TW201115246A - LCD panel and fabrication method thereof - Google Patents

Description

201115246 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器的結構與其製造方法，特別是一 種僅需兩道光罩即可形成薄膜電晶體陣列的製造方法。 【先前技術】 液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)由於具有外型輕薄、耗 电里少以及無輕射污染專優點’因此被廣泛應用於各種資訊產品 • 上，從小型的可攜式資訊產品，如個人數位助理(PDA)、筆記型電 腦(notebook)，到各種大尺寸的顯示螢幕，都可以見到液晶顯示器 的蹤影。 一般之薄膜電晶體液晶顯示器(TFT LCD)包含有一透明基 板，其上具有許多排列成陣列的薄膜電晶體、晝素電極⑼xd electrode)、互相垂直交錯(orthogonal)的掃描線(scan or gate line)與 訊號線(data or signal line)、一濾光板(c〇l〇r filter)、以及填充於透明 基板與濾光板之間的液晶材料，並配合以適當的電容、接觸塾等 ® 電子元件，來驅動液晶像素，進而產生豐富亮麗的圖像。 而一般形成薄膜電晶體陣列的製程中，通常需要五道光阻的 步驟。通常第一道光罩製程是用以定義一第一金屬層，以形成掃 描線與薄膜電晶體之閘極等構件；第二道光罩製程是定義出薄膜 電晶體之通道層；第三道光罩製程用來定義一第二金屬層，以形 成資料線與薄臈電晶體之源極與汲極等構件；第四道光罩製程用 來將一絕緣之保護層圖案化，以形成接觸孔(via);第五道光罩製 程則是用來將一透明導電層圖案化，以形成畫素電極。 然而，在薄膜電晶體製程中，所使用光罩數愈多，將無法降低 201115246 製造成本’錢得製程無法簡化。另外，於每—次光罩製程之微 影生產過財’微粒的污染以及曝光之好壞會直接影響整個產品 之良率’因此，光罩製程較多，其產品良率也容易降低。故在薄 膜電晶體的製針’如域少光罩的製程，乃是目前業界戮力研 究的目標。 【發明内容】 θ本發明於是提出一種液晶顯示器的結構與其製造方法， 特別疋-種僅需兩道光罩即可形成薄膜電晶體陣列的製造方法。 ，本發明提出了—種形成液晶顯示n的方法。於—較佳實施例 首先提供-基板’並絲有—薄膜電晶體區以及—晝素區，接2 it板ίΓ—透明導電相及—第—金屬層。進行—第一御 旦敍刻步驟，以在該薄膜電晶體區上形成一閘極以及在書素區」 。之後形成一絕緣層以及一半導體層，並去除， 無之絕緣相及料體層，㈣絲晝魏 : 形成一第二金屬層後，進行弟金屬層 晶 微衫暨侧步驟，以在薄膜電 :上軌-源、極以反—汲極，最後在該基板 “：=娜圍，本發明另外提出了-種液晶:示= =盘 卜基板絕緣層、—半導體層、- 汲極，皆依序設置於基板上，其中該半導體層包含氧化 n繼，·晶_的方法，巧妙的運用了第 先罩、第一光罩以及剝離製程，因此僅 ί知技财祕細 201115246 【實施方式】 請參考圖1，圖1為本發明之液晶顯示器之剖面結構示音圖。 如圖1所示，基板100上至少概分成有四種區域，分別是薄膜電 - 晶體區126、晝素區128、電容區130以及接觸墊區132，其中薄 膜電晶體區126、晝素區128以及電容區130會構成—書素'單元 在本發明之一較佳實施例中，設置於各晝素單元内之薄膜 區126上之薄膜電晶體結構均包含有一閘極ιΐ5(其係由一透明導 •電層102以及一第一金屬層所構成）、一絕緣層1〇6、一半導 體層108與由圖案化之第二金屬層11〇所形成之一源極與1 極，以及-保護層m。設置於各畫素單元内之畫素區128上之透 明導電層102則與薄膜電晶體的汲極電性相連，用來當作晝素電 極121，並藉由薄膜電晶體的閘極115開關來導入電壓以驅動晝素 區128上方之液晶分子(未顯示）。設置於各晝素單元内之電容區 13〇的金屬電容(MIM capaci㈣，則具有一電容電極m(由透日辑 電層1〇2以及第一金屬層1〇4所構成），用以形成儲存電容。 觸塾區I32貝是廣設於基板1〇〇之周圍，其内設置有堆疊之透明 導電層1〇2、第-金屬層1〇4與第二金屬層110形成接觸塾結構， 用以對外交換訊號。 請參考圖2至圖13 ’圖2至圖13為本發明一種製作液晶顯开 β松的步驟示意圖。如圖2所示，在本發明之—較佳實施例中， I先提供基板100。接著在基板100上依序全面沈積一透明導電 】1〇2以及一第一金屬層1〇4。其中，基板励可為玻璃等之透明 ”材貝弟金屬層104可以為銘、钥、絡、鶴、鋼或 201115246 上述金屬之合金材料。此外，基板100上除了上述可概分成四種 區域外（薄膜電晶體區126、晝素區128、電容區130以及接觸墊 區132)，接觸墊區132又可定義有一第一區域116、一第二區域 118、一第三區域120以及一第四區域122,第三區域12〇包含部 ， 份之第一區域116以及部份之第二區域118，第四區域122則包含 其餘之第二區域118，第四區域122係作為後續接觸墊結構之暴露 區域。 接著，進行一第一微影暨蝕刻製程(ph〇t〇_etching pr〇cess， 籲PEP)。首S ’於基板100上全面形成一第一光阻層114。接著利用 一第一光罩(未顯示)進行一第一微影製程，以於基板1〇〇上的各區 域中形成不同厚度的圖案化光阻。其中第一光罩可以是灰階光罩 (8叫1_1^]〇、半色階光罩(11此_111说)等等。如圖2所示， 晝素區128以及接觸墊區132之第二區域118所形成的第一光阻 層114最厚；而在薄膜電晶體區126中對應為閘極115之部位， 及電谷區130對應為電容電極117之部位，以及接觸墊區之 第一區域116 ’此三個區域為第一光罩之半穿透區，僅允許部份曝 釀光光線通過，因此會形成次厚之第一光阻層114 ;其餘區域則在顯 影後，完全去除第一光阻層114。 接著如圖3所示，利用不同厚度的圖案化光阻層114進行-第 一侧步驟，以移除未被第一光阻層114覆蓋之第-金屬層104 以及透明^電層1〇2。接著如圖4所示，進行一第一灰化步驟，以 非等向性縮減第-光阻層114的厚度，亦即將上述「次厚」的第 一光阻f 114去除，也就是將薄膜電晶體區126之閘極115部位， 以及電奋區13〇之電容電極117部位，以及接觸墊區说之第一 品域6上方之第光阻層114去除，而分別在薄膜電晶體區I% 201115246 上留下圖案化之透明導電層1〇2與第-金屬層1〇4以形成閘極ιΐ5 結構’在晝素區128上留下圖案化之透明導電層與第一金屬 層104,而在電容區130上留下圖案化之透明導電層搬盘第一全 屬層104以形成電容電極117結構。由於畫素區128以及接觸塾 ^區说之第二區域118其上的第一光阻層U4較厚，因此在進行 完第-灰化步驟後’此兩區域上之第—光阻層114還具有一定厚 度的殘留。 接著請參考圖5 ’於基板励上依序全面沈積一絕緣層1〇6 φ以及-半導體層1〇8。值得注意的是，由於在基板1〇〇上有第一光 阻層114’因此此-沈積步獅以低溫或室溫之成難程進行。於 本發明之較佳實施例中，半導體層的材料是使用氧化姻錯辞 (indium gallium zinc oxide，IGZ〇)，成膜的溫度可在室溫下進行， 其包括一通入氧氣以及氬氣之步驟，且氧氣之體積百分比約為5% 至10%。絕緣層108可為一單一(single>邑緣層或一複合(c〇mp〇㈣ 絕緣層，其材質可包含有氧化石夕(Si〇x)、氮化石夕(SiNy)或氮氧化石夕 (SiON)等。由於畫素區128以及第二區域118上還具有第一光阻 •層114,因此形成於此兩區的絕緣層1〇6以及半導體層1〇8會覆蓋 在第一光阻層114上。 接著請參考圖6，接著進行一第一剝離(lift_off)步驟以去除第 一光阻層114。例如以適當的清洗液去除位於畫素區128以及第二 區域118所殘留之第一光阻層114，同時也一併去除覆蓋在其上之 絕緣層106以及半導體層1〇8。然後如圖7所示，進行一餘刻步驟 以去除晝素區128之第一金屬層1〇4以形成晝素電極，以及去除 弟二區域118之第一金屬層1〇4。 如圖8所示，於基板100上全面沈積一第二金屬層110。接著 201115246 進行-第二微影暨朗製程，如圖9所示。首先，沈積一第二光 ，層124 ’亚利用—第二光罩(未顯示)進行—第二微影製程，以於 土板100上的各區域中形成不同厚度的圖案化光阻。其中第二光 ，可以是灰階絲（gray tGne mask)、半色階光罩(驗t·咖㈣ 。如圖9所示，第四區域122所形成之第二光阻層i24最厚； 而在薄膜電aa體區126巾對應為源極與汲極之區域，以及電容區 1 一30和第三區域12()僅允許部份之黃光穿透，因此會職次厚的第 -光阻層124，而其餘地區在顯影後則無第二細層124。 迎後如圖10所示’進行—第二射彳步驟，移除未被第二光阻 層m覆蓋之第二金屬層11〇,使得在薄膜電晶體區從上留下圖 案化之第二金屬層110而形成源極與祕的結構。接著如圖U所 不’進仃-第二灰化步驟，將上述「次厚」的第二光阻層124去 除，而僅留下位於第四區域122之第二光阻層124。 然後進饤-沈積步驟’以在基板1〇〇上全面形成一保護層 112 ’如目12所示’且位於第四區域122的保護層112會沈積在 殘留的第二光阻層124上。保護層112可以為氧化石夕、氮化石夕或 氮氧化矽等。 、之後進行一第二剝離步驟，如圖13所示，以去除位於第四區 ，2之第一光阻層丄24以及其上之保護層；Q2,並暴露出下方的 第二金屬層.110。這些在各接觸墊區132 _所暴露出的第二金屬層 貝J在基板100之邊緣形成接觸墊結構，用來與驅動積體電路 (driVing 1C)或軟性印刷電路版(Flexible Printed Circuit，FPC)等相電 連接以對外提供訊號的輸入以及輸出。最後再進行製備配向膜等 之製程。 。 由上述步驟，可以得到圖丨中本發明之薄膜電晶體之結構。 201115246 特別的是，本發_提供之義電㈣，其作為閘極通道的半導 體層108係由氧化銦錯鋅所組成。主要的特點有二，第一是由於 在本發明的製財法巾，係使用了繼技術來減少光罩的 使^人數，因此必須要在第一光阻層114上形成半導體層廳以 及、、’巴緣層1〇6’進而藉由剝離光阻以同時圖案化半導體層舰與絕 緣層’因此半導體層⑽的沈積溫度抑太如破壞其下的第 :光阻層114,而氧化銦鍺辞可在室溫下形成，因此相當符合本製

程以及結構之需求。另外，在本發明之製程中，除了晝素區128 以及第四區域122外，其餘地區皆有覆蓋半導體層1〇8，因此考量 到整體液晶顯示H的透光率問題，半導體層宜選用透光度高 且無光漏電情況的材料，這也是本發明以氧化銦鍺鋅作為半^體 層108材料的第二個原因。 、“上^ ’本發明所提出_種製作液晶顯示器的方法，巧妙 的運用了帛光罩、第二光罩以及剝離製程，因此僅需要兩道光 罩P可疋成¥知技術中須以五道光罩的薄膜電晶體陣列(聊 =ray) ’可大钟省製造成本以及污染微粒的影響，進*能有效提 问良率與產能。糾，彻本發明的製作過程須考制剝離製程 的進仃’以及整體透光度的問題’本發明也提出了朗氧化銦錯 鋅作為半導體層的材料’ _於本發明製程中所製作之薄膜電晶 體’可有效提升其使用品質。 以上所述鶴本發明之較佳實_，凡依本發财請專利範 圍所做之鱗變化與修飾，皆·本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之液晶顯示器之剖面結構示意圖。 201115246 圖2至圖13為本發明一種製作液晶顯示器方法的步驟示意

【主要元件符號說明】 100 基板 102 透明導電層 104 第一金屬層 106 絕緣層 108 半導體層 110 第二金屬層 112 保護層 114 第一光阻層 115 閘極 116 第一區域 117 電容電極 118 第二區域 120 第三區域 121 晝素電極 122 弟四區域 124 第二光阻層 126 薄膜電晶體區 128 晝素區 130 電容區 132 接觸塾區

Claims (1)

1. 201115246 七、申請專利範圍： 一種形成液晶顯示器的方法，包含： 提供一基板，該基板上定義有一薄膜電晶體區以及一畫素區； 在該基板上形成一透明導電層以及一第一金屬層； 進仃一第一微影暨蝕刻步驟，利用一第一光罩圖案化該第—金 屬層與該透明導電層，以在該細電晶體區上形成-閘極，在 該晝素區上形成一晝素電極； 在

   在該基板上形成一絕緣層以及一半導體層； 去除该晝素區之該絕緣層以及該半導體層； 去除該畫素d找第—金屬層； 在该基板上形成一第二金屬層； 以在該薄膜電晶體區上形成—源 進行一第二微影暨蝕刻步驟， 極以及一及極；以及 在邊基板上形成一保護層。 2. 2睛專利範圍第i項之方法，其中於該薄膜電晶體區上定 閘極區，且該第一微影暨#刻步驟包含： 於該基板上形成一第一光阻層； 步驟’利用該第-光罩使得該畫素區之該第 、b取厗，該閘極區之該第一光阻層次之； 被該第，層覆蓋之該第 爛-光阻層 3.如申請械_2項擔，咐_細之該细 12 201115246 以及該半導體層之步驟包含進行一第一剝離步驟，以去除該書 素區之該第一光阻層以及其上之該絕緣層以及該半導體層。— • 4.如申請專利細第3項的方法，其中該基板上定義有一接觸塾 該接觸塾區包含有—第—區域以及-第二區域，且該方法 還包含在該接觸墊區上形成一接觸墊。 5. ^請專利範圍第4項的方法，其中該第一微影步驟時，利用 "亥第光罩餅該第二區域與該畫素區之該第—光崎厚度大 ^目同’該第-區域與該閘極區之該第—光阻層厚度大胃致相又同。 .範圍第4項的方法，其中該第一剝離步驟時，去除 層/第了區域找第—絲層以及其上之該絕緣層以及該半導體 7. ^申請專利範圍第4項的方法，其中該第二微影暨綱步驟包 2接觸塾區上定義一第三區域以及一第四區域，盆中咳第三 以及部份之該第二區域，、該第- 域· 二:第::刻步驟’以移除未被該第二光阻層覆蓋之該第二 進仃第一灰化步驟，以移除該 使該第四區域還保有該第二光阻声。域之該第一先阻層，亚 8.==;項:方法’還包含-第二_，以去 9如由^ A 光阻層以及其上之該保護層。 .專利軸第7侧方法，其中該第二微影_刻步驟包… J3 201115246 含： 於該薄膜電晶體區上定義一汲極與一源極區； 於該f二微影步驟時，使用該第二光罩使得該汲極、該源極區 與該第三區域之該第二光阻層厚度大致相同。 ίο.如申請專利範圍第！項的方法，其中該基板上定 區，且該方法還包含在該電容區上形成—電容。 11·=請專利細第1G項的方法，其中於轉—微影暨侧步 ίΐ電容區上形成圖案化之該透明導電層以及圖案化之 s亥第一金屬層。 驟日^ 圍第1〇項的方法，其中於該第二微影暨侧步 驟時，在戎電容區上形成圖案化之該第二金屬層。 13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中 = 鋅觀incoxide)。 ^體層包含氧化銦鍺 14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該 形成。 干等體層係在-室溫下 15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該半導辦 、 含-通入氧氣以及氬氣之步驟，氧氣的體―：开:成之步驟包 1〇%。 谓百y刀比為5%至 16. —種液晶顯示器，包含： 一基板； 一閘極，設置於該基板上； 一絕緣層，設置於該閘極上； 導體層包含氧化銦 一半導體層，設置於該絕緣層上，其中該半 錯辞，以及 一源極與一汲極，設置於該半導體層上。 201115246 17. 如申π專利範圍第16項之液晶顯示器，其中該閘極包含 明導電層以及一第一金屬層。 18. 如申π專利圍第16項之液晶顯示器，還包含—晝素電極， 設置於該基板上，該晝素電極包含一透明導電層，其中該透 導電層與該汲極電性連接。 仪如申請專利_第18項之液晶顯料，其中該液晶顯示 下列步驟製得，該步驟包含： 於該基板上定義出一薄膜電晶體區以及一晝素區；

   在該基板上形成一透明導電層以及一第一金屬層； 進打-第-微影暨侧步驟，期—第_鮮_化該第 屬層與該透明導電層，以在該薄膜電晶體區上形成該間極，名 該晝素區上形成該晝素電極； 在該基板上形成一絕緣層以及一半導體層； 去除該晝素區之該絕緣層以及該半導體層； 去除該晝素區之該第一金屬層； 在該基板上形成一第二金屬層；以及 進仃第—微H侧步驟’以在簡膜電晶體區 極以及該汲極。 、成梅、 20.，申，專利範圍第19項之液晶顯示器，其中於該薄膜電晶 區上定義有1極區，且該第__微影暨綱步驟包含：曰 於該基板上形成—第一光阻層； 進行-第-微影步驟該第—光罩使得該晝素區 光阻層最厚，該_區之該第—光阻層次之； 之該第一 進订-第-軸彳步驟’以移除未被該第一 金屬層以及該透明導電層；以及 光阻層覆蓋之該第— 15 201115246 進行一第一灰化步驟，以移除該閘極區之該第一光阻層，並使 該晝素區還保有該第一光阻層。 21.如申請專利範圍第20項之液晶顯示器，其中去除該畫素區之 該絕緣層以及該半導體層之步驟包含進行一剝離步驟，以去除 該晝素區之該第一光阻層以及其上之該絕緣層以及該半導體 層0

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