TW201212183A - Package manufacturing method, piezoelectric vibrator manufacturing method, oscillator, electronic device, and radio-controlled timepiece - Google Patents

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201212183 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具備互相接合之多數基板；和被形成在 多數基板之內側之空腔；和導通空腔之內部和多數基板之 外側之貫通電極的封裝體之製造方法、在貫通電極安裝壓 電振動片並且被配置在空腔之內部之壓電振動子、具有壓 電振動子之振盪器、電子機器及電波時鐘。 【先前技術】 近年來，行動電話或行動資訊終端係使用利用水晶等 之壓電振動子以當作時刻源或控制訊號等之時序源、基準 訊號源等。該種壓電振動子所知的有各種，但是就其一而 言，所知的有表面安裝之壓電振動子。就以該種之壓電振 動子而言，一般所知的有以基座基板和頂蓋基板從上下挾 持之方式接合形成有壓電振動片之壓電基板的3層構造型 。此時，壓電振動片被收納在形成於基座基板和頂蓋基板 之間的空腔（密閉室）內。 再者，近年來，不僅上述3層構造型，也開發有2層構 造型。該類型之壓電振動子藉由直接接合基座基板和頂蓋 基板，成爲兩層構造，在形成於兩基板間之空腔內收納壓 電振動片。該被封裝化之兩層構造型之壓電振動子，就比 起3層構造型可以謀求薄型化等之點爲優，適合使用。 就以如此之兩層構造型之壓電振動子之一個而言，所 知的有在形成於玻璃製之基座基板的貫通孔，藉由塡充且 -5- 201212183 燒結銀焊订等之導電構件而形成貫通電極，電性連接壓電 振動片（水晶振動片）和設置在基座基板之外側的外部電 極者（參照專利文獻1 )。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2002-124845號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但是，在藉由銀焊脊所形成之貫通電極中，因藉由燒 結除去銀焊膏中之樹脂等之有機物而體積減少，故有在貫 通電極之表面產生凹部，在貫通電極開洞之情形。然後， 該貫通電極之凹部或孔有成爲空腔內之氣密性下降或壓電 振動片和外部電極之導電性之惡化之原因的情形。 於是，最近開發使用由金屬材料所構成之金屬銷而形 成貫通電極之方法。在該方法中，首先將金屬銷插通於形 成在貫通電極形成用晶圓之貫通孔，而將玻璃熔塊熔接於 金屬銷和貫通孔之間隙，並且燒結玻璃熔塊而使貫通電極 形成用晶圓和金屬銷一體化。藉由貫通電極使用金屬銷， 可以確保安定之導電性。 但是，因藉由燒結除去玻璃熔塊所含之有機物之黏結 劑，故在玻璃熔塊之表面產生因體積減少所引起之凹部。 然後，該玻璃熔塊之凹部係在例如於之後所執行的形成電 極膜之工程中成爲斷線之原因》 -6- 201212183 本發明係鑒於上述問題點而硏究出，其目的爲提供可 以防止在貫通電極產生凹部之封裝體之製造方法。 [用以解決課題之手段] 爲了解決上述課題，本發明提案以下之手段。 與本發明有關之封裝體之製造方法，具備：互相接合 之多數基板，和形成在上述多數基板之內側的空腔，和導 通上述空腔之內部和上述多數基板之外側的貫通電極，其 特徵爲具有：電極構件形成工程，其係藉由將由金屬材料 所構成之芯材部插入至由第1玻璃材料所構成之筒體內並 加熱上述筒體，使上述筒體熔接於上述芯材部而形成電極 構件；孔部形成工程，其係在由第2玻璃材料所構成之貫 通電極形成基板用晶圓形成配置上述電極構件之孔部；電 極構件配置工程，其係在形成在上述貫通電極形成基板用 晶圓之上述孔部配置上述電極構件；熔接工程，其係加熱 上述貫通電極形成基板用晶圓和上述電極構件而使兩者熔 接；和冷卻工程，其係冷卻上述貫通電極形成基板用晶圓 和上述電極構件，在上述熔接工程中，於上述貫通電極形 成基板用晶圓之表面設置加壓模而以上述加壓模推壓上述 貫通電極形成基板用晶圓，並且將上述貫通電極形成基板 用晶圓和上述電極構件加熱至較上述第1玻璃材料之軟化 點及上述第2玻璃材料之軟化點高溫，依此熔接兩者。 若藉由該發明，因以加壓模推壓貫通電極形成基板用 晶圓，同時加熱貫通電極形成基板用晶圓和電極構件而使 201212183 兩者熔接，故不會使用含有機物之黏結劑之玻璃熔塊，$ 可以形成貫通電極。因此，不會隨著除去有積物而減少體 積，可以防止在貫通電極產生凹部。 再者，在上述冷卻工程中，即使相較於上述熔接工程 中從加熱溫度至第2玻璃材料之變形點+5〇°C之冷卻速度， 使從上述變形點+ 5 0 °C至上述變形點-5 0 °C之冷卻速度緩慢 亦可。 此時，相較於熔接工程中從加熱溫度至第2玻璃材料 之變形點+50 °C之冷卻速度，使從變形點+50 °C至變形點-5 0 °C之冷卻速度緩慢。在熔接工程中，因將貫通電極形成 用基板晶圓加熱至較變形點高溫之軟化點，故當在冷卻工 程中急速冷卻時，則有在貫通電極形成基板晶圓殘留變形 之可能性。於是，藉由使冷卻速度下降至變形± 5 0 °C之範 圍，則可以防止在貫通電極形成基板用晶圓產生變形。 再者，上述加壓模即使由以碳、氧化鋁、氧化鉻、氮 化硼、氮化砂中之任一者爲主成分之材料所形成亦可。 此時，藉由加壓模由以碳、氧化鋁、氧化銷、氮化硼 、氮化矽中之任一者爲主成分之材料所形成，可以抑制加 壓模在高溫下變形，並且可以使加壓模容易從貫通電極形 成基板用晶圓脫模，作業性佳。 再者，即使在上述孔部形成工程中，邊以由碳材料所 構成具有相當於上述孔部之凸部的孔部形成用模，推壓上 述貫通電極形成基板用晶圓，邊加熱上述貫通電極形成基 板用晶圓，依此形成上述孔部亦可" -8- 201212183 此時，因使用孔部形成用模而形成孔部，故可以簡單 且精度佳地形成孔部。再者，因孔部形成用模係由碳材料 所形成，故軟化之貫通電極形成基板用晶圓之第2玻璃材 料不接合於孔部形成用模，容易使硬化之貫通電極形成基 板用晶圓從孔部形成用模脫模，作業性佳。再者，因邊以 孔部形成用模推壓貫通電極形成基板用晶圓，邊加熱貫通 電極形成基板用晶圓時，孔部形成用模則從貫通電極形成 基板用晶圓吸附產生之氣體，並可以防止在貫通電極形成 基板用晶圓產生氣泡，故可以確實確保空腔內之氣密性。 再者，上述電極構件係形成圓錐台狀，在上述孔部形 成工程中，即使將上述孔部之內周面形成錐形狀亦可。 此時，藉由電極構件被形成圓錐台狀，將上述孔部之 內周面形成錐形狀，在電極構件配置工程中容易將電極構 件設置在孔部，作業性佳。 再者，在上述孔部形成工程中，即使將上述孔部以凹 部形成在上述貫通電極形成基板用晶圓，於上述冷卻工程 之後，硏磨上述凹部之底部側之貫通電極形成基板用晶圓 ，並使上述芯材部露出亦可。 此時，因將以凹部形成孔部，故當將電極構件配置在 凹部內時，電極構件則接觸於凹部之底部，不會有電極構 件通過凹部而脫落之情形。 並且，於使用由碳材料所構成具有相當於孔部之凸部 的孔部形成用模而形成孔部之時，藉由以凹部形成孔部， 比起例如以貫通孔形成孔部之時，可以使孔部形成用模之 -9 - 201212183 凸部之成模性良好。 再者，即使在上述電極構件形成工程中，使用具備上 述芯材部和在表面豎立設置上述芯材部之平板狀之底部的 鉚釘體，將上述芯材部插入至上述筒體內，並且使上述底 部之表面抵接於上述筒體之端面而加熱上述筒體亦可。 此時，因在電極構件形成工程中，將芯材部插入至筒 體內，並且使底部之表面抵接於筒體之端面，故可以將芯 材部在筒體內將芯材部容易定位在軸方向。 再者，即使上述第1玻璃材料和上述第2玻璃材料爲相 同材料亦可。 此時，因第1玻璃材料和第2玻璃材料爲相同材料，故 由第1玻璃材料所構成之筒體及第2玻璃材料所構成之貫通 電極形成基板用晶圆之熱膨脹係數相等。因此，當例如在 冷卻工程中冷卻電極構件和貫通電極形成基板用晶圓之時 ，可以確實抑制因兩者間之熱膨脹係數之差異的原因，使 得電極構件和貫通電極形成基板用晶圓之間產生間隙，或 在貫通電極形成基板用晶圓之電極構件附近產生裂紋。 再者，與本發明有關之壓電振動子之製造方法，其特 徵爲：具有實施上述封裝體之製造方法的工程，和邊將壓 電振動片安裝於上述貫通電極邊配置於上述空腔之內部的 工程。 若藉由該發明，因可以防止在貫通電極產生凹部，故 可以確保壓動片和貫通電極之導電性。再者，因使貫通電 極形成基板用晶圓和電極構件熔接，故可以確保空腔內之 -10- 201212183 氣密性。其結果，可以提供信賴性高之壓電振動子。 再者，與本發明有關之振盪器係藉由上述製造方法所 製造出之壓電振動子作爲振盪件而電性連接於積體電路。 再者，與本發明有關之電子機器係以上述壓電振動子 之製造方法所製造出之壓電振動子電性連接於計時部。 再者，與本發明有關之電波時鐘係以上述壓電振動子 之製造方法所製造出之壓電振動子電性連接於濾波器部》 與本發明有關之振動器、電子機器及電波時鐘因使用 信賴性高之壓電振動子，故可以提供信賴性高之振盪器、 電子機器及電波時鐘。 [發明效果] 若藉由本發明時，因以加壓模推壓貫通電極形成基板 用晶圓，並加熱貫通電極形成基板用晶圓和電極構件而予 以熔接，故可以防止在形成電極膜之工程在貫通電極產生 成爲斷線原因之凹部。然後，因可以確保壓電振動片和外 部電極之安定的導電性，並也可以確保壓電振動子之空腔 內的安定氣密性，故可以使壓電振動子之性能成爲均勻。 【實施方式】 接著，根據圖面說明舉本發明有關之實施形態。 (壓電振動子） 如第1圖至第4圖所示般，本實施形態之壓電振動子1 -11 - 201212183 之構成爲表面安裝型，其具備在形成於互相接合之多數基 板2、3間之空腔C內封入壓電振動片4的封裝體9。封裝體9 係以基座基板2和頂蓋基板3形成疊層兩層之箱狀。並且， 在第4圖中，爲了容易觀看圖面，省略後述之勵振電極15 、引繞電極19、20、支架電極16、17及配重金屬膜21之圖 示。 如第5圖至第7圖所示般，壓電振動片4爲由水晶、鉅 酸鋰或鈮酸鋰等之壓電材料所形成之音叉型之振動片，於 施加特定電壓時振動。 該壓電振動片4具有平行配置之一對振動腕部10、11 ，和一體性固定該一對振動腕部1 〇、1 1之基端側的基部1 2 ，和形成在一對振動腕部〗〇、1 1之外表面上而使一對振動 腕部10、1 1振動之由第1勵振電極13和第2勵振電極14所構 成之勵振電極15,和電性連接於該第1勵振電極13及第2勵 振電極14之支架電極16、17。 再者，本實施形態之壓電振動片4係在一對振動腕部 10、11之兩主面上，具備有沿著該振動腕部10、11之長邊 方向而各自形成的溝部1 8。該溝部1 8係從振動腕部1 0、1 1 之基端側形成至略中間附近。 由第1勵振電極13和第2勵振電極14所構成之勵振電極 1 5，係利用特定共振頻率使一對振動腕部1 0、1 1在互相接 近或間隔開之方向振動的電極，在一對振動腕部1 0、1 1之 外表面，在各自電性被切離之狀態下被圖案製造形成。 再者，第1勵振電極13及第2勵振電極14係在基部12之 -12- 201212183 兩主面上，分別經引繞電極1 9、20而被電性連接於支架電 極16 、 17。 再者，在一對振動腕部10、11之前端，以本身之振動 狀態在特定頻率之範圍內予以振動之方式被覆有用以執行 調整（頻率調整）之配重金屬膜21。並且，該配重金屬膜 21分爲於粗調整頻率之時所使用之粗調膜21a，和於微小 調整時所使用之微調膜21b。 如此所構成之壓電振動片4係如第3圖、第4圖所示般 ，利用金等之凸塊B，凸塊接合於基座基板2之上面。更具 體而言，形成在被圖案製作在基座基板2之上面的後述之 引繞電極36' 37上之兩個凸塊B上，係在一對支架電極16 、1 7各接觸之狀態下被凸塊接合。依此，壓電振動片4係 在從基座基板2之上面浮起之狀態下被支撐，並且支架電 極16、17和引繞電極36、3 7成爲分別被電性連接之狀態。 上述頂蓋基板3爲由玻璃材料，例如鈉鈣玻璃所構成 之透明之絕緣基板，如第1圖、第3圖以及第4圖所示般， 形成板狀。然後，於接合基座基板2之接合面側，形成有 收納壓電振動片4之矩形狀之凹部3 a。該凹部3 a係於重疊 兩基板2、3之時，成爲收容壓電振動片4之空腔C的空腔用 之凹部。然後，頂蓋基板3係在使該凹部3a對向於基座基 板2側之狀態下，對該基座基板2陽極接合。 上述基座基板2係與頂蓋基板3相同由玻璃材料，例如 鈉鈣玻璃所構成之透明絕緣基板，如第1圖至第4圖所示般 ’以可以重疊於頂蓋基板3之大小形成板狀。 -13- 201212183 在該基座基板2形成有貫通該基座基板2之一對貫穿 (貫通孔）3 0、3 1。本實施形態之貫穿孔3 0、3 1係在對 於被支架之壓電振動片4之基部1 2側的位置形成一方之 穿孔3 0，在對應於振動腕部1 0、1 1之前端側的位置形成 一方之貫穿孔31。再者，在本實施形態中，雖然舉出以 基座基板2之下面朝向上面直徑逐漸縮徑之剖面錐形狀 貫穿孔爲例而予以說明，但是並不限定於此時，即使爲 直貫穿基座基板2之貫穿孔亦可。無論哪一種，若貫通 座基板2即可。 然後，在該些一對貫穿孔30、31形成有以掩埋該貫 孔30、31之方式形成的一對貫通電極32、33。該些貫通 極3 2、3 3係如第3圖所示般，藉由以一體固定於貫穿孔 、3 1之筒體6及芯材部7所構成之電極構件8來形成，完 阻塞貫通孔3 0、3 1而維持空腔C內之氣密，並且擔任使 述外部電極38、39和引繞電極36、37導通之任務。 如第8圖所示般，筒體6係以玻璃材料（第1玻璃材 )所形成，在圖示之例中，以與形成基座基板2之玻璃 料（第2玻璃材料）相同之材料所形成。筒體6係被形成 端平坦’並且與基座基板2大略相同厚度之圓筒狀。 並且’形成基座基板2、頂蓋基板3及筒體6之玻璃 料之熱膨脹係數爲例如7.5〜8.5ppm/°C。 上述芯材部7爲藉由金屬材料被形成圓柱狀之導電 之芯材’與筒狀6相同兩端爲平坦，並且被形成與基座 板2之厚度大略相同之厚度。芯材部7係位於筒體6之中 孔 m 貫 另 從 之 筆 基 穿 電 30 全 後 料 材 兩 材 性 基 心 -14- 201212183 孔6c’強力固定於筒體6(熔接）。並且，形成芯材部7之 金屬材料之熱膨脹係數係以接近形成基座基板2或筒體6之 玻璃材料爲佳（較佳爲同等或略低），就以如此之金屬材 料而目’可舉出例如科伐合金、Fe-Ni合金（42合金、50 合金等）。再者，即使以例如銅包鎳鐵線形成芯材部7亦 可〇 在此’電極構件8係配合貫穿孔3 0、3 1之形狀，而形 成圓錐台狀（剖面錐形狀）。即是，筒體6之外形成爲圓 錐台狀。該電極構件8係如第4圖所示般，在被配置在貫穿 孔3 0、3 1內之狀態下，強力固定（熔接）於貫穿孔3 0、3 1 ，依此形成貫通電極32、33。並且，貫通電極32、33透過 導電性之芯材部7而確保電性導通性。 在基座基板2之上面側（接合頂蓋基板3之接合面側） ，如第1圖至第4圖所示般，藉由導電性材料（例如鋁）， 圖案製作有陽極接合用之接合膜35,和一對引繞電極36、 37。其中，接合膜35以包圍被形成在頂蓋基板3之凹部3a 之周圍之方式，沿著基座基板2之周緣而形成。 再者，一對引繞電極36、3 7係被圖案製作成電性連接 —對貫通電極32' 33中’一方貫通電極32和壓電振動片4 之一方的支架電極16’並且電性連接另一方之貫通電極33 和壓電振動片4之另一方支架電極17。 然後，在該些一對引繞電極3 6、3 7上分別形成凸塊B ，利用該凸塊B支架壓電振動片4。依此’壓電振動片4之 一方的支架電極16經一方之引繞電極36與一方之貫通電極 -15- 201212183 32導通’另一方之支架電極17經另一方之引繞電極37與另 一方之貫通電極33導通。 再者，在基座基板2之外面（下面），如第1圖、第3 圖及第4圖所示般，形成分別電性連接於一對貫通電極32 、3 3之外部電極3 8、3 9。即是，一方之外部電極3 8係經一 方之貫通電極32及一方之引繞電極36而被電性連接於壓電 振動片4之第1勵振電極13。再者，另一方之外部電極39係 經另一方之貫通電極33及另一方之引繞電極37而被電性連 接於壓電振動片4之第2勵振電極14。 於使構成如此之壓電振動子1作動之時，對形成在基 座基板2之外部電極3 8、3 9，施加特定驅動電壓。依此， 可以使電流流通於由壓電振動片4之第1勵振電極1 3及第2 勵振電極14所構成之勵振電極15，可以藉由特定頻率使一 對振動腕部1 〇、Π在接近或間隔開之方向振動。然後，利 用該一對振動腕部1 〇、1 1之振動，可以當作時刻源、控制 訊號之時序源或基準訊號源等而予以利用。 (壓電振動子之製造方法） 接著，針對上述壓電振動子1之製造方法，一面參照 第8圖所示之流程圖一面予以說明。 首先，進行製作之後成爲基座基板2之基座基板用晶 圓（貫通電極形成用晶圓）41 (參照第1 3圖）的工程（ S 2 0 )。首先，將納鈣玻璃硏磨加工至特定厚度而予以洗 淨之後，形成藉由蝕刻等除去最表面之加工變質層之圓板 -16- 201212183 狀之基座基板用晶圓4 1 ( S 2 1 )。 (貫通電極形成工程） 接著，執行在基座基板用晶圓4 1形成貫通電極3 2、3 3 之貫通電極形成工程（S20A)。 (電極構件形成工程） 首先，如第9圖至第12圖所示般，進行藉由將芯材部7 插入至筒體6內並加熱筒體6，使筒體6熔接於芯材部7而形 成電極構件8之電極構件形成工程（S 1 0 )。並且，此時如 第9圖所示般，使用具備有芯材部7，和芯材部7豎立設置 在表面之平板狀之導電性之底部22鉚釘體23。 在該工程中，首先如第1 1圖所示般，即使將芯材部7 插入至筒體6內，亦使底部2 2之表面抵接於筒體6之端面。 依此，可以在筒體6內容易將芯材部7容易定位在軸方向。 並且，在圖示之例中，筒體6係該階段之形狀成爲圓筒狀 (剖面直線狀）。 接著，將在內部插入有芯材部7之筒體6配置在無圖示 之碳成形模而予以加熱。此時，即使一面加壓筒體6 —面 予以加熱亦可。依此，如第12圖所示般，一面在上述碳成 形模內溶解之筒體6變形，一面熔接於鉚釘體23，形成筒 體6之外形成爲圓錐狀之電極構件8。 (孔部形成工程） -17- 201212183 接著’如第1 3圖所示般，進行在基座基板用晶圓4 1配 置電極構件8之凹部（孔部）Μ之工程（S22 )。並且，第 13圖所示之虛線Μ係圖示在之後之切斷工程中切斷基座基 板用晶圆4 1之切斷線。 在本實施形態中，凹部24之形成係以第1 4圖所示之凹 部形成用模（孔部形成用模）5 1邊推壓基座基板用晶圓4 1 邊予以加熱而進行。 凹部形成用模具5 1具備平板部52和形成在平板部52之 單面之凸部53，以例如碳材料所形成。 平板部52係於推壓基座基板用晶圓41之時，與基座基 板用晶_ 4 1之一方表面相接的平坦構件。 凸部53係於推壓基座基板用晶圓41之時，形成凹部24 之構件。凸部53之高度係低於基座基板用晶圓41之厚度。 再者，凸部5 3之形狀係成爲在側面形成脫模用之錐形狀的 圓錐台狀。 在孔部形成工程中，首先如第1 4圖所示般，將凹部形 成用模5 1設置成凸部5 3成爲上側，在其上方設置基座基板 用晶圓4 1。然後，如第1 5圖所示般，將該些配置在無圖示 之加熱爐內，在形成基座基板用晶圓4 1之玻璃材料之軟化 點以上之溫度例如大約900 °C左右之高溫狀態下施加壓力 。依此’如第1 6圖所不般’在基座基板用晶圓4 1轉印凸部 53之形狀，形成非貫通之錐形狀之凹部24。然後’邊漸漸 降低溫度邊使基座基板用晶圓4 1冷卻。 並且，在圖示之例中，凹部24之開口部側之內徑大於 •18- 201212183 電極構件8之最大外徑（圓錐台形狀之底部側之外徑）， 凹部24之底部側之內徑小於電極構件8之最大外徑。 在此，平板部52及凸部53因由碳材料所構成，不會有 被加熱軟化之基座基板用晶圓41接合於平板部52及凸部53 之情形。因此，可以從基座基板用晶圓4 1簡單拆取貫通孔 形成用模具5 1。 再者，因平板部52及凸部53係由碳材料所構成，故可 以吸附從高溫狀態之基座基板用晶圓4 1產生之氣體，防止 在基座基板用晶圓41產生多孔，使基座基板用晶圓41之氣 孔率下降。依此，可以確保空腔C之氣密性。 並且，因使用具備有圓錐台狀之低背的凸部53之凹部 形成用模5 1，故以凸部5 3而言，凸部5 3之成模性比起具備 有用以形成貫通基座基板用晶圓41之貫通孔的圓柱狀之高 背的凸部之貫通孔形成用模爲佳。再者，因在基座基板用 晶圓4 1形成非貫通之凹部24，故比起形成貫通孔之時，容 易執行。 並且，即使凹部形成用膜5 1使用由以氧化鋁、氧化鉻 、氮化硼、氮化矽中之任一者爲主成分之材料所形成，來 取代碳材料亦可。藉由凹部形成用模5 1由上述般之材料所 構成’因耐熱性高熱變形少，離型性佳，故作業性佳容易 處理。 (電極構件配置工程） 接著，進行在凹部24配置電極構件8之工程（S23 )。 -19- 201212183 此時，如第16圖所示般，以凹部24朝向上方開口之方式配 置基座基板用晶圓4 1之後，如第1 7圖所示般，使用例如無 圖示之搖動機，將電極構件8從上方搖動至凹部24內。此 時，電極構件8從圓錐台狀之頂部側（筒體6側）插入至凹 部24內，使電極構件8之端面（圓錐台形狀之頂面）底接 於凹部24之底部。在該狀態下，於筒體6之外周面和凹部 24之內周面之間，形成間隙，鉚釘體23之底部22係從基座 基板用晶圓4 1突出至上側。 在此，因電極構件8爲圓錐台狀，並且在凹部24形成 有錐形狀，故容易進行電極構件8之配置。再者，當在凹 部2 4內配置電極構件8時，電極構件8則抵接於凹部2 4之底 部，不會有電極構件8通過凹部24而脫落之情形。 再者，在本β施形態中，凹部24之底部側之內徑，因 小於電極構件8之最大外徑，故假設電極構件8從圓錐台形 狀之底部側被插入至凹部24內之時，於電極構件8之端面 (圆錐台形狀之底面）抵接於凹部24之底部之前，因卡在 凹部24之內周面，故姿勢不會安定。因此，例如藉由搖動 基座基板用晶圆41 ’將配置在基座基板用晶圓41之上面的 電極構件8搖動至凹部24內之時，從圓錐台形狀之底部側 被插入至凹部24內之電極構件8在凹部24內則不會安定。 因此，容易將配置在不同凹部24內之電極構件8之方向使 電極構件8從圓錐台形狀之頂部側被插入之狀態一致。 (熔接工程） -20- 201212183 接著，進行加熱基座基板用晶圓4 1和電極構件8而使 兩者熔接之工程（S 2 4 )。在此，本實施形態中，如第1 8 圖所示般，具備設置在基座基板用晶圓41之下側的承受模 62，和配置在基板用晶圓4 1上側之加壓模63，和配置在承 受模62和加壓模63之側方的側板64，在由碳材料所構成之 熔接模6 1設置基座基板用晶圓4 1，並邊藉由熔接模6 1按壓 基座基板用晶圓4 1邊進行加熱。 承受模62係保持基座基板用晶圓41之下側的模具，大 於基座基板用晶圓41之平面形狀。該承受模62具備有於保 持基座基板用晶圓41之時與基座基板用晶圓41之表面相接 的承受模平板部65。 加壓模63係按壓基座基板用晶圓41之模具，大於基座 基板用晶圓41之平面形狀，成爲在凹部24配置電極構件8 而底部22從基座基板用晶圓4 1之表面突出之狀態下沿著基 座基板用晶圓4 1之上側的形狀。該加壓模63具備有於按壓 基座基板用晶圓4 1之上側時，與基座基板用晶圓4 1之表面 相接之加壓模平板部67，和相當於鉚釘體23之底部22的加 壓模凹部68。 加壓模凹部68係對準配置在基座基板用晶圓4 1之凹部 24的電極構件8之底部22之位置而形成，插入底部22。在 加壓凹部68嵌入底部22，加壓模63可以保持電極構件8， 可以防止電極構件8脫落或偏移。底部22和加壓模凹部68 之底部不間隔開，底部22係於熔接工程之加壓時藉由加壓 模63被按壓。 -21 - 201212183 再者，加壓模63在端部具備有貫通加壓模63之縫 。縫隙70可以設爲加熱推壓基座基板用晶圓41之時的 或基座基板用晶圓4 1之剩下的玻璃材料的排出口。 熔接工程首先在將設置在熔接模61之基座基板用 41及鉚釘體8擱在金屬製之網目輸送帶上之狀態下放 熱爐內予以加熱。然後，如第1 9圖所示般，利用配置 熱爐內之沖壓機等，藉由壓模63以例如30〜50g/cm2 力加壓基座基板用晶圓4 1。 加熱溫度係設爲較基座基板用晶圓41及形成筒H 玻璃材料之軟化點（例如545 °C )高之溫度，設爲例 約 900°C。 使加熱溫度漸漸上升，在高於玻璃材料之軟化點 5 °C，例如5 5 0 °C之時點暫時停止而予以保持，之後再 至大約900eC »如此一來藉由以高於玻璃材料之軟化 約5 °C之溫度，暫時停止溫度上升而予以保持，則可 基座基板用晶圖4 1及筒體6之軟化均勻。 然後，如第1 9圖所示般，藉由在高溫狀態加壓基 板用晶圓41，基座基板用晶圓41及筒體6流動，堵塞隹 之外周面和凹部24之內周面之間隙，基座基板用晶圓 電極構件8則熔接。 .並且，熔接模6 1即使由以氧化鋁、氧化錐、氮化 氮化矽中之任一者爲主成分之材料所構成亦可。由於 模6 1係由上述般之材料所構成，故耐熱性高熱變形少 者，於脫離模具之時離型性佳、作業性佳。除此之外 隙70 空氣 晶圓 入加 在加 之壓 ! 6之 如大 大約 上昇 點大 以使 座基 Ϊ體6 41和 硼、 熔接 。再 ，被 -22- 201212183 加壓之基座基板用晶圓4 1之表面之精加工爲佳。再者，藉 由在熔接模6 1形成其他凸部或凹部，使基座基板用晶圓4 1 和電極構件8熔接，同時亦可在基座基板用晶圓4 1形成凹 部或凸部。 (冷卻工程） 接著，冷卻基座基板用晶圓4 1及電極構件8 ( S 2 5 )。 基座基板用晶圓4 1及電極構件8之冷卻係從熔接工程 之加熱時的大約900 °C漸漸降溫。冷卻速度設爲從變形點 + 50°C至變形點- 50°C間之冷卻速度較從大約900 t至形成 基座基板用晶圓41及筒體6之玻璃材料之變形點+5 0°C的冷 卻速度慢。尤其，從形成基座基板用晶圓4 1及筒體6之玻 璃材料之徐冷點徐冷至變形點。 從變形點+50 °C至變形點-50 °C間之冷卻係使例如基座 基板用晶圓4 1及電極構件8移動至另外的爐而進行。 如此一來，藉由徐冷至變形點± 5 0 °C間’可以防止在 基座基板用晶圓41及筒體6產生歪斜。當在基座基板用晶 圓41或筒體6產生歪斜時，則有在凹部24之內周面和電極 構件8之外周面之間產生間隙，或在電極構件8之附近之基 座基板用晶圓41或筒體6等產生裂紋之情形。因此’藉由 防止基座基板用晶圓41及筒體6之歪斜，可以保持基座基 板用晶圓4 1和電極構件8確實熔接之狀態。 再者，因基座基板用晶圓4 1和筒體6係由相同之玻璃 材料所形成，故兩者之熱膨脹係數相等。因此’當例如在 -23- 201212183 冷卻工程中冷卻電極構件8和基座基板用晶圓4 1之時’可 以確實抑制因兩者間之熱膨脹係數之差異的原因，使得筒 體6和基座基板用晶圓4 1之間產生間隙，或在基座基板用 晶圆4 1之電極構件8附近產生裂紋。 並且，即使令從變形點-50 °C冷卻至常溫之冷卻速度 ，較從變形點+ 5 0 °C冷卻至變形點-5 0 °C間之冷卻速度快， 使冷卻時間縮短亦可。再者，在凹部形成工程中，冷卻加 熱基座基板用晶圓4 1之方法即使也以上述冷卻方法來執行 亦可。 (硏磨工程） 接著，如第2〇圖所示般，硏磨電極構件8之底部22及 凹部24之底部側之基座基板用晶圓4 1而予以除去（S26、 S27 )。 電極構件8之底部22及芯材部7之硏磨係以眾知之方法 來執行。然後，如第2 1圖所示般，貫通凹部24成爲貫穿孔 30、31，從基座基板用晶圓41使芯材部7之端部。依此， 可以將基座基板用晶圓41之表面和貫通電極32、33 (電極 構件8)之表面設爲大略同平頂狀態。如此一來，在基座 基板用晶圓4 1形成貫通電極3 2、3 3。 並且’即使不除去底部2 2，直接使用亦可。例如，底 部2 2可以當作散熱板板使用。 接著’在基座基板用晶圆4 1之上面圖案製作導電性材 料，執行形成接合膜之接合膜形成工程（S 2 8 )，並且執 -24- 201212183 行引繞電極形成工程（S29 )。 如此一來，基座基板用晶圓4 1之製作工程結束。 接著，在與製作基座基板2之同時或前後之時序，製 作之後成爲頂蓋基板3之頂蓋基板用晶圓（S 3 0 )。在製作 頂蓋基板3之工程中，首先形成成爲頂蓋基板3之圓板狀之 頂蓋基板用晶圓（無圖示）。具體而言，於將鈉鈣玻璃硏 磨加工至特定厚度而予以洗淨之後，藉由蝕刻等除去最表 面之加工變質層（S31)。接著，在頂蓋基板用晶圓，藉 由蝕刻或沖壓加工等，形成空腔C用之凹部3a(S32)。 然後，在以如此所形成之基座基板用晶圓4 1及頂蓋基 板用晶圓所形成之空腔C內，配置壓電振動片4而安裝於貫 通電極32、33，陽極接合基座基板用晶圓41和頂蓋基板用 晶圓而形成晶圓接合體。 然後，形成各電性連接於一對貫通電極3 2、3 3之一對 外部電極38、39，微調整壓電振動子1之頻率。然後，執 行將晶圓體予以小片化之切斷，並藉由執行內部之電特性 檢查，形成收容有壓電振動片4之壓電振動子1。 如上述說明般，若藉由與本實施形態有關之壓電振動 子之製造方法時，以加壓模63按壓基座基板用晶圓4 1，並 且因加熱基座基板用晶圓41和電極構件8而熔接兩者，故 不使用含有有機物之黏結劑的玻璃熔塊，可以形成貫通電 極32、33。因此，不會隨著除去有機物而減少體積，可以 防止在貫通電極32、33產生凹部。 因此，因不會在貫通電極32、33之筒體6不會生在形 -25- 201212183 成電極膜之工程成爲斷線之原因的凹部’故可以確保壓電 振動片4和外部電極38、39之安定的導電性。再者’因可 以使電極構件8熔接於基座基板用晶圓4 1 ’故也可以確保 壓電振動子1之空腔c內之安定的氣密性’達到可以使壓電 振動子1之性能均勻之效果。 (振盪器） 接著，針對本發明所涉及之振盪器之一實施形態，一 面參照第22圖一面予以說明。 本實施形態之振盪器1 1 〇係如第22圖所示般，將壓電 振動子1當作電性連接於積體電路111之振盪子而予以構成 者。該振盪器110具備有安裝電容器等之電子零件112之基 板113。在基板113安裝有振盪器用之上述積體電路111， 在該積體電路Π1之附近，安裝有壓電振動子1之壓電振動 片4。該些電子零件112、積體電路111及壓電振動子1係藉 由無圖示之配線圖案分別被電性連接。並且，各構成零件 係藉由無圖示之樹脂而模製。 在如此構成之振動器110中，當對壓電振動子1施加電 壓時，該壓電振動子1內之壓電振動片4則振動。該振動係 藉由壓電振動片4具有之壓電特性變換成電訊號，當作電 訊號被輸入至積體電路111。被輸入之電訊號藉由積體電 路Π1被施予各種處理，當作頻率訊號被輸出。依此，壓 電振動子1當作振盪子而發揮功能。 再者，可以將積體電路111之構成，藉由因應要求選 -26- 201212183 擇性設定例如RTC (即時鐘）模組等，附加除控制時鐘用 單功能振盪器等之外，亦可以控制該機器或外部機器之動 作曰或時刻，或提供時刻或日曆等之功能。 如上述般，若藉由本實施形態之振盪器1 1 0時，因具 備有確保空腔C內之氣密，並且確實確保壓電振動片4和外 部電極3 8、3 9之導通性安定，提升作動之信賴性的高品質 壓電振動子1，故也與振盪器1 1 0本身相同可以確保導通性 安定性，提高作動之信賴性而謀求高品質化。除此之外， 可以取得在長期間安定之高精度之頻率訊號。 (電子機器） 接著，針對本發明所涉及之電子機器之一實施形態， 一面參照第23圖一面予以說明。並且，作爲電子機器，以 具有上述壓電振動子1之行動資訊機器1 20爲例予以說明。 首先，本實施形態之行動資訊機器120代表的有例如 行動電話，爲發展、改良以往技術的手錶。外觀類似手錶 ，於相當於文字盤之部分配置液晶顯示器，在該畫面上可 以顯示現在之時刻等。再者，於當作通訊機利用之時，從 手腕拆下，藉由內藏在錶帶之內側部分的揚聲器及送話器 ，可執行與以往技術之行動電話相同的通訊。但是，比起 以往之行動電話，格外小型化及輕量化。 接著，針對本實施形態之行動資訊機器1 20之構成予 以說明。該行動資訊機器120係如第23圖所示般，具備有 壓電振動子1，和用以供給電力之電源部1 2 1。電源部1 2 1 -27- 201212183 係由例如鋰二次電池所構成。在該電源部1 2 1 執行各種控制之控制部1 22、執行時刻等之計 1 23、執行與外部通訊之通訊部1 24、顯示各種 部1 2 5，和檢測出各個的功能部之電壓的電壓本 然後，成爲藉由電源部1 2 1對各功能部供給電力 控制部1 22控制各功能部而執行聲音資料 收、現在時刻之測fi或顯示等之系統全體的動 者，控制部122具備有事先寫入程式之ROM， 入該ROM之程式而加以實行之CPU，和當作該 區域使用之RAM等。 計時部123具備有內藏振盪電路、暫存器 器電路及介面電路等之積體電路，和壓電振動 壓電振動子1施加電壓時，壓電振動片4振動， 水晶具有之壓電特性變換成電訊號，當作電訊 振盪電路。振盪電路之輸出被二値化，藉由暫 計數器電路而被計數。然後，經介面電路，而 122和訊號之收發訊，在顯示部125顯示現在時 期或日曆資訊等。 通訊部1 24具有與以往之行動電路相同之 有無線部127、聲音處理部128、切換部129、S 聲音輸入輸出部131、電話號碼輸入部132、來 133及呼叫控制記憶部134。 無線部1 27係將聲音資料等之各種資料，給 行基地局和收發訊的處理。聲音處理部128係 並列連接有 數的計時部 資訊之顯示 每測部126。 f 0 之發送及接 作控制。再 和讀出被寫 C P U之工作 電路、計數 !j子1。當對 該振動藉由 號被輸入至 存器電路和 執行控制部 刻或現在曰 功能，具備 父大部1 3 0、 電鈴產生部 登天線1 3 5執 將自無線部 -28- 201212183 127或放大部130所輸入之聲音訊號予以編碼化及解碼化。 放大部130係將聲音處理部128或聲音輸入輸出部131所輸 入之訊號放大至特定位準。聲音輸入輸出部131係由揚聲 器或送話器等所構成，擴音來電鈴或通話聲音，或使聲音 集中。 再者，來電鈴產生部133係因應來自基地台之呼叫而 產生來電鈴。切換部129限於來電時，藉由將連接於聲音 處理部128之放大部130切換成來電鈴產生部133，在來電 鈴產生部133產生之來電鈴經放大部130而被輸出至聲音輸 入輸出部1 3 1。 並且，呼叫控制記憶部1 3 4儲存通訊之發送呼叫控制 所涉及之程式。再者，電話號碼輸入部1 3 2具備有例如從〇 至9之號碼按鍵及其他按鍵，藉由按下該些號碼鍵等，輸 入連絡人之電話號碼等。 電壓檢測部1 26係當藉由電源部1 2 1對控制部1 22等之 各功能部施加之電壓低於特定値時，檢測出其電壓下降而 通知至控制部1 22。此時之特定電壓値係當作爲了使通訊 部124安定動作所需之最低限的電壓而事先設定之値，例 如3 V左右。從電壓檢測部126接收到電壓下降之通知的控 制部122係禁止無線部127、聲音處理部128、切換部129及 來電鈴產生部1 33之動作。尤其，必須停止消耗電力大的 無線部127之動作。並且，在顯示部！25顯示由於電池殘量 不足通訊部1 2 4不能使用之訊息。 即是’藉由電壓檢測部1 26和控制部1 22，禁止通訊部 -29- 201212183 124之動作，可以將其訊息顯示於顯示部125。該顯示即使 爲文字簡訊亦可，即使在顯示部1 25之顯示面上部所顯示 的電話圖示上劃上X (叉號）以作爲更直覺性之顯示亦可 〇 並且，具備有電源阻斷部136，該電源阻斷部136係可 以選擇性阻斷通訊部1 24之功能所涉及之部分之電源，依 此可以更確實停止通訊部1 2 4之功能。 如上述般，若藉由本實施形態之攜帶資訊機器1 20時 ，因具備有確保空腔C內之氣密，並且確實確保壓電振動 片4和外部電極38、39之導通性安定，提升作動之信賴性 的高品質壓電振動子1，故也與攜帶資訊機器1 20本身相同 可以確保導通性安定性，提高作動之信賴性而謀求高品質 化。除此之外，可以取得在長期間安定之高精度之時鐘資 訊。 (電波時鐘） 接著，針對本發明所涉及之電波時鐘之一實施形態， 一面參照第24圖一面予以說明。 本實施形態之電波時鐘1 40係如第24圖所示般，具備 有電性連接於濾波器部1 4 1之壓電振動子1，接收含時鐘資 訊之標準之電波，具有自動修正成正確時刻而予以顯示之 功能的時鐘。 在曰本國內在福島縣（40kHz)和佐賀縣（60kHz)有 發送標準電波之發送所（發送局），分別發送標準電波。 -30- 201212183 因40kHz或60kHz般之長波合倂傳播地表之性質，和一面反 射電離層和地表一面予以傳播之性質，故傳播範圍變寬， 以上述兩個發送所網羅全日本國內。 以下，針對電波時鐘140之功能性構成予以詳細說明 〇 天線142接收40kHz或60kHz之長波之標準電波。長波 之標準電波係將被稱爲時間碼之時刻資訊AM調制於40kHz 或6 0kHz之載波上。所接收到之長波的標準電波，藉由放 大器143被放大，並藉由具有多數壓電振動子1之濾波器部 141被濾波、調諧。 本實施形態中之壓電振動件1分別具備有具有與上述 搬運頻率相同之40kHz及60kHz之共振頻率的水晶振動件部 148、 149。 並且，被濾波之特定頻率之訊號藉由檢波、整流電路 144被檢波解調。 接著，經波形整形電路145取出時間碼，藉由CPU 146 計數。在CPU 146中係讀取現在之年、積算日 '星期、時 刻等之資訊。讀取之資訊反映在RTC 148，顯示正確之時刻 資訊。 載波由於爲40kHz或60kHz，故水晶振動子部148、149 以持有上述音叉.型之構造的振動子爲佳。 並且，上述說明係表示日本國內之例，長波之標準電 波之頻率在海外則不同。例如，德國係使用77.5 kHz之標 準電波。因此，於將即使在海外亦可以對應之電波時鐘 -31 - 201212183 1 40組裝於攜帶機器之時，則又需要與日本之情形不同之 頻率的壓電振動子1。 如上述般，若藉由本實施形態之電波時鐘1 4〇時，因 具備有確保空腔C內之氣密，並且確實確保壓電振動片4和 外部電極3 8、3 9之導通性安定，提升作動之信賴性的高品 質壓電振動子1，故也與攜帶資訊機器140本身相同可以確 保導通性安定性，提高作動之信賴性而謀求高品質化。除 此之外，可以在長期間安定高精度計數時刻。 並且，本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態， 只要在不脫離本發明之主旨的範圍，亦可以作各種變.更。 例如，在上述實施形態中，凹部24雖然係藉由將凹部 形成用模5 1按壓至基座基板用晶圓4 1，且加熱基座基板用 晶圓4 1而形成，但是即使以噴砂法取代此來執行亦可。 再者，在上述β施形態中，雖然在電極構件形成工程 中，使用鉚釘體23，但是並不限定於此。例如，即使將不 豎立設置在底部22之芯材部7插入至筒體6內亦可。 再者，在上述Η施形態中，雖然在基座基板用晶圓4 1 形成非貫通之凹部24以當作配置電極構件8之孔部，但是 並非限定於此，即使形成在厚度方向貫通基座基板用晶圓 4 1之貫通孔亦可。 再者，在上述實施形態中，雖然以相同之玻璃材料形 成基座基板用晶圓41和筒體6，但是並不限定於此。 再者，在上述實施形態中，雖然邊使用與本發明有關 之封裝體之製造方法，邊將壓電振動片4封入封裝體9之內 -32- 201212183 部而製造出壓電振動子1，但是亦可將壓電振動片4以外之 電子零件封入至封裝體9之內部，而製造壓電振動子以外 之裝置。 並且，在上述實施形態中，雖然針對本發明適用於在 基座基板2和頂蓋基板3之間形成空腔c之兩層構造型之壓 電振動子1之情形予以說明，但是並不限定於此，即使適 用於接合成以基座基板和頂蓋基板從上下夾著壓電基板的 三層構造型之壓電振動子亦可。 再者，在上述實施形態中，電極構件8被形成圓錐台 狀，在孔部形成工程中將凹部24之內周面形成錐形狀，但 是並不限定於此。例如，即使電極構件8爲圓柱狀亦可， 即使將凹部形成剖面直線狀亦可。 再者，在上述實施形態中，冷卻工程中，雖然設相較 於熔接工程中從加熱溫度至形成基座基板用晶圓41之玻璃 材料之變形點+50°C之冷卻速度，從變形點+5〇°C至變形 點-5(TC間之冷郤速度緩慢，但是並不限定於此。 其他，只要在不脫離本發明之主旨的範圍內’可將上 述實施形態中之構成要素適當置換成悉知的構成要素，再 者，即使適當組合上述變形例亦可。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示與本發明有關之壓電振動子之一實施形 態的外觀斜視圖。 第2圖爲表示第1圖所示之壓電振動子之內部構成圖， -33- 201212183 在取下頂蓋基板之狀態下，由上方觀看壓電振動片之圖式 〇 第3圖爲沿著第2圖所示之A-A線之壓電振動子的剖面 圖。 第4圖爲第1圖所示之壓電振動子之分解斜視圖。 第5圖爲構成第1圖所示之壓電振動子之壓電振動片之 上視圖。 第6圖爲第5圖所示之壓電振動片之下視圖。 第7圖爲第5圖所示之剖面向視B-B圖。 第8圖爲表示製造第1圖所示之壓電振動子之時之流程 的流程圖。 第9圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之電極 構件形成工程之一工程圖。 第10圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之電 極構件形成工程之一工程圖。 第11圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之電 極構件形成工程之一工程圖。 第12圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之電 極構件形成工程之一工程圖。 第13圖爲第8圖所不之壓電振動子之製造方法中之凹 部形成工程之一工程圖。 第I4圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之凹 部形成工程之一工程圖。 第15圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之凹 -34- 201212183 部形成工程之一工程圖。 第16圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之凹 部形成工程之一工程圖。 第17圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之電 極構件配置工程之一工程圖。 第18圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之熔 接工程之一工程圖。 第I9圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之熔 接工程之一工程圖。 第20圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之硏 磨工程之一工程圖。 第21圖爲第8圖所示之壓電振動子之製造方法中之硏 磨工程之一工程圖。 第22圖爲表示本發明所涉及之振盪器之一實施形態的 構成圖。 第23圖爲表示本發明所涉及之電子機器之〜實施形態 的構成圖。 第24圖爲表示本發明所涉及之電波時鐘之〜實施形態 的構成圖。 【主要元件符號說明】 1 :壓電振動子 2 :基座基板（基板） 3 :頂蓋基板（基板） -35- 201212183 4 :壓電振動片 6 :筒體 7 :芯材部 8 :電極構件 9 :封裝體 2 2 :底部 2 3 :鉚釘體 24 :凹部（孔部） 32、33:貫通電極 4 1 :基座基板用晶圓（貫通電極形成基板用晶圓） 5 1 :凹部形成用模（孔部形成用模） 53 :凸部 63 :加壓模 1 1 〇 :振盪器 1 Π :積體電路 120 :攜帶資訊機器（電子機器） 1 2 3 :計時部 1 4 0 :電波時鐘 1 4 1 :濾波器部 C :空腔 -36-

Claims (1)

1. 201212183 七、申請專利範圍： 1. 一種封裝體之製造方法，具備：互相接合之多數基 板，和形成在上述多數基板之內側的空腔，和導通上述空 腔之內部和上述多數基板之外側的貫通電極，其特徵爲： 具有 電極構件形成工程，其係藉由將由金屬材料所構成之 芯材部插入至由第1玻璃材料所構成之筒體內並加熱上述 筒體’使上述筒體熔接於上述芯材部而形成電極構件； 孔部形成工程’其係在由第2玻璃材料所構成之貫通 電極形成基板用晶圓形成配置上述電極構件之孔部； 電極構件配置工程，其係在形成在上述貫通電極形成 基板用晶圓之上述孔部配置上述電極構件； 熔接工程’其係加熱上述貫通電極形成基板用晶圓和 上述電極構件而使兩者熔接；和 冷卻工程，其係冷卻上述貫通電極形成基板用晶圓和 上述電極構件， 在上述熔接工程中，於上述貫通電極形成基板用晶圓 之表面設置加壓模而以上述加壓模推壓上述貫通電極·形成 基板用晶圓，並且將上述貫通電極形成基板用晶圓和上述 電極構件加熱至較上述第1玻璃材料之軟化點及上述第2玻 璃材料之軟化點高溫，依此熔接兩者。 2. 如申請專利範圍第1項所記載的封裝體之製造方法 ，其中 在上述冷卻工程中，相較於上述熔接工程中從加熱溫 -37- 201212183 度至第2玻璃材料之變形點+50 °C之冷卻速度，使從上述變 形點+5 0°C至上述變形點-50°C之冷卻速度緩慢。 3 .如申請專利範圍第1或2項所記載的封裝體之製造方 法，其中 上述加壓模係由以碳、氧化鋁、氧化銷、氮化硼、氮 化矽中之任一者爲主成分之材料所形成。 4.如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之封裝 體之製造方法，其中 在上述孔部形成工程中，邊以由碳材料所構成具有相 當於上述孔部之凸部的孔部形成用模，推壓上述貫通電極 形成基板用晶圓，邊加熱上述貫通電極形成基板用晶圓， 依此形成上述孔部。 5 .如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之封裝 體之製造方法，其中 上述電極構件係被形成圓錐台狀，在上述孔部形成工 程中’將上述孔部之內周面形成錐形狀。 6. 如申請專利範圍第〗至5項中之任一項所記載之封裝 體之製造方法，其中 在上述孔部形成工程中，將上述孔部以凹部形成在上 述貫通電極形成基板用晶圓，於上述冷卻工程之後，硏磨 上述凹部之底部側之貫通電極形成基板用晶圓，並使上述 芯材部露出。 7. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之封裝 體之製造方法，其中 -38- 201212183 在上述電極構件形成工程中，使用具備上述芯材部和 在表面豎立設置上述芯材部之平板狀之底部的鉚釘體，將 上述芯材部插入至上述筒體內，並且使上述底部之表面抵 接於上述筒體之端面而加熱上述筒體。 8 ·如申請專利範圍第丨至7項中之任一項所記載之封裝 體之製造方法，其中 上述第1玻璃材料和上述第2玻璃材料爲相同材料。 9. 一種壓電振動子之製造方法，其特徵爲：具有：實 施如申請專利範圍第1至8項中之任一項所記載之封裝體之 製造方法的工程’和邊將壓電振動片安裝於上述貫通電極 邊配置於上述空腔之內部的工程。 10. —種振盪器’其特徵爲：以申請專利範圍第9項所 記載之製造方法所製造出之壓電振動子，係以振盪子而電 性連接於積體電路。 1 1 ·—種電子機器’其特徵爲：以申請專利範圍第9項 所記載之製造方法製造出之壓電振動子電性連接於計時部 〇 12.—種電波時鐘，其特徵爲：以申請專利範圍第9 項所記載之製造方法製造出之壓電振動子電性連接於濾波 器部。 -39-