201133514 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種觸摸開關，特別是一種具有透明 面狀體之透明觸摸開關。 【先前技術】 以往以來對用於檢測輸入位置的觸摸開關的結構進行 了各種研究，作為-個例子公知的有f容式賴開關。例 如’專利文獻1公開的觸摸開關的結構是把電介質層爽在 分別具有規定圖案形狀的透明導電體 間’^果用手指等觸摸操作面，則利用通過人體:ς成 的電谷的變化，可以檢測觸摸的位置。 d專利文獻1 :日本專利公開公報，特開2003-173238 號（圖卜® 5)。其所述_摸關裝在液晶顯示裝置、 CRT等的表面上制，在透明面㈣±形成的透明導電體 的圖案形狀顯眼，會導致可視性㈤細ty)的降低。這樣 的問題不僅在電容式的觸摸開關中產生，而 型等圖案的觸摸開關中也產生。 而要矩旱 八2是，本發明人有感上述之課題，乃特潛心研究並配 ί二=用，終於提出—種設計合理且有效改善上述缺 【發明内容】 本發明提供-種透明面狀體，所述透明面狀體包括. 3石夕層，黏附層，配置在所述切層的至少_個面上.以 及=成有圖案的透明導電層，設置在所述含石夕層和所述與 附層之間’通過所述含石夕層向形成有所述透 圖 案形成區域照射的光在每個波長的反射率與通過所^含石夕 4/24 201133514 層向未形成有所述透明導電層的未形成圖案區域照射的光 在每個波長的反射率之差的絕對值的最大值盥最小值之差 . 在450〜期範圍内為0.65以下。利用所述透明面狀 體可以實現本發明的所述目的。 此外，優選的是，在所述透明面狀體令，所述最大值 為0.8以下。 一此外，優選的是，所述含碎層包括：低折射率層；以 及高折射率層，所述高折射率層的光折射率比所述低折射 • 帛層的光折射率高，在所述低折射率層-側上形成有所述 透明導電層。 此外，優選的是，所述低折射率層的光折射率為U5 〜’所述高折射率層的光折射率為大於147且為} 53 以下。 一此外，優選的是，所述低折射率層由SiQ2形成，所述 向折射率層由玻璃材料形成。 此外，優選的是’所述透明導電層的厚度為12nm 〇 ' 、此外，優選的是，所述透明導電層的厚度為12nm以上 且為Hnm以下，低折射率層的厚度為]〇nm〜45nm。 、此外，優選的是，所述低折射率層的厚度為用計算公 式1叶算出的值以下，在所述計算公式1中設所述 電層的厚度為X。 。十鼻公式 1 . 0.3409X2 — 16.705X4-217 73 、此外，優選的疋，所述低折射率層的厚度為用計算公 式2叶算出的值以下，在所述計算公式2巾設所述 電層的厚度為X。 5/24 201133514 计算公式2 ι〇χ+】85 透二本發明還提供—種透明觸摸開關，具有所述的 導雷所述透明面狀體的透明導電層及與所述透明 方向。曰刹同的第二透明導電層配置成相互相對或朝向相同 ’用所述透簡期關可以實現所述發明目的。 透明’可以____狀體和 閱以ΐϊίίΐ:::瞭r本發爾徵及技術内容，請參 供炎考盘^ 明與_ 1而所附圖式僅提 ;二考4明用’並非用來對本發明加以限制者。 【貫施方式】 下面參照附圖對本發明的實施 為了容易理解結構，在各财不是實此外， 把局部進行了放大紐小。疋作狀找例，而是 構的：圖是本:觸二施Γ:?透明觸摸開關的簡要結 —個面上；ΐ:二 配置在含石夕層11的至少 附声η夕 透明面狀體卜具有設置在含石夕層11和為 ’曰之間的形成有圖案的透明導電声12•以及筮_々 面狀體2,在透明从216/1 ν尾層12,以及第一透明 透明導電層22。第土读、@面上形成有形成了圖案的 置明面狀體1和第二透明面狀體2配 =:;=22、22相互相對。此外，也可二 含Λ 置成麵相同方向。 3石夕層11包括低折射率層1 折射率層m的光折射率比低折射;: ’在低折射率層i"-側形成有二:的2= 6/24 201133514 低折射率層111的材料可以例舉的有Si0 成咼折射率層〗12的材M， 、耗圍内。作為構 璃、爛赠鹽破續等破璃材^ ^、無驗玻 〜5·〇_左右，光折射率為大 ，度在〇·3 ，在二子在筆或手指接觸的情況下，也可二1二二： 面上貧施表面處理加工，用於 日、义 磨損性、不炫目的性斤茸W冋’、耐擦傷性、耐 可以貼膜。 此寻。此外，作為防止裂紋的對策也 說，明性高的材料構成，具體地 _1二;、=旨=)、聚—)、聚 (Μ)、聚㈣I 日（PC)、料稀（ΡΡ)、聚醯胺 s、二_ •文（PAC)、丙烯酸、非晶態聚稀烴類樹月匕 執ί 烴類樹脂、脂肪族環狀聚烯烴、降冰片烯類‘ 體::及等等的可燒性薄膜或它們兩種以上的層疊 物(1= 透明，電層12、22的材料’可以例舉:銦錫氧化 鋅、含崎銻氧化錫、錢氧倾、含銘氧化 銦-氧化錫魅"3石夕乳化鋅、氧化鋅—氧化錫類、氧化 氧化膜等透明2化辞—氧化鋼—氧化錢類、氧化辞、錫 :料m ;或者錫、銅、链、鎳、絡等金屬 物材料’也可以把所述材料的兩種以上複 :=Ϊ明導電層12、22。此外，也可以使用不抗酸 屬早體來料導電㈣。形錢料電層12、22 7/24 201133514 、真空蒸鍍法、離子鍍法等pvd 以，—下，更優選的是—下。此= 形成穩二^情況下’難以形成連續的膜，並且難以 明導生聚合物材料中形成的複合材料作為透 、22^°圖3所示，由平行延伸的多個帶狀導電部❿ ^的二合體分卿成翻導電層12、22，使各透明導 曰 2的帶狀導電部12a、22a配置成相互垂畫。.秀 12 22通過由導電性墨水等構成的環形電路（圖 /外部的驅動電路（圖中沒有表示）連接。 案形狀不限於本實施方式的圖案形 2 1 以檢測出手指等的觸摸點，可以是任意的形 狀。例如，如圖4和圖5所示，可以把透 菱形導電部12心直線狀地連朗 層12、22的菱形導電部i2b、22b 的，接方向相互垂直，而且從俯視看上下㈣形導電部⑽ 从不重$。此外，關於透明觸摸開關101的解析度等動 作性此，在使第-透明面狀體！和第二透明面狀體2重疊 的情況下，_減少不存在導電部的區域㈣構是好的。 從這樣的觀《發，作為透明導電層丨2、2 2的圖案形狀， 與矩形的結構她，優翻是將多鱗料電部似、] 直線狀地連接的結構。 8/24 201133514 可以在含石夕層上或透明基板上分別形成的透明 12、22的表面上，形成具有所希望的圖案形狀的掩: 用酸液等把露出部分钱刻去除後’再用鹼液等把掩膜音a 解’從而形成透明導電層12、22的圖案。 溶 黏附層I3可以使㈣氧類或㈣軸等通常 接=，也可以含有由降冰片稀類樹脂的透明性薄膜= L材。此外，也可以通過把多個薄片形黏接材料重最 黏附層，進而還可以把多個種類的薄片形黏接材ς:成 成黏附層。黏附層13的厚度沒有特別指定，作在 = 中優選的是Η)〇_以下，特別優選的是〜應用 此外，黏附層的光折射率優選的是14〇〜】7〇,更: =〜1.57。如果使黏附層的折射率接近透明導電‘的斤： ，、=:=率變大)，則在介面上的折射i差變小 乂“不使圖絲狀顯_效果，但為 明率’必須要添加高折射材料的微粒等，存:作為i 月面狀體的透射率降低的問題為透 接觸，含*㈣例層與相導電層 的。有W制料電層造成損害的材料是所不希望 具有上面結構的透明觸摸開關1G1巾，觸握付^ ^第方法與以㈣電容式聰開關手勺 就麵她明導電 ^層12、22的電流值，來計算戦 ㈤、中，如圖6的第-透明面狀㉟^^夏日⑷不 =，通過綱u向 ===要=的剖視 域照射的光的反射紅1在每個波長的ϋ:: 9/24 201133514 矽層11向未形成有透明導電層12的未形成圖案區域照射 的光的反射光L2在每個波長的反射率之差的絕對值的最大 值與最小值之差，在波長為450nm〜700nm的可見光範圍 内，優選的是為0.65以下，更優選的是為〇 5以下，進一 步優選的是為0.4以下。在所述最大值與最小值之差為〇·65 以下的情況下，可以使透明導電層12的圖案形狀不顯眼， 從而可以提高可視性。 本發明人等製作了所述結構的透明面狀體的樣品，測 篁了通過含矽層11向形成有透明導電層12的圖案形成區 域知、射的光的反射光L1在每個波長的反射率與通過含矽声 11向未形成有透明導電層12的未形成圖龍域照射的光二 反射光L2在每個波長的反射率之差的絕對值的最大值與最 小值之差、以及反射率之差的絕對值的最大值，並且進行 了透明導電層12的圖案形狀是否顯眼的感官試驗。樣品呈 有圖6所示的結構’分別践朗板和如2 _形成構成 含石夕層11的高折射率層112和低折射率層⑴。此外，採 用ΠΌ膜作為透明導電層12，採用由丙稀酸類黏接劑（折 射率1.52)形成的膜作為黏附層13，來構成了樣品。製作 的樣品有使透明導電層12(ΙΤ0膜）的厚度變化為8nm、 l〇nm、Urnn、Mrnn、16nm的五種。此外，在全部樣品中 ’使高折射率層112 (玻璃板）的厚度為Umm，低折射率 層in (Si〇2薄膜）的厚度為12 5nm，黏附層13的厚度為 25#m。此外，低折射率層⑴（Si〇2薄膜）和透明導電層 12 (ITO膜）利用濺射在所述玻璃板上成膜。 對所述五種樣品測量了通過含石夕層π向形成有透明導 電層12的圖案形成區域照射的光的反射光在每個波長的光 201133514 譜反射率（spectral reflectivity)(第一光譜反射率）、以及通 過含石夕層11向未形成有透明導電層】2的未形成圖案區域 照射的光的反射光在每個波長的光譜反射率（第二光譜反 射率）。在® 7中表示測量得到料—光譜反射率和第二光 譜反射率之差的絕對值與波長的關係。此外，在圖7中表 示了在波長45Gnm〜7_m的可見光範圍内的測量結果。 其中，使用了日本分光股份有限公司（MSC〇)制的裝置
(V67〇+積分球單元）用於測量光譜反射率。測量條件設置 如下.測光模式：％R ;測量範圍：8〇〇nm〜3〇〇nm ;資料 獲取間隔：5mn ; UV/Vis譜帶寬度：5〇_ ;顺譜帶寬 度：2.〇nm;靈敏度（resp〇nse):中f (Medium)，^描速 度M0()nm/min ;光源切換：34〇_ ;衍射光拇切換：請 nm;光源：D2/WI;濾光器切換：梯級；修正：基線。 計算出了所述測量得到的第一光譜反射率盘第二光雄 反料之差的絕對值的最大值、最小值、以及所述最大^ 與取小值之差。表丨表树算出的最大錄最小值之差（ ，射率差△)以及反射率之差的絕對值的最大值。此外， f樣品的表面電阻值（Rs)也表示在表丨巾。其中，用三 菱化學股份有限公司（ANALYTECH )制的電阻率計L⑽二 EPMCP:T360型測量了表面電阻值（Rs)。此外，在表！中 ^日^己載^在通常的室内的螢光燈下以及在張掛有黑色 對於圖案形狀_眼程㈣感官試驗結果。“進灯的 11/24 201133514
表1 ΓΤΟ膜禺 R,(QXn) 反射率差A 最太精 感官弑驗結果 8nm 495 0.1 963 0.21543 Ο 10nm 240 0.24849 0 29538 Ο 1 2nm 198 0.37534 0 4?R〇5 - ο 1 4nm 165 ^ 0.61381 「n 77m 4 Δ ....16nm 143 0.74003 1.11408 X 〇：即使在三波長螢光燈下也難以確認到圖案形狀。 △:在通常的螢光燈下難以確認到圖案形狀，但在三 波長螢光燈下可以確認到圖案形狀。 X:即使在通常的螢光燈下也可以確認到圖案形狀。 由表1得到了如下結果，在透明導電層12 (ITO膜） 的厚度為8nm、10nm、12nm的情況下，可以使透明導電層 12 (ITO膜）的圖案形狀幾乎不顯眼，具有非常好的可視 性。此外，由圖7可以明確：在所述情況下，第一光譜反 射率和第二光譜反射率之差的絕對值的最大值與最小值之 差（反射率差△)，在波長450nm〜700nm的可見光範圍内 為〇.5以下’此外，第—光譜反射率和第二光譜反射率之差 9、’、邑對值的最大值為〇.7以下。此外可以明確：即使透明導 電層12 (ΙΤ〇臈）的厚度為14nm，雜在作為嚴格的評價 條件的三波長S紐下可以輕顧_狀 的 營光燈下幾乎看不到_雜，只要反射·絲在;;2 I值=8光譜反射率和第二光譜反射率之差的絕對值的最 大值為Ghx下，就具有可以實際使用的可視性 ’在反射率差△為大於〇.65、第—光譜 3率之差的絕對值的最大值為大肢岣 ，^兄=得到了可視性不怎麼好的結果。此外根據表i .，，員不出表面電阻值（Rs)隨透明導電層12 (ITO膜）的 12/24 201133514 厚度變薄而變大，如果厚度薄到小於8mn，則表面電阻值 成為大於500Ω/□的值，存在觸摸開關的敏感精度降低的 問題。因此，特別優選的是，透明導電層12 (ΓΓΟ獏）的 厚度在8nm以上。 此外，本發明人等對所述結構的透明面狀體進行了模 擬（simulation )。在該類比中使用的模型具有圖6所示的結 構，使類比中的各種設定條件為設含矽層u具有由Si〇2 (光折射率：1.46)構成的低折射率層ηι及由鈉玻璃（光 • 折射率：丨.52)形成的高折射率層112。此外，透明導電層 12採用ΓΓΟ膜（光折射率：2.〇)。黏附層13採用丙烯酸類 黏接劑（光折射率：1.52)。 在這樣設定的第一透明面狀體丨中，分別改變透明導 電層12 (IK)膜）的厚度及含石夕層u的低折射率層⑴的 厚度，通過模擬求出了形成有透明導電層12的部分（圖案 形成區域）與未形成有透明導電層12的部分（未形成圖案 區域）的光的反射率（〇/〇)差。使用CybernetSystemsC〇 Ud • 生產的薄膜設計軟體（optas-film)進行了反射率的計算 。此外，在所述模擬中，與具有納米級厚度的含石夕層n的 低折射率層1U和透明導電層12相比，對於 大的部件的切層〗丨的高折射率層112和黏附層13，將它 們的厚度設為〇〇(無窮大）進行了反射率的計算。 透明導電層12的圖案形狀不顯眼的程度與形成有透明 導電層12的部分與未形成有透明導電層12的部分的反射 率差具有相關性，在可見光的整個區域（波長：〜鳥⑺ )内，反射率差的絕對值越+，圖案形狀越不顯眼，可以 使可視性變好。在反射率之差的輯值的最大值為〇 8以下 13/24 201133514 的情況下可以得到理想的可視性，在G 7以下的情況下可視 性更理想，Λ外在〇. 5以下的情況下可以得到特別理想的可 視性。此外在45〇nm〜70〇nm波長區域的可見光範圍内， 反射率差的㈣值的最大值與最小值之差在G65以下的情 况下，可以更進一步使透明導電層的圖案形狀不顯眼，從 而可以使可視性良好。 下面對模擬結果進行說明。在使透明導電層12(IT〇 膜）的厚度為8nm ’使含石夕層u的低折射率層m (卿 膜）的厚度變化為〇nm、l〇nm、2〇nm、3〇nm❸情況下的 類比結果表示在圖8中，在使透明導電層12 (IT〇膜）的 厚度為lOnm，使含矽層η的低折射率層ln (Si〇2膜）的 厚度變化為Onm、l〇nm、2〇nm、30nm的情況下的類比結 果表示在圖9中。此外，在使透明導電層12 (IT〇膜）的 厚度為12nm，使含矽層11的低折射率層m (&〇2膜）的 厚度變化為Onm、l〇nm、20nm、3〇nm的情况下的類比結 果表示在圖10中，在使透明導電層12 (IT〇膜）的厚度為 Mnm，使含矽層Η的低折射率層U1 (Si〇2膜）的厚^變 化為Onm、lOnm、2〇nm、30nm的情況下的類比結果表示 在圖11中。 此外，把從在圖8〜圖11中表示的各模擬結果抽出在 波長450nm〜700nm的可見光範圍内的反射率之差的絕對 值的最大值與最小值之差表示在表2巾。此外，在圖$〜圖 Η所示的各模擬結果中，反射率之差的絕對值的最大值為 波長450mn的反射率差的值，反射率之差的絕對值的最小 值為波長700nm的反射率差的值。 14/24 201133514
此外，抽出波長450nm〜70〇nm的可見光範 射率之差_對_最大絲示在表3巾。㈣内的反
根據圖8〜圖11和表2可以明確:在透曰; 汀。膜)的厚度為12nm以下的情況下， 曰: 值的最大值與最小值之差為Q.65以下， ^的絕對 n知本n 此外根據圖8〜圖 表3可以明確：在透明導電層]2 (IT〇獏） 12·以下的情況下，反射率之差的絕對值的最大值^又⑽ 此外，可以認可職難結果㈣獅樣 值具有一致性。 J里 *根據圖8〜® Η、表2和表3，在透明導電層(⑽ 膜）的厚度為14nm的情況下，在低折射率層U1 (si〇2膜 的厚度範圍為G〜3G_内時’得到了反射率之差的絕對 值的最大值與最小值之差滿足G 65以下的結果。此外，在 低折射率層1U (卿膜）的厚度為1()_、施 的情況下，反射率之差的絕對_最大值為Q 8以下，但在 低折射率層U1 (si〇2膜）的厚度為g_的情況下，得到 15/24 201133514 了反射率之差的絕對值的最大值大於0 8的結果。 接著，通過進一步改變低折射率層ln (Si〇2膜）的厚 度，利用所述模擬計算出反射率之差的絕對值的最大值與 最小值之差為0.65以下的低折射率層m (义〇2膜）的最 大厚度，其結果表示在表4中。表4抽出了在波長450nm 〜700nm的可見光範圍内的反射率之差的絕對值的最大值 與隶小值之差。此外，反射率之差的絕對值的最大值與最 小值之差隨著低折射率層in (Si〇2膜）的厚度增大，從減 少傾向朝增大傾向變化，因此部分省略了反射率之差的絕 對值的最大值與最小值之差的計算。 表4 IZ iTOJii# (nml--- sn膜厚(nm) 0 一 a 0.186 1 1〇 0285 L12 0.402 0.48 |- 14 . 0 535 —16 10 0.135 0.226 0.335 0.408 〇46Q Λ AO 20 30 0.106 0 103 0.194 η ιος 0.303 Λ ΟΊ Ί 0.375 0.431 U.O^ 0.591 35 υ.οΐ 1 0.388 0.414 0.461 0491 0.621 40 馨 - - 0.451 0532 n 7i 45 50 55 60 - 0.317 0.47 0.529 0.59 0.499 0.556 0.587 0.644 0.585 0.648 U, / 1 65 70 「75 80 85 - 0.47 0.52 0.571 0.615 0 651 0.653 0.714 - — - 90 95 0.489 0.504 0.680 一 - - 一 JQpJ 一 0.511 ί —：_ —：_ —i 根據表4可以明確的是：反射率之差的絕對值的最大 值與最小值之差滿足0 65以下的低折射率層】η )=最大厚度，在透明導電層12(聊膜）的厚度為胞m 的丨月况下為85nm左右，在透明導電層12 (ITO膜）的厚 為1101的障况下為65nm左右，此外，在透明導電層a 16/24 201133514 (ITO膜）的厚度為i3nm的情況下為6〇nm，在透明導電 層12 (ITO膜）的厚度為14nrn的情況下為50nm。 此外’所述的反射率之差的絕對值的最大值與最小值 之差滿足0·65以下的低折射率層111 (Si〇2膜）的各最大 厚度（Si〇2臨界膜厚）與透明導電層12 (IT〇膜）的厚度 的關係示於圖12，圖12以最大厚度為縱軸，以透明導電層 12 (ΙΤΟ膜）的厚度為橫軸。在圖12中，記載了根據各最 大厚度與透明導電層12 (ΙΤΟ膜）的厚度的關係計算出的 % 近似曲線。該近似曲線在以透明導電層12 (ΙΤΟ膜）的厚 度為X，以低折射率層11〗（Si〇2膜）的最大厚度為γι的 情況下，可以用下面的計算公式表示。 计异公式 1 : Y1 =0.3409X2— 16.705X + 217.73 此外，在圖12中，記載了所述的反射率之差的絕對值 的最大值與最小值之差滿足〇.5以下的低折射率層丨丨】（ Si〇2膜）的各最大厚度與透明導電層12 (IT〇膜）的厚度 的關係，並且也記載了根據所述關係計算出的近似曲線。 • —根據所述内容，如果低折射率層111的厚度為用所述 計算公式1計算出的值以下，則可以使形成有透明導電層 1=的科（圖案形成區域）與未形成有透明導電I U的部 分^未形成圖案區域）在每個波長的反射率之差的絕對值 的取大值與最小值之差在0·65以下。因此，對於圖1所示 結構的透明觸摸關1(Η，根據與透明導電層12的厚度的 _通過使低折射率層ln的厚度為所述計算公式】 計异出的值以下’可以獲得使透明導電層12的圖案形狀不 顯眼的、可視性良好的透明觸摸開關101。 此外，通過所述模擬也計算了在波長450nm〜700nm 17/24 201133514 的可見光範圍内的反射率之差的絕對值的最大值為〇8以 下的低折射率層111 (Si〇2膜）的最大厚度，其結果示於表 5。此外，由於反射率之差的絕對值的最大值隨低折射率層 111 ( Si〇2膜）的厚度增大而從減少傾向朝增大傾向變化， 所以部分地省略了反射率之差的絕對值的最大值的計算 表5
根據表5可以明確的是：反射率之差的絕對值的最大 值滿足0·8以下的低折射率層m (Si〇2膜）的最大厚产， 在透明導電層！2(ΙΤ0膜）的厚度為1Gnm的情況下為^m ，在透明導電層12 (ITO膜）的厚度為12nm的情況下為 65·;此外，在透明導電層12 (IT〇膜）的厚度為—的 情況下即使低折射率層1U (聊膜）的厚度為觸⑽，反 射率之差的絕對值的最大值也為〇 8以下；此外，在透明導 電層12 (ITO膜）的厚度為14nm的情況下，反射率之差 的絕對值的最大值滿足〇·8以下的低折射率層lu 膜 )的最大厚度為45nm。 2 ' 此外，圖13表示所述反射率之差的絕對值的最大值滿 18/24 201133514 明道带^下的低折射率I 111 (Si〇2膜）的各最大厚度與透 ”日、】2 (IT〇膜）的厚度的關係，圖13以最大厚度為 •，由以透明V電層Π (iTq膜）的厚度為橫軸。在圖η ’也記載了根據各最大厚度與透明導電層12 (ΙΤ〇膜） 的厚度的’計算出的近似直線。該近似直線在設透明導 電f 12 (ΙΤ〇膜）的厚度為Χ ’低折射率層111 (Si02膜） 的最大厚度為丫2的情況下，可以用下面的計算公式表示。 計算公式 2 : Y2=-i〇X+185
、々果低折射率層111 (§1〇2膜）的厚度在用所述計算公 式計算出的值以下，則反射率之差的絕對值的最大值滿足 0.8以下（但是，在透明導電層12(IT〇膜）的厚度為^ 〜14nm的情況下，除去低折射率層lu (si〇,膜）的厚产 小於ι〇_的情況）。此外，在圖13中也記載了所述的反ς 率之差的絕對值的最大值滿足G7以下的低折射率層⑴（ si〇2膜）的各最大厚度與透明導電層12 (ΙΤ〇膜）的厚度 的關係，並且也記載了根據它們的關係計算出的近似直$ 如果低折射率層111的厚度為利用所述計算公式2叶 算出的值以下，則可以使形成有透明導電層12的部分（圖 案形成區域）與未形成有透明導電層12的部分（未形成^ 案區域）在每個波長的反射率之差的絕對值的最大值為 以下。因此，對於圖1所示結構的透明觸摸開關1(H，根據 與透明導電層Π的厚度的關係通過使低折射率層m =严 度為利用所述計算公式2計算出的值以下，可以與得透曰1 導電層12的圖案形狀不顯眼的、可4見性良好的翻觸摸^ 19/24 201133514 摸開二透明面狀體1和使用它的透明觸 式進仃了說明，但具體的結構不限於 柄21^二/。例如，在所述實施方式中，通過在透明基 、固面上形成形成有圖案的透明導電層22,來構& f二透明面狀體2,但代替透明基板21，也可以使= 使第—透明面狀體2成為與第—透明面狀體1相同的 此二卜’在所述實施方式巾，含石夕層n包括低折射 射率層112槿志八々圖11的拉擬結果’即使在僅用高折 低折ST 的情況下（即使在心。2構成的 :I Ϊ厚度為〇nm的情況下)，在波長45〇mn〜 部八二：^耗圍内’也可以使形成有透明導電層12的 、區域）與未形成有透明導電層12的部分（ 長的反射率之差的絕對值的最 狀不顯眼的、：:=!:= 和透明觸摸開關1G1。 ㈣透㈣狀租1 發明:堇:本發明之較佳實施例’非意欲侷限本 容所為=圍均說明書及_ 圍内，合予_。川理6包合於本發明的權利保護範 【圖式簡單說明】 視圖 圖1疋本發明-個實施方式的透明觸摸開關的簡要剖 θ是表示圖1所不的透明觸摸開關一部分的俯視圖 20/24 圖 圖 疋表不圖1所示的透明觸模開關另-部分的俯視 圖4是表示圖1所示的 分的俯視圖； μ、透明觸摸開關的變形例的一部
圖5是表厂、R 部分的俯才見_ Γθ斤示的透明觸摸開關的變形例的另一 圖6是構成圖〗所干的、乐 簡要結構的剖視圖； 的透明觸摸開關的透明面狀體的 的測Li果H樣品中时無透料電層妓的反射率差 圖8是矣- 因有無透明導電層的膜厚為8麵的情況下， 圖9是# u成的反射率差的模擬結果的圖； 因有益透明St使透明導電層的膜厚為10_的情況下， 圖H電層^成的反射率差的模擬結果的圖； ，因有無透明導τ電上層的膜厚為12_的情況下 圖】！是 θ成的反射率差的模擬結果的圖； ,因有無透明導 曰的版；為Mnm的情況下 圖12是夺-应二、射率差的模擬結果的圖； 差為滿足⑽差的絕對值的最大值與最小值之 導電的低折射率層的厚度與透明 °·7 關係的圖。 X”通明導電層的厚度的 21/24 201133514 【主要元件符號說明】 101 透明觸摸開關 1第一透明面狀體 11 含矽層 111低折射率層 112高折射率層 12 透明導電層 13 黏附層 2 第二透明面狀體 21 透明基板 22透明導電層 22/24