TW201226415A - Amine-containing phosphine compound - Google Patents

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TW201226415A
TW201226415A TW100138738A TW100138738A TW201226415A TW 201226415 A TW201226415 A TW 201226415A TW 100138738 A TW100138738 A TW 100138738A TW 100138738 A TW100138738 A TW 100138738A TW 201226415 A TW201226415 A TW 201226415A
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Norifumi Kobayashi
Hideyuki Higashimura
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Sumitomo Chemical Co
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Description

201226415 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種含胺之膦化合物。 【先前技術】 作為電洞之注入性及/或傳輸性優異之材料,廣泛認為 較淺之HOMO(最高占據執道,Highest Occupied Molecular Orbital)能級之材料的前景較佳。為實現較淺之HOMO能 級,對具有電子供應性較強之胺部位之化合物進行了各種 研究。此處,較淺之HOMO能級係指能量之絕對值較小之 HOMO能級。 另一方面,作為用以形成金屬錯合物之配位子,膦系配 位子廣為人知。尤其是,於配位子中具有2個膦部位且膦 部位可以螯合型配位之配位子可形成穩定之錯合物(非專 利文獻1)。 先前技術文獻 非專利文獻 非專利文獻 1 : J. Organomet. Chem. 694,538-545 (2009) 0 【發明内容】 發明欲解決之問題 根據以上内容,可認為,對於電洞之注入性及/或傳輸 性優異且可形成電洞之注入性及/或傳輸性優異之金屬錯 合物的配位子,於具有可雙牙配位之膦部位之骨架上具有 胺部位的化合物之有用性較佳。 但,公知之化合物由於胺部位為烧基胺結構,故配位鍵 159665.doc 201226415 之鍵結力較強’由於[1]難以形成於膦部位選擇性地配位之 金屬錯合物’或[2] 2個膦部位難以立體地接近或朝向不同 之方向,故而為難以以螯合型配位之結構。 解決問題之技術手段 為解決上述問題,本發明者等人努力研究了各種化合 物’結果完成本發明。 本發明提供一種如下述[1]〜[6]之化合物、如下述[7]之 金屬錯合物、及如下述[8]之發光元件。 [1] 一種化合物,其係下述式(A)所表示者: [化1]
(A) (式中, 各個Q1為 [化2] —、 /P(=〇)—或〉P(=s)—; 2個Q1可相同亦可不同; R1為可具有取代基之2價有機基; 各個R11為可具有取代基之烴基;鍵結於同一個Ql上之2 個R11亦可與該等所鍵結之Qi—起形成環;4個1^11可相同亦 可不同; 選自R1及4個之至少丨個基具有二芳基胺基作為取代 基)。 159665.doc 201226415 [2]如上述[1]之化合物’其中Qi為 [化3] [3]如上述[1]或[2]之化合物,其中Ri係可具有取代基之 下述式rl'~rl2·中之任一者所表示之基: [化4]
(式中, Y3係-(C(R53)2)n-、-0-、-S-、-N(R52)-或-Si(R53)2-所表示 之2價基; η為1或2 ; R52為可具有取代基之碳原子數6〜18之芳基; 各個R53為氫原子、或可具有取代基之碳原子數丨〜18之 烴基;複數之R53可相同亦可不同)。 [4]如上述[1]〜[3]中任一項之化合物’其中R"為可具有 159665.doc -6 · 201226415 取代基之芳基。 [5] 如上述[1]〜[4]中任一項之化合物,其中選自Ri及4個 R11之至少3個基具有二芳基胺基作為取代基。 [6] 如上述[1]〜[5]中任一項之化合物,其中二芳基胺基為 一苯基胺基。 [7] —種金屬錯合物’其係包含如上述[1]~[6]中任一項之 化合物者。 [8] —種發光元件,其含有如上述[丨]〜[6]中任一項之化合 物及/或如上述[7]之金屬錯合物。 發明之效果 本發明之化合物之HOMO能級較淺,且可於2個膦部位 對金屬進行螯合型配位,可形成HOMO能級較淺之金屬錯 合物。即,本發明之化合物之電洞之注入性及/或傳輸性 優異’且藉由使用本發明之化合物,可實現電洞之注入性 及/或傳輸性優異之金屬錯合物。 【實施方式】 以下說明本發明。 於本說明書中,Me表示甲基、t_Bu表示第三丁基、外表 示苯基、t-Oct表示1,1,3,3-四曱基丁基。 本發明提供一種下述式(A)所表示之化合物。 [化5]
R” V1 (A) 159665.doc 201226415 (式中, 各個Q1為 [化6] /P —、p(~〇)—或〉p(=s)—. 2個Q1可相同亦可不同; R1為可具有取代基之2價有機基; 各個R丨1為可具有取代基之烴基;鍵結於同一個q丨上之2 個R亦可與言亥等所鍵結之^一起形成環;相同亦 可不同; 二芳基胺基作為取代 選自R1及4個R11之至少1個基具有 基)。 此處’所謂「可具有取代基」’換言之係表示「可經取 代」。例如,「可具有取代基之2價有機基」與「可經取 代之2價有機基」同義,係指2價有機基中之氫原子的一部 分或全部可經取代基取代之2價有機基。又,「可具有取 代基之烴基」與「可經取代之烴基」同義,係指烴基中之 氫原子之一部分或全部可經取代基取代之烴基。關於取代 基,如下所述。 式(A)所表不之化合物之碳原子數通常為2〇〜35〇,較佳 為25〜300,更佳為3〇〜25〇,進而較佳為35〜2〇〇,特佳為 40〜150 » Q1為 [化7] 159665.doc 201226415 :P- p(=〇)—或夕 p(=s) — 較佳為 [化8] >一或二p(=0)—, 更佳為 [化9] >-。 2個Q1各自可相同亦可不同,但較佳為相同。 作為Ri所表示之2價有機基’例如可列舉:2價烴基、將 2㈣基與七-及/或-s'组合而成之2價基、下述式rl〜rl2中 之任一者所表示之基。 2價煙基、將2價烴基與及/或_s_組合而成之2價基、 下述式Η〜rl2中之任一者所表示 也 土 T <風原子亦可經取 代。 2價烴基可為直鏈、支鏈或環狀之任 通常為㈣。作為2價烴基, 甲原子數 i# 〜平.甲二基、乙二 基、丙二基、丁二基、戊二 等碳原子數】〜觀烧二基;乙烯^基庚二基、辛二基 基、戊稀二基、己稀二基、丁烯二 數2〜30之烯烴二基;乙炊— 一基等碳原子 U所—基、丙恤一 块二基、己块二基A、丁快二基、戊 之块煙二基’·環丙二基、二、辛快二基等碳原子㈣ 基、環庚二基、環辛二基等碳原;;:=:、:己二 環烷二基;笨 159665.doc 201226415 二基、茚二基、萘二基、聯苯二基、蒽二基、帛二基、菲 二基等碳原子數6〜3G之芳烴:基。2價烴基之碳原子數較 佳為2〜30,更佳為4〜30,進而較佳為6〜25,特佳為6〜2〇。 將2價烴基與-〇-及/或-s_組合而成之2價基係上述2價烴 基與-Ο-及/或-S-鍵結而成之基。作為此種2價基,例如可 列舉:2價烴氧基、2價烴硫基、氧烴硫基、硫烴氧基。此 種2價基中的烴之定義、例及較佳例與上述2價烴基之說明 相同。 式rl〜rl2中之任一者所表示之基如下所示。 [化 10] Μ α Γ3 r4
no r11 r12 (式中, Y丨係-(C(R51)2)m_、-〇_、_s·、-N(R50)-、-Si(R5、” 、-〇(C(R51)2)m-或 _0(C(R5i)2)m〇,表示之 2價基; Y2 係-(C(R51)2)m-、_〇、-S_ 或 _Si(R5〗)2_ 所表示之 2 價 基; m為1〜3之整數; R5G係可具有取代基之碳原子數6〜3 0之芳基; 159665.doc -10· 201226415 R係氫原子、或可具有取代基 基;複數之〜同亦可不同)。以子數-。之煙 「=?可具有取代基之碳原子數6〜30之芳基中, 為ΓΠ 芳基」中之碳原子數較佳一更佳 為6〜12 ’進而較佳為6。 作為f所表示之可具有取代基之碳原子數6〜30之芳基 中的呶原子數6〜30之芳基」,例如可列舉:苯基、萘 基、2-萘基、9·第基、9-蒽基、2-蒽基。 作為R50所表示之可具有取代基之碳原子數6〜30之芳基 中的「具有取代基之碳原子數6〜3()之芳基」,例如可列 舉:2_甲苯基、3·甲笨基、4_甲苯基、2_三氟甲基甲苯 基、4·二氟甲基甲苯基、2,4,6-三甲笨基' 2,6-二甲笨基、 ::異丙苯基、2_甲氧苯基、4-甲氧笨基、4-氟笨基、4_乙 苯基、4·丙苯基、4·異丙苯基、4正丁苯基、4第三丁苯 基4己苯基、4_(2_乙基己基)苯基、4_環己苯基、4_金剛 烷苯基、4-雙苯基。 「R:所表示之可具有取代基之碳原子數1〜30之烴基中的 「碳原子數1〜30之烴基」可為直鏈、支鏈或環狀中之任一 者,例如可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、 異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛 基壬基、癸基、十—烧基、十二院基、十五院基、十八 烷基、二十二烷基等碳原子數卜3〇之烷基;環丙基、環丁 基、環戊基、環己基、環壬基、環十二烧基、降格基、金 剛烷基等碳原子數4〜30之環狀飽和烴基;或上述碳原子數 I59665.doc • 11 · 201226415 「 芳基。作為R所表示之碳原子數1〜30之烴基中的 「碳原子數^30之烴基」,於上述碳原子數之烴基 中,較佳為碳原子數1〜18之烷基、碳原子數6〜18之芳基, 更佳為碳原子數1〜12之烷基 '碳原子數6〜12之芳基,進而 較佳為碳原子數1〜8之縣、苯基,特佳為碳原子數1〜8之 燒基。 作為R51所表示之基可具有之取代基,例如可列舉:氟 原子、氯原子、溴原子、碘原子、三氟甲基、碳原子數 1〜12之烴基、可經碳原子數卜^之烴基取代之羥基(即烴 氧基)、可經碳原子數1〜12之烴基單取代或雙取代之胺基 (例如,下述二芳基胺基)、可經碳原子數卜12之烴基取代 之巯基、式:-C( = 0)R55(式中,R55表示氫原子、或碳原子 數1〜12之烴基)所表示之基。此處,碳原子數〗〜12之烴基 之定義、例及較佳例與R51中的碳原子數卜川之烴基之說 明中將碳原子數限定於12以下之基相同。 作為上述式rl〜rl2中之任一者所表示之基,例如可列舉 下述式rl,〜Π2,中之任一者所表示之基。下述式^,〜,中 之任一者所表示之基中之氫原子亦可經取代。 [化 11]
159665.doc -12- 201226415
Y3為-(C(R53)2)n-、-〇-、_s-、-N(R52)-或-Si(R53)2_所表示 之2價基;
η為1或2 ; R為可具有取代基之碳原子數6~ 18之芳基; R53為氫原子、或可具有取代基之碳原子數丨〜18之烴 基。複數之R53可相同亦可不同)。 R52所表示之可具有取代基之碳原子數6〜18的芳基之例 與r5G所表示之可具有取代基之碳原子數6〜30之芳基中, 將石反原子數限制為6~ 18之基相同。R5 2所表示之可具有取 代基之碳原子數6〜18之芳基中的「碳原子數6〜18之芳基」 之碳原子數較佳為6〜12,更佳為6。作為R52所表示之基可 具有之取代基,可列舉與上述R5»所表示之基可具有之取 代基相同者。 R53所表示之可具有取代基之碳原子數^18之烴基中的 「碳原子數1〜18之烴基」之定義及例與R5〗所表示之碳原 子數1〜30之經基中將碳原子數限定於丨〜18之基相同e R53 159665.doc -13· 201226415 所表不之可具有取代基之碳原子數1〜18之烴基中的「碳原 子數1 18之烴基」較佳為碳原子數1〜18之烷基、碳原子數 18之芳基,更佳為碳原子數卜12之烷基碳原子數6〜12 之芳基,進而較佳為碳原子數丨〜8之烷基、苯基,特佳為 碳原子數1〜8之烧基。作為R53所表示之基可具有之取代 土可列舉與上述r51所表示之基可具有之取代基相同之 基。 一 R較佳為可具有取代基之上述式ri〜ri2中之任一者所表 不之基。
Rl更佳為:可具有取代基之上述式rl、r2、r5、r6、 r8 r9中之任一者所表示之基;為可具有取代基之上述式 Π0所表示之基且式中之之基;為可具有取代基之 上述式rll所表示之基且式中之γ、-〇·或-s•之基;為可具 有取代基之上述式rl2所表示之基且式中之γ1為_〇·、Y2 為-CH2-之基;或為可具有取代基之上述式ri2所表示之基 且式中之Υ丨為_〇·、γ2為_Si(R51)2_之基。 R〗進而較佳為:可具有取代基之上述式^,、r5,、rl〇,中 之任一者所表示之基;為可具有取代基之上述式ri2,所表 示之基且式中之^為_CH2_之基;為可具有取代基之上述 式Π2,所表示之基且式中之γ3為_Si(CH3)2之基。 R1特佳為:為可具有取代基之上述式,所表示之基且 式中之Υ為-CH2-之基;為可具有取代基之上述式rl2,所表 示之基且式中之Y3為-Si(CH3)2-之基。 作為R丨所表示之基可具有之取代基,例如可列舉:齒素 159665.doc •14· 201226415 原子(例如’氟原子、氯原子、溴原子、磁原子)、碳原子 數1〜3 0之烴基、可經碳原子數1〜3 0之烴基取代之經基 (即’烴氧基)、可經碳原子數1〜3 0之烴基單取代或雙取代 之胺基(例如,下述二芳基胺基)、可經碳原子數1〜3〇之烴 基取代之巯基、式·· -C(=0)R56(式中,R56表示氫原子、或 碳原子數1〜3 0之煙基)所表示之基。此處,碳原子數1〜3 0 之烴基之定義、例及較佳例與R51之說明相同。 此種取代基較佳為:下述二芳基胺基、氟原子、氣原 子、溴原子、三氟甲基、曱基、乙基、丙基、正丁基、異 丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、十二 烷基、十八烷基、環己基、乙烯基、丙烯基、3_丁烯基、 苯基、1-萘基、2-萘基、2-f苯基、3-甲苯基、4-甲苯 基、2-曱氧苯基、3-甲氧苯基、4-曱氧苯基、4-第三丁苯 基、4-己苯基、4-環己苯基、2-雙苯基、2-苯基乙基、甲 氧基、丁氧基、苯氧基、苯硫基、二苯基胺基。 此種取代基更佳為:氟原子、氯原子、三氟甲基、甲 基、乙基、丙基、正丁基、第三丁基、己基、辛基、環己 基、苯基、2-曱苯基、4·曱苯基、2-甲氧苯基、4-曱氧苯 基、4-第三丁苯基、4-己苯基、曱氧基、丁氧基、苯氧 基、二苯基胺基。 此種取代基進而較佳為:氟原子、三氟甲基、曱基、正 丁基、第三丁基、苯基、4-甲苯基、4-曱氧苯基、4-第三 丁苯基、甲氧基。 此種取代基特佳為:氟原子、曱基、第三丁基。 159665.doc •15· 201226415 R所表示之基可具有之取代基之數較佳為〇〜4個更佳 為0〜3個’進而較佳為〇〜2個。於R1為上述式rl,〜ri2'中之 任一者所表示之2價基之情形時,上述取代基較佳為以下 所不之位置。又,亦可於以下所示之位置取代二芳基胺 基。 式r 1 .較佳為選自2’位及3’位中之至少丨個部位; 式r2 ·較佳為選自2’位、3,位、4,位及5,位中之至少j個 位,更佳為2’位及5'位之2個部位、或3'位及4'位之2個部 位; 式r3 .較佳為選自2’位、位、4,位、5,位、6,位及8,位 中之至少1個部位;更佳為僅4,位之1個部位,2,位及6,位之 2個部位’ 3’位及5'位之2個部位,2,位、4,位及6,位之3個部 位,或3'位、4'位及5'位之3個部位; 式r4 .較佳為選自2’位、3'位、4'位、5'位、6'位及7'位 中之至少1個部位,更佳為2,位及7,位之2個部位、3,位及6, 位之2個部位、或4,位及5ι位之2個部位; 式r5 ·較佳為選自2,位、3'位、4'位、5'位、6'位及7'位 中之至少1個部位,更佳為2,位及7,位之2個部位、或3,位及 6位之2個部位,進而較佳為2,位及7,位之2個部位; 式r6 ·較佳為選自2’位、3,位、4,位、5,位、8,位、9ι 位、10'位及11’位中之至少i個部位,更佳為2,位及u•位之 2個部位、3’位及1〇,位之2個部位、或4,位及9,位之2個部 位; 式r7 .較佳為選自2,位、3,位、4,位、5,位、6,位及7,位 159665.doc 201226415 申之至少1個部位,更佳為2W立及7'位之2個部位; 式r8':較佳為選自2'位、3'位、5’位、6'位、7'位、8' 位、9’位及10'位中之至少1個部位,更佳為2'位及6'位之2 個部位、或3'位及5'位之2個部位; 式r9':較佳為選自2'位及5'位中之至少1個部位; 式rlO':較佳為選自2'位、3'位、4'位、5'位、6'位及7'位 中之至少1個部位’更佳為2'位及7'位之2個部位、或3,位及 6'位之2個部位,進而較佳為2,位及7,位之2個部位; 式rl Γ :較佳為選自2'位、3'位、4'位及5,位中之至少1個 部位’更佳為2,位及5'位之2個部位; 式rl2中之Y3為_ch2-之情形:選自2'位、3'位、4'位、5' 位及7’位中之至少丨個部位,更佳為7,位中之2個部位、及 選自2'位、3'位、4'位及5'位中之至少1個部位的合計至少3 個部位’更佳為位中之2個部位、及選自2'位、3,位、4, 位及5’位中之至少2個部位之合計至少4個部位,進而較佳 為7’位中之2個部位、與2,位及5,位之2個部位的合計4個部 位; 式Γΐ2之Y3為-CH2-以外之情形:選自2'位、3,位、4·位 及5’位中之至少1個部位,更佳為選自2,位、3,位、4ι位及5, 位中之至少2個部位’更佳為2'位及5,位之2個部位。 R11所表示之可具有取代基之烴基中的「烴基」可為直 鏈、丨,鏈或環狀中之任-者,其碳原子數通常為1〜3〇。作 為R丨丨所表示之可具有取代基之烴基,例如可列舉:甲 基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、 159665.doc -17- 201226415 第二丁基、戊基、己基、辛基、壬基、十二院基、十五烧 基、十八烷基、二十二烷基等碳原子數1~30之烷基;環丙 基、環丁基、環戊基、環己基、環壬基、環十二烷基、降 宿基、金剛烧基等碳原子數4〜30之環狀飽和烴基;乙稀 基、丙烯基、3-丁烯基、2-丁烯基、2-戊烯基、2•己烯 基、2-壬烯基、2-十二烯基等碳原子數2〜3〇之烯基;苯 基、卜萘基、2-萘基、2-甲苯基、3·曱苯基、4-甲苯基、2_ 乙苯基、2-丙苯基、2-異丙苯基、2-正丁苯基、2-異丁苯 基、2-第二丁苯基、2-己苯基、2-環己苯基、4-金剛烷基 本基、4-雙本基、9-苐基等碳原子數6〜3〇之芳基;苯基甲 基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基·丨_丙基、丨苯基_2_ 丙基、2-苯基-2-丙基、3-苯基-1-丙基、4_苯基正丁 基、5-苯基-1-戊基、6_苯基己基等碳原子數7〜3〇之芳烷 基。R11所表示之可具有取代基之烴基中的「烴基」於上 述可具有取代基之烴基中的「烴基」之中,較佳為碳原子 數6〜30之芳基,更佳為碳原子數6〜18之芳基,進而較佳為 碳原子數6〜12之芳基,特佳為苯基。 作為R11所表示之基可具有之取代基,例如可列舉:齒 素原子(例如,氟原子、氣原子、溴原子、碘原子)、可經 石反原子數1〜30之烴基取代之羥基(即,烴氧基)、可經碳原 子數1〜30之烴基單取代或雙取代之胺基(例如,下述二 芳基胺基)、可經碳原子數卜儿之烴基取代之巯基式: -C(=〇)R56(式中,R56與上述相同)所表示之基 此處,碳原 子數1〜30之烴基之定義、例及較佳例與RS1之說明相同 159665.doc -18- 201226415 R所表示之蛵基可具有之取代基之較佳例與r1所表示之2 4 貝有機基可具有之取代基相同。 R所表示之基可具有之取代基之數較佳為0〜4個,更佳 為0〜3個’進而較佳為0〜2個。 R11所表示之可具有取代基之烴基中的「烴基」較佳為 芳基。作為芳基之例可列舉:苯基、1-萘基、2-曱基-1·萘 基、2-萘基、2-甲苯基、3_甲苯基、4_甲苯基、2,4_二甲苯 基、3,5-二曱苯基、2,6_二甲苯基、2,4,6_三曱苯基、乙 苯基、4-乙苯基、2,6_二乙苯基、4_丙苯基、2_異丙苯 基、4-異丙苯基、2,6-二異丙苯基、2_正丁苯基、4_正丁 苯基、2-第三丁苯基、4_第三丁苯基、2_己苯基、‘己苯 基、4-(2-乙基己基)苯基、4·環己笨基、2·甲氧苯基、3甲 氧苯基、4-曱氧苯基、2,4,6_三甲氧苯基、2_氟苯基、4_氟 苯基、2,6-二氟苯基、2,3,4,5,6-五氟苯基、2_氯苯基、4_ 氯苯基、2-三氟甲基曱苯基、3_三氟甲基甲苯基、4_三敗 曱基曱苯基、4-金剛烷基苯基、4-雙苯基、4-笨氧基苯 基、9-第基、9-蒽基、2-蒽基。 芳基較佳為:苯基、2-曱苯基、3-甲苯基、4-甲笨基、 2,4-二曱苯基、3,5-二曱苯基、2,6-二曱笨基、2,4,6·三甲 苯基、2-異丙苯基、4-異丙苯基、2,6-二異丙苯基、2·正 丁苯基、4-正丁苯基、2-第三丁苯基、4-第三丁苯基、2_ 曱氧苯基、3-甲氧苯基、4-甲氧苯基、2,4,6-三甲氧笨基、 2-氟本基、4-氟笨基、2,6-二氣笨基、2,3,4,5,6-五氟苯 基0 159665.doc -19· 201226415 芳基更佳為:笨基、2-甲苯基、3-甲苯基、4-甲苯基、 ,一曱苯基3,5-一甲苯基、2,6_二曱苯基、2,4,6_三甲 苯基2氟苯基、4·氟苯基、2,6-二乱苯基、2,3,4,5,6-五 氟苯基。 芳基進而較佳為苯基。 於R11所表示之可具有取代基之烴基中的「烴.基」為芳 基之情形時,該芳基中之氫原子之一部分或全部亦可進一 步經二芳基胺基取代。 選自Rl及4個之至少1個基具有二芳基胺基作為取 代基。例如,R1所表示之基亦可具有j個以上之二芳基胺 基作為取代基,選自4個尺]丨中之至少丨個基亦可具有丨個以 上二芳基胺基作為取代基。較佳為選自4個尺〗〗中之至少1 個基具有1個以上二芳基胺基作為取代基,更佳為至少2個 基具有1個以上二芳基胺基,進而較佳為至少3個基具有^ 個以上一芳基胺基,特佳為4個基分別具有1個以上二芳基 胺基R所表示之基及/或4個Ru所表示之4個基各自可作 為取代基而具有的二芳基胺基之數例如為丨個、2個或3 個。選自4個Rh中之至少2個、3個或4個基各自可具有相 同數目之二芳基胺基作為取代基,亦可具有不同數目之二 芳基胺基作為取代基。 作為上述式(A)所表示之化合物,4個Ri丨所表示之4個基 中之氫原子分別經1個或2個相同數目之二芳基胺基取代之 化合物亦較佳。 二芳基胺基係胺基中之2個氫原子經2個芳基取代之胺 159665.doc -20- 201226415 基。二芳基胺基中之2個芳基可相同亦可不同,其例及較 佳例與R11中說明之碳原子數6〜30之芳基相同。具體而 言,作為二芳基胺基,例如可列舉:二苯基胺基、雙(1-萘 基)胺基、雙(2-甲基-1-萘基)胺基、雙(2-萘基)胺基、雙(2-甲苯基)胺基、雙(3-甲苯基)胺基、雙(4-甲苯基)胺基、雙-(2,4-二曱苯基)胺基、雙(3,5-二甲笨基)胺基、雙(2,6-二甲 苯基)胺基、雙(2,4,6-三甲苯基)胺基、雙(2-乙苯基)胺基、 雙(4-乙苯基)胺基、雙(2,6-二乙苯基)胺基、雙(4-丙苯基) 胺基、雙(2-異丙苯基)胺基、雙(4-異丙苯基)胺基、雙(2,6-二異丙苯基)胺基、雙(2-正丁苯基)胺基、雙(4-正丁苯基) 胺基、雙(2-第三丁苯基)胺基、雙(4-第三丁苯基)胺基、雙 (2-己苯基)胺基、雙(4-己苯基)胺基、雙(4-(2-乙基己基)苯 基)胺基、雙(4-環己苯基)胺基、雙(2-甲氧苯基)胺基、雙 (3-甲氧苯基)胺基、雙(4-甲氧苯基)胺基、雙(2,4,6-三曱氧 苯基)胺基、雙(2-氟苯基)胺基、雙(4-氟苯基)胺基、雙 (2,6-二氟苯基)胺基、雙(2,3,4,5,6-五氟苯基)胺基、雙(2-氯苯基)胺基、雙(4-氯苯基)胺基、雙(2-三氟甲基甲苯基) 胺基、雙(3-三氟甲基甲苯基)胺基、雙(4-三氟甲基甲苯基) 胺基、雙(4-金剛烷基苯基)胺基、雙(4-雙苯基)胺基、雙 (4-苯氧基苯基)胺基、雙(9-第基)胺基、雙(9-蒽基)胺基、 雙(2-蒽基)胺基、N-(l-萘基)-N-苯基胺基、N-(2-萘基)-N-苯基胺基、N-(2-曱苯基)-N-苯基胺基、N-(4-曱苯基)-N-苯 基胺基、N-(4-乙苯基)-.N-苯基胺基、N-(4-正丁苯基)-N-苯基胺基、N-(4-第三丁苯基)-N-苯基胺基、N-(4-環己苯 159665.doc •21 201226415 基)-N-苯基胺基、N-(4-甲氧苯基)-N-苯基胺基、N-(2,4,6-三曱氧苯基)-N-苯基胺基、N-(4-氟苯基)-N-苯基胺基、N-(4-三氟甲基曱苯基)-N-苯基胺基、N-(4-苯氧基苯基)-N-苯 基胺基。 二芳基胺基較佳為:二苯基胺基、雙(1-萘基)胺基、雙 (2-萘基)胺基、雙(2-甲苯基)胺基、雙(3-曱苯基)胺基、雙 (4-曱苯基)胺基、雙(3,5-二甲苯基)胺基、雙(4-丙苯基)胺 基、雙(4-正丁苯基)胺基、雙(4-第三丁苯基)胺基、雙(4-己苯基)胺基、雙(4-環己苯基)胺基、雙(4-甲氧苯基)胺 基、雙(4-氟苯基)胺基、或雙(4-三氟甲基甲苯基)胺基。 二芳基胺基更佳為:二苯基胺基、雙(4-曱苯基)胺基、 雙(4-正丁苯基)胺基、雙(4-第三丁苯基)胺基、雙(4-己苯 基)胺基、雙(4-曱氡苯基)胺基、或雙(4-氟苯基)胺基。 二芳基胺基進而較佳為:二苯基胺基、雙(4-甲苯基)胺 基、雙(4-正丁苯基)胺基、雙(4-第三丁苯基)胺基、或雙 (4-己笨基)胺基。 二芳基胺基特佳為二苯基胺基。 作為上述式(A)所表示之化合物之例,可列舉下述式 al~a26所表示之化合物。 [化 12]
159665.doc -22- 201226415
159665.doc -23- 201226415
式al~a26中,較佳為式al〜a22,更佳為式al、a6、a7、 a9、al 1 〜a22 ’ 進而較佳為式 al、a6、a7、a9、al 1〜al9, 特佳為式al、a6、a7、a9 e 本發明之化合物可根據合成具有取代基之膦化合物之常 規方法而製造。 若舉例說明上述式a12所表示之化合物,則係於氬氣環 境下將1 mmol之1,2 —雙(二氣膦基)苯、及5 mm〇i之(4·二苯 基胺基苯基)溴化鎂於_78。〇下混合於四氫呋喃(1〇 mL)中, -:逐漸升溫至室溫一面攪拌12小時。可藉由利用水及氣 仿萃取反應液,將有機層濃縮後利用矽膠管柱層析法進行 純化,而製造。 本發明亦提供一種 屬錯合物。 包含上述式(A)所表示之化合物之金 亦可為2核錯合 錯合物、2核錯 本發明之金屬錯合物可為單核錯合物, 物,亦可為3核以上之錯合物,較佳為單核 合物,更佳為單核錯合物。 159665.doc •24· 201226415 本發明之金屬錯合物較佳為下述組成式(1)所表示之金 屬錯合物。 (M)(L1)a(L2)b(X1)c (1) (組成式(1)中,Μ為亦可帶電荷之金屬;Li為上述式(A) 所表示之化合物;L2與L1為不同之配位子;χι為陰離子; a為正數,且b及c分別獨立為〇以上之數;複數存在之Ll、 L2及X〗各自可相同亦可不同)。 於組成式(1)中,作為Μ ’較佳為Mg ' V、Cr、Μη、
Fe、Co、Ni、Cu、Ζη、Ga、Ge、Zr、RU、Rh、Pd、Ag、
Sn、Hf、W、Re、OS、Ir、Pt、Au、Eu、Tb,更佳為 ^、 Ni、Cu、Zn、Ge、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Pt、Au,進而 較佳為 Cu、Pd、Ag、Pt、Au,特佳為 cu、Ag、Au。 組成式(1)中,L1與M可單牙配位,亦可雙牙配位,較佳 為雙牙配位。 於L中,與Μ配位鍵結之原子較佳為c、N、〇、p或s, 更佳為N、〇、p或s,進而較佳為N、〇或?,特佳為n或 P。於L1中,與则己位鍵結之原子(元素)可為中性,亦可帶 電荷,較佳為中性。 於組成式⑴中,以可為單牙配位子,亦可為雙牙配位 子,亦可為三牙以上之配位子’較佳為單牙配位子或雙牙 配位子’更佳為雙牙配位子。 作為L之例,可列舉 遴八(A)所表示之化合物中之 二芳基胺基經氫原子取代之結構的配位子、可具有取代基 之三苯膦、可具有取代基之_、可具有取代基之味/ 159665.doc -25· 201226415 可具有取代基之嘧啶、可具有取代基之喹啉、可具有取代 基之聯喹啉、可具有取代基之聯萘啶、可具有取代基之聯 °比啶、可具有取代基之啡啉、可具有取代基之吡啶基咪 嗤、可具有取代基之吡啶基苯并咪唑、可具有取代基之噻 唑基苯并咪唑、可具有取代基之聯嘧啶、可具有取代基之 羥基喹啉、可具有取代基之羥基苯并喹啉、可具有取代基 之喹啉硫醇; 較佳為:上述式(A)所表示之化合物中之二芳基胺基經 氫原子取代之結構的配位子、可具有取代基之聯喹啉、可 具有取代基之聯吡啶、可具有取代基之啡琳、可具有取代 基之°比啶基咪唑、可具有取代基之吡啶基苯并咪唑; 更佳為:可具有取代基之聯喹啉、可具有取代基之聯0比 咬' 可具有取代基之啡啉、可具有取代基之吡啶基咪唑、 可具有取代基之〇比咬基苯并咪唑; 進而較佳為:可具有取代基之聯吡啶、可具有取代基之 啡啉。 作為上述L2之例而列舉之基可具有之取代基,例如可列 舉.氟原子、氣原子、溴原子、碘原子、三氟曱基、碳原 子數1〜18之烴基、可經碳原子數卜18之烴基取代之羥基 (即’烴氧基)、可經碳原子數丨〜丨8之烴基取代之巯基、 式:-C(=〇)R57(式中,R57表示氫原子、或碳原子數卜12之 烴基)所表示之基。此處,碳原子數卜18之烴基之定義、 例及較佳例與R51中之碳原子數卜儿之烴基之說明中將碳 原子數限制於18以下之基相同。 159665.doc -26· 201226415 組成式(1)中,作為x1所表示之陰離子,例如可列舉: 氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子等商 化物離子;硫酸離子、硝酸離子、碳酸離子、乙酸離子、 過氯酸離子、四氟硼酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子、六氟銻 離子、六氟砷離子、甲基磺酸離子、三氟曱基磺酸離子、 三氟乙酸離子、苯磺酸離子、對甲苯磺酸離子、十二烷基 苯磺酸離子、四苯基硼酸鹽離子、四(五氟苯基)硼酸鹽離 子、四(3,5_雙(三氟甲基)苯基)硼酸鹽離子、及包含具有該 等離子之結構之重複單位之高分子化合物。又,作為X ^, 例如亦可列舉··自絲及對氟苯料具有經基之有機基中 去除該羥基之氫原子而成之陰離子;自苯硫酚及三苯甲硫 醇等具有巯基之有機基中去除該酼基之氫原子而成之陰離 子,自對第三丁基苯曱酸及三苯基乙酸等具有羧酸之有機 基中去除該羧酸之氫原子而成之陰離子;自苯磺酸及對正 丁基苯磺酸等具有磺酸之有機基中去除該磺酸之氫原子而 成之陰離子;自二苯膦酸及雙(4_甲氧苯基)次膦酸等具有 次膦酸之有機基中去除該次膦酸之氫原子而成之陰離子。 X較佳為氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子、碘化 物離子、硝酸離子、過氯酸離子、四氟硼酸鹽離子、六氟 磷s文鹽離子、二氟甲基磺酸離子、四苯基硼酸鹽離子、四 (五氟苯基)硼酸鹽離子、四(3,5_雙(三氟甲基)苯基)硼酸鹽 離子,更佳為四氟硼酸鹽離子、六氟磷酸鹽離子、三氟甲 基磺酸離子、四苯基硼酸鹽離子、四(五氟苯基)硼酸鹽離 子0 159665.doc •27· 201226415 x可為1價陰離子, 價陰離子。 '、可為2價以上之陰離子,較佳為i 及c係以使金屬錯合物之電荷整體 取4 Τ性之方4、土中 疋。a、b&c係將Μ之係數設為丨而獲得 於組成式(1)所表示之錯合物中,相對於丨個以 而具有&個^、b個L2及c個Χι。 a較佳為G.5〜3.〇之數目,更佳為Q7〜2Q之數目,進而較 佳為0.9〜1.1之數目。
Me分別獨立’較佳為〇〇〜4 〇之數目,更佳為〇 〇〜3 〇之 數,進而較佳為〇·5~2.0之數目,特佳為0.9〜1.1之數。 作為本發明之金屬錯合物之例,可列舉下述式b 1〜b20所 表不之金屬錯合物。 [化 14]
159665.doc -28 - 201226415
[it 15]
159665.doc -29- 201226415 於式bl〜b20中’較佳為式b3~b5、bll〜bl3、bl7~b20, 更佳為式b3〜b5、bll〜bl3,進而較佳為式bn〜M3。 本發明之化合物及/或金屬錯合物例如可用作反應之觸 媒或促進劑、或用作發光材料,較佳為用作發光材料。 本發明亦提供一種含有上述式(A)所表示之化合物及/或 包含上述式(A)所表示之化合物之金屬錯合物(以下記作 本發明之材料」)的發光元件。 本發明之發光元件通常為夾持有包含陽極及陰極之一對 電極、及設置於該電極間之具有發光層之包含一層或複數 層的薄膜層者,該薄膜層之至少丨層包含本發明之材料。 於本發明之發光元件中,包含本發明之材料之層中的本 發明之材料之含量相對於該薄膜層全部之重量,通常為 0.01 100重1 %,較佳為01〜99重量%,更佳為1〜叩重量 %,進而較佳為5〜85重量%,特佳為1〇〜8〇重量%。 作為本發明之發光元件,例如可列舉:單層型發光元件 (陽極/發光層/陰極)。又,作為多層型發光元件之層結 構’例如可列舉: (a) 陽極/電洞注入層/(電洞傳輸層)/發光層/陰極 (b) 陽極/發光層/電子注入層/(電子傳輸層}/陰極 (0陽極/電洞注入層/(電洞傳輸層}/發光層/電子注入層/ (電子傳輸層)/陰極(d)陽極/發光層/(電子傳輸層)/電子注入 層/陰極 (e)陽極/電洞注入層/(電洞傳輸層}/發光層/(電子傳輪層γ 電子注入層/陰極。本發明之發光元件並不限定於單層型 I59665.doc 201226415 或0)〜(e)之層結構。 於:二述Γ⑷中,(電洞傳輸層)、(電子傳輸層)係表示 於”位置上可分別存在有或料在有料層之任意層。 雖然可於任意層令含有本發明之材料,但較佳為於至少 電洞注人層、電洞傳輸層、發光層中之任—層中含有本發 明之材料,更佳為於至少電洞傳輸層、發光層中之任一層 中含有本發明之材料’進而較佳為於至少發光層中含有本 發明之材料。 陽極係對電洞注人層、電洞傳輸層.、發光層等供給電洞 者’較佳為具有4.5 eV以上之功函數。陽極之材料可使用 金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、及該等之組 合;具體而言’可使用氧化錫、氧化鋅、氧化ϋ、氧化麵 錫(ΙΤΟ)等導電性金屬氧化物,或金、銀、鉻、錄等金 屬’或該等導電性金屬氧化物與金屬之混合物及積層物, 峨化銅、硫化銅等無機導電性物質,$苯胺類、聚嗟吩類 [聚(3,4)伸乙二氧基噻吩等]、聚吡咯等有機導電性材料, 及該等與ΙΤΟ之組合。 陰極係對電子注入層、電子傳輸層、發光層等供給電子 者。陰極之材料可使用金屬、合金、金屬齒化物、金屬氧 化物、導電性化合物、及該等之組合,具體而言,可使用 鹼金屬(Li、Na、Κ、Cs等)及其氟化物或氧化物、鹼土金 屬(Mg、Ca、Ba等)及其氟化物或氧化物、金、銀、鉛、 鋁、合金及混合金屬類[鈉-鉀合金、鈉_鉀混合金屬、鋰_ 鋁合金、鋰-鋁混合金屬、鎂_銀合金、鎂_銀混合金屬 159665.doc •31· 201226415 等]、稀土金屬[鏡等]β 電洞注入層及電洞傳輸層具有自陽極注入電洞之功能、 傳輸電洞之功能、或隔雜ή认 忒隔離自陰極注入之電子之功能。作為 该等層所使用之材料’例如可列舉:㈣衍生物、三嗤衍 生物、十坐衍生物"号二唾衍生物、㈣衍生物、多芳基 烧衍f物"比。坐琳衍生物"比。坐琳酮衍生物、苯二胺衍生 物、芳基胺衍生物、經胺取代之查爾嗣衍生物、苯乙稀基 葱衍生:、第,衍生物、膝衍生物、K衍生物、石夕氮院衍 生物、方香族三級胺料物、苯乙烯基胺衍生物、芳香族 --人甲基何生物、卟啉衍生物、聚矽烷衍生物、聚…·乙 稀卡坐)衍生物、有機石夕院衍生物、及包含該等之殘基之 聚合物;苯胺系共聚物"塞吩寡聚物、聚㈣等導電性高 刀^寡聚物。上述電洞注人層及上述電洞傳輸層可為包含 忒等之1種或2種以上之單層結構,亦可為包含同一組成或 不同組成之複數層之多層結構。 電子注入層及電子傳輸層具有自陰極注入電子之功能、 傳輸電子之功能或隔離自陽極注入之電洞之功能。作為該 等層所使用之材料,例如可列舉:三唑衍生物、哼唑衍生 物"号二啥衍生物、咪唾衍生物、g衍生物、第嗣衍生 物、蒽酿二甲炫射物、蒽酮衍生物、聯苯㈣生物、二 氧化噻喃衍生物、碳二醯亞胺衍生物、亞第基甲烷衍生 物、二苯乙烯基吡畊衍生物、#或茈等芳香環之四羧酸 肝、醜花青衍生物、錢鹽衍生物、m酸鹽衍生物、金屬錯 合物(例如,8-羥喹啉衍生物之金屬錯合物、將金屬酞花青 159665.doc •32- 201226415 作為配位子之金屬錯合物、將苯并以作為配位子之金屬 錯合物、將苯并。塞㈣為配位子之金屬錯合物)、有機石夕 烧衍生物。電子注人層及上述電子傳輸層可為包含該等之 1種或2種以上之單層結構,亦可為包含同一組成或不同組 成之複數層之多層結構。又,電子注人層及上述電子傳輸 層亦可含有富勒烯或其衍生物、奈米碳管或其衍生物。 作為電子注人層及電子傳輸層之材料,亦可使用絕緣體 或半導體之無機化合物。若電子注入層及電子傳輸層由絕 緣體或=體構成,則可有效地防止電流之心而使電子 注入性提高。作為此種絕緣體,可列舉選自由驗金屬硫屬 化合物、鹼土金屬硫屬化合物、鹼金屬之自化物及鹼土金 屬之齒化物所組成之群中之至少一種金屬化合物,較佳為 ca〇、Ba〇、Sr0、Be0、BaS及CaSe。又作為構成電子 注入層及電子傳輸層之半導體,例如可列舉:選自由仏、 Ca、Sr、Yb、Ga、In、u、仏、cd、叫 n、 訃及Zn所組成之群中之至少一種元素之氧化物、氮化矽物 或氧化氮化矽物。 ,又,於本發明之發光元件中’亦可於陰極及與陰極接觸 薄膜之界面區域添加還原性穆雜劑。作為上述還原性換雜 劑-例如可列舉:鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬 之氧化物、鹼金屬之鹵化物、鹼土金屬之氧化物、鹼土金 _化物、稀土金屬之氧化物、稀土金屬之鹵化物、鹼 金屬錯合物、驗土金屬錯合物及稀土金屬錯合物。 發光層具有如下功能之任一者:可於施加電場時自陽 159665.doc -33- 201226415 極電洞/主入層或電洞傳輸層注入電洞,可自陰極、電子 注入層或電子傳輸層注人電子之功能;利用電場之力移動 主入之電荷(電子與電洞)之功能;提供電子與電洞再結合 之场所’並使其與發光相聯繫之功能。亦可使以發光層所 3有之本發明料作為客體材_的主體材料包含於發光 層。作為主體材料,例如可列舉:具有$骨架之化合物、 具有咔唑骨架之化合物、具有二芳基胺骨架之化合物、具 有吡啶骨架之化合物、具有<1比哜骨架之化合物、具有三畊 月架之化合物及具有芳基石夕烧骨架之化合物。較佳為主體 材料之最低激發三重態之能量(T1)大於客體材料之最低激 發二重態之能量。主體材料可為低分子化合物亦可為高 分子化合物。主體材料亦可進而含有電解質,該電解質例 如為亦可含有支援電解質(三氟曱基磺酸鋰、過氯酸鋰、 過氣酸四正丁基銨、六氟磷酸鉀、四氟硼酸四-正丁基銨 等)之溶劑(碳酸丙二酯、乙腈、2_甲基四氫呋喃、13_二 氧代呋喃、硝基苯、Ν,Ν•二甲基曱醯胺、二曱基亞砜、甘 /由、丙醇、水等)、或於該溶劑中膨潤之凝膠狀高分子(聚 氧化乙烯、聚丙烯腈、偏二氟乙烯與六氟丙烯之共聚物 等又,藉由將主體材料與本發明之材料混合並進行塗 佈或共蒸鍍,可形成於上述主體材料中摻雜有發光材料之 啦光層又,亦可使以發光層所含有之本發明之材料作為 主體材料的客體材料包含於發光層中。作為客體材料例 如可列舉:使用有鉑族元素之金屬錯合物(例如,苯啦咬 何生物配位之銥錯合物)、使用稀土元素之金屬錯合物(例 159665.doc -34· 201226415 非琳何生物配位之销錯合物)、8-經啥咐衍生物配位之 銘錯合物、具有稠四苯骨架之化合物、具有二氰乙稀骨架 之化合物、具有香豆素骨架之化合物、具有喹吖啶酮骨架 之化合物、具有葱骨架之化合物、具㈣架之化合物、 . 4有苯乙块骨架之化合物、具有第骨架之化合物、具有萘 骨架之化合物。 於本發明之發光元件中’作為各層之形成方法,例如可 列舉真空驗法[電阻加熱蒸鍵法、電子束法等]、藏鍵 法、L^(朗谬爾—布洛傑特法,Langmuir-Blodgett)、分子 積層法、塗佈法[繞鑄法、旋塗法、棒塗法、到塗法、親 塗法、凹版印刷法、絲網印刷法、喷墨法等];由於可使 製程變得簡略,故而較佳為塗佈法。於塗佈法中,使本發 明之材料與溶劑混合而製備塗佈液,使該塗佈液於所期望 之層(或電極)上塗佈及/或乾燥,藉此可形成發光元件之 層。於塗佈液中,亦可含有樹脂作為主體材料及/或黏合 劑。該樹脂可溶解於溶劑中而形成溶液,亦可分散而形成 分散液。 .作為樹脂,可使用聚乙烯咔唑等非共輥系高分子、聚 (苯乙炔)等共軛系高分子,作為其例,可列舉:聚氣乙 •烯、聚碳酸醋、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸曱酯、聚甲基丙 烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚丁二烯、聚(N_乙烯 咔唑)、烴樹脂、酮類樹脂、苯氧樹脂、聚醯胺、乙基纖 維素、乙酸乙烯酯、abs(丙烯腈-丁二烯-笨乙烯, acrylomtrile-butadiene-styrene resin)樹脂、聚胺酯、三聚 159665.doc •35· 201226415 氰胺树知不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、矽樹 脂。包含樹脂之溶液及分散液亦可進而含有抗氧化劑、黏 度調整劑等。作為上述溶劑,較佳為均勻地溶解薄膜之成 分者或提供穩定之分散液之溶劑,例如醇[甲醇、乙醇、 異丙醇等]、_類[丙酮、曱基乙基酮等]、氯化煙[氣仿、 1,2-二氣乙烷等]、芳香族烴[笨、曱苯、二甲苯等]、脂肪 族焓[正己烷、環己烷等卜醯胺[二甲基曱醯胺等]、亞颯 [一曱基亞砜等]、或該等之混合物。 於喷墨法中,例如為了抑制自喷嘴之蒸發,可使用高沸 點之溶劑[苯曱醚、聯環己基苯等]。又,溶液之黏度於 25eC 下較佳為 i~i〇〇mPa· s。 本發明之發光元件之各層之厚度通常為丨nm〜1〇〇 μιη, 較佳為2 nm〜1 μιη,更佳為5 nm〜200 nm。 本發明之發光元件例如可用於照明用光源、招牌(sign) 用光源、背光用光源 '顯示裝置、打印頭。作為顯示裝 置,可使用公知之驅動技術、驅動電路等而形成為段式、 點矩陣型等結構。 實施例 以下表示實施例而說明本發明,但本發明並不限定於該 等實施例。 NMR(核磁共振,nuclear magnetic “⑽仙以匀測定係利 用Varian公司製造之300 MHz NMR光譜儀。 DART-MS測定係利用日本電子製造之The AccuT〇F TL(: (JMS-T100TD) 〇 159665.doc • 36 - 201226415 HOMO能級之測定係利用光電子光譜裝置(理研計器股份 有限公司製造之AC-2)。 實施例1 (2,7-二-第三丁基-4,5-雙[二[間(N,N-二苯基胺基) 苯基]膦基]-9,9-二甲基二苯并比喃(ai)之合成) 於氮氣環境下、於室溫下將4,5-二溴-2,7-二-第三丁基_ 9,9-二曱基二苯并。比喃(2 50 mg,0.520 mmol)溶解於脫水 THF(四氫呋喃,tetrahydrofuran)(4mL)中並冷卻至_78°C, 添加正丁基鋰之正己烷溶液(1.60 m〇l/L,651 pL,正丁基 鐘為1.04 mmol)並於-78^:下攪拌2小時後,添加氯亞磷酸 二乙酯(165 mg’ 1.04 mmol)之脫水THF溶液(2 mL)並逐漸 升溫至室溫’搜拌12小時而獲得反應液1。於其他反應容 器中,於氮氣環境下、於室溫下將3-溴-N,N-二苯基苯 胺(1.69 g,5.20 mmol)溶解於脫水THF(15 mL)中並冷卻 至- 78C ’添加正丁基經之正己烧溶液(1.6〇 m〇i/L,3.25 mL ’正丁基貍為5.20 mmol)並於-78°C卞攪拌2小時後,添 加上述反應液1及脫水THF(6 mL)並使其逐漸升溫至室 溫。繼而,將反應液攪拌12小時後,加熱丨小時而進行回 流。 於反應液中添加飽和食鹽水及氯仿而進行萃取,利用無 水硫酸鎂使所獲得之有機層乾燥,進行過濾、濃縮後,以 己烷:氯仿=2:1(V/V)之比例使用己烷與氯仿之混合液作為 展開溶劑並利用矽膠管柱層析法進行純化,將化合物(ai) 減塵乾燥而獲得白色固體(172 mg,產率為24 2¾)。 159665.doc -37- 201226415 [化 16]
MS、元素分析之測定結果如下所示。 W-NMR (300 MHz, CDC13): δ 7.25-7.23 ppm (m,2H), 7.11-6.82 ppm (m, 56H), 6.50-6.48 ppm (m, 2H), 1.44 (s, 6H), 1.14 (s, 18H)。 31P-NMR (122 MHz, CDC13): δ-13.7 ppm (s) ° DART-MS (M/Z):實測值:1359.6,計算值:1359.6 [M+H]+。 C95H84N4OP2的分析計算值:C,83.92; H,6.23, N,4.12。 實測值:C, 83.71; H,6.74, N,3.74。 測定所獲得之化合物(al)之HOMO能級之能階,結果為-5.40 eV » 實施例2(化合物(bl 1)之合成) 根據Bull. Chem. Soc. Jpn. 65, 2007-2009(1992)所記載之 方法合成2,9 -二氯-1,10 -σ彳卜琳。 於四氟硼酸銀(1)(9.55 mg,0.0491 mmol)與二氣曱烷1.5 mL之混合液中添加實施例1中所合成之化合物(al)(66.7 mg,0.0491 mmol) ’於室溫下放置5秒之後’添加2,9-二 氯-1,10-啡啉(14.1 mg,0.0564 mmol)並於 40°C 下攪拌 5分 159665.doc • 38 · 201226415 鐘0 將反應液過濾’於濾液中添加二乙_並進行過滤,於濾. 液中添加己烷並進行過濾,將過濾物減壓乾燥而獲得淡黃 色錯合物(bl 1)(74.1 mg,產率 83.8%)。 [化 17]
所獲得之錯合物(bll)之1H-NMR、31P-NMR、元素分析 測定結果如下所示。 !H-NMR (300 MHz, CDC13): δ 8.50 ppm (d, J=8.2Hz, 2H), 8.47 ppm (s, 2H), 7.52 ppm (d, J=8.2Hz, 2H), 7.48-7.47 ppm (m, 2H), 7.02-6.97 ppm (m, 20H), 6.88-6.76 ppm (m, 20H), 6.68-6.66 ppm (m, 16H), 6.58-6.54 ppm (m, 2H), 1·44 (s, 6H), 1.11 (s,18H)。 31P-NMR (122 MHz, CDC13): δ- 4.7 ppm (d, J (31P-107Ag, 109Ag)=391, 451Hz)。 C107H90N6Cl2B〇F4P2Ag-l/4CH2Cl2的分析計算值:C,70.60 ; H,5.00 ; N,4.61 ; B,0.59。實測值:C, 70.38; H,5.14, N, 4.33; B, 0.65 。 測定所獲得之錯合物(bl 1)之HOMO能級之能階,結果 159665.doc •39- 201226415 為-5.50 eV。 比較例1 測定自Aldrich公司購買之(S)_(6,6,_二甲氧基聯苯基_ 2,2 —基)雙{雙[3,5 - 一異丙基-4-(二甲胺基)笨基]鱗)之 HOMO能級之能階,結果為_5.55 eV。 實施例3(發光元件1之製作) 於附著有60 nm之ITO膜的玻璃基板上,藉由對於聚(3 4· 伸乙二氧基β塞吩V聚苯乙稀續酸(Bayer公司製造,商品名 為Bytron P AI4083)之懸濁液以1〇〇〇 rpm進行15秒之旋 塗’以1500 rpm進行60秒之旋塗,而形成厚度為7〇 nm2 膜’於加熱板上以2 0 0 C之溫度乾燥10分鐘。其後,使基 板自然冷卻至室溫而獲得形成有電洞注入層之基板。 其次’製備電洞傳輸性高分子材料之〇. 6重量%之二曱苯 溶液。此處’電洞傳輸高分子材料係利用以下之方法而合 成。 於裝備有回流冷卻器及頂置式攪拌器之1L之三口圓底 燒瓶中,添加2,7-雙(1,3,2-二氧硼烷)-9,9-二(1-辛基)苐 (3·86 g,7.28 mmol)、N,N-二(對溴苯基)-N-(4-(丁烷-2-基) 苯基)胺(3.189,6.92 mmol)及二(4-溴苯基)苯并環丁胺(156 mg ’ 0.3 64 mmol)。繼而,添加曱基三辛基氣化銨(阿爾多 裏奇公司製造,商品名為八叫1^336(註冊商標))(2.29§), 然後添加50 mL之曱苯。添加PdCl2(PPh3)2(4.90 mg)後,將 混合物於10 5 C之油浴中授拌1 5分鐘。添加碳酸鈉水溶液 (2.0 Μ,14 mL),將所獲得之混合物於1〇5°C之油浴中攪 159665.doc • 40· 201226415 拌16.5小時《繼而,添加苯基硼酸(5〇0 mg),將所獲得之 混合物攪拌7小時。自反應液中去除水層,利用5 〇 mL水將 有機層清洗乾淨。將上述所獲得之有機層放回反應燒瓶, 添加0.750 g二乙基二硫代胺基甲酸鈉及5〇 mL水。將所獲 得之混合物於85°C之油浴中攪拌16小時。自反應液中去除 水層’利用100 mL水將有機層清洗3次’繼而使其通過石夕 土凝膠及鹼性氧化鋁之管柱。使用曱苯作為溶離劑,回收 包3浴出之聚合物之甲本溶液。繼而,將回收之上述甲苯 溶液注入甲醇中而使聚合物沈澱。將沈澱之聚合物再一次 溶解於甲苯中,將所獲得之甲苯溶液注入曱醇中而使聚合 物再一次沈澱。將沈澱之聚合物於6(rc下真空乾燥,獲得 4.2〇 g電洞傳輸性高分子材料。根據凝膠滲透層析,所獲 知之電洞傳輸性高分子材料經聚苯乙烯換算之重量平均分 子量為1.24X105,分子量分佈指數[重量平均分子量(Mw)/ 數平均分子量(Μη)]為2.8。 於形成有上述獲得之電洞注入層之基板上,藉由以刪 rpm進行15秒之旋塗,以15〇〇 —進行6〇秒之旋塗而塗佈 電洞傳輸性高分子材料為〇6重量%之二甲苯溶液,從而獲 得厚度為25 nm之塗膜。將設置有該塗膜之基板於⑽。c下 分鐘’使其自然冷卻至室溫而獲得形成有電洞傳輸 層之基板。 ㈣,將實施料所合成之錯合物(bu)與2,4,6_三。_ f本基)·1,3,5-三啡(住商醫藥國際公司製造)之4 混合物以漠度成為"重量%之方式溶解於氯仿:以二氯) 159665.doc •41- 201226415 乙烷=2:1(重量比)之比例之方式製備氣仿與i,2-二氣乙烷 而成之溶液;將製成之溶液藉由以1000 rpm進行旋塗15 秒,1500 rpm進行旋塗6〇秒,以厚度成為7〇 nm之方式形 成膜,使其於5G°C下乾燥2〇分鐘,藉此製作形成有發光層 之基板。 於形成有該發光層之基板上,作為陰極,藉由蒸鍵1 nm 之氟化鋰,繼而蒸鍍約1〇〇 nm之鋁而形成膜,從而製成發 光元件1。 藉由向發光元件1施加10 V之電壓,其顯示出發光效率 4.4 cd/A之發光。 實施例4(發光元件2) 作為用以製作發光層之溶液,使用實施例丨中所合成之 化合物(al)與雙(3,5-二氟_2·(2·π比啶基)苯基_(2•羧基n比啶 基)銥(III)之3:1(重量比)混合物以濃度成為〇 8重量%之方 式製備之溶液,及以成為氯仿:丨,2_二氣乙烧=2:1(重量 比)之比例之方式製備氣仿與丨,2_二氣乙烷而成之溶液,除 此以外以與發光元件i相同之方式製作發光元件2。藉由對 發光元件2施加10 V之電壓而顯示出發光效率為16 cd/A之 發光。 根據以上之結果,本發明之化合物之◦能級較淺, 可於膦部位配位成螯合型,可形成HOMO能級較淺之金屬 錯合物。因此可認為,本發明之化合物之電洞之注入性及/ 或傳輸性優異’且使用本發明之化合物的本發明之金屬錯 合物之電洞之注入性及/或傳輸性優異。 159665.doc •42-

Claims (1)

  1. 201226415 七、申請專利範圍: 1. 一種化合物,其係下述式(A)所表示者: [化1] 一。, R” (A) (式中, 各個Q1為 [化2] /p 一、〉ρ(=〇)—或彡 p(=s)—. , 2個Q1可相同亦可不同; Rl為可具有取代基之2價有機基; 各個R11為可具有取代基之烴基;鍵結於同一個q1上之 2個&11亦可與該等所鍵結之Q1一起形成環;4個R11可相 同亦可不同; 選自及4個R11中之至少i個基具有二芳基胺基作為取 代基)。 2. 如請求項1之化合物,其中Q1為 . [化 3] 、 >一 〇 3. 如°月求項1之化合物,其中 汉為可具有取代基之下述式rl'〜r 12’中之任一者所表示 之基; 159665.doc 201226415 [化4]
    示之2價基; η為1.或2 ; R為可具有取代基之碳原子數6〜18之芳基; 各個R3為氫原子、或可具有取代基之碳原子數丨〜^之 烴基;複數之R53可相同亦可不同)。 4·如=求項R化合物,其中Rll為可具有取代基之芳基。 5.如。月求項!之化合物,其中選自^及々個Rn中之至少3個 基具有二芳基胺基作為取代基。 6·如請求们之化合物’其中二芳基胺基為二笨基胺基。 7,一種金屬錯合物’其係包含如請求項!之化合物者。 8二種發光元件’其係包含如請求項】之化合物者。 9. -種發光元件’其係包含如請求項7之金屬錯合物者。 159665.doc 201226415 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:(無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: R1、1 R11 Ql—R1_Q1 (A) / \ R11 R” 159665.doc
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