TW201239553A - Ion implanted resist strip with superacid - Google Patents

Description

201239553 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本文中所描述之實施例大體上係關於用於自半導體結構 移除碳化材料之方法及裝置。 【先前技術】 半導體裝置係藉由組合具有不同傳導性質之材料來形 成。一般而言’半導體結構及裝置可含有電絕緣體、導電 體及具有絕緣體與導體中間之電性質之半導體材料。半導 體材料之性質可經由引入摻雜劑或雜質來調節。 使用離子植入技術將雜質添加至半導體材料中，離子植 入技術經由在離子源中所產生之所需元素或分子的離子之 產生起作用。使用磁場使離子加速至高能，其中較高能量 可產生較大穿透深度。然而，高能離子植入會使用於選擇 性摻雜半導體之抗链劑產生不希望有的化學變化。 【發明内容】 根據一實施例，將抗蝕劑置放於半導體結構之表面上， 其中該抗蝕劑覆蓋該半導體結構之一部分。在該半導體名士 構未被該抗蝕劑覆蓋之區域中使用離子植入束將摻雜劑植 入至該半導體結構中。在阻擋摻雜劑沈積至由抗蝕劑覆蓋 之半導體結構之區域中的過程中，使抗蝕劑曝露於離子植 入束。由於曝露於離子植入束，抗蝕劑之至少一部分藉由 曝露於離子束而轉化為含有無機碳化材料。抗蝕劑與含有 超強酸物質之超強酸組合物接觸以影響抗蝕劑自半導體結 構之移除。 I59661.doc 201239553 【實施方式】 如圖1中所示，將抗蝕劑105置放於半導體結構ι〇1之一 部分上。抗姓劑中之開口 107 —抗蝕劑未覆蓋半導體結構之 區域--允許離子植入束109接觸半導體結構1〇1之表面。 如圖2中所示，在半導體結構1〇1上因曝露於離子植入束 109而形成雜質區域205。該等換雜區域可形成電晶體結構 之源極區及汲極區或其他功能區域。在可執行其他加工行 為之前，通常需要移除抗蝕劑1〇5。 抗蝕劑105通常由有機聚合物材料形成。抗蝕劑可含有 光敏材料以幫助圖案化抗蝕劑；然而，本文中所揭示之方 法不取決於抗姓劑之任何特定組成。使抗银劑曝露於離子 植入束會使抗蝕劑105產生不希望有的化學變化，該等化 學變化使抗蝕劑105之移除變得複雜。高能離子植入束會 碳化抗蝕劑。如本文中所定義’碳化係指一部分抗蝕劑含 有無機碳鍵。含有無機碳鍵之材料具有含於抗蝕劑中之至 少-部分碳原子僅與其他碳原子鍵結。亦即，碳化無機材 料中-部分碳原子不與有機驗（諸如甲基或乙基驗）鍵結。 然而’必須注意在曝露之後在抗飯劑中可存在碳_氣鍵。 _ :所存在之碳原子的一部分僅涉及碳-碳無機鍵結來指 化。具有無機碳_碳鍵之碳化材料可含有石墨或微結 曰曰破中之__或多者。石墨為碳之同素異形體，丨中碳形成 與二個其他碳原子鐘么士夕山馬1 有〜、 方環。微結晶碳為含 Γ:昆成碳之材料，然而，不存在完全三維晶格_ mensi刪1 latt㈣。作為實例，無機碳化材料可尤 15966I.doc 201239553 其為選自石墨'芙'單層石墨（graphene)、碳奈米管及微 結晶碳之一或多者。 正如所討論，曝露抗蝕劑之有機聚合物材料使抗蝕劑中 之至少一部分有機材料轉化為碳化無機材料。碳化程度隨 著抗韻劑曝露於離子植入束之程度增大而增大。抗心曝 露程度之量度為離子植人束之能量。在—實施例中，離子 植入束具有約1至約1000 keV之能量。在另一實施例中’ 離子植入束具有約丨至約100 keV之能量。在另一實施例 中’離子植入束具有高於約3 keV之能量。 曝露抗蝕劑至離子植入束之另一量度為傳遞至半導體結 構之曝露區域的離子劑量。儘管由抗蝕劑覆蓋之半導體結 構之區域不接收離子劑量，但是抗蝕劑接收與實際上植入 離子之半導體結構之區域相同的曝露。在一實施例中將 包括抗蝕劑之半導體結構曝露於離子植入束，以使半導體 裝置之至少一個區域具有濃度為約lxl〇"個原子/cm2至約 lxlO17個原子/cm2之雜質。在另一實施例中，將包括抗蝕 劑之半導體結構曝露於離子植入束，以使半導體裝置之至 少一個區域具有濃度為約lxl0i2個原子/cm2至約ixi〇u個 原子/cm2之雜質。在另一實施例中，將包括抗蝕劑之半導 體結構曝露於離子植入束，以使半導體裝置之至少一個區 域具有濃度超過約1X10"個原子/cm2之雜質。碳化之發生 可能與植入離子之一致性無關’包括P型及η型雜質。 在曝露至離子束之後抗蝕劑中無機碳化材料之存在可經 由使用拉曼光譜法（Raman spectroscopy)測定及量測。無機 15966I.doc 201239553 石反化材料在約16〇〇 之波數位移下產生光散射強度而 有機聚合物材料在丨600 em-l之波數位移下產生最低散射強 度由G.G.Totir等人在ECS2007(以引用的方式併入本文 中）中報導之圖3展示自如所示在4〇 下植入不同劑量之 As且對深兔外輻射敏感之抗蝕劑獲得之拉曼光譜。拉曼強 度在约1600 cm I下增強表明在曝露至增加之離子劑量之後 無機碳化材料之量增加。 無機碳化材料通常難以自半導體裝置之表面移除。使用 硫酸與過氧化氫之混合物的濕剝離技術通常不能自半導體 結構移除所有碳化材料之殘餘物H使用硫酸及過氧 化風具有與含有金屬栅及/或高姆料之何體結構之相容 性問題。特定言之’硫酸及過氧化氫混合物之氧化性質會 =及氧化形成金屬柵及/或高k材料之材料（包括鶴及/或 氣化欽）。乾灰化技術亦留下無機碳化材料之殘餘物 外，乾灰化處理與濕剝離技術相比一 之製造成^ 9 ^ + 肝右卞不问種 結構中。該等金屬包括選自以下之至其他含金眉

Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、w / 或―種以上：

Mn、Fe、r A1、一…""及其= 本文…義，合金包括選自所述金屬之—或多 形成金屬氮化物之任何组合、搜ό -、氣氣 ' 避自所述金屬之—志夕土* 氧氣形成金屬氧化物之任何组人 η、 双夕者與 、口，及選自所述金屈少 多者與一或多種另一金屬之任何組合。 之一或 I59661.doc 201239553 在本文中所揭示之實施财，經由與含有超強酸之^ 物接觸移除含有無機碳化材料之抗钱劑。超強酸能夠質子 $無機碳’導致碳化材料分解成較小片段，其可更容易被 /谷解且自半導體結構移除。 ，熟習此項技術者將認識到包括沈積材料、遮蔽、光微 影、敍刻及植入之熟知半導體製造技術適用於形成所述裝 置或結構。用於形成半導體結構之材料可藉由低壓化學氣 相沈積、化學氣相沈積、原子層沈積、旋塗沈積及其類似 方法來沈積。所保留之參考數字與相同要素相對應。 本文中所用之術語（諸如「在.·...·上⑽）」、「以上 (ab〇ve)」、「以下（bel叫」及「於…·.·上—係相對 ^由半導體基板之表面所界定之平面來定義。術語 在……上J、「以上」、「於·.··.·上」等指示標的要素 比％為空間參考物之另一要素較遠離半導體基板平面。術 語「以下」及類似術語指示標的要素比稱為空間參考物之 另一要素較接近於半導體基板平面。術語「在......上」、 乂上」 以下」及「於......上」等僅指示相對空間關 係且不一定指示任何特定要素實際接觸。前述定義適用於 此文件通篇。如本發明通篇所用，類似參考數字係指類似 結構及特徵。 超強酸為具有高於濃硫酸之氫離子之熱力活性的任何酸 性組合物。超強酸之酸性可經由參考哈密特（Hammett)酸 度函數（H。）來量測。在一實施例中，超強酸組合物具有小 於約-10之H。。在另一實施例中，超強酸組合物具有小於 159661.doc 201239553 約-12之Η。。在另一實施例中，超強酸組合物具有約—I〗至 約-60之H。。在另一實施例中，超強酸組合物具有約_12至 約-25之H。。超強酸組合物含有一或多種超強酸物質。如 本文中所定義，超強酸物質為當呈純形式時具有小於 約-i2之哈密特酸度函數之化合物，或在純形式下具有小 於約-12之哈密特酸度函數的劉易斯酸（Lewis扣丨幻與布朗 斯特酸（Bronsted acid)之混合物。超強酸組合物包括含有 以下-❹者的組合物：三^稍、五氟㈣與敗續酸 之混合物、五氟化錦與氫氟酸之混合物、碳钱酸及說確 酸。 熟習此項技術者將認識到超強酸之嚴格一致性對於自半 導體結構移除碳化材料之能力並不關鍵。相反地，具有足 以將質子轉移至無機碳化材料之酸性的超強酸組合物將影 響抗姓劑中之任何無機碳化材料之移除。具有足夠低(亦 即上)哈密特酸度函數之超強酸組合物具有獲得足夠低的 哈後特酸度函數所需之高酸活性。 夕在-實施例中’超強酸組合物含有以重量計約5〇/。或 多之-或多種超強酸物質。在另一實施例令，超強酸植 ::有以重量計約5〇%或更多之一或多種超強酸物質及 s:::稀釋劑。如本文中所定義’稀釋劑為本身不為超〗 Li之任何材料。稀釋劑可包括f子性物質，包括水2 非i子：物：及：醇)。此外’稀釋劑可包括有機溶， 物貝，諸如烷烴、環烷烴及芳族溶劑(諸如苯、 本、—異丙苯、二丙苯及二乙苯）。在另—實施例中， 159661 .doc 201239553 超強酸組合物含有以重量計約70%或更多之一或多種超強 酸物質。 超強酸組合物亦可含有視情況存在之腐蝕抑制劑。許多 含氮化合物可充當腐蝕抑制劑，其包括六胺（hexamine)、 苯并三唑、苯二胺、二曱基乙醇胺及聚苯胺。腐蝕抑制劑 之其他貫例包括亞胺、絡酸鹽及硬酸第四敍。熟習此項技 術者將認識到超強酸組合物不限於任何特定腐蝕抑制劑。 在一實施例中’超強酸組合物含有以重量計約〇 〇〇1〇/。至約 5%之一或多種腐蝕抑制劑，在另一實施例中，超強酸組 合物含有以重量計約〇.〇1%至約2%之一或多種腐蝕抑制 劑。 如以上所討論，硫酸與過氧化氫之混合物具有氧化含於 包括金屬栅結構之半導體結構中之金屬結構的傾向。氧化 Μ具有同熱力位（thermodynamic potential)以進行還原反應 而形成還原程度更高之物質。氧化劑之熱力氧化能力可藉 由還原半反應（half-reaction)之標準電極電位來量測。舉例 而。，用於將過氧化氫水溶液還原為水之半反應為+1 Μ mV。 為了預防半導體結構中之金屬結構氧化，可形成超強酸 組合物，以排除當包括於超強酸組合物中時具有氧化半導 體結構中之金屬結構之傾向的物f。同樣地，可調配超強 酸組合物以具有氧化存在於半導體結射之金屬或金屬 結構之傾向。 文中所疋義’在移除抗钮劑所需條件了，非腐钱性 159661.doc 201239553 超強酸組合物不會使多於約5%之存在於半導體結構中之 金屬原子氧化。在一實施例中，超強酸組合物不含有還原 半反應至還原程度更高之物質之標準電極電位高於+15 mV的物質。在另一實施例中，超強酸組合物不含有還原 半反應至還原程度更高之物質之標準電極電位高於約+〇 5 mV的物質。在另一實施例中，超強酸組合物不含有還原 半反應至還原程度更高之物質之標準電極電位高於約〇 mV 的物質。 鈦、氮化鈦及鎢為用於形成半導體結構及裝置中之金屬 栅及其他金屬結構之日益常用的材料。由純鈦製造之結構 對氧化形成Tih具有抗性。氧化丁丨至^仏為熱力有利的； 然而，鈦形成惰性層（passive Iayer)，其使得鈦結構之大塊 體（bulk mass)之氧化在動力學基準上極為緩慢。然而，隨 者氮化鈦中氮之莫耳分數增加，氮化鈦變得更易被氧化。 鎢易受氧化劑腐蝕。在一實施例中’超強酸組合物不含有 能夠氧化或靠與超強酸組合物接觸之半導體結構中之氮 化鈦結構及/或鎢結構的物質。 二氧化矽通常在半導體結構及/或裝置中用作介電 料。能夠解離而形成氟離子及/或直接將敦轉移至 石夕之化學物質可排除在本文中所描述之超強酸組合物 外。能夠釋放^離子之化學物f包括含有與除碳以外 雜原子（諸如硫）鍵結之氣原子的物質。在-實施例中， 強酸組合物不含有具有氟-硫鍵之化學物質。 為了預防二氧化石夕因曝露於氟原子或氣離子而分解， 15966I.doc 201239553 製備不具有含有氟之化學物質之超強酸組合物。特定古 之，氟化氫、五氟化銻及氟磺酸具有降解二氧化矽之傾 向。因此，在一實施例中，超強酸組合物不含有氟化氫、 五氟化銻及氟磺酸。在另一實施例中，超強醆組合二含 有具有氟-碳鍵之化學物質，諸如三氟甲續酸。 本文中所描述之超強酸組合物可在濕剝離程序期間使用 以移除抗蝕劑及含有碳化材料之抗蝕劑。本文中所描述之 超強酸組合物能夠自半導體結構之表面完全或實質上移除 抗蝕劑而不留下包括污染物顆粒之殘餘物，該等殘餘物可 能存在於抗蝕劑及無機碳材料内。如圖4中所示，圖2中所 示之結構與超強酸組合物之接觸導致抗蝕劑1〇5之移除。 在半導體結構之表面上在抗蝕劑下面的任何金屬或含金 屬結構不應因曝露於超強酸組合物而被蝕刻或氧化。與超 強酸組合物接觸導致抗蝕劑藉助於抗蝕劑中之有機及無機 碳材料與含於超強酸組合物中之超強酸物質之間的化學反 應而溶解。同樣地，可避免會導致抗蝕劑再沈積的抗蝕劑 之隆起（lifting)及/或剝離。 自半導體結構濕剝離含有無機碳化材料之抗蝕劑可藉由 將半導體結構浸潰或浸入於其中具有大量超強酸組合物之 槽來完成。半導體結構可為晶圓之一部分，在該晶圓上建 構°亥專半導體結構。採用超強酸組合物之設備參考圖5描 述。在圖5中，側透視展示用於剝離抗蝕劑之槽5〇2❶晶圓 5〇4存在於槽5〇2之内部且藉助於晶圓固持器5〇6定位。 如本文中所描述’大置超強酸組合物51〇存在於槽502之 159661.doc 201239553 内部。可使超強酸組合物510再循環。再循環可幫助自超 強酸組合物移除微粒材料以及提供動能以幫助抗蝕劑自晶 圓504之表面溶解。作為實例，可在槽5〇2之内部提供喷霧 噴嘴515以提供超強酸組合物510之喷霧517。藉助於果522 藉由自儲集器槽520饋入超強酸組合物51〇來供應噴霧 517 〇 超強酸組合物可在室溫下供應或超強酸組合物可視情況 被加熱。在一實施例中，超強酸組合物之溫度為約i5<>c至 約160°C。在另一實施例中，超強酸組合物之溫度為約 的至約14G°C。纟另-實施例中，超強酸組合物之溫度 為約15°C至約120°C。 具有以抗蝕劑覆蓋之半導體結構之晶圓5〇4與超強酸組 合物之總接觸時間為至多數分鐘。在一實施例中，抗蝕劑 與超強酸組合物接觸約5秒至約6〇分鐘。在另一實施例 中抗钱知丨與超強酸組合物接觸約1 5秒至約20分鐘。在另 實施例中H虫劑與超強酸組合物接觸約^分鐘至約1 〇 分鐘。 為了全面描述本文t揭示之新發明，將參考圖6描述移 除具有無機碳化㈣之抗_之行為。在料602中，將 抗_置放Μ導㈣構±以使得—部分半導體結構之表 面由抗#_護且—部分半導體結構保持可到達。在行為 ’使抗餘劑曝露於離子植入束，纟中離子植入束將 :貝引入至可到達而非由抗蝕劑覆蓋之半導體結構之區域 。使抗㈣!曝露於離子植入束使至少一部分形成抗㈣ 15966I.doc 201239553 二=轉化為無機碳化材料。在行為_中，抗L含 有超強酸物質之超強酸組合 /、 ^A „ 视筏觸以使得具有碳化材料之 有%Μ機導體結構移除。在行為6附，回收實質上所 =‘為化材料之抗敍劑材料被移除之半導體結構。 數字或：:特徵之任何數字或數值範圍’來自-個範圍之 子或參數可與來自相同特徵之不同範圍的另—數字或參 數組合以產生數值範圍。 〆 =操作實例中以外或當另外指示時，本說明書及申請 所用之較成份數量、反應條件等的所有數 :、值及/或表述應理解為在所有情況下均由術語「約」 1爹飾。 雖然已描述了某些實施例’但是此等實施例僅以舉例之 方式呈現且不意欲限制本發明之料。實際上，本文中所 描迷之新穎方法及裝置可以各種其他形式具體化；此外， 在不背離本發明之精神的情況下可對本文中所描述之方法 ^系統之形式做出各種省略、替代及改變、隨"請專利 乾圍及其等效形式意欲涵蓋該等形式或修改，就如同落於 本發明之範疇及精神内一般。 【圖式簡單說明】 圖1展不表面上存在有抗蝕劑之實施例半導體。 圖2展示具有雜質摻雜區域之實施例半導體結構。 圖3展示植入有不同離子劑量之抗钮劑之拉曼光譜。 一圖4展示根據某些實施例在與超強酸組合物接觸之後的 實施例半導體結構。 159661.doc 13 201239553 圖5展示用於自半導體結構剝離抗钱劑之實施例裝置。

圖6展71^根據某些實施例用„A j用於移除碳化抗蝕劑之例示性 方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 101 半導體結構 105 抗触劑 107 開口 109 離子植入束 205 雜質區域 502 槽 504 晶圓 506 晶圓固持器 510 超強酸組合物 515 噴霧噴嘴 517 超強酸組合物之喷 520 儲集器槽 522 泵 159661 .doc

•14-

Claims (1)

1. 201239553 七、申請專利範圍： 1· 一種自半導體結構移除碳化材料及/或有機材料之方法， 其包含： 使4半導體結構與包含超強酸物質之超強酸組合物接 觸。 2. 2請求項1之方法，其限制條件為至少一部分該半導體 結構含有含有無機碳碳鍵之無機碳化材料或由含有無機 碳·碳鍵之無機碳化材料覆蓋。 3·如》月求項1之方&，其限制條件為在與該超強酸組合物 接觸之則，該半導體結構未經受灰化處理。 4. :凊求項i之方法，其限制條件為該超強酸組合物不包 含可解離而形成游離氟離子或轉移氟至形成該半導體結 構之材料的分子。 5. 如請求们之方法，纟中該超強酸組合物包含選自由以 下組成之群之—或多者：三氟甲續酸、五氟化録與氟續 i氣㈣與氫㈣之混合物、碳硼烧酸及 6. :請：項4之方法’其中該超強酸組合物包含選自由三 氟甲磺酸及碳硼烷酸組成之群之一或多者。 如請求項1之方法，其中該超強 ^ 夂、·1 σ物具有小於約-12 之哈密特（Hammett)酸度函數。 選自由以下 8.如請求項1之方法，其中該無機碳化材料為 (graphene)、 組成之群之一或多者··石墨、笑、單層石墨 碳奈米管及微結晶碳。 I59661.doc 201239553 9. 如請求項1之方法，其中該超強酸組合物進一步包含至 少一種腐蝕抑制劑。 10. —種製造半導體結構之方法，其包含： 將抗钱劑置放於該半導體結構之表面上，其中該抗姓 劑覆蓋該半導體結構之一部分；及 使該抗姓劑與包含超強酸物質之超強酸組合物接觸以 自該半導體結構移除該抗蝕劑。 11. 如請求項10之方法，其限制條件為 該抗蝕劑覆蓋該半導體結構曝露於離子束之一部分， 其中將離子植人至未被該抗_覆蓋之該半導體結構之 其中在執行離子植人之前，該抗_包含有機材料，且 ==劑係藉由曝露於該離子束而轉化為包含含有無 機反-灭鍵之無機碳化材料。 1:=，。之方法’其限制條件為在與該超強酸組合物 ^則，該半導體結構未經受灰化處理。 =項1G之方法，其中該半導體結構含有金屬或含金 制條件為該超強酸組合物不具有氧化該 ”.==:::金::含金屬—。 下組成之群該超強酸組合物包含選自由以 酸之現合物、五/··二氟甲糾、五I化録與敗項 氟磺酸。 —化銻與虱氟酸之混合物、碳硼烷酸及 15·如請求項10之方法， 其中該超強酸组合物具有小於約_12 159661.doc 201239553 之哈密特酸度函數。 16 17 18 19 20. 21. 22. 如料項H)之方法，其中該等離子 子/cm之濃度植入在該半導體結構上。 個原 如睛求項10之方法 組成之群之一或多者：Ti、Zr、Hf、Nb、T 、*UT Μη、Fe、RU、C〇、Ni、pd、pt、^ Mo、w、 Ge、In、Mg、Y及其合金。 A卜Ga、 如請求項H)之方法’其中該無機碳化材料為 組成之群之一或多者：石墨、芙、單層石 * 及微結晶碳。 s ‘土、★奈米管 如請求項Η)之方法，其中該超強酸組合物進一步包含至 少一種腐蝕抑制劑。 3 一種用於自半導體結構移除碳化材料之設備，其包含·· 其中用於容納大量超強酸組合物之槽，該超強酸組合 物包含超強酸物質； ° 用於固持該半導體結構於該槽之内部的固持器，及 上面具有碳化材料之該半導體結構存在於容器或該固 持器中，其中該超強酸組合物與該半導體結構接觸。 如請求項20之設備，其中該超強酸組合物包含選自由以 下組成之群之一或多者：三氟甲磺酸、五氟化銻與氟磺 酸之混合物、五氟化銻與氫氟酸之混合物、碳硼烷酸及 氟績酸。 如4求項20之設備，其中該超強酸組合物具有小於約-J 2 之哈密特酸度函數。 159661.doc 201239553 23. —種用於自半導體結構移除碳化材料之設備，其包含： 用於分配超強酸組合物至該半導體結構之喷嘴，其中 該超強酸組合物包含超強酸物質； 用於固持該半導體結構之固持器，及 上面具有碳化材料之該半導體結構存在於容器或該固 持器中，其中该超強酸組合物與該半導體結構接觸。 24. 如請求項23之設備，其中該超強酸組合物包含選自由以 下、、且成之群之或夕者·二氟甲績酸、五氧化錄與敗續 酸之混合物、五氟㈣與氫氟酸之混合物、碳職酸及 氟磺酸。 25. 如請求項23之設備，其中該超強酸組合g具有小於約 之哈密特酸度函數。 26· —種用於自半導體結構移除碳化材料及/或有機材料之化 學品，其包含超強酸物質。 27. 如請求項26之化學品，其限制條件為至少一部分該半導 體結構含有含有無機碳-碳鍵之無機碳化材料或由含有無 機碳-碳鍵之無機碳化材料覆蓋。 28. 如請求項26之化學品，其限制條件為該半導體結構未經 受灰化處理。 29. 如請求項26之化學品，其限制條件為該化學品不包含可 解離而形成游離氟離子或轉移氟至形成該半導體結構之 材料的分子。 30. 如請求項26之化學品’其中該化學品包含選自由以下組 成之群之一或多者：三氟曱磺酸、五氟化銻與氟磺酸之 159661.doc 201239553 混合物、五氟化銻與氫氟酸之混合物、碳硼烷酸及氟磺 酸。 3 1.如請求項29之化學品，其甲該化犖0 另：丁 〇发1〇字。口包含選自由三氟甲 績酸及竣硼烷酸組成之群之一或多者。 32. 如請求項26之化學品’其中該化學品具有小於約·12之哈 密特酸度函數。 33. 如請求項26之化學品，其中該無機碳化材料為選自由以 下組成之群之-或多者：石墨、芙、單層石墨、碳奈米 官及微結晶碳。 。 34. 如請求項26之化學品，其中該化學品進一步包含至少一 種腐敍抑制劑。 35. 如請求項26之化學品，其限制條件為該抗蝕劑覆蓋該半 導體結構曝露於離子束之一部分。 159661.doc