TW201118387A - Capacitance measurement circuit and method therefor - Google Patents

Capacitance measurement circuit and method therefor Download PDF

Info

Publication number
TW201118387A
TW201118387A TW098139380A TW98139380A TW201118387A TW 201118387 A TW201118387 A TW 201118387A TW 098139380 A TW098139380 A TW 098139380A TW 98139380 A TW98139380 A TW 98139380A TW 201118387 A TW201118387 A TW 201118387A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
input
operational amplifier
reference voltage
voltage
capacitor
Prior art date
Application number
TW098139380A
Other languages
English (en)
Inventor
Shih-Tzung Chou
Yong-Nien Rao
Yu Kuang
Original Assignee
Raydium Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raydium Semiconductor Corp filed Critical Raydium Semiconductor Corp
Priority to TW098139380A priority Critical patent/TW201118387A/zh
Priority to US12/947,089 priority patent/US20110115503A1/en
Publication of TW201118387A publication Critical patent/TW201118387A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96Touch switches
    • H03K17/962Capacitive touch switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/94Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00 characterised by the way in which the control signal is generated
    • H03K2217/96Touch switches
    • H03K2217/9607Capacitive touch switches
    • H03K2217/96071Capacitive touch switches characterised by the detection principle
    • H03K2217/960725Charge-transfer

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

201118387 TW5552PA ‘ ‘ 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種電容值測量電路與其方法,且特 別有關於一種利用轉換單元而不需額外耦合電容之電容 值測量電路與其方法。 【先前技術】 傳統上,多半以機械式開關來實現使用者控制介面。 但,傳統機械式裝置容易壞損。目前,已發展出觸控式開 關。觸控式開關例如是電容式開關等。 為了提升使用上的便利性,目前已研發出的觸控面板 (touch panel)或顯示觸控面板(同時具有顯示與觸控的功 能)可接受使用者的輸入、點選等操作。觸控面板或顯示觸 控面板可應用於各樣電子裝置當中,例如行動電話中。如 此,可讓使用者直接在觸控面板或顯示觸控面板上點選畫 面來進行操作,藉此提供更為便捷且人性化的操作模式。 觸控面板或顯示觸控面板有數種,電容式觸控面板,電容 式顯示觸控面板係屬其中。 當使用者操作電容式觸控面板、電容式顯示觸控面 板、或電容式開關時,其内部的待測電容的電容值會隨使 用者操作而發生變化。故而,如果能偵測待測電容的電容 值與其變化,即可偵測(感覺)使用者的操作。然而,如何 設計出可有效地偵測待測電容之電容值與其變化之電容 值測量電路,以提升電容式觸控面板、電容式顯示觸控面 板、或電容式開關之性能乃為業界不斷致力的方向之一。 然而,現有電容值測量電路除轉換單元外,更需要耦 201118387 • i 合電容(coupling capacitor),導致電路面積不易縮小且電 路成本不易縮減。 【發明内容】 本發明之一例有關於一種電容值測量電路與其方 法,其不需要耦合電容,縮小電路面積及降低電路成本。 本發明之一範例提出一種電容值測量電路,包括:一 參考電容,具有一第一端與一第二端,該第一端選擇性連 接至一第一參考電壓或一第二參考電壓;一待測電容,具 有一第一端與一第二端,該第一端選擇性連接至該第一參 • 考電壓或該第二參考電壓;一操作放大器,具有一第一輸 入端、一第二輸入端與一輸出端,該第一輸入端連接至該 參考電容之該第二端與該待測電容之該第二端,該第二輸 入端連接至一第三參考電壓;一逼近單元,具有一輸入端 與一輸出端,該輸入端連接至該操作放大器之該輸出端; 以及一轉換單元,具有一輸入端與一輸出端,該輸入端連 接至該逼近單元之該輸出端,且該輸出端直接連接至該操 作放大器之該第一輸入端。該參考電容與該待測電容分別 耦合一第一電荷量與一第二電荷量至該操作放大器之該 第一輸入端,該第一電荷量與該第二電荷量於該操作放大 器之該第一輸入端形成一輸入電壓,該轉換單元直接耦合 一第三電荷量至該操作放大器之該第一輸入端或者該轉 換單元對該操作放大器之該第一輸入端充放電,直到該輸 入電壓趨近於該第三參考電壓。 本發明之另一範例提出一種電容值測量方法,包括: 初始化一操作放大器;選擇性切換一參考電容至一第一參 201118387
TW5552PA 考电[或—第二參考電壓’以耦合-第-電ί… 第—輸人端’其中該操作放 =壓選擇性切換-待測電=第 操作放大心Γί ,以耦合―第二電荷量至該 I 弟;比較該操作敌大器之Π 輸入端之一輸入電壓與該第三參考電壓;° Μ 么士果,用i車痒七』 ,乂及根據該比較 :=、·ΓΓ :直接麵合—第三電荷量至該操作 〜二 &或者以充放電該操作放大写之該 弟輸入端’直到該輸入電壓趨近於該第三苴 中,一連續逼近結果反應該待測電容之該電容值。i ,、 例 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂,下文特舉實施 並配合所附圖式’作詳細說明如下: 【實施方式】 請參考第1圖,其顯示根據本發明第—實施例之電容 值測量電路之電路示意圖。如第!圖所示,根據本發明第 一實施例之電容值測量電路100包括:參考電容cR,待 測電容CS’操似大器11G,連續逼近暫存器(Successive Approximation Register,SAR)120,數位類比轉換器 (DAC)130,開關S1、開關S2與開關Sc。此外,'^代 表此電容值測量電路100之寄生電容。暫存器140是選擇 性元件,其可暫存由SAR 120所輸出的數位信號,亦可 輸入參數至SAR 120。 參考電容CR連接於開關S1與操作放大器11〇之反 相輸入端之間。參考電容CR之電容值為已知°。待測電六 CS連接於開關S2與操作放大器11〇之反相輸入端之間, 201118387 • * 1 待測電容CS之電容值為未知,且其電容值可能隨著使用 者之操作(比如按壓)而變化。在本發明其他實施例中,參 考電容CR與待測電容CS則可連接至操作放大器110之 非反相輸入端。 操作放大器110之反相輸入端連接至參考電容CR與 待測電容CS ;其非反相輸入端連接至參考電壓VREF3 ; 其輸出端則連接至SAR 120。SAR 120接收操作放大器 110之類比輸出電壓,並據以輸出數位信號給DAC 130。 DAC 130接收SAR 120所輸出之數位信號,並據以耦合 ® 電荷量至操作放大器110之反相輸入端。 開關S1之一端連接至參考電容CR,其另一端則選 擇性連接至參考電壓VREF1與VREF2之一。原則上,參 考電壓VREF1與VREF2之電壓值不同。開關S2之一端 連接至待測電容CS,其另一端則選擇性連接至參考電壓 VREF1與VREF2之一。開關SC之一端連接至操作放大 器110之反相輸入端,其另一端則連接至操作放大器110 之輸出端(但於本發明其他實施例中,開關SC之另一端則 連接至參考電壓VREF3)。參考電壓VREF1比如可為操作 電壓;參考電壓VREF2比如可為接地電壓。為求設計方 便,參考電壓VREF3比如可為操作電壓或接地電壓,但 本實施例並不受限於此。 現說明本實施例之電容值測量電路100之操作原 理。首先,於初始狀態下,開關S1連接至參考電壓 VREF2 ;開關S2貝q連接至參考電壓VREF1 ;開關SC連 接至第三參考電壓VREF3或操作放大器110之輸出端, 201118387 TW5552PA u · 對該操作放大器之反相輸入端充電或放電至參考電壓 VREF3,此時的操作放大器可視為單增益放大器,其兩個 輸入端電壓與輸出端電壓原則上彼此相等。在底下,VX 皆可同時代表節點與節點電壓。此操作可稱為對該操作放 大器之初始化。詳細地說,對比較器之反相輸入端電壓及 非反相輸入端電壓進行初始化,使兩端電壓相等。當然, 本實施例與其他實施例並不受限於此。此外,本發明的底 下實施例與其他實施例亦進行初始化操作,使得操作放大 器的兩輸入端電壓相等。 接著,於開始測量時,開關S1由參考電壓VREF2 切換至參考電壓VREF1 ;開關S2則由參考電壓VREF1 切換至參考電壓VREF2 ;而開關SC則斷路。由於開關 S1由參考電壓VREF2切換至參考電壓VREF1,透過參 考電容CR之耦合效應,參考電容CR會耦合電荷量QR 至節點VX,其中,電荷量QR如下式(1)所示: QR=(VREF1-VREF2)*CR (1) 相似地,開關S2由參考電壓VREF1切換至參考電 壓VREF2,透過待測電容CS之耦合效應,待測電容CS 會耦合電荷量QS至節點VX,其中,電荷量QS如下式(2) 所示: QS=(VREF2-VREF1)*CS (2) 如果待測電袁CS與參考電容CR之電容值不同,則 VX不等於VREF3。當成電壓比較器的操作放大器110會 比較節點電壓VX與VREF3,並將其電壓差值傳送給SAR 120。根據操作放大器110之類比輸出電壓,SAR 120會 201118387 1 1 逼近/調整其數位輸出信號,並將調整後之數位輸出信號送 至DAC 130。之後,DAC 130會根據SAR 120之數位輸 出信號而直接耦合電荷量QC至操作放大器110之反相輸 入端;或是DAC 130對節點電壓VX進行充放電。特別是, 當參考電容CR的電容值大於待測電容CS時且 VREF1>VREF2,貝VX>VREF3 ;反之亦然。 經由SAR 120的連續逼近,最後將使得節點電壓VX 接近於VREF3。如此,SAR 120之輸出數位信號會反應 待測電容CS與參考電容CR間之差值,以推出得知待測 鲁電容CS之電容值。 更甚者,於本發明其他實施例中,開關S1與S2之 操作方式可改為,於初始狀態下,開關S1連接至參考電 廢VREF1,而開關S2連接至參考電壓VREF2。而於開 始測量時,開關S1由參考電壓VREF1切換至參考電壓 VREF2,而開關S2由參考電壓VREF2切換至參考電壓 VREF1。也就是說,於初始狀態下,開關S1與開關S2 I 連接至不同電壓;於開始測量時,開關S1與開關S2連接 至不同電壓。於開始量測時,切換S1及S2至不同電壓, 以利用此切換來輕合電荷量至節點VX。 DAC 130有多種實施方式。底下將分別介紹之。 第2圖顯示根據本發明第二實施例之電容值測量電 路100A之電路示意圖。如第2圖所示,DAC 130A包括 多個電容C1〜CN與多個開關B1〜BN。該些電容C1〜CN 之電容值分別為2NC、...2C、C,其中N為正整數。而該 些開關B1〜BN分別由控制信號b1〜bN所控制,以使該些 201118387 TW5552PA , e t. 電容C1〜CN連接至參考電壓VREF1或參考電壓VREF2。 DAC 130A比如為二位元陣列電荷重分配式 (binary-array charge-redistribution)DAC。由第 2 圖可以 推出DAC 130A直接耦合至操作放大器之電荷量qc如下 式(3): QC=VREF*(b1*2NC+b2*2N1C+...+bN*C) (3) 其中’當bi=1(i=l〜n)b夺,代表開關由參考電壓VREF2 切換至參考電廢VREF1 ;當bi=-1時’代表開關由參考電 壓VREF1切換至參考電壓VREF2 ;當bi = 〇時,代表開 關之切換狀態不變。於連續逼近後,節點電壓νχ會接近 於0。此時的控制信號bN〜b 1 (由SAR 120所輸出)即可反 應待測電容CS與參考電容CR間之差值,以推出得知待 測電容CS之電容值。 第3圖顯示根據本發明第三實施例之電容值測量電 路100B之電路示意圖。如第3圖所示,DAC 130B包括 多個電阻R1〜RN與多個開關B1〜BN。該些電阻R1〜rn 之電容值分別為2R、4R...2NR,其中N為正整數 。而該 些開關B1〜BN分別由控制信號b 1〜bN所控制,以使該些 電阻R1〜RN連接至參考電壓VREF1或參考電壓 VREF2。此外’於第三實施例中’參考電壓vref3可為 參考電壓VREF1與VREF2之平均值 (VREF3=0.5*(VREF1+VREF2)。 DAC 130B比如為二位元權重電阻式(bjnary weighted resistor)DAC。 亦即,DAC 130B對節點電壓νχ充放電,而使得節 201118387
* TW5552PA 點電壓VX趨近於VREF3。特別是在VREF1>VREF2,當 VX<VREF3(也就是CR<CS)時,DAC 130B對節點電壓 VX充電,使之接近VREF3 ;反之,當VX>VREF3(也就 是CR>CS)時,DAC 130B對節點電壓VX放電,使之至 接近V R E F 3。 於連續逼近後,節點電壓VX會接近於VREF3。此 時的控制信號bN〜b1 (由SAR 120所輸出)即可反應待測電 容CS與參考電容CR間之差值,以推出得知待測電容CS 之電容值。 ® 第4圖顯示根據本發明第四實施例之電容值測量電 路100C之電路示意圖。如第4圖所示,DAC 130C包括 多個定電流對與多個開關B1〜BN。該些定電流對包括:吸 收電流卜丨/2…I/2N·1的定電流源1_1 ' 2__1、…N_1與送 出電流卜丨/2…丨/2n_1的定電流源1_2、2_2、…N_2,其 中N為正整數。該些開關B1〜BN分別由控制信號b1〜bN 所控制’以使節點VX連接至參考電壓VREF1或參考電 φ壓VREF2或淨接。當開關將節點VX連接至定電流源 1_1、2_1、…N一1時,節點νχ會被放電;反之,當開關 將節點VX連接至定電流源、2_2、 N_2時,節點 VX會被充電。 DAC 130C比如為二位元電流式(bjnary current)DAC。由第4圖可以推出DAC 130C耦合至操作 放大裔110之電荷量QC如下式(5): QC=At*(b1*l + b2*(|/2)+...+bN*(,/2N-1)} (4) 其中’ 代表單位時間。當bi = 1時,代表開關連錢 201118387 TW5552PA , . 至電流源1_2、2_2、·.· N_2 ;當bi=-1時,代表開關切換 至電流源1_1、2_1、…N_1 ;當bi=0時,代表開關為浮 接。 亦即,DAC 130C藉由對節點電壓VX之充放電操作 而使得節點電壓VX趨近於VREF3。特別是在 VREF1>VREF2,當 VX<VREF3(也就是 CR<CS)時,DAC 130C對節點電壓VX充電,使之充電至接近VREF3 ;反 之,當VX>VREF3(也就是CR>CS)時,DAC 130C對節 點電壓VX放電,使之放電至接近VREF3。 連續逼近後’節點電壓VX接近於VREF3。控制信 號bN〜b1 (由SAR 120所輸出)反應待測電容與參考電 容CR間之差值,以推出得知待測電容cs之電容值。 综上所述,本發明上述實施例之優點至少在於,由於 不需要額外的耦合電容,故能縮小電路面積及降低電路成 本。 综上所述,雖然本發明已以實施例揭露如上,缺其並 非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常㈣ 者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作各種之更動 與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視^之申請 = 圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示根據本發明貫施例之電容值測量電路之 電路示意圖。 第2〜4圖分別顯示根據本發明第二至第四實施例之 電容值測量電路之電路示意圖。 201118387 * 1 【主要元件符號說明】 100、100A、100B、100C :電容值測量電路 CR :參考電容 CS :待測電容 CP :寄生電容 S1、S2、SC :開關 110 :操作放大器 120 :連續逼近暫存器 130 :數位類比轉換器 140 :暫存器 C1〜CN :電容 B1〜BN :開關

Claims (1)

  1. 201118387 TW5552PA * · 七、申請專利範圍: 1. 一種電容值測量電路,包括: 一參考電容,具有一第一端與一第二端,該第一端選 擇性連接至一第一參考電壓或一第二參考電壓; 一待測電容,具有一第一端與一第二端,該第一端選 擇性連接至該第一參考電壓或該第二參考電壓; 一操作放大器,具有一第一輸入端、一第二輸入端與 一輸出端,該第一輸入端連接至該參考電容之該第二端與 該待測電容之該第二端,該第二輸入端連接至一第三參考 電壓; 一逼近單元,具有一輸入端與一輸出端,該輸入端連 接至該操作放大器之該輸出端;以及 一轉換單元,具有一輸入端與一輸出端,該輸入端連 接至該逼近單元之該輸出端,且該輸出端直接連接至該操 作放大器之該第一輸入端; 其中,該參考電容與該待測電容分別耦合一第一電荷 量與一第二電荷量至該操作放大器之該第一輸入端,該第 一電荷量與該第二電荷量於該操作放大器之該第一輸入 端形成一輸入電壓,該轉換單元直接耦合一第三電荷量至 該操作放大器之該第一輸入端或該轉換單元對該操作放 大器之該第一輸入端充放電,直到該操作放大器之該第一 輸入端之該輸入電壓趨近於該第三參考電壓。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電容值測量電路, 其中, 如果該待測電容與該參考電容之電容值不同,該操作 14 201118387 * ·ΐνν»:)2ΡΑ· 放大器之該第一輸入端之該輸入電壓不同於該第三參考 值,該操作放大器傳送一輸出電壓給該逼近單元; 根據該操作放大器之該輸出電壓,該逼近單元輸出一 數位輸出信號至該轉換單元; 該轉換單元根據該逼近單元之該數位輸出信號而耦 合該第三電荷量至該操作放大器之該第一輸入端,或者, 該轉換單元根據該逼近單元之該數位輸出信號而充放電 該操作放大器之該第一輸入端之該輸入電壓;以及 該逼近單元進行一連續逼近操作直到該輸入電壓趨 ® 近於該第三參考電壓,該逼近單元之該數位輸出信號反應 該待測電容與該參考電容間之一電容差值,以得知該待測 電容之電容值。 3. 如申請專利範圍第1項所述之電容值測量電路, 更包括: 一第一開關,具有一第一端與一第二端,該第一端連 接至該參考電容之該第一端,該第二端則選擇性連接至該 I 第一參考電壓或該第二參考電壓; 一第二開關,具有一第一端與一第二端,該第一端連 接至該待測電容之該第一端,該第二端則選擇性連接至該 第一參考電壓或該第二參考電壓;以及 一第三開關,具有一第一端與一第二端,該第一端連 接至該操作放大器之該第一輸入端,該第二端則選擇性連 接至該第三參考電壓或該操作放大器之該輸出端。 4. 如申請專利範圍第3項所述之電容值測量電路, 其中,於一初始狀態下, 15 201118387 TW5552PA - · 該第一開關連接至該第二參考電壓; 該第二開關連接至該第一參考電壓; 該第三開關連接該操作放大器之該第一輸入端至該 第三參考電壓或該操作放大器之該輸出端。 5. 如申請專利範圍第4項所述之電容值測量電路, 其中,於開始測量時: 該第一開關由該第二參考電壓切換至該第一參考電 壓,以耦合該第一電荷量至該操作放大器之該第一輸入 端; 該第二開關由該第一參考電壓切換至該第二參考電 壓,以耦合該第二電荷量至該操作放大器之該第一輸入 端;以及 該第三開關斷路。 6. —種電容值測量方法,包括: 初始化一操作放大器; 選擇性切換一參考電容至一第一參考電壓或一第二 參考電壓,以耦合一第一電荷量至該操作放大器之一第一 輸入端,其中該操作放大器之一第二輸入端連接至一第三 參考電壓; 選擇性切換一待測電容至該第一參考電壓或該第二 參考電壓,以耦合一第二電荷量至該操作放大器之該第一 輸入端; 比較該操作放大器之該第一輸入端之一輸入電壓與 該第三參考電壓;以及 根據該比較結果,用連續逼近方式以直接耦合一第三 16 201118387 電荷量至該操作放大哭 作放大^之料-^ 電該操 參考電壓,1中直到該輸入電壓趨近於該第三 六 /、,—連續逼近結果反應該待測電容之該電 其中 7.如申請專利範圍第6項所述之電容值測量方法, ^ 乂果該待測電容與該參考電容之電容值不同,則奸 $之料-輸人端之該輸人電壓不呆 考值,該操作放大器比較並傳送一輸出電壓;參 號;根據該操作放大器之該輸出電壓’輸出一數位輸出信 根據該數位輸出信號_合該第三 放大器之該第一輪人#妷+ 里至》亥知作 輸入端;以ί 或充放電該操作放大器之該第- 參考電進Γ:近 =直到該輪,趨近於該第= 間”電容差值,以得參考電容 於一二申;;專利範圍第6項所述之電容值測量方法, ^初始狀您下,該方法更包括: 云 連接該參考電容至該第二參考 至該第一參考電壓;以及 連接遠相電容 連接騎作放大II之該第_輸人 壓或該操作放大器之一輸出端。 °亥弟二參考電 9.如申請專利範圍第6項所述之 日 其中,於開始測量時,該方法更包括電讀測1方法, η 201118387 TW5552FA . - 切換該參考電容至該第一參考電壓,以耦合該第一電 荷量至該操作放大器之該第一輸入端; 切換該待測電容至該第二參考電壓,以耦合該第二電 荷量至該操作放大器之該第一輸入端;以及 斷路該操作放大器之該第一輸入端於該第三參考電 壓或該操作放大器之該輸出端。
    18
TW098139380A 2009-11-19 2009-11-19 Capacitance measurement circuit and method therefor TW201118387A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098139380A TW201118387A (en) 2009-11-19 2009-11-19 Capacitance measurement circuit and method therefor
US12/947,089 US20110115503A1 (en) 2009-11-19 2010-11-16 Capacitance Measurement Circuit and Method Therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098139380A TW201118387A (en) 2009-11-19 2009-11-19 Capacitance measurement circuit and method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201118387A true TW201118387A (en) 2011-06-01

Family

ID=44010850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098139380A TW201118387A (en) 2009-11-19 2009-11-19 Capacitance measurement circuit and method therefor

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110115503A1 (zh)
TW (1) TW201118387A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104199581A (zh) * 2014-08-29 2014-12-10 上海思立微电子科技有限公司 一种基于大ctp、小ctp的电容检测电路和电容检测装置
TWI467924B (zh) * 2011-06-24 2015-01-01 Mediatek Inc 連續近似暫存器類比對數位轉換器及其轉換方法
TWI739722B (zh) * 2021-04-08 2021-09-11 瑞昱半導體股份有限公司 類比數位轉換器及其操作方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9176597B2 (en) * 2012-07-02 2015-11-03 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Directional capacitive proximity sensor with bootstrapping
US9236861B2 (en) 2012-07-02 2016-01-12 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Capacitive proximity sensor with enabled touch detection
US9164629B2 (en) 2012-08-06 2015-10-20 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Touch screen panel with slide feature
JP5792399B2 (ja) * 2012-11-30 2015-10-14 シャープ株式会社 タッチパネルコントローラ、並びにこれを用いた電子機器
US9454272B2 (en) 2014-05-22 2016-09-27 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Touch screen for stylus emitting wireless signals
CN104316087B (zh) * 2014-09-30 2017-01-18 广东合微集成电路技术有限公司 一种电容式传感器的测量电路
US11525749B2 (en) * 2018-05-22 2022-12-13 Apple Inc. Telescopic analog front-end for pressure sensors
US10284238B1 (en) * 2018-06-11 2019-05-07 Texas Instruments Incorporated DC coupled radio frequency modulator
US11293961B2 (en) * 2019-03-13 2022-04-05 Aisin Corporation Capacitance detection device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4860232A (en) * 1987-04-22 1989-08-22 Massachusetts Institute Of Technology Digital technique for precise measurement of variable capacitance
TWI361280B (en) * 2008-07-18 2012-04-01 Raydium Semiconductor Corp Evaluation circuit for capacitance and method thereof
US7830159B1 (en) * 2008-10-10 2010-11-09 National Semiconductor Corporation Capacitor mismatch measurement method for switched capacitor circuits
TWI391678B (zh) * 2009-09-30 2013-04-01 Raydium Semiconductor Corp 電容值測量電路與其方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI467924B (zh) * 2011-06-24 2015-01-01 Mediatek Inc 連續近似暫存器類比對數位轉換器及其轉換方法
CN104199581A (zh) * 2014-08-29 2014-12-10 上海思立微电子科技有限公司 一种基于大ctp、小ctp的电容检测电路和电容检测装置
CN104199581B (zh) * 2014-08-29 2017-03-08 上海思立微电子科技有限公司 一种基于大ctp、小ctp的电容检测电路和电容检测装置
TWI739722B (zh) * 2021-04-08 2021-09-11 瑞昱半導體股份有限公司 類比數位轉換器及其操作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110115503A1 (en) 2011-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201118387A (en) Capacitance measurement circuit and method therefor
US9091714B2 (en) Capacitance measurement circuit and method therefor
US10641805B2 (en) Capacitance detection method and capacitance detection apparatus using the same
US10788380B2 (en) Apparatus for detecting capacitance, electronic device and apparatus for detecting force
JP5191769B2 (ja) 容量検出装置及び方法
CN111164558B (zh) 电容检测电路、触控芯片及电子设备
TW201102668A (en) Capacitance measurement circuit and method
CN109496273B (zh) 电容检测电路、触摸检测装置和终端设备
CN111600590B (zh) 电容检测电路和触控芯片
US8344928B2 (en) Method and apparatus for capacitance sensing
US20110068810A1 (en) Sensing method and driving circuit of capacitive touch screen
US20110102061A1 (en) Touch panel sensing circuit
US10324573B2 (en) Sensing devices for sensing electrical characteristics
CN102043096A (zh) 电容值测量电路与电容值测量方法
CN201541243U (zh) 一种终端的音量调节装置
TW201131455A (en) Capacitive touch panel and sensing apparatus thereof
WO2006095768A1 (ja) 容量電圧変換回路、それを用いた入力装置、電子機器、ならびに容量電圧変換方法
CN112313611B (zh) 一种电容检测电路、电容检测方法、触控芯片以及电子设备
KR20180002039A (ko) 반도체 장치, 위치 검출 장치 및 반도체 장치의 제어 방법
CN101957698B (zh) 电容式触控板的对象定位检测器及方法
TWI631347B (zh) 電容值的量測方法
US8274305B2 (en) Linear voltage generating device for testing performance of power supplies
CN114336997A (zh) 用于无线电力发射系统外部物体检测感测电路
KR101266812B1 (ko) 터치 패널의 전하량 감지장치 및 터치 패널의 전하량 감지방법
JP2001027655A (ja) 容量型センサの信号処理回路