CN103185855B - 测试设备 - Google Patents

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金志仁
黄培伦
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Fucheng International Machinery Co.,Ltd.
Jiangxi union Speed Technology Co.,Ltd.
Zhang Kaijun
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Abstract

本发明涉及一种测试设备，包括一测试平台及至少一温度感测装置。测试平台用以承载一电路板并对电路板上的至少一封装晶片进行一测试。温度感测装置配置于封装晶片上方，并用以感测封装晶片发出的红外线以估计封装晶片的温度值。封装晶片与温度感测元件之间具有间距。

Description

测试设备
技术领域
本发明涉及一种测试设备，尤其涉及一种用以对封装晶片进行测试的测试设备。
背景技术
随着电子及信息技术的发展，各种电子产品逐渐普及于市场，如笔记型电脑、平板电脑、智能型手机、数码相机等产品皆成为许多消费者不可或缺的配备。不论是何种电子产品，其内部的封装晶片皆需经过各种电性测试，以使产品具有良好的品质与可靠度。
举例来说，当对封装晶片进行内部电路测试(In-CircuitTesting，ICT)时，是将电路板及其上的封装晶片固定于测试设备的低压密闭空间内，然后对封装晶片进行开路/短路(open/short)或上电(poweron)等测试。在进行上述电性测试时，若上电时间过长会导致封装晶片温度过高，若温度已超过限制而继续进行测试，不仅会造成单一晶片毁损，严重时亦可能造成整个功能区块的晶片群皆受损。若为了降低封装晶片在测试时的温度而在其上配置散热片，可能会因散热片造成的干涉而降低测试准确性。
发明内容
本发明提供一种测试设备，可避免受测试的封装晶片温度过高而受损。
本发明提出一种测试设备，包括一测试平台及至少一温度感测装置。测试平台用以承载一电路板并对电路板上的至少一封装晶片进行一测试。封装晶片包括一晶片以及一包覆晶片的封装胶体。温度感测装置配置于封装晶片上方，并用以感测封装晶片发出的红外线以估计封装晶片的温度值。封装晶片与温度感测元件之间具有间距。
在本发明的一实施例中，上述的测试平台对封装晶片进行的测试包括内部电路测试(In-CircuitTesting，ICT)。
在本发明的一实施例中，上述的测试平台对封装晶片进行的测试包括上电(poweron)测试。
在本发明的一实施例中，上述的封装胶体的材质包括环氧树脂(Epoxy)及二氧化硅(Silica)。
在本发明的一实施例中，上述的测试设备还包括一控制电路，其中控制电路电性连接于温度感测装置及测试平台，当温度感测装置感测封装晶片发出的红外线高于一预设值时，控制电路中断测试平台对封装晶片进行的测试。
在本发明的一实施例中，上述的测试平台包括一载台及一盖体。载台用以承载电路板。盖体用以覆盖载台，其中温度感测装置配置于盖体朝向载台的一表面。
在本发明的一实施例中，上述的盖体与载台之间形成一密闭空间，电路板及温度感测装置位于密闭空间内。
在本发明的一实施例中，上述的至少一封装晶片的数量为多个，至少一温度感测装置的数量为多个，这些温度感测装置分别对位于这些封装晶片。
在本发明的一实施例中，上述的测试设备还包括一显示装置，其中显示装置电性连接于温度感测装置，并适于显示封装晶片的温度。
在本发明的一实施例中，上述的温度感测装置将封装晶片在多个时间点的温度值传递至显示装置，显示装置用以显示封装晶片在这些时间点的温度值。
基于上述，本发明利用温度感测装置来感测封装晶片发出的红外线，藉以估计出封装晶片的温度值。如此一来，在对封装晶片进行测试的过程中，使用者可得知封装晶片的温度是否过高，以决定继续或中断测试，避免封装晶片温度过高而受损。此外，封装晶片与温度感测元件之间具有间距，因此可避免温度感测元件接触到封装晶片而影响测试，以维持测试的准确性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的测试设备的剖视图。
图2为图1的测试设备的局部放大图。
图3为图1的测试设备的方块图。
主要元件符号说明：
50：电路板
52：封装晶片
52a：晶片
52b：封装胶体
100：测试设备
110：测试平台
112：载台
114：盖体
114a：表面
120：温度感测装置
130：控制电路
140：显示装置
D：间距
I：红外线
具体实施方式
图1为本发明一实施例的测试设备的剖视图。图2为图1的测试设备的局部放大图。请参考图1及图2，本实施例的测试设备100包括一测试平台110及至少一温度感测装置120。测试平台110用以承载一电路板50并对电路板50上的至少一封装晶片52进行测试。温度感测装置120配置于封装晶片52上方，并用以感测封装晶片52发出的红外线I以估计封装晶片52的温度值。封装晶片52与温度感测装置120之间具有间距D。
藉此配置方式，在对封装晶片52进行测试的过程中，使用者可藉由温度感测装置120得知封装晶片52的温度是否过高，以决定继续或中断测试，避免封装晶片52温度过高而受损。此外，封装晶片52与温度感测装置120之间具有间距D，因此可避免温度感测装置120接触到封装晶片52而影响测试，以维持测试的准确性。
在本实施例中，测试平台110对封装晶片52进行的测试例如为内部电路测试中的上电测试。然本发明不以此为限，在其它实施例中，测试平台110对封装晶片52进行的测试可为其它种类的电性测试。
请参考图2，封装晶片52包括晶片52a及封装胶体52b，封装胶体52b的材质例如为含有环氧树脂及无机性二氧化硅的添加剂。环氧树脂及无机性二氧化硅具有高红外线穿透率，因此晶片52a所发出的红外线可几乎完全地被温度感测装置120感测到，以准确地测得晶片52a的温度。藉此，相较于现有技术藉由环境温度、晶片52a的消耗功率及热传导介质的热阻来推算晶片52a的温度，本实施例直接感测晶片52a发出的红外线而可较为准确地测得晶片52a的温度。在其它实施例中，封装胶体52b可选用其它具有高红外线穿透率的封装材料，本发明不对此加以限制。
请参考图1，详细而言，本实施例的测试平台110包括一载台112及一盖体114。载台112用以承载电路板50，盖体114用以覆盖载台112，温度感测装置120配置于盖体114朝向载台112的一表面114a。盖体114与载台112之间形成密闭空间，电路板50及温度感测装置120皆位于所述密闭空间内，以利电性测试的进行。
在本实施例中，封装晶片52的数量为多个，温度感测装置120的数量亦为多个，且这些温度感测装置120分别对位于这些封装晶片52。藉此，可藉由这些温度感测装置120分别感测这些封装晶片52的温度，让使用者可清楚得知每一个封装晶片52的升温状况。
图3为图1的测试设备的方块图。请参考图3，本实施例的测试设备100还包括一控制电路130，控制电路130电性连接于温度感测装置120及测试平台110。当温度感测装置120感测封装晶片52(显示于图1)发出的红外线高于预设值时，控制电路130立即中断测试平台110对封装晶片52进行的测试，以避免封装晶片52温度过高而受损。
此外，本实施例的测试设备100还包括一显示装置140。显示装置140电性连接于温度感测装置120，并适于显示封装晶片52的温度。进一步而言，温度感测装置120可将封装晶片52在多个时间点的温度值传递至显示装置140，显示装置140可藉由图形化介面显示封装晶片52在这些时间点的温度值，让使用者可得知封装晶片52随时间的温度变化状况。上述封装晶片52随时间的温度变化状况可被储存于系统中，供使用者检视。
综上所述，本发明利用温度感测装置来感测封装晶片发出的红外线，藉以估计出封装晶片的温度值。如此一来，在对封装晶片进行测试的过程中，使用者可得知封装晶片的温度是否过高，以决定继续或中断测试，避免封装晶片温度过高而受损。此外，封装晶片与温度感测元件之间具有间距，因此可避免温度感测元件接触到封装晶片而影响测试，以维持测试的准确性。
虽然本发明已以实施例揭示如上，但其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作适当的改动和同等替换，故本发明的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。

Claims (5)

1.一种测试设备，其特征在于，包括：
一测试平台，用以承载一电路板并对该电路板上的至少一封装晶片进行一测试，该封装晶片包括一晶片以及一包覆该晶片的封装胶体，其中该测试平台对该封装晶片进行的该测试包括内部电路测试及上电测试，且该测试平台包括：
一载台，用以承载该电路板；以及
一盖体，用以覆盖该载台，该盖体与该载台之间形成一密闭空间，并该电路板位于该密闭空间内；
至少一温度感测装置，配置于该封装晶片上方，并用以感测该封装晶片发出的红外线以估计该封装晶片内该晶片的温度值，其中该封装晶片与该温度感测装置之间具有间距，且该温度感测装置配置于该盖体朝向该载台的一表面并位于该密闭空间内；以及
一控制电路，电性连接于该温度感测装置及该测试平台，当该温度感测装置感测该封装晶片发出的红外线高于一预设值时，该控制电路中断该测试平台对该封装晶片进行的该测试。
2.根据权利要求1所述的测试设备，其中该封装胶体的材质包括环氧树脂及二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的测试设备，其中该至少一封装晶片的数量为多个，该至少一温度感测装置的数量为多个，该些温度感测装置分别对位于该些封装晶片。
4.根据权利要求1所述的测试设备，还包括一显示装置，其中该显示装置电性连接于该温度感测装置，并适于显示该封装晶片的温度。
5.根据权利要求4所述的测试设备，其中该温度感测装置将该封装晶片在多个时间点的温度值传递至该显示装置，该显示装置用以显示该封装晶片在该些时间点的温度值。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108120918A (zh) * 2017-08-07 2018-06-05 鸿秦（北京）科技有限公司 一种芯片物理销毁效果电路板上在线检测方法和装置
CN111505531B (zh) * 2020-04-10 2023-01-20 浪潮商用机器有限公司 一种板卡测试系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5984522A (en) * 1995-12-18 1999-11-16 Nec Corporation Apparatus for inspecting bump junction of flip chips and method of inspecting the same
CN1395112A (zh) * 2001-05-30 2003-02-05 株式会社萌利克 半导体电路的检测方法和检测装置
CN1534754A (zh) * 2003-03-21 2004-10-06 Զ���� 测试分类机的温度监控系统
CN1892196A (zh) * 2005-07-08 2007-01-10 矽品精密工业股份有限公司 电子组件测试系统
CN1924596A (zh) * 2006-09-21 2007-03-07 北京中星微电子有限公司 一种集成电路芯片产品寿命的评估方法
CN1934701A (zh) * 2004-03-19 2007-03-21 索尼计算机娱乐公司 电路的发热控制方法、装置和系统
CN101110054A (zh) * 2006-07-20 2008-01-23 英业达股份有限公司 一种温度检测方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000260839A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp 低温試験装置
US20020148974A1 (en) * 2001-02-26 2002-10-17 Chung-Kai Hung Wafer thermal desorption system and apparatus
JP4148677B2 (ja) * 2001-12-19 2008-09-10 富士通株式会社 ダイナミック・バーンイン装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5984522A (en) * 1995-12-18 1999-11-16 Nec Corporation Apparatus for inspecting bump junction of flip chips and method of inspecting the same
CN1395112A (zh) * 2001-05-30 2003-02-05 株式会社萌利克 半导体电路的检测方法和检测装置
CN1534754A (zh) * 2003-03-21 2004-10-06 Զ���� 测试分类机的温度监控系统
CN1934701A (zh) * 2004-03-19 2007-03-21 索尼计算机娱乐公司 电路的发热控制方法、装置和系统
CN1892196A (zh) * 2005-07-08 2007-01-10 矽品精密工业股份有限公司 电子组件测试系统
CN101110054A (zh) * 2006-07-20 2008-01-23 英业达股份有限公司 一种温度检测方法
CN1924596A (zh) * 2006-09-21 2007-03-07 北京中星微电子有限公司 一种集成电路芯片产品寿命的评估方法

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