TW201235799A - Exposure apparatus, liquid crystal display device and method for manufacturing same - Google Patents

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201235799 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種曝光裝置、液晶顯示裝置及其製造方 法。更詳細而言’係關於一種可較佳地使用於光配向膜之 光配向處理的曝光裝置、包含光配向膜之液晶顯示裝置、 及S亥液晶顯不裝置之製造方法。 【先前技術】 由於液晶顯示裝置係可實現輕量化、薄型化及低電力消 耗化之顯示裝置，故而廣泛應用於電視、個人電腦用顯示 器、移動終端用顯示器等《此種液晶顯示裝置通常係藉由 根據施加至一對基板間（液晶層）之電壓而變化之液晶分子 的傾斜角度來控制穿透液晶層之光之穿透率。因此，液晶 顯示裝置之穿透率具有角度依存性。其結果，於先前之液 晶顯示裝置中，有時根據視角（觀察）方向會產生對比度之 下降、半色調顯示時之色調反轉等顯示異常◎因此，通 常，於液晶顯示裝置中，需要在提高視角特性方面具有改 善之餘地。 因此’開發出了將各像素分割為液晶分子之傾斜方向不 同之2個以上區域的配向分割技術。根據該技術，於對液 晶層施加有電壓之情形時，&晶分子於像素内向不同方向 傾斜’故而可改善視角特性。再者，酉己向方向不同之各區 域亦稱為域（domain)，配向分割亦稱為多域（咖出 domain) ° 作為進行配向分割之液晶模式，於水平配向模式中，可 161654.doc 201235799 列舉多域扭轉向列（ΤΝ，TWisted Nematic)模式、多域雙折 射控制（ECB，Electrically Controlled Birefringence(電控雙 折射））模式、多域光學補償雙折射（〇CB，〇ptkaUy Compensated Birefringence)模式等。另一方面，於垂直配 向模式中，可列舉多域垂直配向（MVA，Muhi D〇main Vertical Alignment)模式、多域垂直配向扭轉向列（VATN， Vertical Alignment Twisted Nematic)^> PVA(Patterned Vertical Alignment(圖像垂直調整））模式、多域vaecb (Vertical Alignment ECB(垂直配向型電控雙折射））模式 等，於各模式之液晶顯示裝置中，實施了用以實現更廣視 角化之各種改良》 作為進行配向分割之方法，可列舉摩擦法、光配向法等 (例如，參照專利文獻1、2)。作為摩擦法之具體例，提出 有於藉由形成有圖案之抗蝕劑分離摩擦區域與非摩擦區域 之狀態下對配向膜進行摩擦處理的方法。然而，摩擦法係 藉由以捲繞於輥上之布來擦拭配向膜表面而進行配向處 理。因此，於摩擦法中，有時會產生布毛、切削片等之灰 塵，或因靜電所致之開關元件之破壞、特性轉變、劣化等 不良現象’故而具有進一步改善之餘地。 另一方面，光配向法係使用光配向膜來作為配向膜且藉 由對光配向膜照射（曝光）紫外線等光而使配向膜產生配向· 規制力，及/或，使配向膜之配向規制方向產生變化之配 向方法。因此’光配向法能以非接觸之方式進行配向膜之 配向處理，故而可抑制配向處理中產生污垢、灰塵等。 161654.doc 201235799 又，藉由在曝光時使用光罩，可於不同條件下對配向膜面 内之所需之區域照射光。因此，可容易地形成具有所需之 設計之域。 又，近年來，液晶顯示裝置之大型化發展，液晶電視迅 速地向40型至60型等先前為電漿電視之主戰場的尺寸區域 發展。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本專利特開平1 1-133429號公報 專利文獻2:日本專利特表2009-517697號公報 專利文獻3:國際公開第2007/086474號 專利文獻4 :曰本專利特表2008-538819號公報 非專利文獻 非專利文獻1 : M. Kimura及其他3人，「Photo-Rubbing Method: A Single-Exposure Method to Stable Liquid-Crystal Pretilt Angle on Photo-Alignment Film」，IDW' 04: proceedings of the 11th International Display Workshops, IDW' 04 Publication committee, 2004年，LCT2-1, p. 35-38 【發明内容】 發明所欲解決之問題 然而’難以藉由光配向法對此種60型等級之大型液晶顯 示裝置進行配向分割。其原因在於，目前，實際上並不存 在可使60型等級之基板一次性曝光、且可設置於工廠内之 尺寸的曝光裝置’因而無法使60型等級之基板整個面一次 161654.doc 201235799 性曝光。因此’於藉由光配向法對大型液晶顯示裝置進行 配向分割之情形時，必需數次使基板曝光。又，於藉由光 配向法對20型等級之相對小型之液晶顯示裝置進行配向分 割之情形時’亦要求儘量縮小曝光裝置之尺寸，故而亦認 為必需數次使基板曝光。然而’於如此藉由數次使基板曝 光而進行配向分割之液晶顯示裝置中，有時於顯示晝面上 "Τ β楚地看到各曝光區域間之接縫，而成為不合格品。因 此’於藉由將基板分割而進行曝光從而對液晶顯示裝置進 行配向分割之情形時，在提高顯示品位、且提高良率方面 尚具有改善之餘地。 作為用以改善此方面之技術，本發明者等人開發出以下 方法，並已申請了專利（參照專利文獻3)。該方法包含將基 内刀。】為2個以上之曝光區域並針對每一個曝光區域 經由光罩對配向膜進行曝光的曝光步驟，上述曝光步驟係 以相鄰之曝光區域之一部分重疊之方式進行曝光，上述光 罩包含與重疊之曝光區域相對應之半色調部。 …、而，於專利文獻3所記載之技術中採用掃描曝光（scan p re)方式之情形時，在實際使用中，在將產生之接縫 抑制到無法目測之水平、即更難觀察到接縫之方面尚具有 改善之餘地。 艮本發明係馨於上述現狀而完成者，《目的在於提供一種 即便於藉由掃招曝光方式進行配向處理之情形時，亦可有 放地抑制顯示晝面上產生接縫的曝光裝置、液晶顯示裝置 及其製造方法。 16J654.doc 201235799 解決問題之技術手段 本發明者等人對即便於藉由掃 之㈣_先方式進行配向處理 之匱形時，亦可有效地抑制 w n ^ a s ^ 里面上產生接縫的曝光裝 置及液日日顯示裝置之製造方 舌矗DS , 疋仃谷種研九時，係著眼於 :疊曝光之部分(曝光連接部)中之照射量。於專利文獻3 ’把載有於將曝光連接部以外之部分、即進⑻次曝光 之部分（通常曝光部）之照射量設為⑽％之情料，曝光連 ❹量較佳為5()〜2〇()%，更佳為⑹观。然 而’本發明者等人進行更詳細之研究後有了新的發現：於 採用掃描曝光方式之情料，就使接料會被目測到之觀 點而言，使曝錢接部之合計照射量小於通常曝光部之照 射量非常有效。 常識性或直覺上可預想’最佳係將曝光連接部之合計照 射量設定為100%，但採用掃描曝光方式時藉由設定為小 於100%而意想不到地獲得特別有效地抑制接縫之產生之 結果。其原因的詳細情況並不瞭解，但本發明者等人進行 如下推測。與通常曝光部不同，在曝光連接部使光配向膜 曝光2次’曝光之光之邊緣合計至少通過4次。另一方面， 於通常曝光部中，通常曝光之光之邊緣合計通過2次。認 為該曝光之光邊緣之通過次數的差異對賦予光配向膜之傾 斜角之一些要因造成影響。而且，推測於將曝光連接部之 合計照射量設為100%之情形時，即便照射量之值與通常 曝光部相同，於曝光連接部中，光配向膜上亦會實效性地 被賦予更低之傾斜角。 161654.doc 201235799 —步研究後發現，於基板上之光配

方式使第1邛分及第2部分掃描曝光之第丨曝光、及 以第2部分之照射量小 於第3部分之照射量之方式使第3部 根據以上結果進行進_ ^ 向膜上設定第1〜第3部分， 为掃拖曝光並且使第2部分再次掃描曝光之第2曝光，且將 第1曝光中之第2部分之照射量、與第2曝光中之第2部分之 照射量的合計設定為小於第丨部分之照射量且小於第3部分 之照射量，藉此可將基板（光配向膜）之應曝光之區域（曝光 區域）分割為包含第1部分及第2部分之區域、以及包含第2 部分及第3部分之區域而實施掃描曝光，即，可將包含第2 部分之區域作為曝光連接部（曝光2次以上之部分）而利用， 進而，可有效地抑制於使用該基板而製作之液晶顯示裝置 之顯不晝面上產生接縫，並想到可巧妙地解決上述課題， 從而完成了本發明。 即’本發明之一形態係一種曝光裝置（以下，亦稱為本 發明之曝光裝置）’其係一面使表面設置有光配向膜之基 板相對於曝光之光進行相對移動一面使上述光配向膜曝光 者’上述曝光裝置進行使上述光配向膜之第1部分及第2部 分曝光之第1曝光、及使上述光配向膜之第3部分曝光並且 使上述第2部分再次曝光之第2曝光；上述第2部分位於上 述第1部分及上述第3部分之間；以上述第2部分之照射量 小於上述第1部分之照射量之方式，進行上述第1曝光；以 上述第2部分之照射量小於上述第3部分之照射量之方式， 161654.doc 201235799 進行上述第2曝光，上述第〖曝光之上述第2部分之上述照 射量、及上述第2曝光之上述第2部分之上述照射量的合計 係設定為小於上述第1部分之上述照射量、及上述第3部分 之上述照射量中之任一者。 作為本發明之曝光裝置之構成，只要為必需此種構成要 素而形成者，則對於其他構成要素並無特別限定，亦可包 3光源、載置上述基板之平台、及使上述光源及/或上述 平台沿特定方向移動之移動機構。 本發明之另一形態係一種液晶顯示裝置之製造方法（以 下，亦稱為本發明之液晶顯示裝置之製造方法），其包含 曝光步驟’該曝光步驟係一面使表面設置有光配向膜之基 板相對於曝光之光進行相對移動—面使上述光配向膜曝 光:於上述曝光步财，進行使上述光配向膜之第i部分 及第2邛分曝光之第i曝光、及使上述光配向膜之第3部分 曝光並且使上述第2部分再次曝光之第2曝光；以上述第2 部分之照射量小於上述第丨部分之照射量之方式，進行上 述第1曝光，以上述第2部分之照射量小於上述第3部分之 妝射ΐ之方式，進行上述第2曝光；上述第丨曝光中之上述 第2部分之上述照射量、及上述第2曝光中之上述第2部分 之^述照射量的合計係設定為小於上述第丨部分之上述照 子置及上述第3部分之上述照射量中之任一者。 作為本發明之液晶顯示裝置之製造方法之步驟，只要為 必需包含此種步驟者，則對於其他步驟並無特別限定。 再者，於本發明中，對光配向膜之照射量可由下式進行 J6J654.doc 201235799 計算。 (照射量）=(照度）Χ(曝光之光之寬度）/(掃描速度） 再者，所謂照度，更詳細而言，係指曝光之光於光配向 膜上之照度。又’所謂曝光之光之寬度，更詳細而言，係 才曰曝光之光於光配向膜上之掃描（移動）方向上之寬度（長 度）°由於曝光之光係照射至平面區域，故而通常沿與該 曝光之光之光配向膜上之移動方向正交之方向擴展。如此 於曝光之光擴展，且曝光之光之寬度會根據位置而不固定 之情形（例如，於與曝光連接部相對應之區域内曝光之光 之寬度呈正弦函數減少之情形等）時，所謂曝光之光之寬 度係指上述正交之方向上之各位置上之寬度（長度P進 而’所謂掃描速度’更詳細而言，係、指基板相對於曝光之 光的相對移動（掃描）速度。再者，關於曝光之光及基板中 之哪-個移動並無特別限定，既可為僅其中任一者移動， 亦可為兩者移動。 、 一〜队日日彌不衣直之製造万法 較佳形態進行詳細說明。 _ 平、.·χ月以下所不之各種形態亦可適當 加以組合，使以下2個以上較 平乂住之形態互相組合而成之 匕、亦為較佳之形態之一。 於本發明之曝光裝置及液晶 又日日顯不裝置之製造方法中， 佳為以上述第i〜第3部分之各邱 士丄 谷0P为附近之液晶分子之傾 向貫質上相同之方式，實祐 朴 貫轭上述第1曝光及上述第： 。糟此，可有效率地配向 * . J刀割各像素（亦可為各像元 冉者’第1〜第3部分附近之液a 夜B日分子之傾斜方向互相戶片 161654.doc 201235799 成之角較佳為5。以下，更佳為2。以下。 於本發明之曝光裝置及液晶顯示裝置之製造方法中，上. 述光配向膜較佳為使用如下之材料（光配向材料）形成該 材料中’液晶之配向方向會根據曝光之光（亦可為曝光之 光之光軸）之方向及/或曝光之光之該膜上之移動方向而產 生變化。 於本發明之曝光裝置及液晶顯示裝置之製造方法中，當 將上述第1部分之上述照射量及/或上述第3部分之上述照 射里设為1 〇〇%時，上述第2部分之上述照射量之合計之最 小值較佳為大於85·2%且小於1〇〇%，更佳為91%以上且 96 /〇以下。於本發明之一實施態樣中，曝光之光之2個端 部分別於第1部分上通過〗次，從而曝光之光之端部合計通 過2次，第3部分上亦同樣地曝光之光之端部合計通過2 次，且曝光之光之2個端部分別於第2部分上通過2次，從 而曝光之光之端部合計通過4次。 再者，第1部分之照射量與第3部分之照射量通常係設定 為貫質上相同’於將任一者之照射量設為1〇〇%時，兩者 之差較佳為5%以下，更佳為2%以下。 本發明之曝光裝置較佳為使紫外線自相對於上述基板之 面之法線傾斜之方向入射者。藉此， ’可容易地顯現所需之

，而使其相對於基板之面大致垂直地入射。 161654.doc 匕面傾斜之方向入 入射。再者，上述 201235799 务、外線之波長範圍係只要根據曝光之光配向膜之材料適當 地進行設定即可。 就相同之觀點而言，於上述曝光步驟中，較佳為使紫外 線自相對於上述基板之面之法線傾斜之方向入射。 於本發明之曝光裝置及液晶顯示裝置之製造方法中，上 述紫外線較佳為偏光紫外線。藉由如此對光配向膜照射各 向異性之紫外線’可容易引起光配向膜内之分子之各向異 性之重新排列及/或化學反應。因此，可更均勻地控制光 配向膜附近之液晶分子之配向方位。 關於上述第1〜第3部分中之照射量之調整，例如，亦可 在各個部分設置專用之點光源（例如，雷射光源），藉由調 節自點光源照射之點狀光線（Sp〇t ray)之照度而進行調整， 但較佳為使用光罩進行調整。即，本發明之曝光裝置較佳 為具備包含遮光部及複數個透光部之光罩，經由上述光罩 而使上述光配向膜曝光。光罩之透光部之開口率可藉由改 變透光部之大小等而容易地進行變更。因此，根據該形 態，可使用一種光源，且容易使第丨部分及第3部分、以及 第2部分中之照射量彼此不同。 就相同之觀點而言，於上述曝光步驟中，較佳為經由包 含遮光部及複數個ϋ光部之光罩而使上述光配向膜曝光。 於本發明之曝光裝置及液晶顯示裝置之製造方法7，上 述遮光部及上述複數個透光部較佳為配置成條紋狀。藉 此，可對將像f區域（亦可為像元區域）排列為矩陣狀之基 板高效率地進行配向處理。 161654.doc •12· 201235799 又，此時，較佳為上述複數個透光部之長度方向之方 位、與上述基板之相對移動方向之方位實質上相同。藉 此，僅藉由使光罩與基板相對地移動，便可精度良好地' 且簡便地對整個像素區域（亦可為整個像元區域）進行配向 分割。再者，所謂上述複數個透光部之長度方向之方位與 上述基板之相對移動方向之方位實質上相同，係指兩方位 亦可未必嚴格地一致，而使兩方位所形成之角較佳為 5°(更佳為2°)以下。 作為本發明之曝光裝置及液晶顯示裝置之製造方法之較 佳形態’可列舉下述形態（1)。 於形態（1)中，上述光罩包含與上述第丨部分及/或上述第 3部分相對應地設置之複數個第丨透光部、及與上述第2部 分相對應地設置之複數個第2透光部，各第2透光部之開口 率小於各第1透光部之開口率。根據上述形態〇)，與第丄部 刀及第3部分之各者之照射量相比，可容易地使第2部分之 照射量變小。 再者’所明開口率’係指該透光部之面積相對於任意之 透光部(通常為具有最大面積之透光部)之面積之比例(百分 比）。 作為上述形態（1)之較佳之形態，可列舉下述形態⑷。 於幵y態（A)中’上述複數個第2透光部之開口率係隨著自 上述複數個第1透光部離開而減少。根據上述形態(A)’可 更有效地抑制接縫可見之情況。 作為上述形態（A)之較佳之形態，可列舉下述形態（A-161654.doc -13· 201235799 1) 、 （A-2)。 於形態⑹)中，上述複數個第璜光部之開口率之變化 係由線性函數或三角函數表示。根據上述形態㈣，可 防止第2透光部之開口率變 夂化中產生不連續之階段。 又’於開口率之變化係由三角函數表示之情形時，在第】 透㈣側之端、與其相反側之端，開口率之變化之微分係 數貫質上為零，故而可特別古4 ^ 特別有效地抑制可見接縫之情況。 於形態（A-2)中，上述複數個第2透光部之長度（長度方向 之長度）隨著自上述複數個第1透光部離開而變短。根據上 述形態（A·2)，可於採用掃描曝光方式之本發明之曝光裝 置及液晶顯示裝置之製造方法中，容易地控制第2部分之 照射量之合計。 於本發明之曝光裝置及液晶顯示裝置之製造方法中，較 佳為於上述光罩及上述基板之間設置近接間隙。藉此，可 使基板相對於曝光之光而平滑地進行相對移動，並且即便 光罩因自身重量而彎曲，亦可抑制其與基板接觸。 本發明之曝光裝置較佳為包含讀取上述基板之圖案之攝

像機構。藉此，可一面讀I 土板之圖案一面控制基板相對 =曝光之光之相對移動方向。因此，即便於如基板產生應 良之情形時’亦可沿像㈣列進行高精度之掃福曝光。 就此種觀點而言，本發明之曝光裝置較佳為一面讀取上 述基板之圖案一面控制上述基板相對於曝光之光之相對移 動方向。 再者’於本發明之曝光裝置中，基板之圖案並非必需之 161654.doc

S 14- 201235799 構成要素’基板上亦可不存在圖案，但通常於基板上形成 有圖案。X ’圖案之具體例並無特別限定，較佳為沿上述 基板之相對移動方向週期性或連續性地形成的點狀或線狀 之構件’其中較佳為匯流排線(例如，源極匯流排線、閘 極匯流排線）、黑色矩陣。 本發明之液晶顯示裝置之製造方法較佳為包含形成垂直 配向型之液晶層之步驟。藉此’可實現垂直配向模式之液 晶顯示裝置。 本發明t液晶!頁示裝置之製造方法較料包含形成含有 介電各向異性為負的液晶材料之液晶層的步驟。藉此，於 垂直配向模式之液晶顯示裝置巾，可有效率地驅動液晶 層，故而可使穿透率增大。 本發明之液晶顯示裝置之製造方法亦可包含如下步驟， 即’以曝光之光之照射方向對於該基板之面的投影方向 (亦可為曝光方位)彼此大致正交之方式，將藉由上述曝光 步驟進行曝光處理狀2片基㈣合。藉此，可實現TN模 式、VATN模式、多域TN模式或多域vatn模式之液晶顯示 、再I $明上述投影方向彼此大致正交，係指投影 方向所形成之角度亦可不必嚴格地為9G。，投影方向所形 成之角度較佳為90。±10。(更佳為9〇。±5。)之範圍内。^ 本發明之液晶顯示裝置之製造方法較佳為包含如下步 驟，即’於俯視上述基板時’以於各像素内(亦可為各像 元内）形成互相沿反平杆古 化久+订方向曝光之2個區域之方式， 述光配向臈曝光。拉 尤猎此，可谷易地實現多域TN模式、多 16I654.doc .15· 201235799 域ECB模式、多域VAECB模式、多域VAHAN(Vertical

Alignment Hybrid-aligned Nematic(垂直配向混合排列向 歹J))模式夕域 VATN(Vertical Alignment Twisted Nematic) 模式等廣視角之液晶顯示裝置。再者，所謂反平行方向， 係指2個方向亦可不必嚴格地相反且平行，而是兩方向所 形成之角度較佳為175。（更佳為178。）以上且18〇。以下。 本發明之又一形態係一種使用本發明之曝光裝置、或本 發明之液晶顯示裝置之製造方法而製作的液晶顯示裝置 (以下，亦稱為本發明之液晶顯示裝置）。 本發明之液晶顯示裝置較佳為主動式矩陣驅動，但亦可 為單純驅動。 本發明之液晶顯示裝置較佳為以VATN模式驅動。再 者’ VATN模式之液晶顯示裝置包含—對基板、含有向列 液晶之液晶層、及設置於各個基板上之m配向膜， 於俯視兩基板面時，施加於該等垂直配向膜上之配向處理 之方向彼此大致正交，且於未施加電壓時，向列液晶進行 垂直、且扭轉配向。 本發明之液晶顯示裝置較佳為包含2個以上之域，且較 佳為包含4個以下之域，更佳為包含4個域。藉此，可實現 能抑制製造步驟之複雜化、並且視角特性優異之液晶顯示 裝置又’藉由將域設為4個，例如上下左右之4個方向等 般，而可於彼此正交之4個方向中之任一方向上均實現廣 視角化。X ’可使彼此正交之4個方向之任一方向之視角 特性均大致相同1 ’可實現對稱性優異之視角特性。因 161654.doc S； •16- 201235799 此，可實現視角依存性較 A /V j之液日日顯不裝置。再者，作為 配向分割為4個域之情形技 — 時的域之配置形態’並無特別限 疋，可列舉矩陣狀、如目字之條紋狀等。 發明之效果 根據本發明’可實現即便於藉由掃描曝光方式進行配向 處理之情形時’亦可抑制顯示畫面上產生接縫的曝光裝 置、液晶顯示裝置及其製造方法。 【實施方式】 以下，列舉實施形態，且參照圖式對本發明進行更詳細 之說明，但本發明並不僅限定於該等實施形態。 (實施形態1) 以下，對實施形態1之液晶顯示裝置之製造方法進行說 明。 本實施形態之液晶顯示裝置之製造方法係適用於包含實 施光配向處理之曝光步驟的液晶顯示裝置之製造方法。本 實施形態之液晶顯示裝置之製造方法可適用於各種顯示模 式之液晶顯示裝置’其中，可較佳地應用於扭轉向列垂直 配向（Vertical Alignment Twisted Nematic(VATN))模式之液 晶顯示裝置。以下’對於使用本實施形態之液晶顯示裝置 之製造方法來製作VATN模式之液晶顯示裝置的方法進行 說明。 首先，利用通常之方法，如圖1所示，準備配向膜形成 前之一對母玻璃基板10。由各母玻璃基板10而獲得例如複 數片（例如6片）陣列基板或彩色濾光片基板。再者，於本實 161654.doc 17 201235799 施形態中，亦可使用單體之陣列基板、單體之彩色濾光片 基板。於各母玻璃基板10上，與所獲得之陣列基板或彩色 遽光片基板相對應地設置有複數個面板區域丨】。 於一母玻璃基板之面板區域丨丨内’如圖2所示，使互相 交叉之源極匯流排線12及閘極匯流排線丨3呈網狀而形成， 且於由源極匯流排線12及閘極匯流排線13所劃分之各像元 區域内，形成有薄膜電晶體14及像元電極15。而且，於各 像兀區域内’假定於其兩側之源極匯流排線丨2之大致中間 (圖中之線CL1) 一分為二而形成之2個區域A1、A2，於下 述曝光步驟中，對各個區域A1、A2自相對於基板1〇之面 之法線僅傾斜特定角度θ的方向照射偏光紫外線。偏光紫 外線相對於各區域之照射方向係設為，於使分別照射之偏 光紫外線之光軸投影至基板丨〇之面之情形時，該等所投影 之光抽與源極匯流排線平行且互相相差18〇。之方向。 於另一母玻璃基板之面板區域丨〗内，如圖3所示，使黑 色矩陣1 6呈網狀而形成’於由黑色矩陣丨6所劃分之各像元 區域内形成有彩色濾光片i 7，於黑色矩陣i 6及彩色濾光片 17上形成有共通電極（未圖示）。而且，於各像元區域内， 假定與陣列基板貼合時在與閘極匯流排線丨3平行之2邊之 大致中間（圖中之線CL2)—分為二而形成有2個區域B1、 B2’且於下述曝光步驟中，對各個區域bi、b2自相對於 基板10之面之法線僅傾斜特定之角度θ的方向照射偏光紫 外線°偏光紫外線相對於各區域之照射方向係設為，於使 分別照射之偏光紫外線之光軸投影至基板1〇之面之情形 161654.doc 10 -!〇- 201235799 夺》亥等所投影之光軸與閘極匯流排線工3平行且互相相差 180°之方向。 再者，於本貫施形態中，對各像素包含複數個像元之彩 色顯示之液晶顯示裝置進行說明，但本實施形態之液晶顯 不裝置亦可為單色顯示之液晶顯示I置。於此情形時，在 本實鉍形態中，只要將像元換讀作像素即可。再者，像元 係構成像素之要素，與子像素同義。 其次，於藉由旋轉成型（spin cast)法等對各母玻璃基板 10塗佈含有光配向膜材料之溶液後，在例如丨8〇<>c下對光 配向膜材料進行60分鐘之煅燒，藉此形成光配向膜（垂直 配向膜）。作為光配向膜材料並無特別限定，可列舉含有 感光性基之樹脂等。更具體而言，較佳為含有4_查耳酮基 (下述化學式（1))、4'_查耳酮基（下述化學式（2))、香豆素基 (下述化學式（3))、桂皮醯基（下述化學式（4))等感光性基之 聚醯亞胺等。下述化學式（1)〜(4)之感光性基會藉由照射光 (較佳為紫外線）而產生交聯反應（包含二聚反應）、異構化 反應、光再配向等’藉此，與光分解型之光配向膜材料相 比’可有效地減小配向膜面内之預傾角之偏差。再者，下 述化學式（1)〜(4)之感光性基中亦包含於苯環上鍵結取代基 而成之構造《又，於下述化學式（4)之桂皮醯基中之幾基上 進而鍵結氧原子所得之肉桂酸酯基（C6H5-CH=CH-COG-， 下述化學式（5))具有易於合成之優點。因此，作為光配向 膜材料，更佳為含有肉桂酸酯基之聚醯亞胺。再者，煅燒 溫度、煅燒時間及光配向膜之膜厚並無特別限定，只要適 161654.doc 19 201235799 當地進行設定即可。 化 :c 2化 o=c- [化3] ,0 〇- (3) [化4] 〇 (4) [化5] ΟII —0—C· / (5) 再者，於本實施形態中，作為配向膜材料，係使用與光 161654.doc -20- 201235799 進行反應、且沿光線之照射方向產生液晶分子之預傾角的 光配向膜材料’但亦可使用如並蚩4丨 、 J便用如非專利文獻1所揭示之光配 向法般’可根據光之照射區域之移動方向來規定預傾方向 ㈣配向膜材料。於此情形時’可無需使光自相對於基板 傾斜之方向人射，而使其相對於基板大致垂直地入射。土 其次，對光se·向膜之曝光步驟進行說明^首先，對本實 施形態之曝光裝置30進行說明。 如圖4、5所示，曝光裝置⑽幻台式掃描型曝光裝置， 包括：曝光台32,其包含複數個曝光頭31;及平台33,其 載置母玻璃基板1G並使其沿特定方向移動。平台33亦發揮 移動機構之功能。再者’曝光裝置3〇亦可包含使曝光台” 移動之移動機構，且亦可包含不發揮移動機構之功能而載 置母玻璃基板1G之平台、及使曝光台32移動之移動機構。 複數個曝光頭31係沿相對於基板1()之移動方向（掃描方 向）a正交之方向b隔開間隔而配置。各曝光頭31係以可沿 方向b在與基板10之被照射面平行之面内移動的狀態而支 樓0 各曝光頭31包括發出紫外線之紫外線光源34、光罩5〇、 以及设置於光源34及光罩5〇之間的偏光鏡、光學透鏡等光 學構件（未圖示），且係以可經由光罩5〇對基板1〇之表面以 特疋之照射角度（基板丨0之面之法線方向與曝光之光之照 射方向所形成之角度，例如，4〇。）照射偏光紫外線的方式 而構成。各光學構件將光源34所發出之紫外線光學性地轉 換為所需之曝光之光。光源34係只要根據照射對象進行適 161654.doc 21 201235799 當選擇即可，亦可為發出可見光線之光源。 又，各曝光頭31包括攝像機構35、記憶機構、對照機 構、及光罩移動機構。攝像機構35可拍攝基板1〇之表面， 且可讀取基板ίο之圖案（例如，源極匯流排線12、閘極匯 流排線13、黑色矩陣16等)。關於攝像機構35,可應用例 如CCD(Charge Coupled Device，電荷搞合器件）相機等相 機。記憶機構可預先記憶作為曝光之位置對準之基準的基 準圖像。對照機構係對攝像機構35所拍攝之圖像與基準圖 像進行比較對照’而算出實際上曝光之位置與應曝光之位 置的偏差。光罩移動機構係基於對照機構所算出之偏差結 果，而修正光罩50之位置或角度。藉此，可讀取基板⑺之 圖案，且可一面高精度地控制基板10相對於曝光之光的相 移動方向及位置，一面進行掃描曝光。再者，對照機構 亦可藉由不使用基準圖像，而是將對基板10進行攝像所得 之結果與對光罩50進行攝像所得之結果進行比較對照的方 法’而同樣地修正光罩50之位置及角度。 光罩50係以其表面與基板1〇之被照射面大致平行之方式 配置，在光罩50、與基板1 0之被照射面，即光配向膜之表 面之間設置有近接間隙4 1。 光罩50為例如板狀之構件，如圊6所示，包含使用石英 2璃等而形成之透明基板、以及於透明基板之表面上以特 之圖案（車乂佳為條紋狀之圖案）所形成之遮光部5 2及複數 個透光。卩5 1。各透光部5 1為長條狀，複數個透光部5丨以特 定之間距沿相對於基板丨〇之移動方向a正交的方向b排列。 】61654.doc

S •22- 201235799 又，如圖7所示，光罩50包含中央區域53及重疊區域54。 而且，重疊區域54内所設置之透光部56(與上述第2透光部 相對應）之長度係隨著自中央區域53離開而逐漸變短。如 此’重疊區域5 4内所設置之透光部5 6之開口率變得小於令 央區域53内所設置之透光部55(與上述第1透光部相對應）之 開口率。換言之’透光部56離透光部55越遠，則其長度越 短’又’其開口率越小。 若基板10通過此種光罩50之正下方，則僅使通過透光部 51之正下方之區域曝光。其結果，如圖8所示，使基板1〇 之表面上之特定的細長線狀之區域18曝光。再者，透光部 5 1之材質係只要可使光（例如偏光紫外線）穿透則無特別限 定。透光部5 1例如亦可為貫通於光罩50之開口部。 於採用掃描曝光方式之本實施形態中，由光罩5〇之透光 部51之長度Y、與基板1〇之移動速度（掃描速度）v來設定照 射量。更具體而言，對光配向膜之照射量係利用下式進行 計算。 (照射量）=(照度）X(透光部之長度γ)/(基板之移動速度V) 再者’所謂照度，更詳細而言，係指曝光之光於光配向 膜上之照度。因此，若固定地保持照度及移動速度V，則 照射量與透光部之長度Y成正比例。 圖9係表示對光配向膜之照射量與液晶分子之預傾角的 關係之圖表。如圖9所示’通常，對光配向膜之照射量變 得越大’則該配向膜附近之液晶分子之預傾角越縮小。如 此’預傾角依存於照射量，於控制預傾角方面，照射量為 161654. doc -23- 201235799 非*重要之要素。又，如專利文獻4中所記載般，於VATN 模式中’高精度地控制預傾角極為重要。 其次，對使用曝光裝置30而使母玻璃基板1〇曝光之方法 進行說明。於本實施形態中，將母玻璃基板1〇之應曝光之 區域分割為複數個區域而進行曝光（光配向處理）。首先， 對陣列基板用之母玻璃基板l〇a進行說明。 如圖10所示’陣列基板用光罩60為大致長方形之板狀構 件。而且’以特定之間距PX平行地形成有複數個可供偏光 紫外線通過的狹縫狀之透光部61。間距Ρχ.設定為與源極 匯流排線12之間距相等。又，透光部61之間距方向之尺寸 Lx係設定為源極匯流排線12之間距之約1 /2之尺寸。又， 光罩60包含中央區域及重疊區域’重疊區域内所設置之透 光部之開口率小於中央區域内所設置之透光部之開口率。 接著’如圖11、12所示，一面使基板i〇a及平台沿+乂軸 方向以等速移動’ 一面經由光罩60，自設置於基板10a之 表面上之光配向膜19之一端起至另一端為止照射偏光紫外 線（第1曝光（1))。此時，基板1 〇a係以源極匯流排線12沿光 罩60之透光部61之長度方向的方式進行移動。該第1曝光 (1)之結果為，於光罩60之中央區域所通過之區域21内、及 光罩60之重疊區域所通過之區域22内，使圖2中所示之像 元區域之區域A1曝光。然而，由於重叠區域内所設置之透 光部之開口率小於中央區域内所設置之透光部之開口率， 故而區域22内之區域A1之照射量小於區域21内之區域a 1 之照射量。又，光罩60之透光部61未通過之區域23内之像 161654.doc -24·

S 201235799 元區域於該階段中未曝光。 其久’使基板10a及平台沿-X轴方向移動，且返回至曝 光台32之近前之位置。又’使各曝光頭31沿竹軸方向移動 相當於1個曝光頭之距離。其結果，光罩6〇之中央區域係 與區域23相對應地配置’光罩60之重疊區域係與區域22相 對應地配置。 接著，如圖11、12所示，一面使基板1如及平台沿+χ軸 方向以等速移動，一面經由光罩60，自設置於基板1〇a之 表面上之光配向膜1 9之一端起至另一端為止照射偏光紫外 線（第1曝光（2))。此時’基板1 〇a係以源極匯流排線12沿光 罩60之透光部61之長度方向的方式進行移動。該第1曝光 (2)之結果為’於光罩60之中央區域所通過之區域23内，使 像元區域之區域A1曝光。又’於光罩60之重疊區域所通過 之區域22内，使區域A1再次曝光。如此，第1曝光（！）及第 1曝光（2)中係照射相同之區域a 1。然而，區域22内之由第 1曝光（1)產生之區域A1之照射量、與區域22内之由第1曝 光（2)產生之區域A1之照射量的合計小於區域21内之由第i 曝光（1)而得之區域A1之照射量，且，小於區域23内之由 第1曝光（2)而得之區域A1之照射量。再者，光配向膜丨9之 一部分、且為區域21、區域22及區域23内之區*A1中之部 分係分別與上述第1部分、上述第2部分及上述第3部分相 對應。 其次，使基板10a及平台沿-X軸方向移動，且返回至曝 光台32之近前之位置。又，使基板1〇a於面内旋轉18〇〇而 161654.doc -25- 201235799 載置於平台上。進而，使各曝光頭3 1沿-y轴方向移動相當 於1個曝光頭之距離。其結果’光罩60係配置於與第1曝光 (1)時之位置大致相同之位置。然而，與第1曝光（1)時之位 置相比，光罩60係配置於在y轴方向上偏移相當於源極匯 流排線12之間距之一半之距離的位置。 接著，如圖11、12所示，一面使基板1 〇a及平台沿+乂轴 方向以等速移動，一面經由光罩60，自設置於基板} 〇a之 表面上之光配向膜1 9之一端起至另一端為止照射偏光紫外 線（第2曝光（1))。此時’基板l〇a係以源極匯流排線12沿光 罩60之透光部61之長度方向的方式進行移動。該第2曝光 (1)之結果為，於光罩60之中央區域所通過之區域21内、及 光罩6 0之重疊區域所通過之區域2 2内，使圖2中所示之像 元區域的剩餘之區域A2曝光。然而，區域22内之區域A2 之照射量小於區域2 1内之區域A2之照射量。又，光罩6〇之 透光部61未通過之區域23内之像元區域之區域a2於該階段 中未曝光。 其次，使基板l〇a及平台沿-X軸方向移動，且返回至曝 光台32之近前之位置。又，使各曝光頭31沿仿軸方向移動 相當於1個曝光頭之距離。其結果，光罩6〇之中央區域係 與區域23相對應地配置，光罩60之重疊區域係與區域以相 對應地配置。而且，光罩60係配置於與第！曝光（2)時之位 置大致相同之位置。然而，與第丨曝光（2)時之位置相比， 光罩60係配置於在y軸方向上偏移相當於源極匯流排線12 之間距之一半之距離的位置。 161654.doc •26· 201235799 接著，如圖Π、12所示，一面使基板i〇a及平台沿+x軸 方向以等速移動，一面經由光罩60，自設置於基板i〇a之 表面上之光配向膜19之一端起至另一端為止照射偏光紫外 線（第2曝光（2))。此時，基板10a係以源極匯流排線12沿光 罩60之透光部61之長度方向的方式進行移動。該第2曝光 (2)之結果為，於光罩60之中央區域所通過之區域23内，使 像元區域之區域A2曝光。又，於光罩60之重疊區域所通過 之區域22内，使像元區域之區域A2再次曝光。如此，第2 曝光（1)及第2曝光（2)係照射相同之區域A2 »然而，區域22 内之由第2曝光（1)而得之區域A2之照射量、與區域22内之 由第2曝光（2)而得之區域A2之照射量的合計小於區域21内 之由第2曝光（1)而得之區域A2之照射量，且，小於區域23 内之由第2曝光（2)而得之區域A2之照射量。再者，光配向 膜19之一部分、且區域21、區域22及區域23内之位於區域 A2之部分係分別與上述第1部分、上述第2部分及上述第3 部分相對應。 根據以上内容，遍及基板l〇a之整個面曝光，而完成基 板1 〇a之光配向處理。而且，如圖13所示，於基板1 (^上形 成僅曝光1次之通常曝光部24、及曝光2次之曝光連接部 25。再者，光配向膜19之一部分、且位於通常曝光部24内 之部分係與上述第1及第3部分相對應，光配向膜19之一部 分、且位於曝光連接部25内之部分係與上述第2部分相對 應。 圖14係示意性地表示光罩60上所形成之圖案、與曝光步 161654.doc -27· 201235799 驟中之光罩60之配置位置的俯視圖。如圖14所示，光罩60 包含中央區域63及重疊區域64。重疊區域64之寬度為 10〜80 mm(較佳為3 0〜60 mm，例如45 mm)。重疊區域64内 所設置之透光部66(與上述第2透光部相對應）之長度y小於 中央區域63内所設置之透光部65(與上述第1透光部相對應） 之長度y0。又，隨著自中央區域63離開，透光部66之長度 y逐漸變短’藉此，透光部66之開口率逐漸減少。因此， ◊於第1曝光（1)或第2曝光（1)中通過相對較長之透光部66而 曝光之部分於第1曝光（2)或第2曝光（2)中係通過相對較短 之透光部66而曝光。透光部66之長度（開口率）較佳為按照 線性函數或三角函數而變化。又，於曝光連接部25内，以 第1曝光（1)與第1曝光（2)彼此、第2曝光與第2曝光（2)彼 此使同一部分（例如像元之同一單側之一半）曝光之方式， 設計光罩60。 再者’隨著自中央區域63離開而使透光部66之開口率逐 漸減少之方法並無特別限定，例如’可適當地採用專利文 獻3中所記載之方法。又’亦可為如下方法，即，以固定 地保持透光部66之長度之狀態對透光部66賦予陰影，且使 該陰影之濃度隨著自中央區域63離開而逐漸變濃。 圖1 5係表示通常曝光部24與曝光連接部25中之照射量之 圖表。通常曝光部24之照射量E0係與中央區域63内所設置 之透光部65之長度y〇成正比例，且不論位置χ如何均為固 定。由於曝光連接部25之照射量Ε係與重疊區域64内所設 置之透光部66之長度y成正比例，故而隨著自通常曝光部 161654.doc S: -28- 201235799 24離開而逐漸減少。由於曝光連接部μ係如上所述般曝光 2人故而曝光連接部25之合計照射量係第i曝光（1)之照射 里及第1曝光（2)之照射量之和、或第2曝光⑴之照射量及 第2曝光（2)之照射量之和。即，曝光連接部25之合計照射 量依存於各曝光之照射量，既存在具有最大值Emu之情 形，亦存在具有最小值Emin之情形。然而，於本實施形態 中，如上所述般以曝光連接部25之合計照射量小於通常曝 光P 24之A射量E0之方式，設計光罩6〇。藉此可有效地 抑制鄰接之通常曝光部24之間產生接縫。 圖16係對於圖丨丨及12中所示之曝光步驟後之基板，示意 I1生地表示各像元内之各種方向之關係之俯視圖。如圖16所 示，在第1曝光（1)、（2)與第2曝光（1)、（2)之間，偏光紫外 線之照射方向（亦可為光軸之方向）對於基板面之投影方向 A成為互相平行且相差18〇。之方向。又，在第i曝光（1)、 (2)與第2曝光⑴、（2)之間，基板之移動方向B成為互相平 行且相差180。之方向。其結果，在藉由第丨曝光（1)及/或第 1曝光（2)而曝光之區域A1、與藉由第2曝光（丨）及/或第2曝 光（2)而曝光之區域A2之間，光配向膜附近之液晶分子之 傾斜方向C成為互相平行且相差180。之方向。再者，如圖 17所示般，傾斜方向係指光配向膜附近之液晶分子仆之長 軸對於基板10之面之投影方向。又，傾斜角β係指液晶分 子4b之長軸與基板1〇之面所形成之角。又，於本實施形態 中，上述投影方向A與基板之移動方向B之關係於所有曝 光（第1曝光（1)、⑺及第2曝光⑴、⑺）中相同。 16】654.doc 29· 201235799 其次’說明對於彩色濾光片基板用之母玻璃基板l〇b之 曝光方法。 如圖1 8所示’彩色濾光片基板用光罩70具備與陣列基板 用光罩60大致相同之構成。即，隔開特定之間距Py而平行 地形成有複數個可供偏光紫外線通過的狹縫狀之透光部 71。間距Py係以與黑色矩陣16之間距（此處，於與陣列基 板重合之情形時，為與陣列基板之閘極匯流排線丨3平行之 邊之間距）相等之方式設定。又，透光部71之間距方向之 尺寸Ly係設定為黑色矩陣16之間距之約1/2之尺寸。又， 光罩70包含中央區域及重疊區域，重疊區域内所設置之透 光部之開口率小於中央區域内所設置之透光部之開口率。 接著’使用曝光裝置30使母玻璃基板l〇b曝光。由於對 於母玻璃基板1 Ob之曝光態樣係僅使基板之朝向相差9〇。， 其他方面均與對於陣列基板用之母玻璃基板1〇3之曝光態 樣大致相同，故而省略其詳細說明。其結果，區域B1係藉 由第1曝光（1)及/或第1曝光（2)而曝光，區域B2係藉由第2 曝光（1)及/或第2曝光（2)而曝光》 其後，將基板1 、1 Ob切斷為各面板區域，而製作陣列 基板1及彩色渡光片基板2。接著’進行實施過配向處理之 基板1、2之貼合步驟。於貼合步驟中，在一基板之邊緣區 域塗佈密封材料。其次，於將例如粒徑4 μιη之塑膠珠粒散 佈於塗佈有密封材料之基板上後，使兩基板貼合。接著， 如圖19所示’於兩基板1、2之間填充介電各向異性為負的 向列液晶材料’而形成液晶層3 ’藉此完成液晶顯示面 161654.doc -30- S； 201235799 板。 再者’亦可於液晶顯示面板之製作中採用如下製程。首 先，對於基板l〇a、10b中之一者，於各面板區域"之邊緣 區域塗佈密封材料。其次，於另一基板表面，以特定之間 距呈點狀滴下介電各向異性為負的向列液晶材料。接著， 將經如此處理後之兩基板於真空環境下貼合。單元厚度係 由預先設置於彩色滤光片基板用之母玻璃基板_上之感 光性間隔件而控制，例如収為4叩。其後，使密封材料 硬化，且切斷為各面板從而完成液晶顯示面板。 液晶層3内之液晶分子4於未對液晶層3施加驅動電壓時 (未施加電塵a夺），係沿相對於光配向膜i 9之表面大致垂直 方向配向貫際上，此時液晶分子4係相對於光配向膜 19之表面之法線方向自〇1。左右至數。左右略微傾斜地配 向。即，液晶分子4係以具有略微之預傾角之方式，藉由 光配向膜19而配向。再者，所謂預傾角，係指未施加電壓 時之傾斜角。 圖20係示意性地表示各像元内之液晶分子之配向方向之 圖。若如上所述般將經過配向處理之陣列基板及彩色濾光 片基板貼合而構成液晶顯示面板，則液晶分子沿著對各基 板之各區域所貫知之配向處理之方向，即偏光紫外線之照 射方向進行配向。其結果，如圖20所示，陣列基板附近之 液晶分子之傾斜方向（圖2 〇中之虛線箭頭）、與彩色濾光片 基板附近之液晶分子之傾斜方向（圖2〇中之實線箭頭）彼此 大致正交。而且，於各像元内形成有液晶分子之配向方向 16I654.doc •31 - 201235799 各不相同之4個域D1〜D4。於各域内，液晶分子扭轉大致 90°而配向。又，於各域内，液晶分子於對液晶層3施加有 閾值以上之充分之驅動電壓時（施加電壓時），向將兩基板 之傾斜方向2等分之方位傾斜。例如，位於離兩基板表面 為等距離之位置上的液晶分子4a於施加電壓時向45。方 位、135°方位' 225。方位、或315。方位傾斜。又，液晶分 子4a傾斜至相對於.兩基板之面大致平行之方向。 其次，如圖19所示，於基板〗、2之外側黏貼2片相位差 板7a、7b、及2片偏光板6a、0b ^再者，亦可不設置相位 差板7a、7b，但就實現廣視角之觀點而言，較佳為設置相 位差板7a、7b。又，亦可僅配置相位差板7a、7b中之一 者。偏光板6a、6b係配置為正交偏光。又，偏光板以、补 中之一者係以其吸收軸與陣列基板附近之液晶分子之傾斜 方向（圖20中之虛線箭頭）平行的方式而配置，另一者係以 其吸收軸與彩色濾光片基板附近之液晶分子之傾斜方向 (圖20中之實線箭頭）平行的方式而配置。如上所述，由於 在未細•加電壓時，液晶分子大致垂直配向，故而本實施形 態之液晶顯示面板可實現良好的黑色顯示（正常顯黑模 式）°又’由於本實施形態之液晶顯示面板包含4個域，且 4個域之液晶分子於各不相同之4個方向上作出回應，故而 可表現出幾乎不依存於視角方向之顯示特性。 圖21表不於實施形態1之液晶顯示面板中，模擬1個像元 令之7^度所得之結果。如圖2 1所示，於實施形態1之液晶 ·’’’員不面板中’ 4個域D1〜D4内之液晶分子4a之傾斜方向互 161654.doc

•32· 201235799 相成大致90°之角度。因此，於不同域之邊界上，液晶分 子4a以使向各不相同之方向傾斜之液晶分子4a連續地連接 之方式配向。又’ 4個域D1 ~D4内之液晶分子4a之傾斜方 向係相對於偏光板6a、6b之吸收抽方向相差大致45。。其 結果’不同域之邊界上之液晶分子4a之配向方位係成為與 偏光板6a之吸收軸方向、或偏光板6b之吸收軸方向大致相 同或大致正交之方位。因此，於不同域之邊界上，穿透下 側之偏光板6a之偏光中不會產生由液晶分子所導致之延遲 (相位差）。即，穿透下側之偏光板63之偏光於液晶層3中不 5：任何影響’且穿透下側之偏光板6a之偏光無法穿透上側 之偏光板6b。其結果，於不同域之邊界產生亮度較低、較 暗之線，即暗線。 再者，於圖20、21中，表示於自彩色濾光片基板側觀察 面板時，以產生倒卍狀之暗線之方式設定液晶分子之配向 方向之情形，但液晶分子之配向方向亦可如圖37〜39所示 般設定。於圖37〜39中，虛線箭頭係表示陣列基板附近之 液晶分子之傾斜方向’實線箭頭係表示彩色遽光片基板附 近之液晶分子之傾斜方向。㈣彩色滤光片基板側觀察面 板時’圖37中所不之情形時產生出狀之暗線，圖38中所示 之It形¥產生8字狀之暗線，圖39中所示之情形時產生倒8 字狀之暗，耒。Λ ’如圖26等所示，亦可將i個像元區域分 割為2個區域，且於各區域内形成4個域。 ”後可經由通常之模組製造步驟而完成實施形態1之 液晶顯示裝置。 16I654.doc •33- 201235799 本貫施形態之液晶gg -赴 ^ 不裝置為4域之VATN模式。根據4 域之VATN模式，可藉由料^ 爆4 由對基板1〇a、10b分別照射2次，合 計進行4次照射而形成4個 ,,^ 個域。因此，可實現裝置台數之削 減與配向處理時間之縮4 、 '、紐（產距時間之縮短）。又，就實現 液晶顯示裝置之廣視角化 化之觀點而言，將1個像元分割為4 個域係較佳之形態。進而，

^ 了則減用以形成如先前之MVA 模式專般包含配向控也丨播& & 役制構造物之液晶模式中所必需之肋 (突起）等配向控制構造物的光罩，即光微影步驟，h 果’可實現製造製程之簡化。再者，於使】個像素〇個子 像素）分割為2個域之情形時，對於例如上下或左右之中的 一個方向可實現廣視角化，但無法提高另一方向之視角特 性。又’亦可使域增加至5個以上，但因製程會變得繁 雜，且處理時間亦變長，故而欠佳。進而，亦可知在有4 個域及其以上之域之情況下，視角特性在實用中並無顯著 差異。 作為本實施形態中可使用之材料及所適應之製造製程中 之條件，可進行如下列舉。然而’本實施形態中可使用之 材料及條件並不限定於下述内容。又，曝光中所使用之光 線之種類並不特別限定為偏光紫外線，可根據配向膜材 料、製造製程等而適當地進行設定，亦可為無偏光（淬滅 比=1:1)。 •液晶材料：包含Δη(雙折射）=0.06〜0.14、&(介電各向異 性）=-2.0〜-8.0、Tni(向列-各向同性相轉移溫度户的〜丨l〇t 的向列液晶。 161654.doc •34· 201235799 •預傾角：85〜89.9° .單元厚：2〜5 μηι •照射能量密度：0.01〜5 J/cm2 •近接間隙：100〜300 μηι •光源：低壓水銀燈、高壓水銀燈、氘燈、金屬卣化物 燈、氬氣共振燈、氙氣燈、準分子雷射 •紫外線之淬滅比（偏光度）：1 : 1〜6〇 : 1 •备、外線之照射方向.自基板面法線方向偏移〇〜7〇。（例如 40°)之方向 如以上所說明般，於本實施形態中，以曝光連接部之合 計照射量小於通常曝光部之照射量Ε〇之方式實施曝光處 理。藉此，可有效地抑制鄰接之通常曝光部之間產生接 縫。 吊識性或直覺上認為，於將通常曝光部之照射量Ε〇設為 100%之情形時’應使曝光連接部之合計照射量為1〇〇%。 即，係於圖14及圖15中曝光連接部之合計照射量不論位置 X如何均固疋地设為1 〇〇%之情形。因此，本發明者等人試 製出如下面板。 3式製時於彩色濾光片基板上進行曝光連接部之合計照射 里之调整。為使操作簡單，於陣列基板上不進行連接曝光 而進行總括曝光。即，使陣列基板之整個面總括地曝光。 又，陣列基板中之第1曝光及第2曝光之方位係設為左右方 向0 如圖22所不，於試製中’使用設有包含光罩7〇之複數個 16l654.doc •35· 201235799 曝光頭之曝光裝置。試製面板上，於4個通常曝光部24之 間產生有合計3個曝光連接部25。又，如圖23所示，於各 光罩70中設置中央區域73及重疊區域74，於中央區域73内 設置長度彼此相同之透光部75(與上述第！透光部相對應）， 於重疊區域74内設置透光部76(與上述第2透光部相對應）， 透光部76之長度係以隨著自中央區域73離開而逐漸變短之 方式進行設定。又，於曝光連接部中，以第丨曝光（丨）與第i 曝光（2)彼此、第2曝光（1)與第2曝光（2)彼此使同一部分（例 如像元之同一單側之一半）曝光之方式，設計光罩7〇。 接著，於面板試製中，使用以下3種光罩作為光罩7〇， 而製作面板1〜3。第1光罩係以曝光連接部之合計照射量固 定地為1 00%之方式進行設計。第2、第3光罩係以曝光連 接部之合計照射量高於100%之方式進行設計，且第2光罩 係以曝光連接部之最大照射量。以為125%之方式進行設 計，第3光罩係以曝光連接部之匕以為15〇%之方式進行設 計。 針對試製面板1〜3中，對於藉由目測來評價曝光連接部 之外觀所得之結果進行說明。如圖24所示，自正面方向、 左右方向（0。或180。方位）、上下方向（9〇。或27〇。方位）觀察 . 试製面板1〜3。以下表示所獲得之結果（丨）〜(4)。 (1) 若自正面方向進行觀察，則遍及所有色調均無法目 測到曝光連接部2 5。 (2) 若於左右方向（〇。或·。方位）上傾斜地進行觀察則 可觀察到於灰階（低色調）下’曝光連接部25呈短條狀且較 -36 - I61654.doc

201235799 通常曝光部24明亮。 (3) 若於上下方向（90。或270。方位）上傾斜地進行觀察， 則可觀察到於低色調下曝光連接部25呈短條狀且亮度較通 常曝光部24暗。 (4) 上述外觀之程度按照ι5〇%、ι25%、1〇〇%之順序變 輕’但即便於i 〇〇%之情形時亦可目測到曝光連接部25。 於圖25中表示對於在左右方向（0。或18〇。方位）上自傾斜 60之方向觀察之亮度不均進行測定所得之結果。該測定 係沿橫向一面以亮度計進行掃描一面進行測定。如圖25所 不，亮度計之測定中亦再現了上述目測結果之傾向。 即’可以說於100%時對於曝光連接部之曝光仍然過剩。 圖2 6係對於試製面板1〜3 ’示意性地表示位於通常曝光 部之各像元内之液晶分子之配向方向的圖。圖27係對於試 製面板1〜3，示意性地表示位於曝光連接部之各像元内之 液晶分子之配向方向的圖。於圖26、27中，實線箭頭表示 彩色濾光片基板上之傾斜方向，虛線箭頭表示陣列基板上 之傾斜方向。於通常曝光部中，陣列基板上之傾斜角與彩 色遽光片基板上之傾斜角大致相等，如圖2 6所示，液晶分 子向將兩基板之傾斜方向2等分之方位傾斜。相對於此， 可推測，於曝光連接部中在施加電壓時液晶分子係向彩色 濾光片基板上之傾斜方向拉伸而傾斜。亦即，可認為，於 曝光連接部中即便合計照射量為1〇〇%，傾斜角亦低於通 常曝光部。因此，如圖27所示，認為，自左右方向觀察 h ϋ更傾向於觀察液晶分子之中間部分（相位差較大之 I61654.doc •37· 201235799 部分），看起來較通常曝光部明$ ;自上下方向觀察時， 係更傾向於觀察、液晶分+之頂端^分（相位差較小之部 分）’看起來亮度較通常曝光部暗。 由該試製之結果才瞭解到，尤其是於掃描曝光方式中， 必需使曝光連接部之合計照射量相對於通常曝光部之照射 量之比例（百分比）小於1 〇〇〇/〇。 為了發現曝光連接部之最佳合計照射量，而試製使合計 照射量小於100%且細微地分佈之面板4〜13 (Emin=74.8〜95.8%)。此處係於陣列基板側實施連接曝光。 與之前之試製不同，此處將陣列基板分割為6個區域，且 沿縱向進行掃描曝光.即，於本試製中’如圖28所示，存 在5個曝光連接部25。再者，曝光連接部25之寬度係設定 為 45 mm 〇 如圖29所不，對於各面板，於左右方向上自傾斜方向不 經由ND(Neutral Density，中性密度）濾光器，或經*ND濾 光器，對於曝光連接部2 5進行目測觀察。將其結果示於下 述表1。觀察係於最易於觀察到曝光連接部之色調即32色 調下進行。於隔著ND濾光器進行之評價中，將隔著Nd濾 光器而無法目測到接縫之情形設為〇Κ，將可目測到之情 形設為NG ^即，例如，所謂ND1%OK，係指隔著1%ND濾 光器而無法觀察到曝光連接部；所謂ND3%NG，係指隔著 3 %ND遽光器而可觀察到曝光連接部》再者，nd值越小， 則來自濾光器之穿透光量越下降。 I6l654.doc .38, S； 201235799 [表i] ND濾光器判定 曝光連接部之合計 照射量(％) 於連接部之左右方向上 自傾斜方向所見之外觀 OK NG 74.8 暗 ND1% ND3% 76.9 暗 ND1% ND3% 78.9 暗 ND1% ND3% 81.0 暗 ND1% ND3% 83.1 暗 ND1% ND3% 85.2 暗 ND1% ND3% 87.3 稍暗 ND3% ND5% 91.5 略微暗 ND10% 肉眼 93.6 無法觀察到 肉眼 一 95.8 略微明亮 ND10% 肉眼 圖30係對於試製面板4〜13，示意性地表示位於通常曝光 部之各像元内之液晶分子之配向方向的圖。圖3 1係對於試 製面板4〜13，示意性地表示位於曝光連接部之各像元内之 液晶分子之配向方向的圖。於圖30、3 1中，實線箭頭表示 彩色濾光片基板上之傾斜方向，虛線箭頭表示陣列基板上 之傾斜方向。對於任一面板，於通常曝光部中，陣列基板 上之傾斜角與彩色遽光片基板上之傾斜角均大致相等，如 圖3 0所示，液晶分子向將兩基板之傾斜方向2等分之方位 傾斜。例如於曝光連接部之最小照射量為74.8%之情形 時，於左右方向上自傾斜方向觀察到曝光連接部較暗。認 為其原因在於，於74.8%時曝光連接部之照射量不足，在 陣列基板上，曝光連接部之傾斜角高於通常曝光部之傾斜 角，而於施加電壓時液晶分子會向彩色濾光片基板側之傾 斜方向拉伸而傾斜。其結果，如圖3 1所示，認為於在左右 方向上自傾斜方向觀察時係自液晶分子之頂端部分（相位 差更小之部分）觀察，而看起來較曝光連接部以外更暗。 161654.doc -39· 201235799 右為85.2<Emin<100之範圍，則曝光連接部看起來略微 暗，但為ND3%OK級別，故而為實際使用上可容許之範圍 内。又，若為91.5SEmin^95.8之範圍，則為nd1〇q/()〇k級 別，可以說是不存在任何問題之合格面板。根據此次之結 果，可以說，於本實施形態中，曝光連接部之合計照射量 之範圍較佳為85<Emin<100，更佳為91 $ Emin$ 96。 再者，於本實施形態中，已對包含i個台32之曝光裝置 30進行了說明，但曝光裝置3〇亦可具有複數個台。例如， 亦可分別對第1曝光（1)、第1曝光（2)、第2曝光（丨）、第2曝 光（2)設置台。 (實施形態2) 本貫施形態中除使用之曝光裝置不同，且曝光步驟之態 樣不同之方面以外’其他方面與實施形態1幾乎均相同。 如圖32所示’本實施形態之曝光裝置具備包含複數個曝 光頭231之曝光台232。各曝光頭231包含用於第1曝光（1)、 (2)之光源及光學構件、用於第2曝光（1)、（2)之光源及光學 構件、及光罩25 0。各光罩25 0中形成有用於第1曝光（丨）、 (2)之透光部圖案25 la、及用於第2曝光（1)、（2)之透光部圖 案25 1 b。如圖33所示’透光部圖案25 1 a、25 1 b例如係互相 偏移相當於像元間距之一半之距離而配置。光罩250包含 中央區域253及重疊區域254。重疊區域254内所設置之透 光部之長度係隨著自中央區域253離開而逐漸變短。 接著，如圖32、34所示，將自用於第1曝光（1)、⑺之光 源所生成之偏光紫外線照射於透光部圖案25 1 a，且將自用 161654.doc .40-

S 201235799 於第2曝光（1)、（2)之光源所生成之偏光紫外線照射於透光 部圖案251b，於此狀態下’使基板1〇通過光罩25〇之下 方。該等偏光紫外線係自互相相反之方向照射。藉此，可 同時地實施第1曝光（1)及第2曝光（1)，又，可同時地實施 第1曝光（2)及第2曝光（2)。即，僅藉由進行合計2次之掃描 曝光而完成基板10之配向處理。 再者，於本實施形態中’如圖35所示，在第1曝光（1)、 (2)與第2曝光（1)、（2)之間’偏光紫外線之照射方向對於基 板面之投影方向A、與基板之移動方向B的關係彼此不 同，光配向膜附近之液晶分子之傾斜方向C與實施形離、i之 情形相同。 又，本實施形態之曝光裝置亦可包含複數個台。例如， 亦可設置用於第1曝光（1)及第2曝光（1)之台、與用於第1曝 光（2)及第2曝光（2)之台。 (實施形態3) 本實施形態中，除使用之曝光裝置不同，且曝光步驟之 態樣不同之方面以外，其他方面與實施形態1、2幾乎均相 同。 於本實施形態之曝光裝置中，如圖36所示，各曝光頭包 含光罩350及遮光構件356。光罩350中形成有相同長度之 複數個透光部35 1，以使透光部35 1之開口率逐漸減少之方 式，由遮光構件356將端側之透光部351之一部分遮蔽。 根據本實施形態，與實施形態1、2同樣地，亦可使曝光 連接部之合計照射量小於通常曝光部之照射量。 161654.doc 41 201235799 作為遮光構件3 5 6 ’只要為將來自光源之一部分光阻斷 之構件即可，例如，可適當地選擇光閘、遮光器等。又， 亦可於構件356中設置使遮光構件356之配置位置機械性地 可調之機構，於此情形時具有可容易地調整曝光連接部之 照射量之優點。 本申請案係以於2011年1月24日申請之日本專利申請案 2011-012391號為基礎’且主張基於巴黎條約或轉交之國 家之法規的優先權。該申請案之全部内容以參照之形式併 入本申請案中。 【圖式簡單說明】 圖1係使用實施形態1之液晶顯示裝置之製造方法之母玻 璃基板之平面示意圖。 圖2係示意性地表示使用實施形態1之液晶顯示裝置之製 造方法之母玻璃基板（陣列基板）之像元區域的立體圖。 圖3係示意性地表示使用實施形態1之液晶顯示裝置之製 造方法之母玻璃基板（彩色滤光片基板）之像元區域的立體 圖。 圖4係表示實施形態1之曝光裝置之主要部分之示意圖， 且係自上方觀察之圖式。 圖5係表示實施形態1之曝光裝置之主要部分之示意圖， 且係自側方觀察之圖式。 圖6係示意性地表示使用實施形態1之液晶顯示裝置之製 造方法之光罩的立體圖。 圖7係示意性地表示使用實施形態1之液晶顯示裝置之製 161654.doc ^

S 201235799 造方法之光罩的俯視圖。 圖8係示意性地表示對於使用實施形態1之液晶顯示裝置 之製造方法之母玻璃基板之光配向處理的立體圖。 圖9係表示對光配向膜之照射量、與液晶分子之預傾角 • 之關係之圖表。 • 圖10係表示於實施形態1之液晶顯示裝置之製造方法 中’陣列基板用光罩與形成於陣列基板用母玻璃基板上之 圖案之尺寸及位置之關係的圖式。 圖11係示意性地表示實施形態1之液晶顯示裝置之製造 方法中之曝光步驟之圖，且係自側方觀察之圖式。 圖12係示意性地表示實施形態1之液晶顯示裝置之製造 方法中之曝光步驟之圖，且係自上方觀察之圖式。 圖13係示意性地表示使用實施形態1之液晶顯示裝置之 製造方法之陣列基板用母玻璃基板的俯視圖，且表示曝光 步驟後之狀態。 圖14係對於使用實施形態1之液晶顯示裝置之製造方法 之陣列基板用光罩，示意性地表示光罩上所形成之圖案、 與曝光步驟中之光罩之配置位置的俯視圖。 圖15係表示於實施形態1之液晶顯示裝置之製造方法 中’通常曝光部與曝光連接部中之照射量之圖表。 圖16係對於圖11及12中所示之曝光步驟後之基板，示意 性地表示各像元内之各種方向之關係之俯視圖。 圖17係示意性地表示液晶分子之傾斜方向及傾斜角之圖式。 圖18係表示於實施形態丨之液晶顯示裝置之製造方法 16l654.doc •43- 201235799 中，彩色濾光片基板用光罩與形成於彩色濾光片基板用母 玻璃基板上之圖案之尺寸及位置之關係的圖式。 圖19係示意性地表示實施形態1之液晶顯示面板及液晶 顯示裝置之剖面圖。 圖20係對於實施形態1之液晶顯示面板，示意性地表示 各像元内之液晶分子之配向方向之圖式。 圖2 1表示於實施形態1之液晶顯示面板中，模擬1個像元 中之亮度所得之結果。 圖22係示意性地表示面板試製中之曝光步驟之圖，且係 自上方觀察之圖式。 圖23係對於面板試製中所使用之彩色濾光片基板用光 罩’示意性地表示光罩上所形成之圖案、與曝光步驟中之 光罩之配置位置的俯視圖。 圖24係用以說明藉由目測來評價試製面板ι〜3之曝光連 接部之外觀之方法的平面示意圖。 圖2 5係表示§式製面板1〜3之党度不均之測定結果之圖 像。 圖26係對於試製面板1〜3，示意性地表示位於通常曝光 部之各像元内的液晶分子之配向方向的圖式。 圖27係對於試製面板1〜3 ’示意性地表示位於曝光連接 部之各像元内的液晶分子之配向方向的圖式。 圖28係示意性地表示試製面板4〜13之俯視圖。 圖29係用以說明藉由目測來評價試製面板4〜13之曝光連 接部之外觀之方法的立體示意圖。 -44- 161654.doc

S 201235799 圖30係對於試製面板4〜13，示意性地表示位於通常曝光 部之各像元内的液晶分子之配向方向的圖式。 圖31係對於試製面板4〜13，示意性地表示位於曝光連接 部之各像元内的液晶分子之配向方向的圊式。 圖32係示意性地表示實施形態2之液晶顯示裝置之製造 方法中之曝光步驟之圖，且係自上方觀察之圖式。 圖33係對於使用實施形態2之液晶顯示裝置之製造方法 之光罩’示意性地表示光罩上所形成之圖案、與曝光步驟 中之光罩之配置位置的俯視圖。 圖34係示意性地表示實施形態2之液晶顯示裝置之製造 方法中之曝光步驟之圖，且係自側方觀察之圖式。 圖35係對於圖32及34中所示之曝光步驟後之基板，示音 性地表示各像元内之各種方向之關係的俯視圖。 圖36係表示實施形態3之曝光裝置之主要部分之平面示 意圖。 圖3 7係對於實施形態}之變形例1之液晶顯示面板，示音 性地表示各像元内之液晶分子之配向方向的圖式。 圖38係對於實施形態1之變形例2之液晶顯示面板，示音 性地表示各像元内之液晶分子之配向方向的圖式。 圖39係對於實施形態1之變形例3之液晶顯示面板，示意 性地表示各像元内之液晶分子之配向方向的圖式。 【主要元件符號說明】 1 陣列基板 2 彩色濾光片基板 161654.doc •45· 201235799 3 液晶層 4 液晶分子 4a 液晶分子 4b 液晶分子 6a 偏光板 6b 偏光板 7a 相位差板 7b 相位差板 10 母玻璃基板 10a 陣列基板用之母玻璃基板 10b 彩色濾光片基板用之母玻璃基板 11 面板區域 12 源極匯流排線 13 閘極匯流排線 14 薄膜電晶體 15 像元電極 16 黑色矩陣 17 彩色j慮光片 18 區域 19 光配向膜 21 區域 22 區域 23 區域 24 通常曝光部 161654.doc -46- 曝光連接部 曝光裝置 曝光頭 曝光台 平台 紫外線光源 攝像機構 近接間隙 光罩 透光部 遮光部 中央區域 重疊區域 透光部 透光部 陣列基板用光罩 透光部 中央區域 重豐區域 透光部 透光部 彩色遽光月基板用光罩 透光部 中央區域 -47- 201235799 74 重疊區域 75 透光部 76 透光部 231 曝光頭 232 曝光台 250 光罩 251a 透光部圖案 251b 透光部圖案 253 中央區域 254 重疊區域 350 光罩 351 透光部 356 遮光構件 A 偏光紫外線之照射方向對於基板面之投影方向 A1 區域 A2 區域 B 基板之移動方向 B1 區域 B2 區域 C 傾斜方向 D1 域 D2 域 D3 域 D4 域 161654.doc -48 ·

Claims (1)

1. 201235799 七、申請專利範圍： 1. 一種曝光裝置，其特徵在於：其係一面使表面設置有光 配向膜之基板相對於曝光之光進行相對移動一面使上述 光配向膜曝光者， • 上述曝光裝置進行使上述光配向膜之第1部分及第2部 力曝光之第1曝光、及使上述光配向膜之第3部分曝光並 且使上述第2部分再次曝光之第2曝光； 上述第2部分位於上述第1部分及上述第3部分之間； 以上述第2部分之照射量小於上述第〖部分之照射量之 方式，進行上述第1曝光； 以上述第2部分之照射量小於上述第3部分之照射量之 方式，進行上述第2曝光； 上述第1曝光之上述第2部分之上述照射量、及上述第 2曝光之上述第2部分之上述照射量的合計係設定為小於 上述第1部分之上述照射量、及上述第3部分之上述照射 量中之任一者。 2·如請求項1之曝光裝置，其令於將上述第1部分之上述照 射羞及/或上述第3部分之上述照射量設為i 〇〇%時， 上述第2部分之上述照射量之合計之最小值大於85 2% 且小於100%。 3. 如請求項2之曝光裝置，其中上述第2部分之上述照射量 之合計之最小值為91 %以上且96%以下。 4. 如請求項】至3中任一項之曝光裝置，其中上述曝光裝置 係使紫外線自相對於上述基板之面之法線傾斜之方向入 161654.doc 201235799 射者。 5.如請求項4之曝光裝置，其中上述紫外線為偏光紫外 線。 6. 如請求項丨至4中任一項之曝光裝置，其中上述曝光裝置 包含光罩’該光罩包含遮光部及複數個透光部； 經由上述光罩使上述光配向膜曝光。 7. 如請求項6之#光裝置，纟中上述遮光部及上述複數個 透光部係配置為條紋狀。 8. 如响求項7之曝光裝置，其中上述複數個透光部之長度 方向之方位、與上述基板之相對移動方向之方位實質上 相同。 9.如請求項6至8中任一項之曝光裝置，其中上述光罩包含 與上述第1部分及/或上述第3部分相對應地設置之複數個 第1透光部、及與上述第2部分相對應地設置之複數個第 2透光部； 各第2透光部之開π率小於各第1透光部之開口率。 10.如請求項9之曝光裝置，其中上述複數個第2透光部之開 口率隨著自上述複數個第i透光部離開而減少。 U.如請求項1G之曝光裝置，其中上述複數個第2透光部之 開口率之變化係由線性函數或三角函數表示。 12·如請求項10或 — — κ τ丄必後跃Ί回乐 部之長度隨著自上述複數個釣透光部離開而變短。 13.如請求項6至12中任一項之曝光裝置，其中於上述 及上述基板之間設置有近接間隙。 161654.doc 201235799 14.如請求項1至13中任一項之曝光裝置，其包括讀取上述 基板之圖案的攝像機構。 15·如印求項14之曝光裝置，其一面讀取上述基板之圖案一 面控制上述基板相對於曝光之光之相對移動方向。 - 16. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係使用如請求項i • 至15中任一項之曝光裝置製作而成。 17.如凊求項16之液晶顯示裝置，其中以垂直配向扭轉向列 (Verticcal Angn Twisted Nematic，VATN)模式而驅動。 18·如請求項16或17之液晶顯示裝置，其包含2個以上之 域。 19. 一種液晶顯示裝置之製造方法，其特徵在於：其包含曝 光步驟，該曝光步驟係一面使表面設置有光配向膜之基 板相對於曝光之光進行相對移動一面使上述光配向膜曝 光， 於上述曝光步驟中，進行使上述光配向膜之第1部分 及第2部分曝光之第1曝光、及使上述光配向膜之第3部 分曝光並且使上述第2部分再次曝光之第2曝光； 以上述第2部分之照射量小於上述第1部分之照射量之 方式，進行上述第1曝光； 以上述第2部分之照射量小於上述第3部分之照射量之 方式’進行上述第2曝光； 上述第1曝光中之上述第2部分之上述照射量、及上述 第2曝光中之上述第2部分之上述照射量的合計係設定為 小於上述第1部分之上述照射量、及上述第3部分之上述 161654.doc 201235799 照射量中之任一者。 其包括形成垂 2 〇.如请求項19之液晶顯示裝置之製造方、去 直配向型之液晶層之步驟。 21. 如請求項1 9或20之液晶顯示裝置之釦 、方法，里句括报 成含有介電各向異性為負的液晶材料 '、 * 1, 之液晶層之步驟。 22. 如知求項19至21中任一項之液晶顯示 "ϊχ 土告 、、太， 其包括如下步驟：將藉由上述曝光步 / 哪進仃曝光處理後 之2片基板，以曝光之光之照射方向 ^打於该基板之面之 投影方向彼此大致正交之方式進行貼合。 23.如請求項19至22中任一項之液晶顯示裝置之製造方法， 其包括如下步驟：以於俯視上述基板時，各像素内形成 互相沿反平行方向曝光之2個區域之方式，使上述光配 向膜曝光。 24. —種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係使用如請求項19 至23中任一項之液晶顯示裝置之製造方法而製作。 161654.doc