TW201338226A - 磁電效應材料及其製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種由同位素晶體、其合金晶體或其化合物晶體製成的磁電效應材料，本發明以增豐和提純方式提高同位素的豐度和純度，以輻照增加核激子態數量，因而加強該同位素晶體、其合金晶體或其化合物晶體的磁電效應。本發明提供所述材料製造的方法，具體內容包括同位素選擇定則及其材料製備及與其他材料複合結構，屬於核科學及材料改性領域。本發明使用具有多光子糾纏躍遷的同位素核種，獲得非局域化的核激子態。選擇性加入其他具有核激子的同位素，可調整核激子的輻照產生效率，以及調整核激子衰變速率。

Description

磁電效應材料及其製備方法
本發明關於一種新型材料及製備方法，特別是關於一種具有磁電效應的材料及其製備方法。
對本發明的背景技術進行介紹。
(1)磁電效應
一般材料的電磁感應，加上電場會出現電極化(electric polarization)，加上磁場則出現磁極化(magnetic polarization)。磁電效應(magnetoelectric effects)材料卻不一樣，在內部存在不為零的贋標量(pseudoscalar)場，加上電場會出現磁極化，加上磁場則出現電極化。參考文獻[1，2，3]中以Cr2O3為例，由理論及實驗角度闡明磁電效應與贋標量的關係。Cr2O3的贋標量為溫度的函數，最大贋標量出現於285K，大小約為0.02[e2/h]電導，其中e為電荷，h為普朗克常數。因此Cr2O3的磁電效應非常弱。參考文獻[3]中也報導了其他如Cr2O3一般的弱磁電效應材料。雖然文獻[4]對Cr2O3磁電效應的產生機制，有現象學的報導，加上電場時，磁性Cr離子偏離位子產生磁場。參考文獻[3]報導了Cr離子偏離位子機制的一些理論及試驗證據，認為磁電效應由晶格內部的產生磁場梯度的磁四級子(magnetic quadrupole)所引發，但學術界至今仍然不知道磁四級子由何處而來。
近年來新的材料如拓撲絕緣體(Topological insulator)[5，6]，發現了較強的贋標量以產生磁電效應[7]，比Cr2O3大了兩個數量級。拓撲絕緣體的內部具有電子運動的拓撲不變性(topological invariant)，導致電子在邊緣態(edge state)運動，也就是電子在介面上運動方式與內部運動不一樣。拓撲絕緣體的拓撲不變性，一般由外加磁場或原子的軌道自旋作用(spin-orbit interaction)產生。除了拓撲絕緣體外，多重電性(Multiferroics)也有較強的磁電效應[8]。多重電性的強磁電效應往往由鐵電(ferroelectric)效應和鐵磁(ferromagnetic)效應相互耦合產生。多重電性的磁電效應不由邊緣態產生，與拓撲絕緣體的磁電效應不一樣，受到鐵電係數和鐵磁係數限制[4]。但是，這兩種磁電效應的產生機制，不論在理論或實驗上都已經相當確定，唯有產生Cr2O3一類的弱磁電效應的機制仍然欠缺。
拓撲絕緣體的電子有非凡的邊緣模態(edge mode)，以彈道方式運動(ballistic motion)，不會相互散射(scattering)，沒有耗散。這種電子模態受拓撲不變性保護，不容易受到干擾，非常穩定，所以叫做拓撲絕緣體。當溫度足夠低，發生超導相變時，也稱拓撲超導體(Topological superconductor)，可用於拓撲量子計算(Topological quantum computing)。拓撲絕緣體也可和普通的超導體搭配使用製造量子電腦[5，6]。
除了一維線狀結構外，實用的拓撲絕緣體可分三維結構3D和二維結構2D，以及Z型及Z2型，分別為3D-Z，3D-Z2，2D-Z，2D-Z2四類。其中3D-Z2，2D-Z，2D-Z2三類已證實存在，唯有3D-Z型仍屬理論推測，尚未實證發現。2D-Z類拓撲絕緣體的典型為量子霍爾效應(quantum Hall effect)的二維結構。3D-Z2類拓撲絕緣體如Bi2Se3，Bi2Te3，及Sb2Te3等。2D-Z2類拓撲絕緣體如HgTe/Cd/Te量子井(quantum well)。詳見參考文獻[5]。
內部具有贋標量場的磁電效應材料，F. Wilczek在參考文獻[9]指出其麥克斯韋方程不同，當贋標量場具有時間或空間梯度時，光子輸運將不同。F. W. Hehl等人在參考文獻[3]也指出，具有贋標量場的磁電效應材料可用於其他贋標量場的探測，如暗物質(dark matter)的探測。當這種磁電效應材料進入超導態，電磁信號將被遮罩，可以更有效地檢測其他非電磁場信號。
(2)多光子糾纏躍遷與非局域化的核激子
穆斯堡爾態為原子核的最低能量第一激發態，躍遷時發出一個伽馬光子，其反沖帶走的能量由晶格承擔而幾乎為零，因而穆斯堡爾光子的能量非常精確[10]。原子核的大小約為幾個飛米(fm,10-15 m)，再加上發射光子的躍遷條件限制，導致低能量如10 keV的光子發射時間較長。比如57Fe的穆斯堡爾態自旋量子數3/2宇稱奇，記為∣3/2->，基態自旋量子數1/2宇稱奇，記為∣1/2->,屬於禁止發射的M1躍遷，發射光子的能量為14.4 keV，壽命因而較長為98 ns。透過處於基態57Fe原子核的吸收，可以分辨57Fe原子核穆斯堡爾態能量受到環境的影響，精確到neV量級，稱之為穆斯堡爾效應。簡單由測不准原理推論，躍遷壽命較長的穆斯堡爾態，理論上可以提供高能量解析度的穆斯堡爾光子。但實際上往往不是如此，太高的解析度反而不利於共振吸收，因而無法應用。相反的，壽命短到皮秒(ps)的第一激發態，能量解析度為0.1 meV，不能提供neV的能量解析度，一般不能稱為穆斯堡爾態。本發明的目的不是能量解析度，而是能產生共振吸收的特定原子核激子態，因而不為已知的穆斯堡爾態。
如果純鐵晶格中57Fe的豐度為100%，當溫度夠低時，57Fe所發射的穆斯堡爾光子，可以被相鄰的57Fe原子核共振吸收。由量子力學理論我們知道，57Fe穆斯堡爾態的位置不能被確定在哪一個原子核上，形成非局域化的原子核激發態，如同半導體中的激子態，因而稱為核激子。參考文獻[9]在理論上已經對核激子詳細探索過。
由量子電動力學(quantum electrodynamics)知道，原子或原子核兩個能級態之間躍遷，其幾率由躍遷的軌道尺寸、能量變化、自旋變化和宇稱變化所決定。自旋變化為1，宇稱奇到偶或偶到奇轉變的躍遷為E1躍遷。自旋變化為1，宇稱奇到奇或偶到偶不轉變的躍遷為M1躍遷。當躍遷不為E1，M1時，可以產生近乎同時發射的多光子態，也稱為多光子糾纏態。舉例說明糾纏態，例如雙光子糾纏態的自由度小於獨立兩個光子自由度之和，不能視為兩個獨立的光子。糾纏態常用於量子通訊及量子計算。例如103Rh銠的天然豐度為100%，原子核基態的自旋量子數1/2宇稱奇，記為∣1/2->，第一激發態自旋量子數7/2宇稱偶，記為∣7/2+>，躍遷所產生的光子能量39.8 keV，自旋變化為3，半衰期壽命為56.12分鐘。如果單個光子不受外界影響，其的能量分佈太窄，約為10-19 eV量級。但是在晶格中相鄰處於基態的103Rh，必定受外界影響，分佈能量展寬遠大於10-19 eV，無法共振吸收。2007年，程曜等人以韌制輻射激發了複晶和單晶高純度銠的第一激發態，並由伽馬光譜中觀察到，小於第一激發態能量的雙光子糾纏態存在[11]。因為銠的天然豐度為100%，相鄰的原子核必定為相同的103Rh同位素。銠的第一激發態可經由雙光子糾纏態躍遷，其共振吸收產生非局域化的核激子態。這種核激子態帶有自旋，不帶電荷，程曜因而稱之為核自旋密度波(nuclear spin-density wave)[12]。
只要第一激發態躍遷的自旋變化不為1，也就是大於等於2或等於0，多光子糾纏態躍遷以及共振吸收的途徑就存在，躍遷幾率主要由多級子躍遷種類、同位素豐度、同位素數目、以及溫度而定。相同的，如果原子核由第二激發態經第一激發態，產生時間糾纏的級聯躍遷，也可以發射雙光子糾纏態。因為多光子糾纏態的等效波長與晶格常數匹配，滿足布拉格衍射條件，發生超輻射(superradiance)，強關聯(strong coupling)以及反沖消失(recoilless)等種種現象，原子軌道上電子的光電子效應受到抑制[10]，而高豐度同位素晶體的共振吸收效率極端放大。非局域化的核激子態的分佈遠大於晶格常數，有一定的尺寸大小，因而磁子(magneton)異常增大，103Rh銠的核激子態約為eV/T量級，比原有的核磁子，大了8到9個數量級[12]。程曜等以高斯量級的磁場使銠原子核磁軸方向改變，觀察到非局域化所放大了第一激發態磁子[13]。程曜等也觀察到第一激發態隨激發量、溫度等改變所發生的核激子態相變[14，15]。
目前所知，不屬於多重電性的磁電效應材料的三維和二維的Z2型兩類拓撲絕緣體，或Cr2O3類弱磁電效應材料具有以下不足：
第一、這些材料的贋標量場都小於100[e2/h]，因而必須具有良好絕緣特性，磁電效應的特性才能顯著。
第二、目前已知3D-Z2，2D-Z2二類拓撲絕緣體，其贋標量場小於100[e2/h]，需要在很低的溫度下磁電效應的效果才能顯現，比如說10K。
第三、現有3D-Z2，2D-Z，2D-Z2三類拓撲絕緣體，無法因增厚而由2D-Z，2D-Z2改為3D類拓撲絕緣體，3D-Z2類拓撲絕緣體也無法製成薄膜，而轉變為2D類拓撲絕緣體。
第四、目前所知的3D-Z2類磁電效應如Bi2Se3，Bi2Te3，及Sb2Te3等，難以製成絕緣體。
由此可見，上述現有的拓撲絕緣體在性能或使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。本發明人經過不斷的研究、設計，並經反復試作及改進後，終於創設出確具實用價值的本發明。
本發明的主要目的在於，克服現有存在的缺陷，而提供一種磁電效應材料，所要解決的技術問題是使得該磁電效應材料贋標量場較大，磁電效應強，從而更加適於實用，且具有產業上的利用價值。
本發明的另一目的在於，提供一種製備磁電效應材料的方法，從而更加適於實用。
本發明的另一目的在於，提供以核激子增強磁電效應的多種同位素材料及其製造方法。
本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來達成的。依據本發明提出的一種磁電效應材料，所述的磁電材料由同位素晶體、同位素合金晶體或其化合物晶體製成，其中透過增豐和提純方式增加同位素純度，進而在所述的同位素晶體、同位素化合物晶體，或一種或多種同位素的合金晶體內得到非局域化的、產生磁電效應的原子核激子。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步達成。
前述的磁電效應材料，其中所述的增豐方式是透過同位素離心分離法對所述同位素進行增豐。
前述的磁電效應材料，其中所述的提純該同位素含量的方式為懸浮帶區法，透過移動局部熔融區將雜質驅趕離開到邊緣。
前述的磁電效應材料，其中產生非局域化的原核激子的同位素，為原子核第一激發態躍遷到原子核基態的自旋量子數變化不為1，且大於或等於2或等於0。
前述的磁電效應材料，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為90%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為90%-100%。
前述的磁電效應材料，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為99%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為99%-100%。
前述的磁電效應材料，其中所述的磁電效應材料，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的氧化物晶體，其中的氧離子的同位素為16O，其豐度為99.76%-100%。
前述的磁電效應材料，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的碳化物晶體，其中的碳離子的同位素為12C，其豐度為98.89%-100%。
前述的磁電效應材料，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的硫化物晶體，其中的硫離子的同位素為32S，其豐度為95.02%-100%。
前述的磁電效應材料，其中所述的同位素選自12C、16O、19F、27Al、28Si、32S、40Ca、45Sc、52Cr、56Fe、59Co、89Y、93Nb、103Rh、115In、232Th和/或238U。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步達成。依據本發明提出的一種製備磁電效應材料的方法，包括在同位素晶體、同位素化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體內產生原子核激子的步驟。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步達成。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的原子核激子的產生方式包括輻照源激發、放射性核種激發或天然激發。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的輻照源激發方式中的輻照源為電子、X光、中子或質子，所述輻照源的輻照量子能量高於核激子態能量。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的放射性核種激發方式是在同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體內部激發，所述的放射性核種為產生多極子伽馬躍遷的長壽命放射性核種。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的放射性核種選自178mHf、93mNb或113mCd。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的天然激發方式包括真空漲落激發或背景輻射激發。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中進一步包括在產生原子核激子步驟前對同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素合金晶體進行增豐的步驟和/或提純的步驟。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中還包括向放射性核種中加入或去除特定同位素雜質，以調整核激子衰變速度。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為90%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為90%-100%。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為99%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為99%-100%。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的氧化物晶體，其中的氧離子的同位素為16O，其豐度為99.76%-100%。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的碳化物晶體，其中的碳離子的同位素為12C，其豐度為98.89%-100%。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的硫化物晶體，其中的硫離子的同位素為32S，其豐度為95.02%-100%。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的同位素選自12C、16O、19F、27Al、28Si、32S、40Ca、45Sc、52Cr、56Fe、59Co、89Y、93Nb、103Rh、115In、232Th和/或238U。
本發明的目的及解決其技術問題還採用以下的技術方案來達成。依據本發明提出的一種製備磁電效應材料的方法，包括：透過輻照源激發方式產生同位素的亞穩激發態；將被輻照的同位素製成同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體；其中，所述的輻照源激發方式中的輻照源為電子、X光、中子或質子，所述輻照源的輻照量子能量高於核激子態能量。
本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步達成。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中進一步包括，將所述的輻照激發亞穩激發態的同位素摻雜到特定孵化同位素核種的晶體中，形成合金或化合物的晶體；所述的孵化同位素的原子核第一激發態躍遷到原子核基態的自旋量子數變化不為1，且大於或等於2或等於0前述的製備磁電效應材料的方法，其中進一步包括將同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體加工成特定尺寸晶體或不同維數拓撲結構晶體，加工後樣品所產生磁電效應不同。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的特定尺寸晶體為二維薄膜，所述二維薄膜的厚度約為核激子尺寸，而長寬遠大於核激子尺寸。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的特定尺寸晶體為一維線條，所述一維線條的線徑約為核激子尺寸，而長度遠大於核激子尺寸。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的特定尺寸晶體為二維圓筒，所述二維圓筒的厚度約為核激子尺寸，而周長及寬度遠大於核激子尺寸。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的特定尺寸晶體為一維圓圈，所述一維圓圈的厚度約為核激子尺寸，而周長遠大於核激子尺寸。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的不同維數拓撲結構為三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、一維異質結、或其與其他材料的複合結構。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由電性材料、磁性材料、磁電效應材料或多重電性材料提供所述磁電效應材料所需的電場和/或磁場。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的與其他材料的複合結構在不同溫度下出現不同的磁電效應。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中進一步透過使用不同超導性質材料介面提供具有超導特性、產生不同磁通量子的所述的磁電效應材料。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由光電材料及所述的磁電效應材料組成。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由壓電材料及所述的磁電效應材料組成。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由半導體材料及所述的磁電效應材料組成。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由拓撲絕緣體材料、或絕緣體材料及所述的磁電效應材料組成。
前述的製備磁電效應材料的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由金屬材料及所述的磁電效應材料組成。
進一步的，本發明的目的及解決其技術問題還採用以下的技術方案來達成。具體來說，本發明的技術內容和特點還包括：
第一、本發明所使用的特定同位素組合，為產生核激子所需同位素，除了天然豐度為100%外，必須增豐以增加同位素的含量比例。
第二、本發明所使用的特定同位素組合，因其他能產生核激子同位素參雜加入，而改變其衰變速率及其輻照效率。
第三、本發明所使用的特定同位素組合，在特定溫度下使用。
第四、本發明所使用的特定同位素組合，在特定環境下使用，如強輻射場下使用。
第五、本發明因其輻照產生核激子的密度，而改變其磁電效應。
第六、本發明因其特定幾何形狀尺寸、維數、及拓撲結構，而改變其核激子密度對磁電效應的影響。
第七、本發明所使用的特定同位素組合，因其特定幾何形狀尺寸、維數、及拓撲結構，而改變其磁電效應。
第八、本發明所使用的特定同位素組合，因與其他材料複合使用，而改變其磁電效應。
更進一步的，本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來達成的。
本發明使用非局域化(delocalized)的核激子產生磁電效應。由於磁子(magneton)的磁場與磁子大小成正比，核磁子(nuclear magneton)的磁場一般都很小。非局域化核激子，使核磁子的分佈擴大，所得磁場遠大於一般核磁場。一般的核激發態只固定在某一個原子核上，不是分佈於一群相鄰的同種原子核上。本發明使用的核激發態，其躍遷到基態能發射多光子糾纏態，才能使核激發態分佈到一群相鄰的同種原子核上，成為非局域化的激子態。
本發明分佈於晶體內的核激子態，加強磁電效應所需的贋標量場。
本發明所使用的穆斯堡爾同位素，可以是不穩定的放射性元素如113Cd，但放射性元素的壽命越長越好，豐度越高越好。例如113Cd為不穩定元素，壽命為7.7×1015年，原子核基態為∣1/2+>，原子核第一激發態∣11/2->，躍遷壽命14.1年。113Cd符合前述所列條件，遷到基態的自旋變化為5，大於2。
本發明所使用的穆斯堡爾同位素，可以是穩定的放射性元素，其天然豐度(natural abundance)越高越好。例如52Cr為天然穩定元素，天然豐度為83.8%，原子核基態為∣0+>，原子核第一激發態|2+>，躍遷壽命0.7ps。52Cr雖然符合前述所列條件，遷到基態的自旋變化為2，但製造時要增加豐度。52Cr躍遷壽命太短，為得到磁電效應，使用時也要持續激發穆斯堡爾核激子態。
由上述可知，本發明所使用的核激子態同位素，躍遷壽命長具有一定優勢。
天然單一的穆斯堡爾同位素，可降低生產製造成本，否則需要增豐(enriching)相同一種同位素含量，或利用核反應得到所需長壽命同位素。因此，天然單一同位素具有長壽命穆斯堡爾態的穩定核種，如45Sc，103Rh，89Y，以及93Nb等，有明顯優勢。
由不論是天然或分離增豐的高豐度同位素核種製造的磁電效應，不一定要絕緣體，但必須是單晶或複晶。可以是純金屬，合金，或者由化合物所構成的半導體或絕緣體。
本發明的穆斯堡爾原子核激發態可以用下列方法，由原子核基態激發原子核躍遷獲得激發態：能量高於穆斯堡爾態的光子、中子、電子、以及質子輻照。例如：以韌制輻射(bremsstrahlung)照射Sc，Rh，Y，Ag，都可以獲得穆斯堡爾激發態。以6MeV高能電子照射Sc，Rh，Y，Ag，也可以獲得穆斯堡爾激發態。以中子或質子照射Nb，可以獲得穆斯堡爾激發態。
上述輻照源可以由外界照射激發，或加入放射性元素如178mHf，∣16+>在2.446MeV的高能激發態，壽命為31年，由樣品內部持續激發穆斯堡爾態。
本發明的核激子態因環境溫度而變化，在特定狀況，如低溫環境，也可以由天然背景輻射或真空漲落激發，不經輻照產生。
本發明使用長壽命核激子態的核種如93Nb元素時，因為半衰期為16年，可以先激發核激子態，再加工處理為所需晶態或所需化合物。
本發明可由穆斯堡爾核種的化合物如氧化物控制硬度及絕緣性。
本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，為了達到前述發明目的，本發明的主要技術內容如下：本發明提出一種多種磁電效應材料，其磁電效應由晶體內部的贋標量場產生，材料使用高豐度及高純度同位素、合金、或化合物的晶體，具有非局域化的原子核激子態，因此呈現磁電效應所需的贋標量場，贋標量場單位為[e2/h]電導，e電荷且h為普朗克常數，贋標量場的強弱與同位素種類、同位素純度、核激子密度、晶格結構以及使用溫度等有關。贋標量場對於量子電腦領域的應用很重要。
能產生上述原子核激子態的同位素，其原子核第一激發態(莫斯堡爾譜態)躍遷可以發射多光子糾纏態，糾纏態的衝量與晶格常數匹配產生強關聯，形成非局域化的核激子態。發射多光子糾纏態的特徵為最低能量的原子核第一激發態躍遷到原子核基態的自旋量子數變化不為1，也就是大於等於2或等於0。
在本發明的一個實施例中，加強上述原子核激子態的方法，可以由外界多種輻照源如電子、X光、中子、質子或其他高能粒子激發，或加入如178mHf，93mNb或113mCd等產生多極子伽馬躍遷的長壽命放射性核種由晶體內部激發，其中輻照量子能量高於核激子態能量，不論是外激發或內部激發，可以視需求，單次、多次、甚至持續激發上述的原子核激發態。
在本發明的一個實施例中，上述長壽命原子核激子態，可以先輻照生產同位素的亞穩激發態如93mNb，再製造所述的磁電效應材料使用的晶體狀態。
在本發明的一個實施例中，所述產生原子核激子態的方法，可以由天然存在的背景輻射或由真空漲落激發，其不需上述的輻照，而在一定溫度以下產生，該溫度與原子核激子態有關，下列數值及材料不應視為對本專利的約束，如52Cr增豐後的Cr2O3在尼爾溫度以下的磁電效應，特別適合在地球外空間以及極低溫使用條件下的應用。
在本發明的一個實施例中，所述產生原子核激子態的方法，核激子密度必須超過一定數量，才出現強磁電效應。贋標量場大於1[e2/h]，且核激子密度越大，產生強磁電效應的工作溫度越高，下列數值及材料不應視為對本專利的約束，例如純93Nb的核激子密度，必須大於1012cm-3才能在室溫產生較強磁電效應。
在本發明的一個實施例中，在所述同位素核種天然豐度不為100%以及製造純度不足100%時，如天然Cr2O3，可以由增豐和物理、化學等提純的方式，提高該材料所需同位素如52Cr的豐度和純度，提高磁電效應。
在本發明的一個實施例中，所述同位素核種可以加入或去除特定同位素雜質調整核激子衰變速度，所謂特定同位素，其特徵在於可以產生核激子的同位素核種。舉例而言，下列數值及材料不應視為對本專利的約束，將含有93mNb的純Nb內部Zr,Y,W等雜質減少，最好降到1ppm以下。
在本發明的一個實施例中，將所需激發的同位素加入到特定孵化同位素核種的晶體中摻雜、形成合金或化合物的晶體，以改變所述激發原子核方式的輻照效率。所選孵化同位素為具有核激子的同位素。得到所需同位素的激發量後，再經後加工提純分離。舉例而言，下列數值及材料不應視為對本專利的約束，選擇27Al為93Nb的孵化同位素，將1%的93Nb摻雜入27Al的晶體中，以5MeV電子束輻照，得到足夠的93mNb，再以化學方法分離，得到含有93mNb的純Nb。
在本發明的一個實施例中，所述激發原子核方式必須控制外界條件及晶態，溫度高、非晶態時所容許的最大激子數量較大。溫度升至退火溫度以上，最好至熔融、氣化等離子體狀態，沒有上限，只有下限。控制為非晶態，可使用所需同位素的粉末、水溶液等非晶體狀態。
在本發明的一個實施例中，所述控制原子核激子數量，可以改變不同的外加條件，適應使用所需環境。例如先在高溫非晶態激發達到一定數量，降溫結晶時加上磁場保持原子核激子數量。
在本發明的一個實施例中，製備所述的磁電效應材料，可以因使用的幾何形狀維數而改變，產生不同維數的磁電效應，如二維薄膜，其厚度約為核激子尺寸，而長寬遠大於核激子分尺寸；如一維線條，其線徑約為核激子尺寸，而長度遠大於核激子分尺寸。所述幾何形狀維數的改變，進而改變了核激子密度對磁電效應影響。
在本發明的一個實施例中，所述使用的幾何形狀維數或拓撲結構，可以製造三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、或一維異質結而改變磁電效應，由電性材料、磁性材料、磁電效應材料、或多重電性材料提供所述磁電效應材料所需的電場、磁場，或改變磁性、電性。
在本發明的一個實施例中，所述使用的幾何形狀維數或拓撲結構，可以製造三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、或一維異質結而改變磁電效應，使用不同超導性質材料介面提供所述具有超導特性的磁電效應材料，以產生不同磁通量子。
在本發明的一個實施例中，所述使用的幾何形狀維數或拓撲結構，可以製造三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、或一維異質結而改變磁電效應，使用不同所述磁電效應材料的介面改變核激子衰變速率或改變單一材料磁電效應的強度。
在本發明的一個實施例中，所述使用的幾何形狀維數或拓撲結構，可以製造三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、或一維異質結，使用發光材料或光電材料與所述磁電效應材料的介面改變光強、偏極化、或光電效率。
在本發明的一個實施例中，所述使用的幾何形狀維數或拓撲結構，可以製造三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、或一維異質結，使用絕緣材料與所述磁電效應材料的介面改變熱導效率。
在本發明的一個實施例中，所述使用的幾何形狀維數或拓撲結構，可以製造三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、或一維異質結，使用發聲材料或吸聲材料與所述磁電效應材料的介面改變聲強、偏極化、相位或發聲、吸聲效率。
在本發明中，所述的贋標量場能產生所述的磁電效應材料。贋標量場等價於拓撲絕緣體內部拓撲不變性，其能使電子在受拓撲不變性保護的邊緣態運動，能使在邊緣的光子輸運異常，例如光速不由其電極化率及磁化率所決定。當含有該贋標量場的材料進入超導態如Rh和Nb，可以用於拓撲量子電腦，其產生拓撲量子計算所需的馬約喇納態(Majorana state)。
在本發明中，能產生所述磁電效應的材料，其核激子場對外場變化敏感，可以作為探測器，偵測外場特徵為自旋為0的贋標量場，自旋為1的電磁場，或自旋為2的引力波場。
在本發明中，能產生所述磁電效應的材料，可以提供良好導熱特性，當核激子場密度超一定數量時，能產生核激子凝聚，下列數值及材料不應視為對本專利的約束，例如純103Rh和純93Nb的核激子密度大於1012cm-3。
經由上述可知，本發明提供以原子核激子態增強多種材料的磁電效應及其製造的方法，具體內容包括同位素選擇定則及其材料製備及使用方法，屬於核科學及材料改性領域。本發明使用具有多光子糾纏躍遷的同位素核種，獲得非局域化的核激子態。以增豐和提純方式提高同位素的豐度和純度，以輻照增加核激子態數量，因而加強該同位素晶體、其合金晶體或其化合物晶體的磁電效應。選擇性加入其他具有核激子的同位素，可調整核激子的輻照產生效率，以及調整核激子衰變速率。
借由上述技術方案，本發明至少具有下列優點，以下數字不應理解為對本發明的限制：
(1)屬於本發明之一的強磁電效應，贋標量場非常大，如在地磁下可達103[e2/h]。對物質絕緣特性要求降低，即便呈金屬特性，一樣可以展現電子邊緣態的特性及其功能。
(2)本發明可以在遠高於10K的溫度工作。
(3)本發明可以是一維、二維、三維各種拓撲及幾何結構尺寸。
(4)本發明磁電效應有的可受磁場控制，提供可操控性。
(5)本發明硬度高，穩定性高。
綜上所述，本發明具有上述諸多的優點及實用價值，並在同類產品和方法中未見有類似的設計公開發表或使用而確屬創新，其在性能上或功能上皆有較大的改進，在技術上有較大的進步，並產生了好用及實用的效果，從而更加適於實用，而具有產業的廣泛利用價值。
上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚瞭解本發明的技術手段，並可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例並配合附圖詳細說明如後。
實施例：由一件鈮單晶實例說明發明內容
下列例子為本發明的一件實例的詳細描述，不應理解為對本發明的限制。
2008年，發明人以新竹反應堆的中子激發了單晶與複晶高純度鈮的穆斯堡爾態，當核激子密度超過1012cm-3時，產生另一種核激子態。93Nb鈮的天然豐度為100%，原子核基態為∣9/2+>，穆斯堡爾態∣1/2->，光子能量30.8 keV，躍遷自旋變化為4，壽命為16.13年。如前述，單個光子的能量分佈太窄，在10-24 eV量級，其他處於基態的93Nb無法共振吸收。相同的，由X光譜中也觀察到，多光子糾纏態存在的證據(參見第1圖)。其中，7-12 keV的四個峰都屬於W(鎢)的特徵L層X射線，15.7keV以及17.7keV則為Zr(鋯)的K層X射線，兩者發射速率都由核激子決定。穩定同位素如182W,90Zr,91Zr,92Zr,94Zr,96Zr的核第一激發態，都能以多光子糾纏態躍遷，支援核激子態，因而為多光子糾纏態以及非局域化核激子存在的證據。16.6 keV和18.6 keV是鈮穆斯堡爾態內轉換(internal conversion)的K層X射線。
中子激發過的鈮單晶和複晶的晶格被破壞，喪失了超導態。經過恰當退火處理，超導態在9.3K以下溫度出現了。如第2圖所示，伴隨著超導態在特定頻率(6-Hz)、50 mA交流電驅動下，在8K溫度區域，出現了異常電阻，如第2圖中四點量測法所示，詳見參考文獻[15]。不外加磁場，在超導轉變溫度以下，電流流過樣品應該不會有能量耗散，所以這個電阻揭示了下列幾項事實。由頻率及磁場(0.4Gauss地磁)計算得知，該能量耗散不是鈮原子核的核磁共振，而是來自於核激子態。另外，因為四點量測法，不加交流磁場，電流所產生的交流磁場方向不能激發核磁共振。除非該樣品為磁電效應，在通電流兩端的電壓，因磁電效應而產生交流磁場，才能激發核磁共振。
上述推論的磁電效應，加上強磁場後顯現。第3圖所示，4-Hz，130 mA交流電驅動四點量測，在不同磁場以及不同溫度下所得阻抗變化。所量測到的相位顯示，加上磁場後，阻抗有點阻性轉為電感性。增加頻率後，感抗增加，證明非電阻消耗，能量儲存於磁場中，且感抗正比於外加磁場強度平方。如此強大的磁場能量，來於磁電效應。簡單推算後，可知在磁電效應正比於磁場強度平方。當外加磁場到達9T時，贋標量到達108[e2/h]左右。
本發明磁電效應，不經由原子的軌道自旋作用(spin-orbit interaction)產生，也不經多重電性產生，而經由核激子磁場產生。因此所得贋標量十分巨大。
根據磁電效應材料的特性，本發明的應用領域包括：
(1)本發明電子邊緣態的導熱特性可應用於高效率熱傳，如熱管(heat pipe)。
(2)本發明的磁電效應可應用於硬碟寫頭，取代現有線圈產生磁場，降低製造成本。
(3)本發明的馬約喇納態可應用於量子電腦(quantum computer)。
(4)本發明的電子邊緣態可應用於光電轉換。
(5)本發明的磁電效應可應用於電磁場探測，如地磁變化或電場變化。
(6)本發明可用於引力波探測。
(7)本發明可用於暗物質探測。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
本發明中引用的文獻如下：
1. F. W. Hehl,Y. N. Obukhov,J.-P. Rivera,and H. Schmidt,Phys. Rev. A 77,022106(2008)；
2. F. W. Hehl,Y. N. Obukhov,J.-P. Rivera,and H. Schmidt,Eur. Phys. J. B. 71,321(2009)；
3. F. W. Hehl,Y. N. Obukhov,J.-P. Rivera,and H. Schmidt,arXiv:0707.4407；
4. M. Fiebig,J. Phys. D 38,R123(2005)；
5. M. Z. Hasan,C. L. Kane,Rev. Mod. Phys. 82,3045(2010)；
6. X.-L. Qi and S. C. Zhang,arxiv: 1008.2026(2010)；
7. A. M. Essin,J. E. Moore,and D. Vanderbilt,Phys. Rev. Lett. 102,146805(2009)；
8. R. Ramesh,N. A. Spaldin,Nat. Mater. 6,21(2007)；
9 .J. P. Hannon and G. T. Trammell,Hyperfine Interactions,123/4,127(1999)；
10.　F. Wilczek,Phys. Rev. Lett. 58,1799(1987)；
11.　Y. Cheng and B. Xia,arXiv:0908. 0628；
12.　Y. Cheng,arXiv:0907. 1446；
13.　Y. Cheng,arXiv:0906. 5417,ICAME,19-24 July 2009,Vienna,Austria；
14.　Y. Cheng,B. Xia,Q.-X. Jin and C.P. Chen,arXiv:0807.1231,ICAME,19-24 July 2009,Vienna,Austria；
15.　Y. Cheng,B. Xia and C.P. Chen,arXiv:0812. 2166,Physica Scripta,79,055703,2009；
16.　Yao Cheng and Chi-Hao Lee,arXiv:1102. 1766V2。
第1圖為本發明的一個實施例，顯示的反應堆中子激發鈮穆斯堡爾態所觀察到的伽馬光譜；縱坐標為量到的光子數目，橫坐標為量到的光子能量。
第2圖是以四點量測法所得電阻，正常的超導態出現於9.3K超導轉變溫度。唯有以6-Hz交流電流驅動，出現不正常超導態。
第3圖顯示的是以四點量測法所得感抗，隨溫度與磁場變化。

Claims (40)

  1. 一種磁電效應材料，所述的磁電材料由同位素晶體、同位素合金晶體或其化合物晶體製成，其中透過增豐和提純方式增加同位素純度，進而在所述的同位素晶體、同位素化合物晶體，或一種或多種同位素的合金晶體內得到非局域化的、產生磁電效應的原子核激子。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料，其中所述的增豐方式是透過同位素離心分離法對所述同位素進行增豐。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料，其中所述的提純該同位素含量的方式為懸浮帶區法，透過移動局部熔融區將雜質驅趕離開到邊緣。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料，其中產生非局域化的原核激子的同位素，為原子核第一激發態躍遷到原子核基態的自旋量子數變化不為1，且大於或等於2或等於0。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的磁電效應材料，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為90%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為90%-100%。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的磁電效應材料，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為99%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為99%-100%。
  7. 根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的氧化物晶體，其中的氧離子的同位素為16O，其豐度為99.76%-100%。
  8. 根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的碳化物晶體，其中的碳離子的同位素為12C，其豐度為98.89%-100%。
  9. 根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的硫化物晶體，其中的硫離子的同位素為32S，其豐度為95.02%-100%。
  10. 根據申請專利範圍第1-6項中任一項所述的磁電效應材料，其中所述的同位素選自12C、16O、19F、27Al、28Si、32S、40Ca、45Sc、52Cr、56Fe、59Co、89Y、93Nb、103Rh、115In、232Th和238U。
  11. 一種製備磁電效應材料的方法，包括在同位素晶體、同位素化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體內產生原子核激子的步驟。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述的方法，其中原子核激子的產生方式包括輻照源激發、放射性核種激發或天然激發。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述的方法，其中所述的輻照源激發方式中的輻照源為電子、X光、中子或質子，所述輻照源的輻照量子能量高於核激子態能量。
  14. 根據申請專利範圍第12項所述的方法，其中所述的放射性核種激發方式是在同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體內部激發，所述的放射性核種為產生多極子伽馬躍遷的長壽命放射性核種。
  15. 根據申請專利範圍第14項所述的方法，其中所述的放射性核種選自178mHf、93mNb或113mCd。
  16. 根據申請專利範圍第12項所述的方法，其中所述的天然激發方式包括真空漲落激發或背景輻射激發。
  17. 根據申請專利範圍第11-16項中任一項所述的方法，其中進一步包括在產生原子核激子步驟前對同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素合金晶體進行增豐的步驟和/或提純的步驟。
  18. 根據申請專利範圍第14或15項所述的方法，其中還包括向放射性核種中加入或去除特定同位素雜質，以調整核激子衰變速度。
  19. 根據申請專利範圍第11-16項中任一項所述的方法，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為90%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為90%-100%。
  20. 根據申請專利範圍第19項所述的方法，其中所述的同位素晶體中同位素的豐度為99%-100%，所述同位素化合物晶體的每一種成分元素的同位素的豐度為99%-100%。
  21. 根據申請專利範圍第11-16項中任一項所述的方法，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的氧化物晶體，其中的氧離子的同位素為16O，其豐度為99.76%-100%。
  22. 根據申請專利範圍第11-16項中任一項所述的方法，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的碳化物晶體，其中的碳離子的同位素為12C，其豐度為98.89%-100%。
  23. 根據申請專利範圍第11-16項中任一項所述的方法，其中所述的同位素化合物晶體為該同位素的硫化物晶體，其中的硫離子的同位素為32S，其豐度為95.02%-100%。
  24. 根據申請專利範圍第11-16項中任一項所述的方法，其中所述的同位素選自12C、16O、19F、27Al、28Si、32S、40Ca、45Sc、52Cr、56Fe、59Co、89Y、93Nb、103Rh、115In、232Th和238U。
  25. 一種製備磁電效應材料的方法，包括：透過輻照源激發方式產生同位素的亞穩激發態；將被輻照的同位素製成同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體；其中，所述的輻照源激發方式中的輻照源為電子、X光、中子或質子，所述輻照源的輻照量子能量高於核激子態能量。
  26. 根據申請專利範圍第25項所述的方法，其中進一步包括，將所述的輻照激發亞穩激發態的同位素摻雜到特定孵化同位素核種的晶體中，形成合金或化合物的晶體；所述的孵化同位素的原子核第一激發態躍遷到原子核基態的自旋量子數變化不為1，且大於或等於2或等於0。
  27. 根據申請專利範圍第25項所述的方法，進一步包括將同位素晶體或其化合物晶體或一種或多種同位素的合金晶體加工成特定尺寸晶體或不同維數拓撲結構晶體，加工後樣品所產生磁電效應不同。
  28. 根據申請專利範圍第27項所述的方法，其中所述的特定尺寸晶體為二維薄膜，所述二維薄膜的厚度約為核激子尺寸，而長寬遠大於核激子尺寸。
  29. 根據申請專利範圍第27項所述的方法，其中所述的特定尺寸晶體為一維線條，所述一維線條的線徑約為核激子尺寸，而長度遠大於核激子尺寸。
  30. 根據申請專利範圍第27項所述的方法，其中所述的特定尺寸晶體為二維圓筒，所述二維圓筒的厚度約為核激子尺寸，而周長及寬度遠大於核激子尺寸。
  31. 根據申請專利範圍第27項所述的方法，其中所述的特定尺寸晶體為一維圓圈，所述一維圓圈的厚度約為核激子尺寸，而周長遠大於核激子尺寸。
  32. 根據申請專利範圍第27項所述的方法，其中所述的不同維數拓撲結構為三維異質介面、二維多層異質薄膜組合、一維異質結、或其與其他材料的複合結構。
  33. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由電性材料、磁性材料、磁電效應材料或多重電性材料提供所述磁電效應材料所需的電場和/或磁場。
  34. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中所述的與其他材料的複合結構在不同溫度下出現不同的磁電效應。
  35. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中進一步透過使用不同超導性質材料介面提供具有超導特性、產生不同磁通量子的所述的磁電效應材料。
  36. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由光電材料及所述的磁電效應材料組成。
  37. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由壓電材料及所述的磁電效應材料組成。
  38. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由半導體材料及所述的磁電效應材料組成。
  39. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由拓撲絕緣體材料、或絕緣體材料及所述的磁電效應材料組成。
  40. 根據申請專利範圍第32項所述的方法，其中所述的與其他材料的複合結構由金屬材料及所述的磁電效應材料組成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN115752061A (zh) * 2022-10-12 2023-03-07 北京大学 一种基于同位素工程调控热辐射的装置及方法
TWI815883B (zh) * 2018-05-02 2023-09-21 澳洲商矽基量子計算有限公司 在半導體表面中選擇性併入摻雜劑原子的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110383302A (zh) * 2017-02-28 2019-10-25 微软技术许可有限责任公司 小马约拉纳费米子代码
CN110383302B (zh) * 2017-02-28 2023-08-18 微软技术许可有限责任公司 小马约拉纳费米子代码
TWI815883B (zh) * 2018-05-02 2023-09-21 澳洲商矽基量子計算有限公司 在半導體表面中選擇性併入摻雜劑原子的方法
CN115752061A (zh) * 2022-10-12 2023-03-07 北京大学 一种基于同位素工程调控热辐射的装置及方法
CN115752061B (zh) * 2022-10-12 2023-08-18 北京大学 一种基于同位素工程调控热辐射的装置及方法

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Li et al. Electronic structure and optical properties of doped γ-CuI scintillator: a first-principles study
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