TW201203612A - Isolation by implantation in LED array manufacturing - Google Patents

Description

201203612 六、發明說明： 【相關申請案】 本申請案主張於2010年5月4號提出申請的美國臨時專利 申請案第61/331，〇69號以及2010年5月27號提出申請的 美國臨時專利申請案第61/348,962號的優先權，這些美國 臨時專利申請案所揭露的内容系完整結合於本說明書中。 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及發光二極體（light emitting diode，LED) 的製造’特別是涉及LED的離子植入。 【先前技術】 離子植入（ ion implantation )是一種用於向工件 (workpiece)内引入能改變導電類型的雜質的標準技術。 所期望的雜質材料在離子源中被離子化，離子被加速而形 成具有規定能量的離子束，然後離子束被引導至工件的表 面上。離子束中的高能離子滲透入工件材料的主體内並嵌 於工件材料的晶格（crystalline lattice )中而形成具有所期 望導電類型的區域。 LED是形成於基板上，並被摻雜以雜質以形成p_n接 面（p-n junction )。電流從p側或陽極流至n侧或陰極，但 不沿相反方向流動。電子與電洞（hole)從具有不同電壓 的電極流入p-n接面中。如果電子遇到電洞，電子便會進 入較低的能級（energy level) ’並以光子形式釋放能量。 LED所發出的光的波長以及光的顏色可取決於形成多重 量子井（multiple quantum well ’ MQW )的材料的帶隙能 4 201203612 量（band gap energy )。 由於AC陣列LED對於—般照明應用而言在系統層次 成本方面具有優點，因而陣列㈣正在獲得越來越多的關 注。例如，使用以串聯配置形式排列的多個LED可獲得更 高的電壓，甚至是AC電麼（即！肅）。然而，對陣列中 的各個LED進行隔離頗為困難，且現有的製造技術會在 LED中造成漏電流。這些漏電流可能起因於在形成 臺面（mesa)期間由蝕刻所造成的損壞。反應性離子蝕刻 (reactive i〇n etching ’ RIE)可使用於形成這些臺面並蝕 刻這些臺面或LED之間的交叉區域。這些LED臺面被定 義成對各個LED進行隔離或在實體上分離這些LED。 對陣列中的各種LED進行隔離可使這些LED電性分 離，從而使各個LED能夠串聯連接。圖i是呈串聯配置形 式的橫向式AC LED陣列的剖視圖。led陣列100具有設 置於基板101上的緩衝層1〇2。在某些實施例中，此緩衝 層是使用GaN製成。n型層1〇3設置於此緩衝層1〇2上。 多重量子井（MQW) 104與p型層1〇5設置於η型層103 上。ρ型層105與η型層1〇3可例如為GaN或AlGalnP。 MQW 104 可為 GalnN 或 AlGalnP。透明導電層（transparent conductive layer ’ TCL )(例如為氧化姻錫（indium tin oxide ’ ITO)) 106與p觸點107設置於p型層105上。η 觸點108設置於η型層1〇3上。 通常使用感應搞合電槳（inductively coupled plasma ’ ICP)蝕刻來形成蝕刻區域i〇9以分離第一 LED 111與第 5 201203612 • *· 二LED 112。此姓刻區域通常會移除p型層1〇5、多重量 子井104、η型層1〇3及緩衝層1〇2，以在相鄰的第一、第 一 LED 11卜112之間形成電性分離。透明導電層1〇6、ρ 型105及多重量子井1〇4亦形成於較n型層1〇3小的寬度 處，以允許將η觸點108附著於n型層1〇3上。 又 連接110將第- LED 111連接至第二LED 112並橋接 姓刻區域109,連接11〇可為金屬或導體。第一 LED⑴ 與第二LED 112中的每-者均可位於臺面内或臺面上。姓 刻區域109可定義空中橋樑（airbridge)，在空中橋標處， 連接11〇將第-1^)111的11型層1〇3連接至第二1^112 的P型層105。 連接no是導電性的，因此必須與第一 LED lu、第 二LED 112的層疊的層進行隔離。例如，若連接11〇接觸 第二LED 112的η型層103以及p觸點1〇7，則第二led in將被短路。為減少此情形，蝕刻區域1〇9可為中空的， 或被填充以空氣或聚合物。在一個具體實施例中，可將整 個LED陣列100封裝於介電層中。 此外’使用icp會具有多種缺陷。首先，lcp使用複 雜的触刻用化學物質，這些化學物質可能較為昂貴。第二， ICP會造成損壞’此種損壞會增大漏電流。第三，由於為 各向異性侧，ICP會潛在地限制元件密度。第四，為處 理因icp造成的任何損壞，可能需要進行後Icp處理 (post-ICP treatment )，這會增加製造步驟的數目並降低生 產量（thmughputh第五’蝕刻可致使LED臺面在尺寸方 6 201203612 面心生4化或具有不同的橫截面積，從而影響led性能。 κ因此，業内極需提供一種具有成本效益（cost e ective、成提向良率（yidd)並提高陣列的可靠性 的改良LED結構以及LED料植入方法。 【發明内容】 ，發，揭露—種用於形成LED陣列的改良方法。p型 層夕重量子井及n型層設置於基板上。對元件進行触刻， 以暴露出η型層的某些部分。為在相鄰LED之間形成所需 的電^_ ’執行離子植人來形成非導f性植人區域。在 某些κ %例中，植入區域延伸貫穿p型層、多重量子井以 及η型層。在另-實施例巾，在n型層中形成第—植入區 域。另外，在與所蝕刻的η型層緊鄰的ρ型層以及多重量 子井中形成第二植入區域。在某些實施例中，垂直於基板 來執行離子植人。在其他實齡丨+，_ —角度執行植入。 為讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 本文是結合LED的離子植入來闡述本發明的實施 例，但這些實施例也可用於其他半導體製造工藝。在本文 所述的實施例中，可使用束線式離子植入機（beam_Hnei〇n implanter)、等離子體摻雜式離子植入機（plasma d〇ping i〇n implanter )或所屬領域的技術人員所知的其他離子植入系 統。此外，本文所述的實施例可應用於所屬領域的技術人 7 201203612 員所知的諸多不同LED架構，包括不同於本文所揭露者的 橫向式或豎向式LED陣列。因此，本發明並不限於下文所 述的具體實施例。 可例如通過以下方式來使LED所用的材料（例如GaN 或AlGalnP)變得更具電阻性：利用植入（implant)對所 述材料進行物理破壞，或通過植入將會毒化被植入區域的 物質而從化學上改變所述材料。以物理及/或化學方式在 LED之間形成電阻性交織區域可減少在傳統LED製造中 所涉及的工藝步驟的數量。例如’可取代或消除蝕刻步驟 或隔離步驟。 因植入而引起的物理破壞會在GaN表面或主體中引 入深能階陷阱（deep level trap)。這些深能階陷阱將會在 GaN中陷獲自由載流子（free carrier)，並有助於形成高電 阻性GaN材料。化學毒化則使用能佔據取代位置 (substitutional site ) 的物質。這會在中間帶隙 (mid-bandgap )中形成化學誘導的深能階，並使GaN具 有高的電阻性。 圖2為呈串聯配置形式的經植入橫向式AC LED陣列 的第一實施例的剖視圖。在此具體實施例中，η型層103 與緩衝層102未如圖1的實施例所示一樣被中斷。換句話 說，緩衝層102與η型層丨⑴在基板101上是連續的。多 重量子井104與Ρ型層1〇5被形成為在相鄰的相同層之間 具有間隙。這可通過I虫刻來達成。此種佈置能夠暴露出η 型層103的某座*部分。第一 LED U1與第二LED 112的η 8 201203612 型層103及緩衝層1〇2是利用植入區域2〇1 (在圖2中由 陰影區域表示）進行隔離。另外，在此植入過程中，p型 層105與多重量子井104的暴露侧也受到植入。植入離子 200而形成植入區域2〇1。利用遮罩202來選擇性地僅對植 入區域201進行植入’遮罩202可例如為模板遮罩（以如⑸ mask)或蔽陰遮罩（shadowmask)。當然，也可使用光阻 劑（photoresist)、氧化層或其他遮罩。執行此植入，以向 P型層105、多重量子井丨〇4、n型層103及緩衝層1〇2中 植入離子。在植入期間，可改變植入能量以使離子到達 LED中的不同深度。此植入可在蝕刻第一 LED 111與第二 LED 112之後執行。然而，在另一實施例中，則在離子植 入之後執行p型層105與多重量子井104的蝕刻。圖中顯 示植入區域201到達緩衝層102的深度，但基板1〇1也可 被植入。在此實施例中，離子被引導沿垂直於基板1〇1的 平面的方向朝向LED。 圖3為呈串聯配置形式的經植入橫向式ACLED陣列 的第二實施例的剖視圖。在此實施例中，未如在前一實施 例中一樣穿過所有四個層（p型層1〇5、多重量子井1〇4、 η型層103及緩衝層102)來植入離子。而是，某些離子是 穿過η型層103及緩衝層1〇2進行植入，而其他離子則植 入於ρ型層105及多重量子井1〇4中。在此具體實施例中， η型層103及緩衝層102未如在圖i的實施例中所示一樣 被中斷。換句話說，緩衝層102&n型層1〇3在基板1〇1 上是連續的。多重量子井1〇4h型層1〇5被形成為在相 201203612 鄰的相同層之間具有空間。此種佈置能夠暴露出η型層103 的某些部分。在圖3中’尚未形成ρ觸點1〇7、η觸點108 及透明導電層106。第一 LED 111與第二LED 112的η型 層103及緩衝層1〇2是通過植入區域2〇la(在圖3中由陰 影區域表示）進行隔離。另外，ρ型層1〇5與多重量子井 104的暴露的壁是利用植入區域2〇ib進行隔離，植入區域 201b可與植入區域201a同時形成。在另一實施例中，這 些植入可依序進行。通過植入離子200而形成植入區域 201a、201b。利用遮罩202來選擇性地僅對植入區域201 進行植入，遮罩202可例如為模板遮罩或蔽蔭遮罩。當然， 也可使用光阻劑、氧化層或其他遮罩。圖3的實施例利用 單次或鏈式（chained)植入。在對第一 LED 111及第二 LED 112進行蝕刻而形成ρ型層1〇5及多重量子井ι〇4之 後，植入離子200。圖中顯示植入區域2〇ia到達緩衝層1〇2 的深度，但基板101也可被植入。在此實施例中，離子被 引導沿垂直於基板101的平面的方向朝向LED。 由於離子是從正上方進行植入，因而若同時對植入區 域201a與植入區域201b進行植入，則在n型區域1〇3及 緩衝層102中形成的植入區域2〇1&的深度通常可近似等於 在第二LED 112的ρ型層1〇5及多重量子井1〇4中形成的 植入區域201b的深度。因此，當n型層丨〇3與緩衝層1〇2 的組合深度大於或等於ρ型層1〇5與多重量子井1〇4的組 合深度時，此種單次植入最有效。通過這種方式，植入區 域201b延伸貫穿ρ型層105及多重量子井1〇4，並與11型 201203612 層103中的植入區域21〇a交會。換句話說，植入區域 201a、201b會形成由絕緣材料構成的連續的壁。此外，植 入區域201a與植入區域201b相互接觸並且是連續的。 圖4為呈串聯配置形式的經植入橫向式AC咖陣列 的第三實施例的剖視圖。在此具體實施例中，p型層ι〇5 與多重量子井104的組合厚度可大於n型層1〇3與^衝層 102的組合厚度。在此實施例中，可利用兩次植入。第一 -人植入疋垂直於LED陣列1〇〇的表面來植入離子2⑻。如 圖4A所示，這些離子200穿過n型層1〇3及緩衝層1〇2 而形成植入區域201a’進而將LED 111的n型層1〇3及緩 衝層102與LED 112的η型層1〇3及緩衝層1〇2隔離開。 然而，此次植入不能夠穿過ρ型層及多重量子井 而形成到達η型層103的植入區域201b。因此，多重量子 井104 (以及視需要p型層105)的至少一部分未在第一次 植入中受到植入。 圖4B所示的第二次植入是相對於LED陣列1〇〇的表 面成一角度來植入離子203。此角度不同於垂直角度。第 二次植入用於沿p型層1〇5及多重量子井1〇4的暴露侧形 成植入區域201c，植入區域201c將第一 LED 111與第二 LED 112分離。在某些實施例中，向植入區域2〇lb的某些 部分中植入離子203。通過這種方式，對p型層1〇5及多 重量子井104植入離子，以形成向下延伸至η型層1〇3的 絕緣阻擋層（insulation barrier)。這兩次植入可以是以鏈式 方式分別進行而不打破真空’或者可至少部分地同時進 201203612 行。此外，植入區域2〇ia、植入區域2〇ib及植入區域2〇lc 相互接觸且為連續的。 在一實施例中，植入區域2〇la的深度可深於n型層 103及緩衝層1〇2的厚度。植入2〇ib於p型層中的寬 度可有所變化。盒形輪廓（b〇xpr〇file)可改善隔離效果。 圖5為根據任一前述實施例的LED陣列的俯視立體 圖。LED陣列1〇〇具有第—LED1U、第二LEDU2及第 二LED 502。每一 LED可位於一臺面内或一臺面上。當然， 也可具有其他數目的臺面或LED。如圖5所示，植入區域 201用於分隔第一 LED 111、第二LED 112及第三臺面 5〇2。p觸點1〇7與n觸點1〇8通過連接4〇〇進行連接這 些連接400設置於植入區域2〇1上、植入區域2〇1中或植 入區域201之上。在替代實施例中，此lEd陣列ι〇〇可以 反並聯配置形式連接至另一串聯式LED陣列。在此一實施 例中，可通過植入來分隔這兩個串聯式陣列。 為形成LED陣列1〇〇，利用毯覆式金屬沉積（blanket metal deposition)形成透明電極，並將透明電極施加至 p-GaN層1〇5。所述金屬此時被塗覆有光阻劑並受到定義。 對臺面進行姓刻’以定義將被施加η觸點108的區域。然 後，可執行用於形成植入區域201的植入。在圖2的實施 例中了在敍刻工藝之前進行植入工藝。離子植入可能需 要塗覆光阻劑或者使用例如模板遮罩或蔽蔭遮罩。在植入 之後’通過圖案化光阻劑（patterned ph〇t〇resist )、金屬沉 積（metal deposition)、及剝離（iiftoff)來定義 p 觸點 1〇7 12 201203612 及η觸點i〇8。 在另-實施例中，使用餘刻步驟來執行植入。 影圖案並開始進行ϋ刻。接著，可執行淺植入（北: —km)綠被侧的壁非晶化，以移除表面㈣ 本次植入可為採麟轉的減量植人，以、 (加⑻的所有㈣的植人。在又—實施例中，^才夕曰卜 延生長過程中進行植入，以形成隔離區域。 圖6為呈串聯配置形式的經連接及植入的橫向式 LED陣列的剖視圖，其採用圖2所示的實 观將第-㈣⑴與第二LED112分隔開。在 區域201之後，增加透明導電層1〇6。對透明導電層1〇6 及η型層1〇3分別應用p觸點107及η觸點108。互連電 極400將第二LED 112的ρ觸點107連接至第一 LED U1 的η觸點1〇8。此互連電極400可利用空中橋樑（airbridge) 而製作於LED陣列1〇〇上方。此一互連電極400可利用蒸 鍍（evaporation)、沉積、或塗覆方法形成。在一種具體情 形中’可使用膏糊（paste )。在又一實施例中，可不對植 入區域201使用圖6所示的空中橋樑，從而將互連電極400 直接施加至LED。 圖7為呈串聯配置形式的經連接及植入的橫向式AC LED陣列的剖視圖，其採用圖3或圖4所示的實施例。植 入區域201a將第一 LED 111與第二LED 112分隔開。在 形成植入區域201之後，增加透明導電層106。對透明導 電層106及η型層103分別施加P觸點1〇7及η觸點108。 13 201203612 互連電極4GG將第二LED 112的p觸點1()7連接至第一 LED 111的n觸點1〇8。此互連電極彻可直接製作於 陣列10G上而不_空中橋樑，此可提高可靠性。此一互 連電極40G可利用蒸鍵、沉積、或塗覆方法形成。在一種 二體If ^/中’可使用膏糊。在又—實施例中，可對植入區 域201使用圖1所示的空中橋樑。 為執行所述的植入，可向GaN或A1GaN/GaN磊晶層 中植入離子來隔離各LED，所述離子諸如為H、N、He、 Ar、Ο、Cr、Fe、Ne、F、Ti、如Zn之類的其他重離子、 或所屬領域的技術人員所知的其他物質。在__個具體實施 例中’劑量為1E14，且植人能量隨所需植人深度或LED 中各個層的厚度而異。若植入劑須以約1E15的劑量穿透 η-GaN層及緩衝層而到達約3 μιη至5 μιη的深度，則可利 用高能植入，例如處於MeV範圍的高能植入。也可執行 具有多種不同能量的鏈式植入，以形成不同深度的摻雜劑 分佈。在一實施例中，這些鏈式植入可在不打破真空的情 況下執行。在另一實施例中’可在室溫下或在低於室溫的 較低溫度下執行植入。為防止植入於LED的各種區域中， 可使用光阻劑、另一種硬式遮罩（例如氧化物）、抑或蔽蔭 遮罩或模板遮罩。因此，可執行選擇性植入或圖案化植入。 本發明的範圍並不限於本文所述的具體實施例。實際 上，根據上文說明以及附圖，除本文所述者以外的本發明 其他各種實施例以及修改對於所屬領域的一般技術人員而 言將顯而易見。因此，這些其他實施例及修改也包含於本 201203612 =的範圍内。此外，儘管本文是在針對蚊用途的特定 %境中在特定實施方式的上下文中闡述本發明，然而所屬 貝域的般技術人員將知，其適用性並不僅限於此，且可 針對任何數目的用^^在任何數目的環境中有利地實施本 ^ ^因此，隨附權利要求書應根據本文所述本發明的完 整範圍及精神加以解釋。 【圖式簡單說明】 為更好地理解本發明，上文已參照附圖，這些附圖均 併入本案供參考，附圖中： 圖1為呈串聯配置形式的現有技術橫向式ACLED陣 列的剖視圖。 圖2為呈串聯配置形式的經植入橫向式AC LED陣列 的第一實施例的剖視圖。 圖3為呈串聯配置形式的經植入橫向式AC LED陣列 的第二實施例的剖視圖。 圖4A至圖4B為呈串聯配置形式的經植入橫向式Ac LED陣列的第三實施例的剖視圖。 圖5為任一前述實施例的經植入橫向式ac LED陣列 的俯視圖。 圖6為呈串聯配置形式的經連接及植入的橫向式Ac LED陣列的剖視圖，其採用圖2所示的實施例。 圖7為呈串聯配置形式的經連接及植入的橫向式Ac LED陣列的剖視圖，其採用圖3或圖4所示的實施例。 【主要元件符號說明】 15 201203612 100 : LED 陣列 101 :基板 102 :緩衝層 103 : η型層 104 :多重量子井 105 : ρ型層 106 :透明導電層 107 : ρ觸點 108 : η觸點 109 :姓刻區域 110:連接

111 :第一 LED 112 :第二 LED 200 :離子 植區域 201、201a、201b、201c 202 :遮罩 203 ‘·離子 400 :連接

502 :第三 LED 16

Claims (1)

1. 201203612 七、申請專利範圍： 1. 一種製造橫向式AC LED陣列的方法，所述橫向式 ACLED陣列具有排列成串聯配置形式的多個LED，所述 方法包括： 形成元件，所述元件具有基板、最靠近所述基板的n 型層、設置於所述η型層上的多重量子井、以及設置於所 述多重量子井上的ρ型層； 餘刻所述ρ型層與所述多重量子井的一區域，以在所 述勉刻區域中暴露出所述η型層，從而使所述蝕刻區域將 第一 LED的所述多重量子井及所述ρ型層與相鄰的第二 LED的所述多重量子井與所述ρ型層分離，且使所述n塑 層不在所述第一 LED與所述第二LED之間分離； 向在所述蝕刻區域中暴露出的所述第一 LEd的所述η 型層的第一部分中植入離子，以形成第一植入區域，所述 第一部分相鄰於所述ρ型層及所述第二LED的所述多重量 子井； 向所述第二LED的所述ρ型層及所述多重量子井的第 刀中植入離子，以形成第二植入區域，其中所述第二 部分緊鄰所述第一部分； 施加Ρ觸點及η觸點，所述ρ觸點電性連接至所述第 一 LED的所述ρ型層，所述η觸點則電性連接至所述第一 LED的所述暴露的η型層；以及 利用互連電極來電性連接所述第二LED的所述ρ觸點 與所述第一 LED的所述η觸點。 17 201203612 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述向所 述第一部分中植入離子是通過垂直於所述基板而引導離子 來執行。 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述向所 述第一部分中植入離子是通過垂直於所述基板而引導離 來執行。 .如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述向所 述第一部分中植入離子是通過以不同於垂直於所述基板的 角度而料料來執行。 …5.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述向所 述第部分中植入離子以及所述向所述部分中植入離子是 同時執行的。 旦6·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述η型 曰/、有厚度，且所述第一植入區域延伸貫穿所述η型層的 所述厚度。 7. 如申明專利範圍第1項所述之方法，其中所述η型 層具有厚度’且所述第—植人區域延伸超出所述η型層的 所述厚度。 8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述ρ型 層與所述夕重量子井具有組合厚度且所述第二植入區域 延伸貫穿所述組合厚度。 9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中所述ρ型 層與所述多重量子井具有組合厚度，輯述第二植入區域 不延伸貫穿所述組合厚度。 201203612 -----r — 10.如申請專利範圍第1項所述之方法，還包括以不 同於垂直的角度向所述ρ型層與所述多重量子井中植入離 子，以形成第三植入區域，從而使所述第一植入區域、所 述第二植入區域及所述第三植入區域是連續的。 11· 一種製造橫向式AC LED陣列的方法，所述橫向 式AC LED陣列具有排列成串聯配置形式的多個LED，所 述方法包括： 升>成元件，所述元件具有基板、最靠近所述基板的n 型層、δ又置於所述η型層上的多重量子井、以及設置於所 述多重量子井上的ρ型層； 敍刻所述ρ型層與所述多重量子井的區域，以在所述 蝕刻區域中暴露出所述η型層，從而使所述蝕刻區域將第 一 LED的所述多重量子井及所述ρ型層與相鄰第二LED 的所述多重量子井與所述卩型層分離，且使所述n型層不 在所述第一 LED與所述第二led之間分離； 使用遮罩選擇性地向在所述蝕刻區域中暴露出的所述 第一 LED的所述n型層的第一部分中植入離子以形成第一 植入區域，以及向所述第二LED的所述？型層及所述多重 量子井的第二部分中植入離子以形成第二植入區域，其中 所述第二部分緊鄰所述第-部分，其中垂直於所述基板引 導所述離子； 施加P觸點及η觸點，所述？觸點電性連接至所述第 二LED的所述ρ型層，所述η觸點則電性連接至所述第一 LED的所述暴露的η型層；以及 201203612 觸點 利用互連電極來電性連接所述第二咖的所 與所述第-LED的所述n觸點。 ㈣申凊專利範圍第11項所述之方法，其中所述η 旱度，且所述第一植入區域延伸貫穿所述η型層 的所述厚度。 (J U.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中所述η 型層具有厚度，^•所述第-植人區域延伸超出所述η型層 的所述厚度。 如申明專利範圍第11項所述之方法，其中所述ρ 型層與所述多重量子井具有組合厚度，且所述第二植入區 域延伸貫穿所述組合厚度。 15. 如申凊專利範圍第11項所述之方法，其中所述p 型層與所述多重量子井具有組合厚度，且所述第二植入區 域不延伸貫穿所述組合厚度。 16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，還包括在所 述施加步驟之前’利用遮罩以不同於垂直的角度選擇性地 向所述p型層與所述多重量子井的第三部分中植入離子， 以形成第三植入區域，從而使所述第一植入區域、所述第 二植入區域及所述第三植入區域是連續的。 17. —種製造橫向式ac LED陣列的方法，所述橫向 式AC LED陣列具有排列成串聯配置形式的多個LED，所 述方法包括： 形成元件，所述元件具有基板、最靠近所述基板的n 型層、設置於所述η型層上的多重量子井、以及設置於所 201203612 述多重量子井上的P型層； 蝕刻所述p型層與所述多重量子井的區域，以在 侧區域中暴露出所述η型層，從而使所賴刻區第 - LED的所述多重量子井及所述ρ型層與相鄰第二咖 的所述多重量子井及所述ρ型層分離，且使所述η型 在所述第一 LED與所述第二LED之間分離； θ 向所述Ρ型層的-部分中植人離子，以形成植入區 域，其中所述部分緊鄰所述蝕刻區域； 施加Ρ觸點及η觸點，所述ρ觸點電性連接至所述第 二LED的所述ρ型層，所述_點則電性連接至所述 LED的所述暴露的^型層；以及 無=互ί電極來電性連接所述第二LED的所述Ρ觸點 與所述第一 LED的所述η觸點。 、队根據權利要求17所述的方法，其中所述離子穿過 所述Ρ型層而植人於所述多重量子井及所述η型層令，以 形成從所述ρ型層穿過所述Μ層延伸的植入區域。 如中請專利範圍第17項所述之方法，還包括向在 所述則區域中暴露出的所述第一 LED的所述㈣層的一 部^中植人離子，所述部分緊_述第二LED的所述ρ i層及所述多重量子井中的所述植入區域。 21