TW201326856A - 測試設備 - Google Patents
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Abstract
一種測試設備,包括一測試平台及至少一溫度感測裝置。測試平台用以承載一電路板並對電路板上的至少一封裝晶片進行一測試。溫度感測裝置配置於封裝晶片上方,並用以感測封裝晶片發出的紅外線以估計封裝晶片的溫度值。封裝晶片與溫度感測元件之間具有間距。
Description
本發明是有關於一種測試設備,且特別是有關於一種用以對封裝晶片進行測試的測試設備。
隨著電子及資訊技術的發展,各種電子產品逐漸普及於市場,如筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機、數位相機等產品皆成為許多消費者不可或缺的配備。不論是何種電子產品,其內部的封裝晶片皆需經過各種電性測試,以使產品具有良好的品質與可靠度。
舉例來說,當對封裝晶片進行內部電路測試(In-Circuit Testing,ICT)時,係將電路板及其上的封裝晶片固定於測試設備的低壓密閉空間內,然後對封裝晶片進行開路/短路(open/short)或上電(power on)等測試。在進行上述電性測試時,若上電時間過長會導致封裝晶片溫度過高,若溫度已超過限制而繼續進行測試,不僅會造成單一晶片毀損,嚴重時亦可能造成整個功能區塊的晶片群皆受損。若為了降低封裝晶片在測試時的溫度而在其上配置散熱片,可能會因散熱片造成的干涉而降低測試準確性。
本發明提供一種測試設備,可避免受測試的封裝晶片溫度過高而受損。
本發明提出一種測試設備,包括一測試平台及至少一溫度感測裝置。測試平台用以承載一電路板並對電路板上的至少一封裝晶片進行一測試。封裝晶片包括一晶片以及一包覆晶片的封裝膠體。溫度感測裝置配置於封裝晶片上方,並用以感測封裝晶片發出的紅外線以估計封裝晶片的溫度值。封裝晶片與溫度感測元件之間具有間距。
在本發明之一實施例中,上述之測試平台對封裝晶片進行的測試包括內部電路測試(In-Circuit Testing,ICT)。
在本發明之一實施例中,上述之測試平台對封裝晶片進行的測試包括上電(power on)測試。
在本發明之一實施例中,上述之封裝膠體的材質包括環氧樹脂(Epoxy)及二氧化矽(Silica)。
在本發明之一實施例中,上述之測試設備更包括一控制電路,其中控制電路電性連接於溫度感測裝置及測試平台,當溫度感測裝置感測封裝晶片發出的紅外線高於一預設值時,控制電路中斷測試平台對封裝晶片進行的測試。
在本發明之一實施例中,上述之測試平台包括一載台及一蓋體。載台用以承載電路板。蓋體用以覆蓋載台,其中溫度感測裝置配置於蓋體朝向載台的一表面。
在本發明之一實施例中,上述之蓋體與載台之間形成一密閉空間,電路板及溫度感測裝置位於密閉空間內。
在本發明之一實施例中,上述之至少一封裝晶片的數量為多個,至少一溫度感測裝置的數量為多個,這些溫度感測裝置分別對位於這些封裝晶片。
在本發明之一實施例中,上述之測試設備更包括一顯示裝置,其中顯示裝置電性連接於溫度感測裝置,並適於顯示封裝晶片的溫度。
在本發明之一實施例中,上述之溫度感測裝置將封裝晶片在多個時間點的溫度值傳遞至顯示裝置,顯示裝置用以顯示封裝晶片在這些時間點的溫度值。
基於上述,本發明利用溫度感測裝置來感測封裝晶片發出的紅外線,藉以估計出封裝晶片的溫度值。如此一來,在對封裝晶片進行測試的過程中,使用者可得知封裝晶片的溫度是否過高,以決定繼續或中斷測試,避免封裝晶片溫度過高而受損。此外,封裝晶片與溫度感測元件之間具有間距,因此可避免溫度感測元件接觸到封裝晶片而影響測試,以維持測試的準確性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例之測試設備的剖視圖。圖2為圖1之測試設備的局部放大圖。請參考圖1及圖2,本實施例的測試設備100包括一測試平台110及至少一溫度感測裝置120。測試平台110用以承載一電路板50並對電路板50上的至少一封裝晶片52進行測試。溫度感測裝置120配置於封裝晶片52上方,並用以感測封裝晶片52發出的紅外線I以估計封裝晶片52的溫度值。封裝晶片52與溫度感測元件120之間具有間距D。
藉此配置方式,在對封裝晶片52進行測試的過程中,使用者可藉由溫度感測裝置120得知封裝晶片52的溫度是否過高,以決定繼續或中斷測試,避免封裝晶片52溫度過高而受損。此外,封裝晶片52與溫度感測元件120之間具有間距D,因此可避免溫度感測元件120接觸到封裝晶片52而影響測試,以維持測試的準確性。
在本實施例中,測試平台110對封裝晶片52進行的測試例如為內部電路測試中的上電測試。然本發明不以此為限,在其它實施例中,測試平台110對封裝晶片52進行的測試可為其它種類的電性測試。
請參考圖2,封裝晶片52包括晶片52a及封裝膠體52b,封裝膠體52b的材質例如為含有環氧樹脂及無機性二氧化矽的添加劑。環氧樹脂及無機性二氧化矽具有高紅外線穿透率,因此晶片52a所發出的紅外線可幾乎完全地被溫度感測元件120感測到,以準確地測得晶片52a的溫度。藉此,相較於習知技術藉由環境溫度、晶片52a的消耗功率及熱傳導介質的熱阻來推算晶片52a的溫度,本實施例直接感測晶片52a發出的紅外線而可較為準確地測得晶片52a的溫度。在其它實施例中,封裝膠體52b可選用其它具有高紅外線穿透率的封裝材料,本發明不對此加以限制。
請參考圖1,詳細而言,本實施例的測試平台110包括一載台112及一蓋體114。載台112用以承載電路板50,蓋體114用以覆蓋載台112,溫度感測裝置120配置於蓋體114朝向載台112的一表面114a。蓋體114與載台112之間形成密閉空間,電路板50及溫度感測裝置120皆位於所述密閉空間內,以利電性測試的進行。
在本實施例中,封裝晶片52的數量為多個,溫度感測裝置120的數量亦為多個,且這些溫度感測裝置120分別對位於這些封裝晶片52。藉此,可藉由這些溫度感測裝置120分別感測這些封裝晶片52的溫度,讓使用者可清楚得知每一個封裝晶片52的升溫狀況。
圖3為圖1之測試設備的方塊圖。請參考圖3,本實施例的測試設備100更包括一控制電路130,控制電路130電性連接於溫度感測裝置120及測試平台110。當溫度感測裝置120感測封裝晶片52(繪示於圖1)發出的紅外線高於預設值時,控制電路130立即中斷測試平台110對封裝晶片52進行的測試,以避免封裝晶片52溫度過高而受損。
此外,本實施例的測試設備100更包括一顯示裝置140。顯示裝置140電性連接於溫度感測裝置120,並適於顯示封裝晶片52的溫度。進一步而言,溫度感測裝置120可將封裝晶片52在多個時間點的溫度值傳遞至顯示裝置140,顯示裝置140可藉由圖形化介面顯示封裝晶片52在這些時間點的溫度值,讓使用者可得知封裝晶片52隨時間的溫度變化狀況。上述封裝晶片52隨時間的溫度變化狀況可被儲存於系統中,供使用者檢視。
綜上所述,本發明利用溫度感測裝置來感測封裝晶片發出的紅外線,藉以估計出封裝晶片的溫度值。如此一來,在對封裝晶片進行測試的過程中,使用者可得知封裝晶片的溫度是否過高,以決定繼續或中斷測試,避免封裝晶片溫度過高而受損。此外,封裝晶片與溫度感測元件之間具有間距,因此可避免溫度感測元件接觸到封裝晶片而影響測試,以維持測試的準確性。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
50...電路板
52...封裝晶片
52a...晶片
52b...封裝膠體
100...測試設備
110...測試平台
112...載台
114...蓋體
114a...表面
120...溫度感測裝置
130...控制電路
140...顯示裝置
D...間距
I...紅外線
圖1為本發明一實施例之測試設備的剖視圖。
圖2為圖1之測試設備的局部放大圖。
圖3為圖1之測試設備的方塊圖。
50...電路板
52...封裝晶片
52a...晶片
52b...封裝膠體
112...載台
114...蓋體
120...溫度感測裝置
D...間距
I...紅外線
Claims (10)
- 一種測試設備,包括:一測試平台,用以承載一電路板並對該電路板上的至少一封裝晶片進行一測試,該封裝晶片包括一晶片以及一包覆該晶片的封裝膠體;以及至少一溫度感測裝置,配置於該封裝晶片上方,並用以感測該封裝晶片發出的紅外線以估計該晶片的溫度值,其中該封裝晶片與該溫度感測元件之間具有間距。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試設備,其中該測試平台對該封裝晶片進行的該測試包括內部電路測試。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試設備,其中該測試平台對該封裝晶片進行的該測試包括上電測試。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試設備,其中該封裝膠體的材質包括環氧樹脂及二氧化矽。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試設備,更包括一控制電路,其中該控制電路電性連接於該溫度感測裝置及該測試平台,當該溫度感測裝置感測該封裝晶片發出的紅外線高於一預設值時,該控制電路中斷該測試平台對該封裝晶片進行的該測試。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試設備,其中該測試平台包括:一載台,用以承載該電路板;以及一蓋體,用以覆蓋該載台,其中該溫度感測裝置配置於該蓋體朝向該載台的一表面。
- 如申請專利範圍第6項所述之測試設備,其中該蓋體與該載台之間形成一密閉空間,該電路板及該溫度感測裝置位於該密閉空間內。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試設備,其中該至少一封裝晶片的數量為多個,該至少一溫度感測裝置的數量為多個,該些溫度感測裝置分別對位於該些封裝晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述之測試設備,更包括一顯示裝置,其中該顯示裝置電性連接於該溫度感測裝置,並適於顯示該封裝晶片的溫度。
- 如申請專利範圍第9項所述之測試設備,其中該溫度感測裝置將該封裝晶片在多個時間點的溫度值傳遞至該顯示裝置,該顯示裝置用以顯示該封裝晶片在該些時間點的溫度值。
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TW100147427A TW201326856A (zh) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 測試設備 |
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TW100147427A TW201326856A (zh) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 測試設備 |
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Family Applications (1)
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TW100147427A TW201326856A (zh) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 測試設備 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TW201326856A (zh) |
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2011
- 2011-12-20 TW TW100147427A patent/TW201326856A/zh unknown
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