TW201214246A - Optical waveguide device and optical touch panel - Google Patents

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TW201214246A TW100116486A TW100116486A TW201214246A TW 201214246 A TW201214246 A TW 201214246A TW 100116486 A TW100116486 A TW 100116486A TW 100116486 A TW100116486 A TW 100116486A TW 201214246 A TW201214246 A TW 201214246A
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201214246 i 六、發明說明: t t 明所屬冬奸領3 發明領域 本發明係關於一種可以進行光學式3維檢測之光波導 裝置和’採用該光波導裝置之可以進行光學式3維檢測的光 學式觸控面板。 C先前技術3 發明背景 使來自發光元件的光通過發光側光波導導入座標輸入 區域,再使通過座標輸入區域的光通過受光側光波導導入 受光元件之光學式觸控面板(例如專利文獻卜2)是已知的。 專利文獻 1 (USER INPUT DEVICE FOR A COMPUTER SYSTEM)之光學式觸控面板可以檢測遮斷座標輸入區域的 • 光線之物體的2維座標(xy座標)。另外,專利文獻2(觸控面 板用光波導)之光學式觸控面板可以檢測遮斷座標輸入區 域的光線之物體的2維座標(xy座標)。 第8圖係專利文獻2之光學式觸控面板40。如第8圖(a) 所示,從發光元件41發出的光通過發光側光波導42出射到 座標輸入區域43。通過座標輸入區域43的光線44,再通過 受光側光波導45進入受光元件46。如第8圖(c)所示,在座標 輸入區域43的下方設有影像顯示裝置47。 如第8圖(c)、(d)所示,在發光側光波導42中,芯層48 被埋設在包層49内。另如第8圖(b)、(c)所示,在受光側光 波導45中,芯層50被埋設在包層51内。光邊在芯層48、50 201214246 和包層49、51的界面進行全反射,邊在芯層48、50中行進。 芯層48、50的折射率被設定成比包層49、51的折射率高, 以便使光在芯層48、50和包層49、51的界面進行全反射。 第9圖係使用於專利文獻2之光學式觸控面板40的發光 側光波導裝置的斜視圖。發光側光波導裝置是指結合了發 光側光波導42和發光元件41的裝置。從發光區域52係呈直 線排列的1維發光元件41發出的光53,入射到發光側光波導 42的芯層48。通過芯層48的光,從芯層48的端部(出射口) 作為光線44出射到座標輸入區域43。在第9圖中,雖然為了 便於說明而將發光側光波導42和發光元件41分開繪出,但 是實際上’發光側光波導42和發光元件41緊密貼合,形成 光耦合。 第10圖係使用於專利文獻2之光學式觸控面板40的受 光側光波導裝置的斜視圖。受光側光波導裝置是指結合了 受光側光波導45和受光元件46的裝置。通過座標輸入區域 43的光44,入射到受光側光波導45的芯層50。通過芯層50 的光從芯層50的端部射出,入射到受光區域54呈直線排列 的1維受光元件46。在第1〇圖中,雖然將受光側光波導45和 受光元件46分開繪出以方便說明,但是實際上,受光側光 波導45和受光元件46緊密貼合,形成光耦合。 在第8圖所示的專利文獻2之光學式觸控面板4〇中,並 沒有檢測物體高度方向的座標(z座標;與座標輸入區域43 的表面垂直的方向的座標)的手段。因此,專利文獻2之光 學式觸控面板40無法檢測座標輸入區域43之物體高度方向 201214246 _ - 的座標(z座標)。專利文獻1的光學式觸控面板也同樣無法檢 測座標輸入區域的物體高度方向的座標(z座標)。 因為如果可以檢測座標輸入區域之物體的3維座標 (xyz座標),就可以思考各種利用方法,所以有可以檢測3 維座標的觸控面板被公開(例如專利文獻3〜7)。 專利文獻3(3維位置識別型觸控面板裝置)是在座標輸 入區域的周圍,設有排列於X方向、y方向、z方向之複數個 感測器(z方向是高度方向)。專利文獻3的觸控面板為光學式 觸控面板。用這個觸控面板來檢測遮斷座標輸入區域的光 線之物體的z座標。專利文獻3中,雖然詳細敘述了所識別 的3維位置數據的使用方法,但是並沒有關於感測器構造的 具體記載。因此,在專利文獻3中並不清楚檢測物體的3維 * 座標(xyz座標)的手段。 . 專利文獻4(電子筆及觸控面板裝置)是在座標輸入區域 的周圍,設有排列於水平方向(X方向、y方向)的複數個感測 器。專利文獻4的觸控面板為光學式觸控面板。但是沒有排 列於高度方向(z方向)的感測器。因此該觸控面板裝置無法 對z座標進行光學式檢測◎而是檢測施加到電子筆的筆壓或 電子筆的傾斜度’計算z方向的按壓力,將z方向的按壓力 換算成z座標,檢測電子筆的3維座標(xyZ座標)。專利文獻4 的觸控面板裝置必須使用專用的電子筆。因此,該觸控面 板裝置並不適合於不特定多數人使用的觸控面板裝置,例 如ATM和自動販賣機。 專利文獻5(觸控面板輸入方法及裝置)中採用表面聲波 201214246 觸控面板。表面聲波觸控面板可以檢測觸碰的按壓力。然 後將觸碰的按壓力換算成Z座標,檢測物體的3維座標(xyz 座標)。因此,使用者必須調整觸碰的按壓強度以符合觸控 面板的設定。要求不特定多數的人調整按壓強度是有困難 的。此外過大的按壓是導致觸控面板發生故障的原因。 專利文獻6(觸控面板式輸入裝置)是在電阻膜式觸控面 板的裏面设置壓力傳感器。按壓位置(Xy座標)是利用電阻膜 式觸控面板通常的機能來檢測。利用壓力傳感器檢測按壓 力和按壓時間,將按壓力和按壓時間換算成2座標。將該z 座標和按壓位置(xy座標)加到一起,檢測物體的3維座標 (xyz座標)。使用者必須調整觸碰的按壓力和按壓時間以符 合控面板的設定。要求不特定多數的人調整按壓力和按壓 時間是有困難的。此外過大的按壓強度成為觸控面板發生 故障的原因。若在影像顯示裝置之顯示性能容易降低的電 阻膜式觸控面板上進一步加裝壓力傳感器,則有影像顯示 裝置的顯示性能進一步下降的可能性。 專利文獻7(3維觸控面板)是利用設置在座標輸入區域4 個角落的壓力傳感器來檢測施加到座標輸入區域的荷重。 從4個壓力傳感器的輸出,計算按壓座標輸入區域之物體的 位置(xy座標)和按壓力。將加壓力換算成z座標,檢測物體 的3維座標(xyz座標)。使用者必須調整觸碰的按壓強度以符 合觸控面板的設定。要求不特定多數的人調整加壓強度是 有困難的。此外過大的按壓強度成為觸控面板發生故障的 原因。
I 201214246 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻 1 : US 6,351,260 B1 專利文獻2 :特開2008-181411號公報 專利文獻3 :特開平8-212005號公報 專利文獻4 :特開2006-92410號公報 專利文獻5 :特開平10-133818號公報 專利文獻6 :特開2006-39745號公報 專利文獻7 :特開2006-126997號公報 【發明内容】 發明概要 發明欲解決之課題 ' 為解決以上問題,本發明以下述内容為目的。 — (1)提供可以對物體的3維位置座標(X、y、z座標)進行 光學式檢測之光波導裝置。 (2)提供應用前述的光波導裝置,可以對物體的3維位置 座標(X、y、z座標)進行光學式檢測之光學式觸控面板。 用以解決課題之手段 (1)本發明之光波導裝置(受光側)具有光波導積層體。 光波導積層體係複數個光波導的至少一部分被積層而形 成。光波導積層體具備光的入射端和出射端。光波導積層 體之光的出射端係光耦合到受光區域呈2維配置的2維受光元 件。 (2)本發明之光波導裝置(受光側)中,在光的出射端, 201214246 複數個光波導緊密貼合並且被積層。而在光的人射端,複 數個光波導則是彼此間隔開來。 (3)本發明 <光波導裝置(發光側)具有光波導積層體。 光波導積^體係複數個光波導的至少—部分被積層而形 成光波¥積層體具備光的入射端和出射端。光波導積層 體之光的人射%係光搞合到發光區域呈2維配置的2維發光元 件0 ⑷本發明之光波導裝置(發光側)中,在光的入射端, 複數個光波導緊密貼合並且被積層。而在光的出射端,複 數個光波導則是彼此間隔開來。 (5)本發明之光學式觸控面板具備作為受光側的光波導 裝置之上述⑴和(2)的光波導裝置^另外本發明之光學式 觸控板具備作為發光側的光波導裝置之上述⑺和⑷的光 波導裝置。本發明之光學式_岐在騎輸人區域有從 發光側光波導裝置出射’並人射到受光側光波導裝置之複 數個光線層。複數個光線層平行於座標輸心朗表面, 彼此間隔開來。 發明效果 〇)本發明之光學式觸控面板,_也_體高度方向 的座標進行光學式檢測,故無需按壓座標輪入區域,少有 發生故障之虞。 ⑺本發明之光學式馳面板以要特㈣輸入工具 (電子料),可以像-般的觸控面板-樣以手指輸入。 ⑺本發明之光學式職面板適合於不特定多數的人使 201214246 用的輸入裝置,例如ATM和自動販賣機。 (4)習知的ATM和自動販賣機僅能完成2維座標輸入,但 是採用本發明之光學式觸控面板的ATM和自動販賣機可以 完成3維的座標輸入。 圖式簡單說明 【第1圖】本發明之光學式觸控面板的平面圖。 【第2圖】(a)本發明之光學式觸控面板沿A-A線的斷面 圖,(b)本發明之光學式觸控面板沿B-B線的斷面圖,(c)本 發明之光學式觸控面板沿C-C線的斷面圖。 【第3圖】本發明之光波導裝置(發光側)的斜視圖。 【第4圖】本發明之光波導裝置(受光側)的斜視圖。 【第5圖】(a)本發明之光波導裝置(發光側)的平面圖, (b)本發明之光波導裝置(受光側)沿A-A線的斷面圖,(c)本 " 發明之光波導裝置(發光側)沿B-B線的斷面圖。 【第6圖】⑷本發明之光波導裝置(受光側)的平面圖,(b) 本發明之光波導裝置(受光側)沿A-A線的斷面圖,(c)本發明之 光波導裝置(受光側)沿B-B線的斷面圖》 【第7圖】(a)本發明之光學式觸控面板中,物體的3維座 標,即(X、y、z)座標的檢測方法說明圖,(b)本發明之光學式 觸控面板中,物體的3維座標,即(X、y、z)座標的檢測方法說 明圖,(c)本發明之光學式觸控面板中,檢測物體的3維座標, 即(X ' y、z)座標的檢測方法說明圖。 【第8圖】(a)習知之光學式觸控面板的平面圖,(b)習 知之光學式觸控面板沿A-A線的斷面圖,(c)習知之光學式 201214246 觸控面板沿B-B線的斷面圖,(d)習知之光學式觸控面板沿 C-C線的斷面圖。 【第9圖】習知之光學式觸控面板中所使用的發光側光波 導裝置的斜視圖。 【第10圖】習知之光學式觸控面板中所使用的受光側光波 導裝置的斜視圖。 I:實施方式3 用以實施發明之形態 第1圖係本發明之光學式觸控面板10的一例的平面 圖。如第1圖所示,從發光元件11發出的光通過發光側光波 導積層體12出射到座標輸入區域13。通過座標輸入區域13 的光線14入射到受光側光波導積層體15,再通過受光側光 波導積層體15進入受光元件16。 本發明之光學式觸控面板10具備本發明的光波導裝置 17(發光側)和,本發明的光波導裝置18(受光側)。本說明書 中,將結合發光側光波導積層體12和發光元件11的裝置稱 為發光側的光波導裝置17。另將結合受光側光波導積層體 15和受光元件16的裝置稱為受光側的光波導裝置18。如第2 圖(b)所示,在座標輸入區域13的下部有影像顯示裝置19。 第2圖係本發明之光學式觸控面板10中所使用的發光 側的光波導裝置17及受光側的光波導裝置18的斷面圖。如 第2圖(a)、(b)所示,受光側光波導積層體15的光波導15a 中,芯層22a被埋設在包層23a。而光波導15b中,芯層22b 被埋設在包層23b。另外,光波導15c中,芯層22c被埋設在 10 201214246 包層23c。光邊在芯層22a、22b、22c和包層23a、23b、23c 的界面進行全反射,邊在芯層22a、22b、22c中行進。芯層 22a、22b、22c的折射率比包層23a、23b、23c的折射率高。 如第2圖(b)、(c)所示,發光側光波導積層體12的光波 導12a中,芯層20a被埋設在包層21a。光波導12b中,芯層 20b被埋設在包層2ib。光波導12c中,芯層20c被埋設在包 層21c °光一在芯層2〇a、20b、2〇c和包層21a、21b、21c的 界面進行全反射’邊在芯層2〇a、20b、20c中行進。芯層20a、 2〇b、20c的折射率比包層2ia、21b、21c的折射率高。 在第2圖,發光側的光波導12a、12b、12c,及受光側 的光波導15a、15b、15c分別為3層,不過這只是一個例子。 本發明之光學式觸控面板1〇中,發光側的光波導12a、12fc>、 12c只要有2層以上即可,最大層數並無限制。另外,受光 側的光波導15a、15b、15c只要有2層以上即可,最大層數 並無限制。使用在本發明之光學式觸控面板1〇中時,如第2 圖所示,發光側光波導積層體12的光波導I2a、12b、12c的 層數和受光側光波導積層體15的光波導15a、15b、15c的層 數相等。 發光側的光波導12a、12b、12c,及受光側的光波導 15a ' 15b、15c的層數如果少,發光側光波導積層體12及受 光側光波導積層體15就容易製造。但是光線14a、14b、14c 之z方向(垂直於影像顯示裝置19表面的方向)的層數會減 少。通常’光線14a、14b、14c之z方向的層數,和發光側 的光波導12a、12b、12c的層數,及受光側的光波導i5a、 201214246 15b、15c的層數相等。發光側的光波導12a ' 12b、12c,及 受光側的光波導l5a' 15b、15c的層數如果多,發光側光波 導積層體12及受光側光波導積層體15的製造會變難。但是 可以增加光線14a、14b、14c之z方向的層數。 如第2圖(a)所示,受光側的光波導ih、15b、15c之芯 層22a、22b、22c的一端光耦合到受光元件16。如第2圖⑷ 所示’受光側光波導積層體15中,在耦合到受光元件16的 部分,光波導15a、光波導15b、光波導15c緊密貼合並積層 在一起。遠離受光元件16處,光波導15a、光波導15b、光 波導15c並未緊密貼合’各層間有間隙24。間隙24是為了將 第2圖(b)所示之z方向的光線間距離pz(z方向間距)調整成適 當大小而設置。z方向所需的光線間距離pZ如果小,即使沒 有間隙24亦可。在這種情況下,光波導153、光波導15b、 光波導15c全面地緊密貼合並積層在一起。 如第2圖(c)所示,發光側的光波導12a、12b、12c之芯 層20a、20b、20c的一端光耦合到發光元件11。如第2圖⑷ 所示,發光側光波導積層體12中,在耦合到發光元件11的 部分’光波導12a、光波導12b、光波導12c緊密貼合並積層 在一起。遠離發光元件11處,光波導12a、光波導12b、光 波導12c並未緊密貼合,各層間有間隙25。間隙25是為了將 第2圖(b)所示之z方向的光線間距離pz(z方向間距)調整成適 當大小而設置。z方向的期望光線間距離pz較小時,即使沒 有間隙25亦可。在這種情況下,光波導12a、光波導12b、 光波導12c全面地緊密貼合並積層在一起。 12 201214246 如第2圖(b)所示,從發光側之光波導12a的芯層20a出射 的光線14a橫貫座標輸入區域13,入射到受光側之光波導 15a的芯層22a。從發光側之光波導12b的芯層20b出射的光 線14b橫貫座標輸入區域13,入射到受光側之光波導15b的 芯層22b。從發光側之光波導12c的芯層20c出射的光線14c 橫貫座標輸入區域13,入射到受光側之光波導15c的芯層 22c ° 本發明之光學式觸控面板10中,第1層發光側的光波導 12a對應第1層受光側的光波導15a。第2層發光側的光波導 12b對應第2層受光側的光波導15b。第3層發光側的光波導 l2c對應第3層受光側的光波導15c。這個對應關係在光波導 的層數為4以上的情形也是一樣。通常,光線14a、14b、14c 平行於座標輸入區域13的表面。各光波導之z方向的間隔(z 方向間距;對應於z方向的光線間距離pZ)可以是等間隔,也 可以不是等間隔。 第3圖係本發明之光波導裝置17(發光側)的斜視圖。從2 維地配置發光區域26之2維的發光元件11發出的光27,入射 到發光側之光波導12a、12b、12c的芯層20a、20b、20c。 通過芯層20a、20b、20c的光,從芯層20a、20b、20c的端 部(出射口)出射到座標輸入區域13,成為光線14a、14b、 14c 〇 雖未圖示出,但是2維的發光元件11並不限於個別地配 置發光區域26的元件,也可以是光波導12a、12b、12c側的 面全體進行都發光的元件。用於光學式觸控面板時,2維的 13 201214246 發光元件11可以是個別地配置發光區域26的元件,也可以 是面全體都發光的元件,在遮擋光線之物體的座標檢測能 力上並無差別。 第3圖中,為方便說明,雖然將發光側光波導積層體12 和發光元件11分開繪出,但實際上,發光側光波導積層體 12和發光元件11緊密貼合形成光耦合。 第3圖之光波導裝置Π中,光波導Ha、Hb、12c有3層。 因此芯層20a、20b、20c之光的出射口呈3維(X方向、y方向、 z方向)排列。出射到座標輸入區域13的光線14a、14b' 14c ’ 在高度方向(z方向)分成3層。由3層組成的光波導12a、12b、 12c ’在與發光元件11光耦合的部分,緊密貼合而無z方向 °這在縮小發光元件11的尺寸上是有利的。若縮小 發光元件U的尺寸,就可以降低發光元件11的成本。 在使光線14a、14b、14c出射到座標輸入區域13的部 分’光波導12a、12b、12c的層間有間隙25。間隙25是為了 將2方向的光線間距離p2(z方向間距)調整成適當大小而設 置的°z方向所要求的光線間距離p2如果小,沒有層間的間 隙25亦可。使z方向的光線間距離p2每一層都不同時,也可 以使每一層的間隙25的大小(z方向間距)不同。 第4圖係本發明之光波導裝置18(受光側)的斜視圖。通 過座^輪入區域13的光線14a入射到受光側之光波導15a的 心 3的入射口。光線14b入射到受光側之光波導15b的芯 層22b的入射口。光線14c入射到受光側之光波導15c的芯層 22(;的入射口。通過芯層22a、22b、22c的光從芯層22a、22b、 14 » 201214246 22c的端部(出射口)出射,入射到受光區域28呈2維配置之^ 維的受光元件16。 CCD區域影像感測器或CMOS區域影像感測器適於作 為2維的受光元件16。第4圖中,為了便於說明,雖然將受 光側光波導積層體15和受光元件16分開繪出,但是實朽 上’受光側光波導積層體15和受光元件16緊密貼合形成光 耦合。 第4圖中’芯層22a、22b、22c的光出射口和,受光元 件16的受光區域28被晝成1對1對應。但是,芯層22a、22b、 22c的光出射口和,受光元件16的受光區域28也可以不是1 對1對應。比起芯層22a、22b、22c的光出射口的排列間距, 受光元件16之受光區域28的排列間距如果較細,芯層22a、 . 22b、22c的光出射口和受光元件16的受光區域28會形成部 ' 分對應。此時’芯層22a、22b、22c的光出射口和,受光元 件16的受光區域28的光軸對準,比1對1對應的情形更容易。 第4圖的光波導裝置18中,光波導15a、15b、15c有3層。 反映這個配置’從座標輸入區域13入射的光線14a、14b、 14c在高度方向(z方向)分成3層。光波導15a、15b、15c的3 個層,在與受光元件16光耦合的部分緊密貼合而無z方向的 間隙。這在縮小受光元件16的尺寸上是有利的。若縮小受 光元件16的尺寸’受光元件16的成本就可以降低。 在光線14a、14b、14c從座標輸入區域13入射的部分, 3層光波導15a、15b、15c在層間有間隙24。間隙24是為了 將z方向的光線間距離p4調整成適當大小而設置的。z方向 15 201214246 所需的光線間距離P4如果小,則亦可不設層間的間隙24。 使z方向的光線間距離p4每層互異時,也可以讓每層的間隙 24的大小(z方向間距)互異。 將第3圖的發光側光波導積層體12應用於本發明之光 學式觸控面板10時,在與2維的發光元件丨丨光耦合的部分, 心層20a、20b、20c之z方向的間距pi以5〇μπι〜300μηι為合 適。在光線14a、14b、14c出射到座標輸入區域13的部分, 芯層20a、20b、20c的出射口之z方向的間距p2(等於光線 14a、14b、14c之2方向的間距)以〇.5mm〜5mm為合適。 將第4圖的受光側光波導積層體15應用於本發明之光 學式觸控面板10時,在與2維的受光元件16光耦合的部分, 芯層22a、22b、22c之z方向的間距p3以50μηι〜300μηι為合 適。在光線14a、14b、14c從座標輸入區域13入射的部分, 芯層22a、22b、22c的入射口之z方向的間距p4(等於光線 14a、14b、14c之z方向的間距)以〇.5mm〜5mm為合適。 本發明之光學式觸控面板10中,第3圖所示的發光側光 波導12a、12b、12c的芯層20a、20b、20c之出射口的z方向 間距p2和,第4圖所示的受光側光波導15a、15b、15c的怒 層22a、22b、22c之入射口的z方向間距p4,通常是相等的。 第5圖係本發明的光波導裝置17 (發光側)中所使用的發 光側光波導積層體12之光波導12a的芯層2〇a及包層21a的 形狀說明圖。 如第5圖(a)所示’芯層20a之光的出射部2〇p係製作成半 圓形的透鏡形狀。因為半圓形透鏡部分的厚度和芯層20a其 16 201214246 - 他部分的厚度相同,所以半圓形的透鏡是平坦的。因此該 半圓形透鏡並無厚度方向的透鏡機能。由於半圓形透鏡的 作用,出射光線14a未在橫向(X方向或y方向)擴散開。 如第5圖(b)、⑷所示,芯層20a形成於下包層21p上, 且埋設在上包層21q内。本說明書中,將下包層21p和上包 層21q合併簡稱為包層21a。上包層21q的光出射面21r係沿 中心軸將圓筒4等分的其中1份,亦即構成1/4圓筒形狀的透 鏡。由於1/4圓筒透鏡的作用,從芯層20a出射的光未在高度 方向(z方向)擴散開。 由於芯層20a的出射部20p為半圓形透鏡形狀,出射光 線14a不會在橫向擴散開。而且因為上包層21q的光出射面 21r為1/4圓筒透鏡,出射光線14a不會在縱向擴散開。通過 ' 這個組合,本發明的光波導裝置17(發光側)可以獲得細的平 ' 行光線14a。以上關於光波導12a的說明,對於光波導12b、 光波導12c也是一樣。因此本發明之光波導裝置17(發光側) 可以合適地應用在光學式觸控面板10中。 第6圖係本發明之光波導裝置18(受光側)中所使用的受 光側光波導積層體15之,光波導15a的芯層22a及包層23a的 形狀說明圖。 如第6圖(a)所示,芯層22a之光的入射部22p係製作成半 圓形的透鏡形狀。因為半圓形透鏡部分的厚度和芯層22a其 他部分的厚度相同,所以半圓形透鏡是平坦的。通過半圓 形透鏡的作用,入射到芯層22a之光線14a在xy平面上會聚 到芯層22a的中心。 17 201214246 如第6圖(b)、(c)所示,芯層22a形成於下包層23p上, 且埋設在上包層23q内。本說明書中,將下包層23p和上包 層23q合併簡稱為包層23a。上包層23q的光入射面23r係沿 中心軸將圓筒4等分的其中1份,亦即構成1/4圓筒形狀的透 鏡。由於1/4圓筒透鏡的作用,入射的光線14a就沿z方向會 聚於芯層22a的中心。 由於芯層22a的入射部22p為半圓形透鏡形狀,入射光 線14a會沿橫向會聚於芯層22a的中心。另因上包層23q的光 入射面23ι•為1/4圓筒透鏡,入射光線14a會沿高度方向聚於 芯層22a的中心。通過這個組合,在本發明之光波導裝置 18(受光側)中,入射光線14a係會聚在芯層22a的中心。藉 此,入射光線14a的利用效率提高。以上關於光波導15a的 說明,對於光波導15b、光波導15c也同樣適用。因此,本 發明之光波導裝置18(受光側)可以合適地應用在光學式觸 控面板10中。 第7圖係本發明之光學式觸控面板10中,物體30的3維 座標,亦即(X、y、z)座標的檢測方法說明圖。如第7圖(a) 所示,物體30如果遮擋第1層的光線14a,則物體30的z座標 為zl的結果會與物體30的(X、y)座標一同被檢測出。如第7 圖(b)所示,物體30若遮擋第1層的光線14a和第2層的光線 14b,則物體30的z座標為z2的結果就會與物體30的(X、y) 座標一同被檢測出。如第7圖(c)所示,物體30若遮擋第1層 的光線14a和第2層的光線14b和第3層的光線14c,則物體30 的z座標為z3的結果會與物體30的(X、y)座標一同被檢測 18 201214246 出。在上述的任一階段’物體30之(χ、y)座標的檢測方法都 和習知之光學式觸控面板相同。 如第7圖所示,發光側的光波導12a、12b、12c,及受 光側的光波導15a、15b、15c各為3層時,物體30的z座標是 以zl、z2、z3的3個階段來檢測。 雖然未圖示出,但是發光側的光波導12a、12b、12c, 及受光側的光波導15a、15b、15c各為2層時,物體30的z座 標是以zl、z2的2個階段來檢測。同樣地,發光側的光波導 12a、12b、12c ’及受光側的光波導15a、15b、15c各為η層 時(η是4以上的整數),物體30的ζ座標是以zl、Ζ2、...、ζη 的η個階段來檢測。發光側的光波導12a、12b、12c的層數 和受光側的光波導15a、15b、15c的層數,係根據ζ方向的 ‘ 檢測所必要的段數來設定。 • 【實施例】 [下包層及上包層的材料] 混合含有脂環骨架的環氧樹脂(成份A ; ’力社 (ADEKA CORPORATION)製EP4080E) 100重量分和,光酸 產生劑(成份B ;寸 > 7 7。口社(SAN-APRO LIMITED)製 CPI-200K)2重量分,調製下包層及上包層的材料。 [芯層的材料] 使含有苐骨架的環氧系樹脂(成份C ;大阪瓦斯株式会 社(OSAKA GAS CHEMICALS CO.,Ltd.)製 OGSOL EG) 40 重量分、含有第骨架的環氧系樹脂(成份D ;長瀨產業株式 会社(Nagase ChemteX Corporation)製EX-1040) 30重量分、 19 201214246 1,3,3-三(4-(2-(3-氧雑環 丁基)丁氧苯基)丁烷0,3,3-^(4-(2-(3-oxetanyl)butoxyphenyl)butane(成份E)30重量分和,光酸 產生劑(成份B ;寸> 7 7。口社製CPI-200K) 1重量分,溶解 於乳酸乙酯40.8重量分中’調製芯層的材料。丨,3,3-三(4-(2- (3-氧雑環丁基)丁氧苯基)丁烷是按照特開2007-070320實施 例2合成。 [光波導的製作] 在PEN(polyethylene naphthalate,聚萘二甲酸乙二醇酯) 薄膜(300 mm><300 mmx〇.188 mm)的表面,以施用器塗布下 包層的材料後’對整個面施行1 〇〇〇mJ/cm2的紫外線曝光。 接著施行80°C、5分鐘的加熱處理,形成下包層。以接觸式 膜厚計測定下包層的厚度,厚度為2〇μιη。另外下包層在波 長830 nm中的折射率為1.510。 以施用器將芯層的材料全面性地塗布於下包層的表面 後’施行100°C、5分鐘的乾燥處理。 接著將具有預定的圖形之合成石英系的鉻遮罩(光罩) 復於芯層材料的膜上,用接近式曝光(間隙1〇〇μιη),施行 2500mJ/cm2的紫外線曝光。紫外線通過丨線帶通濾波器。進 一步施行100 C、10分鐘的加熱處理。 接著採用γ(伽馬)-丁内酯水溶液進行顯像,使芯層材料 的膜之未曝光部分溶解除去,獲得芯層的圖形。進一步施 行120 C、5分鐘的加熱處理製成芯層。 以顯微鏡測定芯層的斷面尺寸,得到寬度3〇μιη,高度 30 μιη。芯層在波長830nm中的折射率為丨592。 20 201214246 對芯層及下包層以施用器器塗布上包層的材料。接 著,將内面有1/4負型圓筒透鏡之石英製模型底模壓在上包 層的材料上,將1/4圓柱透鏡轉印到上包層的材料上。對上 包層材料的整個面,施行2〇〇〇mJ/cm2的紫外線曝光。接著 施行80°C、5分鐘的加熱處理,使上包層的材料硬化。上包 層的材料硬化後,使石英製模型底膜脫膜。上包層在波長 830nm中的折射率為151〇。 [發光側光波導裝置的製作] 用製作好的3個光波導12a、12b、12c,製作示於第3圖 之3層的發光側光波導積層體12。與發光元件11耗合的部分 中’芯層20a、20b、20c之z方向的間距pi為1〇5μηι。而光線 14a、14b、14c的出射部分中,芯層2〇a、20b、20c之ζ方向 的間距p2為1.1 mm。 發光元件11和光波導積層體12係使用紫外線硬化型黏 著劑光耦合起來。發光元件11的發光波長為880nm。 [受光側光波導裝置的製作] 用製作好的3個光波導15a、15b、1允製作示於第4圖之 3層的受光側光波導積層體15。與受光元件16耦合的部分 中,芯層22a、22b、22c之ζ方向的間距p3為105μιη。而,光 線14a、14b、14c的入射部分中,芯層22a、22b、22c之ζ方 向的間距p4為1.1mm。 受光元件16採用的是,像素數為1024像素xl〇24像素, 像素間距為縱12μπι、寬12μηι之CCD區域影像感測器(浜松 光子學株式会社(Hamamatsu Photonics)製)。受光元件16和 21 201214246 光波導15是用紫外線硬化型黏著劑光耦合起來。 [光學式觸控面板的製作] 使上述發光側光波導裝置17和受光側光波導裝置丨8如 第1圖呈對向,製作光學式觸控面板10。調整成,來自發光 元件11的光會通過發光側光波導積層體12、座標輸入區域 13、受光側光波導積層體15,正確地入射到受光元件16。 如第2圖(b)所示’通過該光學式觸控面板10的座標輸入區域 13之光線14a、14b、14c在z方向分成3層。如第7圖所示,3 階段的z座標’從座標輸入區域13的表面,自遠處起為ζι、 z2 ' z3 ° 如第7圖所示,物體30若遮擋第1層的光線i4a,則物體 30的z座標為zl的結果會連同物體30的(X、y)座標一起檢測 出。其次’物體30若遮擋第1層的光線14a和第2層的光線 14b,則物體30的z座標為z2的結果會連同物體30的(X、y) 座標一起檢測出。接著,物體30若遮擋第1層的光線14a、 第2層的光線14b和第3層的光線14c,則物體30的z座標為z3 的結果會連同物體30的(X、y)座標一起檢測出。藉此,證實 了本發明之光學式觸控面板1 〇可以光學式地檢測物體30的 3維座標(xyz座標)。 [測定方法] [折射率]
在石夕晶圓上以旋塗法分別使下包層及上包層的材料成 膜,製作折射率測定用薄膜。用稜鏡耦合儀(PRISM COUPLER)(Sairon Technolog Inc製SPA-400)測定該等折射 22 201214246 - 率測定用薄膜的折射率。 [芯層的寬度、高度] 用切片式切割機(DISCO公司製DAD522)將製作成的光 波導進行斷面切割。用雷射顯微鏡(KEYENCE corpora-TION製)觀察並測定切斷面,求出芯層的寬度、高度。 【產業上之可利用性】 本發明之光波導裝置可以理想地應用於光學式觸控面 板。本發明之光學式觸控面板適用於不特定多數的人會用 到的輸入裝置’例如ATM和自動販賣機。儘管習知之atm 和自動販賣機只能做2維的座標輸入,但是採用本發明之光 學式觸控面板的ATM和自動販賣機可以做3維的座標輸入。 t圖式簡單說明3 * 【第1圖】本發明之光學式觸控面板的平面圖。 ' 【第2圖】(a)本發明之光學式觸控面板沿A-A線的斷面 圖,(b)本發明之光學式觸控面板沿B-B線的斷面圖,(c)本 發明之光學式觸控面板沿C-C線的斷面圖。 【第3圖】本發明之光波導裝置(發光側)的斜視圖。 【第4圖】本發明之光波導裝置(受光側)的斜視圖。 【第5圖】(a)本發明之光波導裝置(發光側)的平面圖, (b)本發明之光波導裝置(受光側)沿A-A線的斷面圖,(c)本 發明之光波導裝置(發光側)沿B-B線的斷面圖。 【第6圖】⑷本發明之光波導裝置(受光側)的平面圖,(b) 本發明之光波導裝置(受光側)沿A - A線的斷面圖,(c)本發明之 光波導裝置(受光側)沿B-B線的斷面圖。 23 201214246 【第7圖】(a)本發明之光學式觸控面板中,物體的3維座 標’即(X、y、z)座標的檢測方法說明圖,(b)本發明之光學式 觸控面板中,物體的3維座標,即(x、y、z)座標的檢測方法說 明圖,(c)本發明之光學式觸控面板中,檢測物體的3維座標, 即(X、y、z)座標的檢測方法說明圖。 【第8圖】(a)習知之光學式觸控面板的平面圖,(b)習 知之光學式觸控面板沿A-A線的斷面圖,(c)習知之光學式 觸控面板沿B-B線的斷面圖,(d)習知之光學式觸控面板沿 C-C線的斷面圖。 【第9圖】習知之光學式觸控面板中所使用的發光側光波 導裝置的斜視圖。 【第10圖】習知之光學式觸控面板中所使用的受光側光波 導裝置的斜視圖 【主要元件符號說明】 17···光波導裝置(發光側) 18…光波導裝置(受光側) 19...影像顯示裝置 20a、20b、20c_··芯層 21a、21b、21c.··包層 21p,23p...下包層 21q,23q...上包層 21r...光出射面 22a、22b ' 22c...芯層 22p·.·入射部 10…光學式觸控面板 11.. ·發光元件 12.. .發光側光波導積層體 12a、12b、12c...發光側光波導 13.. .座標輸入區域 14…光線 14a、14b、14c...光線 15··.受光側光波導積層體 15a、15b、15c...受光側光波導 16…受光元件 24 201214246 23a、23b、23c...包層 43...座標輸入區域 23r...光入射面 44...光線 24,25...間隙 45...受光側光波導 26...配置發光區域 46...受光元件 27,53...發出的光 47...影像顯示裝置 28,54...受光區域 48,50...芯層 40...光學式觸控面板 49,51...包層 41...發光元件 52...發光區域 42...發光側光波導 Pz...z方向的光線間距離 25

Claims (1)

  1. 201214246 七、申請專利範圍: 1. 一種光波導裝置,特徵在於複數個光波導的至少一部分 被積層而形成之具有光的入射端和出射端之光波導積 層體的前述光的出射端係光耦合到受光區域呈2維配置 之2維的受光元件。 2. 如申請專利範圍第1項記載之光波導裝置,其係構成 為,在前述光的出射端,前述複數個光波導緊密貼合並 被積層,而在前述光的入射端,前述複數個光波導彼此 隔著間隔。 3. —種光波導裝置,特徵在於複數個光波導的至少一部分 被積層而形成之具有光的入射端和出射端之光波導積 層體的前述光的入射端係光耦合到發光區域呈2維配置 之2維發光元件。 4. 如申請專利範圍第3項記載之光波導裝置,其係構成 為,在前述光的入射端,前述複數個光波導緊密貼合並 被積層,而在前述光的出射端,前述複數個光波導彼此 隔著間隔。 5. —種光學式觸控面板,特徵在於: 具備以記載於申請專利範圍第1項之光波導裝置作 為受光側光波導裝置, 具備以記載於申請專利範圍第3項之光波導裝置作 為發光側光波導裝置, 在座標輸入區域具有從前述發光側光波導裝置出 射,並入射到前述受光側光波導裝置之複數個光線層, 26 201214246 且 前述複數個光線層平行於前述座標輸入區域的表 面,且彼此隔著間隔設置。 27
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