TW201142884A - Two-terminal variable capacitance MEMS device - Google Patents

Description

201142884 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於可變電容裝置，且且體古夕 且短。之，關於基於微 機電系統（MEMS)裝置之可變電容裝置。 【先前技術】 習知的MEMS變容器（亦被稱為電容式切換器或切換式電 容器）通常具有一非常小調諧電壓範圍，亦即，可在最小 電容與最大電容之間以一類比方式可靠控制該裝置電容的 電壓範圍。 二進制狀態MEMS裝置（舉例而言，諸如，干涉調變器 (IMOD))之特徵為具有兩個不同電容之兩個穩定狀態。因 此，此等裝置可用作為可變電容裝置，但具有有限的效 用’因為通常僅表示兩個穩定電容值，亦即，一者對應於 該裝置之鬆弛狀態（亦即’「可用狀態」電容），且一者對應 於該裝置之致動狀態（亦即，「停機狀態」電容）。 已進行各種嘗試以想出具有一範圍的電容值之多者與不 同程度的成功之裝置。然而，大多數此等裝置需要非所需 額外負擔，舉例而言，諸如，獨立裝置控制信號及電路、 額外切換電路、多於兩端等。加寬及/或穩定此等裝置之 調諧範圍將使其等適合於一更廣泛範圍之應用。 【發明内容】 根據本發明，提供可變電容裝置。 根據特定實施例，一可變電容裝置包含複數個並聯連接 之MEMS裝置。該等MEMS裝置之特徵為使該等紙奶裝 152850.doc 201142884 置之對應者在一鬆弛狀態與一致動狀態之間轉變之複數個 不同致動電壓。該複數個MEMS裝置係使用該等MEMS裝 置之間的指定裝置變更而組態，使得該可變電容裝置之特 徵為包含複數個施加電壓範圍之一電容對電壓特徵，甘中 該可變電容裝置之電容變化之對應速率係大體上小於藉由 該可變電容裝置之最小電容值與最大電容值之間之電容對 電壓特微所表示之電容變化之一平均速率。 根據特定實施例，一可變電容裝置包含複數個並聯連接 之MEMS裝置。各MEMS裝置包含第一電極及第二電極。 該可變電容裝置之一第一端係藉由該等MEMS裝置之第一 電極之間的一第一電性連接而形成。該可變電容裝置之一 第二端係藉由該等MEMS裝置之第二電極之間的一第二電 性連接而形成。該複數個MEMS裝置係使用該等1^£厘8裝 置之間的指定裝置變更而組態，使得該等置之特 徵為使該等MEMS裝置之對應者在一最小電容與一最大電 容之間轉變的複數個不同調諧電壓範圍。 本發明之本質及優點之一進一步理解可藉由參考說明書 及圖式之剩餘部分而體現。 【實施方式】 :現將詳細參考包含用於實行本發明之由發明者所預期之 ::模式之本發明之特定實施例。於隨附圖式繪示此等特 定實施例之實例。^然本發明係結合此等特定實施例而描 述，但是將理解，其不意欲將本發明限於所描述之實施 例相反，其意欲涵蓋如可包含於如由隨附申請專利範圍 152850.doc 201142884 所界定之本發明之精神及範疇内之替代、修改及等效物。 在以下描述中，提出特定細節以提供本發明之一全文理 解。在沒有一些或所有此等特定細節之情況下，可實踐本 發明。此外，可不詳細描述眾所周知之特性以避免不必要 地使本發明不清楚。 微機電系統（MEMS)包含微機械元件、致動器及電子設 備。微機械元件可使用沈積、蝕刻及/或蝕除基板之部件 及/或沈積材料層或添加若干層以形成電子及機電裝置之 其他微機械程序而產生，一類型之MEMS裝置被稱為一干 涉調變器（IMOD)。如本文所使用，術語干涉調變器或干 涉光調變器係指使用光學干涉之原理選擇性吸收及/或反 射光之一裝置。在某些實施例中，一干涉調變器可包括一 對導電板或層，其等之一或兩者可為全部或部分透明及/ 或反射且可在一適當電性信號之應用後進行相對動作。在 一特定實施例中，一板可包括沈積於一基板上的一靜止層 且其他板可包括藉由一空氣間隙而與該靜止層分離之一金 屬隔膜。一板相對於另一板之位置可改變入射於該干涉調 變器之光之光學干涉。此外，此等裝置之電容係取決於此 等板之間的關係。此等裝置具有一寬範圍的應用，且在此 項技術中其將有利於利用及/或修改此等類型裝置之特 徵，使得可運用其等之特性以改善既有產品且產生尚未開 發之新產品。 根據本發明之各種實施例，兩端可變電容裝置係藉由並 聯連接具有不同致動或「吸附」電壓之多個MEMS裝置而

S 152850. doc 201142884 貝現根據實施例之-特定種類，該等MEMS裝置為干涉 調文斋（IMOD)。有關可用於本發明之此等實施例之 之-些背景將係繪示性。然而，應注意，且熟習此項技術 者將瞭解’由本發明所實現之可變電容裝置可由包含(例 如）各種各樣的MEMS變容器之—更廣泛範圍之MEMS裝置 而建構。 於圖1繪示一對干涉調變器。此等裝置為一反射狀態或 非反射之任一者。在反射（「鬆弛」或「開啟」）狀態中， 。玄裝置反射人射可視光之—大部分。當在非反射（「致 動」或關閉」）狀態中時’該裝置反射少量入射可視 光。端視實施方案，可颠倒「開」及「關」狀態之光反射 )·生質此等MEMS裝置亦可經組態以除了黑色與白色外在 多數情況下反射經選擇之色彩。應注意，基於本發明之實 施例之勵D或其他MEMS裝置之光學性質之至少一些可 與此等實施例之功能性不相關。 圖1係描繪兩個_MEMS干涉調變器i2a與i2b之一等角 視圖。各干涉調變器包含定位於距離彼此一可變及可控制 距離處以形成具有至少—可變尺寸之—諧振光學間隙之一 對反射層。該等及紛思 4,.--. 夂射層之一者可在兩個位置之間移動。在 —置中（在本文冲被稱為鬆弛位置），該可移動反射層 係疋位於距離-固定部分反射層一相對大距離處。在第二 位置中（在本文中破稱為致動位置）’該可移動反射層係更 緊密鄰該4分反射層而定位。從該兩層反射之入射光 ㈣性干涉或破壞性干涉’這取決於該可移動反射層之位 152850.doc 201142884 置，產生各裝置之一整體反射或非反射狀態之任一者。 在左邊的干涉調變器12a中，於距離一光學堆疊i6a—預 定距離處，以一鬆弛位置繪示一可移動反射層14a，該光 學堆疊包含一部分反射層。在右邊的干涉調變器12b中， 以鄰近於光學堆疊16b之一致動位置繪示可移動反射層 14b。該等光學堆疊16a與16b(統稱為光學堆疊16)(如本文 所參考）’通常包括若干融合層，該等稠合層可包含一電 極層（諸如，氧化銦錫（IT0))、一部分反射層（諸如，鉻）及 一透明介電質。因此，該光學堆疊16為導電、部分透明且 部分反射，且可（例如）藉由在一透明基板2〇上沈積上述層 之一或多者而製造。該部分反射層可由部分反射之各種材 料（諸如，各種金屬、半導體及介電質）而形成。該部分反 射層可由一或多層材料形成，且該等層之各者可由一單一 材料或材料之一組合形成。 在一些實施方案中，該光學堆疊16之若干層可經圖案化 以形成此等裝置之一陣列之連接電極。該等可移動反射層 14a、14b可形成為沈積於柱18之頂部上的一沈積金屬層或 若干層及沈積於該等柱18之間的一中間犧牲材料。當蝕除 該犧牲材料時，該等可移動反射層14a、Mb係藉由一經界 定之間隙19而與該等光學堆疊16a、i6b分離。一高導電及 反射材料（諸如，鋁）可用於該等反射層14，且亦可形成此 等裝置之一陣列中之連接電極。注意，圖i可不按比例。 在一些實施方案令，柱18之間的間隔可在大約〇 5微米至 1.0微米之等級，而該間隙19可在大約0,2微米至〇 4微米之 152850.doc 201142884 等級。 如藉由圖1之該干涉調變器12a所繪示，在沒有施加電壓 之情況下，該間隙19保持在該可移動反射層14a與光學堆 疊16a之間，該可移動反射層14a在一機械鬆弛狀態中。然 而，當橫跨一干涉調變器之電極施加一電位（電壓）差時， 藉由該干涉調變器所形成之電容器變成充電，且靜電力將 該等電極拉在一起。若該電壓係足夠高，該可移動反射層 14變形且係被迫抵靠該光學堆疊16。如藉由圖1之右邊的 經致動之干涉調變器12b所繪示，在該光學堆疊16内的一 介電質層（此圖中未繪示）可防止短路且控制層14與16之間 的分離距離。該行為是相同的，不考慮施加電位差之極 性。 圖2係一干涉調變器之一例示性實施方案之可移動層位 置對施加電壓之一線圖。對於MEMS干涉調變器而言，致 動協定可利用如圖2所繪示之此等裝置之一滯後性質。一 干涉調變器可能需要（例如）一丨〇伏特電位差以引起一可移 動層自鬆弛狀態變形至致動狀態。然而，當該電壓自該值 減少時，在該電壓降回10伏特以下時該可移動層維持其狀 態。在圖2之例示性實施方案中’該可移動層未完全鬆弛 直到β亥電壓降至2伏特以下。因此，在圖2所繪示之實例 中，具有大約3V至7V之一範圍之電壓，其中存在施加電 壓之一窗，在該窗内該裝置於鬆弛狀態或致動狀態之任一 者中穩定。在本文中此被稱為「滞後窗」或「穩定窗」。 这使得圖1中所繪示之干涉調變器設計在相同施加電壓條 152850.doc 201142884 件下於-致動或㈣預存在狀態之任—者中穩定。由於不 f在致動或鬆弛狀態中的各干涉調變器實質上係 固定及移動反射層而形成之一電容器，所以此穩』狀：可 在幾乎沒有電力消散下於滯後窗内的一電虔處保持。若該 施加電位為固定，則實質上無電流流入該干涉調變器申。 从根據上文所提出之原理而操作之干涉調變器之結構之細 節可大幅改變。例如，圖3入至3£繪示該可移動反射層Μ 及其支擇結構之五個不同實施方案。圖3A係圖kiM〇D之 一截面®，其中金屬材料14之—帶係沈積於正交延伸支撐 18上。在圖3B中，各干涉調變器之可移動反射層14係正方 形或矩形且僅在角隅處於系鏈32上附接至支撐。在圖％ 中，該可移動反射層14係正方形或矩形且自一可變形層34 懸吊，該可變形層34可包括一撓性金屬。該可變形層34可 在該可變形層34之外圍四周直接或間接連接至基板2〇。此 專連接在本文中被稱為支撲柱。圖3d所示之裂置具有支撑 柱插塞42，該可變形層34架在該等支撐柱插塞“上❶如圖 3A至3C，該可移動反射層14保持懸吊於該間隙上，但是 該可變形層34未藉由填充該可變形層34與該光學堆疊“之 間的孔而形成支撐柱。相反，該等支撐柱係由一平坦化材 料所形成，其係用於形成支撐柱插塞42。圖3E所繪示之裝 置係基於圖3D所示之實施方案，但是亦可適於與圖从至 3C所繪示之任何裝置以及圖中未展示之額外實施方案一起 工作。在圖3E所示之裝置中，金屬或其他導電材料之一額 外層已用於形成一匯流排結構44。此允許沿著該等干涉調 152850.doc 201142884 變器之背部之信號路由，消除可能以其他方式已在該基板 20上形成之許多電極。 在實施方案（諸如圖3A至3E所示之該等實施方案）中，該 反射層14光學屏蔽在相對該基板20之反射層之側上之該干 涉調變器之部分，包含該可變形層34。此屏蔽允許（例如） 圖3E中的匯流排結構44，其提供將該調變器之光學性質與 該調變器之機電性質分離之能力。此可分離調變器架構允 許用於該調變器之機電態樣及光學態樣之結構設計及材料 經選擇且獨立於彼此運作。而且，圖3C至3E所示之實施方 案可具有衍生自將該反射層14之光學性質與其機械性質去 耦之額外利益，該等機械性質係藉由該可變形層34所實 行。此允許用於該反射層14之該結構設計及材料相對於該 等光學性質得以最優化，且用於該可變形層34之該結構設 計及材料相對於所需機械性質得以最優化。 如上文所提及，且不論IMOD之前文描述，可預期基於 各種各樣MEMS裝置之本發明之實施例。即，本發明包含 基於任何類型之MEMS裝置之實施例，該MEMS裝置之特 徵為可以一控制電壓之應用在一最小值與一最大值之間改 變之一電容。圖4提供表示本發明之實施例之一種類之一 繪示。在所示之實例中，四個MEMS裝置1至4係並聯連接 以形成根據本發明之一特定實施例之一可變電容MEMS裝 置400。MEMS裝置1至4共用對應於裝置400之一端之一共 同底部電極406。裝置400之第二端係藉由裝置1至4之頂部 電極（401至404)之一電性連接而形成。熟習此項技術者可 152850.doc •10- 201142884 以多種方式之任何方式製成此電性連接，且此電性連接可 取決於所使用之MEMS裝置之類型。而且，應理解，所示 裝置之數量僅係以實例方式展示。 圖4亦包含展示與四個MEMS裝置1至4相關之不同吸附 電壓（Val、Va2、Va3及Va4)之一作圖，及顯示裝置4〇〇之 電容作為施加DC電壓之一函數之一作圖（C1對應於MEMS 裝置1之「停機狀g」電容，等）。 如圖中所指示，MEMS裝置400係一射頻（rF)mems裝 置。該RF信號輸入與該裝置DC控制電壓兩者係施加至裝 置400之第二端。該圖中的顯而易見的分離信號線僅意欲 表達隔離RF信號路徑舆DC信號路徑。考慮到將兩個信號 施加至相同端，可使用習知組件（舉例而言，諸如該MEMs 裝置端與該RF源（圖中未展示）之間的一 Dc阻隔電容器 4〇8，及/或該端與該DC源（圖中未展示）之間的一rf抗流電 路410(例如，一 RF線圈））提供該RF域及Dc域之間的隔 離。如熟習此項技術者將理解，可使用此等組件之任一者 或兩者，錢在此㈣統巾用於提供隔離之乡種其他適合 機制或組件之任何者。 圖4之實例圖解繪示可經操縱以達成不同裝置之不同吸 附電壓(例如’該等各自裝置電極之間的不同空氣間隙距 離）之MEMS裝置之-特定物理特徵之一實例。然而，應理 解，這僅係可根據本發明之特^實施例而改變以導㈣等 並聯裝置之不同吸附電壓或致動電壓之一裝置特徵之二實 例。可操縱之其他裝置特徵包含（例如说⑽、各”容 152850.doc •11· 201142884 之組件之硬度等。可於相同類型之並聯河£肘3裝置（例如， IMOD、各種類型之MEMS變容器）改變此等特徵。然而， 預期實施例’其中該等並聯MEMS裝置可為不同類型。 圖5展示可與本發明之特定實施例一起使用之一裝置5〇〇 之另一截面圖。可參考此圖理解用以達成不同吸附電壓之 某些物理裝置特徵之變更。根據一些實施例，該裝置錨 (亦即，柱氧化物502)可以多種方式操縱以達成此效應。例 如，可增加或減少（相對於該裝置之中心）此等錯重疊該底 電極（金屬1M1 5 04)之程度，如從該圖將理解，其將具 有增加或減少該頂部電極（機械層ΤΜ 508)與該底部電極 5〇4之間的空氣間隙5〇6之效應。如熟習此項技術者將理 解該空氣間隙越大，該吸附電壓越高。圖6中的圖表繪 不有關一特定實施方案之吸附或致動電壓相對於錨重疊之 效應》 增加或減少此重疊亦可具有窄化或加寬該等柱氧化物錨 之間的頂部電極之寬度之效應，因此減少或增加該頂部電 極之機械硬度，為此影響該裝置之吸附電壓。同樣地，改 變錨間隔或對頂部電極使用不同材料及/或厚度可具有所 而效應。用於控制該空氣間隙之大小之另一機制可經由該 犧牲層之變更。如將理解，此等僅係許多不同裝置變更之 —只例，該等變更可被引入以達成根據本發明之實施例 之可變電谷裝置之構造之MEMS裝置之不同吸附電壓。 根據本發明之特定實施例，圖5之裝置之程序架構係類 似於一IMOD顯示面板之程序架構。如上文所討論，金屬 152850.doc

-12- 201142884 =1)係用於該電容器底部電極，及機械層谓係用於該電 容器頂部電極。為減少該MEMS電容器之電阻損失，可使 用厚且低電阻金屬。根據—特定實施方案，該底部電極 (Ml)係首先喷鐘沈積於該基板（例如，錢、石夕、石中化錄 等）上，且接著藉由微影及一蝕刻程序（例如，乾蝕刻或濕 蝕刻)而圖案化。接著，一薄膜介電質係沈積(例如，使用 =D、ALD或pvD)於該底部電極上作為—絕緣體。此介電 質層界定該停機狀態之f容。接續於薄介電質層沈積之 後，一犧牲層（圖中未展示）係經沈積以形成該空氣間隙（在 釋出耘序後）。該犧牲層之厚度判定該空氣間隙高度且 界定4可用狀態之電容。在圖案化該犧牲層後“列如，使 用SA)，一厚介電質層（亦即，柱氧化物）係沈積於該犧牲 層上作為機械結構層（例如，機械樑或隔膜）。接續於該機 械層圖案化之後，該犧牲層係藉由基於適當的氣體或溶液 之化學性質而釋出以形成具有如所示之空氣間隙或腔結構 之MEMS裝置結構。 不考慮該Μ E M S裝置類型或經操縱以達成不同吸附電壓 之裝置特徵，此方法之結果可參考圖7Α至圖7(：而理解， 圖7Α至圖7C展示一習知MEMS裝置與根據本發明之特定實 施例而建構之兩個MEMS裝置相比之一電容對電壓特徵。 圖7A之習知特徵展示最小電容值與最大電容值之間的陡峭 且不中斷轉變。相比之下，根據本發明之實施例而建構之 MEMS裝置之特徵（圖7B與圖7C)包含多個階梯式轉變；各 階梯之較水平部分表示一相對穩定電容值；各階梯之垂直 152850.doc •13· 201142884 部分表示致動或鬆弛該等裝置之一或多者至下一個相對穩 定電容值。如從該兩個特徵將理解’此等階梯式轉變之數 量及間隔可藉由改變並聯連接之MEms裝置數量及/或與各 者相關之致動電壓兩者而控制。即，相較於圖7]8之特徵， 圖7C之特徵係具有較多並聯連接之mEms裝置之一裝置之 特徵。 . 根據本發明之各種實施例而實施之可變電容MEMS裝置 可適於可調諧裝置適合的一寬範圍之應用。此等應用包含 (例如）RF可調諧濾波器、可調諧諧振器、可調諧天線等。 雖然已參考其之特定實施例特定展示且描述本發明，但 是熟習此項技術者將理解，可在不脫離本發明之精神或範 疇之情況下對所揭示實施例之形式與細節作改變。此外， 雖然在本文中已參考各種實施例討論本發明之各種優點、 態樣及目標，但是將理解，本發明之範疇不應藉由參考此 等優點、態樣及目標而被限制。相反，應參考隨附申請專 利範圍而判定本發明之範_。 【圖式簡單說明】 圖1係展示兩個干涉調變器之一實例之一等角視圖，其 中一第一干涉調變器之可移動反射層係在一鬆弛位置及二 第二干涉調變器之可移動反射層係在一致動位置。 圖2係一干涉調冑器之一例示性實施方案t可移動層位 置對施加電壓之一線圖。 圖3 A至3E係干涉調變器之各種替代實施方案之截面 圖0 152850.doc 201142884 圖4係根據本發明之一特定實施例而實施之一 MEMS裝 置之一實例之一簡化表示。 圖5係一干涉調變器之一替代實施方案之另一截面圖。 圖6係繪示一特定干涉調變器實施方案之吸附電壓相對 於柱錫重疊之變更之一圖表。 圖7A至7C係繪示一習知MEMS變容器與根據本發明之特 定實施例而實施之可變電容MEMS裝置相比之電容對電壓 特徵之圖表。 【主要元件符號說明】 12a 干涉調變器 12b 干涉調變器 14 可移動反射層 14a 可移動反射層 14b 可移動反射層 16 光學堆疊 16a 光學堆疊 16b 光學堆疊 18 柱 19 間隙 20 基板 32 系鏈 34 可變形層 42 支樓柱插塞 44 匯流排結構 152850.doc -15- 201142884 500 裝置 502 柱氧化物 504 金屬1 506 空氣間隙 508 機械層 152850.doc -16-

Claims (1)

1. 201142884 七、申請專利範圍： 1. 一種可變電容裝置，其包括複數個並聯連接之MEMS裝 置，該等MEMS裝置之特徵為使該等MEMS裝置之對應 者在一鬆弛狀態與一致動狀態之間轉變之複數個不同致 ' 動電壓，其中該複數個MEMS裝置係使用在該等MEMS • 裝置之間的指定裝置變更而組態，使得該可變電容裝置 之特徵為包含複數個施加電壓範圍之一電容對電壓特 徵，其中該可變電容裝置之電容之變化之對應速率係大 體上小於藉由該可變電容裝置之最小電容值與最大電容 值之間的該電容對電壓特徵所表示之電容之變化之一平 均速率。 2. 如請求項1之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器或MEMS變容器之一或多者。 3. 如請求項1之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器（IMOD)，及其中該等指定裝置變更包括錨柱間 隔、錨柱重疊、錨柱高度、空氣間隙間隔、可移動電極 厚度或可移動電極材料之一或多者。 4. 如請求項1之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 - 涉調變器（IMOD)，各IMOD包括定位於距離彼此一可變 _ 距離處且使用複數個錨柱而固缚於適當地方之第一層與 第二層，及其中該等IMOD之間的指定裝置變更包括該 等錨柱之間隔。 5. 如請求項1之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器（IMOD)，各IMOD包括定位於距離彼此一可變 152850.doc 201142884 距離處且使用複數個錫柱而固缚於適當地方之第—層與 第一層，及其中該等IMOD之間的指定裝置變更包括相 對於與各1MOD相關聨之一電極之該等錨柱之重疊。 6.如吻求項1之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器（IMOD) ’各IMOD包括定位於距離彼此—可變 距離處且使用複數個錨柱而固縛於適當地方之第一層與 第一層，及其中該等IMOD之間的該等指定裝置變更包 括該等錨柱之間隔及相對於與各IM0D相關聯之—電極 之該等錨柱之重疊兩者。 7·如請求項丨之可變電容裝置，其十該可變電容裝置係經 組態為一可調諧濾波器、一可調諧諧振器或一可調諧天 線之一者。 8. 如請求項丨之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置係經組 態用於射頻（RF)操作，及其中該可變電容裝置之—第一 端係經組態以接收來自一 RF源之一 RF信號及來自一 DC 源之一 DC信號兩者，該可變電容裝置進一步包括用於提 供忒RF源或該DC源之一或兩者之隔離之一或多個隔離 組件。 9. 種可變電谷裝置，其包括複數個並聯連接之裝 置各MEMS裝置包括第一電極及第二電極’該可變電 谷裝置之一第一端係藉由該等MEMS裝置之第一電極之 間的一第一電性連接而形成，該可變電容裝置之一第二 端係藉由該等MEMS裝置之第二電極之間的一第二電性 連接而形成，其中該複數個MEMS裝置係使用該等 152850.doc 201142884 MEMS裝置之間的指定裝置變更而組態，使得該等 MEMS裝置之特徵為使該等MEMS裝置之對應者在一最 小電容與一最大電容之間轉變的複數個不同調諧電壓範 圍。 10. 如請求項9之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器或MEMS變容器之一或多者。 11. 如請求項9之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器（IMOD)，及其中該等指定裝置變更包括錨柱間 隔、錨柱重疊、錨柱高度、空氣間隙間隔、可移動電極 厚度或可移動電極材料之一或多者。 12. 如請求項9之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器（IMOD)，各IMOD包括定位於距離彼此一可變 距離處且使用複數個錨柱而固缚於適當地方之第一層及 第二層，及其中該等IMOD之間的指定裝置變更包括該 等錨柱之間隔。 13. 如請求項9之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器（IMOD)，各IMOD包括定位於距離彼此一可變 距離處且使用複數個錨柱而固缚於適當地方之第一層及 第二層，及其中該等IMOD之間的指定裝置變更包括相 對於各IMOD之電極之一者之該等錨柱之重疊。 14. 如請求項9之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置包括干 涉調變器（IMOD)，各IMOD包括定位於距離彼此一可變 距離處且使用複數個錨柱而固缚於適當地方之第一層及 第二層，及其中該等IMOD之間的該等指定裝置變更包 152850.doc 201142884 括該等錨柱之間隔及相對於各IMOD之該等電極之一者 之該等錯柱之重疊兩者。 15. 如請求項9之可變電容裝置，其中該可變電容裝置係經 組態為一可調諧濾波器、一可調諧諧振器或一可調諧天 線之一者。 16. 如請求項9之可變電容裝置，其中該等MEMS裝置係經組 態用於射頻（RF)操作，及其中該可變電容裝置之—第一 端係經組態以接收來自一 RF源之一rf信號與來自一DC 源之-DC信號兩者，讀可變電容裝置進一步包括用於提 供該RF源或該DC源之 組件 或兩者之隔離之一或多個 隔離 152850.doc