TW201110338A - Imager with biased material and backside well - Google Patents

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201110338 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於用於在數位相機及其他類型之影 像擷取器件中使用之影像感測器，且更特定言之，係關於 ' 背照式影像感測器。 - 【先前技術】 電子影像感測器藉由使用將入射光轉換成電信號之光敏 性光偵測器來擷取影像。大體上將影像感測器分類為前照 式影像感測器或背照式影像感測器。隨著影像感測器工業 轉向愈來愈小之像素設計以增加解析度且降低成本，背光 照明之益處變得愈加清晰。在前照式影像感測器中，電控 制線或電導體定位於影像感測器之光偵測器與光接收側之 間。此定位之結果為：電導體阻檔了本應由光偵測器接收 之光的部分’從而導致不良之量子效率（QE)效能（尤其對 於小像素）。對於背照式影像感測器，電控制線或電導體 與感測器之光接收側相對而定位，且不會降低QE效能。 圖1為根據先前技術之具有前側偏壓及背側偏壓之NMOS 背照式影像感測器之一部分的橫截面圖。詳言之，圖1描 繪如美國專利申請公開案US 2008/0217723中所揭示之背 照式影像感測器。感測器層i 04之前側1 〇2習知地已知為感 ' 測器層104之緊鄰電路層106的側，而感測器層104之背側 108與前側1〇2相對。背側ι〇8通常塗佈有一絕緣層11〇。此 背側組態允許光112照在背侧1〇8上且由光偵測器114偵 測°在背照式影像感測器之情況下，由光偵測器u 4進行 147510.doc 201110338 之光偵測不受電路層106之金屬化層級116、閘極ιΐ8及其 他特徵影響。前側接點12Gitf保持接地，且電連接至淺p 型井122。背側接點〗24電連接至p型區126。 像素大小正在減小，以努力增加包括於一影像感測器中 之像素128的數目。較小像素之一優點為：對於一固定之 光格式而言，影像之解析度增加。具體言之，較小像素具 有一較好之調變轉移函數（MTF)，且可因此辨別一影像中 之精細細節，諸如薄條紋襯衫上之紋路。然而，在背照式 影像感測器之情況下，減小像素128之大小未必會改良 MTF效能，此係因為感測器層1〇4内靠近背側1〇8之電場係 低的。在一低電場區内產生之光生載流子可橫向地擴散。 具體§之，在室溫下，光生載流子可抵抗量值小於丨，〇〇〇 V/cm之電場而擴散的機率為顯著的。橫向地擴散之載流子 具有被鄰近像素中之光偵測器114收集的顯著機率。靠近 月側1 08之低電場區導致不良之MTF效能，且因此導致不 良之色彩串擾效能。 當將一負偏壓施加至背側接點124且將接地電壓施加至 前側接點120時，圖1之背照式η通道金屬氧化物半導體 (NMOS)影像感測器中的MTF效能可得以改良。接點124上 之負背側偏壓產生一自背側1 〇8至前側1 〇4之電場，該電場 迫使光生電子130進入至最近之光偵測器114中。以一不同 於前側ρ型井122之電壓的電壓對背側ρ型區126加偏壓需要 由一 η型區將兩個ρ型區122、126分離。兩個接點12〇、124 歐姆短路在一起而無介入之η型區。 147510.doc 201110338 如圖1中所說明，此情形導致具有額外η型植入物132之 一像素設計’從而有效地產生三井設計。在此三井設計 中’ Π+電荷轉電壓轉換機構134駐留於ρ型井122中。藉由 接點120經由其他ρ型植入物（包括ρ型植入物136、138)對淺 Ρ型井122加偏壓。 相比所解決之問題’三井設計產生更多的效能相關問 題。首先’添加三井增加了像素電晶體之佔據面積且縮小 了光偵測器114之大小，藉此減小了光偵測器容量。其 次，藉由η型光偵測器114&ns植入物132來環繞淺ρ型井 122及ρ型植入物136、138不利地影響轉移閘極n8之可製 造性。必須將p+植入物136自轉移閘極11 8拉回，以便使p + 植入物I36與感測器層之ρ磊晶層隔離。安置於p+植入 物136與轉移開極118之間作為光偵測器U4之部分的小η型 區產生凹穴（pocket)，該等凹六使延滯效能降級。第三， 在製造期間，在轉移閘極丨丨8下方且鄰近於轉移閘極丨丨8的 η植入物132、ρ型井122&ns電荷轉電壓轉換機構134之組 〇亦導致延滯效能問題。此係由於需要嚴格控制之對準。 第四，在轉移閘極118之正下方的存在一突變η_ρ·η接面之 一井區產生—高電場區，該高電場區增強亮點之產生。 【發明内容】 -種背照式影像感測器包括一感測器層，該感測器層具 有月.J側及與該前側相對之一背側。該背照式影像感測器 匕括複數個像素’纟中每一像素包括具有一第一導電類型 光偵測器，s玄光偵測器安置於該感測器層中鄰近於該 147510.doc 201110338 - 】i 、”邑緣層安置於該背側上方且一或多個接點安置 :。,緣層中。具有該第二導電類型之一背側井安置於該 感測器層中鄰近於該絕緣層。具有該第二導電類型之 多個接點植入區形成於該背側井中及該感測器層中，且： /f側井電連接至各別接點。該—或多個接點植人區可具 有高於該背側井之-摻雜物濃度的-摻雜物濃度。該等接 點植入區之至少-部分配置成對應於-或多個像素邊緣之 一形狀。 優點 本發明具有如下優點 能之背照式影像感測器 【實施方式】 :提供一種具有改良之色彩_擾效 參看以下圖式更好地理解本發明之實施例。該等圖式之 兀件未必相對於彼此而按比例調整。 除非上下文清楚地另外指示，m以下術語貫穿說明書 及申請專利範圍採用本文中明確地關聯之含義。「一」及 「「該」之含義包括複數引用，「在…中」之含義包括 「在…中」及「在…上」。術語「連接」意謂所連接項目 之間的直接電連接’或經由一或多個被動或主動中間器件 的間接連接。術語「電路」ti胃單-組件，或連接在一起 以提供所要功能之多個組件(主冑或被動)。術言吾「信號」 意謂至少一電流、電壓或資料信號。 另外，參考正描述之圖式的定向來使用諸如「在

在·.·上方」、「在…頂部」、「在…底部」 之方向術 147510.doc 201110338 語。因為本發明之實施例之組件可定位在許多不同定向 上’所=方向術語僅出於說明之目的而使用且決不為限制 的田&景> 像感測器晶圓或相應影像感測器之層使 用時，方向術語意欲被寬泛地解釋，且因此不應被解譯成 ㈣-或多個介人層或其他介人影像感測器特徵或元件的 存在因此，在本文中描述為形成於另一層上或形成於另 層上方的一給定層可藉由一或多個額外層而與該另一層 分離。 參看諸圖 相同數字貫穿該等視圖指示相同部分。 圖2為在根據本發明之一實施例中的一影像擷取器件之 簡化方塊圖。將影像擷取器件2〇〇實施為圖2中之數位相 機。熟習此項技術者將認識到，數位相機僅為可利用併有 本發明之影像感測器的影像擷取器件之一實例。其他類型 之影像擷取器件（諸如，蜂巢式電話相機、掃描器及數位 視訊攝錄影機）可供本發明使用。 在數位相機200中，來自一主場景之光2〇2輸入至一成像 台204。成像台204可包括習知元件，諸如透鏡、中性密度 濾光片、光圈及快門。光2〇2由成像台204聚焦以在影像感 測器206上形成一影像。影像感測器2〇6藉由將入射光轉換 成電信號來操取一或多個影像。數位相機2〇〇進一步包括 處理器208、記憶體210、顯示器212及一或多個額外輸入/ 輸出（I/O)元件214。雖然在圖2之實施例中展示為單獨元 件，但成像台204可與影像感測器206整合，且有可能與數 位相機200之一或多個額外元件整合，以形成一緊密相機 147510.doc -9- 201110338 模組。 處理器208可實施為（例如）微處理器、中央處理單元 (cpu)、特殊應用積體電路（ASIC)、數位信號處理器（Dsp) 或其他處理器件’或多個此等器件之組合。成像台2〇4及 影像感測器206之各種元件可由自處理器208所供應之時序 信號或其他信號控制。 s己憶體21 0可經組態為任何類型之記憶體，諸如隨機存 取記憶體（RAM)、唯讀記憶體（R〇M)、快閃記憶體、磁碟 式記憶體（disk-based memory)、抽取式記憶體，或其他類 型之儲存元件（呈任何組合形式）。一由影像感測器2〇6擷取 之給定影像可由處理器208儲存於記憶體21〇中且呈現於顯 不器212上。顯不器212通常為主動式矩陣彩色液晶顯示器 (LCD)，但可使用其他類型之顯示器。額外ι/〇元件si#可 包括（例如）各種螢幕上控制、按鈕或其他使用者介面、網 路介面或記憶卡介面。 應瞭解，圖2中所展示之數位相機可包含熟習此項技術 者所知之類型的額外或替代元件。本文中未具體展示或描 述之元件可選自此項技術中已知之元件。如先前所陳述， 本發明可實施於廣泛多種影像擷取器件中。 現參看圖3，展示在根據本發明之一實施例中的圖2中所 展示之影像感測器206的簡化方塊圖。影像感測器2〇6通常 包括形成-成像區域302之像素之—陣列。在圖3中所 展示之實施例中’每-像素_包括四個像素邊緣3〇3。植 合之像素邊緣303形成圍繞包括於一像素中之組件的一周 147510.doc 201110338 邊或邊界。如圖3中所展示，以矩形形狀來配置四個像素 邊緣303 »在根據本發明之其他實施例中，可以不同形狀 及定向來實施像素邊緣303。 影像感測器206進一步包括行解碼器3〇4、列解碼器 306、數位邏輯3〇8及類比或數位輸出電路31〇。在根據本 • 發明之一實施例中，將影像感測器206實施為一背照式互 補金屬氧化物半導體（CMOS)影像感測器。因此，將行解 碼器304、列解碼器3〇6、數位邏輯3〇8及類比或數位輸出 電路310實施為電連接至成像區域3〇2之標準cmos電子電 路0 可至少部分地以軟體形式實施與對成像區域302之取樣 與讀出以及對相應影像資料之處理相關聯的功能性，該軟 體儲存於記憶體210中且由處理器208執行（參見圖2)。取樣 與讀出電路之部分可配置於影像感測器206外部，或（例如） 與成像區域302整合地形成於具有光偵測器及成像區域之 其他元件的共同積體電路上。熟習此項技術者將認識到， 可在根據本發明之其他實施例中實施其他周邊電路組態或 架構》 圖4為說明圖3中所展示之像素3〇〇之一例示性實施的示 意圖。像素300為一非共用像素，其包括在像素邊緣3〇3内 之光谓測器402、轉移閘極404、電荷轉電壓轉換機構 406、重設電晶體4〇8及放大器電晶體41〇，放大器電晶體 410之源極連接至輸出線412。重設電晶體408及放大器電 晶體410之沒極維持在電位Vdrain 414下。重設電晶體408 147510.doc 201110338 之源極及放大器電晶體41 〇之閘極連接至電荷轉電壓轉換 機構406。 ' 在根據本發明之—實施例中κ貞測器術經組態為一 丁务' 式S電一極體(plnned ph〇t〇di〇de)，冑荷轉電壓轉換 機構彻經組態為—浮動擴散區，且放大器電晶體410經組 態為-源極隨耦器電晶體。在根據本發明之其他實施例 中，像素300可經實施有額外或不同之組件。僅藉由實例 說月在根據本發明之另一實施例中，光偵測器經組 態為一非釘紮式光偵測器。 轉移間極404用以將所收集之光生電荷自光福測器4〇2轉 移至電荷轉電料換機構彻。電荷轉電壓轉換機構彻用 以將該光生電荷轉換成一電壓信號。放大器電晶體彻緩 衝儲存於電荷轉電壓轉換機構4〇6中之該電壓信號，且放 大該電壓信號並將該電壓信號傳輸至輸出線412。重設電 晶體408用以將電荷轉電壓轉換機構4〇6重設至一已知電 位’之後進行讀出。輸出線412連接至讀出與影像處理電 路（圖中未展示）。如所展示’當使用脈衝式供電模式來讀 出影像（其涉及在讀出期間控制電位Vdrain 414)時，圖4中 之實施例不包括列選擇電晶體。 根據本發明之實施例不限於圖4中所展示之像素結構。 可在根據本發明之其他實施例中使用其他像素組態。僅藉 由實例說明，在根據本發明之實施例中，可實施四電晶^ (4T)及共用像素結構。 曰 現參看圖5，展示在根據本發明之一實施例中的—第 M7510.doc 12 201110338 背照式影像感測器之一部分的橫截面圖。該橫截面圖描繪 影像感測器502之三個例示性像素5〇〇。影像感測器502包 括一作用矽感測器層504 ’該作用矽感測器層504具有一前 側506及與該前側506相對之一背側508。絕緣層5 10安置於 背側508上方且電路層5 12鄰近於前側506，使得感測器層 * 504位於電路層512與絕緣層510之間。在所說明之實施例 中，絕緣層510由二氧化矽或另一合適之介電材料製造而 成。電路層512包括形成用於影像感測器5〇2之控制電路的 導電互連件514、516、518(諸如，閘極及連接器）。 每一像素500包括用於將入射於背側508上之光522轉換 成光生電荷524、526的一光偵測器520。光偵測器520安置 於鄰近前側506處。在所說明之實施例中，將感測器層5〇4 實施為具有p導電類型之一磊晶層，且藉由將具有p導電類 型之一或多個摻雜物植入至該磊晶層中來形成光偵測器 520 〇 轉移閘極528用以將所收集之光生電荷自一各別光偵測 益520轉移至一p導電類型之電荷轉電壓轉換機構53〇，在 所說明之實施例中，該電荷轉電壓轉換機構53〇經組態為 • 一浮動擴散區。電荷轉電壓轉換機構530駐留於具有n導電 類型之一淺井532中。 具有η型導電性之一或多個區形成於感測器層5〇4之至少 一部分中鄰近於前側5〇6且電連接至一電壓端子534,該電 ’^子534用於將该等η型區加偏廢至一預定電壓。在所說 月之實施例中，鄰近於前側5〇6之η型區包括環繞電荷轉電 J47510.doc 201110338 壓轉換機構530之淺n型井532、環繞重設及源極/隨耦器電 晶體（圖中未展示）之p+節點的淺η型井、安置於每一光偵 測器520上方之η型釘紮層536，及加襯於淺渠溝隔離（STI) 540中之η型釘紮層538。經由電壓端子534將鄰近於前側 506之η型區加偏壓至一已知電壓位準vbiasA。雖然未展示 於圖5中’但環繞每一電荷轉電壓轉換機構53〇之淺^型井 532中之每一者藉由其他η型植入區（諸如，η型釘紮層 536、538)而連續地電連接在一起。 具有η導電類型之背側井542(其在一些實施例中為一深η 型井）形成於感測器層504中鄰近於背側508，且經由η型連 接區546電連接至電壓端子544。在大多數實施例中，電壓 知子544疋位於成像陣列之邊緣處。經由電壓端子將背 側區542加偏壓至一已知電壓位準VMasB。在根據本發明 之一或多個實施例中，包括一在VbiasA 534與”心6 544 之間的接地偏壓以消除供電期間之偏壓問題。 對於一 PMOS影像感測器，VbiasB高於¥5心八，其中

VbiasB>0，VbiasA>0。此情形使得在背側井542與前側區 532 536 538之間產生-電場。此電場驅動光致電洞 朝向前側506之表面，藉此減少電串擾。以_高於前側區 532、536、538之電麼電位的電壓電位對背側井M2加偏壓 的-理想結果為：每-光偏測器52〇之空乏區548的大小增 加。 現將描述美國專利申請案2〇〇8/〇217723幻中之先前技 術NMOS組態與圖5中所說明之實施例之間的幾個差別月。，首 147510.doc -14- 201110338 先，對於NMOS組態，背側電極形成至p磊晶感測器層之一 歐姆連接，而在圖5之實施例中，背側井542形成電壓端子 544與感測器層504之ρ磊晶層之間的一反向偏壓n-p接面。 其次，對於先前技術NMOS組態，鄰近於前側之電晶體節 點必須駐留於三井（ρ層、η層、ρ層）中，從而增加像素電晶 體之佔據面積且減小光偵測器之大小。在圖5之實施例 中’歸因於使用ρ型磊晶材料來形成感測器層504，不需要 三井。第三’對於先前技術NMOS組態，STI亦駐留於三井 中’從而進一步減小光偵測器之大小’而在圖5之實施例 中，STI不需要任何井植入物。第四，對於先前技術]^]^〇8 組態’必須將p+釘紮植入物自轉移閘極拉回以便使p+植入 物與P-蟲晶層隔離’藉此使延滯效能降級。然而，在圖5 之實施例中’ n+區536自對準至轉移閘極528。第五，在先 月’J技術NMOS組態中，在轉移閘極正下方之三井區可產生 一極尚之電場區，該電場區歸因於污染及植入損害而增加 焭點之產生。圖5之實施例不產生此高電場區，此係因為 其與標準前側PMOS影像感測器使用相同之轉移閘極植入 方案，從而消除了對突變接面之需要。最後，由於圖5之 實施例中的電晶體不需要三井，因此電晶體佔用較少區 域，從而允許光偵測器較大，藉此引起較好之像素效能。 圖6為在根據本發明之一實施例中的一第二背照式影像 感測器及電偏壓式光屏蔽（electrically bias light shield) 之一部分的俯視圖。在根據本發明之一實施例中，導電材 料（諸如不透明之光屏蔽600)上覆且遮蓋相鄰像素601之 147510.doc -15· 201110338 間的像素邊緣3 03 (以虛線描繪）（在圖5、圖7、圖8中亦展示 一些像素邊緣）。此遮蓋藉由減少在像素邊緣3〇3附近產生 之光生載流子的數目而改良串擾效能。在此實施例中不 透明之光屏蔽600電連接至電壓電位VbiasB。 雖然圖6中所展示之實施例將導電材料描繪為一光屏 蔽’但根據本發明之其他實施例可以不同方式實施導電材 料。僅藉由實例說明，可將導電材料製造為一透明導電材 料。另外，導電材料不限於圖6中所展示之形狀（包括一矩 形陣列之一矩形形狀）。在根據本發明之其他實施例中， 導電材料或導電材料之至少一部分之形狀可以不同方式成 形或定向。舉例而言，在根據本發明之一或多個實施例 中，導電材料可具有對應於一或多個像素邊緣3〇3之一形 狀’諸如單一或多個垂直線或水平線、一或多個「L」形 狀’或環繞成像區域之邊緣上之像素的大的矩形。 現參看圖7,展示穿過圖6中所展示之線A_A，的橫截面 圖。除了不透明之光屏蔽6〇〇、一或多個接點植入區7〇〇及 將接點植入區700電連接至光屏蔽6〇〇的一或多個接點 以外，圖7中所展示之實施例類似於圖6中所展示之實施 例。在圖7中所展示之實施例中’接點植入區7〇〇經植入有 具有η導電類型之一或多個摻雜物。通常，接點植入區 中之摻雜物之濃度大於η型背側井542中的摻雜物濃度，以 提供與背側井542之較好電接觸。 在根據本發明之-實施例中，不透明之光屏蔽刚及接 點702由相同材料(諸如，單一金屬)形成。根據本發明之其 147510.doc -16- 201110338 他貫施例可藉由不同材料（諸如，鋁及鎢）來製造光屏蔽600 及接點702 » 第二電壓端子544及連接區542不包括於圖7之實施例 中。貫情為’經由電偏壓式光屏蔽6〇〇、導電接點7 〇2及接 點植入區700將背側井542加偏壓至已知電壓位準vbiasB。 在根據本發明之另一實施例中，電壓端子544安置於前側 5 06上且使用連接區546、井542、接點植入區7〇〇及接點 702而電連接至光屏蔽6〇〇。 如先刖所論述，在一 PMOS影像感測器中，vbiasB大於 VbiasA。此電位差使n型背側井542及n型接點植入區7〇〇與 前側η型區532、536、538之間產生一電場。此電場驅動大 多數光致電洞524、526朝向前側508之表面，從而減少電 串擾以及增加空乏區548之大小。另外，接點植入區7〇〇導 引背側井542中之光致電洞526朝向每一像素之中心。來自 光屏蔽600之邊緣電場亦有助於導引光致電洞526朝向每一 像素之中心。此導引改良了器件MTF且減少色彩串擾（尤 其對於藍光而言）。 圖8為在根據本發明之一實施例中的一第三背照式影像 感測器之一部分的橫截面圖。圖8中所展示之實施例類似 於圖7中所展示之實施例，但添加有鏈接之接點植入區 700、800。該兩個或兩個以上接點植入區7〇〇、8〇〇可較好 地導引像素邊緣303内之光致電洞。圖8亦添加了彩色濾光 片陣列（CFA)之彩色濾光片元件8〇2、8〇4、8〇6、分隔層 808及微透鏡810。微透鏡81〇將光522朝向像素812之中心 147510.doc 201110338 聚焦。此情形得到具有良好之MTF及極低之色彩_擾的 像感測器。 j 【圖式簡單說明】 圖1為根據先前技術的具有前側偏麼及背側偏麼之驗仍 背照式影像感測器之一部分的橫截面圖； :為在根據本發明之—實施例中的_影像掘取器件之 簡化方塊圖； 圖3為在根據本發明之一眚尬在丨山u 感測器咖的簡化方塊圖例中的圖2中所展示之影像 意圖圖:為說明㈣所展示之像素3。❶之-例示性實施的示 圖5為在根據本發明之一訾絲办丨丄 成測^ μ、 例中的—第一背照式影像 a 之一部分的橫截面圖； 圖6為在根據本發明之一實施 烕洌器；5 心〜 丨中的—第二背照式影像 ΙΑ 式光屏蔽之—部分的俯視圖； =過圖6中所展示之線A_A,的橫截面圖；及 圓8為在根據本發明之一實施例中 感測器之-部分的橫截面圖。 第二m像 【主要元件符號說明】 102 感測器層之前側 104 感測器層 106 電路層 108 感測器層之背側 110 絕緣層 147510.doc -18, 201110338 112 光 114 光偵測器 116 金屬化層級 118 轉移閘極 120 前側接點 122 井 124 背側接點 126 128 像素 130 電子 132 植入物 134 電荷轉電壓轉 136 植入物 138 植入物 200 影像擷取器件 202 光 204 成像台 206 影像感測器 208 處理器 210 記憶體 212 顯示器 214 其他輸入/輸出 300 像素 302 成像區域 -19- 147510.doc 201110338 303 像素邊緣 304 行解碼器 306 列解碼器 308 數位邏輯 310 類比或數位輸出電路 402 光偵測器 404 轉移閘極 406 電荷轉電壓轉換機構 408 重設電晶體 410 放大電晶體 412 輸出線 414 電位 500 像素 502 影像感測器 504 感測器層 506 感測器層之前側 508 感測器層之背側 510 絕緣層 512 電路層 514 互連件 516 互連件 518 互連'件 520 光偵測器 522 光 147510.doc -20- 201110338 524 電荷 526 電荷 528 轉移閘極 530 電荷轉電壓轉換機構 532 區 534 電壓端子 536 區 538 區 540 淺渠溝隔離 542 背側井 544 電壓端子 546 連接區 548 空乏區 600 經組態為光屏蔽之導電材料 601 像素 700 接點植入區 702 接點 800 接點植入區 802 彩色濾光片元件 804 彩色濾光片元件 806 彩色濾光片元件 808 分隔層 810 微透鏡 812 像素 147510.doc -21 -

Claims (1)

1. 201110338 七、申請專利範圍： 1. 一種背照式影像感測器，其包括複數個像素，該影像感 測器包含： 一感測器層，其具有一第一導電類型，該感測器層具 • 有一前側及與該前側相對之一背側； - 一絕緣層，其安置於該背側上方； 一或多個接點，其安置於該絕緣層中； 一背側井’其具有一第二導電類型’該背側井形成於 該感測器層中鄰近於該背側； 一或多個接點植入區’其具有該第二導電類型，該一 或多個接點植入區形成於該背側井及該感測器層中且接 觸安置於該絕緣層中之各別接點，其中每一接點植入區 具有高於該背側井之一摻雜物濃度的一摻雜物濃度，且 每一接點植入區將一各別接點電連接至該背側井；及 一導電材料，其上覆該絕緣層且具有一形狀，其中每 一接點將該導電材料電連接至一各別接點植入區，且其 中該等接點植入區之至少一部分配置成對應於一或多個 像素邊緣之一形狀。 2. 如請求項1之背照式影像感測器，其進一步包含連接至 該導電材料之一電壓端子。 ' 3.如請求項1之背照式影像感測器，其中該第—導電類型 為一P導電類型，且該第二導電類型為一η導電類型。 4.如請求項1至3中任一項之背照式影像感測器，其中該導 電材料為一不透明材料及一透明材料中之—者。 147510.doc 201110338 5.如請求項1 植入區 ,任項之背照式影像感測器，其中具有 1里之忒或多個接點植入區包含鏈接之隔離 6. —種影像擷取器件，其包含： 一影像感測器，其包含： 感測态層，其具有一第一導電類型，該感測器層 具有一則側及與該前側相對之一背側； 一絕緣層，其安置於該背側上方； 一或多個接點，其安置於該絕緣層中； 月側井’其具有—第二導電類型’該背側井形成 於該感測器層中鄰近於該背侧； -或多個接點植入區，其具有該第二導電類型，該 -或多個接點植入區形成於該背側井及該感測器層中 且接觸安置於該絕緣層中之各別接點，其中每—接點 植入區具有高於該背側井之一摻雜物濃度的一換雜物 濃度，且每一接點植入區將一各別接點電連接至該背 側井；及 :導電材料，其上覆該絕緣層且以—形狀形成，其 中每-接點將該導電材料電連接至_各別接點植入 區，且其中該等接點植入區之至少—部分配置成尉應 於一或多個像素邊緣之一形狀。 〜 7. -種背照式影像感測器’其包括複數個像素，該背照式 影像感測器包含： -感測器層’其具有一第一導電類型，該感測器層具 147510.doc 201110338 有一前側及與該前側相對之一背側； 一絕緣層，其安置於該背側上方； 複數個接點，其安置於該絕緣層中，其中-接點定位 於兩個相鄰像素之間的一邊緣處； 釀 一为側井，其具有一第二導電類型，該背側井形成於 •該感測器層中鄰近於該背側； 一或多個接點植入區，其具有該第二導電類型，該一 或夕個接點植入區形成於該背側井及該感測器層中且接 觸安置於該絕緣層中之各別接點，其中每一接點植入區 具有高於該背側井之一掺雜物濃度的一摻雜物濃度，且 每一接點植入區將各別接點電連接至該背側井；及 一導電材料，其上覆該絕緣層且具有一形狀，其中每 一接點將該導電材料電連接至一各別接點植入區，且其 中該等接點植入區之至少一部分配置成對應於一或多個 像素邊緣之一形狀。 8.如請求項7之背照式影像感測器，其進一步包含連接至 該導電材料之一電壓端子。 9，如請求項7之背照式影像感測器，其中該第一導電類型 為一 P導電類型，且該第二導電類型為一n導電類型。 10.如請求項7至9中任一項之背照式影像感測器，其中具有 第一導電類型之該一或多個接點植入區包含鏈接之隔離 植區。 11 ·如請求項7至9中任一項之背照式影像感測器，其中該導 電材料為一不透明材料及一透明材料中之一者。 I47510.doc