TW201315145A - 功率開關串聯電路及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種功率開關串聯電路及其控制方法，包括：多個串聯模組、控制模組和驅動模組。至少一串聯模組具有功率開關和檢測模組，該檢測模組包括檢測單元和隔離單元，以檢測是否過壓並根據所檢測的電壓輸出一電壓檢測信號。控制模組接收電壓檢測信號並輸出相應的控制信號。驅動模組將控制信號進行放大處理，以驅動每一功率開關導通或關斷；其中，當過壓時，控制模組輸出相應的控制信號以關斷每一功率開關。

Description

功率開關串聯電路及其控制方法
本發明係有關於功率開關的串聯技術，特別係有關於功率開關串聯電路的設計和控制方法。
當前，在高壓大功率變換器中，對於功率器件要求具有較高的耐壓值，但單個的功率器件顯然無法滿足這一要求。現有的一種解決方式是，使用多個功率開關器件直接串聯。例如，功率開關器件可以是晶閘管、門控可關斷晶閘管、絕緣閘雙極型電晶體（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor），它們可應用於高壓直流電路、靜態可變補償器和高壓逆變器等電子設備中。
但是，採用晶閘管、門控可關斷晶閘管等傳統器件進行串聯連接時，功率損耗大、開關速度慢，因而無法在脈衝寬度調變（PWM）變流裝置中得到廣泛應用。相比之下，IGBT作為上世紀八十年代出現的一種新型半導體功率器件，不僅具有電壓控制輸入特性、低阻通態輸出特性，而且IGBT的開關速度很快，完全能夠滿足PWM變流技術的要求。另一方面，儘管串聯電路中各IGBT指標、閘極控制信號電路完全相同，但由於各IGBT的性能、開關速度的差異，閘極控制信號線路元器件參數的不一致，線路存在分佈電感、分佈電容等因素，往往會造成IGBT的開關動作不一致，進而造成個別IGBT器件在開關瞬間，集極與射極之間的電壓超過其額定的耐壓值，損壞該功率器件。
有鑑於此，如何對現有的功率開關串聯電路進行改進，以便在電路出現異常情形時能夠快速地保護功率開關，提升串聯電路的運行可靠性，是業內相關技術人員亟待解決的一項課題。
本發明內容之一目的是在提供一種新型的功率開關串聯電路及其控制方法。
為達上述目的，本發明內容之一技術樣態係關於一種功率開關串聯電路，該功率開關串聯電路包括多個串聯模組、一控制模組和一驅動模組。相鄰的串聯模組間通過各自的功率開關串聯連接，並且多個串聯模組中的至少一串聯模組包括一功率開關和一檢測模組。功率開關具有一第一端、一第二端和一第三端，該第二端連接至相鄰的一串聯模組中的功率開關，該第三端連接至相鄰的另一串聯模組中的功率開關。檢測模組包括一檢測單元和一隔離單元，該檢測單元用以檢測功率開關的第二端和第三端之間的電壓是否過壓，該隔離單元根據所檢測的電壓輸出一電壓檢測信號。控制模組電性連接至該隔離單元，用以接收電壓檢測信號並輸出與該電壓檢測信號相對應的一控制信號。驅動模組電性連接至該控制模組和該功率開關的第一端，用以將該控制信號進行放大處理，以驅動每一串聯模組中的功率開關導通或關斷。其中，當該檢測模組所檢測的電壓高於一第一閾值電壓時，電壓檢測信號為一過壓信號，並且該控制模組輸出與該過壓信號相對應的控制信號，以便關斷每一串聯模組中的功率開關。
隔離單元為一光耦合器。更優選地，該光耦合器包括一發光半導體和一受光半導體，該發光半導體與該檢測單元串聯連接，該受光半導體連接至該控制模組。進一步，該光耦合器為一高速光耦合器。
當該功率開關的第二端和第三端之間的電壓高於該第一閾值電壓時，該檢測單元電性導通以耦接至該隔離單元。
至少一串聯模組更包括一均壓模組，該均壓模組包括一電阻，跨接於該功率開關的第二端和第三端，用以對該功率開關進行靜態均壓。
至少一串聯模組更包括一電容及一二極體，該電容包含第一端和第二端，該二極體包含正極和負極，該電容的第一端耦接於該二極體的負極，該二極體的正極和該電容的第二端跨接於該功率開關的第二端和第三端，用以對該功率開關進行動態均壓。
至少一串聯模組更包括一箝位電路，設置於該電容和該檢測模組之間，用以將反映該功率開關的第二端和第三端間的電壓箝位至一第二閾值電壓，其中，該第二閾值電壓低於該第一閾值電壓。
該電壓檢測信號經由光纖傳送至該控制模組。
多個串聯模組中的每一串聯模組均包括該檢測模組。
該控制模組包括一邏輯電路，其輸入端電性連接至該檢測模組的隔離單元，並且其輸出端電性連接至該驅動模組。在一實施例中，該邏輯電路為反或閘電路，當至少一串聯模組的過壓信號為高電位時，該邏輯電路的輸出端輸出一低電位的控制信號至該驅動模組。在另一實施例中，該邏輯電路為與門電路，當至少一串聯模組中的過壓信號為低電位時，該邏輯電路的輸出端輸出一低電位的控制信號至該驅動模組。
該功率開關為絕緣閘雙極型電晶體。
本發明內容之一技術樣態係關於一種用以控制上述功率開關串聯電路的方法，該方法包括：檢測至少一串聯模組中的功率開關的第二端和第三端之間的電壓；將所檢測的電壓與一閾值電壓進行比較；當所檢測的電壓高於該閾值電壓時，在一預設時間內輸出一控制信號；以及將該控制信號進行放大處理，以驅動每一串聯模組中的功率開關執行關斷操作。
將所檢測的電壓與該控制信號通過一光耦合器進行隔離。
該控制信號經由光纖傳送至該驅動模組。
該功率開關為絕緣閘雙極型電晶體。
本發明內容之一技術樣態係關於一種多電平變換裝置，其中，該多電平變換裝置包括一三相H橋電路，該三相H橋電路包含複數個橋臂，該些橋臂中每一者具有一第一子橋臂和一第二子橋臂，第一子橋臂和第二子橋臂均由根據本發明上述一個方面所述的一個或多個功率開關串聯電路所構成。
該三相H橋電路為兩電位H橋或三電位H橋。
該第一子橋臂中的每一功率開關的第一端均用以接收一控制信號，以及該第二子橋臂中的每一功率開關的第一端均用以接收另一控制信號。
採用本發明的功率開關串聯電路，當任意一個串聯模組的功率開關的第二端和第三端之間的電壓出現過壓時，控制模組輸出與該過壓信號相對應的控制信號至驅動模組，以便關斷整個串聯橋臂上的功率開關，以免功率開關因過壓而遭到損壞，因而可提升該功率開關串聯電路的運行可靠性。
下面參照附圖，對本發明的具體實施方式作進一步的詳細描述。
為了使本揭示內容之敘述更加詳盡與完備，可參照所附之圖式及以下該各種實施例，圖式中相同之號碼代表相同或相似之元件。但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍，而結構運作之描述非用以限制其執行之順序，任何由元件重新組合之結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本發明所涵蓋的範圍。
其中圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。另一方面，眾所週知的元件與步驟並未描述於實施例中，以避免對本發明造成不必要的限制。
第1圖繪示依據本發明一實施方式的功率開關串聯電路的示意圖。參照第1圖，本發明的功率開關串聯電路包括兩個串聯模組10和20、控制模組30和驅動模組40。其中，串聯模組10和20間通過各自的功率開關101和201串聯連接，以構成功率開關串聯橋臂。優選地，功率開關101和201採用相同型號的絕緣閘雙極型電晶體（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）。此外，功率開關101和201也可採用集成閘極換流晶閘管（Integrated Gate Commutated Thyristors，IGCT）或注入增強閘極電晶體（Injection Enhanced Gate Transistor，IEGT）等。
串聯模組10包括一功率開關101和一檢測模組103，串聯模組20包括一功率開關201。具體地，功率開關101具有一第一端、一第二端和一第三端。以功率開關101採用IGBT為例，該功率開關101包括一閘極、一集極和一射極，並且功率開關101的閘極接收來自驅動模組40的驅動信號，以控制功率開關101導通或關斷，功率開關101的集極電性連接至相鄰的一串聯模組中的功率開關的射極，以及功率開關101的射極電性連接至相鄰的另一串聯模組中的功率開關的集極（如串聯模組20的功率開關201的集極）。
檢測模組103包括一檢測單元和一隔離單元，其中，檢測單元用以檢測功率開關的集極和射極之間的電壓是否過壓，並且隔離單元根據所檢測的電壓輸出一電壓檢測信號。在一實施例中，當功率開關101的集極和射極之間的電壓高於第一閾值（threshold）電壓時，該檢測單元（或稱為被動檢測元件）電性導通以耦接至隔離單元。在另一實施例中，該隔離單元為一光耦合器，其包括一發光半導體和一受光半導體，該發光半導體與檢測單元串聯連接，以及受光半導體連接至控制模組。當該光耦合器以一高速光耦合器實現時，還可以根據所檢測的電壓快速地輸出一電壓檢測信號。例如，在一較短的預設時間內輸出該電壓檢測信號。
控制模組30，電性連接至檢測模組103的隔離單元，用以接收來自該隔離單元的電壓檢測信號，並輸出與該電壓檢測信號相對應的控制信號。驅動模組40電性連接至控制模組30，用以將該控制信號進行放大處理，以驅動每一串聯模組10和20中的功率開關101和201導通或關斷。其中，當串聯模組10中的檢測模組103所檢測的電壓高於一第一閾值電壓（如過壓保護閾值電壓）時，該電壓檢測信號為一過壓信號，並且控制模組30輸出與該過壓信號相對應的控制信號，經由驅動模組40驅動後用來關斷串聯模組10的功率開關101和串聯模組20的功率開關201。
在一具體實施例中，當檢測模組103所檢測的電壓高於第一閾值電壓時，檢測模組103輸出一過壓信號至控制模組30，然後控制模組30根據所接收的過壓信號來生成一控制信號。此時，該控制信號經由驅動模組40進行放大處理後，不僅送入出現過壓故障的串聯模組10的功率開關101的閘極，還送入未出現過壓故障的串聯模組20的功率開關201的閘極，從而可保證功率開關101和201的同步關斷操作。較佳地，本發明還可在每一串聯模組中設置與檢測模組103相同的檢測模組，以便在任一串聯模組的功率開關出現過壓時，控制模組30均能輸出一控制信號，以便同步關斷該功率開關串聯電路中的每一功率開關，因而可極大地提升該功率開關串聯電路的可靠性。
在另一具體實施例中，控制模組30包括一邏輯電路，其輸入端電性連接至串聯模組10的檢測模組103，並且其輸出端電性連接至驅動模組40。例如，該邏輯電路設置為反或閘（NOR gate）電路，當來自串聯模組10中的檢測模組103的過壓信號為高電位時，邏輯電路的輸出端輸出一低電位的控制信號至驅動模組40。又如，該邏輯電路設置為與閘（AND gate）電路，當來自串聯模組10中的檢測模組103的過壓信號為低電位時，邏輯電路的輸出端輸出一低電位的控制信號至驅動模組40。
本領域的技術人員應當理解，第1圖中的功率開關串聯電路包括串聯模組10和串聯模組20，但本發明並不只局限於僅僅包括兩個串聯模組。例如，在其他實施例中，本發明的功率開關串聯電路還可包括三個串聯模組或三個以上串聯模組的情形，而這些實施例也同樣包含在本發明的精神範圍內。此外，第1圖中的功率開關電路僅在串聯模組10中包括用來作過壓保護的檢測模組103，但本發明也並不只局限於此，例如，在其他實施例中，本發明的功率開關串聯電路還可在每一串聯模組中均設置檢測模組，以便通過檢測串聯橋臂上的任一功率開關的第二端和第三端之間的電壓是否過壓來同步關斷該串聯橋臂上的所有功率開關。
第2圖繪示第1圖的功率開關串聯電路的檢測模組的結構示意圖。請參照第2圖，以串聯模組10為例，該串聯模組10包括功率開關101和檢測模組103。其中，該檢測模組103包括檢測單元1031和隔離單元1032。較佳地，該檢測單元1031為一TVS（Transient Voltage Suppressor，瞬態電壓抑制器）二極體或一穩壓二極體，用以檢測該功率開關101的集極和射極之間的電壓是否過壓。又如，該隔離單元1032為一光耦合器，用以根據所檢測的電壓快速地輸出一電壓檢測信號，進而將該電壓檢測信號經由光纖傳送至控制模組30。
在一具體實施例中，光耦合器包括一發光半導體和一受光半導體，發光半導體與檢測單元串聯連接，而受光半導體連接至控制模組。例如，在第2圖中，該發光半導體為一發光二極體，該受光半導體為一電晶體。
在另一具體實施例中，檢測模組103的隔離單元1032快速地輸出一電壓檢測信號，並且該電壓檢測信號經由光纖傳送至控制模組30。
第3圖繪示第1圖的功率開關串聯電路中包含均壓模組的電路示意圖。參照第1圖和第3圖，以串聯模組10為例，該串聯模組10包括功率開關101、檢測模組103和均壓模組105。
均壓模組105電性連接功率開關101和檢測模組103。在一實施例中，該均壓模組105包括靜態均壓電路1051。在另一實施例中，該均壓模組105包括動態均壓電路1052。在又一實施例中，該均壓模組105包括箝位電路1053。較佳地，靜態均壓電路1051包含電阻Roff，跨接於功率開關101的第二端和第三端，用以對功率開關101進行靜態均壓。較佳地，動態均壓電路1052包含電容C2，跨接於功率開關101的第二端和第三端或經由二極體D連接至功率開關101的第二端，用以對功率開關101進行動態均壓。較佳地，箝位電路1053設置於電容C2和檢測模組103之間，用以將反映功率開關101的第二端和第三端間的電壓箝位至一第二閾值電壓，例如，上述反映功率開關101的第二端和第三端間的電壓可以是電容C2兩端的電壓，其中，該第二閾值電壓低於第一閾值電壓。亦即，當功率開關101的第二端和第三端之間的電壓稍高於第二閾值電壓時，該箝位電路1053可將其箝位至該第二閾值電壓。而當電壓繼續升高到高於第一閾值電壓時，檢測模組103的檢測單元（如TVS二極體）檢測到功率開關101出現過壓情形，然後通過控制模組30來關斷橋臂上的所有功率開關。
需要指出的是，串聯電路中的功率器件因阻斷特性不一致，從而造成該功率器件靜態不均壓；而串聯電路中的功率器件因開關特性不一致，從而會造成動態不均壓。為此，在串聯橋臂上的每一IGBT的集極和射極之間可以並聯電阻值相等的電阻（如在每一串聯模組10和20各自的功率開關101和201的集極和射極之間並聯電阻R1），從而有效地實現靜態均壓。另外，依據電容兩端所載入的電壓不能突變的特性，可對功率開關的動態均壓進行顯著地改進。
第4圖繪示依據本發明另一實施方式的功率開關串聯電路的控制方法的流程示意圖。該方法首先執行步驟S401，檢測至少一串聯模組中的功率開關的第二端和第三端之間的電壓。然後，在步驟S403中，將所檢測的電壓與一閾值電壓進行比較。接著，執行步驟S405和S407，當所檢測的電壓高於該閾值電壓時，在一預設時間內快速地輸出一控制信號，並將該控制信號進行放大處理，以驅動每一串聯模組中的功率開關執行關斷操作。
舉例來說，同時參照第1圖和第4圖，首先，檢測模組103檢測串聯模組10中的功率開關101的第二端和第三端之間的電壓。然後，控制模組30將該檢測模組103所檢測的電壓與一閾值電壓進行比較。接著，控制模組30在確定該檢測模組103所檢測的電壓高於該閾值電壓時，在一預設時間內快速地輸出一控制信號。最後，驅動模組40將來自控制模組30的該控制信號進行放大處理，以驅動串聯模組10中的功率開關101和串聯模組20中的功率開關201執行關斷操作。
如前所述，當功率開關串聯電路中的任意一個串聯模組發生過壓情形時，通過其檢測模組快速輸出的過壓信號經由控制模組處理後，控制模組所輸出的控制信號經由驅動模區塊轉送至每一串聯模組中的功率開關的閘極。
第5圖繪示將本發明的功率開關串聯電路應用以多電平變換裝置的原理示意圖。參照第5圖，該多電平變換裝置包括一H橋電路，其中，該H橋電路具有三個橋臂，每一橋臂分為上橋臂和下橋臂。以第一橋臂51為例，該第一橋臂51包括上橋臂511和下橋臂512，其中，該上橋臂511採用本發明的前述功率開關串聯電路構成，以等效於單個的一高壓半導體器件，以及該下橋臂512亦採用本發明的前述功率開關串聯電路構成，以等效於單個的另一高壓半導體器件。當H橋電路與三相電機電性連接時，該H橋電路的三個橋臂各自的輸出端電性連接至電機的對應相。例如，該H橋電路的第一橋臂的輸出端電性連接至三相電機的A相繞組，第二橋臂的輸出端電性連接至三相電機的B相繞組，以及第三橋臂的輸出端電性連接至三相電機的C相繞組。
本領域的技術人員應當理解，對於同一橋臂來說，上橋臂511或下橋臂512還可包括兩個或兩個以上的功率開關串聯電路，這些功率開關串聯電路採用串聯連接。也就是說，上橋臂511或下橋臂512可包括串聯連接的一等效高壓半導體器件以及另一等效高壓半導體器件。
採用本發明的功率開關串聯電路，當任意一個串聯模組的功率開關的第二端和第三端之間的電壓出現過壓時，控制模組輸出與該過壓信號相對應的控制信號至驅動模組，以便關斷整個串聯橋臂上的功率開關，以免功率開關因過壓而遭到損壞，因而可提升該功率開關串聯電路的運行可靠性。同時，本發明的功率開關串聯電路中的檢測模組簡單易行，快速可靠，能快速有效地檢測出故障信號，以便對IGBT進行控制。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、20．．．串聯模組
1052．．．動態均壓電路
30．．．控制模組
1053．．．箝位電路
40．．．驅動模組
Roff．．．電阻
101、201．．．功率開關
C2．．．電容
103．．．檢測模組
D．．．二極體
1031．．．檢測單元
S401~S407．．．步驟
1032．．．隔離單元
51．．．第一橋臂
105．．．均壓模組
511．．．上橋臂
1051．．．靜態均壓電路
512．．．下橋臂
讀者在參照附圖閱讀了本發明的具體實施方式以後，將會更清楚地瞭解本發明的各個方面。其中，
第1圖繪示依據本發明一實施方式的功率開關串聯電路的示意圖；
第2圖繪示第1圖的功率開關串聯電路的檢測模組的結構示意圖；
第3圖繪示第1圖的功率開關串聯電路中包含均壓模組的電路示意圖；
第4圖繪示依據本發明另一實施方式的功率開關串聯電路的控制方法的流程示意圖；以及
第5圖繪示將本發明的功率開關串聯電路應用以多電平變換裝置的原理示意圖。
101．．．功率開關
103．．．檢測模組
1031．．．檢測單元
1032．．．隔離單元
30．．．控制模組
40．．．驅動模組

Claims (21)

  1. 一種功率開關串聯電路，其中，該功率開關串聯電路包括:
    複數個串聯模組，其中，相鄰的串聯模組間通過各自的功率開關串聯連接，且該些串聯模組中的至少一串聯模組包括：
    一功率開關，具有一第一端、一第二端和一第三端，該第二端連接至相鄰的一串聯模組中的功率開關，以及該第三端連接至相鄰的另一串聯模組中的功率開關；以及
    一檢測模組，包括一檢測單元和一隔離單元，該檢測單元用以檢測該功率開關的第二端和第三端之間的電壓是否過壓，以及該隔離單元根據所檢測的電壓輸出一電壓檢測信號；
    一控制模組，電性連接至該隔離單元，用以接收該電壓檢測信號並輸出與該電壓檢測信號相對應的一控制信號；以及
    一驅動模組，電性連接至該控制模組和該功率開關的第一端，用以將該控制信號進行放大處理，以驅動每一串聯模組中的功率開關導通或關斷；
    其中，當該檢測模組所檢測的電壓高於一第一閾值電壓時，該電壓檢測信號為一過壓信號，且該控制模組輸出與該過壓信號相對應的控制信號，以便關斷每一串聯模組中的功率開關。
  2. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該隔離單元為一光耦合器。
  3. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，當該功率開關的第二端和第三端間之電壓高於該第一閾值電壓時，該檢測單元電性導通以耦接至該隔離單元。
  4. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該些串聯模組中的至少一串聯模組更包括一均壓模組，該均壓模組包括：
    一電阻，跨接於該功率開關的第二端和第三端，用以對該功率開關進行靜態均壓。
  5. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該些串聯模組中的至少一串聯模組更包括一電容及一二極體，該電容包含第一端和第二端，該二極體包含正極和負極，該電容之第一端耦接該二極體的負極，該二極體之正極和該電容之第二端跨接於該功率開關之第二端和第三端，用以對該功率開關進行動態均壓。
  6. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該些串聯模組中的至少一串聯模組更包括一箝位電路，設置於該電容和該檢測模組之間，用以將該反映功率開關之第二端和第三端間的電壓箝位至一第二閾值電壓，其中，該第二閾值電壓低於該第一閾值電壓。
  7. 根據請求項2所述之功率開關串聯電路，其中，該光耦合器包括一發光半導體和一受光半導體，該發光半導體與該檢測單元串聯連接，以及該受光半導體連接至該控制模組。
  8. 根據請求項7所述之功率開關串聯電路，其中，該光耦合器為一高速光耦合器。
  9. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該電壓檢測信號經由光纖傳送至該控制模組。
  10. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該些串聯模組中之每一串聯模組均包括該檢測模組。
  11. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該控制模組包括一邏輯電路，其輸入端電性連接至該檢測模組之隔離單元，其輸出端電性連接至該驅動模組。
  12. 根據請求項11所述之功率開關串聯電路，其中，該邏輯電路為反或閘電路，當該些串聯模組中的至少一串聯模組之該過壓信號為高電位時，該邏輯電路之輸出端輸出一低電位的控制信號至該驅動模組。
  13. 根據請求項11所述之功率開關串聯電路，其中，該邏輯電路為與門電路，當該些串聯模組中的至少一串聯模組之該過壓信號為低電位時，該邏輯電路之輸出端輸出一低電位的控制信號至該驅動模組。
  14. 根據請求項1所述之功率開關串聯電路，其中，該功率開關為絕緣柵雙極型電晶體。
  15. 一種用以控制如請求項1所述之功率開關串聯電路的方法，其中，該方法包括：
    檢測該些串聯模組中的至少一串聯模組的功率開關的第二端和第三端間之電壓；
    將所檢測的電壓與一閾值電壓進行比較；
    當所檢測的電壓高於該閾值電壓時，在一預設時間內輸出一控制信號；以及
    將該控制信號進行放大處理，以驅動該些串聯模組中的每一串聯模組的功率開關執行關斷操作。
  16. 根據請求項15所述之方法，其中，將所檢測的電壓與該控制信號通過一光耦合器進行隔離。
  17. 根據請求項15所述之方法，其中，該控制信號經由光纖傳送至該驅動模組。
  18. 根據請求項15所述之方法，其中，該功率開關為絕緣柵雙極型電晶體。
  19. 一種多電平變換裝置，其中，該多電平變換裝置包括一三相H橋電路，該三相H橋電路包含複數個橋臂，該些橋臂中每一者具有一第一子橋臂和一第二子橋臂，其中，
    該第一子橋臂和該第二子橋臂均由如請求項1至14中任意一項所述之功率開關串聯電路所構成。
  20. 根據請求項19所述之多電平變換裝置，其中，該三相H橋電路為兩電位H橋或三電位H橋。
  21. 根據請求項19所述之多電平變換裝置，其中，該第一子橋臂中的每一功率開關之第一端均用以接收一控制信號，以及該第二子橋臂中的每一功率開關之第一端均用以接收另一控制信號。
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