201225525 40266pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種半導體積體電路。 【先前技術】 半導體積體電路通常會包含電源起動重置電路以預 防電源上電時引起的故障。 【發明内容】 本發明為一種半導體積體電路的應用。 本發明一實施例提供一電源起動重置電路，其包括： 電流鏡，連接至用以接收可變電源電壓的電源節點，且電 流鏡用以提供第-電流給第—連線，並供應第二電流給第 二連線；比較電®產生n ’用以藉由湘第—連線所提供 的第-電流而產生比較電壓；驅動器，連接至第二連線:、 用以反應於第二連線的電壓而啟動重置減；以及，選擇 性接地電晶體’用啸據比較電壓而連接第二連線與接地 節點。 本發明另—實施例提供一種電源起動重置電路，其包 括.電壓偵部分’用以接收電源電壓，且電壓债測部分 包含-债即點’且此偵測節點具有隨電源電壓變化的電 壓’驅動器’用以當债測節點的電壓高於-預設電壓時， 輸出重置訊號。其巾，賴制部分包含：啸電壓產生 器’用以產生P4電源電錢化的比較電壓；以及，選擇性 接地電晶體’ Μ根據比較電壓而連接侧節點與接地節 點0 4 201225525 4U266pit 本發明再-實施例提供一種電源起動重 括··用以接收電源電墨的電源筋點. 八匕 流鏡，電流鏡用以提供電流至;=== =電 電阻’其-端連接至第一節點；第 :第- 第:電阻的另一端，且其另一端接地;第一電晶二： 於第一即點與接地節點之間，並受介於第—電阻之盘 第二電阻之另-端之間的—連接節點上的電麵控制；^ 及’第二電晶體’連接於第—節點及接地節點之間，並 連接節點上的電壓所控制控制。 應瞭解的是，上述-般描述及以下具體實施方式僅為例示 性及闡釋性的，其並不能_本發明所欲主張之翻。’ 【實施方式】 實施例範例配合所附圖示於下文詳述，其可實施於不 同形式而不應理解為受限於此實施例範例。 雖然用語“第一，，、“第二，，、“第三，，等可能被用來形容 不同的元件、組成、區域、層級與/或部分，這些元件、組 成、區域、層級與/或部分不應該受限於前述的用語。這些 用語只是用來將元件、組成、區域、層級或部分與另一件、 組成、區域、層級或部分作區隔。因此，第一元件、組成、 區域、層級或部分在遵循下述實施例的情形下，也可以寫 作第二元件、組成、區域、層級或部分。 一些特定術語再此僅為了形容特定的實施例並不暗示 著一些限制。使用在此的單數詞或冠詞如“一”、“該，，也代 表著複數，除非内文有詳細描述。更有甚者，術語“包含” 201225525 ηυζ.υυ^ιι 徵:整體、轉、辦、要素或組成的存 w *或多個特徵、整體、步驟、摔作、元件、 組成與/鱗_存在或添加。 *娜凡件 一开層級如果被指為“在…上，，或“連接，，於另外 去之/ 級，断代表為前者直接連接於後者或在後 者之上’或有其他元件或其他層赌人兩者之間。 動雷==據本發明之一示範性實施例所繪示的電源起 番署―=。睛參照圖卜本示範性實施例之電源起動 重置電路W電壓躺部分i⑻與驅動器200。 電壓摘測部分動與驅動II 200電性連接在一起。電 壓偵測部和驅動器連接至用以接收電源電壓 (YDD)的電源節點VDDN。電源電壓（VDD)的準位為 可變動的。舉例來說，當電源賴被提供以作為包含有電 源起動重置電路麵之半導體積體電路（未繚示）的操作 電壓時’此電源電壓會增加至半導體積體電路的操作電壓。 驅動器200電性連接電壓偵測部分100。驅動器200 用以根據f㈣測部分_的輸出電壓是否大於—預設電 壓而起動或者停止啟動重置訊號RS。舉例來說，當電壓偵 測部分100的輸出電壓大於一預設電壓時，則驅動器2〇〇 啟動重置訊號RS。 電壓偵測部分100包含電流鏡120、比較電壓產生器 (comparative voltage generator) 140、偵測節點 DN，以及 選擇性接地電晶體（ground selecting transistor) GST。 電流鏡120連接至電源節點VDDN。電流鏡120透過 6 201225525 40266pif 第：連=以連接至比較電壓產生器i4〇。電流鏡i2〇透 過一纟L2以連接至選擇性接地電晶體GST。债測節 點DN被安置於第二連線L2上。 電流鏡120透過第一連線u與第二連線u而分別提 供電流給比較電壓產生器刚與選擇性接地電晶體哪。 肌經第連線L1與第二連線12的電流可隨電源、電壓的準 位而改變。 比較電壓產生器140透過第一連線u以連接至電流 鏡120。比較電壓產生器14〇藉由利用第一連線li所提供 的電流而產生比較賴。此時’比較電壓可隨電源電壓而 改變。比較電壓透過第三連線L3而提供至選擇性接地電 晶體GST的問極。 選擇性接地電晶體GST透過第二連線L2以連接至電 流鏡120。轉性接地電晶體GST連接至接地節點⑽。 選擇性接地電晶體透過第三連線L3以連接並接收來自比 較電壓產生器140的比較電壓。換句話說，選擇性接地電 晶體GST會根據第三連線L3所提供的比較電壓而決定為 導通或關閉。 ' 當選擇性接地電晶體GST關閉時，偵測節點DN的電 壓可以隨第二連線L2所提供的電流而增加。換言之，偵 測節點DN的電壓會隨流入第二連線L2的電荷流而增 加。此時，偵測節點DN的電壓可能會隨電源節點vddn 的電壓而變化。連接至偵測節點DN的驅動器2〇〇會於偵 測節點DN的電壓高於一預設電壓時，起動重置訊號 201225525 40266pif 當選擇性接地電晶體GST導通時，選擇性接地電晶體 GST形成一條電流通路。偵測節點DN透過選擇性接地電 晶體GST連接至接地節點GN。由於偵測節點腿上的電 射會放電至接地節點GN，故而偵測節點DN的電壓會快 速地下降。當偵測節點DN的電壓低於預設電壓時，則驅 動器200停止起動重置訊號rs。 選擇性接地電晶體會根據比較電壓的準位而導通或關 閉，藉以調整偵測節點DN的電壓。重置訊號RS則根據 偵測節點DN的電壓而被啟動或者被停止啟動。 圖2是根據圖丨之電源起動重置電路所繪示的電路 圖。請參照圖2,電流鏡120包含第一電晶體丁卜第二電 晶體T2與控制電阻CR。於此，圖2的控制電阻cr可以 被替換成其他的阻抗元件。 第一電晶體T1的源極連接至電源節點VDDN。第一 電晶體T1的汲極連接至控制電阻CR。第一電晶體T1的 閘極與沒極相連接。控制電阻CR透過第一連線L1以連接 至比較電壓產生器140。 第一電晶體T2的源極連接至電源節點VDDN。第二 電晶體T2的汲極連接至偵測節點DN。因此，第二電晶體 T2之汲極的電壓與偵測節點DN相同。第二電晶體T2的 閉極與第一電晶體Τ1的閘極相連接。 根據圖2的電路架構所示，電流鏡12〇透過第一連線 L1與第二連線u以分別提供電流給比較電壓產生器上仞 與選擇性接地電晶體GST。流經第一連線的電流會隨電源 8 201225525 40266pif 節點VDDN的電壓而變化。流經第一連線LI的電流總量 可以根據控制電阻CR的阻值而被調整。流經第二連線L2 的電流總量可以隨著流經第一連線L1之電流總量的變化 而變化。舉例來說，流經第一連線L1的電流總量與流經 第二連線L2的電流總量相等。 在圖2中，第一電晶體T1與第二電晶體T2可以為p 型電晶體。然而，第一電晶體T1與第二電晶體T2可以被 替換為η型電晶體。 比較電壓產生器140包含第一電阻R1、第二電阻R2、 第一節點a、第二節點b，以及偵測電晶體DT。第一節點 a連接至第一連線L1。第一電阻R1連接至第一節點a與 第二節點b。第二電阻R2連接至第二節點b與接地節點 GN 〇 偵測電晶體DT的汲極連接至第一節點a，且其源極接 地。偵測電晶體D T與選擇性接地電晶體G S T的閘極共同 連接至第二節點b。 偵測電晶體DT根據第二節點b的電壓而導通或關 閉。第二節點b的電壓透過第三連線L3而被提供至選擇 性接地電晶體GST以作為比較電壓。因此，選擇性接地電 晶體GST根據第二節點b的電壓而導通或關閉。 當電晶體DT與GST皆關閉時，第一節點a與第二節 點b的電壓（Va, Vb)可以根據第一電阻R1和第二電阻 R2的電阻比值而決定。在一示範性實施例中，第一節點a 和第二節點b的電壓可以分別表示為如下方程式1與2。 201225525 40266pif 方程式1
Va"VGCR^R^~2 方程式2
Vb^VG-- ^R^R2 關聯於方程式1和方程式2，v /ϋ * & 程 飞 Vg代表電晶體T1與T2 =自=閘極電壓，而分別代表第—節點a與第二 ㈣b的電壓。根據上述兩方程式，第—節點&與第二節 點b的電壓可以_分壓定律而決定^由姻電阻r i、 R2與流經第一連線L1的電流之間的關係，即可計算出第 一節點a和第二節點b的電壓。 電壓VG可以隨著電源節點VDDN的電壓增加而上 升。在一示範性實施例中，電壓乂〇可以藉由^源節點 VDDN的電壓和第一或第二電晶體耵或丁2之臨界電壓間 的差異來計算出。電壓VG會隨著電源節點VDDN的電壓 上升而增加。根據方程式2 ’第二節點b的電壓會隨著電 壓V〇上升而增加。 於此假設選擇性接地電晶體GST會於電源電壓被施 加至電源節點VDDN時而處於關閉狀態。此時，彳貞測節點 DN的電壓會增加。若第二節點b的電壓到達選擇性接地 電晶體GST之臨界電壓的話，選擇性接地電晶體GST會 201225525 40266pif 導通。當選擇性接地電晶體GST導通時，_節點d 電壓會快速地下降。 換句話說，根據第二節點b的電壓（即，比㈣ 可以決賴擇性祕電晶體GST是科通。糾改 電阻R1與第二電阻R2的阻值，可以㈣ 體GST的導通時間。偵測節點DN的電壓會根據 地電晶體GST的導通或關閉而被調整。 驅動器200可以根據债測節點DN的電壓而啟動 停止起動重置訊號RS。當偵測節點DN的電壓高於預 壓時，則驅動器200會啟動重置訊號Rs。當债測節點⑽ 的電壓低於預設電壓時，則鶴H 會停止啟動重置訊 號RS。換句話說’當選擇性接地電晶體根據比較電壓的增 加而導通時，驅動器200就會停止啟動重置訊號rs。曰 根據上述示範性實施例，藉由改變控制電阻CR、第 -電阻R卜第二電阻R2的阻值，即可控制施加至第—節 點a和第二節點b的分壓比例。因此，藉由改變控制電阻 CR弟電阻R1、第一電阻R2的阻值，即可調整第二節 點b的電壓（即’比較電壓）。重置訊號沾的啟動與停 止啟動時機可以根據所調整之第二節點b的電壓而被調 整。 換言之’根據施加至電源起動重置電路1〇〇〇之電源電 壓的大小與變化，即可藉由改變控制電阻、第一電阻 R1、第二電阻R2的阻值來調整重置訊號R s的啟動時間。 在圖2中，電晶體DT與GST被繪示為n型電晶體。 11 201225525 40266pif 然而，可理解的是’電晶體DT與GST也可以為p型電晶 根據一示範性實施例之電源起動重置電路1〇0〇的實 例’藉由利用四個電晶體ΤΙ、T2、DT及GST，偵測節點 DN的電壓會隨著電源節點VDDN之電壓的變化而改變。 重置訊號RS會反應於偵測節點DN的電壓而啟動。因此， 即可提供具有小面積的電源起動重置電路。 圖3為圖2所繪示之驅動器的電路圖。請參照圖3， 驅動器200包含緩衝器210、延遲器220與輸出反向器〇1。 緩衝器210可以包含最少一個反向器。於圖3中，本 示範性實施例所繪示的緩衝器21〇由兩個反向器NG1和 NG2所組成。反向器NG1和NG2分別包含一個p型電晶 體與一個η型電晶體。 緩衝器210的輸出節點d根據偵測節點DN的電壓而 決定連接至電源節點VDDN或接地節點GN。當偵測節點 DN的電壓高於預設電壓時，缓衝器21〇的輸出節點4連 接至電源節點VDDN。當偵測節點DN的電壓低於預設電 壓時，緩衝器210的輸出節點d連接至接地節點GN。 舉例來說，當偵測節點DN的電壓高於第四電晶體τ4 的臨界電壓時，反向器贿的輸出節點^連接至接地節點 同時’緩衝器21G的輸出節點d連接至電源節點 當積測節點DN的電壓低於第三電晶體T3的臨 壓時，反向器腦的輸出節點。連接至電流節點vddn電 201225525 W2bt)p\t 同時’緩衝器210的輪出節點d連接至接地節點GN。 緩衝器210的輪出節點d會根據偵測節點的DN的電 壓是，達到一預設準位而決定連接至電源節點 VDDN 或 接地節點GN。因此，相較於以偵測節點DN之電壓來產 生重置訊號rS的情形，根據緩衝器21〇的輸出電壓來產 生重置訊號RS的方式可以增進電路的可靠性。 延遲器220包含第七電晶體T7、第八電晶體T8、第 二電阻R3和電容〇延遲器220被繪示來延遲緩衝器210 之f出郎點d的電壓’但是圖3所繪示之延遲器200的架 構^可以被多變的。舉例來說，延遲器220可以由多個反 向器組成以延遲緩衝器21〇之輸出節點d的電壓。 k遲器220的輪出節點e連接至輸出反向器〇1的輸 入’且輸出反向器01具有用以輸出重置訊號RS的輸出。 =遲器220會延遲輸出節點d的電壓，以至於來自於 輸出即點d所傳送的電壓會於一段預設時間後才會被輸 出。舉例來說，當緩衝器210的輸出節點d連接至接地節 N時，第七電晶體T7會導通，而第八電晶體丁8會關 严才延遲器220之輪出節點e的電壓可以透過電容c的充 電而增加。 當緩衝器210的輸出節點d連接至電源節點VDDN 時：第七電晶體17會關閉，而第八電晶體T8會導通。延 =器220之輸出節點e的電壓可以透過電容^放電而降 輪出反向器01會根據延遲器22〇之輪出節點e的電壓 13 201225525 4U266pit 停止起動重置訊號rs。輪出反向器〇i包 電曰曰體T9和第十電晶體T1〇。第 十電會根據輸出節心的電壓而導二關閉。第 :輸出即點e的電麈達到第九電晶體Τ9的臨界電壓 lit位的重置訊號批會被輸出。因此，重置訊號肋 被啟動。另—方面’當輸出節點e的電 體TK)的臨界電壓時，低準位的重置訊號沾會被輸出。曰 因此，重置訊號1^會被停止啟動。 如此一來，當偵測節點DN的電壓高於預設電塵（如 第四電晶體T4的臨界電屋）時，高準位的重置訊號舫將 會被產生。另一方面，當偵測節點DN的電壓低於預設電 壓時’低準位的重置訊號RS將會被產生。 根據一示範性實施例，驅動器2〇〇會於判斷出偵測節 點DN的電壓高於預設電壓且經過一段時間後，才起動重 置訊號RS。藉由驅動器2〇〇中的延遲器220來延遲偵測節 點DN的電壓，重置訊號RS可以在電源電壓穩定之後才 被產生。因此，即可提供具有提高可靠度的電源起動重置 電路1000。 圖4為電源電壓改變時，内部節點的電壓變化示意 圖。在此假設偵測電晶體DT的臨界電壓與選擇性接地電 晶體GST相同。 請參閱圖2與圖4,在第一時間期間tl，偵測節點dn 的電壓VDN會隨著電源節點VDDN之電壓VDD的上升 而增加/上升。特別的是，在第一時間期間tl時，選擇性 201225525 ^uzoopit 接地電晶體GSi處於關閉狀態。因此，傳遞至偵測節點 DN的電荷被累積，且偵測節點dn的電壓VDN會上升。 驅動器200會反應於偵測節點〇]^的電壓VDN而啟動重 置訊號RS。 在第一時間期間U，侧電晶體DT處於關閉狀態。 當電源節點VDDN白勺電壓VDD上升時，第二節點b的電 壓Vb也一起上升。 在第二時間期間t2,如果第二節點 b的電壓Vb達到 偵測^體DT的臨界電 Vth時，债測電晶體DT會導 f 1 -即點b可能與_電晶體DT的臨界電壓v 準位。 進一步說，力楚-Λ/Γ 電晶體GST的臨/雷二厂郎f b的電壓Vb達到選擇性接地 通。如果選擇H時，選擇性接地電晶體⑽會導 節點DN的電聊導通的話，則累積在偵測 DN的電壓t θ快速釋放至接地節點GN。偵測節點 於侧節點_ H速地減少。同時，驅動器細會反應 在第-心的電壓VDN而停止啟動重置訊號RS。
的電壓獨t3’侧電晶體DT因電源節‘點VDDN 電壓vb與電源？而關閉。根據分麗定律’第二節點b的 若第二:、即點VDDN的電壓VDD成正比關係。 之臨心^ b的電M Vb降低至低於選擇性電晶體 閉。偵測節點2話’選擇性接地電晶體GST會再度被關 節點VDDN的電屋卿急速地增加後會隨著電源 電麼VDD而下降。同時，驅動器200會反 15
201225525 HUZOOpU 應於偵測節點DN的電壓VDN而啟動重置訊號RS。 圖5為重置訊號根據圖3所繪示之驅動器的輸入電壓 變動的變化示意圖。請參閱圖2與圖5,重置訊號RS會反 應於偵測節點DN的電壓VDN而被啟動。 在第一時間期間tl，如果偵測節點DN的電壓VDN 達到關鍵電壓Vcr的話，重置訊號RS會在一段預設時間 (①）後而被啟動。在一示範性實施例中，關鍵電壓Vcr 可以根據驅動器2〇〇中電晶體T3和T4的臨界電壓（參考 圖3)而決定。於圖5中，當重置訊號RS被啟動時，高準 位的重置訊號RS會被產生。 在第二時間期間t2，偵測節點DN的電壓VDN快速 地下降。若偵測節點DN的電壓VDN下降至低於關鍵電 壓Vcr的話，驅動器2〇〇會於一段時間（②）後停止起動 重置訊號RS。於圖5中，當重置訊號！^被停止啟動時， 低準位的重置訊號RS會被產生。 如果偵測節點DN的電壓VDN高於關鍵電壓Vcr的 話，則驅動器2 0 〇會於一段時間（③）後起動重置訊號R s。 同樣地，如果偵測節點DN的電壓VDN低於關鍵電 壓Vcr的話，則驅動器2〇〇會於一段時間（④）後停止起 動重置訊號RS。 如圖5所示，重置訊號Rs為受啟動於高準位與停止 啟動於低準位。然而’重置訊號Rs被啟動與停止啟動的 邏輯狀態可以藉由換圖3巾的輸出反向器〇1與其他元件 而改變。 201225525 4U^()6pit 圖6為-示範性實施例之包含有電源起動重置電路的 電腦糸統方塊圖。請參照圖6,電源起動重置電路刚 安裝於如行動裝置、桌上電腦等_訊處理系統。 根據-示範性實施例，電腦系統2〇〇〇包含用以控 憶體2100與電腦系統2_之重置操作的電源起動重 路1000。電腦系統2000更包含與匯流排2_電性連接 使用者介面2300與中央處理單元boo。 電源起動重置電路1000透過匯流排26〇〇以連接至記 憶體2100、使用者介面2300與中央處理單元25〇〇。電源 起動重置電路1000用以提供重置訊號。 ’、 記憶體2100纟質上可以如同記憶卡或固態硬碟 (SSD)。記憶體2100可包含記憶胞陣列（未繪示）盘用 以控制記憶胞陣列的控制器（未緣示）。 一 記憶體2100可以被分為非揮發性記憶體與揮發性記 憶體。揮發性記憶體為電源關時即失去儲存資料的記憶 體。揮發性記憶體包含靜態隨機存取記憶體（SRAM)、^ 態隨機存取記憶體（DRAM)及同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM) #等。非揮發性記憶體為電源關閉時，依舊保 留儲存資料的記鍾。非揮紐記憶體可包含唯讀記憶體 (ROM)、可程式化唯讀記憶體（pR〇M)、可抹除可冑$ 化唯讀記憶體（EPROM)、電子可抹除可程式化唯讀記憶 體（EEPROM)、快閃記憶體、相變記憶體（pRAM)、磁 阻式隨機存取記憶體（MRAM)、電阻式記憶體（rram)、 鐵電隨機存取記憶體（FRAM)等。繪於圖6中的記憶體 17 201225525 ttU^〇〇pu 2100至少包含兩個上述記憶體的組人。 勺入2體Γ,0可由不同的封装方式以進行封展，例如： =豐層封裝（POP)、球柵陣咐^⑽ =⑽Ps)、塑膠晶粒承载封裝（pu：U =裝(叫晶圓盤封裝、晶反: =』叫陶竟雙列直插式封裝（CERDIP)、公制方 1封裝⑽〇、縮小式小外形封裝（SSOP)、薄式小外 =裝（TSOT)、系統級封裝（Slp)、多晶片封裝（Mcp)、 日日圓級焊接式封裝（WFP)、晶圓級堆疊封裝（wsp)等。 理的使用者介面2300提供或由中央處理單元2500處 ί ΓΓ 於記舰2刚。雖然並未繪於圖6，電腦 ^输瞻可以更包合應用晶片組、攝像處理器（CIS)、 數據機或行動動態隨機存取記憶體等。 f某些實施例中’電腦系統2_可以被用於電腦、播 帶式電腦、超級移動電腦（UMPC)、工作站、小筆電、個 2姉理（掌上型電腦）、網路平板電腦、無線電話、行 办你智慧型手機、電子書、攜帶式多媒體（PMP)、數 口》i、數位音源錄音/播放器、數位圖片/影像錄取/播放 =旱上遊樂器、導航系統' 黑盒子、數位多媒體廣播播 二、3維電視、可藉由無線網路環境傳輸或接收資訊的 裝置、家庭網路建構電子裝置、電腦網路建構電子裝置、 U網路建構電子裝置、無線射頻辨識系統或電腦系統建 構電子裝置。 18 201225525 wzttpit 根據一實施例，電源起動 電阻調整_節點DN的^/ ，由電晶體與 測節點的電壓而被啟動f £ ° ^置减以反應於债 於一較小的區域 可提供電源起動重置電路 内的阻範h施例中，改變電源起動4置電路1000 大小與變化，也^:^重置魏麵之電源電壓的 可提供更具可靠 RS的啟㈣機。因此， 經由综::=電f起動重置電路。 電壓，如攜帶犬、個 來越多的電子裝置操作於低電源 裼帶電知、網路平板電腦m細） (PMP)、掌上遊U慧财機、攜帶式多媒體 電路的半導體跡、二4广波趨勢需要附有電源起動重置 路電源上升時 電源縣。半導體積體電 起動重置雷舰ir電達—預設電壓準位時，電源 存器盘m八重置訊號以初始化正反器、⑽器、暫 壓時^動、^上f時’重置崎於電源賴達到預設電 =體稽：電源電壓達到—般運作的電壓時停止敌 L=積體電路的内部元件因啟動的重置訊號而重置 供一種電源起動重置電路以於彻積體電 ;1.提供重置訊號。根據—示範性實施例，電源起 重置電路使用較少的電晶體與電阻調整偵測節點的 <壓。重置sil號RS反應於侧節點DN的電壓而啟動。 19 201225525 40266pit 因此，與此示範性實施例中， 於低電源電壓的電源起動重置 尸~Γ &供具有小面積且操作 電路。 些特定用語於此使用，是 不是作為限制的目的。 一些實施例於此揭露，及一 用來提供一般且描述性的解釋而 【圖式簡單說明】 下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了 本發明的示例實施例’所附圖式與說㈣的描述一起說明 本發明的原理。 圖1為-示範性實施例之電源起動重置電路的方塊 圖。 圖2為圖1之電源起動重置電路的電路圖 圖3為圖2之驅動器的電路圖。
圖4為當電源電壓改變時’内部節點電壓變化的示意 圖5為重置訊號根據圖3所綠示之驅動器的輸入電壓 變動的變化示意圖。 圖6為-示範性實施例之包含有電源起動重置電路的 電腦系統方塊圖。 【主要元件符號說明】 100 電壓偵測部分 120 電流鏡 140 比較電壓產生器 200 驅動器 210 緩衝器 20 201225525 WZbtpit 220 :延遲器 230 :輸出反向器 1000 :電源起動重置電路 2000 .電腦糸統 2100 :記憶體 2300 :使用者介面 2500 :中央處理單元 2600 :匯流排 a :第一節點 b:第二節點 c〜e :輸出節點 C :電容 CR :控制電阻 DN :偵測節點 DT :偵測電晶體 GN :接地節點 GST :選擇性接地電晶體 L1〜L3 :第一至第三連線 NG1、NG2 :反向器 R1〜R3 :第一至第三電阻 RS :重置訊號 T1〜T10 :第一至第十電晶體 tl~t3 :時間期間 ①〜④.時間 21 201225525 ^uzoopit VDDN :電源節點 VDD :電源節點的電壓 VDN :偵測節點的電壓 Vb :第二節點b電壓 Vcr :關鍵電壓 Vth :臨界電壓 22