TW201226176A - A ceramic plate with reflective film and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
201226176 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有反射膜之陶瓷基板,尤指一種對紅外 線有高反射率之陶瓷基板,可用於提高燃料電池之效率。 【先前技術】 固態氧化物燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell,SOFC)係以煤氣 或天然氣為燃料,利用固態非多孔之金屬氧化物如定化氧化結 (Zr〇2)作為電解質,藉著氧離子在晶體中穿梭進行離子傳送而產生 電能,其操作溫度高達800〜1000¾,優點為工作溫度高、電極反 應速度快,故不必使用貴金屬作催化劑亦可達成高發電效率,且 固態氧化物燃料電池可利用本身高溫進行内部燃料重整,可使系 統簡早化。但交限於南溫操作’因此如電極板、雙極板與密封材 料的材質選擇上受到溫度的限制。 先前技術如美國公告專利7,462,208號所揭露之平面微燃料 處理器,該專利揭露了一種用於燃料電池之化學反應設備,其中 该反應设備之反應腔具有由陶瓷或金屬構成之絕熱壁(如^批 wall),該絕熱壁表面進一步包括一輻射防止膜(radiati〇npreveming film),該輻射防止膜可為金、鋁或銀所構成之金屬膜或選自氧化 錫、氧化銦或氧化鋅所構成之氧化金屬膜,該輻射膜可用以減少 熱傳導以及鱗财透過絕紐,但本篇專利未揭露可反射之紅 外線波長翻及_之反神,絲揭示高溫環境下練射防止 201226176 膜的穩定度。 又如美國公開專利20080171245號所揭露之熱輻射防護膜、 反應裝置、燃料電池、電子設備、熱反射膜與熱隔絕容器,該專 利揭露了一種用於燃料電池之反應裝置,該反應裝置包含一反應 裝置主體,該主體表面具有一包含鶴及糾冓成之附著層(adhesi〇n layer)該附著層上更具有一包含金材質之表面層(5证色從iayer)。 雖然說明書中揭露該表面層金屬的候選金屬包含金、紹、銀、銅 鲁或铑,且由於金與銀對於波長大於1微米之波有較高的反射率, 因此金與銀為較佳的材料。但本專利於說明書進一步說明其燃料 電池的反應裝置主體上的表面層必須是金的材質,方可於6⑻〜8〇〇 度的高溫下抑制熱的散逸,而以銀的材質所構成之表面層在6〇〇 度之溫度會蒸發,因此以銀材質所構成之熱反射膜並不適用於高 溫操作之燃料電池。 又如美國公開專利20090246576號所揭露之反應裝置與電子 ® 設備,該專利揭露了一種用於燃料電池之反應裝置,該反應裝置 包含一反應裝置本體與一容器,該容器内壁具有一選自金、鋁、 銀、銅或铑所構成之反射膜扣仏冰代出111),其中金、鋁、銀或銅 構成之反射膜對於波長大於1微米之紅外線有。以上的反射 率。但本專利並未揭露該反射膜於高溫環境下之穩定度。 鑑於上述先前技術的缺點,本發明之一種具有反射膜之陶瓷 基板及其製造方法,係藉由提升燒結溫度與燒結次數來控制反射 膜之金屬結晶尺寸,可有效提升陶瓷基板對紅外線之反射率及提; 4 201226176 升陶瓷基板於高溫操作環境下的穩定性。 【發明内容】 本發明之一目的在於提供一種具有反射膜之陶瓷基板。 本發明之另一目的在於提供一種具有反射膜之陶瓷基板,其 中該反射膜至少包含-玻璃層與一具有金屬結晶之金屬膜。 本發明之另一目的在於提供一種具有反射膜之陶瓷基板,且 ^ 该反射膜表面設有一金膜。 本發明之另一目的在於提供一種具有反射膜之陶瓷基板,該 反射膜之金屬膜具有特定直徑之金屬結晶。 本發明之另_目的在於提供—種具姐賴之喊基板,該 陶瓷基板可用以反射特定波長之紅外線。 本發明之另-目的在於提供-種具有反射膜之喊基板,該 陶瓷基板對特定波長之紅外線具有高反射率。 • 本㈣之目的在於提供—種具有反賴之陶錄板,該 陶瓷基板具有高穩定溫度。 為達上述目的’本發明之—種具有反麵之_基板該基 板至少包含: 陶竟基材,用以構成該基板之主體; -反射膜’獻射駐少包含—玻璃層與__具有金屬結晶之 金屬膜’其中該玻璃層係形成於陶£基材之-面上,該具有金 屬結晶之金屬膜係形成於該玻璃層之上。 201226176 上述之具有反射膜之陶瓷基板,其陶瓷基材可選自氧化鋁、 氣化紹等習知陶莞基板。 上述之具有反射膜之陶莞基板,其反射膜之金屬膜可選自金 或銀。 上述之具有反射膜之陶瓷基板,其反射膜之玻璃層係至少一 選自 PbO、Si02、Cao、A1203、Bi203、BaO、SrO、B2〇3、Mg〇、
ZrO、Fe203、Mn〇、CuO、CoO、Na20、P2〇5、ZnO、Ge02 及其 • 組合所構成之群組之玻璃。 上述之具有反射膜之陶瓷基板,其反射膜之金屬膜具有直徑 範圍為4至15微米之金屬結晶。 上述之具有反射膜之陶瓷基板,可用以反射波長大於丨微米 之紅外線。 上述之具有反射膜之陶瓷基板,其紅外線反射率至少為9〇%。 上述之具有反射膜之陶瓷基板,其穩定溫度至少為6〇〇度。 • 上述之具有反射膜之陶瓷基板,其中該金屬膜上進一步設有 一金膜。 為達上述目的,本發明揭露一種具有反射膜之陶瓷基板之製 造方法,該方法至少包含下列步驟: a.提供一陶瓷基材; b·提供一反射膜材料於該陶瓷基材上; c.將貼有該反賴材料之喊級顏乾溫度進行預供 201226176 d. 將貼有該反射膜材料之陶瓷基材以一預設燒結溫度進行燒 結; e. 進行退火,以形成一具有反射膜之陶瓷基板。 上述之具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中於退火步驟 e之後進一步執行一測量與判斷步驟f,測量該反射膜的金屬膜之 金屬結晶直徑,如該反射膜的金屬膜之金屬結晶直徑未達到一預 定範圍值,則重複燒結步驟d、退火步驟e及測量與判斷步驟f至 • 該反射膜的金屬膜之金屬結晶直徑達到一預定範圍值。 上述之具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中該具有反射 膜之陶瓷基板之金屬膜上進一步形成一金膜。 上述之具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中該金膜係以 濺鍵、電錢、塗布或貼合方式形成於該陶曼基材上。 上述之具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中該預烘乾溫 度至少為100度。 • 上述之具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中該預烘乾時 間至少為10分鐘。 上述之具有反射膜之陶瓷基板之製造方法’其中該預設燒結 溫度至少為850度。 上述之具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中該反射膜之 金屬膜之金屬結晶直徑預定範圍為4至丨5微米。 為達上述目的,本發明再揭露一種具有反射膜之陶瓷基板之 製造方法,該方法至少包含下列步驟: 201226176 一種具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,該方法至少包含下 列步驟: a. 提供一陶瓷基材; b. 提供一反射膜材料於該陶瓷基材上; c. 將貼有該反射膜材料之陶瓷基材,以一梯度溫度燒結方式 進行燒結; d. 再將該貼有該反射膜材料之陶瓷基材進行退火,以形成一 # 具有反射膜之陶瓷基板。 上述具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中該具有反射膜 之陶瓷基板之金屬膜上進一步形成一金膜。 上述具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,其中該金膜係以濺 鍍、電鍍、塗布或貼合方式形成於該陶瓷基材上。 【實施方式】 鲁為使本發明之一種具有反射膜之陶瓷基板上述目的、特徵及 功效能更明顯易懂,兹藉由下述具體之實施例,並配合所附之圖 式’對本發明做如下之詳細說明。 請參閱第-圖與第二圖,第一圖為利用本發明之製造方法所 製知之一種具有反射膜之陶瓷基板1〇,第二圖為本發明之製造方 法之流程圖,該製造方法首先提供一陶变基材u,然後提供一反 射膜材料於該陶竞基材u上,將貼有該反射膜材料之陶竞基材u 以l5〇C之舰乾溫度進行縣乾ls分鐘,使該反賴平整貼於 201226176 該陶瓷基材11上,接著將目上士― t:之預設燒結溫度進行糾反射膜材料之陶竟基材11以娜 二該反射膜材料經燒結後會形成-反射 、及1植12包含—形成於喊基材u之—面上的玻璃 麵層13之场具有金屬結晶之金屬膜Η, =夫:Ο 3金相14之金屬結晶直徑是否達到預定範圍, =^預錄_再次進行燒結與退火步驟至該金屬膜“之金屬 結晶直徑達預定範圍。 =㈣卿树权—種具妓射默職紐之燒結溫 度與時間變化_,該燒結過程—次約為6Q分鐘,依時間與溫 度可分為3A〜3G七個區段,其中有%〜55分鐘是高於峨,即 圖中3H所示,各段詳述如下:
當具有反射膜之陶竟基板進入燒結腔後,於3A段該燒結腔溫 度由室溫迅速上升至靴,並持續加熱至·。c ·於綱L C的3B段以每分鐘贼的升溫速率穩定加熱至·^ ;接著於 3C段繼續加熱至9坑;於3D段維持該溫度1〇分鐘,使該具有 反射膜之陶£基板在93(rc的高溫下燒結;接著於犯段實施退 火’退火10分鐘後該燒結腔溫度降至約7〇(rc ;接著於3f段以每 分鐘5〇ΐ的降溫速率快速降至300X:;於3G段緩緩降至室溫後, 該具有反射膜之陶瓷基板即退出該燒結腔而完成一次燒結。 接著參閱第四圖,第四圖係利用2000倍電子顯微鏡觀察依據 本發明所完成之一種具有反射膜之陶瓷基板10剖面之影像,依據 201226176 本發明之方法燒結完畢所得之喊基板確實可呈現如圖—之三層 、〜構且各層由下至上依序為陶竞基材u、玻璃層13與金屬膜 14。由該電子顯微鏡影像可知,該陶究基材u内部具有數個縫隙, 且該陶t*基材11表面有碎屑殘留对多個凹陷處與突出部,而該 陶瓷基材11表面上方具有一玻璃層13,該玻璃層上方具有一内含 空洞且表面有多個凹陷處與突出部的金屬膜M,其中該玻璃潛可 將該陶絲材表面與金屬縣面的凹陷處與突出部填滿,使其緊 • 密結合。 請參閱第五圖5(a)〜5(h) ’圖5⑻〜5(h)為陶兗基板與ESL(電鍍 科技)金屬膜經不同溫度與燒結次數燒結而成之一種具有反射膜之 陶瓷基板之1800倍電子顯微鏡影像,其中圖5(a)〜5(d)係於陶瓷基 材上方提供一 ESL反射膜,然後以i5〇°C之預烘乾溫度烘烤15分 鐘以完成預烘乾步驟,接著將該陶瓷基板以85(rCi燒結溫度進行 燒結60分鐘,燒結完畢後進行退火,可以得到一具有反射膜之陶 書瓷基板,並觀察該陶瓷基板表面之反射膜之金屬結晶大小,如圖 5(a)所示,以上述步驟燒結一次時,表面金屬結晶大小差異甚大, 金屬結晶平均直控為4.2微米(參見表一),且仍存有許多的空隙, 顯示燒結一次時該反射膜表面仍相當粗縫,故此時該陶瓷基板對 紅外線的反射能力會受到減損,使紅外線反射率下降,為提升紅 外線反射率,故須提升反射膜之光滑度。因此,在完成第一次燒 結後,將該陶瓷基板再次以85〇t之燒結溫度燒結60分鐘,並施 以退火,其結果如圖5(b)所示,反射膜表面之金屬結晶較圖5(a)「 201226176 為大,平均直徑為4.6微米(參見表一),且金屬結晶間的空隙數量 明顯減少’顯示經二次燒結的反射膜表面光滑度略有提升,接著 再進行第三次、第四次的燒結,其結果如圖5(c)與圖5(d)所示,該 陶瓷基板表面之反射膜之金屬結晶會隨燒結次數增加而變大,燒 結二次金屬結晶平均直徑為5.0微米、燒結四次金屬結晶平均直徑 可達到6.0微米(參見表一),且金屬結晶間的空隙會隨著燒結次數 增加而減少’故可提升陶瓷基板表面之反射膜的光滑度。 • 另外,圖5(e)〜5⑻係將燒結溫度由850。(:提升至930。(:、分別 燒結一至四次之結果,如圖5(e)所示,由該圖與表一支實驗結果 可以看出以93(TC燒結一次時,該陶瓷基板表面之反射膜之金屬結 晶為11.0微来,相較於以850Ϊ燒結所產生之之金屬結晶來說有 明顯地增長,且金屬結晶間的空隙大幅減少,陶瓷基板表面之反 射膜的光滑度有顯著提升,而圖5(f)、5(g)與卿分別為以93〇ΐ 燒結二次、三次與四次所得一種具有反射膜之喊基板之結果, 籲其金屬結晶直徑隨燒結次數增加,且金屬結晶間空隙隨燒結次數 增加而減少’如圖5⑻所示,以93(rc燒結四次後金屬結晶之間幾 無空隙’金屬結晶之平均直徑更成長至13 3微米,魄基板表面 之反射膜的光滑度也獲得大幅改善,故提高燒結溫度或增加燒結 次數皆可有效增加具有反射膜結構之陶竞基之金屬結晶直徑,提 升陶竟基板表面之反射膜的光滑度,並增加對紅外線之反射率。 201226176 晶直徑 燒結次數 結晶平均直徑 (85(TC 燒結) 結晶平均直徑 (930°C 燒姑、 lx 4.2微米 11.0微米 2x 4.6微米 11.2微米 3x 5.0微米 11.4微米 4x 6.0微米 — __J 13.3微米 接著參閱第六圖6(a)〜6⑴,為陶瓷基板與ESL(電鍍科技)、 HeraeuS(贺利氏)'Ferro(美國福祿集團)三種金屬膜在不同溫度與燒 結次數下產生之具有反射膜之陶瓷基板之1800倍電子顯微鏡影 像’其製造方法皆以125°C之預烘乾溫度將貼有反射膜之陶瓷基板 烘烤15分鐘以完成預烘乾步驟,接著將該陶瓷基板以預定之燒結 溫度燒結60分鐘,燒結完畢後進行退火,可以得到一具有反射膜 • 之陶瓷基板。 其中圖6⑻、6(b)、6(c)、6(d)係ESL反射膜與陶瓷基板以850 °C燒結一次、850°C燒結四次、930。(:燒結一次、93(TC燒結四次之 電子顯微鏡影像;圖6(e)、6(f)、6(g)、6(h)係Heraeus反射膜與陶 瓷基板以850°C燒結一次、850°C燒結四次、93(TC燒結一次、930 °C燒結四次之電子顯微鏡影像.;圖6(i)、6①、6(k)、6(1)係Ferro 反射膜與陶瓷基板以850°C燒結一次、85(TC燒結四次、930°C燒結 一次、930°C燒結四次之電子顯微鏡影像。 201226176 由圖6(a)~6(l)所呈現之電子顯微鏡影像及表二之金屬結晶平 均直徑可以得知當燒結次數増加或燒結溫度提高時 ,皆可使陶瓷 基板之反麵的金屬結晶紐增加,同喊射絲_缺陷如空 隙、殘留物等雜織之減少,使得該喊基板之反麵表面更 趨光滑。 另外,將上述圖6(e)〜6(h)四種在不同燒結溫度與燒結次數下 獲得之Heraeus反射膜之陶瓷基板與圖6⑴〜6①之Ferro反射膜之 # 陶瓷基板進行2微米〜12微米之紅外線反射率測量,其量測結果如 表三及表四所述,其中Heraeus反射膜之陶瓷基板的最大反射率皆 在99%以上,而最小反射率則由93.52%增加至94%之上,Ferro 反射膜之陶瓷基板的最大反射率由97.30%提升至99.35%,而最小 反射率更由90.84%大幅增加至96.19%之上,故由該紅外線反射率 測量結果可以得知,較高的燒結溫度與燒結次數愈多的陶究基 板,其紅外線反射率確實可獲得改善。 • 表二金屬結晶直徑 溫度 ESL反射膜+ 陶瓷基板 Heraeus反射膜+ 陶究基板 Ferro反射膜+ 陶瓷基板 850°C 燒結 lx 4.2微米 5.2微米 5.8微米 850°C 燒結 4x 6.0微米 8.3微米 9.3微米 930°C 燒結 lx 11.0微米 9.7微米 11.7微米 930°C 燒結 4x 13.3微米 14微米 13.1微米 201226176 裊三紅外_反射率(Herfeus反射膜) •板 反射率 850°C燒結 lx 850°C燒結 4x 930°C燒結 lx 930°C燒結 4x 最大反射率 99.711 99.7329 99.4793 99.6787 最小反射率 93.5206 94.5929 94.8589 94.3883 表四紅外線反射率(Ferro反射膜) 板 反射率 850°C燒結 lx 850°C燒結 4x 930°C燒結 lx 930°C燒結 4x 最大反射率 97.3081 98.2648 99.3118 99.3588 最小反射率 90.8486 92.5437 94.2411 96.1942 接著參閱第七圖,該圖為依據本發明之另一種具有反射膜之 陶瓷基板意示圖。首先提供一陶瓷基材11 ’然後於該陶瓷基材U 上提供一反射膜12 ’將貼有反射膜12之陶瓷基材11以i25°c之 預供乾溫度進行預烘乾,將貼有反射膜12之陶瓷基材U以93〇 C之預設燒結溫度進行燒結,燒結完畢後進行退火,並觀察該反 射臈12之金屬結晶大小,以得到一具有反射膜之陶瓷基板1〇,接 著以濺鑛方式於該反射膜12上方形成—金膜,其巾該陶兗基材U 係作為該具有反綱之陶絲板1〇之主體,職反細12燒結 後θ ^/成玻璃層13與—具有金屬結晶之金屬膜14構造,其中 該玻璃層η絲成於喊基材u之—面上,且該具有金屬結晶 之金屬膜14係形成於該破璃層13之上。 在詳細說明上述本發明的各項較佳實施例之後,熟悉該項技, 14 201226176 術人士可清楚的瞭解,在不脫離下述申請專利範圍與精神下<進 行各種變化與改變,亦不受限於說明書之實施例的實施方式。 【圖式簡單說明】 第一圖為依據本發明之一種具有反射膜之陶瓷基板意示圖。 第二圖為依據本發明之一種具有反射膜之陶瓷基板之製造方 法流程。 第二圖為依據本發明之一種具有反射膜之陶瓷基板之燒結溫 度與時間變化曲線圖。 第四圖為依據本發明之一種具有反射膜之陶瓷基板剖面之 電子顯微鏡影像(2000倍)。 第五圖5(a)〜5(h) ’為ESL陶瓷基板經不同溫度與燒結次數 燒結而成之一種具有反射膜之陶瓷基板之電子顯微鏡影 像(1800 倍)。 第六圖6(a)〜6(1),為ESL、Heraeus與Ferro陶瓷基板在不同 溫度與燒結次數下產生之具有反射膜之陶瓷基板之電子顯 微鏡影像(1800倍)。 第七圖為依據本發明之另一種具有反射膜之陶瓷基板意示圖。 【主要元件符號說明】 10. ··具有反射膜之陶瓷基板 η ...陶瓷基板 15 201226176 12 . . ·反射膜 13 · · ·玻璃層 14 ...金屬膜 3A-3H · 15 ...金膜 ••區段
Claims (1)
- 201226176 七、申請專利範圍: 1. 一種具有反射膜之陶瓷基板,該基板至少包含: 一陶瓷基材,用以構成該基板之主體; 一反射膜,該反射臈至少包含一玻璃層與一具有金屬結晶之 金屬膜,其中該玻璃層係形成於陶瓷基材之一面上,該具有金 屬結晶之金屬膜係形成於該玻璃層之上。 2. 如申請專利範圍第1項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該金 屬膜表面進一步設有一金膜。 3. 如申請專利範圍第1項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該金 屬膜可選自金或銀。 4. 如申請專利範圍第1項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該金 屬膜之金屬結晶直徑範圍為4至15微米。 5. 如申請專利範圍第1項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該玻 璃層係至少一選自 PbO、Si02、CaO、Al2〇3、Bi203、BaO、 SrO、B203、MgO、ZrO、Fe203、Mn〇、CuO、CoO、Na20、 P2〇5、ZnO、Ge〇2及其組合所構成之群組之玻璃。 6. 如申請專利範圍第1項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該陶 瓷基板可反射波長大於1微米之紅外線。 7·如申請專利範圍第6項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該陶 瓷基板可反射波長介於2至12微米之紅外線。 8.如申請專利範圍第1項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該陶 瓷基板之紅外線反射率至少為9〇〇/0。 17 201226176 9.如申請專利範圍第8項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該陶 瓷基板之紅外線反射率至少為95%。 10·如申請專利範圍第9項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該 陶瓷基板之紅外線反射率至少為97%。 11. 如申請專利範圍第1〇項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該 陶瓷基板之紅外線反射率至少為99〇/〇。 12. 如申請專利範圍第1項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該 • 陶瓷基板穩定溫度至少為600度。 13. 如申請專利範圍第12項之有反射膜之陶瓷基板’其中該 陶瓷基板穩定溫度至少為7〇〇度。 14. 如申請專利範圍第13項之具有反射膜之陶瓷基板,其中該 陶瓷基板穩定溫度至少為800度。 15. 如申請專利範圍第14項之具有反射膜之陶瓷基板其中該 陶瓷基板穩定溫度至少為900度。 ® 16,一種具有反射膜之陶瓷基板之製造方法該方法至少包含 下列步驟: a. 提供一陶瓷基材; b. 提供一反射膜材料於該陶瓷基材上; c•將貼有該反射膜材料之陶瓷基材以一預烘乾溫度進行預烘 乾; d.將貼有該反射膜材料之陶瓷基材以一預設燒結溫度進行燒 201226176 e.進行退火,以形成一具有反射膜之陶瓷基板。 17.如申請專利範圍第16項之製造方法其中於退火步驟e之後 進一步執行一測量與判斷步驟f,測量該反射膜的金屬膜之金 屬結晶直徑,如該反射膜的金屬膜之金屬結晶直徑未達到一 預定範圍值,則重複燒結步驟d、退火步驟e及測量與判斷 步驟f至該反射膜的金屬膜之金屬結晶直徑達到一預定範圍 值。 • 18.如申請專利範圍第17項之製造方法,其中該具有反射膜之 陶瓷基板之金屬膜上進一步形成一金膜。 19. 如申請專利範圍第17項之製造方法,其中該金膜係以濺 鍍、電鍍、塗布或貼合方式形成於該陶瓷基材上。 20. 如申請專利範圍第16項之製造方法,其中該預烘乾溫度至 少為100度。 21. 如申請專利範圍第19項之製造方法,其中該預供乾溫度為 • 110 至 200 度。 22. 如申請專利範圍第16項之製造方法,其中該預烘乾時間至 少為10分鐘。 23. 如申。月專利範圍第22項之製造方法,其中該預烘乾時間為 15至20分鐘。 24. 如申請專利範圍帛16項之製造方法,其中該預設燒結溫度 至少為850度。 25·如申4專概圍第24項之製造方法,其巾該預魏結溫度 201226176 至少為900度。 26. 如申請專利範圍第25項之製造方法,其中該預設燒結溫度 至少為930度。 27. 如申請專利範圍第26項之製造方法,其中該預設燒結溫度 至少為950度。 28. 如申請專利範圍第16項之製造方法,其中該金屬膜之金屬 結晶直徑之預定範圍值為4〜15微米。 29. —種具有反射膜之陶瓷基板之製造方法,該方法至少包含 下列步驟: a. 提供一陶瓷基材; b. 提供一反射膜材料於該陶瓷基材上; c. 將貼有該反射膜材料之陶瓷基材,以一梯度溫度燒結方式 進行燒結; d. 再將該貼有該反射膜材料之陶瓷基材進行退火,以形成一 具有反射膜之陶瓷基板。 30. 如申請專利範圍第Μ項之製造方法,其中該具有反射膜之 陶竟基板之金屬膜上進一步形成一金膜。 31. 如申請專利範圍第30 j員之製造方法,其中該金膜係賴 鑛、電鑛、塗布或貼合方式形成於該喊基材上。 20
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