TW201335721A - 接近式曝光裝置、曝光光形成方法、面板基板的製造方法 - Google Patents

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Kazuyuki Sonobe
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Abstract

一種接近式曝光裝置、接近式曝光裝置的曝光光形成方法、及顯示用面板基板的製造方法。以使從搭載在基底基板上的半導體發光元件群的中心至凹面鏡的中心的距離、及從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離等於凹面鏡的焦距，且搭載在基底基板上的半導體發光元件群的中心位置與複眼透鏡的入射面的中心位置夾著通過凹面鏡的焦點的法線而對稱的方式，配置基底基板及複眼透鏡。以使從各半導體發光元件產生並通過對應的放大透鏡放大且在凹面鏡反射的光的光軸在不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡的方式，配置多數個半導體發光元件及多數個放大透鏡。

Description

接近式曝光裝置、曝光光形成方法、面板基板的製造方法
本發明是有關於一種在液晶顯示(display)裝置等顯示用面板(panel)基板的製造中，在產生曝光光的光源使用多數個半導體發光元件且使用複眼透鏡(fly eye lens)作為光學積分器(optical integrator)的接近式(proximity)曝光裝置、接近式曝光裝置的曝光光形成方法、及使用這些的顯示用面板基板的製造方法。
作為顯示用面板而使用的液晶顯示裝置的薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)基板或彩色濾光片(color filter)基板、電漿顯示器面板(plasma display panel)用基板、有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示面板用基板等的製造是使用曝光裝置，並通過光微影(photolithography)技術在基板上形成圖案(pattern)而進行。作為曝光裝置，存在使用透鏡(lens)或鏡片將光罩(mask)的圖案投影至基板上的投影(projection)方式、 及在光罩與基板之間設有微小的間隙(接近間隙(proximity gap))而將光罩的圖案轉印至基板上的接近式方式。接近式方式與投影方式相比圖案解像性能較差，但照射光學系統的構成簡單且處理能力高而適於量產用。
以往，在接近式曝光裝置的產生曝光光的光源中，使用諸如水銀燈(mercury lamp)、鹵素燈(halogen lamp)、氙氣燈(xenon lamp)等般將高壓氣體(gas)封入至燈管(bulb)內的燈(lamp)。這些燈的壽命較短，如果超過特定的使用時間則必須對燈進行更換。例如，在燈的壽命為750個小時的情況下，如果連續點燈，則大約1個月必須更換1次。由於在更換燈時中斷曝光處理，因此生產率降低。
另一方面，在專利文獻1中，揭示有：在接近式曝光裝置中使用發光二極體(light-emitting diode)或雷射二極體(laser diode)等半導體發光元件、作為曝光光的光源的技術。發光二極體或雷射二極體等半導體發光元件的壽命為數千小時，與燈相比較長，中斷曝光處理的情況較少，因此可期待生產率的提高。
於在產生曝光光的光源中使用多數個半導體發光元件的情況下，如專利文獻1中所記載，使用複眼透鏡(fly-eye lens)作為光學積分器(optical integrator)。複眼透鏡是將多數個單透鏡縱橫地排列所成的透鏡陣列(lens array)。圖12是對複眼透鏡的動作進行說明的圖。將從多數個半導體發光元件42產生的光通過放大透鏡43(magnification lens)而分別放大後，照射至複眼透 鏡45。複眼透鏡45使通過多數個放大透鏡43放大的光向相同的照射面投影並重合，從而使照度分佈均一化。此時，如果入射至複眼透鏡45的光的入射角度β大於特定角度，則該光會偏離複眼透鏡45的照射面。
近年來，基板隨著顯示用面板的大畫面化而大型化，從而對曝光光的光源要求其為更高照度者。在主要用於大型基板的曝光的接近式曝光裝置中，於在產生曝光光的光源使用多數個半導體發光元件的情況下，半導體發光元件的輸出遠小於以往的燈，因此必須排列使用數百~數千個左右的半導體發光元件。在該情況下，存在如下問題：從外側的半導體發光元件產生並通過放大透鏡放大的光的一部分向複眼透鏡的入射角度變大，偏離複眼透鏡的照射面，而未被用於曝光光的形成。
在專利文獻1所記載的技術中，圍繞從多數個放大透鏡至複眼透鏡的光路而設置有反射部件，使從半導體發光元件產生的光之中、未直接照射至複眼透鏡的光在反射部件反射，且使其在不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡，由此效率佳地利用各半導體發光元件的光而形成照度高的曝光光。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2011-17770號公報
[發明所要解決的問題]
於在產生曝光光的光源使用多數個半導體發光元件、且 使用複眼透鏡作為光學積分器的情況下，為使從各半導體發光元件產生的光的大部分在不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡，而效率佳地利用從各半導體發光元件產生的光，必須使從各半導體發光元件產生的光的光軸朝向複眼透鏡的入射面的中心。因此，以往是將搭載各半導體發光元件的基底(base)基板的表面形成為球面，而將各半導體發光元件配置在球面上。然而，調整配置在球面上的各半導體發光元件的安裝角度，以使從各半導體發光元件產生的光的光軸準確地對準複眼透鏡的入射面的中心的作業耗費精力，調整數百~數千個半導體發光元件的安裝角度需要大量勞力與時間。
另一方面，如專利文獻1中所記載，如果將安裝角度不同的多數個平坦的基板組合起來構成基底基板，則儘管易於將各半導體發光元件安裝於基底基板上，但必須以使從搭載在各基板上的各半導體發光元件產生的光的光軸準確地朝向複眼透鏡的入射面的中心的方式，調整各基板的安裝角度。另外，在使用如專利文獻1般的反射部件的情況下，反射部件的長度達到數米，不變形地設置如此巨大的反射部件並調整安裝角度的作業非常困難。
本發明的課題在於當使從多數個半導體發光元件產生的光在複眼透鏡重合而形成曝光光時，各半導體發光元件的設置變 得容易，且可效率佳地利用各半導體發光元件的光而形成照度高的曝光光。另外，本發明的課題在於提高顯示用面板基板的生產率。
本發明的接近式曝光裝置包括：多數個半導體發光元件，產生形成曝光光的光；基底基板，搭載多數個半導體發光元件；多數個放大透鏡，與各半導體發光元件對應而設置，將從各半導體發光元件產生的光放大；及複眼透鏡；使通過多數個放大透鏡放大的光在複眼透鏡重合而形成曝光光；且該接近式曝光裝置包括凹面鏡，設置在從多數個放大透鏡至複眼透鏡的光路內，該凹面鏡具有抛物面的鏡面，使通過多數個放大透鏡放大的光反射而照射至複眼透鏡；基底基板構成為平坦狀，將多數個半導體發光元件搭載在同一平面上，基底基板與複眼透鏡是以使從搭載在基底基板的半導體發光元件群的中心至凹面鏡的中心的距離、及從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離等於凹面鏡的焦距、且搭載在基底基板的半導體發光元件群的中心位置與複眼透鏡的入射面的中心位置夾著通過凹面鏡的焦點的法線而對稱的方式而配置，多數個半導體發光元件及多數個放大透鏡是以使從各半導體發光元件產生並通過對應的放大透鏡放大且在凹面鏡反射的光的光軸，在不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡的方式而配置。
另外，本發明的接近式曝光裝置的曝光光形成方法將多 數個半導體發光元件搭載在基底基板，從各半導體發光元件產生形成曝光光的光，與各半導體發光元件對應而設置多數個放大透鏡，通過對應的放大透鏡將從各半導體發光元件產生的光放大，使通過多數個放大透鏡放大的光在複眼透鏡重合而形成曝光光；且在從多數個放大透鏡至複眼透鏡的光路內設置有凹面鏡，該凹面鏡具有抛物面的鏡面，使通過多數個放大透鏡放大的光反射而照射至複眼透鏡，呈平坦狀構成基底基板，而將多數個半導體發光元件搭載在同一平面上，以使從搭載在基底基板上的半導體發光元件群的中心至凹面鏡的中心的距離、及從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離等於凹面鏡的焦距、且搭載在基底基板上的半導體發光元件群的中心位置與複眼透鏡的入射面的中心位置夾著通過凹面鏡的焦點的法線而對稱的方式，來配置基底基板與複眼透鏡，以使從各半導體發光元件產生並通過對應的放大透鏡放大且在凹面鏡反射的光的光軸，在不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡的方式，來配置多數個半導體發光元件及多數個放大透鏡，使從多數個半導體發光元件產生並通過多數個放大透鏡放大的光在凹面鏡反射並照射至複眼透鏡。
在從多數個放大透鏡至複眼透鏡的光路內設置有凹面鏡，該凹面鏡具有抛物面的鏡面，使通過多數個放大透鏡放大的光反射並照射至複眼透鏡。在凹面鏡的鏡面為抛物面的情況下，從凹面鏡的焦點產生的光如果在凹面鏡的鏡面反射，則全部變得 平行。另外，與通過凹面鏡的焦點的法線平行地入射的光如果在凹面鏡的鏡面反射，則全部聚集在焦點處。相對於通過凹面鏡的焦點的法線以相同角度傾斜地入射的光如果在凹面鏡的鏡面反射，則聚集在根據入射角度而位置不同的一點，各點距凹面鏡的中心的距離與焦距相同。
呈平坦狀構成基底基板，而將多數個半導體發光元件搭載在同一平面上，因此可易於將多數個半導體發光元件以相同的安裝角度設置在同一平面上。以使從搭載在基底基板上的半導體發光元件群的中心至凹面鏡的中心的距離、及從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離等於凹面鏡的焦距、且搭載在基底基板上的半導體發光元件群的中心位置與複眼透鏡的入射面的中心位置夾著通過凹面鏡的焦點的法線而對稱的方式配置基底基板及複眼透鏡，因此從各半導體發光元件向凹面鏡的入射光的光軸聚集的點位於複眼透鏡的入射面的中心。從而，從以相同的安裝角度設置在基底基板的同一平面上的各半導體發光元件產生且相對於通過凹面鏡的焦點的法線以相同角度傾斜地入射至凹面鏡的光的光軸在凹面鏡的抛物面的鏡面反射，而全部朝向複眼透鏡的入射面的中心。而且，各光軸的入射角度通過多數個半導體發光元件及多數個放大透鏡的配置，而成為不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內，因此從各半導體發光元件產生並通過對應的放大透鏡放大且在凹面鏡反射的光的大部分，在不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡，從而用於曝光光的形 成。由此，當使從多數個半導體發光元件產生的光在複眼透鏡重合而形成曝光光時，各半導體發光元件的設置變得容易，且可效率佳地利用各半導體發光元件的光而形成照度高的曝光光。
進一步而言，本發明的接近式曝光裝置是各放大透鏡以使在凹面鏡反射的光分別成為大致平行的光束的方式，將從各半導體發光元件產生的光放大並照射至凹面鏡。另外，本發明的接近式曝光裝置的曝光光形成方法是通過各放大透鏡，以在凹面鏡反射的光分別成為大致平行的光束的方式，將從各半導體發光元件產生的光放大並照射至凹面鏡。通過適當地設定放大透鏡的倍率，可使在凹面鏡反射的光成為大致平行的光束，因此在凹面鏡反射的光的大致全部在不偏離複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡，從而用於曝光光的形成。由此，可效率更佳地利用各半導體發光元件的光，而形成照度更高的曝光光。
進一步而言，本發明的接近式曝光裝置是基底基板由多數個平坦的基板組合起來而構成，且多數個放大透鏡針對該基板的每一個而構成。另外，本發明的接近式曝光裝置的曝光光形成方法是將多數個平坦的基板組合起來而構成基底基板，且針對該基板的每個而構成多數個放大透鏡。可根據複眼透鏡及凹面鏡的光學特性而使基底基板的尺寸為適當的大小，從而實現必要的半導體發光元件群的配置，並且易於針對每個基板而調整各放大透鏡的光軸。
進一步而言，本發明的接近式曝光裝置是各半導體發光 元件配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，各放大透鏡的垂直於光軸的剖面為正六邊形，且各放大透鏡相互鄰接且無間隙地配置。另外，本發明的接近式曝光裝置的曝光光形成方法是將各半導體發光元件配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，使各放大透鏡的垂直於光軸的剖面為正六邊形，並將各放大透鏡相互鄰接且無間隙地配置。多數個半導體發光元件及多數個放大透鏡高密度且均勻地配置，從而使光源整體小型化。
本發明的顯示用面板基板的製造方法是使用所述任一接近式曝光裝置進行基板的曝光，或者經由光罩將使用所述任一接近式曝光裝置的曝光光形成方法所形成的曝光光照射至基板，而進行基板的曝光。通過使用所述接近式曝光裝置或接近式曝光裝置的曝光光形成方法，可增加曝光光的照度而縮短曝光時間，此外使曝光光的光源的壽命變長，因此可提高顯示用面板基板的生產率。
根據本發明的接近式曝光裝置及接近式曝光裝置的曝光光形成方法，當使從多數個半導體發光元件產生的光在複眼透鏡重合而形成曝光光時，可使各半導體發光元件的設置變得容易，且可效率佳地利用各半導體發光元件的光而形成照度高的曝光光。
進一步而言，根據本發明的接近式曝光裝置及接近式曝 光裝置的曝光光形成方法，通過各放大透鏡，以在凹面鏡反射的光分別成為大致平行的光束的方式，使從各半導體發光元件產生的光放大並照射至凹面鏡，由此可效率更佳地利用各半導體發光元件的光而形成照度更高的曝光光。
進一步而言，根據本發明的接近式曝光裝置及接近式曝光裝置的曝光光形成方法，將多數個平坦的基板組合起來而構成基底基板，且針對該基板的每一個而構成多數個放大透鏡，由此可根據複眼透鏡及凹面鏡的光學特性而使基底基板的尺寸為適當的大小，從而實現必要的半導體發光元件群的配置，並且易於針對每個基板而調整各放大透鏡的光軸。
進一步而言，根據本發明的接近式曝光裝置及接近式曝光裝置的曝光光形成方法，將各半導體發光元件配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，使各放大透鏡的垂直於光軸的剖面為正六邊形，並使各放大透鏡相互鄰接且無間隙地配置，由此可高密度且均勻地配置多數個半導體發光元件及多數個放大透鏡，從而使光源整體小型化。
根據本發明的顯示用面板基板的製造方法，可增加曝光光的照度而縮短曝光時間，且使曝光光的光源的壽命變長，因此可提高顯示用面板基板的生產率。
1、41a‧‧‧基板
2‧‧‧光罩
3‧‧‧基座
4‧‧‧X導軌
5‧‧‧X平台
6‧‧‧Y導軌
7‧‧‧Y平台
8‧‧‧θ平台
9‧‧‧吸盤支撐台
10‧‧‧吸盤
20‧‧‧光罩固持器
30‧‧‧曝光光照射裝置
32‧‧‧準直透鏡群
33‧‧‧平面鏡
35‧‧‧照度傳感器
40‧‧‧光源單元
41‧‧‧基底基板
42‧‧‧半導體發光元件
43‧‧‧放大透鏡
45‧‧‧複眼透鏡
46‧‧‧控制電路
47‧‧‧冷卻部件
48‧‧‧冷卻裝置
50‧‧‧凹面鏡
50'‧‧‧凸透鏡
A‧‧‧特定角度
B‧‧‧角度
h‧‧‧從半導體發光元件群的中心至端部的距離
M‧‧‧凹面鏡的中心
F‧‧‧凹面鏡的焦點
L‧‧‧從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離
MF‧‧‧法線
F‧‧‧焦距
P‧‧‧入射光的光軸聚集的點
D‧‧‧各半導體發光元件42的縱向的間隔
101~106、201~204‧‧‧步驟
圖1是表示本發明的一實施方式的接近式曝光裝置的概略構成的圖。
圖2是表示本發明的一實施方式的接近式曝光裝置的光源單元的圖。
圖3(a)到圖3(c)是對凹面鏡、半導體發光元件及複眼透鏡的配置進行說明的圖。
圖4是對光源單元的動作進行說明的圖。
圖5是對半導體發光元件間的距離與從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離的關係進行說明的圖。
圖6是表示基底基板的一例的圖。
圖7是表示基板的一例的圖。
圖8(a)是放大透鏡的一例的前視圖，圖8(b)是該放大透鏡的側視圖。
圖9是基底基板及放大透鏡的前視圖。
圖10是表示液晶顯示裝置的TFT基板的製造步驟的一例的流程圖。
圖11是表示液晶顯示裝置的彩色濾光片基板的製造步驟的一例的流程圖。
圖12是對複眼透鏡的動作進行說明的圖。
圖1是表示本發明的一實施方式的接近式曝光裝置的概略構成的圖。接近式曝光裝置包括：基座3、X導軌(guide)4、X平台(stage)5、Y導軌6、Y平台7、θ平台8、吸盤(chuck)支撐台9、吸盤10、光罩固持器(mask holder)20及曝光光照射裝置30。接近式曝光裝置除了這些構成以外，還具備：將基板1 搬入至吸盤10、此外將基板1從吸盤10搬出的基板搬送機器人(robot)、進行裝置內的溫度管理的溫度控制單元(unit)等。
此外，以下所說明的實施方式中的XY方向僅為例示，也可將X方向與Y方向加以調換。
在圖1中，吸盤10位於基板1的進行曝光的曝光位置。在曝光位置的上空設置有保持光罩2的光罩固持器20。光罩固持器20真空吸附而保持光罩2的周邊部。於保持在光罩固持器20上的光罩2的上空配置有：曝光光照射裝置30。在曝光時，來自曝光光照射裝置30的曝光光透過光罩2照射至基板1，由此光罩2的圖案轉印至基板1的表面，而在基板1上形成圖案。
吸盤10通過X平台5而向從曝光位置離開的裝載/卸載(load/unload)位置移動。在裝載/卸載位置，通過未圖示的基板搬送機器人(robot)而向吸盤10搬入基板1，此外從吸盤10搬出基板1。基板1向吸盤10的裝載、及基板1從吸盤10的卸載是：使用設置在吸盤10上的多數個頂出銷(lift up pin)而進行。頂出銷收納在吸盤10的內部，從吸盤10的內部上升，當將基板1裝載在吸盤10上時，從基板搬送機器人接受基板1，當從吸盤10上卸載基板1時，將基板1交付給基板搬送機器人。
吸盤10經由吸盤支撐台9搭載在θ平台8上，在θ平台8的下方設置有Y平台7及X平台5。X平台5搭載在設置於基座3上的X導軌4上，沿著X導軌4向X方向(圖1的圖式的橫向)移動。Y平台7搭載在設置於X平台5上的Y導軌6上，沿著Y 導軌6向Y方向(圖1的圖式的內側方向)移動。θ平台8搭載在Y平台7上，向θ方向旋轉。吸盤支撐台9搭載在θ平台8上，於多數個部位支撐吸盤10。
通過X平台5向X方向的移動及Y平台7向Y方向的移動，使吸盤10在裝載/卸載位置與曝光位置之間移動。在裝載/卸載位置，通過X平台5向X方向的移動、Y平台7向Y方向的移動、及θ平台8向θ方向的旋轉，而進行搭載在吸盤10上的基板1的預對準(pre-alignment)。在曝光位置，通過X平台5向X方向的移動及Y平台7向Y方向的移動，而進行搭載在吸盤10上的基板1向XY方向的步進移動(step motion)。另外，通過未圖示的Z-傾斜機構(Z-tilt mechanism)，使光罩固持器20向Z方向(圖1的圖式的上下方向)移動及傾斜，由此進行光罩2與基板1的間隙(gap)對準。然後，通過X平台5向X方向的移動、Y平台7向Y方向的移動、及θ平台8向θ方向的旋轉，而進行基板1的對準(alignment)。
此外，在本實施方式中，通過使光罩固持器20向Z方向移動及傾斜，而進行光罩2與基板1的間隙對準，但也可在吸盤支撐台9上設置Z-傾斜機構，使吸盤10向Z方向移動及傾斜，由此進行光罩2與基板1的間隙對準。
曝光光照射裝置30包括：準直透鏡群(collimation lens group)32、平面鏡(plane mirror)33、照度傳感器(illumination sensor)35、及光源單元(light source unit)40。下述的光源單元 40在進行基板1的曝光時產生曝光光，在不進行基板1的曝光時不產生曝光光。從光源單元40產生的曝光光透過準直透鏡群32而成為平行光束，在平面鏡33反射並照射至光罩2。通過照射至光罩2的曝光光，光罩2的圖案轉印至基板1上而進行基板1的曝光。
在平面鏡33的背面側附近配置有照度傳感器35。在平面鏡33設置有可使曝光光的一部分通過的小開口。照度傳感器35接收通過平面鏡33的開口的光而測定曝光光的照度。照度傳感器35的測定結果輸入至光源單元40中。
圖2是表示本發明的一實施方式的接近式曝光裝置的光源單元的圖。光源單元40包括：基底基板41、半導體發光元件42、放大透鏡43、複眼透鏡45、控制電路(control circuit)46、冷卻部件47、冷卻裝置(coolant device)48、及凹面鏡(concave mirror)50。在基底基板41上搭載有多數個半導體發光元件42。基底基板41是通過控制電路46的控制而驅動各半導體發光元件42。各半導體發光元件42包含發光二極體或雷射二極體等，產生形成曝光光的光。控制電路46根據照度傳感器35的測定結果，而控制各半導體發光元件42的驅動。
此外，在圖2中，表示有9個半導體發光元件42，但在實際的光源單元中，會使用數百~數千個左右的半導體發光元件。
基底基板41構成為平坦狀，將多數個半導體發光元件42搭載在同一平面上。由於呈平坦狀構成基底基板41而將多數個半 導體發光元件42搭載在同一平面上，所以可易於將多數個半導體發光元件42以相同的安裝角度設置在同一平面上。
在基底基板41的背面安裝有冷卻部件47。冷卻部件47於內部具有供冷卻水流動的冷卻水通路，通過從冷卻裝置48供給至冷卻水通路的冷卻水、而對各半導體發光元件42進行冷卻。此外，冷卻部件47及冷卻裝置48並不限於此，也可形成為包含散熱板及冷卻風扇的空氣冷卻式(air-cooling)。
與搭載在基底基板41上的各半導體發光元件42對應地設置有放大透鏡43，各放大透鏡43可將從各半導體發光元件42產生的光放大。在從多數個放大透鏡43至複眼透鏡45的光路內，設置了具有抛物面的鏡面的凹面鏡50，凹面鏡50使通過多數個放大透鏡43放大的光反射、而照射至複眼透鏡45。複眼透鏡45使通過多數個放大透鏡43放大並在凹面鏡反射的光重合，而形成照度分佈均一的曝光光。此時，以大於特定角度α的入射角度從凹面鏡50入射至複眼透鏡45的光偏離複眼透鏡45的照射面，而並未被用於曝光光的形成。
圖3是對凹面鏡、半導體發光元件及複眼透鏡的配置進行說明的圖。在圖3(a)中，凹面鏡50的鏡面為抛物面，因此從凹面鏡50的焦點F產生的光，如果在凹面鏡50的鏡面反射則全部變得平行。另外，與通過凹面鏡50的焦點F的法線MF平行而入射的光，如果在凹面鏡50的鏡面反射則全部聚集在焦點F處。在圖3(b)中，相對於通過凹面鏡50的焦點F的法線MF以相同 角度傾斜地入射的光，如果在凹面鏡50的鏡面反射，則聚集在根據入射角度而位置不同的一點P，點P距凹面鏡50的中心M的距離與焦距f相同。從而，平行的入射光在凹面鏡50的抛物面的鏡面反射並聚集的點是：位於圖3(b)中虛線所示的自凹面鏡50的中心M起半徑f的圓周上。
在本發明中，以使從搭載在基底基板41上的半導體發光元件群的中心至凹面鏡50的中心M的距離、及從凹面鏡50的中心M至複眼透鏡45的入射面的中心的距離等於凹面鏡50的焦距f的方式，而配置基底基板41及複眼透鏡45。從而，如圖3(c)所示，搭載在基底基板41上的半導體發光元件群的中心、與複眼透鏡45的入射面的中心是：位於虛線所示的自凹面鏡50的中心M起半徑f的圓周上。進一步而言，在本發明中，以使搭載在基底基板41上的半導體發光元件群的中心位置與複眼透鏡45的入射面的中心位置夾著通過凹面鏡50的焦點F的法線MF而對稱的方式，而配置基底基板41及複眼透鏡45。如果以此方式配置基底基板41及複眼透鏡45，則如圖3(c)所示，從各半導體發光元件42向凹面鏡50的入射光的光軸聚集的點P是：位於複眼透鏡45的入射面的中心。
圖4是對光源單元的動作進行說明的圖。從各半導體發光元件42向凹面鏡50的入射光的光軸聚集的點P是：位於複眼透鏡45的入射面的中心，因此，如圖4所示，從以相同的安裝角度設置在基底基板41的同一平面上的各半導體發光元件42產 生、且相對於通過凹面鏡50的焦點F的法線MF以相同角度傾斜地入射至凹面鏡50的光的光軸，在凹面鏡50的抛物面的鏡面反射並全部朝向複眼透鏡45的入射面的中心。因而，在本發明中，以使從各半導體發光元件42產生並通過對應的放大透鏡43放大且在凹面鏡50反射的光的光軸，在不偏離複眼透鏡45的照射面的特定角度α以內入射至複眼透鏡45的入射面的中心的方式，而配置多數個半導體發光元件42及多數個放大透鏡43。
此時，多數個半導體發光元件42及多數個放大透鏡43的配置所需的必要條件有2個，其中一者是：各半導體發光元件42的光軸與對應的放大透鏡43的光軸一致。而且，另一者是：在圖4中，相對於複眼透鏡45的入射光不偏離複眼透鏡45的照射面的特定角度α，從凹面鏡50的中心M至複眼透鏡45的入射面的中心的距離L(在本發明中，等於凹面鏡50的焦距f)與從半導體發光元件群的中心至端部的距離滿足如下關係：L=h/tanα。
圖5是對半導體發光元件間的距離與從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離的關係進行說明的圖。至於凹面鏡50的作用，可替換為凸透鏡來考慮，因此可理解為：在圖5中，如果將虛線所示的凹面鏡50替換為相同倍率的凸透鏡50'，則當L與h滿足上式時，從各半導體發光元件42產生、並通過對應的放大透鏡43放大、且在凹面鏡50反射的光的光軸，在不偏離複眼透鏡45的照射面的特定角度α以內入射至複眼透鏡45。
此外，在上式中，α是根據複眼透鏡45的光學特性而規定的值，依所使用的複眼透鏡的每個種類而不同。另外，在本發明中，L等於凹面鏡50的焦距f，且是根據凹面鏡50的光學特性而規定的值。從而，在本發明中，根據所使用的複眼透鏡的光學特性，以滿足上式的方式，而決定：凹面鏡50的焦距f的值、和半導體發光元件群的端部與端部之間的距離2h的值。從上式的關係可知：越是使光源整體小型化而縮短從半導體發光元件群的中心至端部的距離h，越可縮短從凹面鏡50的中心M至複眼透鏡45的入射面的中心的距離L，從而使光源單元40小型化。
在圖4中，從凹面鏡50向複眼透鏡45的各光軸的入射角度，通過滿足所述2個必要條件的多數個半導體發光元件42及多數個放大透鏡43的配置，而成為不偏離複眼透鏡45的照射面的特定角度α以內。因此，在圖2中，從各半導體發光元件42產生並通過對應的放大透鏡43放大且在凹面鏡50反射的大部分光，在不偏離複眼透鏡45的照射面的特定角度α以內入射至複眼透鏡45，從而用於曝光光的形成。由此，當使從多數個半導體發光元件42產生的光在複眼透鏡45重合而形成曝光光時，各半導體發光元件42的設置變得容易，且可效率佳地利用各半導體發光元件42的光，而形成照度高的曝光光。
進一步而言，於本實施方式中，在圖2中，各放大透鏡43以使在凹面鏡50反射的光分別成為大致平行的光束的方式，將從各半導體發光元件42產生的光放大並照射至凹面鏡50。通過適 當地設定放大透鏡43的倍率，使在凹面鏡50反射的光成為大致平行的光束，因此在凹面鏡50反射的光的大致全部在不偏離複眼透鏡45的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡45，從而用於曝光光的形成。由此，可效率更佳地利用各半導體發光元件42的光來形成照度更高的曝光光。
圖6是表示基底基板的一例的圖。在本例中，基底基板41是將多數個平坦的基板41a組合起來而構成。此外，在圖6中，表示有9片基板41a，但實際的基底基板41是將數十~數百片基板41a組合起來而構成。
如果將多數個平坦的基板41a組合起來而構成基底基板41，則可根據複眼透鏡45及凹面鏡50的光學特性，而使基底基板41的尺寸為適當的大小，從而實現所述的必要的半導體發光元件群的配置。即，可實現根據複眼透鏡45及凹面鏡50的光學特性而決定的從半導體發光元件群的中心至端部的距離h的值。
圖7是表示基板的一例的圖。在本例中，各基板41a形成為於一個方向上具有：如拼板玩具(jigsaw puzzle)的拼片(piece)一般嵌合的凹凸的形狀。其中，在安裝狀態下，無需各基板41a無間隙地接觸，也可使各基板41a間具有數公釐(mm)左右的適當的間隙。搭載在各基板41a上的各半導體發光元件42是：配置在虛線所示的鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置。若將各半導體發光元件42的縱向的間隔設為d，則各半導體發光元件42的橫向的間隔為：
此外，在圖7所示的例子中，在1片基板41a上搭載有9個半導體發光元件42，但本發明並不限於此，也可在1片基板41a上搭載8個以下或10個以上的半導體發光元件42。
圖8(a)是放大透鏡的一例的前視圖，圖8(b)是該放大透鏡的側視圖。在本例中，多數個放大透鏡43是與構成基底基板41的各基板41a對應地，針對每個基板41a而構成。將多數個平坦的基板41a組合起來而構成基底基板41，並針對該基板41a的每一個而構成多數個放大透鏡43，因此可易於針對每個基板41a而調整各放大透鏡43的光軸。
在圖8(a)中，各放大透鏡43的垂直於光軸的剖面為正六邊形，且各放大透鏡43相互鄰接且無間隙地配置。圖9是基底基板及放大透鏡的前視圖。將各半導體發光元件42配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，使各放大透鏡43的垂直於光軸的剖面為正六邊形，並使各放大透鏡43相互鄰接且無間隙地配置，因此多數個半導體發光元件42及多數個放大透鏡43高密度且均勻地配置，從而使光源整體小型化。
另外，在將各半導體發光元件42配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置時，如果如圖7所示的例子般，使各基板41a為於一個方向上具有如拼板玩具的拼片一般嵌合的凹凸的形狀，且如圖6所示，使各基板41a逐行交叉地反向組合，則與使各基板41a各行相同朝向地組合而使各其板41a 的位置逐行錯開相比，可縮小基底基板41整體的縱向尺寸。
根據以上所說明的實施方式，當使從多數個半導體發光元件42產生的光在複眼透鏡45重合而形成曝光光時，各半導體發光元件42的設置變得容易，且可效率佳地利用各半導體發光元件42的光而形成照度高的曝光光。
進一步而言，通過各放大透鏡43，以在凹面鏡50反射的光分別成為大致平行的光束的方式，使從各半導體發光元件42產生的光放大並照射至凹面鏡50，由此可效率更佳地利用各半導體發光元件42的光，從而形成照度更高的曝光光。
進一步而言，將多數個平坦的基板41a組合起來而構成基底基板41，並針對該基板41a的每一個而構成多數個放大透鏡43，由此可根據複眼透鏡45及凹面鏡50的光學特性，而使基底基板41的尺寸為適當的大小，從而實現必要的半導體發光元件群的配置，並且可易於針對每個基板41a而調整各放大透鏡43的光軸。
進一步而言，將各半導體發光元件42配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，使各放大透鏡43的垂直於光軸的剖面為正六邊形，並使各放大透鏡43相互鄰接且無間隙地配置，由此可使多數個半導體發光元件42及多數個放大透鏡43高密度且均勻地配置，從而可使光源整體小型化。
使用本發明的接近式曝光裝置進行曝光、或者經由光罩將使用本發明的接近式曝光裝置的曝光光形成方法所形成的曝光 光照射至基板，而進行基板的曝光，由此增加曝光光的照度而縮短曝光時間，且使曝光光的光源的壽命變長，因此可提高顯示用面板基板的生產率。
例如，圖10是表示液晶顯示裝置的TFT基板的製造步驟的一例的流程圖。在薄膜形成步驟(步驟101)中，通過濺鍍法(spatter)或電漿化學氣相沉積(CVD，Chemical Vapor Deposition)法等，在基板上形成作為液晶驅動用透明電極的導電體膜或絕緣體膜等薄膜。在抗蝕劑(resist)塗佈步驟(步驟102)中，通過滾筒塗佈法(roll coating)等塗佈感光樹脂材料(光阻劑，photoresit)，而於在薄膜形成步驟(步驟101)中所形成的薄膜上形成光阻膜。在曝光步驟(步驟103)中，使用接近式曝光裝置或投影曝光裝置等，將光罩的圖案轉印至光阻膜上。在顯影步驟(步驟104)中，通過噴淋顯影(shower development)法等將顯影液(imaging agent)供給至光阻膜上，而除去光阻膜的不要部分。在蝕刻(etching)步驟(步驟105)中，通過濕式蝕刻(wet etching)將在薄膜形成步驟(步驟101)中所形成的薄膜內、未被光阻膜遮蔽的部分去除。在剝離步驟(步驟106)中，通過剝離液將已完成蝕刻步驟(步驟105)中發揮罩幕的作用的光阻膜剝離。在這些步驟之前或之後，可根據需要而實施基板的清洗/乾燥步驟。數次重複這些步驟而於基板上形成TFT陣列。
另外，圖11是表示液晶顯示裝置的彩色濾光片基板的製造步驟的一例的流程圖。在黑矩陣(black matrix)形成步驟(步 驟201)中，通過抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻、剝離等處理，而在基板上形成黑矩陣。在著色圖案形成步驟(步驟202)中，通過染色法、顏料分散法、印刷法、電鍍法等而在基板上形成著色圖案。針對紅(R，Red)、綠(G，Green)、藍(B，Blue)的著色圖案而重複進行該步驟。在保護膜形成步驟(步驟203)中，在著色圖案上形成保護膜，在透明電極膜形成步驟(步驟204)中，在保護膜上形成透明電極膜。在這些步驟之前、中途或之後，可根據需要而實施基板的清洗/乾燥步驟。
在圖10所示的TFT基板的製造步驟中，可在曝光步驟(步驟103)中適用本發明的接近式曝光裝置或接近式曝光裝置的曝光光形成方法，而在圖11所示的彩色濾光片基板的製造步驟中，可在黑矩陣形成步驟(步驟201)及著色圖案形成步驟(步驟202)的曝光處理中適用本發明的接近式曝光裝置或接近式曝光裝置的曝光光形成方法。
35‧‧‧照度傳感器
40‧‧‧光源單元
41‧‧‧基底基板
41a‧‧‧基板
42‧‧‧半導體發光元件
43‧‧‧放大透鏡
45‧‧‧複眼透鏡
46‧‧‧控制電路
47‧‧‧冷卻部件
48‧‧‧冷卻裝置
50‧‧‧凹面鏡
α‧‧‧特定角度
h‧‧‧從半導體發光元件群的中心至端部的距離
M‧‧‧凹面鏡的中心
L‧‧‧從凹面鏡的中心至複眼透鏡的入射面的中心的距離
P‧‧‧入射光的光軸聚集的點

Claims (12)

  1. 一種接近式曝光裝置，包括：多數個半導體發光元件，產生形成曝光光的光；基底基板，搭載所述多數個半導體發光元件；多數個放大透鏡，與各半導體發光元件對應而設置，將從各半導體發光元件產生的光放大；及複眼透鏡；且使通過所述多數個放大透鏡放大的光在所述複眼透鏡重合而形成曝光光；所述接近式曝光裝置的特徵在於包括：凹面鏡，設置在從所述多數個放大透鏡至所述複眼透鏡的光路內，所述凹面鏡具有抛物面的鏡面，使通過所述多數個放大透鏡放大的光反射並照射至所述複眼透鏡；且所述基底基板構成為平坦狀，將所述多數個半導體發光元件搭載在同一平面上，所述基底基板與所述複眼透鏡是：以使從搭載在所述基底基板的半導體發光元件群的中心至所述凹面鏡的中心的距離、及從所述凹面鏡的中心至所述複眼透鏡的入射面的中心的距離等於所述凹面鏡的焦距，且搭載在所述基底基板的半導體發光元件群的中心位置與所述複眼透鏡的入射面的中心位置夾著通過所述凹面鏡的焦點的法線而對稱的方式而配置，所述多數個半導體發光元件及所述多數個放大透鏡是：以使從各半導體發光元件產生並通過對應的放大透鏡放大且在所述凹面鏡反射的光的光軸，在不偏離所述複眼透鏡的照射面的特定角度以內，入射至所述複眼透鏡的方式而配置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的接近式曝光裝置，其中：各放大透鏡是以使在所述凹面鏡反射的光分別成為平行的光束的方式，將從各半導體發光元件產生的光放大並照射至所述凹面鏡。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接近式曝光裝置，其中：所述基底基板是將多數個平坦的基板組合起來而構成，且所述多數個放大透鏡是針對該基板的每一個而構成。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接近式曝光裝置，其中：各半導體發光元件配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，各放大透鏡的垂直於光軸的剖面為正六邊形，且各放大透鏡相互鄰接且無間隙地配置。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的接近式曝光裝置，其中：各半導體發光元件配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，各放大透鏡的垂直於光軸的剖面為正六邊形，且各放大透鏡相互鄰接且無間隙地配置。
  6. 一種接近式曝光裝置的曝光光形成方法，將多數個半導體發光元件搭載在基底基板，從各半導體發光元件產生形成曝光光的光，與各半導體發光元件對應而設置多數個放大透鏡，通過對應的放大透鏡而將從各半導體發光元件產生的光放大，使通過多數個放大透鏡放大的光在複眼透鏡重合而形成曝光光；所述接近式曝光裝置的曝光光形成方法的特徵在於： 在從多數個放大透鏡至複眼透鏡的光路內設置有凹面鏡，所述凹面鏡具有抛物面的鏡面，使通過多數個放大透鏡放大的光反射並照射至複眼透鏡，呈平坦狀構成所述基底基板，而將多數個半導體發光元件搭載在同一平面上，以使從搭載在所述基底基板的半導體發光元件群的中心至所述凹面鏡的中心的距離、及從所述凹面鏡的中心至所述複眼透鏡的入射面的中心的距離等於凹面鏡的焦距，且搭載在所述基底基板的半導體發光元件群的中心位置與所述複眼透鏡的入射面的中心位置夾著通過所述凹面鏡的焦點的法線而對稱的方式，來配置所述基底基板與所述複眼透鏡，以使從各半導體發光元件產生並通過對應的放大透鏡放大且在所述凹面鏡反射的光的光軸，在不偏離所述複眼透鏡的照射面的特定角度以內入射至複眼透鏡的方式，來配置所述多數個半導體發光元件及所述多數個放大透鏡，使從所述多數個半導體發光元件產生並通過所述多數個放大透鏡放大的光，在所述凹面鏡反射並照射至所述複眼透鏡。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的接近式曝光裝置的曝光光形成方法，其中：以通過各放大透鏡使在所述凹面鏡反射的光分別成為平行的光束的方式，將從各半導體發光元件產生的光放大並照射至所述凹面鏡。
  8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的接近式曝光裝置的曝光光形成方法，其中：將多數個平坦的基板組合起來而構成所述基底基板，且針對該基板的每一個而構成所述多數個放大透鏡。
  9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的接近式曝光裝置的 曝光光形成方法，其中：將各半導體發光元件配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，使各放大透鏡的垂直於光軸的剖面為正六邊形，且使各放大透鏡相互鄰接且無間隙地配置。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的接近式曝光裝置的曝光光形成方法，其中：將各半導體發光元件配置在鄰接且無間隙地排列的多數個正三角形的各頂點的位置，使各放大透鏡的垂直於光軸的剖面為正六邊形，且使各放大透鏡相互鄰接且無間隙地配置。
  11. 一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的接近式曝光裝置，而進行基板的曝光。
  12. 一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於：將使用如申請專利範圍第6項至第10項中任一項所述的接近式曝光裝置的曝光光形成方法所形成的曝光光，經由光罩而照射至基板，且進行所述基板的曝光。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5905359B2 (ja) * 2012-07-23 2016-04-20 株式会社荏原製作所 圧力制御装置および該圧力制御装置を備えた研磨装置
CN104423176A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 深南电路有限公司 光学系统及曝光机
JP6085572B2 (ja) * 2014-01-09 2017-02-22 株式会社荏原製作所 圧力制御装置および該圧力制御装置を備えた研磨装置
KR101593963B1 (ko) * 2015-07-30 2016-02-15 조남직 노광용 광원모듈 유닛 및 그 광원모듈 유닛이 구비된 노광장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07183189A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Nikon Corp 照明光学系
US5677939A (en) * 1994-02-23 1997-10-14 Nikon Corporation Illuminating apparatus
JP5345443B2 (ja) * 2009-04-21 2013-11-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光光照射方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5355261B2 (ja) * 2009-07-07 2013-11-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011070959A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Panasonic Electric Works Co Ltd 照明器具
JP5598239B2 (ja) * 2010-10-08 2014-10-01 ウシオ電機株式会社 光照射装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI620001B (zh) * 2013-11-19 2018-04-01 Hoya Corp Photomask and color filter manufacturing method

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