TW201119240A - An integrated circuit frequency generator - Google Patents

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TW201119240A TW099104764A TW99104764A TW201119240A TW 201119240 A TW201119240 A TW 201119240A TW 099104764 A TW099104764 A TW 099104764A TW 99104764 A TW99104764 A TW 99104764A TW 201119240 A TW201119240 A TW 201119240A
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John Othniel Mcdonald
Crist Y Lu
Il-Bok Lee
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Silego Technology Inc
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Description

201119240 六、發明說明: 本發明主張2009年2月13曰申請,美國臨時專利申請案第 61/207,647 號,名為「GENERATING MULTIPLE CLOCK FREQUENCIES USING A SINGLE CRYSTAL」的優先權,爲 λ 了所有目的,其以引用之方式併入本文中;以及2009年9月8 曰申請,美國臨時專利申請案第61/276,184號,名為 「FREQUENCY GENERATOR」的優先權,爲了所有目的, 其以引用之方式併入本文中。 【先前技術】 在電子系統中通常將石英晶體用作參考頻率源,此係歸 因於其傑出的效能特性。大多數電子系統包含至少一個高 頻(例如MHz)晶體。高頻晶體提供極佳的相位雜訊、穩定 性及老化特性但具有比較低頻晶體消耗更多電力之缺點。 因此,當電力消耗不受約束時可在一系統中使用一高頻晶 體。然而,當電力保存係關鍵時,則使用一高頻晶體可能 係無法接受的。因此大多數系統亦包含針對低電力需求的 至少一個低頻(例如32.768 kHz)晶體。該低頻晶體針對大 致較低的一電力消耗而在相位雜訊、部分穩定性及部分老 * 化特性上採對應折衷方式。 . 現存電子系統通常包含複數個晶體,在各種操作條件下 從該等晶體中產生所需系統頻率。例如,一典型筆記型電 腦可包含多達九個之晶體頻率源。雖然由一單個高頻晶體 產生之參考頻率可用於產生任何所需系統頻率,但該高頻 晶體消耗過多電力且因此當電力消耗係關鍵的時候無法被 146516.doc 201119240 加以使用。雖然由一單個低頻晶體產生的參考頻率可用於 產生任何所需系統頻率,但低頻晶體引入令人無法接受之 相位雜π (例如當耗接至—鎖相迴路時)且因此在許多情形 中’、’、法用於產生其他所需'系統頻率。在電子系統中不存在 消除複數個晶體頻率源之需要的可行技術。 【實施方式】 本:明可以許多方式實施’其等包含一處理程序;一裝 糸統;物質之-組成;在—電腦可讀儲存媒體上體 J的t腦程式產品;及/或一處理器(諸如經組態以執行 儲存在輕接至該處理器 一 ^ ^ 。己隱體上及/或由耦接至該處 益之-记憶體提供之指令的—處理器卜在本說明書 •本發月可&用之&些實施方式或任何其他形式可作為 技術而參考。一般而言,所揭示之處理程序之步驟的順序 :在本發明之範圍内進行改變。除非另有說明,否則可將 一組件(諸如所描述的經組態以執行—任務的—處理器或 :記憶體)作為在—特定時間經臨時組態以執行任務的-均通組件或作為所製造的執行該任務的一特殊組件實施。 本文中所使用之術語「處理器」係指經組態以處理資料 (诸如電腦程式指令)的一個或多個裝置、電路及/或處理核 心〇 夕以:與繪示本發明原理之附圖一起提供本發明之一個或 f個貫施例的一詳細描述。雖然本發明結合該等實施例進 饤描述’但本發明不限於任何實施例。本發明僅受限於申 請專利範圍,且本發明包含大量替代、修改及等效物。以 346516.doc 201119240 下描述陳述大量特殊細節以提供對本發明的一徹底瞭解。 此等=節係出於實例之目的而提供,且可根據申請專利範 圍來實踐本發明而不需此等特殊細節之-些或全部。出於 M釋之目的’為使本發明不發生不必要的模糊,未描述在 關於本發明之技術領域内的已知技術性材料。 揭示以一單一高頻石英晶體進行校準之一微電力積體電 頻率產生器。使用半導體技術以及系統中需要具有各種 頻率之複數個時脈信號的一個晶體而非複數個晶體可將本 文中所描述之頻率產生器用於產生多個時脈頻率。在一系 統中僅有一單個晶體頻率源提供一些優點。例如,用具有 所揭示之積體電路頻率產±器的一單㈤晶體導致在系統中 的一較低成本,否則將使用複數個晶體頻率源。此外,由 於較低頻晶體為隨時間而老化及劣化之機電裝置,因此, 減少系、统中之晶體It量為僅一單個較高帛晶體導致源於較 少晶體之更穩健的老化特性及較高的可靠性。此外,由於 晶體為相對大的裝置,因此使用具有所揭示之積體電路頻 率產生器的一單個晶體而非複數個晶體導致消耗較少的電 路板空間用於時脈頻率產生。 如本文中之進一步描述,可使用具有高準確度廣泛的 溫度範圍及以非常低的電力消耗的一高頻晶體源之頻率產 生器積體電路而產生低頻率。例如,在MHz範圍内由一高 頻晶體源產生之一參考頻率可為該頻率產生器所使用以產 生一 32.768 1^2時脈,其具有約為每百萬個中誤差+/ 2〇 之一準確度及視短期精確度考量而定之約為卜1〇 μΑ之電流 146516.doc 201119240 消耗。在現存系統中,使用一專用的32.768 kHz晶體通常 產生32.768 kHz頻率以維持高準確度及低電力消耗。由於 在大多數電腦及消費電子產品的即時時脈(RTC)應用中使 用此頻率,因此產生具有高準確度及低電力消耗之32 768 kHz頻率係必要的。由於大多數包含RTC功能之系統即使 當忒等系統處於一休眠狀態或斷電時亦維持計時且因此需 要在備用電池之電力下維持此等功能,因此非常低之電力 消耗係必要的。雖然本文中所描述之頻率產生器積體電路 消除對於一分離的32.768 kHz晶體之需求但仍然提供至少 相當且在大多數情形中改良之效能。 請至職明一頻率產生器積體電路之實施例的高階 功能方塊圖,該頻率產生器積體電路使用一單個參考頻率 源產生-個或多個頻率。雖然在一些給定實例中描述 24.576 MHz的-晶體參考頻率源及一特定積體電路組態以 產生各種頻率(包含32.768 kHz之—頻率),但可就任何其 他適當的參考頻率源及積體電路組態而類似地使用所揭示 之技術以產生任何-個或多個所需之時脈頻率。 圖1錢明一頻率產生器積體電路之-實施例的一高階方 塊圖。在給定實例中’頻率產生器積體電路100使用參考 頻率源102以產生一充夕加Α/ν ,丄 成夕個輸出時脈頻率。正如所描述 的,所有輸出頻率係基於由參考頻率源1〇2產生之參考頻 率。在不同的操作模式中,頻率產生器100可由不同的電 源供電。在-休眠及/或斷電模式中,頻率產生器100由— 備用電源(諸如一硬幣式電池)供電,其在給定圖中由電源 I46516.doc 201119240 104指示°在—作用及/或通電模式中,頻率產生器100由 主電源(諸如一壁式電力單元或主電池)供電,其在給定 的圖中由電源1〇6指示。 圖1B說明包括頻率產生器1〇〇之一實施例的組件之一高 階功能方塊圖。在給^實例巾,僅描繪與頻率產生器100 之功能性的描述相關之組件及/或連接。在各種實施例 中,頻率產生器100可包括任何其他的及/或不同的組件及/ 或組態以提供所描述之功能。頻率產生器ι〇〇在斷電模式 或通電模式中皆可操作。在斷電模式中,將非必要之電路 斷電,且頻率產生器100使用備用電池電力而僅產生一相 關系統在斷電時所需的一個或多個頻率(諸如32 768 RTC頻率)。在通電模式中,頻率產生器i⑽產生—相關系 統在通電時一相關系統所需之各種頻率(例如,在給定實 例中為32.768 kHz至25 MHz範圍内之各種頻率)。正如所 描繪,頻率產生器100在斷電模式中由12 V的一備用電源 供電,且在通電模式中由25 v的一主電源ι〇6供電。 在圖1B中’參考頻率源包括24 576 MHz的一石英晶體 102 ° 在斷電模式中’使用電子振盪器1〇8產生32 768 kHz輸 出頻率。然而,與一晶體頻率源相比,一電子振盪器是相 對不穩定的,且其準確度隨時間而漂移。為確保32 768 kHz輸出具有至少一規定準確度,將晶體1 〇2週期性地進行 脈衝通電,以便可使用由晶體1〇2輪出之高準確度的參考 頻率來週期性地校準振盪器108。週期性地對晶體ι〇2供電 146516.doc 201119240 以提供經由其可校準振盛器1〇8的一高準確度參考頻率, 且由於振盈器108經校準以追縱晶體⑽之準確度,因此在 斷電模式中將晶體102斷電直至下一個校準循環導致產生 具有非常低之電力消耗及平均具有非常高之—準確度的 32.768 kHz輸出頻#。在通電模式卜電力保存並非為關 鍵’且晶體1〇2經通電以便可使用由晶體H)2輸出的高準續 度參考頻率產生系統所需之各種頻率。因此,在通電模式 中不使用相對低功率但不穩定的振盈器i 〇8來產生Μ kHz的輸出頻率’而是替代地使用分頻器110來除由晶體 1〇2輸出的參考頻率以產生32 768他之輸出頻率。因此, 如以下將進一步仔細描述,頻率產生器100經組態以在三 個模式-斷電自由運行模式' 斷電頻率校準模式及通電模 式中操作。 在斷電模式中’頻率產生器1〇〇由備用電源1〇4供電。備 用電源1〇4包括一備用電池(諸如一硬幣式電池)。在此模式 中,一相關系統之主電源關閉或不可用且電力保存係關鍵 的某_系統功此(諸如RTC功能)即使當系统關閉時亦需 要可進行操作,且此等功能所需之時脈頻率(諸如32· kHz)需要由頻率產生器1〇〇產生。在此模式中,頻率產生 器100使肖t子振盈器108來產生一輸出時脈頻率。振盪 器108可包括任何適當的電子振盪器或等效的電子電路。 例如振盪器108可包括一環形振盛器、-DCO(數位受控 振蘯器)、一 VCO(電屋受控振蘯器)、__LC vc〇等等。可 基於應用需要而選擇具有任何所需組態及特性的—振盪 146516.doc 201119240 $ °在大多數情形中’由於電力保存在斷電模式中係關鍵 的,因此需要—低功率(例如在pW範圍内)振盪器。圖1B 之頻率產生器100包含32768 kHz振盪器1〇8以產生32768 kHz的一輸出頻率。在其他實施例尹,可將具有與所需輸 出頻率不同之一頻率的一振堡器與一倍頻器及/或分頻器 或其他等效電路組合使用以產生一規定的輸出頻率。例 如可使用131.072 kHz的一振|器及〇分頻分頻n來產生 32.768 kHz的一輸出頻率。由於一振盪器之尺寸在某種程 度上與頻率成反比,因此可能需要使用具有一較高頻率之 振盪器及-分頻器來產生所需的一輸出頻率以達成一較 小的電路板面積。料任何所需輸出頻率而言,可基於處 理程序幾何學(pr〇cess ge〇metry)選擇用於振盪器之一最佳 頻率。在—些實施例中,振M||1〇8被完全整合至頻率產 生器積體電路⑽中。在其他實施例中,振i器副可能未 被兀王整s至頻率產生器積體電路1〇〇中且可能包含構成 振盪器之功能的一個或多個外部組件(諸如電阻器、電容 器、電晶體等等)。 在斷電自由運行模式中’僅振盈器⑽及其他必要電路 由備用電源刚供電。《而—自由運行㈣器固為相對不 敎及不準確的—裝置,其通常具有約為+/_2_ ppm及 更间之一誤差。各種因素促成該頻率誤差。一振盪器對熱 變動高度敏感。例如,對-相關積體電路之中每攝氏度的 溫度改變將典型地導致幾百ppm之頻率誤差。導致頻率誤 差的其他因素包含製造期間之處理程序變動及在將相關一 [S 1 146516.doc 201119240 的積體電路安裝至一印刷電路板期間之機械應力。許多系 統功能(包含RTC功能)不能承受未經調整之一電子振盪器 的巨大誤差。為使振盪器108及一相關輸出頻率具有令人 可接受之一水準的準確度(例如,約為+/_ 2〇 ppm之誤 差)’週期性地執行動態校準以調整振盪器丨〇8 β 頻率產生器100包含有助於在斷電自由運行模式與頻率 校準模式之間切換的計時器丨12。在一些實施例中,校準 計時器112包括一計數器。在一些此類情形中,計時器^ η 在校準循環之間對由振盪器丨〇8輸出之脈衝數目進行計數 且可經程式化或經組態以用於任何所需的校準時間間隔或 週期。振盪器108較為頻繁之校準導致較高的電力消耗但 導致與振盪器108相關的輸出頻率之較高的短期準確度, 而振盪器108較少的校準導致較低的電力消耗但亦導致與 振盪器1 08相關的輸出頻率之較低的短期準確度。然而, 不管所選之校準時間間隔,由於振盪器108係使用以下進 一步描述的晶體102所產生之相對準確(例如+/_ 2〇 ppm之 誤差)的參考頻率來進行校準,因此,平均而言,與振盪 器108相關之輸出頻率具有相當於一晶體之準確度的一準 確度。在圖1B之實例中,可選擇3個校準時間間隔之一者 用於計時器112 :每32768M個脈衝(或等效地為就32刀68 kHz的一振盪器而言的每秒鐘)、每32768*6〇個脈衝(或等 效地為就32.768 kHz的一振盪器而言的每分鐘)、每 32768* 120個脈衝(或等效地為就32 768 kHz的一振盪器而 言的每兩分鐘)。在其他實施例中’計時器112可經程式化 146516.doc 201119240 或絰組癌以用於任何所需校 ^ ^ ^ ^ u Q 時間間隔。在自上個校準循 裱起的一規疋數目之脈衝 „ 及時間週期之後(例如,如計時 态所決定),頻率產生5| ] ηΛ ω 。 從斷電自由運行模式切換至斷 電頻率校準模式,同時繼絡 時繼續輪出由振盪器108產生之 32.768 kHz頻率。在給定實 貝例中猎由關閉開關114達成從 斷電自由運行模式至斷電頻率 鴻羊杈準模式之轉變,此使用備 用電源HM對晶體1G2及其他校準電路進行供電。 在斷電頻率校準模式中,暫時接通&⑴㈣㈣❹ 器108。關開關114對驅動晶體1〇2之振盈器116供電。振 盛器116可包括任何適當的振盈器或可作為晶體ι〇2之一驅 動器來使用的其他電路。在已過去足夠時間(例如〜0.5 ms) 用於接通之後將晶體⑽敎至—穩定狀態頻率之後使用 晶體H)2所產生之參考頻率來校準振盤器ι〇8。在給定實例 中,計數器118計算振m⑽之規定數目的脈衝,而脈衝 比較器邏輯12〇(在-些實施例中其亦包含一計數器)計算在 該週期内由晶體102輸出之脈衝數目。例如,脈衝比較器 邏輯12〇可經組態以在計數器118計算振盪器1〇8之個 32.768 kHz脈衝(大約為8 ms)的時間週期内計算μ」% MHz晶體102所發生的脈衝數目。理想情況下,應存在75〇 個24.576 MHz脈衝對應各個32·768 kHz脈衝之一固定比 率。脈衝比較器邏輯120可基於在計數器118計算振盡器 108之264個24.576 MHz脈衝時間週期内所計算的24 576 MHz晶體102之脈衝數目來判定振盪器1 〇8之目前實際頻率 是否太高或太低。基於該判定,脈衝比較器邏輯12〇適當 146516.doc 201119240 調整振盪器副以校正振盪器108之頻率誤差。可使用此項 技術中所已知的各種調整技術之任何—者來校正振盈器 剛。在給定實例中,脈衝比較器邏輯】糊整連接至振堡 器108的一電容器陣列122以校正振蘯器1〇8的頻率誤差。 在此實例中,將更多電容器添加至振盪器108將減少其頻 率,而從振靈器108移除電容器將增加其頻率。在可應用 的情形十,可對振盪器108之脈衝就晶體1〇2之脈衝而進行 之比較及電容H陣列122之調整執行…欠或多次進一步的 反覆直至振盪器108緊盯晶體1〇2之準確度。一卩已完成校 準過轾,則打開開關丨14(此使晶體1〇2及其他校準電路斷 電)且將頻率產生器丨⑼返回至斷電自由運行模式,此為最 低電力消耗模式。 在上述實例中,振盪器108之264個脈衝係由計數器118 "十算彳于到,且由脈衝比較器邏輯丨2〇使用以判定振盪器1 〇8 之頻率誤差。在其他實施例中,可使用任何數目的振盪器 :〇8之脈衝以判定該振盪器之頻率誤差,且計數器⑴及脈 衝比較器邏輯120可因此予以組態。纟一些情形中,用於 作出一頻率誤差判定的振盪器1〇8之脈衝數目可基於一所 需準確度解析度。可使用較多脈衝來達成—較佳準確度, 然而’若將準確度至少折衷至—特定程度是可$忍的則可 使用較少的脈衝。例如,振盪器108之一單一脈衝可能足 以將其校準至大約+/_ 1000 ppm之誤差。對照在—校準循 %之各反覆期間振盪器108之較少脈衝導致每次反覆之電 力消耗較少但以準確度解析度為代價。解析度準確度亦取 146516.doc 12 201119240 決於在各校準循環期 中,在t长唯a J久復數目β在一些實施例 -此實間可執行規定數目之反覆。或者,在 -、种’在每校準循環期間可 準確度的多士巧费^ α而要運成規疋 少的電力n 準循環期間的較少反覆導致較 、電力扁耗但以較少的準確度為代價。 ’與振m器刚相關的輸出頻率之準碟度以及在 、.式_產生該準確度所消耗㈣力取決於各種參數 曰二Ω振盧器1〇8之類型、在一校準循環之-反覆期間與 日日2產生的參考頻率相比較之錢器⑽的脈衝數目、 用於母次校準猶環調整振盪器1〇8之頻率之反覆數目、校 率循環之頻率等等)。可基於一相關系統之需求而可調错 ^選擇此等參數。以較長及/或較頻繁的校準循環可達成 較间準確度但以更多電力消耗為代價。以較短及/或較 不頻繁之权準循環可達成一較低的電力消耗但以降低之準 確度為代饧。無淪如何,當在斷電模式中時可使用頻 生器⑽來產生-時脈頻率,其具有相當於一石英晶體之 準確度(例如+/· 20 ppm之誤差)且具有非常低的一電力消 耗(例如幾MW)。正如參考圖1B之實例所述,頻率產生器 100產生非常低電力的32 768 kHz之時脈頻率,其具有相當 於由高頻晶體102產生之參考頻率之準確度的一準確度。 在斷電模式期間藉由僅間歇地或週期性地導通高頻晶體 102而非保持其持續導通可大幅降低其電力消耗。 雖然已藉由圖1B描繪並參考其而描述就晶體1 〇2而言之 校準振盪器108的一特定技術及電路,但在各種實施例中 146516.doc -13· 201119240 可使用任何其他的適當技術或電路。例如,在一些實施例 中,可使用一鎖頻迴路(FLL)來校準振盪器108。在一些此 類情形中,可將一積分三角調變器(sigmadeha m〇duiatw) 與鎖頻迴路(FLL)—起使用來控制振盪器1〇8。例如,可將 -積分三角調變器插入於一習知FLL之控制輸出端與其所 控制的振盪器之間。在一些實施例中,該積分三角調變器 基於一緩慢變化的FLL輸出而產生頻繁更新至振盪器,藉 此達成量化誤差之抑制而不需要快速更新之— FLL。 在通電模式中’頻率產生器1〇〇由主電源1〇6供電。在各 種實施例中,在斷電與通電模式間切換時可使用任何適當 切換技術在電源1〇4與電源1〇6之間切換。在一些情形中, 適σ使用具有多個可能的不同值之電源的一切換技術。在 通電模式中’電力保存並非為關鍵。然而,產生準確的時 脈頻率仍然係重要的。在通電模式中,晶體1〇2導通以便 可使用晶體102所產生之炎.玄Λ立 叮座生之參考頻率來產生一相關系統所需 的各種時脈頻率。在各種實施例令,在通電模式中可使用 倍頻器、分頻器、鎖頻迴路、鎖相迴路或任何其他適當電 路^使用晶體1〇2之參考頻率來產生各種時脈頻率。在 實施例中頻率產生盗1〇〇使用(例如)分數η型分頻器 或合成器,例如,由於以此類裝置可使用簡單的金屬或非 揮發性記憶體程式化來達成用於任何參考頻率之一適當分 頻比率以產生一所需輸出頻率。 在圖1Β中’在通電模式中由分頻器u〇將晶體ι〇2產生之 24.576 ΜΗζ參考頻率除以75〇來產生a·仙輸出頻 1465l6.doc 201119240 率。諸如振盪器108之低功率電子振盪器對熱變動極端敏 感且在溫度梯度出現之一環境中趨向於漂移且性能欠佳。 因此,在一些實施例中,歸因於由各種其他裝置在一相關 晶粒及/或電路上之活動而出現的熱變動,在通電模式中 不能使用振盪器108來產生32.768 kHz輸出頻率。然而,在 一些實施例中,若增加校準速率以補償額外的熱相關誤 差,則可使用振盪器108來產生32·768 kHz輸出頻率。由於 在通電模式中電力保存並非為關鍵,因此可藉由除由晶體 102產生之24.576 MHz參考頻率而直接產生32 768 kHz輸 出頻率或者可增加校準速率。在圖1]8之實例中,多工器 124之輸出端從處於斷電模式的振盪器1〇8之輸出端切換至 處於通電模式的分頻器110之輸出端。可使用此項技術中 任何已知的相位對準技術以在切換輸出頻率源時確保一無 縫的32.768 kHz輸出。 在一些實施例中,頻率產生器1〇〇可經組態以在所有操 作模式中產生一單個輸出頻率(例如32 768 kHz)。在圖ib 的實施例中,頻率產生器100亦經組態以在通電狀態中輸 出25 MHz、14.318 MHz及24.576 MHz時脈頻率。正如所 描繪,在通電模式中使用鎖相迴路126及128以從晶體1〇2 之24.576 MHz參考頻率中分別產生25 MHz&14 3i8 MHz 輸出頻率。在給定實例中,頻率產生器1〇〇整合鎖相迴路 126及128。在其他實施例中,可不將此等電路整合至頻率 產生器1〇〇中且可替代地包括外部組件。在各種實施例 中’可異於圖1B中所提供之實例來實施頻率產生器1〇〇且 [S 1 146516.doc 15 201119240 八可,二組態以產生或輸出任何一個或多個頻率之任何數目 的複製。 如所述,藉由在通電模式期間從振盪器1〇8切換至由分 頻器110單純除晶體102之參考頻率以產生32則他輸出 頻率來規避歸因於通電溫度梯度之電子振盪器1〇8的熱引 發之頻率誤差。當從通電模式切換至斷電模式時亦出現溫 =度。t進人斷電模式時橫越―相關晶粒及/或電路之 一突然冷卻將一瞬時誤差引入至振盪器108中至少直至達 :卜穩定狀態之斷電溫度。該等誤差可能隨時間而累積為 一系統偏移或偏壓(特別是若將一相關系統頻繁通電及斷 電)二在各種實施例中,可使用任何適當技術校正或補償 偏Μ。例如’在—些情形中,在進人斷電模式後隨著相關 系.洗冷郃’藉由至少在—短時期内非常頻繁地校準振堡器 而將偏遷至少部分移除或平均化。例如,可在斷電模式 :、1初幾分鐘内每隔1/1〇秒或1/15秒校準振盪器ι〇8。在 些h形中,即使在斷電模式中不使用振盪器之輸 出’亦測得絲存源自處於導通狀態之溫度激增的振堡器 頻率誤差且隨後在斷電狀態中減去以補償冷卻。 圖卿示至少可部分實施的一頻率產生器積體電路之方 式的一個實施例。在其他實施例中,頻率產生器1〇〇可以 任何方式實施及/或組態使其提供使用一單個高準確度參 考頻率源之基本功能性’以產生具有相當於該參考頻率源 的a準確度且至少在斷電模式中處於非常低之一電力消耗 狀態的任何輸出時脈頻率。 146516.doc S) -16 · 201119240 圖2繪示使用一單個參考頻率源而在斷電模式中產生具 有非&向之準確度及非常低之功率消耗之一時脈頻率的一 處理程序之一實施例。在一些實施例中,由圖丨八至⑶之 頻率產生器100使用處理程序200。在一些實施例中,將處 理程序200用於在各種操作模式中產生32·768 kHz時脈頻 率。若在處理程序200中判定該模式為通電模式,則在2〇2 處自參考頻率源產生時脈頻率。例如在一些情形中,使用 一分頻器除參考頻率以產生時脈頻率。若在處理程序2〇〇 中判定該模式為斷電模式,則在2〇4處使用一低功率電子 振盪器產生時脈頻率。在2〇6處,判定是否校準振盪器。 由於振盪器相對不穩定,需要週期性地進行調整以使得振 盪益產生之時脈頻率至少具有一規定準確度。若在2〇6處 判定校準振盪器,則在2〇8處將校準電路(包含參考頻率源) 通電。在一些實施例巾,2〇8包含在導通之後等待參考頻 率源穩定。在210處,就參考頻率而校準振盪器頻率。例 如,210包含調整振盪器以使其準確度緊密地追蹤參考頻 率源之準確度。一旦在21〇處完成振盪器之校準,即在Η] 處將枚準電路(包含參考頻率源)斷電直至下一個校準循 %,而處理程序200在206處繼續。在斷電模式中,在校準 循環期間及校準循環之間皆使用低功率電子振盛器產生時 脈頻率。 圖3繪示用於在斷電模式期間校準一振盪器之一處理程 序的貫鞑例。在一些實施例中,在處理程序2〇〇之21〇處 使用處理程序300。處理程序3〇〇在3〇2處開始,在3〇2處將 146516.doc 3 201119240 振盪器與參考頻率脈衝進行比較。例如在一些情形中,計 算用於一規定數目之振盪器脈衝的參考頻率脈衝之數目, 且與對於針對一理想振盪器頻率的規定數目之振盪器脈衝 而。所應出現的一規定數目相比較。在304處,若存在振 盪盗頻率誤差,則其係取決於302處之比較。例如在一些 情形中,304包含判定實際的振盪器頻率是否高於或低於 里心的振盪器頻率。在3〇6處,若可應用,振盪器經調整 以至少部分校正在304處判定之誤差。在308處,判定是否 執行處理程序3〇〇之另一次反覆。在一些實施例中在一 校準循環期間執行處理程序300之一規定數目之反覆◎在 一些實施例中,在一校準循環期間執行同樣達成一規定之 準確度所需的多次反覆。若在3〇8處判定執行另一次反 覆,則處理程序300在302處繼續。若在308處判定校準循 核完成,則處理程序3〇〇結束。 在各種實施例中,可使用具有任何頻率之一晶體作為用 於頻率產生器100的參考頻率源。例如,在一些實施例 中,晶體102包括14.318 ]^沿的一晶體,且在此類情形 中,分頻器11〇可(例如)包括一分數_n型分頻器,其將ΐ3ι 個脈衝除以437且將6個脈衝除以736以產生32 768 kHz之一 輸出頻率。在一些實施例中,脈衝比較器邏輯120包含加 上或減去一(數位)偏移以補償達成參考頻率與一振盪器頻 率之間之比率的困難(例如,在校準期間比較振盪器之脈 衝與參考頻率時)。 在各種實施例中’晶體102可具有任何類型之切割,諸 146516.doc -18- 201119240 如AT、ΒΤ、CT、SC等等。不同之效能特性與不同切割有 關。例如,一切割之配向影響諸如以下之參數:頻率穩定 性、熱特性、老化特性等等。例如sc切割具有極佳之老化 性質且在較高溫度下幾乎無頻率對溫度之誤差。由於與晶 體有關之效能特性亦由使用該晶體頻率產生之任何頻率呈 現,因此至少部分基於所需之應用而選擇晶體之切割可能 係有利的。在各種實施例中可使用任何其他高準確度頻率 源(諸如一脈衝供電的AIN、MEM、調諧LC或在電子電路 中用於產生頻率的其他諧振器技術)代替一石英晶體。 在各種實施例中’頻率產生^⑽可經組態以在各種操 作模式中產生或輸出具有一個或多個值的一個或多個頻 率。在斷電模式中,32.768 kHz輸出頻率之產生係參考本 文中所提供之一些實例而進行描述的,此係由於此頻率典 型為在休眠甦醒期間用於RTC功能及晶片信標之頻率。在 "他κ她例中,頻率產生器j 〇〇可經組態且可包含適當電 路以在斷電模式期間產生除32.768 kHz以外及/或替代 32·768 kHz的任何一個或多個輸出頻率。在一些情形申, 頻率產生器1〇〇可包含複數個電子振盪器及相關校準電 ,、X在斷電模式期間使用振盪器產生複數個輸出頻率。 類似地,頻率產生器1〇〇可經組態且可包含適當電路以在 t電桓式期間產生任何一個或多個輸出頻率。在一些情形 中,頻率產生器100可包含經整合之鎖相迴路或其他等效 路來產生—個或多個96 MHz D〇T時脈、48 MHz USB時 脈、向頻(例如125 MHz至2 GHz)時脈等等。 ] 1465】 6.doc -19- 201119240 一系統可包括各種時間相關元件(例如延遲、振盪器、 !電重設、休眠計時器等等)及/或頻率相關元件(例如:動 歸零電路、電荷泵、類比數位轉換器、計數器等等)。在 一些實施例中1頻率產生器100之輸出擴展成在—系统 中需要準確時間及/或頻率基礎的一個或多個組件。在一 些實施例中’可使用頻率產生器100之一單個時脈輪出來 驅動複數個時脈輸入。在一些情形中,針對一相關系統之 全部(或至少一部分)時序或頻率要求的頻率產生器⑽ 之使用消除(或至少減少)誤差以及減輕來自系統之處理程 序、溫度及電壓變動的影響。在各種實施例中,頻率產生 器100可經組態以產生或輸出一個或多個頻率之任何組 合、、任何數目之複製、任何倍數及/或任何整數或分數的 除法。例如,在一些實施例中,頻率產生器⑽可經組態 以產生或輸出相同低頻(32 768 kHz)之多個複製。 歸因於各種來源可能將一誤差或系統偏移引入頻率產生 益之一輸出頻率中。在各種實施例中,引入頻率產生 益100之-輸出頻率中的—誤差可在任何階段以任何適當 方式校正或調諧。不同誤差可引入不同的操作模式中⑼ 如斷電及通電)且在—些實施例中可經獨立調諧。在一些 It形中’右在-斷電模式中同步雜訊以一校準頻率出現則 可此引入一誤差。在一些情形中,可藉由將該校準頻率進 行高頻脈動而至少將此類誤差部分校正及/或平均化。例 如,可每隔2.5 S使一振盪器之校準進行高頻脈動以便該振 盪器平均每隔2.5 s進行校準但實際校準週期在25 s左右 146516.doc -20· 201119240 (諸如2.4 s至2.6 s)使得(例如)亦具有每隔25 s之—頻率的 雜m不會產生—誤差偏移。在—些情形中,參考頻 率源1 02可引入—謠茬 —+ α 、,右未杈正該誤差,則其將傳播至 基於該參考頻率而產生之任何輸出頻率。在各種實施例 中’由一參考頻率源(諸如晶制2)引人之—誤差可以任何 適當的方式調譜。在—些實施例中,由參考頻率源102引 入之一誤差係經外部調諧的(例如使用-電阻器或電容 器' 藉由將接腳或接合線缚至參考頻率源等等)。在一此 貫施例中,由參考頻率源1〇2引入之_誤差係由經由一串 接或並接之通信匯流排連接至參考頻率源1〇2的一頻率產 ==了_如"合式電阻器、電容器、 時脈脈衝或週期組合;單:猎由將規定數目之連續 不……為早個脈衝而將參考時脈上的短期 不穩…部分移除以減少或平均化不穩定 合脈衝重新建構參考時脈。在—些情形中,歸因於可= 頻率產生器⑽與參考頻率源1〇2之間之(若 EMI(電磁干擾)而引入-誤差,特別是若該參考頻= 相同的晶粒上及/或在相同的封裝—此在 干擾田的展頻電路以減少emi(電磁 在-些情形中,在校準期間脈衝供 生-電流突波,該電流突波將一 IR降引;^率源叱產 中。在校準模式期間接合線兩端存在==線 源斷電時其在自由運行模式中消失。因此,在:校 } 146516.doc •21 · 201119240
盡器令’持進BB 定的頻率誤差:接合線兩端之電壓降顯現為一恒 , 在各種貫施例中可使用任何適當技術對此 誤^進行調諸或校正。例如,在一些情形中,使用下列處 來判定此類電壓偏移值。首先以X電流將參考頻率 源⑽通電’且測量並儲存處於χ電流的振盈器⑽中之頻 率誤差 '。接著,將驅動參考頻率源1〇2之電流改為χ+γ, 且’則量並儲存處於χ+γ電流的振盪器ι〇8中之頻率誤差。 最後’將驅動參考頻率源102之電流改為Υ電流。處於π Μ的總U相關偏移為所測量的處於乂電流與電流之 振盪器頻率誤差之間的差(即誤差X-誤差χ+γ),且藉:自 振盪器減去該值而補償該偏移。 交替啟用及停用(即脈衝供電)—電路可降低該電路之平 均電力消耗,但前題為有時不需要該電路。對於提供一瘦 调郎之電力供應至其他電路的一調節器電路而言,此狀、兄 通常並不正確。當需要非常低的電力消耗(即小於ι ^或 100 ΠΑ)時調節器之準確度難以達成。在—些實施例中, 可使用具有-低功率取樣及保持電路的交替啟用及停用 (即脈衝供電)的-能帶隙調節器以同時達成準確調 續可用之供應電壓及非常低的電力消耗兩者。在圖4中提 :該電路之-實施例之-方塊圖。在此實例中,總電力消 耗約為100 ηΑ。 在各種實施例中’可藉由將頻率產生器積體電路隐 其他㈣及/或數位電路整合而達成高階整合。(例如)由^ 較高之整合而減少與處理、封裝及測試相關之額' 146516.doc •22· 201119240 因此將額外電路與頻率產生器1〇〇整合通常非常具有成本 效率在-些實施例中,頻率產生器⑽提供一核心,在 ㈣心周圍可包含―系、統之時序及時脈產生、分配及/或 使用之全。P或至少_部分。在一些實施例中,頻率產生器 包含-個或多個經整合之鎖相迴路以產生各種輸出頻 率(例如如上所述參考圖⑺之實例)。在—些實施例中,將 即時時脈/行事歷電路整合至頻率產生器⑽中。 在-些實施例中’備用電源1〇4包括一斷電或休眠模式 電池(諸如一 RTqCMOS電池)。此類備用電池通常為 ^^、紙可再充電類型之硬幣式電池且用於僅為永不 關閉之關鍵電路元件(諸如RTC電路)供電。⑶讀硬瞥式 電池不可再充電。然而,ML硬幣式電池可再充電且在電 =丁業中料廣泛傳播及越來越多地被使用。從—系統設 汁観點而言,。尺及服可在需要更換之前為一給定的饥 電路提供(例如)10年之電池壽命。更換問題使⑶及时電 池必須放置於容許查s总$ Μ Μ r 易更換的一小型電池固持 擇每次充電僅給予-年電池壽命的-較小的肌電池。; 相關電子產品具有至少一年一次安裝於或插入於一壁式插 ft之一主電池以容許將該肌電池進行再充電,則在產 口口辱年内不需要尹拖马·當从 更換°亥電池。®此,使用ML電池的一系 :可選擇—較小外型且無需—電蘭持件,但具有增加1、 2器電路之不利結果及週期性提供一充電電源之使用者 限制。 具最基本形式之一 ML硬幣式電池充電器可非常簡單地 H6516.doc •23· 201119240 實施。在-些實施例中,充電器可包括一簡單的二極體及 附接至一恒定電壓的限流電阻器。例如,若可使用3 3 V 的一電壓,則可將一肖特基(Schottky)二極體與職⑽ -電阻器串接並直接連接至ML電池之+節點。在此類情形 中,若ML電池降至滿電荷(例如〜3V)以下mu 電荷(例如〜1〇〇 0八至25〇 μΑ)流入電池中以對其進行再充 電。若不可使用3.3 V,則充電器可能稍為複雜。例如, 若5 V之-電源軌可用’則存在多種確保電池不會過電壓 或過充電之方法。例如,可使用一簡單的電晶體及電阻器 以當電壓接近ML電池之最大限度時用於限制電流及關閉 充電兩者。確保ML電池不會過電壓或過充電的各種技術 可包含或利用以下功能或電路元件之一者或多者:DC/% 賴器、電荷泵、分壓器、LD〇(低料)調節器、電壓調 節器、包括運算放大器或者電壓或電流參考之電路等等。 在一些實施例中’將備用電池管理及/或充電電路(例如 用於管理備用電池及/或對備用電池1〇4進行充電)整合至頻 率產生器積體電路100中。充電電路可經適當組態以用於 ,何類型之可再充電之備用電池(諸如见硬幣式電池、鐘 離子電池等等)及/或相對於任何類型之可再充電之備用電 ,使用。在許多系統中’斷電模式期間32.768 kHz之-頻 率產生益、即時時脈邏輯、休眠計時器等等係從相同備用 電池供電的’且其等之電路通常直接相互連接且在一印刷 電路板上緊密接近。因此’在頻率產生器ι〇〇中整合此類 電路在許多情形中係有利的(例如用於減少組件、藉由提 146516.doc • 24 · 201119240 供鉍封裝及經測試之一解決方案而簡化設計者之工作、減 少PCB(印刷電路板)面積等等)。 在一些實施例中,就頻率產生器1〇〇而使用一外部的或 正。的電谷器以促成參考頻率源1〇2迅速導通。正如所 述在斷電模式中對參考頻率源1〇2進行週期性供電以校 準頻率產生100之振盪器108。在許多情形中,—高頻晶 體之迅速導通需要在_短時期内之—巨大電流。例如,可 月以要約為1 mASlG mA之—電流以用於—圓㉔體之迅 速‘通。然而,諸如電源1〇4之一備用電池歸因於其内部 電阻器及UL(保險商實驗室)電流限制串接電阻器要求而可 能無法遞送此等位準之電流。此類額外電阻器可引起施加 至晶體之電壓明顯降低,潛在地影響啟動效能。在一些實 =例中’#由使用在參考頻率源傾斜上升且作用期間能夠 提供=需電流的-高值電容器來達成參考頻率源ι〇2之一 較平滑之啟動。在參考頻率源關閉期間,電容器係由備用 電池在其用於連續及脈衝輸出電流之額定規格内緩慢地進 :再充電。在-些實施例中,儲存電容器之值可藉由將一 :電壓汲取至其上而降低。例如在一些情形中,可將電容 器值減半以用於所施加電壓的每次加倍。 』j 。實施例中’結合頻率產生器100使用一非揮發性 L體例如’可使用非揮發性記憶體以針對特殊頻率、 k佳頻率誤差對境影響效能及其他時脈特性(諸如輸出 :衝強度、校準速率、同步或不同步校準等等)而進行調 正在各種架構中,非揮發性記憶體可被整合在與頻率產 146516.doc -25- 201119240 生器100相同之ea # μ , 0曰粒上、可在不同晶粒上但為與頻率產4 器100相同之封裝之部分'可為一外部封裝之-部分、可 連接至-相關系統中的另一個處理器或別處之觀。在各 種實施例中,可相對於頻率產生器_使用非揮發性Μ 體以用於:選擇輸入頻率、選擇輸出頻率、將輸入頻钱 灯頻率調整、將輸出頻率進行頻率調整、將石夕振盈器進行 頻率調整,針對偏移、老化、溫度、電源供應器電壓 體電路應力或者任何其他可影響一輸出頻率的電子或機械 現象專等進行頻率調整。在各種實施例中非揮發性記憶 體可為一浮動問類型之可再程式化記憶體(例如快閃記憶 體、Ε2Ρ職、EPR⑽等等)、-次性可程式化記憶體、 -SONOS類型記憶體、炫絲、抗炫絲、接合線、κ金屬遮 罩、刚、偽非揮發性記憶體(具有備用電池之揮發性記憶 體)等等。在-些實施例中,非揮發性記憶體實質上並不 位於頻率產生moo之積體電路上而是由—外部源載入及/ 或調1的W如在一些情形中,非揮發性記憶體鄰接一處 理器、FPGA或控制器以用於操縱頻率產生器⑽。 在一些實施例中,頻率產生器⑽係使用WL_csp或其他 晶片級封裝而經封裝的。在一些實施例中,將頻率產:器 1〇〇與參考頻率源102組合為一單個封裝。例如在一些情形 中,將頻率產生器100放置於一石英晶體封裝内部。藉由 將頻率產生晶粒放置於石英晶體封裝内部可達成一較小的 PCB佔用面積。在各種實施例中,石英封裝可為任何規模 及/或類型’其包含金屬、玻璃料等等。 146516.doc -26- 201119240 在各種實施例中,可將頻率 適當應用(諸如類比…… 於任何值得的 i硌如痛比及數位錶及時鐘、電腦、 播放器、照相機、蜂巢式1 ^ β / 携式媒體 式电話、媒體及/儲存應用、筆記 t電腦、客户、小筆電,客戶、工業、醫藥、汽車、通; 及/或軍隊應用或有利於較少老化、較少成本、較小乂 寸、較少因環境狀況之頻率誤差等等的㈣其他應用)。 例如一般在此類應用中針對RTC電路已使们2 768他 之:晶體。然而,與32·768 kHz之一晶體相比,由頻率產 生益10G產生的32.768 kHz之-頻率在許多方面展現更佳之 效能。例如,考慮將32.768 kHz之—調譜又晶體與由頻率 產生器100使用一 AT切割晶體源1〇2而產生之一 32.768 kHz 之一頻率進行比較。由頻率產生器刚產生的該32 768咖 頻率展現與AT切割晶體源類似之效能特性。一 Ατ切割晶 體展現出比32·768 kHz之一調諧又晶體更大的溫度穩= 性。32.768 kHz之-調請音又晶體—般經最佳化以用於在 25°C+/- 5°C操作且在此交又頻率溫度上形成一抛物線頻率 曲線。然而,一 AT切割晶體具有從-40°C至+85°C之一較平 緩的頻率彎曲。因此,包含基於AT切割晶體之一頻率產生 器100之任何手錶或其他電子裝置可在非常熱及非常冷之 環境中改良效能而不需要任何額外的調整或其他積體電路 设δ十技術。在極端環境中之高效能操作對於包含手鎮在内 的s午多裝置而言係一關鍵特徵。此外,與3 2.7 6 8 kHz之一 調諧叉晶體相比,一小型AT切割晶體對衝擊及振動具有較 高的一抵抗力。因此,基於頻率產生器i 〇〇之一 AT切割晶 •27- 146516.doc 201119240 體傳達出較高的對於衝擊及振動的抗干擾性而不需任何額 外的材料或機械設計技術H _小型价刀割日日日體之— 老化連率慢於—調諧又晶體。因此,基於Μ切割晶體之一 頻率產生器100傳達出較佳之老化效能。 雖然出於理解闡釋之目的,已相當詳細地描述前述實施 :,但本發明不限於所提供之細節。存在實施本發明之許 多替代方*。所揭示之實施例係具綠示性而非限制性。 【圖式簡單說明】 圖1A、·.曰*帛率產生器積體電路之一實施例的一高階方 塊圖; 圖1B繪示包括一頻率吝;, 两午座生态積體電路之一實施例之組件 的一高階功能方塊圖; 圖2繪示用於產生一時脈頻率之一處理程序的一實施 例; 圖3繪示用於校準-顧器之—處理程序的一實施例;及 圖4繪示調節器電路之一實施例。 【主要元件符號說明】 100 頻率產生器 102 參考頻率源 104 備用電源 106 主電源 108 振盪器 110 分頻器 112 計時器 146516.doc 201119240 114 116 118 120 122 124 126 128 開關 振盪器 計數器 脈衝比較器邏輯 電容器陣列 多工器 鎖相迴路 鎖相迴路 146516.doc -29-

Claims (1)

  1. 201119240 七、申請專利範圍·· 1.-種頻率產生器積體電路 括: 用於產生一輸出頻率,其包 —電子振盪器,其麵 校準電路,且產生一振盈器頻率,·及 校準該電子振盪器,;相對於—參考頻率源週期性地 其中當一初級電源不可 輸出頻率,且僅在校準德二从該振邊器頻率產生該 2.如請求項> 之頻率H二間將該參考頻率源通電。 包括該輸出頻率。 _ ^路,其中該振盪器頻率 3-如4求項1之頻率產生器積體 括一低頻率且盆中咳夫考储J^ 令該輸出頻率包 …千Ί亥參考頻率包括-高頻率。 4·如請求項1之頻率產生器積 槓體電路,其中該輸出頻率包 括-即時時脈頻率且其中該參考頻率包括一兆赫頻率。 5· 2求項^率產生器積體電路,其中該參考頻率源 具有一高準確度。 6·如請求们之頻率產生器積體電路,其中該參考頻率源 包括一石英晶體。 7·如請求項丄之頻率產生器積體電路,其中該輸出頻率為 由該頻率產生器積體電路所產生之複數個輸出頻率之一 者。 8.如請求項7之頻率產生器積體電路,其中該複數個輸出 頻率之各者係基於該參考頻率源或由該參考頻率源產 生。
    146516.doc 201119240 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. 如請求項1之頻率產生器積體電 係以-低工作週期校準其“电子振盪器 一一器積::::其…初… 不^時以非常低之電力消耗產生該輪出頻率。汲電源 項1之頻率產生器積體電路,其中該輸出頻 -1確度可與該參考頻率之—準確度相比。 ::求項1之頻率產生器積體電路,其中該校準電路勺 括一個或多個計數器。 ^ 其中該校準電路包 其中該校準電路包 其中該校準電路包 其中該校準電路包 其中該校準電路僅 如明求項1之頻率產生器積體電路 括一鎖頻迴路。 如吻求項13之頻率產生器積體電路 括一積分三角調變器。 如明求項1之頻率產生器積體電路 括用於調整該電子振盪器之電路。 如明求項1之頻率產生器積體電路 括用於補償-誤差之電路。 如〃月求項1之頻率產生器積體電路 在校準期間通電, 如請求項1之瓶 頻率產生益積體電路,其進—牛 補償一誤差之電路。 括用於 其進—步包括展頻 其進—步包括用於 如。月求項1之頻率產生器積體電路 電路以減少電磁干擾。 求項1之頻率產生器積體電路 夕該參考頻率中抖動的電路。 146516.doc 201119240 其進—步包括用於 其申用於校準該電 其中該初級電源包 其中當該初級電源 21·如明求項丨之頻率產生器積體電路 啟用及停用該校準電路之電路。 22. 如請求項丨之頻率產生器積體電路 子振盪器之一校準頻率經高頻脈動 23. 如請求項〗之頻率產生器積體電路 括一壁式電力單元或主電池。 24. 如請求項!之頻率產生器積體電路, 不可用時,使用一次級電源給基本電路供電 25. 如咕求項24之頻率產生器積體電, 括-備用電池。 人极電源包 26. 如請求項丨之頻率產生器積 口。f妨 井進步包括調節 …,該調節器電路包括一交替地啟 Bi. ^ ArAr m f f . T 用之月&帶 隙調即盗及一低功率取樣及保持電路。 27. 如請求項1之頻率產生器積體電路,其進_步包括 在具有不同的非零值之電力供應之間切換的電路括用於 28. 如請求項1之頻率產生器積體電路,其牛 、 ^ V包括在該 初級電源可用時用於從該參考頻率中 卞貝手〒產生该輸出頻率的 一分頻器。 29. 如請求項丨之頻率產生器積體電路,其進一步包括在噹 初級電源可用時從該參考頻率φ吝士 ^ ^ ^ 貝羊中產生—個或多個輸出頻 率的一個或多個經整合之鎖相迴路。 30. 如請求項1之頻率產生ϋ積體電路,其中該電子振靈器 包含未整合至該頻率產生器積體電路中的—個或多個外 部組件。 S1 146516.doc 201119240 31. 32. 33. 34. 35. 36. 37. 38. 39. 40. 如請求項1之頻率產生器積體電路,其進—步包括經整 合之類比及/或數位電路。 如請求項1之頻率產生器積體電路,其進一步包括經整 合之電池充電器電路。 如請求項1之頻率產生器積體電路,其進—步包括經整 合之即時時脈電路。 如請求項1之頻率產生器積體電路,其進一步包括經整 合之非揮發性記憶體。 如請求項1之頻率產生器積體電路,其中該頻率產生器 積體電路包含於一手錶或時鐘内。 。 如請求項1之頻率產生器積體電路,其中該頻率產生器 積體電路包含於一裝置中’該裝置包含即時時脈電路。 如請求们之頻率產生器積體電路,其中該輪出頻率驅 動在一相關系統中之複數個時脈輸入。 如請求項1之頻率產生器積體電路,其中該頻率產 積體電路係與該參考頻率源—起封裝於—單—封裝中/ 如請求们之頻率產生器積體電路,其中該頻率產生器 積體電路係使用晶片級封襞予以封裝。 種用於產生一輸出頻率之方法其包括: 使用-電子振盈器以產生一振蓋器頻率;及 使用校準電路以相對於—炎 該電子振盪器; ’員羊源而週期性地校準 其中當 輪出頻率 初級電源^可用時,從該«器頻率中產生該 且僅在校準循環期間將該參考頻率源通電。 146516.doc
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