TW201203627A - Light emitting diode and method for forming supporting frame thereof and improved structure of the supporting frame - Google Patents

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Description

201203627 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 光二,支架成型方法’特別是-種應用於發 邻一厚心Γ’ ’由同—料帶即可形成厚薄不同之支架及槽 4,厚度較厚之支架可露出膠體以 該:Γ增加該支架與膠體間之接合性二上體 之強度。 【先前技術】 極體係為一種固態之半導體元件,利用電流通過 個載子相互結合,將能量以光的形式釋放 出來胁八有體積輕巧、反應速度快及無污染等優勢,使發光 -極體應用領域逐漸跨足各產業界,雖然初期發展時,面臨 其党度不足與發光效率低之瓶頸,但後續之發展出高功率之 發,=體’㈣上述之亮度u之問題,使二極體遂漸跨 足尚效率照明光源市場,並有逐漸取代傳統鶴絲燈 是未來替代傳統照明之潛力產品’隨著發光二極體 不斷增進,以及新型材料之開發,以致後來所發展 ^ 發光二極體,其能量效率都大幅上升,單位面積通過^ 變大’使晶片所產生之作用熱也越趨變大,因此晶 : 為其作用熱最佳散減圍,然而封裝發光二極體所用二 通常使用具有斷熱效果之樹脂化合物,其導熱效果不佳^ 此若以其包覆整個晶粒與電極迴路,使其無法順利, 易形成一幾近保溫封閉之作用環境,且該發光二極、卜、 特別為散熱設計之結構,導致作用熱直接利用該電㈣^ 201203627 導熱特性經由該電路進行散熱作用,使該電極迴路產生更大 的熱阻更加削弱該發光二極體的發光效率。 因此針對上述的結構缺失,如第一圖所示係揭露一種發 光二極體結構,該結構係以一絕緣膠體10為主體,該絕緣膠 體10内部設有複數電極接腳11該接腳自基座10内部向外延 伸’而絕緣膠體10並固設有一散熱底座12,該散熱底座12上 並用以容置發光二極體晶片13,該晶片13藉由一導線14電連 接於接腳11上,所以當發光二極體在運作時,其產生之作用 熱便從裝置於晶片12下方經由該散熱底座12完成散熱,同時 利用絕緣膠體10將電極迴路與熱傳導路徑隔離,以避免晶片 13所產生之工作熱能利用電極迴路作為一導熱途徑,產生更 大的熱阻作用,造成該發光二極體晶片13無法在正常的工作 .溫度下運作。 在上述的絕緣膠體1〇結構雖解決了散熱的問題,但整體 結構卻存在有下列缺點: 1、 該電極接腳與散熱底座之厚度有差異,需使用不同厚 a之雙料帶編排成型,其成本較高。 2、 可依照所需將該電極接腳11進行不同方向之彎折形, φτ ^ Jt[? Ill 、 ’而形成正向或側向發光;但進行響折過程中,施 =電極接腳11之水平正向力,使電極接腳11朝絕緣膠體10外 邛拉伸,易造成電極接腳11與絕緣膠體10分離,如第二圖所 2,而產生間隙112,影響電極接腳11與絕緣膠體10之接合強 、3、以電極接腳丨丨而言,當導線14之打線製造過程中,施 X電極接腳11之垂直正向力,易造成電極接腳11產生震盪, 201203627 而影響製程之穩定性。 【發明内容】 本發明係之主要目 構,主要是-種應在提供—種支架成财法及其結 形成厚薄不同之支架及光一極體之支架,由同一料帶即可 達到較佳之散減I日部,厚度較厚之支架可露出膠體以 合性,並加強發光二極可增加該支架與膠體間之接 第-:第-揭*發明係:單—料帶成型有隔離相對之 二支架,並藉由沖壓成型使第一、第二支架 打線區段之線區段下方薄型化,令該第—第二 h目t 第三支架之厚度,使得厚度較厚之第三 支架具有較佳之散熱效果。 右描,者’可同時於隔離相對二支架間之至少—側表面形成 邻,該槽部係由複數區段圍繞而成,該第一區段係由該 架側表面朝支架内部及頂面傾斜延伸,而第二區段則連 S、第區'^又,且朝支架内部傾斜延伸至底面,使該支架應 2於發光二極體中固接於膠體時,藉由該槽部可增加該支架 、膠體間之接合性,並加強兩者間組裝之強度。 【實施方式】 本發明之特點,可參閱本案圖式及實施例之詳細說明而 獲得清楚地瞭解。 本發明「發光二極體及其支架成型方法及該支架結構改 又」,如第三圖(A)〜(C)及第四圖所示,係繪示依照本發明較 201203627 佳實施例之支架的成型示意圖,第四圖繪示依照本發明較佳 實施例之支架的背面結構立體圖。本發明之支架成型方法, 其至少包含有下列步驟:步驟A、提供一金屬料帶2〇 ;步驟 B、進行第一次沖壓成型,形成有第一、第二、第三支架21、 22、23 ’如第三圖(A)所示,各支架21、22、23係隔離相對, 該第一、第二支架21、22沿著第三支架23之邊側而分別延 伸有第一、第二打線區段212、222 ;步驟C、進行第二次沖 壓成型,使其中隔離相對二支架間之至少一側表面形成有槽 部24 ’如第三圖(B)、(C)及第四圖所示,而該第一、第二打鲁 線區段212、222下方薄型化,使該第一、第二打線區段212、 222之厚度小於第三支架23之厚度。 其中’如圖所示之實施例中’係於該第一、第三支架21、 23以及第三、第二支架23、22間之至少一側表面形成有槽 部24 ’該槽部24係由複數區段圍繞而成,如第五圖所示之 實施例,其係設有呈線狀之第一、第二區段241、242,該第 一區段241係由該支架21、22、23 —侧表面a朝支架21、 22、23内部及頂面b傾斜延伸,而第二區段242則連接該第 鲁 £ ¥又241 ’且朝支架21、22、23内部傾斜延伸至底面c ; 當然’各區段241、242亦可以為弧狀(如第六圖所示),或者 線狀及弧狀之組合。 本發明之支架係可應用於發光二極體中,如第七圖至第 九圖所示,第七圖繪示依照本發明較佳實施例之發光二極體 的結構立體圖,第八圖繪示依照本發明較佳實施例之發光二 極體的結構剖視圖,第九圖繪示依照本發明較佳實施例之發 光二極體的背面結構示意圖。其係設有至少第一、第二、第 6 201203627 三支架21、22、23,各支架21、22、23係隔離相對且部份 固接於一膠體25中,該膠體25 —端内部具有一内凹的功能 區251,該第一、第二支架21、22係由該功能區251向外延 伸出膠體25外而形成接腳部211、221,該第三支架23則設 置於該功能區251,且其頂面b係顯露於該功能區251,其底 面c則顯露於該膠體25,於其中隔離相對二支架(於第一、 第二支架21、22以及第二、第三支架22、23間)間之至少一 側表面形成有槽部24。 • 其中,該第一、第二支架21、22沿著第三支架23之邊 側而分別延伸有第一、第二打線區段212、222,而該第三支 架23之頂面b上可固接有至少一發光二極體晶片26,且各 發光二極體晶片26與該第一、第二打線區段212、222連接 有導線27,而該膠體25的功能區内並結合有一封膠28,以 覆蓋各發光二極體晶片26。 本發明各發光二極體晶片26通電發光時,藉由金屬材質 之第三支架23且顯露於該膠體25外之底面c,可將各發光 • 二極體晶片26之工作熱源向外散去,該第三支架23之厚度 較厚且露出膠體,因此具有較佳之散熱效果,且第一、第二、 第三支架21、22、23係由單一料帶成型之結構體,而不需使 用不同厚度之雙料帶編排成型;且該槽部24係設於各支架 2卜22、23與膠體25之接合處,可藉由該槽部24之設置增 加該21、22、23與膠體25間之接合性,並加強兩者間組裝 之強度;再者,該第三支架23二側表面所設置之槽部24面 積係略小於第一、第二支架21、22之槽部24面積,如第五 圖所示,使該槽部24之設置不至於影響該第三支架23之有 201203627 效散熱面積。 •另外,於各支架沖壓成型時可同時於該第一、第二打線 區段212、222靠近第三支架23處設有至少一凸部213、223, 如第九圖所示,不僅可增加導線之打線面積,亦可降低打線 距離;且該第一、第二打線區段212、222以及第三支架23 形成有伸入膠體25内部之固定部214、224、231,如第七圖 及第九圖所示,可有效固定製程時之穩定性。 本發明之技術内容及技術特點已揭示如上,然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本發明之揭示而作各種不背離本案 發明精神之替換及修飾。因此,本發明之保護範圍應不限於 實施例所揭示者,而應包括各種不背離本發明之替換及修 飾,並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 第一圖繪示習有發光二極體之結構示意圖。 第二圖繪示習有發光二極體之放大結構示意圖。 第三圖(A)〜(C)繪示依照本發明較佳實施例之支架的成 型示意圖。 第四圖繪示依照本發明較佳實施例之支架的背面結構立 體圖。 第五圖繪示依照本發明較佳實施例之槽部的結構示意 圖。 第六圖繪示依照本發明另一實施例之槽部的結構示意 圖。 第七圖繪示依照本發明較佳實施例之發光二極體的結構 201203627 立體圖。 第八圖繪示依照本發明較佳實施例之發光二極體的結構 剖視圖。 _第九圖繪示依照本發明較佳實施例之發光二極體的背面 結構不意圖。 【主要元件代表符號說明】
絕緣膠體10 凸部223 電極接腳11 固定部224 折彎部111 第三支架23 散熱底座12 固定部231 發光二極體晶片13 槽部24 導線14 第一區段241 金屬料帶20 第二區段242 第一支架21 膠體25 接腳部211 功能區251 第一打線區段212 發光二極體晶片26 凸部213 導線27 固定部214 封膠28 第二支架22 侧表面a 接腳部221 頂面b 第二打線區段222 底面C

Claims (1)

  1. 201203627 七、申請專利範圍: 1、一種發央_ 驟: 極體支架成型方法,其至少包含有下列步 A、 提供-金屬料帶; B、 進行第—攻 各支架係隔離相辦j成型,形成有第一、第二、第三支架, 而分別延伸有第—=第 第一支架沿者第三支架之邊侧 C、 進行第二::第二打線區段; 少-侧表面形成右人:壓成型,使其中隔離相對二支架間之至 化,使該第-、坌:部’而該第一、第二打線區段下方薄型 2、如請求項】〜打線區段之厚度小於第三支架之厚度。 該槽部係由複數區:圍=光二二體支架成型方法’其中’ 表面朝支架内部及1繞成’ S亥第—區段係由該支架一側 ^ ^ g ^頂面傾斜延伸,而第二區段則連接該第一 部傾斜延伸至底面。 中 ^如請求項1或2所述之發光二極體支架成型方法,其 該第一、第二打線區段靠近第三支架處設有至少一凸部。 4 種發光二極體支架結構改良,其至少包含有: 一膠體’該膠體一端内部具有一内凹的功能區; 至少第一、第二、第三支架,各支架係隔離相對且部份 固接於膠體中,該第一、第二支架係由該功能區向外延伸出 膠體外而形成接腳部,該第三支架則設置於該功能區,且其 頂面係顯露於該功能區,其底面則顯露於該膠體,於其中隔 離相對一支架間之至少一側表面形成有槽部,該槽部係由複 數區段圍繞而成,該第一區段係由該支架一側表面朝支架内 部及頂面傾斜延伸,而第二區段則連接該第一區段,且朝支 201203627 架内部傾斜延伸至底面。 5、如請求項4所述之發光二極體支架結構改良,其中 各區段可以為線狀及/或紙狀。 6、如請求項4或5所述之發光二極體支架結構改良,其 中’該第一、第二支架沿著第三支架之邊側而分別延伸有第 一、第二打線區段。 7、 如請求項6所述之發光二極體支架結構改良,其中’ 該第一、第二打線區段靠近第三支架處設有至少一凸部。 8、 如請求項6所述之發光二極體支架結構改良,其中, 該第一、第二打線區段以及第三支架形成有伸入膠體内部之 固定部。 ’一種發光二極體’其至少包含有: 膠體,該膠體一端内部具有一内凹的功能區;
    至V第、第二、第三支架,各支架係隔離相對且部份 固接於膠體中’該第―、第二支架係由該功能區向外延伸出 膠體外而形成接腳部’且該第―、第二支架沿著第三支架之 邊侧而分別延伸有第一、第二打線區段,該第三支架則設置 :::能區,且其頂面係顯露於該功能區,其底面則顯露於 該膠體,於其中隔離相對二支架間之至少一側表 部’該槽部係由複數區段圍繞而成,該第 由^ :侧=朝支架内部及頂面傾斜延伸,而第二區 第區段’且朝支架内部傾斜延伸至底面; 心 上 線 ,且=發:發光二極體晶片,係固接於該第三支架之頂面 ;且該發先二極體晶片與該第―、第二打線區段連接有導 11 201203627 一封膠,係結合於該膠體的功能區内,以覆蓋該發光二 極體晶片。 10、 如請求項9所述之發光二極體,其中,各區段可以 為線狀及/或弧狀。 11、 如請求項9或10所述之發光二極體,其中,該第一、 第二打線區段靠近第三支架處設有至少一凸部。 12、 如請求項9或10所述之發光二極體,其中,該第一、 第二打線區段以及第三支架形成有伸入膠體内部之固定部。
    12
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI497751B (zh) * 2012-09-10 2015-08-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體基板陣列
TWI512909B (zh) * 2013-02-07 2015-12-11 Global Unichip Corp 基板結構及其製造方法
TWI512928B (zh) * 2013-10-25 2015-12-11 矽品精密工業股份有限公司 承載件
CN105594003A (zh) * 2013-10-08 2016-05-18 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件以及用于紧固所述光电组件的方法
TWI549323B (zh) * 2014-06-04 2016-09-11 日月光半導體製造股份有限公司 半導體導線架封裝及發光二極體封裝

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017080605A1 (en) * 2015-11-12 2017-05-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Package for an electronic component, electronic component and electronic arrangement
CN115472547A (zh) * 2021-06-11 2022-12-13 京东方科技集团股份有限公司 载板及其制备方法、转移基板及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621258Y2 (ja) * 1987-04-07 1994-06-01 日本デンヨ−株式会社 Ledランプ
JPH04174547A (ja) * 1990-11-07 1992-06-22 Nec Corp 表面実装型電力用半導体装置
US5532905A (en) * 1994-07-19 1996-07-02 Analog Devices, Inc. Thermally enhanced leadframe for packages that utilize a large number of leads
KR100230515B1 (ko) * 1997-04-04 1999-11-15 윤종용 요철이 형성된 리드 프레임의 제조방법
US7332375B1 (en) * 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7112474B1 (en) * 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6355502B1 (en) * 2000-04-25 2002-03-12 National Science Council Semiconductor package and method for making the same
DE10155139A1 (de) * 2001-11-12 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2006073570A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
KR100965120B1 (ko) * 2009-09-29 2010-06-23 주식회사 드림 고신뢰성의 led 패키지용 리드프레임

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI497751B (zh) * 2012-09-10 2015-08-21 Lextar Electronics Corp 發光二極體基板陣列
TWI512909B (zh) * 2013-02-07 2015-12-11 Global Unichip Corp 基板結構及其製造方法
CN105594003A (zh) * 2013-10-08 2016-05-18 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电组件以及用于紧固所述光电组件的方法
TWI512928B (zh) * 2013-10-25 2015-12-11 矽品精密工業股份有限公司 承載件
TWI549323B (zh) * 2014-06-04 2016-09-11 日月光半導體製造股份有限公司 半導體導線架封裝及發光二極體封裝

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