TW201108453A - Method of manufacturing a semiconductor device module, semiconductor device connecting device, semiconductor device module manufacturing device, semiconductor device module - Google Patents

Description

201108453 、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例係關於半導體裝置模組’例如太陽能 電池模組。其特別是關於製造一半導體裝置模組之方 法、一半導體裝置連接裝置、一半導體裝置模組製造裝 置及一半導體裝置模組。 【先前技術】 半導體裝置在多種產業領域具有許多功能，其包含， 但不以此為限，電子裝置之製造’例如電晶體，和光伏 電池之製造，例如太陽能電池。個別的光伏電池例如用 於提供小型裝置動力’例如電子計算機。光伏陣列係用 於例如偏遠地區電力系統、地球軌道衛星與太空探測 器、运程無線電話和抽水應用。 包含一 p-n接面之太陽能電池的操作原理可粗略描述 如下。該太陽能電池吸收光及因吸收光能而產生電子/電 洞電荷對。藉由接面電場與擴散而引起之漂移，導致該 電子朝接面之η層側移動，該電洞朝p層側移動。 就太陽能電池之生產而言，係可應用所謂的塊材技術 或薄膜技術，前者採用主體半導體晶圓（bulk semiconductor wafer)，後者則形成薄膜太陽能電池。薄 膜太陽能電池模組可利用基板技術或覆板技術來製造。 玻璃矽薄膜模組係出自該覆板型式，其中該主動層係經 201108453 沉積在例如-玻璃/透明導電氧化物（tc〇)基板上，尤其 是在覆蓋-透明導電氧化物層之一玻璃基板上。'、 薄膜太陽能電池模組的内連線架構係典型的藉由三個 個別的雷射步料例如如第丨圖之實例所示。在 -第-雷射步驟P1中’一形成在一玻璃板i上之—前觸 點2(例如—透明導電氧化物層）係、利用由前觸點側12穿 過該玻璃板1之一雷射將其圖案化。藉此，該前觸點係 可被分離。隨後’沉積—主動妙層3(如非晶师，、非 晶矽/微晶矽（με-Si)争聯堆疊），及在一第二雷射步驟Μ 中，由該前觸點側12使用一雷射再次將其圖案化。藉 此，該主動矽層係經打開作為相鄰太陽能電池之—後^ 内連接。接著’另-層或層堆疊(如包含透明導電氧化物 及/或金屬層）係經沉積成所謂的背觸點4，並填充該P2 圖案。如此將產生-太陽能電池的該背觸點與—相鄰太 陽能電池的該前觸點之該内連線。最後，在第三雷射步 驟P3中，從該前觸點側12將該背觸點圖案化（在某些實 例中，該主動層3也一起被圖案化）。藉此，該背觸點係 可被隔離。如此程序將產生複數個沉積在該玻璃板上之 太％能電池’例如切入電池條帶，並彼此串聯連接◊對 於該太陽能電池之内連線來說，該第二雷射步驟係提供 介於該前觸點與該背觸點間的連接，且因此對形成該串 聯連接來說至關重要。 【發明内容】 201108453 •蓉於上述，係提供根據中請專利範圍第i項之製造〜 半導體裝置模組的方法、根射請專利範圍第η項之— 半導體裝置連料置、根據中請專利範圍帛15項之= 導體裝置模組製造裝置、以及根據中請專利範圍第 之—半導體裝置模組。 ^ 在實施例中，係提供製造包含η個半導體裝置 半導體裝置模組的一方法，ι 乃古，η為g 2之一整數，該方法 包含：提供塗覆一第—接觸層之一基板的—步驟、以及 選自下列之至少一步驟：在該第-接觸層上形成-半導 體層和在該半導體層上形成一第二接觸層；其中該方法 包含-步驟：藉由在該半導體層之—材料中形成η ΐ個 導電路徑來連接η個半導體裝置，以形成該第一接觸層 與該第二接觸層之一連接β θ 根據另一實施例，係提供一用於製造一半導體裝置模 組的一半導體裝置連接裝置，該半導體裝置模組係包含 η個半導體裝置且包含一塗覆有一第一接觸層之一基 板、位於該第一接觸層上之一半導體層與位於該半導體 層上之一第二接觸層、和位於該半導體層之一材料中來 連接η個半導體裝置的η_ι個導電路徑，之一整 數；該半導體裝置連接裝置係包含：一第一觸點與第二 觸點連接裝置，其用以執行一步驟：藉由在該半導體層 之一材料中形成η-1個導電路徑來連接^個半導體裝 置’以形成該第一接觸層與該第二接觸層之一連接。 在一實施例中，係提供用於製造一半導體裝置模組的 201108453 一半導體裝置模組製造裝置，其係包含一用於製造一半 導體裝置模組的一半導體裝置連接裝置；該半導體裝置 模組係包含：η個半導體裝置且包含塗覆有一第一接觸 層之—基板、位於該第一接觸層上之一半導體層與位於 該半導體層上之一第二接觸層、和位於該半導體層之一 材料中來連接π個半導體裝置的η-1個導電路徑，η為之2 之一整數；該半導體裝置連接裝置係包含一第一觸點與 第二觸點連接裝置，其用以執行一步驟：藉由在該半導 體層之一材料中形成η-1個導電路徑來連接η個半導體 震置’以形成該第一接觸層與該第二接觸層之連接。 在另一實施例中，係提供可由製造包含η個半導體裝 置之一半導體裝置模組的方法所獲得之一半導體裝置模 組該半導體裝置模組係，η為^ 2之一整數，該方法係包 含：提供塗覆一第一接觸層之一基板的步驟、以及選自 下列之至少一步驟：在該第一接觸層上形成一半導體層 和在該半導體層上形成一第二接觸層；其中該方法係包 含—步驟：藉由在該半導體層之一材料中形成n_i個導 電路徑來連接n個半導體裝置，以形成該第一接觸層與 該第二接觸層之一連接。 其他特徵和細節在參閱申請專利範圍附屬項、說明書 和圖式後將變得更明顯易懂。 本發明之實施例亦關於用來實行所揭露之方法的設備 且包含用於進行所述各方法步驟的設備零件。另外，本 發明之實施例亦與藉以操作所述設備或製造所述設備的 201108453 能或製造設備零件 體部件、勤體、軟 任〜組合或以任何 方法有關。其包含用於執行設備之功 的方法步驟。該方法步驟係可藉由硬 體、藉由適當軟體程式化之電腦、其 其他方式執行。 【實施方式】 現將詳細參閱各實施例，其-或多個實例係經繪示於 圖式中。每-實例僅提供作為說明之用，而非意圖限制 本發明。 在不限定本篇發明之範鳴下，以下製造半導體裝置模 ..且之方法纟導體裝置連接裝置和半導體裝置模組製造 裝置的實例和實施例將參照薄膜太陽能電池模組之製造 與内連接來說明。在此所述實施例的其他典型應用例如 為太陽能晶圓製造、半導體裝置生產、及顯示器生產， 例如液晶顯示器（LCD)、薄膜電晶體（TFT)顯示器、有機 發光二極體（OLED)。 在下列各圖中，相同的元件符號表示相同的部件。大 致上來說，只描述個別實施例相異之處。在此所述之實 施例中，「基板」可指一剛性或一彈性基板，例如剛硬板 或彈性腹板（flexib丨e web)。 根據一實施例，製造包含η個半導體裝置之一半導體 裝置模組的一方法（η為22之一整數）係包含：提供塗覆 一第一接觸層之一基板的步驟、以及選自下列之至少一 201108453 步驟：在該第一接觸層上形成一半導體層和在一或該半 導體層上形成一第二接觸層；其中該方法包含一步驟： 藉由在該半導體層之一材料中形成n-l個導電路徑來連 接η個半導體裝置，以形成該第一接觸層與該第二接觸 層之連接。在一些實施例中，該導電路徑係可形成在該 半導體層中。在另外的實施例中，其可藉由在此所述任 何其他實施例來合併之，該導電路徑可藉由改良該半導 體層材料而形成。在其他實施例中，其可藉由在此所述 任何其他實施例來合併之，該導電路徑可藉由改良在該 導電路經區域的該半導體層材料而形成。 在一實施例中，係提供製造包含η個半導體裝置之一 半導體裝置模組的一方法，η為之一整數，該方法係 包含：提供塗覆有一第一接觸層之一基板、具有形成在 該第一接觸層上之一半導體層、和具有形成在該半導體 層上之一第二接觸層，以及藉由在該半導體層中形成η。 個導電路#來連接n個半導體裝置，以連接該第一接觸 層與該第二接觸層》 根據—另一實施例，係提供製造包含n個半導體裝j 之—半導體裝置模組的一方法，11為^2之一整數，該2 法係包含：提供塗覆-第一接觸層之一基板、在該第: 接觸層上沉積-半導體層、在該半導體層上沉積一第： 接觸層，然後藉由在該半導體層中形& n-1個導電路々 來連接η個半導體裝置’以連接該第一接觸層與該第二 接觸層。 201108453 根據又一貫施例，係提供用於製造_半導體裝置模組 的一半導體裝置連接裝置，該半導體裝置模組係包含：n 個半導體裝置且包含塗覆有一第一接觸層之一基板、位 於該第一接觸層上之一半導體層與位於該半導體層上之 一第二接觸層、和位於該半導體層之一材料中用來連接 η個半導體裝置的n-1個導電路徑，η為^2之一整數； 該半導體裝置連接裝置係包含：一第一觸點與第二觸點 連接裝置’其用以執行一步驟：藉由在該半導體層之一 材料中形成η-1個導電路徑用來連接η個半導體裝置， 以形成該第一接觸層與該第二接觸層之一連接。該半導 體裝置模組係可為一太陽能電池模組。在一實施例中， 用於製造一半導體裝置模組的一半導體裝置模組製造裝 置係包含：根據在此所述任何實施例之該半導體裝置連 接裝置。在一些實施例中，其可藉由在此所述任何其他 實施例來合併之’該半導體裝置連接裝置及/或該半導體 裝置模組製造裝置係包含：複數個設備，例如腔室。至 少一個該設備係可只用以執行製造一半導體裝置模組之 一方法的一步驟。舉例來說，一個該設備可包含該第一 觸點與第二觸點連接裝置。因此，藉由在該半導體層中 形成η-1個導電路徑以連接該第一接觸層與該第二接觸 層的該步驟係可由製造一半導體裝置模組之該方法的其 他步驟中獨立出來執行。 根據其他實施例，係提供用於製造一半導體裝置模組 的一半導體裝置連接裝置，該半導體裝置模組包含：η 10 201108453 個半導體裝置且包含塗覆有_第—接觸層之—基板、位 於該第接觸層上之一半導體層與位於該半導體層上之 -第二接觸層、和位於該半導體層中用來連接。個半導 體裝置的η]個導電路徑m2之一整數；該半導體 裝置連接裳置係白^ _ '、3 . 一第一觸點與第二觸點連接裝 置’其用以執行-步驟：在形成該第二接觸層後，藉由 在該半導體層中形纟n-H固導電路徑用以連接該第一接 觸層,、該第—接觸層。舉例來說，實施例之該半導體裝 置連接裝置係可用以執行在此所述任何方法之實施例。 在一些實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例 來合併之，該半導體裝置係為選自下列之至少一元件： 太陽能電池、薄膜太陽能電池、基板型薄膜太陽能電池 和覆板型薄膜太陽能電池。在一些實施例中，其可藉由 在此所述任何其他實施例來合併之，該基板為一透明基 板’該基板為一玻璃基板’該半導體層為一太陽能電池 的一主動層，該第一接觸層為一前接觸層，及/或該第二 接觸層為一背接觸層。 在一另一實施例中，係提供製造包含η個太陽能電池 之一太陽能電池模組的一方法，η為2 2之一整數，該方 法係包含：提供塗覆有一第一接觸層之一基板、具有形 成在該第一接觸層上之一主動層和具有形成於該主動層 上之一第二接觸層；以及藉由在該主動層中形成η-1個 導電路徑來連接η個太陽能電池，以連接該第一接觸廣 與該第二接觸層。此方法之一實例係顯示於第2a圖中。 201108453 在一些實施例中，提供塗覆有一第一接觸層之一基板、 形成於该第一接觸層上之一主動層和形成於該主動層上 之一第二接觸層的步驟係包含：提供塗覆一第一接觸層 之一基板、在該第一接觸層上沉積一主動層、在該主動 層上沉積一第二接觸層。 在一實施例中，係提供製造包含η個太陽能電池之— 太陽能電池模組的一方法，η為^2之一整數，該方法係 包含：提供塗覆一第一接觸層之一基板、在該第一接觸 層上沉積一主動層、在該主動層上沉積一第二接觸層， 以及然後藉由在該主動層中形成η_ 1個導電路徑用來連 接η個太陽能電池，以連接該第一接觸層與該第二接觸 層。此方法之一實例係顯示於第2b圖中。提供塗覆一第 一接觸層之一基板的步驟係可包含：提供一基板以及在 該基板上沉積一第一接觸層。 在一些實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例 來合併之，該基板可為玻璃基板，及/或該半導體層或該 主動層可為矽層。另外，該第一接觸層及/或第二接觸層 可為透明的，及/或包含或由一透明導電氧化物（TC〇)所 組成。再者，該第一接觸層可為一前接觸層且該第二接 觸層可為一背接觸層，例如對應一覆板結構。 又—實施例為用於製造一太陽能電池模組的一太陽能 電池模組製造裝置’該太陽能電池模組係包含：η個太 陽能電池且包含塗覆有一第一接觸層之一玻璃基板、位 於該第一接觸層上之一主動層與位於該主動層上之一第 [Si 12 201108453 二接觸層、和位於該主動層中用來連接η個太陽能電池 的η-1個導電路徑，η為22之一整數；該太陽能電池模 組製造裝置係包含··一第一觸點與第二觸點連接裝置， 其用以執行一步驟：在形成該第二接觸層後，藉由在該 主動層中形成η-1個導電路徑以連接該第一接觸層與該 第二接觸層，例如根據在此所述任何實施例之方法。 在此所述之實施例係允許形成一模組之相鄰半導體裝 置之一串聯連接，例如在形成或沉積最後形成之接觸層 後、而非在之前，在相鄰薄膜太陽能電池的該前觸點與 s玄背觸點之間形成一連接。舉例來說，當製造一覆板型 薄膜太陽能電池時，可在形成或沉積該背接觸層後 '而 非在該背接觸層沉積前，形成兩個相鄰太陽能電池之該 前觸點與該背觸點間的該串聯連接。此表示可省略該半 導體層（如矽太陽能電池的主動矽層）的圖案化。並非如 第1圖所示，在該第二雷射步驟Ρ2中藉由移除該半導體 層而形成一溝槽、以及接著以該第二接觸層填充該溝 槽，在第二觸點沉積後，藉由提供一導電路徑來形成該 第一與第二觸點間的連接。係可藉由處理該半導體声、 該第一接觸層及/或該第二接觸層的成分來達成。如此， 可縮短製造一半導體模組（如薄膜太陽能電池模組）的該 總體製程時間，以及進而降低該製造成本。另外，可改 善該模組之該第一與第二觸點内連線和該前觸點隔離及 /或該背觸點隔離結構的對準。此可減少所謂的遮蔽區 (dead area)損失，因而改善該模組性能。 201108453 根據另外的實施例，並非如第丨圖所示，在該第二雷 射步驟P2中’藉由移除該半導體層而形成一溝槽、接著 以該第二接觸層填充該溝槽，在第二觸點沉積前θ，藉由 在該半導體層之-材料中提供—導電路徑（在此亦認為 在該半導體層中提供一導電路徑）來形成該第一與該第 二觸點間的連接，。係可藉由處理該半導體層及/或該第 一接觸層的成分來達成。此表示可省略半導體層（如矽太 陽能電池的主動石夕層）的圖案化。 根據在此所述任何實施例，該導電路徑係可藉選擇性 處理（如加熱）下列之至少其一者來形成：該第一接觸 層、該半導體層與該第二接觸層，例如藉由曝照輻射如 紅外線（IR)、紫外線（UV)'雷射、電磁輻射、或曝照粒 子束、或藉由感應加熱。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該導電路徑是藉由雷射處理來形成。舉例來說， 視該第一搔觸層、該半導體層與該第二接觸層至少其一 的材料而定，來選擇一適當的雷射光波長，讓雷射光被 該第一接觸層、該半導體層與該第二接觸層的至少其一 吸收。藉此’該等層的至少其一之選擇性雷射處理係可 達成’例如只在該半導體層中。此外，可選擇及/或改變 該層及/或該雷射光的其他性質，用以獲得一或多個該層 之預期雷射處理，以形成該導電路徑。如此之設定與性 質之實例為：層厚度、雷射功率、雷射種類、脈波模、 脈衝序列、脈衝重疊和脈衝長度。 201108453 並且，根據實施例，該導電路徑可藉由選自下列之至 少-製程來形成：熔融該等層之至少一層、混合該等層 之至少—層、反應料層之至少—層的成分、活化該等 層之至少^的至少一成分、擴散該等層之至少一層的 成分、及部分移除該等層之至少―層，該等層係為選自 下列之至少H該第1觸層、該半導體層和該第 二接觸層。該㈣、混合'反應、活化及擴散係可選擇 性執行，例如限制在該第一與第二觸點間形成内連線的 區域、及/或限制在某些層及/或層的某些成分。 當形成該導電路徑時，—或所有層（亦即該第二接觸 層、該半導體層與該第一接觸層的至少其令之-層）係可 至少部分炫融在或靠近形成該第—與第二觸點之内連線 :置處。如此’該熔融成分或材料係可混合用以形成一 導電路徑。或者或此外，可藉由擴散個別層之成分，例 如原子或分子’以於該第-與第二觸點之預定内連線位 置或附近處混合該等層所包含之成分或材料而不需熔 以該等層。當利用-雷射處理來形成該導電路徑時，則 該擴散製程係稱為雷射燒結（】aser firing)。 !來說該第—接觸層及/或該第—接觸層的金屬原 :及/或導電氧化物成分係可混合或擴散到該半導體層 ，以於該半導體層之材料中形成該第—接觸層與該第 :接觸層間的導電路徑。舉例來說，藉由使紹(A1)從該 ::接觸層擴散到該半導體層，可於該半導體層中形成 、、糸（flUment)。在其他實例中，摻雜之半導體層區 15 201108453 域，例如鋁摻雜之矽區域，其在周遭溫度下是導電的， 係可形成於該半導體·層中做為導電路徑。或者，只有該 半導體層的成分係經處理形成該導電路徑，例如藉由反 應及/或活化。舉例來說，包含鎘（Cd)與碲（Te)或鎵（Ga) 與砷（As)和鋁之該半導體層前驅物可經處理形成具有鋁 導電路徑之蹄化録（CdTe)或畔化鎵（GaAs)半導體層。另 外，一導電氧化物係可形成於該半導體層中做為一導電 路徑’例如藉由混合或擴散及/或反應/活化該半導體層及 /或某些相鄰層的成分。舉例來說，氧化辞（Zn〇)或鋅（Zn) 與氧（〇)係可擴散到一半導體層中，其包含銦（In)，故可 在該半導體層中建立錮摻雜之氧化鋅區域，其是導電 的°或者’使各層互混、相互擴散及/或反應也可形成包 含或由一導電金屬有機化合物所組成的導電路徑。 在一實例中，一非晶矽（Si)半導體層的矽材料係可與鋁 反應’其從該第二接觸層擴散到該半導體層。藉此，例 如導電叙區域、導電鋁橋、所謂的導電鋁絲 '導電鋁氧 化物尖峰、導電矽尖峰、鋁摻雜之矽及/或導電結晶矽區 域係可於該半導體層中形成。藉由在該半導體層中建立 此導電區域，係可形成在此所述實施例之該導電路徑。 另外，形成該導電路徑之步驟係可增加或納入部分移 除一些該等層之一附加步驟。根據一實施例之實例，在 形成該導電路徑前，可藉由例如雷射處理（如蒸發或剝 離）’在該第一與第二觸點之預定内連線位置上移除部分 該第二接觸層。接著，該半導體層、該第一接觸層及/或 201108453 層之一材料中形成 接觸層之一部分係 在一實例中，該導 部分的雷射處理期 該第二接觸層係經處理而在該半導體 該導電路徑。隨後，未移除之該第二 可熔融而覆蓋該已形成之導電路徑。 電路徑係可於移除該第二接觸層之— 間形成。 在其它實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例 來合併之，該第-接觸層係可為—層或層狀疊積，並中 至少—層係包含選自下列之至少—元素：透明導電氧化 物和諸如銅（Cu)或銀（Ag)之-金屬。舉例來說，當該半 導體裝置係以一覆板構造來形成時，該第一接觸層係可 由透明導電氧化物所組成。再者，在一些實施例中，其 可藉由在此所述任何其他實施例來合併之，該半導體層 係可為-層或層狀疊積，其中至少一層係包含選自下列 之至少一元素：非晶矽（a_Si)、微晶矽（_si)和非晶矽/ 微晶砂堆疊。在其他實施射，其可藉由在此所述任何 其他實施例來合併之，該第二接觸層係可為一層或層狀 且積’其中至> -層係包含由選自下列之至少—元素： 透明導電氧化物和諸如銅、鋁或銀之金屬。 在-些實施例中，選自下列之至少一層係包含一透明 導電氧化物：該第—接觸層和該第二接觸層。透明導電 氧化物之實例係為銦錫氧化物（IT〇)、氧化鋅與氧化錫 (Sn〇)。 在-些實施例中，該第一接觸層係包含至少—透明導 電氧化物’該第二接觸層係包含選自下列之至少一材 17 201108453 料：一透明導電氧化物或諸如鋁或銀之一金屬，及/或該 半導體層係包含選自下列之至少一材料：石夕（Si)、非晶石夕 (a-Si)、微晶梦（pc-Si)、神化鎵（GaAs) '碑化録（CdTe)和 銅姻场（C u I n S e )。 在一些實施例中，至少一雷射處理是由選自下列之至 少一側來執行：該第一觸點側和該第二觸點側》舉例來 說，該雷射處理係可從塗覆該第一接觸層、該半導體層 與該第二接觸層之堆疊之該基板的第一觸點側及/或從 第二觸點側進行《例如，該雷射處理係個別地穿過該基 板和該基板與第一接觸層之堆疊、或穿過該第二接觸層 來傳導。在一實例中’藉由從基板/接觸層堆疊之兩側之 雷射輕射來處理一半導體裝置模組之前驅物。 根據一些實施例’該方法更包含選自下列之至少一步 驟•在提供塗覆該第一接觸層之該基板的該步驟之後， 於《亥第接觸層中形成π-1個第一溝槽、以一絕緣材料 填充該第一溝槽、或在沉積該半導體層的步驟期間，以 該半導體層填充該第—溝槽；於該第二接觸層中形成W 個第二溝槽；於該半導體I中形A n-1個第二溝槽；以 及於該第二接觸層及/或該半導體層中形成η-1個第二溝 槽’以隔開相鄰半導體裝置。形Α η·1#第二溝槽之步 驟：在連接該第一接觸層與該第二接觸層之步驟之後或 •J執行$夕卜，選自下列至少兩個步驟係可同時執行. 連接該第-接觸層與該第二接觸層、形成該第一溝槽： 於第二接觸層中形成該第二溝槽、於該半導體層中形成 18 201108453 該第二溝槽、及於該第二接觸層及/或該半導體層中形成 該第二溝槽。在―些實施例中，該第一溝槽係延伸貫穿 該第一接觸層而至該基板。在其另外的實施例中，該第 二溝槽係延伸貫穿該第二接觸層和該半導體層而至該第 一接觸層。 在-實施例中，在藉由處理該第二接觸層、該第一接 觸層及/或該半導體層以形成該導電路徑之期間，該導電 路徑之界面係變得可導電。舉例來說，該第二接觸層盘 該半導體層的材㈣m並且該第二接觸層之材料 係經混雜到該半導體居φ，& + & , & & 守媸層中而在該半導體層中形成該第 一接觸層t材料區域。藉此，可於兩種不同材料的界 面或接觸區域上形成導電區域，進而產生一導電路徑。 根據在此所述實施例之一方法中，選自下列之至少一 步驟係藉由雷射處理來執行：形成該第一溝槽連接該 第-接觸層與該第二接觸層、於該第二接觸層中形成該 第二溝槽、於該半導體層中形成該第二溝槽、及於該第 二接觸層及/或該半導體層中形成該第二溝槽。至少一雷 射處理係由該第-觸點側及/或從該第二觸點側來執行。 根據-實施例之實例’如第3a圖所示，一薄膜太陽能 電池模組的該内連線架構係藉由第3b圖所示方法中的 三個雷射步驟所形成。在—第一雷射步驟ρι中如同一 第接觸層，一前接觸層2〇(其為透明導電氧化物層如 氧化錫或氧化鋅，且形成在一玻璃板⑺上當作一基板） 利用-雷射從-前觸點側12(即穿過玻璃板摩其線性 19 201108453 圖案化。該雷射具有例如1064奈米（nm)之一波長設定、 重疊單雷射點、和介於10千赫（kHz)與〗5 〇千赫間之一 脈衝頻率。藉此，該個別太陽能電池的前觸點係可被隔 離。其次，如同一半導體層’一主動矽層30(其實質上由 非晶形碎（a-Si)所組成）係沉積在該前接觸層上。接著， 在本實例令，在該主動矽層3〇上沉積一氧化鋅、鋁、鎳 釩（NiV)層系統作為所謂的背觸點4〇。接著，在一雷射步 驟P3中’從該前觸點側12(即穿過該玻璃板ι〇)將該背 接觸層40和該主動層3〇 一起線性圖案化。因此’藉由 在該背接觸層40與該主動層3〇中形成線性溝槽45，可 隔離個別太陽能電池的該背觸點。對於該太陽能電池的 内連接來說，從一背觸點側丨4所執行之另一雷射步驟 P20係提供介於該前觸點2〇與該背觸點4〇間的該連接。 其係導致該主動層30與該背接觸層4〇在此位置進行熔 融及互混，在該位置上（在本實例中係為每一線）相鄰太 陽能電池之該前觸點與該背觸點之間係形成該内連線。 如此，將在該主動矽層中形成包含氧化鋅、鋁、鎳釩之 線性導電路徑50，該線性導電路徑5〇將從一太陽能電 池之該前觸點延伸到一相鄰太陽能電池之該背觸點而作 為一内連線。此製程將產生複數個沉積於該玻璃板上之 太陽能電池、切入電池條帶，並藉由複數個導電路徑將 彼此串聯連接。根據此實施例之實例的變化例，在該雷 射步驟P3中，不需圖案化該主動層3〇,即可圖案化該 20 201108453 根據另一貫施例實例，如第3a 雷妯回所不，-溥膜太陽能 電池模組的該内連線架構是藉由第 一 半外圖所不方法中的 二個雷射步驟所形成。在一第一雷射步驟ρι中如同_ 第:：觸層，一前接觸層20(其為一透明導電氧化物層， 辞，並且形成在一玻料10上作為-基板)係 =-雷射從—前觸點側12(即穿過麵板1G)將其線性圖 案化。該雷射具有例如1G64nm之—波長設I重疊單 雷射點、和介於10千赫與150千赫間之一脈衝頻率。藉 此’該個別太陽能電池的該前觸點係可被隔離。其次， 如同-半導體層，-主動石夕層30(其實質上由非晶形石夕所 組成）係經沉積在該前接觸層上。接著，在本實例中，在 該主動石夕層30h冗積一紹金屬I，作為所謂的該背觸點 4〇。接著’在雷射步驟P3中，從該前觸點側12(即穿過 該玻璃板10)將該背接觸層40和該主動層3〇 一起線性圖 案化。因此，藉由在該背接觸層40與該主動層3〇中形 成線性溝槽45，係可隔離個別太陽能電池的該背觸點。 對於該太陽能電池的内連接來說，從一背觸點側14所執 行之另一雷射步驟P20係提供介於該前觸點20與該背觸 點40間的該連接。在該位置上（在此實例中係為每一線） 係導致該背接觸層40擴散到該主動層30 _，並在此位 置相鄰太陽能電池之該前觸點與該背觸點間係形成該内 連線。如此’在主動矽層中係形成包含鋁之線性導電路 控50 ’其從一太陽能電池之該前觸點延伸到一相鄰太陽 能電池之該背觸點而作為一内連線。此製程將產生在該 21

I 201108453 刀入電池條帶，及藉 °根據此實施例之實 不需圖案化該主動層 玻璃板上沉積複數個太陽能電池、 由複數個導電路徑將彼此串聯連接 例的變化例，在該雷射步驟p3中， 30，即可圖案化該背接觸層40。 根據實施例，係可形成除藉由雷射步 &^ 耵，驟所形成之線性 圖案或線性導電路徑以外的其它圖宏 系在一些實施例 中，其可藉由在此所述任何其他實施例來合併之，選擇 下列之至少一元件係具有線性形式或點狀形式：藉由至 少一雷射步驟和至少一導電路徑所形成之圖案。" 根據一些實施例，其可藉由在此所述任何其他實施例 來合併之，選自下列之至少一元件係形成相互平行該 導電路徑、該第一溝槽和該第二溝槽。 根據一實施例，至少下列該等步驟係可同時執行，或 至少在相同工具（例如在此所述實施例之一第一觸點與 第二觸點連接裝置）中執行，該等步驟為：連接該第一接 觸層與該第二接觸層、和於該第二接觸層及/或該半導體 層中形成該第二溝槽。根據—實施例，至少以下該等步 驟係可同時執行，或至少在同一工具（例如在此所述實施 例之一第一觸點與第二觸點連接裝置）中執行，該等步驟 為：連接該第一接觸層與該第二接觸層、和於該第二接 觸層中形成該第二溝槽。 根據又一實施例之實例，如第“圖所示，一薄膜太陽 能電池模組的該内連線架構是藉由第4b圖所示方法令 的兩個個別雷射步驟所形成，在一第一雷射步驟Pl中， 22 201108453 該前透明導電氧化物層接觸層20(在此實例中，其為氧化 鋅層且形成在一玻璃板10上作為一基板）係經一雷射從 該前觸點側12將其圖案化。藉此，該前觸點係可被隔 離。接著’如同一半導體層，該主動矽層30(在本實例中， 其為一非晶石夕/微晶石夕堆疊3 1、3 2 )係經沉積在該前接觸 層20上。另一層狀疊積（在本實例中，其包含一氧化鋅 層41和一銀、鎳釩層狀疊積42)係經沉積在該主動矽層 30上作為該背接觸層40，。最後，從該基板/層狀疊積 之該前觸點側12所執行之第三雷射步驟p3〇中，將該背 接觸層40和該主動層30 —起圖案化並處理之。如此， 該溝槽45係形成在該背接觸層40與該主動層3〇中，以 隔離個別太陽能電池的該背觸點。同時地，在雷射步驟 P30期間’該前透明導電氧化物接觸層2〇的成分係擴散 到該主動層30的該層31、32中，在該位置係形成該内 連線。因此’該導電路徑50係經形成。此製程將產生沉 積於該玻璃板上之複數個太陽能電池，並彼此串聯連接。 在其他實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例 來口併之’該導電路徑50係包含選自下列之至少一材料 來形成：一導電混合物、一導電合金、一導電反應生成 物或一導電擴散生成物。 根據其他實施例，係提供用於製造一半導體裝置模組 的一半導體裝置連接裝置。該實施例之半導體裝置模組 係包含：η個半導體裝置且包含塗覆有一第一接觸層之 一基板、位於該第一接觸層上之一半導體層與位於該半 23 201108453 導體層上之-第二接觸層、和位於該半導體層之 中用來連接η個半導體裝置的n]個導電路徑材枓 之-整數。該實施例之半導體裝置連接裝置 第一觸點㈣二觸點連接裝置，其用以執行 ] 由在該半導體層之-材料中形成W個導電路徑來連^ η個+導體裝置，以形成該第一接觸層 之連接。 接觸層 根據一實施例，係提供用於製造— 一半導體穿：晋造& _ w 模組的 牛導體裝置連接裝置，該半導體装置模組係包 半導體裝置且包含：塗覆有一笛 錢有帛一接觸層之-基板、位 於該第-接觸層上之一半導體層與位於該半導體層上之 一第二接觸層、和位於該半導體層中用來連接η:半導 體裝置的η]個導電路徑，η&2之一整數；該半導體 裝置連接裝置係包含：-第一觸點與第二觸點連接裝 置’其用以執行一步驟：在形成該第二接觸層後，藉由 在該半導體層中形成“個導電.路#以連接該第一㈣ 層與該第二接觸層，例如根據在此所述任何方法之實施 例。 根據一些實施例，其可藉由在此所述任何其他實施例 或實施例之實例來合併之，該第一觸點與第二觸點連接 裝置係為-真空設備的一部分。根據一些實施例，其可 藉由在此所述任何其他實施例或實施例之實例來合併 之，該第-觸點與第二觸點連接裝置係非為一真空設備 的一部分。 m 24 201108453 舉例來說，根據實施例之一半導體裝置模組製造裝置 6〇係圖示繪示於第5圖中。該半導體裝置模組製造裝置 60係包含一外殼61。在該外殼61内，係設置一或多個 塗佈裝置62、一半導體裝置連接裝置與輸送系統，例如 包含用於傳送該基板10的運輸滾輪66。根據此實例， 該半導體裝置連接裝置係包含一雷射裝置64做為該第 一觸點與該第二觸點連接裝置，根據實施例，該第一觸 點與第二觸點連接裝置係用以執行一步驟：在沉積該第 二接觸層後’藉由在該半導體層材料中形成個導電 路徑用以連接該第一接觸層與該第二接觸層。如第5圖 所示，在該運輸滚輪66上，該基板1〇，例如塗覆一前 接觸層（未繪不）’係可在該塗佈裝置62與該雷射裝置64 下方從左傳送到右。如此，係可執行根據在此所述實施 例之方法步驟，例如第儿及4b圖所示之方法。在該半 導體裝置模組製造裝置6〇之一實施例中，該塗佈裝置 62與該半導體裝置連接裝置M係供給於不同腔室該 輸送系統係穿過該腔室傳送該基板以供塗佈。舉例來 說’該塗佈裝置62與該半導體裝置連接裝置64係設於 外殼61的不同子腔室中，其為個別地泵浦（口口①…幻，且 係可經由開槽（如錄pq、办，击 、如縫閥）來連接彼此，該輸送系統係穿過 該開槽來傳送該基板以供塗佈及處理。在另-修部例 中’該雷射裝置64係包含-或多個雷射源，其係可供給 於不同腔i根據—實施例之實例，該外殼6 t可為一真 空6又備或λ空腔室’或包含可彼此相連之複數個真空 25 201108453 設備或真空腔室。 在該半導體敎置連接裝置中，該第_觸點與第二 連接裝置係用以選自下列之至少—步驟中額外地執行： 在該第一接觸層中形成第-溝槽、及在該第二接觸層及/ 或該半導體層中形成第二溝槽，例如根據上述之任何方 根據該半導體裝置連接裝置之一實施例，該第_觸點 與第二觸點連接裴置係包含：至少一雷射裝置，其提供 (例如依次地或同時地）來執行選自下列之至少一步驟：' 形成έχ第；冓槽、連接該第—接觸層與該第二接觸層、 以及在該第二接觸層及/或該半導體層中形成該第二溝 槽。舉例來說’為執行第4b圖所示之方法，該第一觸點 與第二觸點連接裝置係可包含兩個設置為互相平行的雷 射’用以執仃步驟P30，即同時形成該溝槽45和該導電 路徑50。 在此所述之實施例係允許形成一模組之相鄰半導體裝 置之-串聯連接’例如在形成或沉積最後形成之該接觸 層之後’而非在之前，介於相鄰薄膜太陽能電池的該前 觸點與該背觸點之間之連接。舉例來說，當製造一覆板 型薄膜太陽能電池時’可在形成或沉積該背接觸層之 後、而非在該背接觸層沉積之前，形成介於兩相鄰太陽 能電池之該前觸點與該背觸點間的該串聯連接。此表示 可省略該半導體層（如矽太陽能電池的該主動矽層）的圖 案化。並非如第i圖所示，在該第二雷射步驟P2中藉由 26 201108453 移除該半導體層而形成一溝槽、以及接著以 填充該溝槽’在第二觸點沉積後，藉由建立二：觸點 來形成該第-與該第二觸點間的連接… 電路杈 該半導體層、該第一接觸層及/或該第二接觸層== 達成…匕’隔離該第二觸點(如背觸點)的步驟、：來 成介於該第-與該第二觸點間(如前與背觸點 接的步驟係可同時進行，例如可藉由雷射處理。再者 用於形成該第-與該第二觸點間之該連接的卫具，例如 上述實施例之該第一觸點與第二觸點連接裳置，係可施 行於該工用I執行該第二觸點之隔離步驟。舉例^ 說，在相同工具中施行兩個步驟係可移除一裝載及對準 步驟。因此，不僅可縮短製造半導體模組（如薄膜太陽能 電池模組）的總體製程時間，還可降低製造與工具成本 另外，係可改善該模組之該第一與第二觸點内連線和該 前觸點隔離及/或背觸點隔離結構的對準，例如藉由容許 其間距變小。係可減少所謂的遮蔽區損失，且因而改盖 該模組性能。 根據其他實施例，並非如第1圖所示，在第二雷射步 驟P2中藉由移除該半導體層而形成一溝槽、並且接著以 該第二接觸層填充該溝槽，在第二觸點沉積前，藉由在 該半導體層之一材料中提供一導電路徑來形成介於該第 一與埃第二觸點間的該連接，。係可藉由處理該半導體 層及/或該第一接觸層的成分來達成。此表示可省略該半 導體層（如矽太陽能電池的該主動矽層）的圖案化。 27 201108453 在一實施例中，係提供製造包含η個半導體裝置之一 半導體裝置模組的.方法，ng2之—整數，該方法係包 含：提供塗覆一第—接觸層之一基板的步驟、以及選自 下列之至少一步驟：在該第一接觸層上形成一半導體層 和在該半導體層上形成—第二接觸層；其中該方法係包 含一步驟：藉由在該半導體層之一材料中形成n—丨個導 電路徑來連接η個半導體裝置，以形成該第一接觸層與 該第一接觸層之一連接。 在一實施例中，係提供製造包含η個半導體裝置之一 半導體裝置模組的方法，η為22之一整數，該方法係包 含.提供塗覆有一第一接觸層之一基板、且具有形成於 該第一接觸層上之一半導體層、和具有形成於該半導體 層上之一第二接觸層；以及藉由在該半導體層中形成 個導電路徑來連接n個半導體裝置，以連接該第一接觸 層與該第二接觸層。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，提供塗覆有一第一接觸層之一基板、且具有形 成於該第一接觸層上之一半導體層、和具有形成於該半 導體層上之一第二接觸層的步驟係包含：提供塗覆該第 一接觸層之該基板、在該第一接觸層上沉積該半導體 層、以及在該半導體層上沉積該第二接觸層。 根據一實施例’係提供製造包含η個半導體裝置之 半導體裝置模組的方法，η為22之一整數，該方法係勺 含：提供塗覆一第一接觸層之一基板、在該第—接觸層 28 201108453 上沉積一半導體層、在該半導體層上沉積一第二接觸 層’然後藉由·在該半導體層中形成η-1個導電路徑用來 連接π個半導體裝置’以連接該第一接觸層與該第二接 觸層。 在另一實施例中，係提供製造包含η個太陽能電池之 一太陽能電池模組的方法，η為^2之一整數，該方法係 包含：提供塗覆有一第一接觸層之一基板、且具有形成 於該第一接觸層上之一主動層和具有形成於該主動層上 之一第'一接觸層、以及藉由在該主動層中形成η-I個導 電路徑用來連接η個太陽能電池，以連接該第一接觸層 與該第二接觸層。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該導電路徑是藉由雷射處理所形成。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之’該導電路徑是藉由選自下列之至少一步驟所形 成：熔融至少該等層之一層、混合至少該等層一層、反 應至少該等層之一層的成分、活化至少該等層之一層的 至少一成分、擴散該等層之至少一層的成分、及部分移 除該等層之至少一層’該等層為選自下列之至少—層： 該第一接觸層、該半導體層和該第二接觸層。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之’形成該第一接觸層與該第二接觸層之該連接的 步驟是在選自下列之時間來執行：在沉積該第二接觸層 之後、及在沉積該第二接觸層之前。 29 201108453 在貫施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該第一接觸層包含至少一透明導電氧化物該 第二接觸層包含選自下列之至少一材料：一透明導電氧 化物或一金屬，及/或該半導體層包含選自下列之至少一 材料：石夕、非晶石夕、微曰曰曰石夕、碲化録、坤化鎵和銅姻砸。 在一實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該半導體裝置係為選自下列之至少一元件：太 陽能電池、薄膜太陽能電池、基板型薄膜太陽能電池和 覆板型薄膜太陽能電池。 在一些實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例 來合併之，該基板為一透明基板，該基板為一玻璃基板， 該半導體層為太陽能電池的—主動層，該第—接觸層為 一前接觸層，及/或該第二接觸層為一背接觸層。 在-實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該基板為—玻璃基板，該半導體層為太陽能電 池的一主動層，該第一接觸層為一前接觸層且該第二 接觸層為一背接觸層。 在一實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例 合併之，該方法更包含選自下列之至少一步驟：在提 塗覆一第一接觸層之該基板的步驟後，於該第—接觸 中形成n-l個第一溝槽、以一絕緣材料填充該第—溝槽 或在沉積該半導體層的步驟期間，以該半導體層填充 第一溝槽、於該第二接觸層中形成n-l個第二溝样 該半導體層中形成n-l個第二溝槽、以及於該第二接 30 201108453 二溝槽，用以隔開相 層及/或該半導體層中形成η_ι個第 鄰半導體裝置。 在-實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之’形成Μ個第二溝槽的步驟是在選自下列之時 間來執行：形成該第一接觸層斑 饮啊增兴邊弟—接觸層之連接的 步驟之後、及形成該第一接觸s座兮贫 按觸赝興3亥第二接觸層之連接 的步驟之前。 在-實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之’選自下列之兩個步驟係可同時執行：形成該第 一接觸層與該第二接觸層之該連接、形成該第一溝槽、 於該第二接觸層中形成該第二溝槽、於該半導體層中形 成該第二溝槽、及於該第二接觸層及/或該半導體層中形 成該第二溝槽。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之’選自下列之至少一步驟係藉由雷射處理來執 行：形成該第一溝槽、形成該第一接觸層與該第二接觸 層之該連接、於該第二接觸層中形成該第二溝槽、於該 半導體層中形成該第二溝槽、及於該第二接觸層及/戍該 半導體層中形成該第二溝槽。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，至少一種雷射處理是由選自下列之至少—側來 執行：該第一觸點之一側和該第二觸點之一側。 在一實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，選自下列之至少一個元件係以互相平行方式來 31 201108453 形成：該導電路徑、該第一溝槽和該第二溝槽。 -在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，選自下列之至少一層係包含一透明導電氧化 物：該第一接觸層和該第二接觸層。 根據又一實施例，係提供用於製造一半導體裝置模組 的一半導體裝置連接裝置’該半導體裝置模組係包含：n 個半導體裝置且包含塗覆有一第一接觸層之一基板、位 於該第一接觸層上之一半導體層與位於該半導體層上之 一第二接觸層、和位於該半導體層之一材料中用來連接 π個半導體裝置的η-1個導電路徑，η為^2之一整數、 該半導體裝置連接裝置係包含：一第一觸點與第二觸點 連接裝置，其係用以執行一步驟：藉由在該半導體層之 枯料中形成π-1個導電路徑用來連接η個半導體裝 置’以形成該第一接觸層與該第二接觸層之一連接。 在一實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 σ併之，該半導體裝置連接裝置可包含複數個設備，例 如腔室及/或真空腔室，其可彼此相連/根據此實施例之 一實例，各設備可用於或用以根據在此所述實施例來執 行製造一半導體裝置模組之方法的一步驟。舉例來說， 其中之一設備係可包含該第一觸點與第二觸點連接裝 置。因此，藉由在該半導體層中形成n-1個導電路徑用 以連接該第一接觸層與該第二接觸層的步驟（例如步驟 p20)係可由製造一半導體裝置模組之方法的其他步驟 (例如步驟P1及/或步驟p3)中獨立出來執行之。 32 201108453 在一實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，係提供用於製造一半導體裝置模組·的一半導體 裝置模組製造裝置，其包含：用於製造一半導體裝置模 組的一半導體裝置連接裝置’該半導體裝置模組係包 含：η個半導體裝置且包含塗覆有一第—接觸層之—基 板、位於該第一接觸層上之一半導體層與位於該半導體 層上之一第二接觸層、和位於該半導體層之一材料中用 來連接η個半導體裝置的η-1個導電路徑，η為>2之 整數，該半導體裝置連接裝置係包含：一第—觸點與第 二觸點連接裝置，其用以執行一步驟：藉由在該半導體 層之一材料中形成Π-1個導電路徑用來連接η個半導體 裝置，以形成該第一接觸層與該第二接觸層之連接。 根據再一實施例，係提供用於製造一丰導體裝置模組 的-半導體裝置模組製造裝置’該半導體裝置模组係： 含：η個半導體裝置且包含塗覆有一第—接觸層之一基 板、位於該第-接觸層上之-半導體層與位於該半導體 層上之一第二接觸層、和位於該半導體層之—材料中用 來連接η個半導體裝置的η-1個導電路押，^為 整數；該半導體裝置模組製造裝置係 广二^2二二 第—觸點 與第一觸點連接裝置’其用以執行—牛跑 π 步驟：在形成該第 二接觸層後’藉由在該半導體層之— ^ ^ 、 材枓中形成η-1個 導電路徑用以形成該第一接觸層與該笛一 、°Λ乐二接觸層之一連 接。 施例$ 在-實施例中，其可藉由在此所述任何其他實 33 201108453 合併之，該第一觸點與第二觸點連接裝置係用以額外地 執選自下列之之至少一步驟：在該第一接觸層中形成第 一溝槽'在該第二接觸層中形成第二溝槽'在該半導體 層中形成第二溝槽、及在該第二接觸層及/或該半導體層 中形成該第二溝槽。 在一實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該第一觸點與第二觸點連接裝置包含至少一個 雷射裝置，其用以執行選自下列之至少一步驟：在該第 一接觸層中形成第一溝槽、形成該第一接觸層與第該二 接觸層之該連接、在該第二接觸層中形成該第二溝槽、 在該半導體層中形成該第二溝槽、及在該第二接觸層及/ 或該半導體層中形成該第二溝槽。 在一實施例中’其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該第一觸點與第二觸點連接裝置包含至少一個 雷射裝置，其用以依次地執行選自下列之至少一步驟： 形成鱗第一溝槽、形成該第一接觸層與該第二接觸層之 該連接、在該第二接觸層中形成該第二溝槽、在該半導 體層中形成該第二溝槽、及在該第二接觸層及/或該半導 體層中形成該第二溝槽。 在-實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之’該第-觸點與第二觸點連接裝置包含至少一個 雷射裝置’其用以同時地執行選自下列之至少一步驟： 形成該第-溝槽、形成該第一接觸層與該第二接觸廣之 該連接、在該第二接觸層中形成該第二溝槽、在該半導 34 201108453 體層中形成該笫-.審播 „ . _ ^ 弟一溝槽、及在該第二接觸層及/或該半導 體層中形成該第二溝槽。 在-實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該半導體裝置係為選自下列之至少一元件：太 陽月b電池、薄肖太陽能電；也、基板型薄膜太陽能電池和 覆板型薄膜太陽能電池。 在實施例中，其可藉由在此所述任何其他實施例來 合併之，該基板為一玻璃基板，該半導體層為太陽能電 池的一主動層，該第一接觸層為一前接觸層，及/或該第 二接觸層為一背接觸層。 些實施例藉由在此所述任何實施例之方法提供可獲 得（obtainable)或已獲得（obtained)之一半導體裝置模組。 在另一實施例中，係提供，藉由製造包含n個半導體 裝置之一半導體裝置模組的方法可獲得之一半導體裝置 模組’ η為22之一整數，該方法包含：提供塗覆一第一 接觸層之一基板的步驟、以及選自下列之至少一步驟： 在該第一接觸層上形成一半導體層和在該半導體層上形 成一第二接觸層；其中該方法包含一步驟：藉由在該半 導體層之一材料中形成η-1個導電路徑用來連接η個半 導體裝置’以形成該第一接觸層與該第二接觸層之一連 接。 在又一實施例中’係提供藉由製造包含η個半導體裝 置之一半導體裝置模組的方法所獲得之一半導體裝置模 組，η為22之一整數’該方法包含：提供塗覆第一接觸 35 201108453 層之一基板的步驟、以及選自下列之至少一步驟：在該 第一接觸層上形成一半導體層和在該半導體層上形成一 第二接觸層；其中該方法包含—步驟：藉由在該半導體 層之一材料中形成n-l個導電路徑來連接η個半導體裝 置，以形成該第一接觸層與該第二接觸層之一連接。 根據再一實施例，係提供藉由製造包含η個半導體裝 置之一半導體裝置模組的方法可獲得之一半導體裝置模 組’ η為U之一整數，該方法包含：提供塗覆一第一接 觸層之-基板、在該第-接觸層上沉積—半導體層、在 該半導體層上沉積-第二接觸層，以及然後藉由在該半 導體層中形成η]個4電路徑用來連接η個半導體裝 置’以連接該第一接觸層與該第二接觸層。 在另-實施例中，係提供藉由製造包含η個半導體裝 置之一半導體裝置模組的方法可獲得之一半導體裝置模 、.且’ η為$2之-整數，該方法包含：提供塗覆一第一接 觸層之基板、在該第一接觸層上沉積一半導體層、在 β半導體層上沉積-第二接觸層’以及然後藉由在該半 導體層中形成η]冑導電路徑用來連接η個半導體裝 置’以連接該第-接觸層與該第二接觸層，其中該導電 路徑是藉由雷射處理所形成。 又-實施例提供-半導體裝置模組，其是藉由製造包 含η個半導體裝置之一半導體裝置模組的方法可獲得 之’η為U之一整數’該方法包含：提供塗覆一第一接 觸層之-基板、在該第一接觸層上沉積一半導體層、在 36 201108453 該半導艏層上沉積一第二接觸層，以及然後藉由在該半 導體層中形成n_1個導電路徑用來連接n個半導體裝 置，以連接該第一接觸層與該第二接觸層’其中該半導 體裝置係為選自下列之至少一元件：太陽能電池、薄膜 太陽能電池、基板型薄膜太陽能電池和覆板型薄膜太陽 能電池。 在另〆實施例中，係提供一半導體裝置模組，其是藉 由製造包含11個半導體裝置之一半導體裝置模組的方法 可獲得之，η為22之一整數，該方法包含：提供塗覆有 一第一接觸層之一基板，具有形成於該第一接觸層上之 一半導體層和具有形成於該半導體層上之一第二接觸 層’以及藉由在§亥半導體層中形成η-1個導電路徑用來 連接η個半導體裝置’以連接該第一接觸層與該第二接 觸層。 本說明書係採用包含最佳模式之實例來描述本發明， 並讓任何熟諳此技藝者係可製造及使用本發明。雖然本 發明已根據各種特定實施例揭露如上，然熟諳此技藝者 將理解，在不脫離申請專利範圍之精神和範圍内，當可 修改本發明。特別地來說，上述實施例之實例和實施例 或其修飾例之相互無法排他特徵係可使其互相結合。本 發明之可㈣範圍是Μ請專利範圍所界定者鱗，且 包含此技藝熟知的其他實例。後附之中請專利範圍擬涵 盖此其他實例。 雖然本發明已以實施例 .^ ^ ^ M 揭露如上，但在不脫離其基本 37 201108453 範圍内，當可設計本發明1 赞月其他和進-步之實施例，故a 保護範圍視以下申請專利範圍所界定者為準。 、 【圖式簡單說明】 可藉由參考實施例之實例說明，讓本發明之上述概要 特，更易理解、獲得本發明實施例之更詳盡的描述以及 簡單總結以上敘述。所附圖式係與本發明之實施例有關 敘述如下上述一些實施例將配合參照典型實施例和 後附圖式進一步詳加說明，其中： 第1圖圖不說明藉由製造半導體裝置之方法所形成的 一半導體裝置模組之一部分； 第2a圖圖示說明根據實施例之製造一半導體裝置的 —方法； 第2b圖圖示說明根據實施例之製造一半導體裝置的 —方法； 第3a圖圖示說明根據實施例之一半導體裝置模組之 邹分’並且藉由根據實施例之製造一半導體裝置的一 方法所形成； 第3b圖圖示說明根據實施例之一方法，藉此方法可形 成板據第3a圖之該半導體模組； 第4a圖圖示說明根據實施例之一半導體裝置模組之 一部分’並且藉由根據實施例之製造一半導體裝置的一 方法所形成； 38 201108453 第仆圖圖示說明根據實施例之—方法，藉此方法可形 成根據第4a圖之該半導體模組；以及 第5圖圖示說明半導體裝置模組製造裝置，其包含根 據實施例之—半導體裝置連接裝置。 應理解某一實施例的元件係可在不另外列舉下有助益 地用於其他實施例中。 【主要元件符號說明】 1 玻璃板 2前觸點 3 主動（矽）層 4 背觸點 10 玻璃板/基板 12 前觸點侧 14 背觸點側 2 0則觸點/前接觸層 30 主動（矽）層 31 堆疊 32 堆疊 40 後觸點/後接觸 41 氧化鋅層 42 層狀疊積 45 溝槽 50 導電路徑 60 製造裝置 61 外殼 62 塗佈裝置 64 雷射装置/連接裝置 66 運輸滚輪 P1 、P2 、 P3 、 P20 、 P30 雷射步驟 39

Claims (1)

1. 201108453 七、申請專利範圍： 1. 一種製造包含η個半遙辦姑班 ^ 千導體裝置之一半導體裝置模組的 方法，η為之一整數，該方法包含： 提供塗覆一第一接觸層之—基板的一步驟； 以及選自下列之至少―步驟：在該第—接觸層上形成一 半導體層'和在該半導體層上形成-第二接觸層； 其中該方法係、包含：藉由在該半導體層之-材料中形成 η-Η固導電純用來連接料η個半導體裝置，以形成該 第-接觸層與該第二接觸層之—連㈣__。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等導電路徑係 藉由選自下列之至少一製程所形成：熔融該等層之至少 一層、混合該等層之$儿、__ a c 牙增又至）層、反應該等層之至少一層 的-成分、活化該等層之至少一層的至少一成分㈣ 該等層之至少H成分、及部分移除該等層之至少 -層’該等層係由選自下列之至少一廣：該第一接觸層、 該半導體層和該第二接觸層。 3·如申請專利範圍第…項之方法，其中該等導電路 徑係藉由雷射處理所形成。 4.如申請專利範㈣項之方法，其中形成該第一 接觸層與該第二接觸層之該連接的該步驟係在選自下列 40 201108453 的一時間進行：形成該第·一'接觸層後、及形成該第二接 觸層前^ 5. 如申請專利範圍第〗或2項之方法，其中該第一接觸 層係包含至少一透明導電氧化物（TCO)，該第二接觸層係 包含選自下列之至少一材料：一透明導電氧化物或一金 屬’及/或該半導體層係包含選自下列之至少一材料：石夕 (Si)、無晶石夕（a_si)、微晶矽（pC_si)、碲化鑛（CdTe)、砷 化嫁（GaAs)和銅姻砸（CuInSe)。 6. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該等半導體 太陽能電池、薄膜太陽 裝置係選自下列之至少一元件： 能電池、基板型薄膜太陽能電池和覆板型薄膜太陽能電

   8.如申請專利範圍第 之至少一步驟： 在該基板上形成該第 在形成該第一接觸思 1或2項之方法，係包含選自下列 取硪第一接觸層； 接觸層的該步驟後， 於該第一接觸層中形 41 201108453 =固第—溝槽’並以該半導體層填充該等第一溝槽; 於該第一接觸層中形成nl個第二溝槽； 於該半導體層中形成n]個第二溝槽；以及 於該第二接觸層和該半導體層中形成η]個第二溝槽， 用以隔離一相鄰之半導體裝置。 9 楚如申請專利範圍第8項之方法，其中形成該等η個 第-溝槽的該㈣係在選自下列之—時間進行：形成該 第-接觸層與該第二接觸層之該連接的該步驟後、及形 成該第-接觸層與該第二接觸層之該連接的該步驟前。 10.如申請專利範圍帛8項之方法其中選自下列之至 少兩個步驟係可同時地執行：形成該第一接觸層與該第 二接觸層之該連接、形成該等第一溝槽、於該第二接觸 層中形成該等第二溝槽、於該半導體層中形成該等第二 溝槽、及於該第二接觸層和該半導體層中形成該等第二 溝槽。 11，如申請專利範圍第8項之方法，其中選自下列之至 少一步驟係藉由雷射處理來執行：形成該等第一溝槽、 形成該第一接觸層與該第二接觸層之該連接、於該第二 接觸層中形成該等第二溝槽、於該半導體層中形成該等 第二溝槽、及於該第二接觸層和該半導體層中形成該等 第二溝槽。 42 201108453 i2.如申請專利範圍第u項之方法， 理係由選自下列之至少—側來執行.該第一雷射處 和該第二觸點之一側。 ^ 觸點之一側 1 3 .如申請專利範圍第3項 理係由選自下列之至少一側 和該第二觸點之一侧。 之方法，其中至少一雷射處 來執行：該第一觸點之一側 如申請專利_ i項之方法，其中選自下列之至 少-元件係形成相互平行：該等導電路徑、該等第一溝 槽和該等第二溝槽。 15·如申請專利範圍帛1或2項之方法，其中選自下列 之至少一層係包含一透明導電氧化物：該第一接觸層和 該第二接觸層。 16. —種用於製造一半導體裝置模紐的半導體裝置連接 裝置， 該半導體裝置模組係包含：n個半導體裝置立包含塗覆 有一第一接觸層之一基板、位於該第一接觸層上之一半 導體層與位於該半導體層上之一第二接觸層、和位於該 半導體層之一材料中用來連接該等η個半導體裝置的 η-1個導電路徑，η為$2之一整數· 43 201108453 該半導體裝置連接裝置係包含： 一第一觸點與第二觸點連接裝置，其係用以執行一步 驟：藉由在該半導體層之該材料中形成n l個導電路徑 用來連接該等η個半導體裝置，以形成該第一接觸層與 該第二接觸層之一連接。 17.如申請專利範園第16項之半導體裝置連接裝置，其 中該第-觸點肖第二觸點連接裝置係用以額外地執行選 自下列之至少一步驟：在該第一接觸層中形成第一溝 槽、在該第二接觸層中形成第二溝槽、在該半導體層中 形成第二溝槽、及在該第二接觸層和該半導體層中形 第二溝槽。 > 取 18. 如申請專利範圍第16項之半導體裝置連接裝置，其 中該第一觸點與第二觸點連接裝置係包含至少一雷射裝 置’其係用以執行選自下列之至少一步驟：在該第—接 觸層中形成第一溝槽、形成該第一接觸層與該第二接觸 層之該連接、在該第二接觸層中形成第二溝槽、在該半 導體層中形成第：溝槽、及在該第：接觸層和該半 層中形成第二溝槽。 19. 如申請專利範圍第18項之半導體裝置連接裝置，其 中該第-觸點與第二觸點連接裝置係包含至少一雷射裴 置，其係用以依次地執行選自下列之至少兩步驟；形成 44 201108453 該等第一溝槽、形成該第一接觸層與該镇_ /、β所二接觸層之該 連接、在該第二接觸層中形成該等第二 再糟、在該半導 體層中形成該等第二溝槽、及在該第二接 我觸層和該半導 體層中形成該等第二溝槽。 20.如申請專利範圍第18項之半導體裴置連接裝置其 中該第一觸點與第二觸點連接裝置係包含至少—雷射裝 置，其係用以同時地執行選自下列之至少兩步驟：形成 該等第一溝槽、形成該第一接觸層與該第二接觸層之該 連接、在該第二接觸層中形成該等第二溝槽在該半導 體層中形成該等第二溝槽、及在該第二接觸層和該半導 體層中形成該等第二溝槽。 21·如申請專利範圍第16至2〇項之任一項之半導體裝 置連接裝置，其中該等半導體裝置係選自下列之至少一 元件♦太陽能電池、薄膜太陽能電池、基板型薄膜太陽 能電池和覆板型薄膜太陽能電池。 22.如申請專利範圍第16至2〇項之任一項之半導體裝 置連接裝置，其中該基板係一透明基板，該基板係一玻 璃基板，該半導體層係一太陽能電池的一主動層，該第 一接觸層係一前接觸層，且該第二接觸層係一背接觸層。 23. 一種用於製造一半導體裝置模組的半導體裝置模組 r λ 45 201108453 製造裝置，係包含： 一用於製造一半導體裝置模組的半導體裝置連接裝置； 該半導體裝置模組係包含：n個半導體裝置且包含塗覆 有一第—接觸層之一基板、位於該第一接觸層上之一半 導體層與位於該半導體層上之一第二接觸層、和位於該 半導體層之一材料中用來連接該等11個半導體裝置的 η-1個導電路徑，η為^2之—整數. 該半導體裝置連接裝置係包含： 一第一觸點與第二觸點連接裝置，其係用以執行—步 驟：藉由在該半導體層之該材料中形成η“個導電路徑 用來連接該等η個半導體裝置，以形成該第一接觸層與 該第二接觸層之一連接。 24· —種半導體裝置模組

   一整數，該方法係包含·· 板的一步驟； ’係可藉由製造包含η個半導 組的一方法所獲得， 提供塗覆一第一接觸層之—基 ·在該第一接觸層」 半導體層和在該半導f 體層上形成一第二接觸層； 其中該方法係包含—牛 步驟：藉由在該半導體層之一木 中形成η-1個導雷％ m 役用來連接該等η個半導體裝】 以形成該第一接艋思盘^ 卞守蒞衣J 觸層與該第二接觸層之一連接。 25. 如申請專利範圍第24 項之半導體裝置模組， 其中該 201108453 等導電路徑係選自下列之至少一步驟所形成： 理、熔融該等層之至少一層、混合該等層之至少 反應該等層之至少一層的一成分、活化該等層之 層的至少一成分、擴散該等層之至少一層的一成 部分移除該等層之至少一層，該等層係選自下列 一層：該第一接觸層、該半導體層和該第二接觸 雷射處 ——、 至少一 分、及 之至少 層。 47