TW201120403A - Optical profilometry system and method of the same - Google Patents

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201120403 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 結構與使用 【先前技術j 南解析率的表面輪靡量測對於奈米科 是相當重要的技術。目前傳統的測量方式 二 微術及光學顯微術。原子力顯微術受限於
域做整體的即時掃描,掃描時間將會較長。若』需^ 態觀測面積係1 〇微米等―上的樣本,例如=要動 原子力顯微術的應用即受到限制。 土田飑, 另方面’傳統光學顯微術的橫向解析率極限 光波繞f效應所限制,大約僅能達到光波長的%%左 右。目剛各式各樣的高解析率鮮技術被提出以突破此 限制、,Ό構式照明(structured⑴聰inati〇n)或稱圖樣式激 發(pattern excitation)螢光顯微術是近年來相當受到矚目 的超解析率光學技術,其係以二維網狀圖樣調變光學顯 微鏡的入射光,分別在垂直光軸的χ和^方向移動此網 狀圖樣到=同位置,取數張影像後,再以絲式求解的 相f念解ΐ松向解析率超過繞射極限的顯微影像 。結構式 妝明的农大好處是可以直接以廣視野(wide field)光學系 、克取像不私掃描機制。此外,結構式照明技術可採用 線性^非線性激發螢光染料的方式達成。然而,目前已 知=結構式照明顯微術在光轴方向的高度定位的解析率 約只有與照明光源波長相 等,無法量測高度變化小於微 米等級之樣本。 201120403 【發明内容】 有鑑於此’本發明提供一種可以快速定位及在光軸 方向具有高精準度的高解析率光學測繪系統及方法。 本發明包括一種高解析率光學測繪系統,其包括: 一光學顯微鏡,其包括一光學鏡組及一觀測平台,其中 該觀測平台上載有一樣本,且該光學鏡組與該觀測平台 係可相對移動,以沿著該光學鏡組之光軸方向調整該光 學鏡組與該觀測平台之間的距離,;一光調變器,其產 生-空間調變圖樣光’該空間調變圖樣光照明至該樣本 而形成-空間調變圖樣;以及一演算單元,其係配 圖樣以取得一光學切片,並根據 4之光強度變化而建立—強度軸向 心ΐ據上述構想’該空間調變圖樣光係—二維網狀圖 樣光或數個-維週期空間調變圖樣光。 維雜3 勻反述構心雜本係為位於該觀測平台之-均 雜在!艮據i述構想,該光學鏡組與該觀測平么之門的租 離係經調整’藉以根據該觀 之間的距 度軸向反應曲線的頂點位 ,本表面各點強 相對高度。 置,而疋位該樣本表面各點之 根據上述構想,該高解 其處理該強度轴向 南度與其光強度之-線性關 =取㈣樣本之 資料單元中。 _ H線性關係儲存於該 根據上述構想’該資料 於-待測樣本之表面各點據該線性關係而基 先強度取传該待測樣本表面各 201120403 點之相對高度。 。。根據上述構想’該演算單元與該=#料單元係整 一早一模組。 、根據上述構想,該光調變n係包括至少-雷射光 產生至少兩道雷射’以干涉現象形成該空間調變 根據上述構想’該光調變器包括—空間調變圖樣件 源係投影至該空間調變圖樣件以形成該 玉間w周、吏圖樣光。
„根據上述構想,該光調變器係一液晶空間光調變 m,忒液晶空間光調變器產生該空間調變圖樣光。 根據上述構想,該光調變器包含—照明光源,該昭 明光源係為燈泡、發光二極體或是雷射。 根據上述構想,該光調變器包括一照明光源,i直 接產生空間調變圖樣光。 〃 根據上述構想,該光學顯微鏡包含一驅動裝置,以 驅動該觀測平台相對於該光學鏡組而移動。 根據上述構想,該驅動裝置係為一壓電晶體或步進 馬達。 根據上述構想,該光學顯微鏡包含一攝影機,以記 錄不同位置之該空間調變圖樣。 本發明另包括一種高解析率光學測繪方法,該方法 包含:提供如上所述之一高解析率光學測繪系統,其載 有一樣本;產生一空間調變圖樣光以照明至該樣本/,、以 產生一空間調變圖樣;沿該光學鏡組之光軸方向移動該 觀測平台及該樣本,以取得該樣本於不同位置之複數個 空間調變圖樣;將所述複數個空間調變圖樣轉換為一光 學切片;依該光學切片中該樣本表面各點之光強度,建 [S] 5 201120403 立該樣本表面各點的強度軸向反應曲線;以及以該強度 軸向反應曲線的頂點位置而定位該樣本之高度。 本發明另包括一種高解析率光學測繪方法,該方法 包含:提供如上所述之一高解析率光學測繪系統,其載 有一樣本;產生一空間圖樣光以照明至該樣本,以產生 一空間調變圖樣;沿該光學鏡組之光軸方向移動該觀測 平台及該樣本,以取得該樣本於不同位置之複數個空間 調變圖樣;將所述複數個空間調變圖樣轉換為一光學切 片;依該光學切片中該樣本表面各點之光強度,建立該 樣本之每一點的強度轴向反應曲線;基於該強度軸向反 應曲線建立該樣本之高度與其光強度之一線性關係;依 據該線性關係並基於一待測樣本表面各點之光強度而取 得該待測樣本表面各點之相對南度。 根據上述構想,該高解析率光學測繪方法更包括: 儲存該線性關係於該資料單元中。 根據上述構想,該高解析率光學測繪方法更包括: 選擇該樣本為一均勻反射面。 根據上述構想,置放該待測樣本於該觀測平台上, 使該待測樣本之表面的高度位置係在該強度軸向反應曲 線之一線性區間的對應高度内。 本發明得藉由下列圖式及詳細說明,俾得以令讀者 更深入瞭解: 【實施方式】 以下即配合圖式說明本發明之具體實施方式;然需 瞭解的是,這些圖式中所標示之元件係為說明清晰之 用,其並不代表實際的尺寸與比例,且為求圖面簡潔以 利於瞭解,部分圖式中亦省略了習知元件之繪製。 201120403 系統100之亍=ΐ係本發明一種實施例的光學測繪 光學顯思 本發明之光學測繪系統100包括一 資料單1兄〇、一光調變器120、一演算單元13〇及一 m,二!4〇,其中光學顯微鏡110包括-光學鏡組 光學鏡組ηΓίΓ·載顏平纟112之—樣本150。 焦光學顯微鏡有放大功能之鏡組’如同傳統共 學鏡組式。觀測平台112係安裳為與光 上 ,以透過光學鏡組111觀測觀測平台112
可樣本150。在本實施例中,觀測平台112係一 ^式平台,其由—驅動裝置160予以驅動。在本實 風二,驅動裴置160為一壓電晶體,其係用以改變光 干兄、=111與觀測平台112之間的相對距離。然而,除 、',BB體外,亦可使用步進馬達或是其他方式驅動觀測 平台112 〇 在本發明另一種態樣中,光學鏡組111係可移動式, 以調整光學鏡組Hi與觀測平台n2的相對距離。 根據本發明,光學顯微鏡110進一步包括一攝影機 1^3,其記錄樣本15〇的影像強度。攝影機113可為一電 街輕合裝置(Charge coupled Device)攝影機、電子增強電 荷麵合裝置(Electron multiplying CCD)、或是 CMOS 攝影 機。 請參閱第二圖,其示意說明了本發明中光調變器 120之一種實施態樣。根據本發明,光調變器ι2〇係產生 一空間調變圖樣光,該空間調變圖樣光射入光學顯微鏡 110並照明至樣本150而形成一空間調變圖樣。光調變器 120包括一照明光源200,其可為燈泡、發光二極體、雷 射等光源。照明光源200所發射之光通過一第一透鏡21〇 及一第二透鏡220後通過一帶通濾光片230,接著進入一 201120403 分光鏡240,並投射至一液晶空間光調變元件250,其即 時改變二維空間相位常數以縮短取相時間。該光由液晶 空間光調變器250反射後,進入分光鏡240而離開光調 變器120並產生該空間調變圖樣光。在本實施態樣中, 所形成之空間調變圖樣光係二維網狀圖樣光。另外,必 須注意到本實施例雖藉由該液晶空間光調變元件產生該 二維周期性圖樣光,然其他電光調控式空間光調變元件 亦可被使用。舉例而言,在本發明另一實施例中,光調 變器120產生之空間調變圖樣光為數個一維週期空間調 變圖樣光。 在本發明另一實施例中,光調變器120係包括至少 一雷射光源,其產生至少兩道雷射,以干涉現象形成空 間調變圖樣光,其中雷射光路中的光程差係可調整以改 變空間調變光在空間的相對位置。 在本發明另一實施例中,光調變器120包括—空間 調變圖樣件及一光源,該光源係投影至該空間調變圖樣 件以形成該空間調變圖樣光。 在本發明另一實施例中,光調變器120包括—照曰月 光源,其直接產生該空間調變圖樣光。該照明光源可依 排列產生周期性結構的光源,例如發光二極體。 本發明上述實施例中,該空間調變圖樣光係為—正 弦形式,其強度與空間的關係式如下: 小,少)=/0[2 + cos(kx - Αφχ)+ cos(^ky - 其中/〇為該空間調變圖樣光強度,Α為該空間調變 圖樣光的空間頻率,而ΑΦΧ及A0y分別為該空間調變圖樣 光的於平行該樣本表面互相垂直之軸(X轴、Y軸)的初始 相位。 ° 空間調變圖樣光照射至樣本150後,即可移動樣本 201120403 置的空_變圖樣。此外,光學顯 減有—演算單元13G,#1"取得所述不同位 置的二間調變圖樣。在本實施例中,係取得樣本I%於 五個不同位置處的空間調變圖樣;例如,這五個位置可 為一基準點及在平行樣本150表面(亦可稱水平方向)互 相垂直的方向(X軸及Y軸)移動π/3及2π/3個相位差的 位置,並以(〇,〇)、(丨,〇)、(2,0)、(〇,1)、(〇,2)表示。
在本實施例中,係使用攝影機113記錄不同位置之 空間調變圖樣;演算單元130自攝影機113取得這些空 間調變圖樣。空間調變圖樣可表示成以下關係: Μ 2ΑΓ0 + Μ x_e~ilm7r/3 + Μχ+βί2η,πβ + Μγ_β~ί2ηπ/3 Μν βί2ηπβ 其中Μ〇為明視野影像,Μχ±& Μγ±*別為在χ轴及 Υ軸移動2π/3及4π/3個相位差的空間調變圖樣,而明視 野影像(Μ〇)可以下列關係式得出: M) -(^10 +Λ^20 +^ζί〇1 +-^502 ~^〇〇)/6 本實施例中,演算單元13〇係處理五個空間調變圖 樣,以取得X軸方向及γ軸方向在頻域的影像。該影像 可表示為以下的關係式:
+ M<ii〇(oi)e:F,2;r/3 + ^ ¢20(0^)6 ±iln jl 藉由重疊X軸方向及Y軸方向在頻域的影像,可得 到一光學轉移函數。而使用該光學轉換函數,可取得樣 本150於特定相對高度的光學切片。 本發明另提出相應的光學測繪方法’其步驟如以下 所述:提供如上所述之高解析率光學測繪系統1〇〇,並置 放樣本150於觀測平台lu上;產生空間調變圖樣光以 照明至樣本150,進而產生空間調變圖樣,移動樣本15〇 或觀測平台112,以取得樣本15〇於不同位置之複數個空 201120403 間調變圖樣。其次,將所述複數個空間調變圖樣麫由上 述轉換方式轉換為一光學切片。接著調整光學鏡組1 與觀測平台112之間的距離、或沿光學鏡組lu之 方向移動觀測平台112及樣本150,以沿光軸掃描 150 —段距離而取得不同高度之光學切片。最後依^學切 片中樣本150表面各點之光強度及其變化,建立樣本 表面各點的強度軸向反應曲線。 爹照弟三圖 一曰 —”丨^又神叫汉應曲線的頂點也 就疋樣本150表面與光學鏡組lu的焦平面重疊之高 度,因此可以得到樣本15〇表面不同位置的相對^度: 150表面各點之相對高度。藉由此方法, 本150沿光軸方向掃描一段夠長的距離 同而度得财同的辟切片;其優點是可 變化範圍僅受到光軸移動元件行走距離的限二、‘度 向反應曲線’進而取得樣本150之高度與其 ,性關係。該線性關係可儲存於資料單幻中^以在 望測-待測樣本(在量測時係載於觀測平台u 而取得待測樣本之高度。另外, -μΓ3G與資料單元_可整合為- 於待測樣本表面各點之光強度取得==關係而基 相對高度。使用上述實施例之光=本表面各點之 方法如下所述。 、、’、曰系統的詳細測繪 本發明另提出相應的光學測繪 所述:提供如上所述之高解析率光 ,、步驟如以 放樣本150於觀測平台112 μ ·、】、·、曰糸統100’並j 上,產生空間調變圖樣光】 201120403 照明至樣本150,進而產生空間調變圖樣;移動樣本15〇 或觀測平台112’以取得樣本150於不同位置之複數個空 間調變圖樣。其次,將所述複數個空間調變圖樣經由上 述轉換方式轉換為一光學切片。接著調整光學鏡組ln 與觀測平台112之間的距離、或沿光學鏡組 方向㈣觀測平台„2及樣本150,以沿光轴^= 150 -&距離而取得不同高度之光學切片。最後依光學切 片中樣本15G表面各點之光及其變化,建立樣本15〇 ίΐΐί的2Ϊ向反應曲線。基於所建立之強度軸向 本150之高度與其光強度之-線 線^間圖中所標示出的強度軸向反應曲線之 然後’將待測樣本置於觀測平台u 樣本表面的高度位置落於所建立 、]吏待"1 線性區間的對應高度内。此時,量應曲線之 =可換算此待測樣本表面的高度3= 軸的知描。因此,資料單开 不而進订/口光 並基於待測樣本表面各點之光強^:據fff之線性關係 面各點之相對高度。另外 得婦測樣本表 的反射率時,可以另外再取一„^’本的表面有不均勻 反應曲線頂點的參考光學切則樣本位於強度軸向 含有表面高度變化的訊:=參考絲切片並未 比度,因此將待測樣本位於線性=自反射率不同的對 片各點光強度除以該參考光學^間時所取得之光學切 得到與該待測樣本表面高度u點的光強度,即可 《測繪例示》 更化有關的訊息。 狀二Λ選擇一均勾的反射面為樣本十… 狀圖樣光於其上以形成光 +奴衫上述之二維網 s亥光學鏡組中包括一 201120403 物鏡’所使用的物鏡是l〇〇x浸水物鏡,數值孔徑為丨j。 以該二維網狀圖樣光的中心波長475 nm來估計,橫向解 析率約為260 nm。該光學切片的影像是利用一個強度解 析率為14位元的電子增強CCD攝影機拍攝。該二維網 狀圖樣光則是由光調變器產生。投影至該樣本表面的空 間調變圖樣之週期為0.5 μιη。每一光學切片影像是由5 張空間調變圖樣在不同位置時所取得的影像,以上述之 方法轉換重組而成。將該樣本沿光轴掃描一次,分別在7 個不同高度量測每一光學切片的平均強度,可得到如第 四圖所示的線性關係,橫軸為光軸方向的相對位置,單 位為微米,縱軸為一標準化後的光強度。由量測值與圖 中所示之套適直線的方均根誤差可得到高度量測的^確 度為6 nm。 接下來以直徑80 nm的四顆金球為待測樣本,該金 球係置放在一載玻片。第五圖(A)是使用一般均勻照明光 源的光學顯微鏡所拍攝的影像,第五圖(B)是使用本發明 所提供之系統所獲得的影像。第五圖(c)是沿著圖中白色 虚線所得到的強度變化,灰線是使用一般均勻照明光源 的光學顯微鏡,虛線是使用原子力顯微鏡,黑色實線^ 使用本發明所述之光學測繪系統。可以看出第五圖(Β)= 影像中,兩個金球之間的區域其強度的確變小了,此為 橫向解析率確實獲得改進的證據。接著以描述橫向解^ 率的Airy f0rmula’ /(^[从㈠/㈠了來估計金球的中心間 距。第五圖(C)中的虛線就是兩個Airy formulas疊加的会士 果’中心間距為190 nm,寬度為175 nm。如果將金球的 直徑80 nm作去卷積(de-convolution)運算後,可得到本 系統的橫向解析率為155 nm ’大約是光源波長的33〇/。。 而使用一般均勻照明光源的顯微鏡所拍攝的影像其解析 12 201120403 率大約為光源波長的55%。 在另一測繪例示中,本發明量測一個自製樣本的表 面地形。該自製樣本為一鍍於矽基板上的金線,其原子 f顯微鏡的掃描結果如第六圖(A):金線高度為115nm, 寬度為45 0 n m。以—使用均勻照明光源的光學顯微鏡拍 攝此,本可得到如第六圖(B)的影像:由於散射效應,金 線的焭度比周圍的矽基板低。第六圖(C)為使用本發明所 述之光,測繪系統所獲得的影像。第六圖(D)係比較這三 種技術得到的強度變化與表面輪廓圖。灰線是使用一般 均勾照明光源的光學顯微鏡,虛線是使用原子力顯微 鏡’黑色實線是使用本發明所述之光學測繪系統。 參照第六圖(D) ’使用本發明所述之高解析率光學測 繪,統量出的金線高度為12〇nm,與使用原子力顯微鏡 所量測之結果非常接近。因此,本發明確實得到比使用 二般均勻照明光源的顯微鏡更好的橫向解析率,而且對 的量測結果也與原子力顯微鏡十分接近。值得注意 的是’使用本發明所述之高解析率光學測繪系統量測出 之金線的邊緣斜坡處僅有140 nm的寬度,大約為空間調 變圖樣光波長的0.3倍,也顯示出本發明所述之高解析率 光學測綠系統能夠正確地繪出此區域的高度變化。 其他實施態樣 在本說明書中所揭露的所有特徵都可能與其他方法 結合’本說明書中所揭露的每一個特徵都可能選擇性的 以,同、相等或相似目的特徵所取代,因此,除了特別 ,著的特徵之外,所有的本說明書所揭露的特徵僅是相 等或相似特徵中的一個例子。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用 以限定本發明,任何熟悉此技藝者,在不脫離本發明之
T 13 201120403 精神和範圍内,當可作各種之更動與潤飾。 【圖式簡單說明】 第一圖係本發明一種實施例的光學測繪系統之示意 圖。 第二圖係示意說明了本發明中光調變器之一種實施 態樣。 第三圖係為樣本表面各點的強度軸向反應曲線。 第四圖係樣本光學切片的平均強度之線性關係,橫 軸為光軸方向的相對位置,單位為微米,縱軸為一標準 化後的光強度。 第五圖(A)係使用一般均勻照明光源的光學顯微鏡 所拍攝的影像。 第五圖(B)係使用本發明所提供之系統所獲得的影 像。 第五圖(C)係沿著圖中白色虛線所得到的強度變 化,灰線是使用一般均勻照明光源的光學顯微鏡,虛線 是使用原子力顯微鏡,黑色實線是使用本發明所述之光 學測緣系統。 第六圖(A)係以一鍍於矽基板上的金線為自製樣 本,其原子力顯微鏡的掃描結果:金線高度為115 nm, 寬度為450 nm。 第·六圖(B)係以一使用均勻照明光源的光學顯微鏡 拍攝金線自製樣本的影像。 第六圖(C)係使用本發明所述之光學測繪系統拍攝 金線自製樣本所獲得的影像。 第六圖(D)係比較這三種技術得到的強度變化與表 面輪廓圖。灰線是使用一般均勻照明光源的光學顯微 14 201120403 鏡,虛線是使用原子力顯微鏡,黑色實線是使用本發明 所述之光學測繪系統。 【主要元件符號說明】 100-…光學測繪系統 111-…光學鏡組 113—攝影機 130-…演算單元 150-—-樣本 200-…照明光源 220-…第二透鏡 240-…分光鏡 110-…光學顯微鏡 112-…觀測平台 120-…光調變器 140-…資料單元 160—驅動裝置 210-…第一透鏡 230-…帶通濾光片 250-…液晶空間光調變元件
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Claims (1)

  1. 201120403 七、申請專利範圍: 1. 一種高解析率光學測繪系統,其包括: 一光學顯微鏡,其包括一光學鏡組及一觀測平台, 其中該觀測平台上載有一樣本,且該光學鏡組與該觀測 平台係可相對移動,以沿著該光學鏡組之光軸方向調整 該光學鏡組與該觀測平台之間的距離,; 一光調變器,其產生一空間調變圖樣光,該空間調 變圖樣光照明至該樣本而形成一空間調變圖樣;以及 一演算單元,其係配置以處理複數個該空間調變圖 樣以取得一光學切片,並根據該光學切片於不同高度之 光強度變化而建立一強度軸向反應曲線。 2. 如申請專利範圍第1項所述之高解析率光學測繪系統, 其中該空間調變圖樣光係一二維網狀圖樣光或數個一維 週期空間調變圖樣光。 3. 如申請專利範圍第1項所述之高解析率光學測繪系統, 其中該樣本係為位於該觀測平台之一均勻反射面。 4. 如申請專利範圍第1項所述之高解析率光學測繪系統, 其中該光學鏡組與該觀測平台之間的距離係經調整,藉 以根據該觀測平台上之樣本表面各點強度軸向反應曲線 的頂點位置,而定位該樣本表面各點之相對高度。 5. 如申請專利範圍第1項所述之高解析率光學測繪系統, 更包括一資料單元,其處理該強度軸向反應曲線以取得 該樣本之高度與其光強度之一線性關係。 6. 如申請專利範圍第5項所述之高解析率光學測繪系統, 其中該線性關係儲存於該資料單元中。 7. 如申請專利範圍第6項所述之高解析率光學測繪系統, 其中該資料單元係依據該線性關係而基於一待測樣本之 16 201120403 表面各點光強度取得該制樣本表面各點之相對高度。 •如申凊專利範圍第5項所述之高解析率光學測#會系統, 其中該演算單元與該資料單元係整合為一單一模組。 9· ^請專利第丨項所述之高解析率絲麟系統, 光調變器係包括至少—雷射光源,其產生至少兩 、雷射,以干涉現象形成該空間調變圖樣光。 請專利範圍第i項所述之高解析率光學測緣系统, 二1Ϊ/周變器包括一空間調變圖樣件及-光源,該光 光、,投影至該空間調變圖樣件以形成該空間調變圖樣 ===1項所述之高解析率光學測㈣統, 調變器 1生二變夜=光調變器,該液晶空間光 ^第1項所述之高解析率光學測繪系统, ς中^調變器包含—照明光源,該照明光源俜為燈 泡、發光二極體或是雷射。 〜席係為燈 = :項所述之高解析率光學測繪系統, 圖樣光 括—照明光源,其直接產生空間調變 14. =請專利關第〗項所述 其+該光學顯微鏡包含 τ午尤子I曰系統, 相對於該光學鏡組而移動。裝置’以驅動該觀測平台 15. Γ =範圍第14項所述之高解析率光學則 係為一壓電晶體或步進馬: 其中該ί學述之高解析率光學測緣系統, 空間調變圖樣。兄03一攝影機,以記錄不同位置之該 17·—種高解析率光學_方法,該方法包含: 201120403 提供如申請專利範圍第1項所述之一高解析率光學 測繪系統,其載有一樣本; 產生一空間調變圖樣光以照明至該樣本,以產生一 空間調變圖樣; 沿談光學鏡組之光軸方向移動該觀測平台及該樣 本,以取得該樣本於不同位置之複數個空間調變圖樣; 將所述複數個空間調變圖樣轉換為一光學切片; 依該光學切片中該樣本表面各點之光強度,建立該 樣本表面各點的強度軸向反應曲線;以及 Φ 以該強度軸向反應曲線的頂點位置而定位該樣本之 南度。 18. —種高解析率光學測繪方法,該方法包含: 提供如申請專利範圍第5項所述之一高解析率光學 測繪系統,其載有一樣本; 產生一空間圖樣光以照明至該樣本,以產生一空間 調變圖樣; 沿該光學鏡組之光軸方向移動該觀測平台及該樣 本,以取得該樣本於不同位置之複數個空間調變圖樣; • 將所述複數個空間調變圖樣轉換為一光學切片; 依該光學切片中該樣本表面各點之光強度,建立該 樣本之每一點的強度軸向反應曲線; 基於該強度軸向反應曲線建立該樣本之高度與其光 強度之一線性關係; 依據該線性關係並基於一待測樣本表面各點之光強 度而取得該待測樣本表面各點之相對高度。 19. 如申請專利範圍第18項所述之高解析率光學測繪方 法,更包括儲存該線性關係於該資料單元中。 20. 如申請專利範圍第18項所述之高解析率光學測繪方 201120403 法,更包括選擇該樣本為一均勻反射面。 21.如申請專利範圍第18項所述之高解析率光學測繪方 法,其中置放該待測樣本於該觀測平台上,使該待測樣 本之表面的高度位置係在該強度軸向反應曲線之一線性 區間的對應高度内。
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