TW201348851A - 用於相位調諧以對程序最佳化的技術 - Google Patents

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Abstract

提供用於判定將一微影光罩之相控區域製造得多厚或多深之技術。一個實例實施例提供一種方法，其包括：提供包括一第一測試組之第一光罩佈局設計，及提供包括一第二測試組之一第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該第一測試組中關注結構之臨界尺寸跨焦，及基於該模擬之結果，選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度；及在該初始較佳相位深度/厚度處產生一快速厚光罩模型(FTM)，及使用該FTM校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一最佳化之光罩佈局設計。可實施具有該最佳化之光罩佈局設計之一光罩以給出最佳圖案化。

Description

用於相位調諧以對程序最佳化的技術
本發明係有關於用於相位調諧以對程序最佳化的技術。
發明背景
眾所周知，當製造積體電路時，通常使用微影。程序通常包括在半導體晶圓之表面上塗佈光阻層，且接著使光照耀穿過具有所要圖案的光罩，且將光聚焦至光敏光阻內。光罩通常具有由鉻製成之光不透射(不透明)區域及由石英製成之光透射(透明)區域。來自光源(例如，紫外線或深紫外線光等)且經由光學透鏡系統聚焦之輻射接著被施加至光罩。在任何此等情況下，光穿過透明光罩區域，且使光阻層之對應的部分曝光，且受到不透明光罩區域阻擋以使光阻層之其他部分不曝光。視使用之特定程序而定，接著可移除光阻層之曝光或未曝光之區域，藉此在晶圓上留下經圖案化之抗蝕劑層，其又允許對晶圓進行隨後處理，諸如，蝕刻、沈積及其他典型半導體程序。
實現具有相對良好對比度之較小最小裝置尺寸的一種習知技術通常被稱作交變相移遮蔽(APSM)。APSM 採用由穿過兩個鄰近透明光罩之光造成的相消干涉在光阻層上產生不曝光區。簡言之，穿過及退出透明光罩區域的光波之相位隨光罩厚度而變，因此可選擇性地變化鄰近光罩區域之光罩厚度，使得自彼等鄰近區域退出之光為異相，其造成相消干涉(例如，在自一個鄰近區退出之光波具有與自另一鄰近區退出之光波的相位異相之相位且因此該等波相互消除或另外產生振幅減小之組合波的情況下)。由於光阻材料回應於光之強度，因此不曝光區將形成於光阻層上不同厚度之透明區域鄰近之處。亦可使用諸如無鉻相移微影(CPL)之其他光罩技術來引入相對於光罩之其他部分的穿過光罩之一些部分之光之間的相位偏移。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種用於對一微影光罩進行相位調諧之方法，其包含：提供包括一第一測試組之第一光罩佈局設計；提供包括一第二測試組之一第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該第一測試組中關注結構之臨界尺寸跨焦；基於該模擬之結果選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度；在該初始較佳相位深度/厚度處產生一快速厚光罩模型(FTM)；及使用該FTM校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一最佳化之光罩佈局設計。
301~313‧‧‧步驟
1000‧‧‧計算系統
1002‧‧‧主機板
1004‧‧‧處理器
1006‧‧‧通信晶片
圖1a及圖1b示意性說明組態有相控光罩形貌體 之CPL光罩。
圖2a示意性說明典型光微影工具。
圖2b示意性說明圖2a中展示的光微影工具之實例光罩之俯視圖。
圖2c示意性說明實例基板之俯視圖，該實例基板上具有根據圖2b中展示之光罩而圖案化的光阻層。
圖3說明根據本發明之一實施例的用於對微影光罩進行相位調諧以對程序最佳化之方法。
圖4說明根據本發明之一實施例的給定光罩佈局之各種形貌體之臨界尺寸(CD)跨焦之模擬結果。
圖5a及圖5b各分別展示根據本發明之一實施例的針對兩個相位深度之大佈局測試組之跨焦分析之總結，其中每一點表示佈局中之一個形貌體，x軸為在目標散焦處相對於CD之正散焦CD偏差，且y軸為在目標散焦處相對於CD之負散焦CD偏差。
圖6a及圖6b說明根據本發明之一實施例的展示探究可用設計規則空間之大量佈局的大測試組之實例。
圖6c說明根據本發明之一實施例的可由模擬程式在合理的時間量內準確地處置之小測試組之實例。
圖7說明藉由使用根據本發明之一實施例最佳化之微影光罩而形成的一或多個積體電路結構或裝置實施之計算系統。
較佳實施例之詳細說明
提供用於判定將微影光罩之相控區域製造得多厚或多深之技術。可使用該等技術給出最佳圖案化。雖然該等技術可用於形成任一微影光罩，但當蝕刻之光罩形貌體或薄膜的大小在曝光系統之光之波長的規模上(或更小)時，且當存在次解析度輔助形貌體時，特別適用。
綜述
如先前所解釋，存在諸如CPL及APSM之各種微影光罩技術，其中跨光罩之相位差用以改良空間影像品質。在此等情況下，以一種方式藉由蝕刻石英或藉由添加薄膜來工程設計光罩，該方式引入相對於光罩之其他部分的穿過光罩之一些部分之光之間的相位差。各種波之間的相消干涉改良空間影像品質。當與曝光系統之光之波長相比相控形貌體之大小大且光源連貫時，通常直接估計對使空間影像對比度最大化必要的所需石英蝕刻深度或塗覆之薄膜的厚度。在此等情況下，可使用薄膜及石英之光學屬性來計算將在相位延遲之光與未延遲之光之間引入180°相位偏移的薄膜厚度或蝕刻深度。然而，對於許多光罩佈局，蝕刻之光罩形貌體或薄膜的大小在光之波長之規模上或更小，且當存在相控次解析度輔助形貌體時，此等相位計算不再有效，此係由於(例如)發生大量繞射、在緊密間隔之相位邊緣之間存在相互作用及歸因於三維光罩效應而發生焦點移位。此外，因為諸如CPL之一些相移技術使用強離軸照明，所以光按使得難以按簡單方式判定最佳相位深度之大斜角撞擊光罩。
因此，且根據本發明之一實施例，提供用於判定將微影光罩之相控區域製造得多厚或多深以便給出最佳圖案化及允許充分採用相位技術的技術。舉例來說，該等技術可體現於在積體電路設計之製造中使用的一或多個相位最佳化之微影光罩中。依據本發明，眾多應用將顯而易見。
圖1a及圖1b說明實例無鉻相位微影(CPL)相控光罩形貌體。CPL為使用無鉻光罩形貌體界定電路形貌體之微影技術。此等光罩形貌體通常提供0相移或π相移，且可藉由將石英基板蝕刻至對應於在曝光平台之照明波長下的180°相移之深度或藉由在石英基板上添加相移層以便在曝光平台之照明波長下提供180°相移來形成。圖1a展示實例CPL光罩之透視且透明圖，且圖1b展示彼光罩之俯視圖。如可看出，判定相位之參數為在石英中之蝕刻深度。根據本發明之一實施例，此深度可變化或以其他方式調諧以使在成像晶圓層面處之空間影像對比度最佳化。
圖2a示意性說明典型光微影工具，其亦可被稱作微影工具或掃描器或曝光系統。如可看出，該工具通常包括：一光源；一光罩，其有效地將光圖案化；及投影光學器件，其將經圖案化之光聚焦至成像平面上，該成像平面包括基板，該基板上具有光阻層。圖2b示意性說明可供工具使用的實例光罩組態之俯視圖，且圖2c示意性說明實例基板之俯視圖，該實例基板上具有根據圖2b中展示之光罩而圖案化的光阻層。
此等工具通常將單色光用於光源以將光罩(有時 被稱作比例光罩)之圖案轉印至塗佈至基板(例如，矽晶圓或其他合適的半導體基板)上的光敏光阻上。對於許多應用，需要將光阻中的開口之尺寸控制在非常高的容差內。在此等情況下，可控制工具操作之條件以使光阻中的形貌體之量測之尺寸(有時叫作臨界尺寸或CD，如在圖2c中所示)與所要的尺寸(有時叫作目標尺寸)之間的誤差最小化。此為在接著將論述之圖5a及圖5b中用曲線表示之誤差。
導致此CD偏差的關於工具之一個變化源為工具之焦點控制。聚焦至基板上之光阻內的光罩結構之影像具有有限的聚焦深度。隨著焦點偏離最佳焦點，CD偏離目標CD，直至抗蝕劑不再開放。因此，可選擇程序參數(例如，光罩、掃描器設定、光阻及其他此等可控制因素)，以便對於正同時在晶圓上成像之所有結構使相對於目標之CD偏離最小化。正成像的結構之數目可大幅變化，且可在(例如)一個至若干個或數十個或數百個或數千個或數百萬個或甚至數十億個之範圍中。
在半導體行業中使用的許多光罩為所謂的二進位光罩。二進位光罩為阻擋光或允許其穿過之光罩。舉例來說，對於以正調性抗蝕劑(曝光導致抗蝕劑移除之抗蝕劑)進行之孔圖案化，光罩主要由被開口穿孔之石英光罩基板上之不透明材料組成，在該情況下，允許光穿過以使光阻曝光及在其中開孔。由於不透明材料中之開口通常與正用以成像的光之波長一樣小或小於該波長，所以存在大量繞射或折射，因而使得難以預測光阻中之光構形(空間影像) 將看起來像何物。極計算密集型軟體可用以準確預測當光穿過光罩中之小形貌體及其側壁以在基板成像平面處產生影像時光繞射及折射之程度。無此準確的軟體，將難以知曉使光罩中之開口多大方可在所需之精密容差內得到所需之CD的抗蝕劑開口。
存在叫作相移光罩之另一類別的較不廣泛使用之光罩類型，其使用穿過光罩之鄰近部分之光之間的相位差在光阻中產生所要的空間影像。此等光罩類型之實例為APSM、CPL及線端相移光罩(LEPSM)。與二進位光罩不同，此等光罩具有在不透明材料中的第三類型之開口，其允許光穿過，但與穿過光罩中之標準光阻開口的光相比，其將180°之相移引入至光。當來自兩個類型之開口的光在晶圓平面處干涉時，相消干涉可產生較好的空間影像對比度(其通常指自亮區至暗區的轉變之銳度)，且因此改良給定佈局之形貌體的關鍵尺寸之控制。在此意義上，可為了最佳成像而選擇或以其他方式調諧精確相位差。若相位差過小或過大，則相消干涉將不夠明顯，且將不會實現相移之完全益處，或將另外導致次最佳成像。
可藉由在透明石英(或其他光透射區域)內蝕刻至對應的深度來產生所要的相移，如參看圖1a及圖1b所論述。此深度直接與引入之相位有關，且可加以精確控制，如依據本發明將顯而易見。此外，因為與光之波長相比，此等凹坑或平線區(一般來說，相控光罩形貌體)之大小小，且因為在溝槽或平線區中存在側壁以使光繞射，所以通常 並不直接地理解光罩中之溝槽必須有多深度(或光罩上之平線區必須有多高)來提供總體最佳對比度。判定最佳深度之僅有方式為進行各種深度及在掃描器上之各種焦點設定的極計算密集型模擬以找出哪些提供最佳空間影像對比度。視光罩複雜性而定，進行此計算可高度不切實際(若並非不可能)。舉例來說，且假定光罩具有數百萬個可按數百萬個不同組態組織之形貌體，將需要數年來解決針對一個光罩及一組掃描器條件之問題。給定當前商業發展循環或進行穩定商業之現實性，則需要快得多地進行此等模擬(大約數天或數週或可能為數月)。本發明之各種實施例提供用於對光罩蝕刻深度最佳化以針對一組給定掃描器條件提供對於光罩上的數百萬個結構之最佳成像。
方法
圖3說明根據本發明之一實施例的用於對微影光罩進行相位調諧以對程序最佳化之方法。該方法可大體上使用現有模擬工具及標準光學近接校正(OPC)技術來執行。此外，此實例實施例使用兩個光罩佈局設計。第一光罩佈局在本文中一般稱作大測試組，且第二光罩佈局在本文中一般稱作小測試組。現在將接著論述此等模擬工具及光罩佈局之實例。依據本發明，眾多變化將顯而易見。
根據本發明之一個實例實施例，兩個類型之現有模擬軟體可用於進行該方法。所謂的準確程式使用演算法來提供隨著光穿過光罩且聚焦於基板上時發生之情況之最準確的模擬。此有時被稱作嚴密微影模擬工具(RLST)。一 般來說，RLST經程式化或以其他方式組態以有效地提供對針對經由給定光罩而發生的光之透射之麥克斯爾方程式(Maxwell's equation)的嚴密解，且可因此準確地捕獲光罩中的不同溝槽深度對成像之效應。與RLST相關聯的此準確性之代價為在電腦上的相對極長的執行時間。如先前所解釋，在給定開發日程之時間約束下準確地模擬甚至少數結構仍可為挑戰性的。根據一個此實施例的第二軟體套組或工具為所謂的快速厚光罩模型(FTM)模擬器，其經程式化或以其他方式組態以基於光罩場計算在成像平面處之影像構形。一般來說，FTM工具為RLST之一型式，其考量在成像期間在光罩處發生之多數光學效應，但比RLST快數個量級。針對此速度之代價為準確性，以及RLST產生用以進行FTM模式之程式庫的所花費的時間。優勢在於，FTM工具可在給定時間內查看比RLST更多得多的種類之結構，使得其可用以確保光罩上之所有形貌體被適當成像。再次，視電路設計及針對給定設計開發計劃分配的時間而定，形貌體之數目範圍可自少數幾個形貌體至數百萬個或甚至數十億個形貌體。除了RLST及FTM模擬模組之外，且根據一些實例實施例，該方法進一步使用快速光學近接校正(OPC)軟體，其可使用產生之FTM識別在現實佈局中的熱點或有問題的設計區跨焦。如將瞭解，RLST及FTM模擬模組以及OPC模組可在符合RLST/FTM/OPC工具之最低要求(例如，關於處理器速度、記憶體、作業系統等)的通用電腦上執行。如將進一步瞭解，此等軟體工具中之每一者可包括提 供所要的計算功能性之多個模組或常式以及其他典型軟體組件(諸如，圖形使用者介面及資料記錄模組)。
如先前所指示，此實例實施例之方法使用兩個光罩佈局設計。第一光罩佈局大體上具有大量各種各樣之設計，其踐行廣泛範圍的關注給定設計規則空間(在本文中一般稱作大測試組)。第二光罩佈局大體上為可最初(例如)使用工程設計判斷及設計規則之知識選擇的一組小得多的設計。此初始測試組足夠小以由RLST基於(例如)根據給定開發計劃時刻表的分配之時間在合理時間量內模擬(在本文中一般稱作小測試組)。圖6a及圖6b說明根據本發明之一實施例的展示探究可用設計規則空間之數萬個佈局的大測試組之實例。圖6c說明根據本發明之一實施例的可由RLST在合理的時間量內準確地處置之小測試組之實例。
現參看圖2，方法開始於針對一給定設計佈局，針對一範圍的相位深度/厚度，模擬小測試組中的關注結構之CD跨焦(301)。如先前所解釋，相位深度一般適用於相控形貌體被蝕刻之情況，且相位厚度一般適用於薄膜或其他材料沈積或另外累積於光罩上以提供相控形貌體之情況。一般來說，小測試組可包括(例如)可在按給定開發計劃的分配之時間中處理之任何數目個形貌體。在一實例情況下，包括於小測試組中的形貌體之數目在10至1000之範圍中。然而，注意，本發明本質上並不意欲限於任一特定大小範圍之測試組。進一步注意，並不需要分析給定測試組或測試佈局內之所有結構。舉例來說，在一些實例實施例中， 使用RLST，針對一範圍的蝕刻深度或薄膜厚度模擬小測試組中的僅某些關鍵/有問題的結構(諸如，端對端線空間及/或易於自束之結構及/或其他此等有問題的形貌體)之CD跨焦，同時保持佈局相同。在一些實例情況下，針對相位深度/厚度緯斜，針對焦點居中、聚焦深度及空間影像對比度分析在選擇之E0p及經由關鍵(或另外選定)形貌體實現之空間影像片段處的CD。其他實施例可包括額外或不同分析參數，如將依據本發明瞭解。
方法繼續基於RLST模擬結果而選擇最佳或另外較佳的光罩相位深度/厚度(303)。圖4說明根據本發明之一實例實施例的給定光罩佈局之各種形貌體之CD跨焦之實例RLST模擬結果。詳言之，圖4以圖形說明針對小測試組(諸如，圖6c中展示之實例者)之RLST結果，其展示如由圖4中展示之曲線中的不同形狀標註及進一步表示之端對端(ETE)空間及易於自束之結構的CD跨焦。如可進一步看出，隨著相位深度/厚度自235 nm變化至175 nm(如針對在圖4中展示之每一曲線所標註)，歸因於曲線之變平且在兩個結構之間的中心焦點位移之減小，總聚焦深度改良。因此，可選擇相位深度/厚度之初始估計，其給出(例如)最佳的總聚焦深度及總空間影像品質。在圖4中展示之實例測試組中，選擇175 nm作為初始最佳相位深度/厚度。如現在將解釋，針對此相位深度/厚度建立快速厚光罩模型(FTM)。
進一步參看圖2，方法繼續在初始最佳/較佳相位深度/厚度處產生快速厚光罩模型(FTM)(305)，且接著使用 FTM校正大資料組以提供第二或另外進一步最佳化之佈局設計(307)。
接著可分析結果。因此，在此實例情況下，方法繼續在313處基於(例如)一給定設計準則或一組規則來判定最佳化是否充分。所要的最佳化之等級將在實施例間有所變化。在一些實例實施例中，考慮之參數包括跨焦、對比度及/或光罩誤差增強因素(MEEF)中之一或多者。舉例來說，圖5a展示針對185 nm之相位深度的進一步最佳化之大佈局設計測試組之跨焦分析之總結，且圖5b展示針對205 nm之相位深度的彼佈局設計測試組之跨焦分析之總結。每一點表示對光罩上之不同結構之不同CD量測。在此實例情況下，報告數萬個結構。x軸展示針對固定正散焦設定(在相對於最佳焦點之正方向上離焦之焦點設定)的相對於所要的目標CD之以奈米為單位之CD偏差。y軸展示對於負散焦(離焦)設定之同一CD誤差。可選擇此焦點設定範圍以努力捕獲期望掃描器具有的最差焦點變化。理想地，所有點將位於點0 nm,0 nm。此將意謂，隨著掃描器漂移而離焦，基板上的CD中無一者改變且保持完美的成像。現實中，由於掃描器之有限聚焦深度，隨著焦點漂移，CD漂移離開目標。因此，替代在0,0處之一點，提供以0,0為中心的附近一叢集之點，如所展示。如將瞭解，相對於0,0之偏差愈小，聚焦深度愈佳。根據本發明之一些實施例，目標在於具有儘可能緊密地在0,0周圍之叢集。在此實例情況下，圖5a之185 nm相位深度/厚度曲線具有比圖5b之205 nm相位深 度曲線緊密的叢集。換言之，對於185 nm相位深度/厚度，對於所有條件(在x軸及y軸兩個方向上)之最差情況偏差比對於205 nm相位深度/厚度時的最差情況偏差小。舉例來說，此意謂，185 nm之相位深度/厚度提供較好的CD控制，且為相較於205 nm相位深度/厚度之改良。除了可如在圖5a至圖5b中量測或另外分析之CD控制外，可針對導致不良CD控制(諸如，不良對比度及如先前解釋之MMEF)之其他問題來查看進一步最佳化之大測試組結果之分析。
若在313處之此分析推斷出已達成充分的最佳化，則方法結束，且因此提供最佳光罩設計(關於相位深度或相位厚度)。然而，若在313處之分析推斷出尚未達成充分的最佳化，則此實例實施例之方法繼續識別第二/最佳化之佈局設計的次最佳或另外有問題的形貌體(例如，不良空間影像、偏移之焦點、不良MEEF或不良聚焦深度)(309)。在一個實例實施例中，OPC工具用以識別具有不良空間影像、偏移之焦點、不良MEEF或不良聚焦深度之此等有問題的組態(如參看圖5a至圖5b所論述)。方法繼續產生識別之次最佳形貌體之小測試組以提供下一個小測試組佈局設計(311)。接著，該方法實際上重複，然而是對新的小測試組佈局重複。因此，該方法繼續使用RLST針對一範圍的相位深度/厚度模擬在新的小測試組佈局設計中的形貌體之CD跨焦(301)，選擇最佳/較佳光罩相位深度/厚度(303)，在選定之最佳/較佳光罩相位深度/厚度處產生一FTM(305)，及使用最新的FTM校正大資料組以提供進一步最佳化之佈局 設計(307)。因此，與最佳化之大佈局設計測試組相關聯的有挑戰性的熱點形貌體之小測試組可組合成小測試組佈局設計以供RLST使用。RLST可接著用以模擬(例如)具有各種蝕刻深度或薄膜厚度之此新的小測試組佈局之空間影像。如先前參看圖4所論述，可針對各種光罩緯斜比較焦點居中、聚焦深度及空間影像對比度，且可識別新的蝕刻深度或薄膜厚度。可重複新的相位深度/厚度之FTM分析以識別任何新的問題結構，且可在各種光罩緯斜下，針對RLST分析，自問題結構產生新的小測試組。在兩次或兩次以上反覆後，可選擇最終蝕刻深度或薄膜厚度以提供最佳光罩設計。
實例系統
圖7說明藉由使用根據本發明之一實施例最佳化之微影光罩而形成的一或多個積體電路結構或裝置實施之計算系統。如可看出，計算系統1000容納一主機板1002。主機板1002可包括許多組件，包括(但不限於)一處理器1004及至少一通信晶片1006，其中之每一者可實體耦接及電耦接至主機板1002，或以其他方式整合於主機板1002中。如將瞭解，主機板1002可為(例如)任一印刷電路板，不管是主板、安裝於主板上之子板或是系統1000之唯一板等。視其應用而定，計算系統1000可包括可能或可能不實體耦接及電耦接至主機板1002之一或多個其他組件。此等其他組件可包括(但不限於)揮發性記憶體(例如，DRAM)、非揮發性記憶體(例如，ROM)、圖形處理器、數位信號處理器、密 碼處理器、晶片組、天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音訊編碼解碼器、視訊編碼解碼器、功率放大器、一或多個濾波器(諸如，LC槽濾波器、高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器)、全球定位系統(GPS)裝置、羅盤、加速度計、迴轉儀、揚聲器、相機及大容量儲存裝置(諸如，硬碟機、光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)等等)。計算系統1000中包括之任何組件可包括使用根據本發明之一實施例最佳化之微影光罩而形成的一或多個積體電路結構或形貌體。此等結構或形貌體可用以(例如)實施電晶體、導電線路或包括小形貌體之其他電路。在一些實施例中，可將多個功能整合至一或多個晶片內(例如，注意，通信晶片1006可為處理器1004之部分或以其他方式整合至處理器1004內)。
通信晶片1006實現用於將資料傳送至計算系統1000及自計算系統1000傳送資料的無線通信。術語「無線」及其衍生詞可用以描述可經由使用以非實體媒體進行之經調變之電磁輻射來傳遞資料的電路、裝置、系統、方法、技術、通信頻道等。該術語並不暗示相關聯之裝置不含有任何電線，但在一些實施例中，其可能不含有電線。通信晶片1006可實施許多無線標準或協定中之任一者，包括(但不限於)Wi-Fi(IEEE 802.11族)、WiMAX(IEEE 802.16族)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍芽、其衍生技術以及稱為3G、4G、5G及超出5G之任何 其他無線協定。計算系統1000可包括複數個通信晶片1006。舉例來說，第一通信晶片1006可專用於較短程無線通信(諸如，Wi-Fi及藍芽)，且第二通信晶片1006可專用於較遠程無線通信(諸如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO及其他)。
計算系統1000之處理器1004包括封裝於處理器1004內之一積體電路晶粒。在本發明之一些實施例中，處理器之積體電路晶粒包括藉由使用具有如本文中不同地描述之最佳化之相位深度/厚度的微影光罩而形成之一或多個積體電路結構或形貌體實施的機上電路。術語「處理器」可指處理(例如)來自暫存器及/或記憶體之電子資料以將彼電子資料變換成可儲存於暫存器及/或記憶體中之其他電子資料的任一裝置或裝置之部分。
通信晶片1006亦可包括封裝於通信晶片1006內之一積體電路晶粒。根據一些此等實例實施例，通信晶片之積體電路晶粒包括使用如本文中所描述之最佳化之微影光罩而形成的一或多個積體電路結構或形貌體。如依據本發明將瞭解，注意，可將多標準無線能力直接整合至處理器1004內(例如，在任何晶片1006之功能性整合至處理器1004內而非具有分開的通信晶片之情況下)。進一步注意，處理器1004可為具有此無線功能之晶片組。簡言之，可使用任何數目個處理器1004及/或通信晶片1006。同樣地，任一晶片或晶片組可具有整合於其中之多個功能。
在各種實施方案中，計算系統1000可為膝上型電 腦、迷你筆記型電腦、筆記型電腦、智慧型手機、平板電腦、個人數位助理(PDA)、超行動PC、行動電話、桌上型電腦、伺服器、印表機、掃描器、監視器、機上盒、娛樂控制單元、數位相機、攜帶型音樂播放器或數位視訊記錄器。在另外實施方案中，系統1000可為處理資料或使用積體電路結構或形貌體(使用具有根據如本文中所描述的本發明之一實施例的最佳化之相位深度/厚度之微影光罩而形成)之任一其他電子裝置。
依據本發明，眾多實施例將顯而易見。一個實例實施例提供一種用於對一微影光罩相位調諧之方法。該方法包括提供包括第一測試組之第一光罩佈局設計，及提供包括第二測試組之第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組。該方法進一步包括針對一範圍的相位深度/厚度模擬第一測試組中的關注結構之臨界尺寸跨焦，及基於模擬之結果選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度。該方法進一步包括在初始較佳相位深度/厚度處產生快速厚光罩模型(FTM)，及使用FTM校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供最佳化之光罩佈局設計。在一些情況下，該方法包括判定相位深度/厚度最佳化是否充分。在一些此等情況下，回應於判定相位深度/厚度最佳化充分，該方法包括提供具有最佳相位深度/厚度之光罩佈局設計。在其他此等情況下，回應於相位深度/厚度最佳化不充分，該方法進一步包括識別最佳化之光罩佈局設計的有問題的形貌體，及產生識別之有問題的形貌體的下一個小測 試組以提供下一個小測試組光罩佈局設計。在一些此等情況下，該方法進一步包括針對一範圍的相位深度/厚度模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦，及基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而選擇下一個較佳光罩相位深度/厚度。在一些此等情況下，該方法進一步包括基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而在選定之下一個較佳相位深度/厚度處產生下一個FTM，及進一步使用該下一個FTM校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供進一步最佳化之光罩佈局設計。在一些此等情況下，該方法進一步包括重複該判定(分析最佳化)。在一些此等情況下，回應於相位深度/厚度最佳化仍不充分，該方法進一步包括：識別進一步最佳化之光罩佈局設計之有問題的形貌體；產生識別之有問題的形貌體的下一個小測試組以提供下一個小測試組光罩佈局設計；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦；基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而選擇下一個較佳的光罩相位深度/厚度；基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而在選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生下一個FTM；及使用該下一個FTM進一步校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供進一步最佳化之光罩佈局設計。在一些特定實例情況下，使用嚴密微影模擬工具進行模擬臨界尺寸， 且針對相位深度/厚度緯斜，針對焦點居中、聚焦深度及/或空間影像對比度中之至少一者分析臨界尺寸。在一些特定實例情況下，第一測試組包括的關注形貌體少於1000個，且第二光罩佈局設計包括的關注形貌體多於1000個。依據本發明，眾多變化將顯而易見。舉例來說，本發明之另一實施例提供使用在此段落中不同地描述之方法製造的微影光罩。另一實施例提供包含該光罩之微影系統。
本發明之另一實施例提供一種用於對一微影光罩進行相位調諧之方法。此實例情況包括提供包括第一測試組之第一光罩佈局設計，及提供包括第二測試組之第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組。該方法進一步包括針對一範圍的相位深度/厚度模擬第一測試組中的關注結構之臨界尺寸跨焦，及基於模擬之結果選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度。該方法進一步包括在初始較佳相位深度/厚度處產生快速厚光罩模型(FTM)，及使用FTM校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供最佳化之光罩佈局設計。回應於判定相位深度/厚度最佳化充分，該方法進一步包括提供體現最佳相位深度/厚度之光罩。回應於判定相位深度/厚度最佳化不充分，該方法包括：識別最佳化之光罩佈局設計之有問題的形貌體；產生識別之有問題的形貌體的下一個小測試組以提供下一個小測試組光罩佈局設計；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦；基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之 臨界尺寸跨焦之結果而選擇下一個較佳的光罩相位深度/厚度；基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而在選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生下一個FTM；使用該FTM進一步校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供進一步最佳化之光罩佈局設計；及判定相位深度/厚度最佳化對於進一步最佳化之光罩佈局設計是否充分。另一實施例提供使用如在此段落中不同地描述之方法製造的微影光罩。另一實施例提供包含該光罩之微影系統。
本發明之另一實施例提供一種用於製造一微影光罩之方法。在此實例情況下，該方法包括提供包括第一測試組之第一光罩佈局設計，及提供包括第二測試組之第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組。該方法進一步包括針對一範圍的相位深度/厚度模擬第一測試組中的關注結構之臨界尺寸跨焦，及基於模擬之結果選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度。該方法繼續在初始較佳相位深度/厚度處產生快速厚光罩模型(FTM)，及使用FTM校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供最佳化之光罩佈局設計。該方法繼續實施具有最佳化之光罩佈局設計的微影光罩。在一些情況下，該方法包括判定相位深度/厚度最佳化是否充分。在一些此等情況下，回應於判定相位深度/厚度最佳化充分，該方法包括提供具有最佳相位深度/厚度之光罩佈局設計。在其他此等情況下，回應於相位深度/厚度最佳化不充分，該方法包括識別最佳化之光 罩佈局設計的有問題的形貌體，及產生識別之有問題的形貌體的下一個小測試組以提供下一個小測試組光罩佈局設計。在一個此情況下，該方法繼續針對一範圍的相位深度/厚度模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦，及基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而選擇下一個較佳光罩相位深度/厚度。在一個此情況下，該方法繼續基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而在選定之下一個較佳相位深度/厚度處產生下一個FTM，及進一步使用該下一個FTM校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供進一步最佳化之光罩佈局設計。在一個此情況下，該方法繼續重複判定。在一個此情況下，回應於相位深度/厚度最佳化仍不充分，該方法進一步包括：識別進一步最佳化之光罩佈局設計之有問題的形貌體；產生識別之有問題的形貌體的下一個小測試組以提供下一個小測試組光罩佈局設計；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦；基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而選擇下一個較佳的光罩相位深度/厚度；基於模擬下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果而在選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生下一個FTM；及使用該下一個FTM進一步校正第二光罩佈局設計之第二測試組，藉此提供進一步最佳化之光罩佈局設計。
已為了說明及描述之目的呈現本發明之實例實施例之前述描述。其並不意欲為詳盡的或將本發明限於所揭示之精確形式。依據本發明，許多修改及變化係可能的。希望本發明之範疇僅不受此實施方式限制而是受隨附申請專利範圍限制。
301~313‧‧‧步驟

Claims (23)

  1. 一種用於對微影光罩進行相位調諧之方法，其包含：提供包括一第一測試組之第一光罩佈局設計；提供包括一第二測試組之一第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該第一測試組中關注結構之臨界尺寸跨焦；基於該模擬之結果，選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度；在該初始較佳相位深度/厚度處產生一快速厚光罩模型(FTM)；及使用該FTM校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一最佳化之光罩佈局設計。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含：判定相位深度/厚度最佳化是否充分。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其進一步包含：回應於判定相位深度/厚度最佳化充分，提供具有一最佳相位深度/厚度之一光罩佈局設計。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，其中回應於相位深度/厚度最佳化不充分，該方法進一步包含：識別該最佳化之光罩佈局設計的有問題的形貌體；及產生該等經識別之有問題的形貌體的一下一個小 測試組，以提供一下一個小測試組光罩佈局設計。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其進一步包含：針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦；及基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，選擇一下一個較佳的光罩相位深度/厚度。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其進一步包含：基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，在該選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生一下一個FTM；及使用該下一個FTM進一步校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一進一步最佳化之光罩佈局設計。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其進一步包含重複該判定。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中回應於相位深度/厚度最佳化仍不充分，該方法進一步包含：識別該進一步最佳化之光罩佈局設計的有問題的形貌體；產生該等經識別之有問題的形貌體的一下一個小測試組以提供一下一個小測試組光罩佈局設計，針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦， 基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，選擇一下一個較佳的光罩相位深度/厚度；基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，在該選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生一下一個FTM；及使用該下一個FTM進一步校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一進一步最佳化之光罩佈局設計。
  9. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中使用一嚴密微影模擬工具進行模擬臨界尺寸，且針對相位深度/厚度緯斜，針對焦點居中、聚焦深度及/或空間影像對比度中之至少一者分析該等臨界尺寸。
  10. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中該第一測試組包括的關注形貌體少於1000個，且該第二光罩佈局設計包括的關注形貌體多於1000個。
  11. 一種使用前述申請專利範圍中任一項之方法製造之微影光罩。
  12. 一種微影系統，其包含如申請專利範圍第11項之光罩。
  13. 一種用於對一微影光罩進行相位調諧之方法，其包含：提供包括一第一測試組之第一光罩佈局設計；提供包括一第二測試組之一第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該第一測試組 中關注結構之臨界尺寸跨焦；基於該模擬之結果，選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度；在該初始較佳相位深度/厚度處產生一快速厚光罩模型(FTM)；使用該FTM校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一最佳化之光罩佈局設計；回應於判定相位深度/厚度最佳化充分，提供體現該最佳相位深度/厚度之一光罩；及回應於判定相位深度/厚度最佳化不充分：識別該最佳化之光罩佈局設計的有問題的形貌體；產生該等經識別之有問題的形貌體的一下一個小測試組以提供一下一個小測試組光罩佈局設計；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦；基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，選擇一下一個較佳的光罩相位深度/厚度；基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，在該選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生一下一個FTM；使用該FTM進一步校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一進一步最佳化之光罩佈局設計；及 判定相位深度/厚度最佳化對於該進一步最佳化之光罩佈局設計是否充分。
  14. 一種使用如申請專利範圍第13項之方法製造之微影光罩。
  15. 一種微影系統，其包含如申請專利範圍第14項之光罩。
  16. 一種用於製造一微影光罩之方法，其包含：提供包括一第一測試組之第一光罩佈局設計；提供包括一第二測試組之一第二光罩佈局設計，其中該第二測試組大於該第一測試組；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該第一測試組中關注結構之臨界尺寸跨焦；基於該模擬之結果，選擇一初始較佳光罩相位深度/厚度；在該初始較佳相位深度/厚度處產生一快速厚光罩模型(FTM)；使用該FTM校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一最佳化之光罩佈局設計；及實施具有該最佳化之光罩佈局設計的一微影光罩。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其進一步包含：判定相位深度/厚度最佳化是否充分。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其進一步包含：回應於判定相位深度/厚度最佳化充分，提供具有一最佳相位深度/厚度之一光罩佈局設計。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，其中回應於相位深度/ 厚度最佳化不充分，該方法進一步包含：識別該最佳化之光罩佈局設計的有問題的形貌體；及產生該等經識別之有問題的形貌體的一下一個小測試組以提供一下一個小測試組光罩佈局設計。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其進一步包含：針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦；及基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，選擇一下一個較佳的光罩相位深度/厚度。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其進一步包含：基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，在該選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生一下一個FTM；及使用該下一個FTM進一步校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一進一步最佳化之光罩佈局設計。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其進一步包含重複該判定。
  23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中回應於相位深度/厚度最佳化仍不充分，該方法進一步包含：識別該進一步最佳化之光罩佈局設計的有問題的形貌體； 產生該等經識別之有問題的形貌體的一下一個小測試組以提供一下一個小測試組光罩佈局設計；針對一範圍的相位深度/厚度，模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦；基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，選擇一下一個較佳的光罩相位深度/厚度；基於該模擬該下一個小測試組光罩佈局設計中的形貌體之臨界尺寸跨焦之結果，在該選定之下一個較佳的相位深度/厚度處產生一下一個FTM；及使用該下一個FTM進一步校正該第二光罩佈局設計之該第二測試組，藉此提供一進一步最佳化之光罩佈局設計。
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