烯烴包括含有10至14個碳原子之直鏈烯烴。
在多個實施例中，UZM-8沸石觸媒係用於催化以下物質之烷基化：苯、萘、蒽、菲及其經取代衍生物。在一實施例中，觸媒UZM-8及UZM-8HR係用於丙烯對苯之催化單烷基化以產生異丙基苯(異丙苯)。儘管主要產物係異丙基苯，但亦產生多種呈少量形式之多烷基化苯變體。該等多烷基化變體(例如二異丙基苯(DIPB)及三異丙基苯 (TIPB))並不合意。
例如，苯之單烷基化係藉由(15)來闡釋，其中使苯(12)與丙烯(13)反應以形成異丙苯(異丙基苯)(14)。
在其他實施例中，UZM-8觸媒係用於催化烯烴化合物對於其他芳香族化合物之烷基化。在多個實施例中，該等芳香族化合物具有一或多個選自由以下組成之群之取代基：烷基(具有1至20個碳原子)、羥基及烷氧基(其烷基亦含有1至20個碳原子)。在取代基係烷基或烷氧基之實施例中，苯基亦可在烷基鏈上經取代。在一些實施例中，該等芳香族化合物包括聯苯、甲苯、二甲苯、乙苯、丙基苯、丁基苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、苯酚、甲酚、苯甲醚、乙氧基苯、丙氧基苯、丁氧基苯、戊氧基苯、己氧基苯及其組合。
單烷基化反應之具體條件取決於所使用之芳香族化合物及烯烴。在多個實施例中，反應係在至少部分液相條件下實施。因此，調節反應壓力以維持烯烴至少部分地溶解於液相中。對於高碳數烯烴，可在自生壓力下實施反應。實際上，壓力一般係在200psig與1,000psig(1480kPa-6997kPa)之間之範圍內但通常係在300psig與600psig(2170kPa-4238kPa)之間之範圍內。C2-C20範圍內之烯烴對芳香族化合物之烷基化可在60℃至400℃、且在一些實施例中在90℃至250℃之溫度下實施足以形成期望產物之時間。在一些實施例中，乙烯對苯之烷基化係在200℃至250℃之溫度下實施且丙烯對苯之烷基化係在90℃至200℃之溫度下實施。芳香族化合物對烯烴之比率將取決於期望選擇性單烷基化之程度以及反應混合物之芳香族組份與烯烴組份之相對 成本。對於丙烯對苯之烷基化，苯對烯烴之比率可小至1且大至10，1.5-8之比率較佳。在一實施例中，當用乙烯對苯進行烷基化時，苯對烯烴之比率係介於1：1與8：1之間。對於C6-C20之洗滌劑範圍烯烴，介於2：1至高達30：1之間之苯對烯烴之比率通常足以確保期望單烷基化選擇性，介於5：1與20：1之間之範圍甚至更佳。
在多個實施例中，UZM-8沸石觸媒係用於催化轉烷基化。轉烷基化涉及烷基在一個芳香環上至另一個芳香環之分子間轉移。在一實施例中，轉烷基化涉及多烷基化芳香族化合物之一或多個烷基轉移至非烷基化芳香族化合物，且藉由二異丙基苯(16)與苯(17)之反應來例示以經由反應(19)獲得兩分子異丙苯(18)。
轉烷基化通常用於藉由總是在烷基化期間形成的多烷基化物與非烷基化芳香族化合物反應以形成額外單烷基化產物來增加期望選擇性單烷基化之選擇性。出於此製程之目的，多烷基化芳香族化合物係彼等在如上文所闡述用烯烴對芳香族化合物之烷基化中所形成者，且該等非烷基化芳香族化合物係苯、萘、蒽及菲。轉烷基化之反應條件與彼等用於烷基化者相似，溫度係在100℃至250℃範圍內，壓力係在100psig至750psig(791kPa至5272kPa)範圍內，且未經烷基化之芳香族化合物對多烷基化芳香族化合物之莫耳比係在1至10範圍內。可與(例如)作為非烷基化芳香族化合物之苯反應之多烷基化芳香族化合物之實例包含(但不限於)二乙苯、二異丙基苯、二丁基苯、三乙苯、三異丙基苯及四乙苯。
在使用UZM-8觸媒催化丙烯對苯之烷基化以產生異丙苯之製程中，催化反應通常係在駐留於觸媒外表面上之活性位點處發生。申請者已觀察到，可藉由改質觸媒之外表面以鈍化表面官能基來增強異丙苯選擇性。更特定而言，此涉及鈍化外表面官能基同時使暴露的觸媒籠中之骨架酸性羥基官能基相對完整。因此，申請者已研發出用於處理基於UZM-8之沸石觸媒之製程，以藉由鈍化表面官能基來增加異丙苯選擇性。當將申請者觸媒用於涉及苯單烷基化之習用異丙苯生產製程中時，申請者觸媒可增加異丙苯較多烷基化苯變體之選擇性。
在多個實施例中，碳質材料係佈置在UZM-8觸媒之表面上。如本文所使用，術語「基質」係指添加碳質材料之前之觸媒且術語「複合物」及「複合觸媒」係指沸石觸媒。碳質材料覆蓋且因此選擇性鈍化表面活性位點。此選擇性鈍化可增加異丙基苯之選擇性。不希望受限於任何具體理論，儘管苯之催化單烷基化通常發生在UZM-8觸媒外表面上之暴露籠中，但人們認為在觸媒外表面上(而非暴露籠內)之酸性及非酸性羥基官能基引起二級烷基化反應從而產生多烷基化苯變體。簡言之，人們認為表面活性位點負責形成多烷基化物，此乃因在觸媒外表面上缺乏施加於活性位點上之幾何拘束。因此，使用申請者觸媒觀察到選擇性增加之原因可能在於碳質材料選擇性鈍化UZM-8觸媒表面上之活性酸位點，同時使暴露的觸媒籠內之活性酸位點不受影響。
自苯之催化單烷基化生產異丙苯通常係在介於60℃與260℃之間之溫度下在苯與丙烯之液相流中進行。應避免異丙苯形成期間之氣相條件(即低壓及/或高溫條件)，此乃因該等條件導致觸媒去活化及低異丙苯選擇性。然而，申請者已發現於該等極端條件下暴露一定時間段可用於在觸媒表面上形成碳質材料以增加異丙苯選擇性。
在一實施例中，碳質材料係在觸媒表面上藉由在氣相或部分氣相烴進料中處理觸媒來形成。在多個實施例中，端視烴進料之組成， 壓力係介於0.1psia(0.7kPa)與550psia(3792kPa)之間且溫度係介於100℃與450℃之間。在一實施例中，製程時間係介於0.02小時與144小時之間。在一實施例中，製程時間為24小時。
在一實施例中，烴進料包括芳香族化合物、烯烴或其組合。在一實施例中，烴進料包括相對量與用於異丙苯生產之進料相同之苯及丙烯。在一實施例中，烴進料包括烯烴/苯比率為0.001至300之苯及烯烴。在一實施例中，烴進料包括烯烴/苯比率大於1之苯及烯烴。在一實施例中，烴進料實質上係由丙烯組成。在一實施例中，烴進料實質上係由苯組成。
在一實施例中，碳質材料係藉由烴之連續烷基化以形成高分子量材料來形成。在一實施例中，碳質材料係藉由以下方式來形成：使用寡聚物對苯實施連續烷基化，自長烷基側鏈至烯烴實施氫化物轉移，環化且實施另一氫化物轉移以形成縮合芳香環。高烯烴對芳香族化合物比率、高溫及氣相有利於形成縮合芳香環。此外，異丙苯選擇性增加伴隨有觸媒上之碳質材料之量增加。焦炭含量增加繼而伴隨有橋頭碳增加(如藉由C-13 NMR所量測)，此表明形成縮合芳香環。在多個實施例中，烴係丙烯、苯或其組合。如彼等熟習此項技術者將瞭解，可使用任何能夠烷基化且形成縮合芳香環之烴或烴之組合來形成碳質材料。在多個實施例中，碳質材料包括橋頭碳。在多個實施例中，碳質材料包括大於10%之橋頭碳。
在一實施例中，經處理觸媒(即具有佈置在其表面上之碳質材料)可用於傳統異丙苯生產製程中以達成高於非經處理觸媒之程度之異丙苯選擇性。在一實施例中，經處理觸媒係暴露於包括苯及丙烯之液體流以達成高於非經處理觸媒之程度之異丙苯選擇性。
在一實施例中，對於添加至觸媒中之每1重量%之碳質材料，異丙苯選擇性增加3.1%。在一實施例中，對於添加至觸媒中之每1重量 %之碳質材料，異丙苯選擇性增加0.35%。在多個實施例中，碳質材料佔觸媒1重量%以上。在多個實施例中，碳質材料佔觸媒2.8重量%以上。在多個實施例中，碳質材料佔觸媒介於1%與12%之間。在多個實施例中，碳質材料佔觸媒介於3.5%與8%之間。
在一些實施例中，沖洗觸媒以帶走任何未固定於觸媒之碳質材料。在一些實施例中，用氮流沖洗觸媒。在一些實施例中，用苯流沖洗觸媒。
在一實施例中，經處理觸媒具有最低活性損失，如藉由活性區終端小於50%(即獲得最高溫度所需要之觸媒床之百分比)之增加所定義。
呈現以下實例以進一步闡釋熟習此項技術者如何製造且使用申請者觸媒。然而，該等實例並不意欲限制申請者之本發明之範疇。
實例1
使用以下方法製備Si/Al2莫耳比為20之UZM-8沸石。在大燒杯中，將160.16克二乙基二甲基氫氧化銨添加至1006.69克去離子水中，然後添加2.79克50wt% NaOH溶液。隨後，緩慢添加51.48克液體鋁酸鈉且攪拌20分鐘。然後，將178.89克SiO2(以Ultrasil在商業中出售)緩慢添加至凝膠中且攪拌20分鐘。隨後，將24克UZM-8晶種添加至凝膠中且再攪拌20分鐘。然後將凝膠轉移至2公升攪拌反應器中且在2小時中加熱至160℃並隨後結晶115小時。蒸解後，過濾材料且用去離子水洗滌並在100℃下乾燥。所得材料之XRD(X射線繞射)分析顯示純UZM-8。藉助感應耦合電漿-原子發射光譜儀(ICP-AES)實施之元素分析顯示Si/Al2莫耳比為20。在600℃下煅燒沸石部分，實施銨交換且然後在550℃下煅燒以藉由N2吸附等溫線獲得462m2/g之BET表面積、1.607cc/g之總孔體積及0.105cc/g之微孔體積。表面積及孔體積係使用介於0.03至0.30之間之氮分壓p/po數據點使用BET(Brunauer- Emmett-Teller)模型方法使用如ASTM D4365-95,Standard Test Method for Determining Micropore Volume and Zeolite Area of a Catalyst及文章S.Brunauer等人，J.Am.Chem.Soc.,60(2),309-319(1938)中所闡述之氮吸附技術來計算。
實例2
使用以下方法製備Si/Al2莫耳比為25之UZM-8沸石。在大型配製罐中添加下列組份：8796克去離子水、6683克二乙基二甲基氫氧化銨(20%溶液)、693克液體鋁酸鈉、3422克SiO2及402克Si/Al2莫耳比為20之UZM-8晶種。然後將所得凝膠泵送至5加侖反應器中，然後用1000克去離子水清洗配製罐且將清洗液泵送至5加侖反應器中。使最終凝膠在150℃下結晶153小時同時在506rpm下攪動。蒸解後，藉由離心分離材料然後用熱去離子水洗滌。XRD數據顯示純UZM-8材料。使用ICP-AES藉由元素分析，所得沸石顯示25.4之Si/Al2莫耳比。在600℃下煅燒沸石部分，實施銨交換且然後在550℃下煅燒以藉由N2吸附等溫線獲得372m2/g之BET表面積、0.50cc/g之總孔體積及0.122cc/g之微孔體積。
實例3
使用以下方法製備Si/Al2莫耳比為24之UZM-8沸石。除120小時而非115小時之結晶時間且處理程序有所變化外其他皆按照實例1之此方法。合成結束時，藉由以下方式來分離產物：首先篩除掉40目以上之粒子，室溫水洗，離心以移除母液，在100℃下乾燥，熱水洗滌且然後在100℃下乾燥。使用ICP-AES藉由元素分析，產物具有24.4之Si/Al2莫耳比。在600℃下煅燒沸石部分，實施銨交換且然後在550℃下煅燒以藉由N2吸附等溫線獲得444m2/g之BET表面積、0.91cc/g之總孔體積及0.13cc/g之微孔體積。
在典型觸媒製備中，將沸石與HNO3膠溶之Catapal B氧化鋁以基 於重量之70/30、50/50或30/70沸石/Al2O3比例混合，且擠成圓柱形或三葉形。在110℃下將擠出物乾燥4小時，在600℃下煅燒1小時，用硝酸銨溶液交換，藉由去離子水洗滌，在120℃下乾燥且最後在550℃下在流動空氣中活化。
為測試觸媒性能，將25克觸媒與石英砂混合以填充晶格間隙來確保在裝載至7/8”ID標準鋼反應器中之前之適當流動分佈。在200℃下使用3A乾燥器用經預處理之流動苯將觸媒乾燥12小時。乾燥後，引入再循環苯然後引入丙烯。用於測試之苯對丙烯莫耳比定為2.0，產物流出物對合併之新鮮進料基於重量之比率為7.4，丙烯重時空速為1.04hr-1，入口溫度為115℃且出口壓力為500psig(3549kPa)。藉由在線GC監測產物流出物。藉由達到最高溫度所需要之觸媒床之百分比來量測觸媒活性，即獲得最高溫度所需要之觸媒愈少，則觸媒活性愈高。異丙苯之選擇性係基於異丙苯佔異丙苯、二異丙基苯及三異丙基苯之總莫耳數之莫耳數來計算。在測試結束時，首先停供丙烯同時使苯進料繼續通過反應器直至反應器出口處之苯純度達到99%為止。此後，中斷苯進料且引入N2以在卸載觸媒之前吹洗苯。自反應器卸載廢觸媒且藉由ASTM 5291方法量測碳質材料之量。
實例4
使用具有圓柱形狀且表觀總體密度為0.50g/cc之70/30沸石/Al2O3調配物(即70%沸石)自Si/Al2莫耳比為20之UZM-8沸石製備觸媒。藉由在400℃之溫度及150psig(1136kPa)之壓力下於50克/小時速率下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係8.5重量%，異丙苯選擇性為83.3%，且以活性區之百分數表示之活性為63%。
實例5
實例5係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳 比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在220℃之溫度及200psig(1480kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係2.0重量%，異丙苯選擇性為80.9%。在後續測試中，在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量係介於7.31%與7.73%之間。
實例6
實例6係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在介於425℃與450℃之間之溫度及介於100psig(791kPa)與175psig(1308kPa)之間之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係11.0重量%，異丙苯選擇性為84.0%，且以活性區之百分數表示之活性為63%。
實例7
實例7係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在220℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於250克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為3.68重量%。
實例8
實例8係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在220℃之溫度及200psig(1379kPa)之壓力下於250克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為2.67重量%。
實例9
實例9係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳 比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在220℃之溫度及100psig(791kPa)之壓力下於250克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為2.13重量%。
實例10
實例10係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在220℃之溫度及50psig(446kPa)之壓力下於250克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為2.27重量%。
實例11
實例11係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在350℃之溫度及200psig(1480kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為3.34重量%。
實例12
實例12係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在450℃之溫度及200psig(1480kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為20%，在處理室中點處為18.4%，且在處理室出口處為15%。
實例13
實例13係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在350℃之 溫度及50psig(446kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為1.7%，在處理室中點處為1.95%，且在處理室出口處為2.22%。
實例14
實例14係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在450℃之溫度及50psig(446kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為5.25%，在處理室中點處為8.12%，且在處理室出口處為8.28%。
實例15
實例15係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在375℃之溫度及50psig(446kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為0.702%，在處理室中點處為1.4%，且在處理室出口處為1.84%。
實例16
實例16係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在400℃之溫度及50psig(446kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為2.85%，在處理室中點處為3.8%，且在處理室出口處為4.01%。
實例17
實例17係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在450℃之溫度及100psig(791kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為8.54%，在處理室中點處為11.6%，且在處理室出口處為11.9%。
實例18
實例18係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在400℃之溫度及150psig(1136kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在第一運行中，在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為4.77%，在處理室中點處為7.57%，且在處理室出口處為8.64%。在後續測試中，在處理室中點處經處理觸媒之碳質含量係介於8.46%與9.14%之間。
實例19
實例19係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在350℃之溫度及100psig(791kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為1.07%，在處理室中點處為1.89%，且在處理室出口處為2.34%。
實例20
實例20係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在425℃之溫度及175psig(1308kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室中點處經處理 觸媒之碳質含量為10.5%。
實例21
實例21係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在450℃之溫度及150psig(1136kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室中點處經處理觸媒之碳質含量為14.5%。
實例22
實例22係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在400℃之溫度及200psig(1480kPa)之壓力下於50克/小時下之氣相苯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室中點處經處理觸媒之碳質含量為9.67%。
實例23
實例23係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在200℃之溫度及50psig(446kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯進料中將觸媒處理12+25小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為31.6%。
實例24
實例24係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.5g/cc且包括70%沸石。藉由在270℃之溫度及50psig(446kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。在處理室入口處經處理觸媒之碳質含量為32%，在處理室中點處為38.3%，且在處理室出口處為35.8%。
實例25
實例25係自以下UZM-8HR沸石觸媒製備：具有三葉形狀，Si/Al2莫耳比為25.4，平均總體密度為0.627g/cc且包括50%沸石。藉由在267℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為300莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係4.6%，異丙苯選擇性為87.4%，且以活性區之百分數表示之活性為40%。
使用碳-13 NMR分析之碳分析顯示21%至29%之碳質材料為橋頭碳。總之，80%至83%之碳質材料為芳香族且20%至17%為脂肪族。
實例26
實例26係自以下UZM-8HR沸石觸媒製備：具有三葉形狀，Si/Al2莫耳比>20，平均總體密度為0.559g/cc且包括50%沸石。藉由在270℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為2莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係2.7%，異丙苯選擇性為81.4%，且以活性區之百分數表示之活性為45.4%。
實例27
實例27係自以下UZM-8HR沸石觸媒製備：具有三葉形狀，Si/Al2莫耳比為24.4，平均總體密度為0.488g/cc且包括50%沸石。藉由在255℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為1.08莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係3.8%，異丙苯選擇性為85.5%，且以活性區之百分數表示之活性為42.1%。
使用碳-13 NMR分析之碳分析顯示13%之碳質材料為橋頭碳。總之，75%之碳質材料為芳香族且25%為脂肪族。
實例28
實例28係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有三葉形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.562g/cc且包括70%沸石。藉由在182℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為0.9莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係2.5%，異丙苯選擇性為78.6%，且以活性區之百分數表示之活性為35.7%。
實例29
實例29係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有圓柱形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.562g/cc且包括70%沸石。藉由在268℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為1.7莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係8.1%，異丙苯選擇性為88%，且以活性區之百分數表示之活性為46.7%。
使用碳-13 NMR分析之碳分析顯示24%至28%之碳質材料為橋頭碳(連接同一分子中之不同環或橋接跨過芳香環之碳原子)。總之，71%至72%之碳質材料為芳香族且29%至28%為脂肪族。
實例30
實例30係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有三葉形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.449g/cc且包括50%沸石。藉由在303℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為0.5莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。經處理觸媒之碳質含量係4.9%，異丙苯選擇性為85.9%，且以活性區之百分數表示之活性為50.3%。
實例31
實例31係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有三葉形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.496g/cc且包括70%沸石。藉由在307℃ 之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為0.5莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。觸媒之異丙苯選擇性為85.7%，以活性區之百分數表示之活性為38.6%。
實例32
實例32係自以下UZM-8沸石觸媒製備：具有三葉形狀，Si/Al2莫耳比為20，平均總體密度為0.496g/cc且包括70%沸石。藉由在141℃之溫度及500psig(3549kPa)之壓力下於25.7克/小時下之氣相丙烯/苯(比率為2.0莫耳烯烴/莫耳苯)進料中將觸媒處理24小時來使碳質材料佈置在觸媒上。觸媒之異丙苯選擇性為80.9%，以活性區之百分數表示之活性為36%。
下表1中提供眾多具或不具藉由申請者之方法沈積之碳質材料之基於UZM-8之觸媒的性能。
參考圖1，其係繪示碳質材料之量不同之觸媒的異丙苯選擇性的圖形100。x軸表示申請者之製程產生之碳質材料之重量百分數。y軸表示異丙苯選擇性(異丙苯佔異丙苯、DIPB及TIPB之總量之莫耳百分比)。曲線102表示Si/Al2莫耳比為20、經苯處理以在觸媒表面上形成碳質材料之UZM-8觸媒之異丙苯選擇性趨勢。曲線104表示Si/Al2莫耳比為20、經具有高烯烴對苯比率之烯烴/苯混合物處理之UZM-8觸媒之異丙苯選擇性趨勢。在某些實施例中，烯烴為丙烯。曲線106表示Si/Al2莫耳比為25、經具有極高烯烴對苯比率之烯烴/苯混合物處理之UZM-8觸媒之異丙苯選擇性趨勢。
參考圖2，其係繪示碳質材料之量不同之觸媒獲得最高溫度所需要之觸媒床分數(即觸媒活性)之圖形200。x軸表示申請者之製程產生之碳質材料之重量百分數。y軸表示獲得最高溫度所需要之觸媒床之百分比。曲線202表示Si/Al2莫耳比為20及25、經具有高烯烴對苯比率之烯烴/苯混合物處理之UZM-8觸媒之趨勢。曲線204表示Si/Al2莫耳比為20、僅經苯處理之UZM-8觸媒之趨勢。
參考圖3，其係繪示碳質材料之量不同之觸媒之橋頭碳百分數的圖形300。x軸表示申請者之製程產生之碳質材料之重量百分數。y軸 表示如藉由碳-13 NMR分析所測定以總碳質材料之百分比表示之橋頭碳百分數。
可以任何適宜方式將本發明所闡述之性質、結構或特徵組合於一或多個實施例中。在上文說明中，列舉眾多特定細節以提供對本發明實施例之透徹理解。然而，熟習此項技術者將認識到，無需一或多個特定細節或使用其他方法、組件、材料等亦可實踐本發明。在其他情況中，不詳細顯示或闡述熟知結構、材料或操作以避免模糊本發明之態樣。換言之，可以其他特定形式體現本發明而並不背離其精神或實質特徵。所闡述實施方案在所有方面皆應視為僅例示而無限制性。因此，本發明之範疇不應參照以上說明來確定，而應參照待決申請專利範圍以及其全部範疇及等效物來確定，且在申請專利範圍之等效含義及範圍內之所有變化皆涵蓋於其全部範疇內。
100‧‧‧圖形
102‧‧‧曲線
104‧‧‧曲線
106‧‧‧曲線

Claims (10)

  1. 一種複合物，其包括：基質，其包括沸石及無機氧化物；及碳質材料，其佈置在該基質之表面上，其中該碳質材料佔該複合物2.8重量%以上。
  2. 如請求項1之複合物，其中：該沸石包括UZM-8；該無機氧化物佔該基質20重量%與98重量%之間；且該無機氧化物係選自由以下組成之群：氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂、氧化鋯及其組合。
  3. 如請求項1之複合物，其中大於10%之該碳質材料包括橋頭碳。
  4. 如請求項1之複合物，其中該碳質材料係藉由呈氣相或部分氣相之烴材料在該基質存在下之反應來形成，其中該烴材料係選自由以下組成之群：烯烴、芳香族化合物及其組合。
  5. 一種製造複合觸媒之方法，其包括：提供包括沸石及無機氧化物之基質；及將碳質材料沈積在該基質之表面上，包括將該基質暴露於呈氣相或部分氣相之烴材料，其中該碳質材料佔該複合觸媒2.8重量%以上。
  6. 如請求項5之方法，其中：該沸石包括UZM-8；該無機氧化物佔該基質20重量%與98重量%之間；且該無機氧化物係選自由以下組成之群：氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂、氧化鋯及其組合。
  7. 如請求項5之方法，其中大於10%之該碳質材料包括橋頭碳。
  8. 一種製造異丙苯之方法，其包括：提供包括沸石及無機氧化物之基質；藉由將碳質材料沈積在該基質之表面上來形成複合觸媒，包括將該基質暴露於呈氣相或部分氣相之烴材料，其中該碳質材料佔該複合觸媒2.8重量%以上；及藉由將該複合觸媒暴露於包括丙烯及苯之流來形成異丙苯。
  9. 如請求項8之方法，其中：該沸石包括UZM-8；該無機氧化物佔該基質20重量%與98重量%之間；且該無機氧化物係選自由以下組成之群：氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂、氧化鋯及其組合。
  10. 如請求項9之方法，其中：大於10%之該碳質材料包括橋頭碳；該烴材料係選自由以下組成之群：烯烴、芳香族化合物及其組合；該沸石具有19至35之Si/Al2莫耳比；該碳質材料佔該複合觸媒3.5重量%至8重量%之間；且該暴露包括介於0.1psia(0.7kPa)至550psia(3792kPa)之間之壓力及介於100℃至450℃之間之溫度且保持0.02小時至144小時。
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