TW201108869A - Plasma processing system, plasma processing method and plasma detecting device - Google Patents

Description

201108869 i J r 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種製程系統、製程方法及監測裝 置，且特別是有關於一種電漿製程系統、電漿製程方法及 電漿監測裝置。 【先前技術】 在電漿製程中，針對電漿放射光進行放射光譜 (Optical Emission Spectroscopy，0ES)的監測，可以 檢測出電漿中化學活性物種的成分比例。由於放射光譜的 監測並不會對電漿造成干擾，屬於非破壞性監測方法。目 前已廣泛應用於各種電漿製程，如蝕刻製程及薄膜沉積製 程等。放射光譜的監測可用來作為製程終點監測以及製程 回授控制之訊號來源。 傳統電漿放射光譜的監測方式是利用一架設於電漿 腔體之側壁附近的光訊號接收器，透過密封在電漿腔體上 的透明視窗將電漿放射光擷取下來，再傳輸到光譜檢測儀 器來進行量測。 然而，在電漿製程進行的過程中，製程產物或副產物 多少會附著在透明視窗上而形成薄膜。而不同光波長的電 漿放射光對此一薄膜的衰減程度並不會一致。除了薄膜的 材質以外，薄膜的厚度也會影響到電漿放射光的強度。如 此，隨著電漿製程的進行，電漿放射光譜的監測將會產生 誤差。 以第1圖為例，其繪示一微晶矽薄膜沉積機台之透明 201108869 i wjHOor/λ 視窗對可見光穿透率的量測結果。第1圖之製程氣體為矽 烷（SHO及氫氣混和氣體，其流量分別為25每分鐘標準毫 升（seem)及475sccm，壓力為4陶爾（Torr )，射頻功率 頻率為40. 68兆赫兹（MHz)，功率為300瓦（W)。第1圖 中可清楚發現透明視窗上的薄膜造成對可見光的光穿透 率下降，尤其是在紫外光波長範圍更是大幅地降低。除了 不同光波長的光衰減不相同之外，製程時間/薄膜的厚度 之間的關係也並非線性。也就是說，電漿製程中電漿放射 • 光譜的監測誤差並無法經由簡單的線性關係補償修正回 來。 美國專利第US7048837號提出了一種濺鍍製程之終 點量測方法，其利用光反射通道將電漿放射光導引至反應 腔體之外。然而，電漿放射光必須在反射通道内多次反 射，其造成的衰減程度，更是難以估計。 此外，美國專利第6863772號則提出了 一種具雙量測 通道之電漿蝕刻終點量測視窗，其利用一遮光器（shutter) • 先將視窗上其中第一量測通道遮蔽起來，而使用第二量測 通道來檢測電漿放射光。當第二量測通道受到電漿產物或 副產物影響嚴重污染而無法獲得足夠的透光量時，則切換 至第一量測通道。對於蝕刻終點量測的應用來說，因為其 僅需要量測到蝕刻反應物種的光強度變化，以判斷待蝕刻 物是否已經被蝕刻完全。因此，視窗受污染只要還能量測 到足夠的放射光變化就不會有太大的影響。然而，這樣的 視窗設計並無法應用在電漿狀態的偵測或者是迴授控制 上，因為視窗的透光量會隨著污染也就是製程時間而改 201108869 1 W345CPA ’ 1 變，也就是說所量測到的電漿狀態會存在一個視窗受污染 的誤差在裡頭，且這誤差是會隨時間改變的。 另外，美國專利第6306246號也提出了 一種可增進製 程終點量測效果的雙層視窗結構，其利用注入熱空氣於雙 層視窗之間的方式，來降低製程產物或副產物附著於視窗 上的機率。然而，即使製程產物或副產物的附著量降低 了，其電漿放射光的監測仍然不準確。 【發明内容】 本發明係有關於一種電漿製程系統、電漿製程方法及 電漿監測裝置，其利用參考光線來補償電漿放射光線的量 測結果，使得電漿製程的監測更為準確。 根據本發明之一方面，提出一種電漿製程系統。電漿 製程系統包括一電漿腔體、一電漿產生裝置及一電漿監測 裝置。電漿腔體具有一第一透明視窗及一第二透明視窗。 電漿產生裝置係於電漿腔體中產生一電漿。電漿產生一電 漿放射光線。電漿監測裝置包括一光線發射單元、一光線 量測單元及一分析單元。光線發射單元係設置於第一透明 視窗側，並透過第一透明視窗射入至少一參考光線至電漿 腔體。光線量測單元係設置於第二透明視窗側，光源量測 裝置用以分別量測在沒有電漿狀況下之參考光線射出第 二透明視窗之後的一第三強度值、在電漿產生之後之電漿 放射光線的一第一強度值、以及在電漿產生之後之參考光 線射出第二透明視窗之後的一第二強度值。分析單元係依 據第三強度值以及第二強度值的差值，補償第一強度值。 201108869 •根據本發明之另一方面，提出一種電漿製程方法。電 漿製程方法包括以下步驟。提供一電漿腔體。射入一參考 光線至電漿腔體並使參考光線穿越電漿腔體。於電漿腔體 產生一電漿，電漿產生一電漿放射光線。分別量測在沒有 電漿狀況下之參考光線射出第二透明視窗之後的一第三 強度值、在電漿產生之後之電漿放射光線的一第一強度 值、以及在電漿產生之後之參考光線射出第二透明視窗之 後的一第二強度值。分析單元係依據第三強度值以及第二 _強度值的差值，補償第一強度值。 根據本發明之再一方面，提出一電漿監測裝置。電漿 監測裝置用以監控-電聚腔體及一電聚產生裝置。電聚腔 體具有-第-透明視窗及一第二透明視窗。電聚產生裝置 係於電漿腔體中產生-電漿，電漿產生一電聚放射光線。 電漿監測裝置包括-光線發射單元及一光線量測單元。光 線發射單7C係設置於第一透明視窗側，並透過第一透明視 _窗射入至少一參考光線至電漿腔體。光線量測單元係設置 於第二透明視窗侧。光源量測裝置用以分別量測在沒有電 漿狀況下之參考光線射出第二透明視窗之後的一第三強 度值、在電漿產生之後之電漿放射光線的一第一強度值、 以及在電歸生之後之參考光線射出第二透明視窗之後 的-第二強度值。分析單元係依據第三強度值以及第二強 度值的差值，補償第一強度值。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉實施 例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 201108869 【實施方式】

請參照第2圖， s兒明’實施例僅用以作為 呆護之範圍。此外，實施 ’以清楚顯示本發明之技 其繪示本發明一實施例之電漿製程系 統10 0之示意圖，以I片、士 ’、 以電感轉合式電漿源為例，電漿劁鞀丰

視由112。f 一透明視窗lu及第二透明視窗112之材質 例如疋石英。如第2圖所示，第一透明視窗ηι正對著第 一透明視窗112。第一透明視窗ηι及第二透明視窗112 之連線沒有接觸到電漿腔體11〇之内壁。 電漿產生裝置120係用以激發電漿腔體110内的製程 反應氣體，以產生一電漿121。電漿121中各物種粒子與 帶能量電子發生碰撞反應，粒子外層軌域電子會耀遷至更 面月b P白執域’當粒子外層軌域電子由高能階執域掉回低能 階軌域時’高能階執域與低能階軌域之間的能量差即會以 光子型態放射出來，此即為電漿放射光線PL。由於不同物 種粒子其能階軌域均不相同，其所放射出來的光子能量 (光波長）就會不同，可視為電漿121的指紋。因此，可藉 由量測電漿放射光線PL之光譜來判斷電漿中的反應物種 201108869 1 wjHoorrt 其成份以及電漿121之狀態。 光線發射單元131設置於第一透明視窗111側，並用 以發射出至少一特定光波長之參考光線RL。參考光線rl 係經由第一透明視窗111射入電漿腔體11〇之内，並經由 第二透明視窗112射出電漿腔體110之外。光線發射單元 131例如是包括一光源（未繪示）及一波長控制器（未繪 示）。波長控制器連接光源。波長控制器用以控制光源產 生特定光波長之參考光線。或者，光線發射單元131例 •如是包括一光源（未繪示）及一濾光器（未繪示）。濾光 器5又置於光源及第一透明視窗1 1 1之間。濾光器用以過濾 光源，以產生特定光波長之參考光線RL。或者，光線發射 單元131例如是由多個光源所組成（未繪示），以產生不同 特定光波長之數個參考光線RL。 光線量測單元132設置於第二透明視窗112側，以接 收經由第二透明視窗112射出電漿腔體11〇之外的電漿放 射光線PL及參考光線RL，並量測電漿放射光線pL及參考 光線RL的強度。光線量測單元132例如是一光譜檢測儀 刀析單元133電性連接光線量測單元1 π，用以分木 ^種光干貝料’例如是一晶片、一物體電路或儲存數組奉 式碼之儲存媒體。 、、:照第3圖’其緣示本發明—實施例之電聚製程戈 以下係以第2圖之電聚製程系統剛為例存 之嶋程方法’然而本發明所屬技細 中具有通仏識者均可瞭解本實施例之電槳製程方法並 201108869 1 wj^+ooHA * f 不侷限應用於第2圖之電漿製程系統100。 首先，在步驟S102中，提供電漿腔體110。 接著，在步驟S104中，以光線發射單元131射入參 考光線RL至電漿腔體110並使參考光線RL穿越電漿腔體 110。其中，參考光線RL之光波長與待測電漿放射光線PL 之光波長近似，且其差距大於光線量測單元132之解析度 (即以不影響到待測電漿放射光線PL的量測為原則）。若 兩光線之光波長太過接近或者是說接近到小於光線量測 單元132的光波長解析能力範圍内，將致使待測電漿放射 光線PL量測受到干擾。另者，參考光線RL之光波長的選 擇亦需落在沒有其他電漿放射光波長的範圍内，以免影響 到校正補償值得正確性。在本實施例中，所使用的光線量 測單元132之解析度例如為2 nm，而欲量測之電漿放射光 線PL的光波長例如為414 nm，且在420 nm的位置上有 另一物種電漿放射光，則參考光線RL之光波長即可選擇 在416 nm至418 nm之間。 其中，若光線發射單元131包括光源及波長控制器， 則步驟S104包括以下步驟：提供光源；以波長控制器控 制光源產生特定光波長之參考光線RL。 若光線發射單元131包括光源及濾光器，則步驟S104 包括以下步驟：提供光源；以濾光器過濾光源，以產生特 定光波長之參考光線RL。 若光線發射單元131包括數個光源，則步驟S104包 括以下步驟：提供數個光源，以產生不同特定光波長之數 個參考光線RL。 201108869 在一實施例中，參考光線RL係為一準直光線，妥善 保持光線發射單元131擺設位置以及參考光線RL入射至 電漿腔體110的角度，以維持參考光線RL穿透至第二透 明視窗112的光量。 在步驟S105中’以光線量測單元132，量測電漿ι21 產生之刖，也就是沒有電漿121的條件下，參考光線rl 射出電漿腔體110之後的一第三強度值。同時，分析單元 133將第三強度值紀錄下來。 • 接著，在步驟S106中，電漿產生裝置12〇於電漿腔 體110產生電漿121。同時，電漿121將產生電漿放射光 線PL。 然後’在步驟S108中’以光線量測單元132，分別 篁測電漿放射光線PL及參考光線此射出電漿腔體no之 後的一第一強度值及一第二強度值。 接著，在步驟S110中，分析單元133依據第三強度 ^ 值以及第二強度值的差值，補償第一強度值。 其中’在電漿未產生之前，也就是製程未開始時，第 一透明視窗111及第二透明視窗112尚未被污染前，量測 所得參考光線既具有第三強度值。接下來在電漿製程的 過程中，附著在第一、第二透明視窗m、112的製程產 物或製程副產物將會造成電漿放射光線pL以及參考光線 此的強度產生衰減。因此，在步驟S110中，分析單元133 :以依據參考光線RL之第二強度值相對第三強度值之一 衣減程度，來補償第一強度值成為一第四強度值。而由於 在電漿製程的過程中，第一透明視窗111以及第二透明視 11 201108869

i wjhoqPA > . 窗112均會受到製程產物或製程副產物的附著而造成光線 檢測強度衰減，且由於第一透明視窗丨丨丨及第二透明視窗 112放置在電漿腔體110對稱位置上，因此第一透明視窗 111及第二透明視窗112受污染所造成的衰減幅度會是一 致的。所以，分析單元133即可依據這個關係進行光量測 的補償動作。 舉例來說，當參考光線豇由第三強度值為2〇〇 a u. 衰減至第二強度值180 a. u•時，參考光線RL之衰減程度 即為20a.u·。由於參考光線RL穿越了兩層透明視窗（第φ 一透明視窗111及第二透明視窗112)，而電漿放射光線 PL僅穿越一層透明視窗（第二透明視窗112),所以參考 光線RL之衰減程度約略是電漿放射光線pL之強度的衰減 程度的一倍。因此，在步驟SU〇中，分析單元133係可 設定第一強度值之補償程度實質上等於衰減程度之一 半。也就是說，當第一強度值為1〇〇a u.時，則可將其補 償10 a.u·之誤差以成為第四強度值11〇 a u.。如此;'補 償後的第四強度值，即可正確地表示目前電聚121的能 鲁 量 經過光強度補償之後的量測結果除了可反應真實電漿 121之狀態之外。操作者亦可藉由補償後的第四強度值調 整電漿產生裝置12〇之輸入功率大小、反應氣體的流量、 混合比例或腔體氣壓大小等製程操作參數，以使電漿ΐ2ι 的狀態維持穩定，達成蝕刻以及鍍膜等製程之穩定性。 綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並 非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常:識 者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之更動 12 201108869 I 'WJHOor/x 與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範 圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖繒·示一微晶發薄膜沉積機台之視窗對可見光 範圍光穿透率量測結果； 第2圖繪示本發明一實施例之電漿製程系統之示意 圖；以及 第3圖、，.曰不本發明一實施例《電聚製程方法的流程 圖。 【主要元件符號說明】 100 :電漿製程系統 :電漿腔體 111 :第一透明視窗 112 :第二透明視窗 • 120 :電漿產生裝置 121 :電聚 130 :電漿監測裝置 131 :光線發射單元 132 ·光線量測單元 133 :分析單元 RL :參考光線 PL :電漿放射光線 13

Claims (1)

1. 201108869 1 * · 七、申請專利範圍： 1. 一種電衆製程系統，包括： 一電漿腔體，具有一第一透明視窗及一第二透明視 囪， 一電漿產生裝置，係於該電漿腔體内產生一電漿，該 電漿產生一電漿放射光線；以及 一電漿監測裝置，包括： 一光線發射單元，係設置於該第一透明視窗 側，並透過該第一透明視窗射入至少一參考光線至該電漿 腔體； 一光線量測單元，係設置於該第二透明視窗 側，該光源量測裝置用以分別量測該電漿放射光線及該參 考光線射出該第二透明視窗之後的一第一強度值及一第 二強度值；及 一分析單元，係依據該第二強度值，補償該第 一強度值。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程系統，其 中在該電漿產生之前，該參考光線之量測值為一第三強度 值，該分析單元係依據該第二強度值相對該第三強度值之 一衰減程度，補償該第一強度值成為一第四強度值。 3. 如申請專利範圍第2項所述之電漿製程系統，其 中該第四強度值相對該第一強度值之一補償程度實質上 等於該衰減程度之一半。 4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程系統，其 中該參考光線之光波長與該電漿放射光線之光波長近 201108869 1 wjHoorrt 似，且其差距大於該光線量測單元之解析度。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程系統，其 中該參考光線係為一準直光線。 6. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程系統，其 中該第一透明視窗係正對著該第二透明視窗。 7. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程系統，其 中該光線發射單元包括： 一光源；以及 * 一波長控制器，用以控制該光源產生特定光波長之該 參考光線。 8. 如申請專利範圍第1項所述之電漿製程系統，其 中該光線發射單元包括： 一光源；以及 一濾光器，用以過濾該光源，以產生特定光波長之該 參考光線。 9·如申請專利範圍第1項所述之電漿製程系統，其 _ 中該光線發射單元包括： 複數個光源，用以產生不同特定光波長之複數個參考 光線。 10. —種電漿製程方法，包括： 提供一電漿腔體； 射入一參考光線至該電漿腔體並使該參考光線穿越 該電漿腔體； 於該電漿腔體產生一電漿，該電漿產生一電漿放射光 線； 15 201108869 1 W A 腔體放射錢及财考錢射出該電聚 腔體之，的二弟一強度值及一第二強度值·以及 依據5亥弟二強度值，補償該第-強度值。 中/*料=申W專利範圍第9項所述之電漿製程方法，其 值補访生之前’該參考光線之量測值為一第三強度 二補，之該步驟係依據該第二強度值相對該第三強度值 之-衣減程度’補償該第—強度值成為—第四強度值。 苴」2:J申明專利範園第11項所述之電漿製程方法， i-補二』：該步驟卜該第四強度值相對該第-強度值 補•程度實質上等於該衰減賴之一半。 I如巾請專·圍㈣項所述之電㈣程方法， 與談雷二ί參考光線之該步驟中，該參考光線之光波長 :則：:、光線之光波長近似且其差距大於該光線量 測早7G之解析度。 ％里 盆如中請專利範圍第1G項所述之電漿製程方法， 直=射入該參考光線之該步驟中，該參考光線係為一準 ,如申料利範圍第1G項所述之電㈣程方法， 一 Τ射入該參考光線之該步驟更包括： 提供一光源；以及 控制該光源產生特定光波長之該參考光線。 16.如申請專利範圍第1〇項所述之電漿製程方法， 射入該參考光線之該步驟更包括： 提供一光源；以及 過濾該光源，以產生特定光波長之該參考光線。 201108869 • 1 vv^*toor/^ 17. 如申請專利範圍第10項所述之電漿製程方法， 其中射入該參考光線之該步驟更包括： 提供複數個光源’以產生不同特定波長之複數個參考 光線。 18. —種電漿監測裝置，用以監控一電漿腔體及一電 榮·產生裝置’ s亥電浆腔體具有一第一透明視窗及一第二透 明視窗，該電漿產生裝置係於該電漿腔體中產生一電聚， 該電漿產生一電漿放射光線，該電漿監測裝置包括： 一光線發射單元，係設置於該第一透明視窗側，並透 過该第一透明視窗射入至少一參考光線至該電漿腔體； 曰一光線量測單元，係設置於該第二透明視窗側，該光 源量測裝置用以分別量測該電漿放射光線及該參考光線 射出該第二透明視窗之後的一第一強度值及一第二強度 值；以及 & 值 分析單元，係依據該第二強度值，補償該第 19.如申請專利範圍第18項所述之電漿監測裝置， 其中在該電漿產生之前，該參考光線之量測值為一第三弱 度值，該分析單元係依據該第二強度值相對該第三強度值 之-衰減程度，補償該第—強度值成為—第四強度值。 2〇.如申明專利範圍帛19項所述之電漿監測裝置， 2該第㈣度值相賴第—強度值之—婦程度實質 上等於該农減程度之一半。 、 21·如申請專利範圍第18項所述之電裝監測裝置， 、中該參考光狀紐長與該電漿放射光線之光波長近 17 201108869 I t > 似且其差距大於該光線量測單元之解析度。 22. 如申請專利範圍第18項所述之電漿監測裝置， -中該參考光線係為一準直光線。 23. 如申請專利範圍第18項所述之電漿監測裝置， 其中s亥光線發射單元包括： 一光源；以及 一波長控制器，用以控制該光源產生特定光波長之該 參考光線。 24. 如申请專利範圍第18項所述之電漿監測裝置， 其中該光線發射單元包括： 一光源；以及 一濾光器，用以過濾該光源，以產生特定光波長之該 參考光線。 25. 如申請專利範圍第18項所述之電漿製程敦置， 其中該光線發射單元包括： 複數個光源，用以產生不同特定波長之複數個參考光 線0