TW201237204A - RF impedance matching network with secondary DC input - Google Patents

Description

201237204 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關具有次級直流輸入之射頻阻抗匹配網 路》 【先前技術】 在形成半導體裝置時，通常在真空沉積室中使用物理 氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD)或“濺鑛” 來沉積薄膜。傳統P V D使用惰性氣體的原子，例如氬， 藉由電場及低壓來離子化以撞擊靶材材料。藉由以惰性氣 體衝擊靶材的釋放，中性靶材原子行進到半導體基板及連 同來自靶材的其他原子一起形成薄膜。如同在離子化PVD (iPVD )處理中一般，離子化從靶材釋放出的原子進一 步給予沉積處理上某些控制位準，例如、控制靶材原子的 方向能夠在特徵上給予更有效的膜厚度及更有效的間隙塡 充。 然而，在習知PVD系統中，靶材材料的離子撞擊常 常是有限的，及沉積處理常常缺乏可預測的一致性。因此 所需的是，用以增加物理氣相沉積室中的靶材之離子衝 擊，同時亦提供可控制的一致性沉積之系統和方法。 【發明內容】 本發明揭示的實施例可提供用於物理氣相沉積系統的 匹配網路。匹配網路可包括射頻產生器，其耦合至阻抗匹

S -5- 201237204 配網路的第一輸入：以及直流產生器，其耦合阻抗 路的第二輸入。阻抗匹配網路可被配置以接收來自 生器的RF訊號及來自直流產生器的DC訊號，及 抗匹配網路的輸出將兩訊號合作式通訊到沉積室靶 配網路亦可包括濾波器，係配置在阻抗匹配網路的 入與輸出之間。 本發明揭示的實施例可進一步提供用於物理氣 系統之匹配網路。匹配網路可包括第一射頻產生器 由到第一阻抗匹配網路的第一輸入耦合至沉積靶材 射頻產生器可被配置以引進第一 RF訊號到沉積靶 配網路亦可包括直流產生器，其經由到第一阻抗匹 的第二輸入耦合至沉積室靶材。直流產生器可被配 進DC訊號到沉積室靶材。匹配網路可另包括第二 生器，其經由第二阻抗匹配網路耦合至沉積室臺座 配置以引進第二RF訊號到沉積室臺座；以及氣體 係配置在沉積室壁中，及被配置以幫助在沉積室蓋 室臺座之間形成電漿。濾波器可配置在第一阻抗匹 的第二輸入與單一輸出之間，及濾波器可被配置以 RF訊號中過濾出一或多個RF頻率。 本發明揭示的實施例可另提供引進RF訊號及 號到物理氣相沉積靶材之方法。方法可包括：經由 配網路，將RF訊號引進物理氣相沉積系統的沉積 上之位置：以及經由阻抗匹配網路，將來自直流產 DC訊號引進到靶材上之同一位置。方法可另包括 匹配網 射頻產 經由阻 材。匹 第二輸 相沉積 ，其經 。第一 材。匹 配網路 置以引 射頻產 ，及被 供應， 與沉積 配網路 從第一 DC訊 阻抗匹 室靶材 生器的 過濾出

-6- S 201237204 從室朝直無產生器漏洩之一或多個RF訊號 【實施方式】 應明白的是，下面揭示說明用以實施本 徵、結構、或功能之幾種例示實施例。下面 置、及組態的例示實施例以簡化本揭示；然 實施例僅被提供作爲例子，並不用於限制本 此外，本揭示可在各種例示實施例中及此處 各處重複參考號碼及/或文字。此重複係爲 的目的，其本身並未指定各種圖示所討論的 例及/或組態之間的關係。而且，接下來之 第一特徵於第二特徵之上或上可包括第一和 成直接接觸之實施例，及亦可包括可形成額 一與第二特徵，使得第一和第二特徵未直 例。最後，在不違背本揭示的範疇之下，可 式組合下面所描述之例示實施例，即、來自 的任何元件可被用於任何其他例示實施例。 此外，在下面說明和申請專利範圍各處 以意指特定組件。如同精於本技藝之人士應 種實體可藉由不同名稱意指同一組件，及就 用於此處所說明之元件的命名慣例並不用於 範圍，除非在此處特別定義。另外，此處所 例並不用於清楚區分只是名稱而非功能不 外，在下面討論和在申請專利範圍中，以無 率。 發明的不同特 說明組件、配 而，這些例示 發明的範圍。 所提供的圖式 了簡單和清楚 各種例示實施 說明中的形成 第二特徵被形 外特徵插入第 接接觸之實施 以任何組合方 一例示實施例 使用某些語詞 明白一般，各 其本身而言， 限制本發明之 使用的命名慣 同之組件。此 限制的方式使 201237204 用語詞“包括”及"包含”，如此應被闡釋作意指“包括但 不侷限於”。本揭示中的所有數値可以是精確或大約的 値，除非特別指定》因此’在不違背所要的範圍之下，本 揭示的各種實施例可脫離此處所揭示之數目、値、及範 圍。而且’如同申請專利範圍或說明書所使用一般，語詞 "或”欲用於涵蓋特有和包括的例子二者，即、“ A或B ” 欲同義於“ A和B的至少其中之一”，除非此處特別指 定。 圖1爲本揭示的例示PVD系統1〇〇之示意圖。PVD 系統100包括室110’室110具有室本體112和蓋子或天 花板1 1 4。磁鐵組件1 1 6係至少部分配置在蓋子1 1 4的第 二或“上”側上。磁鐵組件1 1 6可以是但並不侷限於固定 的永久性磁鐵、旋轉永久性磁鐵、磁電管、電磁鐵、或其 任一組合。在至少一實施例中，磁鐵組件1 1 6可包括一或 多個永久性磁鐵，其配置在藉由每秒約旋轉0.1與約1 0 周之間的馬達所旋轉之可旋轉板上。例如，磁鐵組件]1 6 可每秒約逆時針旋轉1周。 靶材1 1 8通常定位在一般與磁鐵組件1 1 6相對之蓋子 1 1 4的第一或“下”側上。靶材1 1 8係可至少部分但並不 侷限於由單一元素、硼化物、碳化物、氟化物、氧化物、 矽化物、硒化物、硫化物、碲化物、貴重金屬、合金、介 金屬等等所組成。例如，靶材1 1 8係可由銅（Cu )、矽 (Si )、鈦（Ti )、鉅（Ta )、鎢（W )、鋁（A1 )、或 者其任一組合或合金所組成。

S 201237204 臺座120係可配置在室110中及被配置以支撐晶圓或 基板1 22。在至少一實施例中，臺座1 2〇可以是或包括夾 盤，其被配置以支托基板122至臺座120。例如，臺座 120可包括機械夾盤、真空夾盤、靜電夾盤（e_ chuck )、 或其任一組合，用以支托基板122至臺座12〇。機械夾盤 可包括一或多個夾箝，以將基板固定到臺座120。真空夾 盤可包括真空隙孔（未圖示），其耦合至真空源（未圖 示）以支托基板122至臺座120。靜電夾盤依賴由以直流 (DC)電壓源供給能量的電極所產生之靜電壓力，以將 基板122固定至夾盤。在至少一實施例中，臺座120可以 是或包括由DC電源124供給電力之靜電夾盤。 屏蔽126可至少部分圍繞臺座120和基板122，以與 靶材1 1 8與室本體1 1 2之間的任何直接路徑交叉。屏蔽 126通常是圓柱形或平截頭-圓錐形，如所示。屏蔽126 一般係藉由實體裝附至室本體112而電性接地。從靶材 1 18朝室本體112行進之濺鍍粒子被屏蔽126截斷且沉積 在其上。屏蔽126最終可聚積一層被灑鏟的材料，及需要 清潔以維持可接受的室粒子總數。使用屏蔽1 26可減少重 建室1 1 0以減少粒子總數之費用。 氣體供應1 2 8係可耦合至室1 1 〇，及被配置以引進受 控的選定氣體流到室110內。引進室110之氣體可包括但 並不侷限於氬（Ar )、氮（N2 )、氯（He )、氙 (X e )、氫（Η 2 )、或其任一組合。 真空泵1 3 0係可耦合至室1 1 〇，及被配置以維持室 -9 - 201237204 110中之想要的子大氣壓力或真空位準。在至少—實施例 中，真空泵130可在室110中維持約丨與約1〇〇毫托 (millitorr)之間的壓力。氣體供應128和真空泵130二 者係至少部分經由室本體1 1 2所配置。 第一射頻（RF)產生器140通常係經由第一阻抗匹 配網路1 4 2耦合至室1 1 〇的靶材1 1 8。第一射頻產生器 140被配置以引進第一RF或AC訊號到靶材1 18。第一射 頻產生器140可具有範圍從300赫兹（Hz)到162兆赫 (MHz )的頻率。 在至少一實施例中，直流產生器150可供應或引進 DC訊號到室1 1 0。例如，直流產生器1 50可供應DC訊號 到靶材1 1 8 »通常供應D C訊號而非來自第一射頻產生器 140的第一 RF訊號給靶材118上的不同位置。例如，可 在靶材1 1 8的相對側上供應DC訊號而非來自第一射頻產 生器140的第一RF訊號。直流濾波器152可耦合直流產 生器150，及被配置以防止（如、來自第一射頻產生器 140的）RF訊號到達及破壞直流產生器150。直流產生器 150通常被配置以藉由增加靶材118與臺座120及/或室 110的剩餘部分之間的電壓差來增加靶材118的離子撞 擊。 第二射頻產生器160通常係經由第二阻抗匹配網路 162耦合至臺座120。第二射頻產生器160被配置以引進 第二RF訊號到臺座120，以加偏壓於臺座120及/或室 1 1 〇。視需要，第二阻抗匹配網路1 62可與第一阻抗匹配 -10 -

S 201237204 網路142相同，或者可以不同。第二射頻產生器160可具 有範圍從300 Hz到162 MHz的頻率。 在至少一實施例中，第三射頻產生器170亦可經由第 三阻抗匹配網路172或經由第二阻抗匹配網路162耦合至 臺座120，以進一步控制臺座120的偏壓。視需要，第三 阻抗匹配網路172可與第一及/或第二阻抗匹配網路142 .. 162相同，或者可以不同。雖然未圖示，但是一或多個額 外的射頻產生器和對應的阻抗匹配網路可與第二和第三射 頻產生器160、170與第二及/或第三阻抗匹配網路162、 172組合或一起使用。 透過第一射頻產生器140、第二射頻產生器160、第 三射頻產生器170、直流產生器150、或其任一組合供應 到室1 1 0的電流，合作式離子化由氣體供應1 28所供應的 惰性氣體中之原子，以在室110中形成電漿105。電獎 105例如可以是高密度電漿。電漿105包括電漿護套（未 圖示），其爲電漿1〇5中的一層，具有較大正離子密度及 因此總過量正電荷，如此平衡靶材1 1 8的表面上之相反負 電荷。 系統控制器180可耦合至一或多個氣體供應128、真 空泵130、射頻產生器140、160、170'及直流產生器 1 5 0。在至少一實施例中，系統控制器1 8 0亦可耦合至— 或多個阻抗匹配網路142、162、172。系統控制器180可 被配置以控制其所耦合之各個組件的各種功能。例如，系 統控制器1 8 0可被配置以控制從氣體供應1 2 8引進到室 -11 - 201237204 1 1 〇的氣體比例。系統控制器1 80可被配置以利用真空泵 130調整室110內的壓力。系統控制器180可被配置以調 整來自射頻產生器140、160、170，及/或直流產生器]50 的輸出訊號。在至少一實施例中，系統控制器1 8 0可被配 置以調整阻抗匹配網路142、162、172的阻抗。 現在參考圖2，所示具有雙輸入阻抗匹配網路2 42之 另一例示PVD系統200。PVD系統200有些方面類似於 上面所說明之圖1的PVD系統100。因此，.參考圖1最 能清楚瞭解系統200，其中相同的號碼對應於相同的組 件，因此將不再詳細說明。 然而不像系統1〇〇中一般，在系統200中，射頻產生 器1 40和直流產生器1 50可經由雙輸入RF阻抗匹配網路 242耦合至靶材1 18上的單一點。例如，雙輸入RF阻抗 匹配網路242可輸出連接在或接近靶材1 1 8的中央（背 面）之組合式DC及RF訊號。藉由經由雙輸入RF阻抗匹 配網路242耦合直流產生器150，RF及DC輸入訊號可同 時施加到同一位置中之靶材1 1 8，以提供單一來源饋送到 室1 1 0 »到室1 1 0的單一來源饋送可增加基板1 22的離子 沉積之均勻性。 在至少一實施例中，直流濾波器2 5 2配置在雙輸入 RF阻抗匹配網路242內，及被配置以保護直流產生器 150免於會破壞直流產生器150之反射或其他RF頻率。 例如，直流濾波器252可被配置以過濾出來自第一射頻產 生器140的第一RF訊號之基頻及/或基頻的相關諧波

S -12- 201237204 (如、第二和第三諧波）。直流濾波器252可保護直流產 生器15〇的輸入免於存在於雙輸入RF阻抗匹配網路242 內之有害的RF頻率及/或從室1 1 〇漏洩到雙輸入阻抗匹配 網路242的輸出內之RF頻率。 雙輸入阻抗匹配網路242可包括第一封閉體244，其 具有匹配電路（未圖示）和直流濾波器2 5 2配置在其內。 第一封閉體244可包括用於來自第一射頻產生器140的第 一 RF訊號和來自直流產生器150的DC訊號之兩或多個 開口或輸入（兩個被圖示作245、247)。例如，來自第 —射頻產生器140的第一RF訊號可經由第一開口 245引 進到雙輸入阻抗匹配網路242，而DC訊號可經由第二開 口 247引進到雙輸入阻抗匹配網路242。第一封閉體244 亦可包括用於用於來自直流產生器150的DC訊號和來自 第一射頻產生器140的第一 RF訊號二者之單一/組合式輸 出的第三開口或輸出243。例如，雙輸入阻抗匹配網路 242可從輸出243引進來自直流產生器150的DC訊號和 來自第一射頻產生器140的第一 RF訊號到靶材118上的 pq /-L- p?〇- 単一位置0 第二封閉體254可位在第一封閉體244內部及具有直 流濾波器252配置在其內。第二封閉體254實際上被配置 以隔離直流濾波器25 2和與雙輸入阻抗匹配網路242相關 聯之第一封閉體中的RF頻率’如來自第一射頻產生器 140之第一RF訊號中之有害的RF頻率。例如’第二封閉 體254可包括配置在直流濾波器2Η四周的屏蔽箱，其中 -13- 201237204 箱子尤其被屏蔽以阻隔RF訊號或由位在第一封閉體244 內或接近第一封閉體244之鄰接組件所產生的其他干擾。 屏蔽箱可保護直流濾波器252免於會干擾其內的濾波器電 路之操作的干擾 '互調、及/或諧波失真。在至少一實施 例中，屏蔽箱可包括孔洞（未圖示），其被配置以防止直 流濾波器2 5 2及/或其內的其他組件過熱，同時仍舊阻隔 有害的或干擾的RF訊號到達直流濾波器2 5 2。例如，孔 洞可被按尺寸製作、塑形、及/或定位，以讓空氣能夠循 環進/出屏蔽箱，同時仍舊防止或阻隔存在於用於雙輸入 RF阻抗匹配網路242的第一封閉體中之RF頻率通過。 圖3爲圖2所描劃之例示直流濾波器2 5 2的示意圖。 直流濾波器25 2係配置在雙輸入RF阻抗匹配網路242的 輸出243中，及係耦合至接近雙輸入RF阻抗匹配網路 242之輸入245、247的其中之一的直流產生器150。直流 濾波器2 52爲包括一或多個濾波器平台（三個被圖示作 354、356、358)之多平台濾波器，其中選定的濾波器平 台各個過濾出一或多個預定頻率。例如，直流濾波器2 5 2 的各個濾波器平台可過濾出不同頻率，如、第一射頻產生 器140的基頻或基頻的諧波。 在至少一實施例中，直流濾波器252包括第一濾波器 平台3 54、第二濾波器平台3 5 6、及第三濾波器平台 358，其各個串聯連接。視需要，各個濾波器平台354、 3 56、3 58可以是相同濾波器類型或可以是不同的。在至 少一實施例中，所有三個平台3 54、3 56、3 5 8可以是諧振 -14 -

S 201237204 器 9 實 頻 振 對 組 例 各 Ο 更 圖 生 引 的 RF » 子 入 被 到 陷阱。例如，第一濾波器平台3 54挑出第一射頻產生 140的基頻，第二濾波器平台3 56挑出基頻的第二諧波 及第三濾波器平台358挑出基頻的第三諧波。在至少一 施例中，第一平台3 54爲對準第一射頻產生器140的基 之諧振陷阱，第二平台3 5 6爲對準基頻的第二諧波之諧 陷阱、低通濾波器、或其任一組合，及第三平台3 5 8爲 準基頻的第三諧波之諧振陷阱、低通濾波器、或其任一 合。 直流濾波器252的平台可特別設計成過濾出來自第 射頻產生器14〇的頻率及/或室110中之其他頻率。 如，若第一射頻產生器1 4 0以不同基頻操作，則可改變 個濾波器平台3 54、3 56、3 58的組件之設計及/或選擇 直流濾波器252的平台數目亦可視需要而改變，以挑出 多或不同的基頻。例如，可添加第四或第五平台（未 示）以過濾出基頻的更多諧波或者由第二和第三射頻產 器160、170所引進之其他諧振頻率。 參考圖4，連同繼續參考圖1-3，所圖解的是用以 進RF訊號和DC訊號到PVD系統200之例示方法400 流程圖。在操作中，來自第一射頻產生器140的第一 訊號被引進室110之蓋子114及/或靶材118上的位置 如在402。來自直流產生器150的DC訊號被引進蓋 1 1 4及/或耙材1 1 8上的相同位置，如在4 0 4。經由雙輸 RF阻抗匹配網路242，第一RF訊號和DC訊號二者都 引進蓋子1 1 4及/或耙材1 1 8。在至少一實施例中，施加 -15- 201237204 靶材118的電力可從約5千瓦至約60千瓦。 藉由第二射頻產生器160及/或第三射頻產生器170, 將偏壓施加到臺座1 20。在至少一實施例中，經由第二阻 抗匹配網路162將第二RF訊號引進到臺座120以加偏壓 於臺座1 20。在至少一實施例中，經由第二阻抗匹配網路 1 62或經由第三阻抗匹配網路1 72，將來自第三射頻產生 器170的第三RF訊號引進到臺座120。偏壓在靶材1 1 8 與室1 1 0的剩餘部分之間產生電壓差。 從氣體供應280引進氣體（如、通常爲惰性氣體）到 室110，以幫助室110內的電漿105之形成。氣體的中性 原子被離子化，發散電子，靶材118與室之間的電壓差使 電子能夠衝擊其他中性原子氣體，產生更多電子和離子化 原子。此處理被重複，以便包括電子、離子化原子、和中 性原子之電漿105存在室110內。 帶正電的離子化原子被吸引，及因此朝帶負電之靶材 118加速。室11〇中之電壓差的強度控制氣體的原子被吸 引到靶材1 18之力及/或速度。藉由透過DC訊號施加DC 電壓到靶材1 1 8，直流產生器1 5 0可增加電壓差，藉以增 加靶材118的離子撞擊。 當衝擊靶材118時，離子化原子的能量從靶材材料移 開和噴射出一或多個原子。來自離子化氣體的一些能量可 以熱的形式轉移到靶材1 1 8。藉由衝擊電漿1 05中的電 子’被移開的原子變成離子化，如、中性原子。一旦被離 子化’釋出的原子通常透過產生在室110內的磁場路徑朝

S -16- 201237204 基板122推進，以形成靶材材料的濺鏟層在基板 存在於室110中之磁場可至少部分由配置在室1 114上之磁鐵118控制。可藉由從直流產生器施 壓到靶材1 1 8上的同一點來增加基板上之離子沉 性，如同來自第一射頻產生器1 40的第一 RF訊S (在一些實施例中於室的操作期間或離線） 抗匹配網路242、162、172的每一個，以便室1 阻抗配網路242、162、172的組合式阻抗匹配來 頻產生器140、160、170之阻抗，以從射頻產生 160、170有效傳送RF能量到室1 10，而非反射 產生器140、160、170。例如，雙輸入RF阻抗 242可被調整，以便室110和雙輸入RF阻抗 242的阻抗之組合式阻抗匹配第一射頻產生器 抗，藉以防止RF能量被反射回到第一射頻產生$ 室1 10會朝直流產生器150反射或“漏洩”E 的頻率。在至少一實施例中，配置在雙輸入RF 網路242中之濾波器252過濾出從室1 10朝直流 洩之來自第一射頻產生器140的第一 RF訊號之 頻率，如在406。濾波器252可被特別配置以過 會破壞直流產生器150之頻率。 在至少一實施例中，DC濾波器2 52的第一 台3 54可過濾出來自射頻產生器140的第一RF 或多個頻率。例如，第一濾波器平台3 54可以是 括（含）來自射頻產生器140的第一RF訊號之 122 上。 1 〇的蓋子 加DC電 積的均勻 虎一般。 可調整阻 1 〇和各自 自各自射 .器 1 40、 回到射頻 匹配網路 匹配網路 140的阻 蓉 140。 3 RF訊號 阻抗匹配 產生器漏 一或多個 濾出已知 濾波器平 訊號之一 噴射出包 基頻的頻 -17- 201237204 帶之諧振陷阱或凹口波濾波器，藉以過濾出基頻。一旦已 過濾出基頻，第二濾波器平台356可過濾出另一頻率， 如、基頻之諧波的其中之一。例如，第二濾波器平台3 5 6 可包括另一諧振陷阱及/或低通濾波器，以過濾出來自射 頻產生器140的第一 RF訊號之基頻的第二諧波。第三濾 波器平台358可過濾出尙未被前兩平台過濾出之來自射頻 產生器1 40的第一RF訊號之另一頻率。例如，第三濾波 器平台3 5 8可包括第三諧振陷阱及/或另一低通濾波器， 以過濾出來自射頻產生器140的第一 RF訊號之基頻的第 三諧波。 雖然第一濾波器平台354、第二濾波器平台3 56、及 第三濾波器平台3 58被描述成串聯，但是只要不違背本發 明揭示的範疇，可改變順序和組態。例如，第二濾波器平 台356可在第一平台354過濾出基頻之前過濾出基頻的諧 波。 上面已槪述幾種實施例的特徵，以便精於本技藝之人 士可瞭解本發明揭示。精於本技藝之人士應明白它們可容 易使用本揭示作爲設計或修改用以完成此處所介紹的實施 例之相同目的及/或達成相同有利點的其他處理和結構之 基礎。精於本技藝之人士亦應瞭解此種同等結構不違背本 揭示的精神和範嶋，及在不違背本揭示的精神和範疇之 下，它們可進行其內的各種變化、替換、和更改。 【圖式簡單說明】

S -18- 201237204 當與附圖一起閱讀時’從下面詳細說明最能夠瞭解本 揭示。強調的是’根據工廠的標準實施，並未按比例圖示 各種特徵。事實上，爲了清楚討論，可任意增加或減少各 種特徵的尺寸。 圖1爲根據本揭示的一或多個實施例之例示物理氣相 沉積系統的示意圖。 圖2爲根據本揭示的一或多個實施例之具有雙輸入阻 抗匹配網路的例示物理氣相沉積系統之示意圖。 圖3爲根據本揭示的一或多個實施例之例示直流濾波 器的示意圖。 圖4爲根據本揭示的一或多個實施例之引進rF訊號 及D C訊號到物理氣相沉積系統之例示方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 1 00 :物理氣相沉積系統 105 :電漿 1 1 0 :室 1 12 :室本體 1 14 :蓋子 1 1 6 :磁鐵組件 1 1 8 :靶材 1 20 :臺座 1 2 2 :基板 1 2 4 :直流電源 -19- 201237204 126 ： 128 ： 130 ： 140 ： 142 ： 150 ： 152： 160 ： 162 ： 170： 172 ： 180： 200 ： 242 ： 243 ： 244 ： 245 ： 247 ： 252 ： 254 ： 3 54 ： 3 56 ： 3 5 8 ： 屏蔽 氣體供應 真空泵 第一射頻產生器 第一阻抗匹配網路 直流產生器 直流濾波器 第二射頻產生器 第二阻抗匹配網路 第三射頻產生器 第三阻抗匹配網路 系統控制器 物理氣相沉積系統 雙輸入阻抗匹配網路 輸出 第一封閉體 輸入 輸入 直流濾波器 第二封閉體 第一濾波器平台 第二濾波器平台 第三濾波器平台

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Claims (1)

1. 201237204 七、申請專利範圍 1. 一種用於物理氣相沉積系統之匹配網路，包含： 射頻（RF)產生器，其耦合至阻抗匹配網路的第一 輸入； 直流（DC )產生器，其耦合該阻抗匹配網路的第二 輸入，其中，該阻抗匹配網路被配置以接收來自該射頻產 生器的RF訊號及來自該直流產生器的DC訊號，及經由 該阻抗匹配網路的輸出將兩訊號合作式通訊到沉積室靶 材；以及 濾波器，係配置在該阻抗匹配網路的該第二輸入與該 輸出之間。 2. 如申請專利範圍第1項之匹配網路，其中，該濾 波器被配置以防止一或多個RF頻率到達該直流產生器。 3 ·如申請專利範圍第2項之匹配網路，其中，濾波 器爲多平台爐波器。 4 ·如申請專利範圍第3項之匹配網路，其中，濾波 器包含： 第一濾波器平台，被配置以過濾出第一頻率； 第二爐波器平台，係耦合至該第一濾波器平台，該第 二濾波器平台被配置以過濾出第二頻率；以及 第三濾波器平台，係耦合至該第二濾波器平台，該第 三濾波器平台被配置以過濾出第三頻率，其中，該第一、 桌一、及桌二頻率是不同的。 5 ·如申請專利範圍第4項之匹配網路，其中，該第 -21 - 201237204 一頻率爲該RF訊號的基頻，該第二頻率爲該基頻的第二 諧波’及該第三頻率爲該基頻的第三諧波。 6. 如申請專利範圍第5項之匹配網路，其中，該第 一、第二、及第三濾波器平台各包含諧振陷阱。 7. 如申請專利範圍第5項之匹配網路，其中，該第 一濾波器平台包含第一諧振陷阱，該第二濾波器平台包含 第一低通濾波器，及該第三濾波器平台包含第二低通濾波 器。 8 ·如申請專利範圍第1項之匹配網路，其中，該阻 抗匹配網路包含第一封閉體，該第一封閉體具有用於該第 一輸入的第一開口，用於該第二輸入之第二開口，及用於 單一輸出之第三開口》 9. 如申請專利範圍第8項之匹配網路，其中，該濾 波器係配置在防RF封閉體中。 10. 如申請專利範圍第9項之匹配網路，其中，該防 RF封閉體係配置在該第一封閉體中，及被配置以保護該 濾波器免於干擾、互調、及諧波失真。 11. 一種用於物理氣相沉積系統之匹配網路，包含： 第一射頻產生器，其經由到第一阻抗匹配網路的第一 輸入耦合至沉積靶材，其中，該第一射頻產生器被配置以 引進第一 RF訊號到該沉積靶材； 直流產生器，其經由到第一阻抗匹配網路的第二輸入 耦合至該沉積室靶材，其中，該直流產生器被配置以引進 DC訊號到該沉積室靶材； S -22- 201237204 第二射頻產生器’其經由第二阻抗匹配網路耦合至沉 積室臺座，及被配置以引進第二RF訊號到該沉積室臺 座； 氣體供應，係配置在沉積室壁中，及被配置以幫助在 該沉積室蓋與該沉積室臺座之間形成電漿；以及 濾波器，係配置在該第一阻抗匹配網路的該第二輸入 與單一輸出之間，其中，該濾波器被配置以從該第一RF 訊號中過濾出一或多個RF頻率。 12.如申請專利範圍第11項之匹配網路，其中，經 由該第一阻抗匹配網路的該單一輸出，將該第一射頻產生 器和該直流產生器耦合至該沉積室靶材。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之匹配網路，其中，該 第一阻抗匹配網路的該單一輸出係耦合至該沉積室靶材的 中央。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項之匹配網路，更包含第 三射頻產生器，其經由第三阻抗匹配網路耦合至該沉積室 臺座。 15. —種引進RF訊號及DC訊號到物理氣相沉積靶 材之方法，包含： 經由阻抗匹配網路，將RF訊號引進物理氣相沉積系 統的沉積室靶材上之位置； 經由該阻抗匹配網路，將來自直流產生器的DC訊號 引進到該靶材上之同一位置；以及 過濾出從該室朝該直流產生器漏洩之一或多個RF訊 -23- 201237204 號頻率。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之方法，其中，過濾出 一或多個RF訊號頻率包含以配置在該路徑中之濾波器來 過濾出該RF訊號的基頻。 17.如申請專利範圍第1 6項之方法，其中，以包括 在該濾波器中之諧振陷阱來過濾出該基頻^ 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項之方法，其中，過濾更 包含以該濾波器過濾出該基頻的第二諧波以及過濾出該基 頻的第三諧波。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中，以第一 諧振陷阱、第一低通濾波器、或其組合過濾出該第二諧 波’並且其中，以第二諧振陷阱、第二低通濾波器、或其 組合過濾出該第三諧波》 2〇·如申請專利範圍第15項之方法，其中，將該RF 訊號和該DC訊號引進該沉積室靶材的中央，以常助基板 的均勻沉積。 S -24-