201108220 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一次寫入型或可複寫型等之可記錄型 光碟、和支援可記錄型光碟的記錄裝置、記錄方法、再生 裝置。 【先前技術】 例如藍光碟片（Blu-ray Disc(註冊商標）等之光記錄媒 體，係爲人所知。於光記錄媒體中，係使用半導體雷射進 行資訊的記錄再生。 使用半導體雷射對光碟的記錄，係隨著溫度或經時變 化所造成的雷射功率之變動、或製造時的調整誤差所造成 的各種扭曲或偏置、驅動控制時的記錄調變偏差，而受到 很大的影響。因此尤其是在一次寫入型碟片或可複寫型碟 片等之可記錄型光碟，是抑制了雷射驅動電路或光學元件 的參差，而進行著緻密的發光波形控制。 在實際的資訊記錄裝置上，在進行資料記錄前，一般 會使用被配置在每一記錄層的試寫區域（OPC領域（Optimum Power Control area))來探索出最佳雷射功率，調整記錄雷 射功率或策略，使記錄條件最佳化。 該記錄雷射功率調整所需的試寫程序（試寫），是必須 在最佳記錄條件不明的狀態下，進行前述擾動之去除，或 記錄功率的最佳化、雷射驅動脈衝的最佳化》 然後，爲了找出該最佳條件，隨著情況不同，可能會 -5- 201108220 照射必要以上之高能量的雷射光，或是在雷射驅動脈衝之 寬度（雷射發光時間）非適切的狀態下，進行雷射照射。因 此，有可能會對記錄層中的試寫領域造成嚴重的損傷。 又，在碟片基板上形成有複數記錄層，也就是所謂的 多層光碟中，某一記錄層的記錄再生會受到其他記錄層的 影響。 例如，進行記錄時會發生記錄層的穿透率變化，有時 候也可能對目的記錄層無法照射適切的光量》 再者，由於穿透率變化是具有記錄功率依存性，像是 OPC領域這類一面改變記錄功率一面進行記錄的地點上， 穿透率變化、亦即對其他記錄層的影響程度，是無法控制 的。 由於這些問題，因此無法隨著其他記錄層的記錄狀況 而實現所望之OP C控制，難以導出正確的最佳條件，存 在如此問題。 亦即’於某一記錄層的OPC領域中進行試寫、進行 雷射功率調整時，會受到平面方向（碟片半徑方向）上同一 位置（亦即厚度方向（=層方向）上看來是重合之位置）所被配 置的其他記錄層的試寫區域之影響。 相對於此’例如下述專利文獻1所揭露，考慮將不同 記錄層中的試寫領域，在記錄層的半徑方向上彼此錯開的 方法’或是在不同記錄層的試寫領域之間不會使用同一半 徑位置拿來試寫的方法。 於既存的藍光碟片的2層規格中係規定著，碟片內緣 -6- 201108220 側引入區間中所被配置的每一記錄層的試寫領域，是在記 錄層的半徑方向上錯開配置。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1 :國際公開第〇5/〇3411〇號小冊子 專利文獻2:日本特開20〇4-295940號公報 【發明內容】 順便一提’資訊記錄媒體總是被要求其記錄容量的增 大。例如舉例藍光碟片而言，可料想記錄層會朝3層構造 、4層構造等更多層化邁進，實現飛躍性的容量增大。 在開發3層以上之光碟時，各記錄層中的OPC領域 之設定、或進行各種管理資訊之記錄再生的領域之設定， 會變得困難。 其中1個理由係爲，如上述，隨著對記錄層的記錄動 作，會產生穿透率變化，〇P C動作或記錄再生動作會受到 其他層的影響，必須要考慮這些而進行領域設定。 再者，隨著穿透率變化的記錄功率依存性，對其他層 的影響程度是不定的，因此無法預測穿透率變化，也是其 理由之一^ 又，OPC領域或管理資訊領域之設定，也必須要考慮 與現行的1層碟片、2層碟片之間的相容性。因此，必須 要在有限的所定半徑範圍內（例如引入領域內）’將所有必 要之領域作適切的配置。 201108220 本發明係有鑑於這些問題點，提出一種適合於可記錄 型多層光碟的區域配置。 本發明的可記錄型光碟，係在碟片基板上設有3層以 上記錄層，而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數 層碟片，在各記錄層中，雷射功率控制所需的測試區域， 是分別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更爲內 緣側的內緣側領域，各記錄層的測試區域是被配置成彼此 在層方向上互不重疊。 又，在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進 行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域；並且 對於各記錄層的測試區域之每一者，從測試區域往雷射入 射面側，在層方向上重疊的上記管理資訊記錄再生領域係 爲1個以下的方式，來配置上記管理資訊記錄再生領域。 再者，上記管理資訊記錄再生領域係被配置成，對於 各記錄層的測試區域，於上記碟片基板側，在層方向上不 會重疊。 本發明的記錄裝置，係屬於針對在碟片基板上設有3 層以上記錄層而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複 數層碟片的可記錄型光碟的記錄裝置，其特徵爲，具備： 控制部，其係進行控制，使得於上記可記錄型光碟的各記 錄層中，在比記錄使用者資料的資料區間更內緣側的內緣 側領域裡，將關於各記錄層的雷射功率控制所需之測試區 域，配置成彼此在層方向上互不重疊，使用已配置之測試 區域來進行雷射功率調整以進行資訊記錄。 -8- 201108220 本發明的記錄方法，係於上記可記錄型光碟的各記錄 層中，在比記錄使用者資料的資料區間更內緣側的內緣側 領域裡，將關於各記錄層的雷射功率控制所需之測試區域 ，配置成彼此在層方向上互不重疊，使用已配置之測試區 域來進行雷射功率調整以進行資訊記錄的記錄方法》 本發明的再生裝置，係對可記錄型光碟的再生裝置， 該可記錄型光碟係爲，在碟片基板上設有3層以上記錄層 ，而且在雷射入射面側形成有透光層而成的複數層碟片， 在各記錄層中，雷射功率控制所需的測試區域，是分別被 設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更爲內緣側的內 緣側領域，各記錄層的測試區域是被配置成，彼此在層方 向上互不重疊。然後，具備有控制部，其係於各記錄層的 上記內緣側領域中，對於各記錄層的測試區域之每一者， 從測試區域往雷射入射面側，在層方向上重疊的上記管理 資訊記錄再生領域係爲1個以下的方式，且對於各記錄層 的測試區域，於上記碟片基板側，在層方向上不會重疊的 方式而被配置的管理資訊記錄再生領域，將其加以辨識， 從該管理資訊記錄再生領域中再生出管理資訊，基於管理 資訊而進行使用者資料的再生控制。 在如以上的本發明中，首先於3層以上的各記錄層中 ，在內緣側領域，形成測試區域（OPC領域）。各記錄層的 測試區域是被配置成，彼此在層方向上互不重疊。藉此， 各記錄層的測試區域係不會受到其他記錄層的測試區域之 記錄所造成的穿透率變化、或其雷射功率依存性之影響。 -9 - 201108220 又，藉由設計成，從測試區域往雷射入射面側，在層 方向上重疊的記管理資訊記錄再生領域係爲1個以下，可 謀求管理資訊記錄再生領域中的記錄再生所致之穿透率變 化之影響，以最小程度表現於測試區域中的OP C動作上 ，並且與現行的2層碟片相容。 管理資訊記錄再生領域，係對於各記錄層的測試區域 ’於碟片基板側使層方向上不會重疊的方式而配置，藉此 ’可使管理資訊記錄再生領域的記錄再生，不會受到測試 區域的穿透率變化、或其雷射功率依存性之影響。 若依據本發明，則在3層碟片、4層碟片等之可記錄 型的多層光碟中，可實現適切的內緣側領域配置，具有可 進行適切的OPC動作、管理資訊之記錄再生的效果。 【實施方式】 以下’依照以下順序來說明本發明的實施形態。 [1.碟片構造] [2.DM A] [3 .TDMA] [4.複數層碟片/現行2層碟片的內圈區間] [5 .實施形態的3層碟片的內圈區間] [6 .實施形態的4層碟片的內圈區間] [7.碟片驅動裝置] [1.碟片構造] -10- 201108220 首先說明實施形態的光碟之槪要。此光碟係於稱作藍 光碟片的高密度光碟方式的範疇中’可以實施成爲一次寫 入型碟片（BD-R)或可複寫型碟片（BD-RE)。 說明本實施形態的高密度光碟的實體參數之—例。 本例的光碟，其碟片尺寸係爲，直徑爲12〇mm，碟片 厚度爲1.2mm。亦即，從這些點來說，從外型上看來是和 CD(Compact Di sc)方式的碟片、或 D VD(Digi tal Versati 1 e Disc)方式的碟片相同。 然後，作爲記錄/再生所需的雷射，是使用所謂的藍 色雷射，且光學系是被設計成高NA(例如NA= 0.85)。而 且還實現了窄軌距（例如軌距=0.3 2 μιη)、高線密度（例如 記錄線密度0.1 2 μπι)。因此，於直徑1 2cm的碟片中，作 爲使用者資料容量，實現了 23G〜25GB(Giga Byte)程度。 又’藉由更高密度記錄，也可能達到30GB程度的容量。 又’將記錄層設成複數層的所謂多層碟片也正在開發 ’若爲多層碟片，則使用者資料容量會是大略倍增上去。 圖1中係圖示了碟片全體的佈局（領域構成）。 作爲碟片上的領域，從內緣側起配置有內圈區間、資 料區間、外圈區間。 此外’在該圖1中係圖示了記錄層爲1個的構造（單 層）’此時’內圈區間係成爲引入區域，外圈區間係成爲 引出區域。 雖然實施形態的碟片係如後述是3層碟片或4層碟片 ’但第1層（層L0)的內圈區間係成爲引入區域。而最終來 201108220 說，隨著所被記錄的使用者資料容量，第1層（層L0)的外 圈區間以後（層L 1、L 2、L 3的內圏區間或外圈區間）之任 一者，有可能會成爲引出區域。 此外，爲了說明上的方便，將含有第1層（層L0)之引 入區域的各記錄層的內緣側領域，總稱爲內圈區間。又， 將各記錄層的外緣側領域總稱爲外圈區間。 又，若看到有關記錄·再生的領域構成，則內圈區間 (弓丨入區域）當中的最內緣側之領域係爲再生專用領域，從 內圏區間的中途至外圈區間爲止係爲可記錄領域。 在再生專用領域中係設有BCA(Burst Cutting Area)或 PIC(預錄資訊領域）。其中，雖然關於2層以上的多層碟 片的內圈區間構成係詳述於後，但PIC係只有在第1層（ 層L0)，在第2層（層L1)以後的記錄層中，與PIC同—半 徑部分係爲可記錄領域。 又，於內圈區間中，在可記錄領域裡，爲了管理/控 制資訊之記錄等，而形成有後述的〇PC、TDMA、INFCK 含DMA等）、預留區域RSV等。 在再生專用領域及可記錄領域中，係有搖擺凹軌（蛇 行的溝）所成的記錄軌’是被形成爲螺旋狀。凹軌係作爲 雷射光點進行追蹤之際的循軌導引，且該凹軌係被當成記 錄軌而進行資料的記錄再生。 此外，在本例中，雖然想定了在凹軌中進行資料記錄 的光碟’但本發明係不限於此種凹軌記錄的光碟，亦可適 用於在凹軌與凹軌之間的凸面上記錄資料的凸面記錄方式 -12- 201108220 的光碟，又，亦可適用於在凹軌及凸面都記錄資料的凸面 凹軌記錄方式的光碟。 又，被當作記錄軌的凹軌，是隨著搖擺訊號而呈蛇行 形狀。因此，在對光碟的碟片驅動裝置中，可根據照射於 凹軌的雷射光點的反射光而偵測出其凹軌的兩邊緣位置， 雷射光點沿著記錄軌移動之際，將該兩邊緣位置的對於碟 片半徑方向的變動成分予以抽出，就可再生出搖擺訊號。 該搖擺訊號中係被調變有，該記錄位置上的記錄軌的 位址資訊（實體位址或其他附加資訊等）。因此，在碟片驅 動裝置上，藉由從該搖擺訊號中解調出位址資訊等，就可 進行資料記錄再生之際的位址控制等。 圖1所示的內圈區間，係爲例如比半徑24mm還要內 側的領域。 然後，在內圈區間內的PIC(預錄資訊領域）中，係事 先將記錄再生功率條件等之碟片資訊、或碟片上的領域資 訊、是否防烤之資訊等，藉由凹軌的搖擺狀態而以再生專 用資訊的方式加以記錄。此外，亦可藉由浮雕凹坑等來記 錄這些資訊。 又，在比PIC更爲內緣側，設置有BCA。BCA係將 碟片記錄媒體固有的唯一 ID，以例如將記錄層予以燒穿 的記錄方式，加以記錄而成。亦即，將記錄標記排列成同 心圓狀而逐一形成，以形成了條碼狀的記錄資料。 又，於內圏區間中，係被設定有：TDMA(Temporary Defect Management Area) ' OPC(Optimum Power Control -13- 201108220 area:試寫區域）、INFO(Informationarea:管理資訊領域） 、預留區域RSV、具有緩衝區域BUF等之所定的領域格 式。 OPC係在記錄/再生時的雷射功率等、資料記錄再生 條件設定之際的試寫等時候，會被使用。亦即是用來調整 記錄再生條件的領域。 在 INFO 中係含有 DMA(Defect Management Area)或 控制資料區域。 在控制資料區域中係被記錄有，例如碟片類型、碟片 尺寸、碟片版本、層構造、通道位元長、BCA資訊、傳輸 速率、資料區間位置資訊、記錄線速度、記錄/再生雷射 功率資訊等。 雖然在INFO內設有DMA，但通常在光碟的技術領域 中，D Μ A係被記錄著用來作缺陷管理所需的交替管理資 訊。然而在本例的碟片中，DMA係不僅是缺陷地點的交 替管理’還記錄著用以實現該一次寫入型碟片之資料改寫 所需的管理/控制資訊。尤其是在此情況下，在DMA中係 被記錄有後述的ISA、OSA之管理資訊。
又’爲了利用交替處理而使資料改寫成爲可能，DMA 的內容也還必須要能隨著資料改寫而被更新。因此設置有 TDMA。 交替管理資訊係被追加記錄至TDMA而被逐次更新。 在DMA中最終會記錄下，TDMA最後（最新）所被記錄的交 替管理資訊。 -14- 201108220 關於DMA及TDMA將詳述於後。 此外，含有DMA等的INFO，最終係爲儲存最新管理 資訊的確定性管理資訊領域。該INFO(確定性管理資訊領 域），係於全部的記錄層中，保持著容許缺陷尺寸以上的 距離而被分開配置。 另一方面，TDMA係爲將管理資訊予以逐次追加儲存 的暫時性管理資訊領域。TDMA(暫時性管理資訊領域）， 係例如在各記錄層是大致均等地配置。雖然4層碟片的例 子將於後述，但也有除了最靠碟片基板側之記錄層以外的 複數記錄層中是被大致均等配置的情形。 比內圈區間還外緣側的例如半徑2 4.0〜5 8.0 mm，係 爲資料區間。資料區間，係使用者資料被實際記錄再生的 領域。資料區間的開始位址ADdts、結束位址ADdte，係 被表示於上述的控制資料區域的資料區間位置資訊中》 於資料區間中，其最內緣側係被設有ISA(Inner Spare Area)，而其最外緣側係設有 〇SA(Outer Spare Area)。ISA 、OSA係爲缺陷或資料改寫（覆寫）所需的交替領域。 ISA係從資料區間的開始位置起，以所定數的叢簇大 小（1叢簇=6 5 5 3 6位元組）而被形成。 〇S A係從資料區間的結束位置起往內緣側以所定數的 叢簇大小而被形成。ISA、OSA的大小係被描述在上記的 DMA 中。 於資料區間中，被ISA與OSA所夾住的區間，係爲 使用者資料領域。該使用者資料領域係爲使用者資料的記 -15- 201108220 錄再生時所被使用的通常記錄再生領域。 使用者資料領域的位置，亦即開始位址ADus、結束 位址ADue，係被描述在DMA中。 比資料區間還外緣側，例如半徑58.0〜58.5mm ’係 爲外圈區間（例如引出區間）。外圈區間也有被記錄著管理/ 控制資訊。亦即，INFO(控制資料區域、DMA、緩衝區域） ，是以所定的格式而被形成。 在控制資料區域中，係例如和內圈區間中的控制資料 區域同樣地，被記錄有各種管理/控制資訊。DMA係和內 圈區間中的DMA同樣地，是被準備來作爲ISA、OSA之 管理資訊所被記錄之領域。 本實施形態，雖然尤其是在3層碟片、4層碟片的內 圈區間之構造上具有特徵，但包含現行的2層碟片，內圈 區間中的各區域的佈局，係於後述。 [2.DMA] 說明內圈區間、外圈區間中所被記錄的DMA之構造 。圖2中係圖示DMA的構造。 此處係圖不了 DMA的大小係爲32叢簾（32x65536位 元組）的例子。此外，所謂叢簇係爲資料記錄的最小單位 〇 當然’ DMA大小並不限定於32叢簇。在圖2中，係 將32叢簇的各叢簇，以叢簇號碼1〜32的方式，表示在 DMA中的各內容的資訊位置。又，各內容的大小係以叢 -16- 201108220 簇數來表示。 於DMA中，叢簇號碼1〜4的4叢簇之區間裡係作爲 DDS(disc definition structure)而被記錄有碟片的詳細資訊 〇 該DDS的內容係於圖3中說明，但DDS係爲1叢簇 之大小，於該當4叢簇之區間中被重複記錄4次。 叢簇號碼5〜8的4叢簇之區間，係爲缺陷清單DFL 的第1個記錄領域（DFL#1)。缺陷清單DFL的構造係於圖 4中說明，但缺陷清單DFL係爲4叢簇大小的資料，其中 係將各個交替位址資訊予以列出而構成。 叢簇號碼9〜12的4叢簇之區間，係爲缺陷清單DFL 的第2個記錄領域（DFL#2)。 然後，每4叢簇就準備了第3個以後的缺陷清單 DFL#3〜DFL#6的記錄領域，叢簇號碼29〜32的4叢簇之 區間，係爲缺陷清單DFL的第7個記錄領域（DFL#7)。 亦即，32叢簇的DMA中，係準備了缺陷清單DFL#1 〜DFL#7的7個記錄領域。 BD-R(—次寫入型光碟）的情況下，爲了記錄該DMA 之內容，必須要進行所謂的封片（closing)之處理。此時’ 被寫入DMA的7個缺陷清單DFL#1〜DFL#7是全部相同 的內容。寫入內容係爲最新的TDMA之內容。 亦即，在BD-RE(可複寫型光碟）中，係不設置TDMA 。因爲只要每次進行記錄就將DMA予以改寫即可。 上記圖2的DMA之開頭中所被記錄的DDS之內容’ -17- 201108220 示於圖3。 如上記，DDS係爲1叢簇（=655〗6位元組）之大小。 於圖3中’位元組位置係爲，將65 53 6位元組的DDS 之開頭位元組表示成位元組〇。位元組數係表示各資料內 容的位元組數。 在位元組位置〇〜1的2位元組中係被記錄有’用來 辨識這是DDS之叢簇用的DDS識別元（DDS Identifier): 「DS」。 位元組位置2的1位元組中，表示了 DDS型式編號（ 格式的版本）。 在位元組位置4〜7的4位元組中’係記錄有DDS的 更新次數。此外，在本例中係爲’ DMA本身不是在封片 時會被寫入交替管理資訊而被更新，交替管理資訊係於 TDMA中被進行。因此，在最終的封片之際，於TDMA中 已被進行過的DDS(TDDS :暫時DDS)的更新次數’係被 記錄在該當位元組位置。 在位元組位置1 6〜1 9的4位元組中，係記錄有DM A 內的驅動區域的開頭實體扇區位址（AD DRV)。 在位元組位置24〜27的4位元組中，係記錄有DMA 內的缺陷清單DFL的開頭實體扇區位址（AD DFL)。 位元組位置3 2〜3 5的4位元組，係將資料區間中的 使用者資料領域的開頭位置、亦即 LSN(logical sector number:邏輯扇區位址）“0”的位置，以PSN(physical sector number:實體扇區位址）來表示。 -18- 201108220 位元組位置3 6〜3 9的4位元組，係將資料區間中的 使用者資料區域的結束位置，以LSN(邏輯扇區位址）來表 示。 在位元組位置40〜43的4位元組中，係表示了資料 區間中的ISA(1層碟片的isa或2層碟片的層0的ISA)之 大小。 在位元組位置4 4〜4 7的4位元組中，係表示了資料 區間中的Ο S A之大小。 在位元組位置48〜51的4位元組中，係表示了資料 區間中的ISA(2層碟片的層1的ISA)之大小。 在位元組位置52的1位元組中，係有表示了是否可 以使用ISA、OS A來資料改寫的交替領域使用可能旗標。 交替領域使用可能旗標，係當ISA或OSA全都被使用之 際，就會將其加以表示。 這些以外的位元組位置係爲預留（未定義），全部都被 設成OOh。 如此’ DDS係含有使用者資料領域的位址和ISA、 OSA的大小’及交替領域使用可能旗標。亦即，是作爲進 行資料區間中的ISA、OSA之領域管理用的管理/控制資訊 〇 接著，在圖4中係圖示缺陷清單DFL的構造》 如圖2所說明’缺陷清單D F L係被記錄在4叢簇的記 錄領域中。 於圖4中’作爲位元組位置係圖示了，4叢簇的缺陷 -19- 201108220 清單DFL中的各資料內容的資料位置。此外，1叢簇=32 扇區= 65536位元組，1扇區= 2048位元組。 位元組數係表示作爲各資料內容之大小的位元組數。 缺陷清單DFL的開頭64位元組係爲缺陷清單管理資 訊。 在該缺陷清單管理資訊中’係被記錄有，辨識這是缺 陷清單之叢簇用的資訊、版本、缺陷清單更新次數、缺陷 清單的項目數等之資訊》 又’位元組位置64以後’作爲缺陷清單的項目內容 ，而被記錄有各8位元組的交替位址資訊ati。 然後，有效的最後之交替位址資訊ati#N的後面，緊 接著被記錄有作爲交替位址資訊尾端的終結元資訊8位元 組。 在該DFL中’在交替位址資訊尾端以後，至該叢簇的 最後爲止，都被塡入〇〇h。 64位元組的缺陷清單管理資訊係如圖5所示。 從位元組位置〇至2位元組中，係記錄有作爲缺陷清 單DFL之識別元的字串「DL」。 位元組位置2的1位元組係表示缺陷清單d F L的形式 編號。 位元組位置4起的4位元組’係表示缺陷清單d F L更 新過的次數。此外，此係爲繼承了後述的暫時缺陷清單 TDFL之更新次數的値。
位元組位置12起的4位元組，係表示缺陷清單D F L •20- 201108220 中的項目數，亦即交替位址資訊ati的數目》 位元組位置24起的4位元組，係將交替領域ISA0、 ISA1、OSAO、OSA1各個空白領域之大小，以叢簇數表示 〇 這些以外的位元組位置係爲預留，全部都被設成00h 〇 圖6中係圖示交替位址資訊ati的構造。亦即，是表 示已被交替處理過的各項目內容的資訊》 交替位址資訊ati的總數若在1層碟片的情況下，最 大是3 2759個。 1個交替位址資訊ati，係由8位元組（64位元）所構成 。將各位元以位元b63〜b0的方式表示。 位元 b63〜b60中，係被記錄著項目的狀態資訊 (status 1)。 於DFL中，狀態資訊係被設成「0000」，表示是通常 的交替處理項目。 至於其他的狀態資訊値，係在後面說明TDMA中的 TDFL之交替位址資訊ati時會說明。 位元b5 9〜b32中係表示，交替來源叢簇的最初之實 體扇區位址PSN。亦即，將因缺陷或改寫而被交替的叢簇 ，藉由其開頭扇區的實體扇區位址PSN而加以表示。 位元b3 1〜b28係爲預留。此外，項目中的另一個狀 態資訊（status 2)也可被記錄。 位元b27〜b0中係表示，交替目標叢簇的開頭之實體 201108220 扇區位址PSN。 亦即，叢簇因缺陷或改寫而被交替時，將其交替目標 之叢簇’藉由其開頭扇區的實體扇區位址PSN而加以表示 〇 如以上的交替位址資訊ati是被設成〗個項目而表示 了 1個交替處理所涉及的交替來源叢族與交替目標叢族。 然後’此種項目，係被逐一登錄在圖4之構造的缺陷 清單DFL中。 於DMA中，是以如以上的資料結構，來記錄交替管 理資訊。但是’如上述’在DMA中記錄這些資訊，是在 將碟片予以封片之際，此時，TDMA中的最新的交替管理 資訊，會被反映。 缺陷管理或資料改寫所需的交替處理及其所帶來的交 替管理資訊之更新，係於以下說明的TDMA中進行。 [3.TDMA] 接著說明，被設在內圈區間中的TDMA。TDMA(暫時 DMA)，係和DMA同樣地是記錄交替管理資訊用的領域， 會隨著資料改寫或缺陷被測出而發生交替處理，交替管理 資訊會被追加記錄而逐次更新。 圖7中係圖示TDMA的構造。 TDMA的大小係被設爲例如2048叢簇。 如圖示，叢簇號碼1的最初叢簇中，係被記錄有層0 用的空間位元映像。 -22- 201108220 所謂空間位元映像，係針對主資料領域的資料區間、 及用來將管理/控制資訊予以記錄的領域亦即內圈區間、 外圈區間的各叢簇，分別指派了 1位元。然後，藉由1位 元的値來表示各叢簇是否已被寫入，是被用來當作一種寫 入有無提示資訊。 在空間位元映像中’從內圈區間至外圈區間的所有叢 簇都被指派了 1位元，但該空間位元映像是可以用1叢簇 的大小來構成。 叢簇號碼1的叢簇’係爲層L0(第1層）用的空間位元 映像。叢簇號碼2的叢簇，係爲層L1 (第2層）甩的空間位 元映像。雖然未圖示，但若是3層碟片、4層碟片的情況 下，則對所定叢簇號碼，準備層L2(第3層）、層L3(第4 層）用的空間位元映像。例如係被指派了叢簇號碼3、4等 〇 於TDMA中’當因資料內容之變更等而有交替處理時 ，在TDMA內的未記錄區域的開頭之叢簇中，TDFL(暫時 缺陷清單）會被追加記錄。因此，在2層碟片的情況下， 如圖示，從叢簇號碼3的位置起，會被記錄下最初的 TDFL。在1層碟片的情況下’因爲層〖用的空間位元映 像係爲不需要，因此是從叢簇號碼2的位置起，記錄最初 的TDFL。然後’隨著交替處理的發生，以後係在不會造 成空白的叢簇位置，逐次追加記錄TDFL。 TDFL的大小係被設爲，從丨叢簇起至最大4叢簇。 又’空間位元映像係用來表示各叢簇的寫入狀況，因 -23- 201108220 此有資料寫入發生時就會被更新。此時，新的空間位元映 像，係和TDFL同樣地，是從TDMA內的空白領域的開頭 起進行。 亦即，在TDMA內，空間位元映像或是TDFL係會隨 時都被追記。 此外，空間位元映像及TDFL之構成係如下述，但被 設爲空間位元映像的1叢簇的最末尾之扇區（2048位元組） 及被設爲TDFL的1〜4叢簇最末尾之扇區（2048位元組） 中，係被記錄有光碟的詳細資訊亦即 TDDS(暫時DDS( temporary disc definition structure)) 〇 圖8中係圖示空間位元映像之構成。 如上述，空間位元映像，係將碟片上的1叢簇之記錄 /未記錄領域以1位元來表示，該位元映像是對叢簇未記 錄狀態時所對應的位元，設定爲「1」。此外，圖8係作 爲各層獨立保持資訊之位元映像的例子，而圖示2層碟片 的情形。在3層碟片、4層碟片的時候，只要想成是其擴 充即可。 在圖8中係作爲扇區〇〜31而圖示了 1叢簇內的32 扇區。又，位元組位置，係表示扇區內的位元組位置。 開頭的扇區〇中係被記錄著空間位元映像的管理資訊 〇 扇區〇的從位元組位置0起算的2位元組中，係作爲 空間位元映像 ID(Un-allocated Space Bitmap Identifier)而 被記錄著“UB” 。 -24- 201108220 在位元組位置2的1位元組中係被記錄著格式版本（ 形式編號），例如被設爲「〇〇h」^ 在從位元組位置4起算的4位元組中，係被記錄著層 號。亦即表示該空間位元映像是對應於層L0，還是對應 於層L 1。 在從位元組位置1 6起算的48位元組中，係被記錄著 位兀映像資訊（Bitmap Information)。 位元映像資訊，係由對應於內圈區間、資料區間、外 圈區間之3個各區間的區間資訊所構成（Zone Information for Inner Zone)(Zone Information for Data Zone)(Zone Information for Outer Zone)。 各區間資訊係由，區間的開始位置（Start Cluster First PSN)、位元映像資料的開始位置（start Byte Position of Bitmap data)、位元映像資料的大小（Validate Bit Length in Bitmap data)、及預留，分別被設成4位元組的1 6位元 組所構成。 在區間的開始位置（Start Cluster First PSN)中，碟片 上的區間的開始位置、亦即將各區間進行位元映像化之際 的開始位址，是以PSN(實體扇區位址）來表示。 位兀映像資料的開始位置（Start Byte Position of Bitmap data) ’係將關於該區間之位元映像資料的開始位 置，以從空間位兀映像之開頭的Un-allocated Space Bitmap Identifier起算之相對位置的位元組數，所表示而成。 位兀映像資料的大小（Validate Bit Length in Bitmap -25- 201108220 data)，係將該區間之位元映像資料的大小，以位元數來表 示。 然後，從空間位元映像的第2扇區（=扇區1)的位元 組位置〇起，記錄下實際的位元映像資料（Bitmap data)。 位元映像資料的大小係爲，每1 GB是1扇區。 最後的位元映像資料以後的領域係爲，直到最終扇區 (扇區31)之前都是被設成預留「OOhj » 然後，空間位元映像的最終扇區（扇區3 1)中係被記錄 著 TDDS。 上記位元映像資訊所作的管理係如下述。 首先說明，作爲位元組位置4的層號而表示爲層L0 的空間位元映像，亦即對1層碟片、或多層碟片的層L0 的空間位元映像之情形。 此時，藉由 Zone Information for Inner Zone 而表示 了層L0的內圈區間、亦即引入區間的資訊。 在區間的開始位置（Start Cluster First PSN)中，如實 線箭頭所示，表示著內圈區間（此例中係爲引入區間）的開 始位置的P S N。 在位元映像資料的開始位置（Start Byte Position of Bitmap data)中，如虛線所示，係表示了在該當空間位元 映像內的內圈區間所對應之位元映像資料之位置（表示扇 區1之位元組位置〇用的資訊）。 位元映像資料的大小（Validate Bit Length in Bitmap data) ’係表示了內圈區間用的位元映像資料之大小。 -26- 201108220 在 Zone Information for Data Zone 中，係表示了層 L〇的資料區間之資訊。 在區間的開始位置（Start Cluster First PSN)中，如實 線箭頭所示，表示著資料區間的開始位置的PSN。 在位元映像資料的開始位置（Start Byte Position of Bitmap data)中，如虛線所示，係表示了在該當空間位元 映像內的資料區間所對應之位元映像資料之位置（表示扇 區2之位元組位置0用的資訊）。 位兀映像資料的大小（Validate Bit Length in Bitmap data)，係表示了資料區間用的位元映像資料之大小。 藉由 Zone Information for Outer Zone 而表示了層 L0 的外圏區間（例如1層碟片的引出區間等）的資訊。 在區間的開始位置（Start Cluster First PSN)中，如實 線箭頭所示，表示著外圈區間的開始位置的P SN。 在位元映像資料的開始位置（Start Byte Position of Bitmap data)中’如虛線所示，係表示了在該當空間位元 映像內的外圈區間所對應之位元映像資料之位置（表示扇 區N之位元組位置〇用的資訊）。 . 位兀映像資料的大小（Validate Bit Length in Bitmap data) ’係表示了外圈區間用的位元映像資料之大小。 至於層L· 1等的第2層以後的記錄層的空間位元映像 ’也是進行同樣的管理。例如在關於層L 1的空間位元映 像中’係一點鎖線的箭頭所示，進行著關於層L1的內圈 區間、資料區間、外圈區間之管理。 -27- 201108220 接著說明TDFL(暫時DFL)之構成。如上記，TDFL係 於TDMA中被記錄在空間位元映像後續的空白區域，每次 更新時就被追記在空白區域的開頭。 圖9中係圖示TDFL之構成。 TDFL係由1〜4叢簇所構成。其內容係與圖4的DFL 相較可知，開頭的64位元組是被設爲缺陷清單管理資訊 ，位元組位置64以後則是被記錄有各8位元組的交替位 址資訊ati這點，以及最後之交替位址資訊ati#N的下一 8 位元組是被設爲交替位址資訊尾端，是相同的。 但是，於1〜4叢簇的TDFL中，係在該最後扇區的 2048位元組中記錄著暫時DDS(TDDS)，這點是與DFL不 同。 此外，TDFL的情況下，直到交替位址資訊尾端所隸 屬之叢簇的最終扇區的前面爲止，都被塡入〇〇h。然後， 在最終扇區裡記錄著TDDS。若交替位址資訊尾端是屬於 叢簇之最終扇區的情況下，則直到下一叢簇的最終扇區之 前都被塡入〇，而在最終扇區中會記錄TDDS。 64位元組的缺陷清單管理資訊，係和圖5所說明過的 DFL之缺陷清單管理資訊相同。 只不過，作爲從位元組位置4起算的4位元組的缺陷 清單更新次數，係記錄著缺陷清單的流水號。藉此，最新 的TDFL中的缺陷清單管理資訊的流水號，就代表了缺陷 清單更新次數。 又，從位元組位置12起算的4位元組之缺陷清單 -28- 201108220 DFL中的項目數，亦即交替位址資訊ati的數目，或從位 元組位置2 4起算的4位元組之交替領域I S A 0、I S A 1、 OSAO、OSA1之各自的空白領域之大小（叢簇數），係被記 錄下該TDFL更新時點的値。 TDFL中的交替位址資訊ati的構造，也是和圖6所示 DFL中的交替位址資訊ati之構造相同，交替位址資訊ati 是被設成1個項目而表示了 1個交替處理所涉及的交替來 源叢簇與交替目標叢簇。然後，此種項目，係被逐一登錄 在圖9之構造的暫時缺陷清單TDFL中。 但是，作爲TDFL的交替位址資訊ati的狀態1，係除 了「0000」以外，有時候會是「0101」「1〇1〇」。 狀態1變成「0 1 0 1」「1 0 1 0」的情況是，將實體上連 續的複數叢簇整批進行了交替處理之際，將該複數叢簇整 批進行交替管理（爆發式傳輸管理）的情形。 亦即，當狀態1是「01 01」時，該交替位址資訊ati 的交替來源叢簇的開頭實體扇區位址和交替目標叢簇的開 頭實體扇區位址，係表示關於實體上連續之複數叢簇的開 頭叢簇的交替來源、交替目標。 又，當狀態1是「1010」時，該交替位址資訊ati的 交替來源叢簇的開頭實體扇區位址和交替目標叢簇的開頭 實體扇區位址，係表示關於實體上連續之複數叢簇的最後 叢簇的交替來源、交替目標。 因此，當將實體上連續的複數叢簇整批進行交替管理 時’係不需要將複數個的全部叢簇1個個地將交替位址資 -29- 201108220 訊ati作成項目，只要將關於開頭叢簇與尾端叢簇的2個 交替位址資訊ati作成項目即可。 在TDFL中，係如以上所述，基本上是和DFL同樣構 造，但大小可擴充至4叢簇，最後扇區中被記錄有TDD S ，作爲交替位址資訊ati是可進行爆發傳輸管理等，係具 有特徵。 在TDMA中係如圖7所示記錄有空間位元映像和 TDFL，但如上記在空間位元映像及TDFL的作爲最後扇區 的 2048 位元組中，係被記錄有 TDDS(temporary disc definition structure) 0 該TDDS的構造係示於圖10。 TDDS係由1扇區（2〇48位元組）所構成。然後，含有 和上述DMA中的DDS相同之內容。此外，DDS係爲1叢 簇（65 5 36位元組），但如圖3所說明，在DDS中有進行實 質內容意義的，是到位元組位置52爲止。亦即，在1叢 簇的開頭扇區內是被記錄著實質的內容。因此，即使 TDDS是1扇區，也能包含DDS內容。 由圖1 0和圖3相較可知，TDDS係爲，位元組位置〇 〜53爲止是和DDS相同的內容。只不過，從位元組位置 4係爲TDDS流水號，從位元組位置16起係爲TDMA內 的驅動區域開始實體位址，從位元組位置24起係爲 TDMA內的TDFL之開始實體位址（AD DFL)。 TDDS的位元組位置1 024以後係記錄著，DDS中所沒 有的資訊。 -30- 201108220 從位元組位置1 024起算的4位元組中，係被記錄著 使用者資料領域中的被記錄有資料的最外緣之實體扇區位 址 PSN。 從位元組位置1 〇 2 8起算的4位元組中，係被記錄著 TDMA內的最新之層L0用的空間位元映像的開始實體扇 區位址（AD ΒΡ0)。 從位元組位置1 〇 3 2起算的4位元組中，係被記錄著 TDM A內的最新之層L1用的空間位元映像的開始實體扇 區位址（AD BP1)。 位元組位置1 〇3 6的1位元組，係被記錄著用來控制 覆寫機能之使用所需的旗標。 這些位元組位置以外的位元組係爲預留，其內容係全 部爲00h。 只不過，例如3層碟片的情況下，預留內的所定位元 組位置係被決定，而被記錄著TDM A內的最新之層L2用 的空間位元映像的開始實體扇區位址（AD BP2)。 又在4層碟片的情況下，各個預留內的所定位元組位 置係被決定，而被記錄著TDM A內的最新之層L2用的空 間位元映像的開始實體扇區位址（AD BP2)、及最新之層 L3用的空間位元映像的開始實體扇區位址（AD BP3)。 然後，於該圖10中被當作預留的任一位置上，以各4 位元組，記錄著關於各層中的OPC區域的’下個OPC動 作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)。亦即， 是下個要使用來作爲OPC動作之部分的位址。 -31 - 201108220 例如，在3層碟片的情況下’如後述’層L0 ' L1、 L2中所被設置的各〇PC區域中的未使用部分（還有尙未執 行OPC動作之部分）的開頭位址，通常是被當成下次使用 之部分的位址，而以各4位元組加以描述。 又在4層碟片的情況下，如後述，層L0、LI、L2、 L3中所被設置的各OP C區域中的未使用部分的開頭位址 ，通常是被當成下次使用之部分的位址，而以各4位元組 加以描述。 只不過，雖然之後圖26的例子中會說明，但作爲下 次使用部分之位址的「Next available Ln OPC Address」 ，係有時也會被變更成，並非未使用部分之開頭的位置。 如此，TDDS係含有使用者資料領域的位址和ISA、 OSA的大小，及交替領域使用可能旗標。亦即，是作爲進 行資料區間中的ISA、OSA之領域管理用的管理/控制資訊 。這點是和D D S相同。 然後還具有用來表示有效之最新空間位元映像之位置 的資訊（AD BPO、AD BP1、（還有 AD BP2、AD BP3))，而 且還具有用來表示有效之最新暫時DFL(TDFL)之位置的資 訊（AD DFL)。 還具有用來表示各層之OPC區域的未使用部分的、下 個 OPC 動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address) ο 該TDDS ’係被記錄在空間位元映像及TDFL的最終 扇區’因此每當空間位元映像或TDFL被追加時，就會記 -32- 201108220 錄下新的TDDS。因此，在圖7的TDMA內’最後被追加 的空間位元映像或TDFL內的TDDS係爲最新的TDDS， 其中係表示了最新的空間位元映像及TDFL。 簡單說明TDMA的更新。 使用圖1所示交替領域ISA、OSA的交替處理’係進 行如下。以資料改寫時爲例。例如’對於使用者資料領域 中的已經進行過資料記錄的叢簇，發生資料寫入，亦即改 寫之要求。此時，由於是一次寫入型碟片因此無法對該叢 簇進行寫入，所以其改寫資料係會被寫入至ISA或OSA 內的某個叢簇。這就是交替處理。 該交替處理係以上記交替位址資訊ati的項目而被管 理。亦即，原本進行過資料記錄的叢簇位址是被當成交替 來源，ISA或OS A內寫入改寫資料的叢簇位址是被當成交 替目標，而將1個交替位址資訊ati作成項目。 亦即，資料改寫的時候，係將改寫資料記錄在IS A或 OSA中，且該當改寫所致之資料位置的交替，是以TDMA 內的TDFL中的交替位址資訊ati來加以管理，藉此，即 使是一次寫入型的碟片’仍可實質地（例如從主機系統的 OS、檔案系統等來看）實現資料改寫。 缺陷管理時也是同樣地，當某個叢簇被設成缺陷領域 時，原本應寫入該處的資料，係藉由交替處理而被寫入至 ISA或〇SA內的某個叢簇。然後，爲了該交替處理之管理 ，1個交替位址資訊ati會被作成項目。 又’隨著記錄動作（叢簇之消耗），也會進行空間位元 -33- 201108220 映像的更新。 如此，TDMA係隨著資料寫入或交替處理，而會隨時 更新空間位元映像或TDFL。然後，在封片之際，最新的 TDMA之內容會被記錄在INFO內的DMA中，管理資訊就 被固定。 此外，在3層碟片、4層碟片等之多層碟片中，係如 後述在各記錄層的全部或部分，配置TDMA，但它們係會 —面被依序耗盡而一面被使用於TDFL/空間位元映像的更 新。藉此，就可將各記錄層的TDMA合起來當作1個大的 TDMA來使用，可有效率地活用複數TDMA。 又，可無關於各層的TDMA，單純只找尋所被記錄的 最後之TDDS，就可掌握有效的TDFL/空間位元映像。 又，雖然圖7中沒有圖示，但爲了判別最新的TDMA ，只有開頭的TDMA(例如後述的TDMA#1)’係TDMA內 的最初之所定叢簇數是被當成TDMA存取指示元來使用。 現在若假設碟片全體中設有TDMA0〜TDMA11的12 個TDMA，則開頭之TDMA0的最初之12叢簇是被當作 TDMA存取指示元，分別是表示TDMA1〜11、及DMA的 記錄中之資訊。
在開頭的TDMA0的使用中’ TDMA存取指示元中係 不會記錄任何東西。TDMA0全部都被使用’而開始使用 TDMA1時，則TDMA存取指示元的最初叢簇（對應於 TDMA1)裡，係全部記錄例如「00h」資料。又’當 TDMA1全部都被使用’而開始使用TDMA2時，則TDMA -34- 201108220 存取指示元的第2個叢簇（對應於TDMA2)裡，係全部記錄 「0 0h」資料。藉由使用TD μ A存取指示元，當碟片在裝 塡等時候，會對最初的TDMA0進行存取，讀取TDMA存 取指示元，碟片驅動裝置就可獲知該時點上被記錄最新 TDMA資料的TDMA。或著若TDMA存取指示元的12叢 簇全部都被記錄成「00h」，則可獲知DMA已經被記錄。 [4.複數層碟片/現行2層碟片的內圈區間] 接著以圖11來說明複數層碟片的層構造。 圖11(a)係針對現行的2層碟片，圖ll(b)(c)係針對實 施形態的3層碟片及4層碟片，模式性圖示層構造。 圖ll(a)(b)(c)的各碟片中，係具備約1.1mm厚的碟片 基板20 1。碟片基板20 1係例如藉由聚碳酸酯樹脂的射出 成形而被成形。在射出成形用的模具內設置印模，就可以 轉印有凹軌形狀的狀態而加以形成。 2層碟片的情況下，如圖1 1(a)所示，在基板201上形 成有第1層（層L0)，然後隔著中間層204而形成有第2層 (層L1)。然後在第2層（層L1)上形成有透光層203。 透光層203的表面側係作爲雷射入射面。 透光層203係被形成來作爲保護光碟之目的。資訊訊 號的記錄再生，係例如雷射光通過透光層2 03而被聚光在 層L0或L1而進行。 透光層203係例如由紫外線硬化樹脂的旋轉塗佈及紫 外線照射的硬化而形成。又，亦可使用紫外線硬化樹脂與 -35- 201108220 聚碳酸酯薄片，或接著劑與聚碳酸酯薄片來形成透光層 203 〇 透光層203’係爲ΙΟΟμηι程度的厚度，與約1.1mm的 基板201合算，光碟全體的厚度係爲約l.2mm。 圖1 1(b)的3層碟片係作爲記錄層而具備有層L〇、L1 、L2之3層。 此時也是，在基板201上，層L0、LI、L2是分別隔 著中間層204而被形成。 圖1 1(c)的4層碟片係作爲記錄層而具備有層L0、L1 ' L2、L3之4層。此時也是，在基板201上，層L0' L1 、L2、L3是分別隔著中間層204而被形成。 於圖1 l(a)(b)(c)中，各中間層204係例如將具有紫外 線感光性的透光層材料以旋轉塗佈法而被旋轉塗佈，藉由 紫外線照射而硬化形成。 從多層光碟記錄媒體中記錄再生資訊訊號的情況下， 該中間層204的配置與膜厚，係以抑制層間串音爲目的而 被設定。 3層碟片的情況下，層L2係位於從雷射入射面起算 5 〇μπι前後之位置。又，當4層碟片的情況下，則調整中 間層204的厚度，使層L3位於從雷射入射面起算50μιη 前後之位置。 圖11(b)的3層碟片係例如由以下的程序（ST1〜ST7) 所製造。 (ST1)使用層L0用的印模藉由射出成形而作成被轉印 -36- 201108220 有層L0之凹軌圖案的碟片基板201。 (ST2)在L0用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜 ，形成層L0。 (ST3)在層L0上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一面 按壓層L1用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被轉 印有層L1之凹軌圖案的中間層204。 (ST4)在L1用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜 ，形成層L 1。 (ST5)在層L1上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一面 按壓層L2用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被轉 印有層L2之凹軌圖案的中間層204。 (ST6)在L2用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成膜 ，形成層L2。 (ST7)以旋轉塗佈及硬化、或薄片接著等手法，形成 透光層203。 藉由以上的工程，製造了 3層碟片。 在4層碟片的情況下，加上層L3所需的工程，例如 以下面的程序（ST1 1〜ST19)而製造。 (ST 11)使用層L0用的印模藉由射出成形而作成被轉 印有層L0之凹軌圖案的碟片基板201。 (ST 12)在L0用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成 膜，形成層L0。 (ST 13)在層L0上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一 面按壓層L1用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被 -37- 201108220 轉印有層L1之凹軌圖案的中間層204 » (ST1 4)在L1用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成 膜，形成層L1。 (ST15)在層L1上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一 面按壓層L2用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被 轉印有層L2之凹軌圖案的中間層204。 (ST 16)在L2用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成 膜，形成層L2。 (ST17)在層L2上以旋轉塗佈法將樹脂予以延展，一 面按壓層L3用的印模一面使樹脂硬化。藉此，形成了被 轉印有層L3之凹軌圖案的中間層204。 (ST1 8)在L3用凹軌圖案上以印模等將記錄膜予以成 膜，形成層L2。 (ST 19)以旋轉塗佈及硬化、或薄片接著等手法，形成 透光層203。 藉由以上的工程，製造了 4層碟片。 此物，爲了與後述的實施形態之3層碟片、4層碟片 做比較，針對現行的2層碟片的內圈區間的佈局，以圖1 2 來說明。 內圈區間係爲半徑位置21 .0mm〜24.0mm之範圍。 BCA係從半徑位置21.0mm起被形成。 於各層L0、L1中，爲了使BCA、和進行管理資訊記 錄再生之領域之間保持分離之目的’保護區間PZ1是從半 徑位置22.2mm起被設置。 -38 - 201108220 於層L0中，係如上述，以搖擺凹軌而被記錄下再生 專用之管理資訊的PIC，係被形成在半徑位置22.5mm〜約 23.1mm之範圍。 在層L0中，直到該PIC爲止係爲再生專用領域。 然後，從PIC起朝向外緣側而到半徑24.0mm爲止的 範圍中，係依序配置了保護區間PZ2、緩衝區域BUF、 INFO#2、OPC(LO)、TDMA#1、INFO#l。 於層LI中，係在半徑位置22.5mm〜約24.0mm的範 圍中，係依序配置了緩衝區域BUF、OPC(Ll)、預留區域 RSV、INFO#4、TDMA#2、預留區域 RSV，INFO#3。 此外，緩衝區域BUF係爲不被使用於管理資訊之記 錄再生的區域。又，預留區域RSV係爲，現狀下未被使 用，但將來有可能用於管理資訊之記錄再生的區域。 又，作爲試寫區域的OPC區域係被設在各層，但在 內圈區間內之區域的說明中，標記爲「OPC(Lx)」，意思 是「位於層Lx的OPC區域」。 關於TDMA、INFO係標示#1〜#n來表示，但無論其 所被配置的層爲何，是將它們全體當作1個TDMA、1個 INFO之領域來使用。 [5 ·實施形態的3層碟片的內圈區間] 說明實施形態的3層碟片的內圈區間。 該3層碟片，係藉由記錄密度的高密度化而實現每1 層約3 3 GB。此時必須要有適切的內圈區間佈局。 -39- 201108220 首先說明’實施形態的3層碟片的開發時所必須留意 的重點P 1〜P 6。 (P1)錨定位置係爲固定。 有鑑於現行的2層碟片，考慮到碟片驅動裝置的內圏 區間的使用性或相容性。因此，圖12的箭頭F所標示的 位置，亦即BCA尾端（半徑22.2mm位置）、保護區間PZ1 尾端（半徑22.5mm位置）、內圈區間尾端（半徑24.0mm位 置）係爲固定。 亦即’ PIC、OPC、TDMA等之配置，係在半徑 22.5mm〜半徑24.0 mm的範圍內爲之。只不過，由於2層 碟片與3層碟片、4層碟片的資料線密度之差異，導致半 徑位置會發生若干變動。 (P2)各層的OPC區域係在層方向上不相互重疊。 這是爲了要能適切進行OPC動作。若對記錄層進行 記錄，則記錄層會發生穿透率變化，而且其穿透率變化係 具有記錄功率依存性。如此一來，在OPC區域這種一面 改變記錄功率一面進行記錄的地點，會發生多樣性的穿透 率變化。然後，若某個OPC區域是在層方向上重疊於其 他OPC區域而存在，則從雷射入射面往深入側（碟片基板 20 1側）的OPC區域中就有可能無法進行適切的OPC動作 〇 例如，當與OPC(Ll)重疊而存在OPC(LO)時，在〇PC(Ll) 中一面改變雷射功率一面進行OPC動作，導致〇PC(Ll)的 穿透率是在每個部分都有變動。如此一來，其後對於深處 -40- 201108220 的OPC(LO)，因爲OPC(Ll)的穿透率變化之影響，導致無 法以目的功率來照射雷射。又，對OPC區域有時候也會 以過大功率進行雷射照射，導致記錄層受到損傷之情形。 由於這些原因，若OPC在層方向上重疊，則在碟片 基板201側的OPC上的動作，就會發生問題。因此，各 層的OPC區域必須要在層方向上不相互重疊》 (P3)承襲現行的2層碟片的管理資訊容量。 P 1C係和現行的1層碟片、2層碟片同樣地做5重寫 入，只要至少位於1個記錄層即可。 例如圖1 2所示的2層碟片的PIC，係爲了資訊的安 全性、讀取的確實化，因此是將同一資訊重複記錄了 5次 。在3層碟片中也承襲這點。因此，PIC的半徑範圍，係 隨著5次記錄份的資料量而決定。 又，TDMA係每1層有2048叢簇，OPC區域也是各 層有204 8叢簇，這點也是承襲。這是爲了不改變TDM A 或OPC的使用性。 因此，在3層碟片的情況下，TDMA總計確保了 2048 X3 =6144叢簇。OPC區域，係在各層中分別確保2048叢 簇。 此外，TD Μ A的更新係伴隨記錄動作，因此例如記錄 動作之前會先在OPC區域中進行記錄雷射功率調整之裝 置的情況下，隨著碟片的排片動作，而會頻繁地執行 TDMA更新，同樣地會消耗掉OPC區域。因此，TDMA的 容量係儘可能地在能夠配置的各層中均等配置。 -41 - 201108220 (P4)從OPC區域往碟片基板201側’管理資訊 生領域係不重疊配置。 此處所謂「管理資訊記錄再生領域」’係在內 內進行管理/控制資訊之記錄再生之領域的總稱。 INFO、TDMA、預留區域RSV係爲管理資訊記錄再 。此外，預留區域RSV係將來有可能進行管理資 錄再生，因此也被包含在管理資訊記錄再生領域。 P 1C係爲再生領域，因此不包含在管理資訊記 領域。又，緩衝區域BUF、保護區間PZ2，係不進 及再生，因此不包含在管理資訊記錄再生領域。 從OPC區域往碟片基板201側不重疊配置管 記錄再生領域，係爲了使管理資訊記錄再生領域能 進行記錄再生。 如上述，OPC區域係會不定地發生穿透率變化 該影響，若從OPC區域往碟片基板201側有管理 錄再生領域重疊存在，則無法對該管理資訊記錄再 照射適切光量的雷射，其記錄再生動作就會變得不 於是，在OPC區域的碟片基板201側，係不配置 等之管理資訊記錄再生領域。 (P5)從OPC區域往雷射入射面側，係僅容許有 理資訊記錄再生領域。 如上述，隨著對記錄層的記錄再生，會產生穿 化。因此爲了確實的OPC動作，在從OPC區域往 射面側上，最好不要有會進行記錄的領域。可是， 記錄再 圈區間 亦即， 生領域 訊之記 錄再生 行記錄 理資訊 夠適切 。因爲 資訊記 生領域 穩定。 TDMA 1個管 透率變 雷射入 在現行 -42- 201108220 的2層碟片中則是容許的。例如圖12的從OPC(LO)往雷 射入射面側，係配置有TDMA#2。 這是因爲，管理資訊記錄再生領域係以適切的雷射功 率而進行記錄再生，因此其穿透率變化係在預測範圍內’ 對於深側的OPC區域中的試寫不太會造成影響。 可是若考慮3層碟片、4層碟片等之多層碟片，則有 可能發生2個以上的管理資訊記錄再生領域被配置在從 OPC區域往雷射入射面側。複數管理資訊記錄再生領域彼 此重疊，各自進行記錄 '或是保持未記錄狀態的話，從位 於其深側的OP C區域來看得穿透率，就會無法預測。 於是，從OPC區域往雷射入射面側，不要重複配置2 個以上的管理資訊記錄再生領域。 (P6)l個層中的2個INFO係要間隔150μπι以上。 1個層中的2個INFO，因爲被規定要保持一容許缺陷 尺寸亦即150μηι以上之距離，所以遵從之。 留意以上重點Ρ1〜Ρ6而針對3層碟片（BD-R)所開發 出來的內圈區間佈局，係如圖1 3所示。此外，圖14中係 標示了各區域的開始半徑位置與叢簇數。 於層L0中，接續於BCA、保護區間ΡΖ1，而在外緣 側配置有PIC » PIC係遵照上記重點Ρ3，是相應於5重寫 入資料量的大小。BCA '保護區間ΡΖ、PIC係爲再生專用 領域。 然後，接續於PIC，往外緣側配置有保護區間ΡΖ2、 緩衝區域 BUF、INFO#2、OPC(LO)、TDMA#1、INFO#l。 -43- 201108220 在層丄1中，只有BCA、保護區間PZ1是再生專用領 域。然後，接續於保護區間P Z1而往外緣側，配置有緩衝 區域 BUF、0PC(L1)、預留區域 RSV、INFO#4、TDMA#2 、預留區域RSV、INFO#3。 在層L2中也是，只有BCA、保護區間PZ1是再生專 用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有 緩衝區域 BUF、OPC(L2)、預留區域 RSV、INFO#6、 TDMA#3、緩衝區域 BUF、INFO#5。 各區域的半徑位置及叢簇數係請參照圖14。 該圖1 3的內圈區間佈局，係有考慮到上記重點p i〜 P6 ° 針對重點PI，BCA、保護區間PZ1、內圏區間尾端係 被固定，然後 PIC、OPC、TDMA、INFO等，是在半徑 22.5mm〜半徑24.0mm的範圍內爲之。 作爲重點P3，PIC容量、TDMA容量、OPC大小，係 被承襲。 作爲重點P6，層L0的INFO#l與INFO#2之間、層 L1 的 INFO#3 與 INFO#4 之間、層 L2 的 INFO#5 與 INFO#6之間，係分別隔開150μπι以上。 作爲重點Ρ2，OPC區域係在層方向上不重疊。 如圖13所示，〇PC(L2)與OPC(Ll)，係在半徑方向上 保持離間距離G 1而不重疊之狀態。 又’ OPC(Ll)與層L0的INFO#2之間係有離間距離 G2’因此〇PC(Ll)與OPC(LO)也是在半徑方向上保持離間 -44- 201108220 距離G2以上而不重疊之狀態。 該離間距離G 1、G 2，係當例如圖1 4之半徑位置設定 之例子的情況下，係爲222 μηι。 說明藉由保持離間距離G1、G2而設定配置’使得 OPC區域可以在層方向上不重疊。 如上述，將層L0、L1、L2之軌跡加以形成的凹軌圖 案，係分別在碟片基板201的作成時、中間層2〇4形成時 ，就分別藉由對應的印模而加以成形。因此’成爲軌跡的 凹軌圖案的中心點係難以完全一致，而容許有所定之公差 〇 如圖15(a)所示，各記錄層的偏芯量最大可容許75 μηι 。又，作爲半徑位置精度，作爲各記錄層之半徑24mm位 置的誤差，在絕對値上最大容許l〇〇Pm。例如’以層L0 的半徑24mm位置爲基準，其他層的半徑24mm位置，係 只要在1 00μιη以內的誤差即可。 如此一來，各記錄層彼此的位置偏差’最糟情況下係 爲 1 7 5 μηι。 可是，還必須要考慮到散焦。如圖1 5(b)所示’ 3層碟 片的最靠雷射入射面側的記錄層亦即層L2，係從層L0遠 離了 50μιη弱。例如假設爲46.5 μηα。如此一來，當對層 L0合焦狀態而對層L0進行記錄時，在層L2中，半徑 2 9 μηι的範圍會是雷射照射範圍。 若考慮以上這點，則若沒有200μιη以上的離間距離， 則還是有可能發生OPC區域之重疊。 -45- 201108220 於是’在本例中係如圖13、圖14所示般地配置各區 域，藉此以各自確保了 222μιη來作爲離間距離Gl、G2。 如此一來，OPC(L2)與OPC(Ll)，即使當層LI、L2是 在容許範圍內錯開最大極限而被形成的情況下，在層方向 上仍不會重疊。OPC(Ll)與 OPC(LO)也同樣地，在最糟情 況下仍不會重疊。 因此，可完全滿足重點P2，可保證在各OPC區域中 進行適切的OPC動作。 重點P4，亦即從OPC區域往碟片基板201側，管理 資訊記錄再生領域係不重疊配置這點，也被滿足。 如圖13所示，在OPC(L2)的碟片基板201側，配置 有層L1的緩衝區域BUF、和層L0的PIC，沒有管理資訊 記錄再生領域存在。 又，在OPC(Ll)的碟片基板201側，配置有層L0的 PIC、保護區間PZ2、緩衝區域BUF，沒有管理資訊記錄 再生領域存在。然後，即使層L1、L0間發生上記公差內 最大偏移時，由於離間距離 G2有 222μπι，因此在 OPC(Ll)的碟片基板201側，不會有INFO#2位於該處。 因此，在OPC區域的深處（碟片基板201側）不會被配 置管理資訊記錄再生領域，不會隨著OPC區域之記錄狀 況而導致管理資訊記錄再生領域之記錄再生動作發生不穩 定。 重點P5，亦即從OPC區域往雷射入射面側，係僅容 許有1個管理資訊記錄再生領域這點，也被滿足。 -46 - 201108220 此點會造成問題的是’從層L0的OPC(LO)來看的層 Ll、L2之配置。這是因爲，從〇PC(Ll)、OPC(L2)往雷射 入射面側，是不可能配置2個以上的管理資訊記錄再生領 域。 從Ο P C ( L 0)往雷射入射面側’係配置有層 L 1的 TDMA#2、及層L2的緩衝區域BUF。因此，從OPC(LO)往 雷射入射面側的管理資訊記錄再生領域，係只有TDMA#2 〇 即使有公差容許最大偏移的情況下，層L1的INF 0#4 、預留區域RSV有可能與O?C(L0)在層方向上重疊。可是 ，由於離間距離G2是222μηι，因此層L2的TDMA#3與 OPC(LO)在層方向上不會重疊。再者，圖13的離間距離 G3，在圖14的設定時係爲235μιη。如此一來，層L2的 INFO#f與OPC(LO)在層方向上也不會重疊。 因此，即使在許容公差內的最糟狀態下，從OPC區 域往雷射入射面側，係不會存在有2個以上的管理資訊記 錄再生領域。 如以上，本例的3層碟片，係設計成例如圖13、圖 14所不的內圈區間佈局’就成了滿足重點P1〜P6之條件 的適切佈局。 將本例的3層碟片之要點整理如下。 .在碟片基板201上，記錄層被設置3層（層L0〜L2) ，然後在雷射入射面側'形成有透光層203而成的複數層碟 片的可記錄型碟片。 -47- 201108220 •在各記錄層（層L0〜L2)中，雷射功率控制所需的測 試區域（OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC(L2))，是分別被設置在 比用來記錄使用者資料之資料區間更爲內緣側的內圈區間 •各記錄層（層 L0〜L2)的測試區域（OPC(LO)、 OPC(Ll)、OPC(L2))是被配置成，彼此在層方向上互不重 暨。 •在各記錄層（層L0〜L2)的內圈區間中係被設置有， 進行管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域。 •對於各記錄層的測試區域之每一者（OPC(LO)、 OPC(Ll)、OPC(L2))，從測試區域往雷射入射面側，在層 方向上重疊的管理資訊記錄再生領域係爲1個以下的方式 ，來配置管理資訊記錄再生領域。 •管理資訊記錄再生領域，係對於各記錄層的測試區 域（OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC(L2))，在碟片基板 201 側中 ，在層方向上互不重疊而配置。 順便一提，圖13的例子係表示了屬於一次寫入型碟 片的BD-R。若是可複寫型碟片的BD-RE時，則只要如圖 1 6般地設定內圈區間佈局即可。 該圖16，係將圖13的TDMA改成預留區域RSV而成 的佈局。各區域的大小係和圖1 4相同。只要將圖1 4中的 TDMA之位置想成預留區域RSV即可》 如上述’ TDMA係爲，直到最終封片處理爲止的資料 改寫、爲了交替處理而依序更新TDFL或空間位元映像等 -48- 201108220 時候，會被使用。若是可資料改寫的可複寫型碟片，則只 要直接寫入INFO內的DMA即可，因此不需要TDMA。 於是，只要設計成如圖16所示般地將圖13的TD Μ A 改成預留區域RSV而成的佈局即可。當然，重點pi〜P6 之條件係被滿足。 藉由如此的內圈區間佈局，在BD-RE中也可適切進 行內圈區間中的試寫或管理資訊之記錄再生。 [6·實施形態的4層碟片的內圈區間] 接著說明實施形態的4層碟片的內圏區間。 該4層碟片，係藉由記錄密度的高密度化而實現每1 層約32GB。此時必須要有適切的內圈區間佈局。 實施形態的4層碟片的開發時所必須留意的重點，係 和上記重點P 1〜P 6相同。可是，在4層碟片的情況下， 因爲以下理由，所以無法單純地滿足重點P 1〜P6。 首先，在4層的情況下仍要遵從重點PI，PIC、OPC 、TDMA等之配置，係在半徑22.5mm〜半徑24.0mm的範 圍內爲之。又，依照重點P3，OPC區域或TDMA等之容 量係同樣地加以確保。 亦即，OPC區域係爲各層有2048叢簇。 TDMA係爲每1層有2048叢簇，因此配置位置是在 任何記錄層均可，但全體而言係要確保2048 x4 = 8 1 92叢 簇。又，T D Μ A係於可配置之記錄層中，儘可能地配置成 容量均等。 -49- 201108220 順便一提，若以此爲前提而不變，則〇pc區域彼此 間的離間距離G1、G2就難以確保200μιη以上。 如此一來，重點Ρ2的0PC區域在層方向上不重疊之 條件，即使各層的偏移是在公差內，仍會發生無法保證的 情形。亦即，會發生無法滿足重點Ρ 2的情形。 於是，4層碟片的情況下，是以0PC配對的思考方式 ，以及縮小公差的思考方式來對應之。 首先以圖17先來說明作爲本例之4層碟片（BD-R)而 開發的內圈區間佈局。此外，圖1 8中係標示了各區域的 開始半徑位置與叢簇數。 於層L0中，接續於BCA、保護區間ΡΖ1，而在外緣 側配置有ΡIC » Ρ IC係遵照上記重點Ρ 3，是相應於5重寫 入資料量的大小。BCA、保護區間ΡΖ、PIC係爲再生專用 領域。 然後，接續於PIC，往外緣側配置有保護區間ΡΖ2、 緩衝區域 BUF、INFO#2 ' OPC(LO)、緩衝區域 BUF、 INFO#l。 在層L1中，只有BCA、保護區間PZ1是再生專用領 域。然後，接續於保護區間PZ 1而往外緣側，配置有緩衝 區域 BUF、OPC(Ll)、INFO#4、TDMA#l、緩衝區域 BUF 、INFO#3。 在層L2中也是，只有BCA、保護區間PZ1是再生專 用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有 緩衝區域 BUF、INFO#6 ' TDMA#2、緩衝區域 BUF、 -50- 201108220 OPC(L2)、TDMA#3、INFO#5。 在層L3中也是，只有BCA、保護區間PZ1是再生專 用領域。然後，接續於保護區間PZ1而往外緣側，配置有 OPC(L3)、緩衝區域 BUF、INFO#8、TDMA#4、INFO#7。 各區域的半徑位置及叢簇數係請參照圖1 8。 此情況下，首先，重點P 1、P 3、P 6係直接滿足。 針對重點PI，BCA、保護區間PZ1、內圈區間尾端係 被固定，然後 PIC、OPC、TDMA、INFO等，是在半徑 22.5mm〜半徑24.0mm的範圍內爲之。 作爲重點P3，PIC容量、TDMA容暈、OPC大小係被 承襲。 此外，TDMA係於可配置的層LI ' L2、L3容量均等 地配置，但這點係當作追加的重點P 7、P 8而於後述。 作爲重點P6，層L0的INFO#l與INFO#2之間、層 L1 的 INFO#3 與 INFO#4 之間、層 L2 的 INFO#5 與 INFO#6之間、層L3的INFO#7與INF〇#8之間，係分別 隔開1 50μιη以上。 以下說明，對於重點P2(OPC區域不重疊）、Ρ4(從 OPC區域往碟片基板201側不配置管理資訊記錄再生領域 )' Ρ5(從OPC區域往雷射入射面側係不配置2個以上的管 理資訊記錄再生領域）的對應。 首先說明’圖17所示的第一OPC配對、第二〇pc配 對這種OPC配對的思考方式。 圖19中係圖示了各層的OPC區域。 -51 - 201108220 此外’在本例的4層碟片中是想定爲，採用所謂的反 向軌跡路徑（Opposite Track Path)。其係記錄再生的行進 方向（位址的行進方向）是在層L0中係爲內緣—外緣、在 層L1中係爲外緣―內緣、在層L2中係爲內緣—外緣、在 層L3中係爲外緣—內緣的方式，是一種交互反轉的軌跡 路徑。圖1 9中係以箭頭OTP而圖示了軌跡路徑方向。 此外’在所有的層中記錄再生方向爲內緣—外緣者， 稱作平行軌跡路徑，但以下所述的本實施形態之思考方式 ，係亦可採用平行軌跡路徑。 如圖1 9所示，於內圈區間中被配置在外緣側的2個 0PC區域亦即OPC(LO)、OPC(L2)，稱作第一〇PC配對。 又’被配置在內緣側的2個OPC區域亦即OPC(Ll)、 OPC(L3)，稱作第二OPC配對。 0PC區域係被規定爲，從與記錄再生方向（軌跡路徑） 相反方向開始而被消耗。這是因爲，在OPC區域中，以 非常高的雷射功率來進行試寫，有時會造成部分性損傷， 若從位址較小者開始使用，則OP C時有可能無法存取到 OPC執行位置。 因此’試寫時所使用的每一所定扇區中，係從位址較 大者開始使用。圖中的箭頭OU，係表示OPC區域的消耗 方向。 因此，在反向軌跡路徑的情況下，OPC(LO)、OPC(L2) 係從外緣側起依序每次消耗所定扇區，0 P C (L 1)、Ο P c (L 3 ) 係從內緣側起依序每次消耗所定扇區。 -52- 201108220 配對內的2個OP C區域，其消耗方向OU是相同的。 於是，關於各配對內的2個OPC區域，係考慮外觀 上的離間距離。亦即關於OPC(LO)、OPC(L2)的離間距離 AB1、及關於OPC(Ll)、〇PC(L3)的離間距離AB2。 所謂外觀上的離間距離AB1、AB2，係在OPC區域內 接下來使用之部分（下個OPC動作中將消耗之位置）的開頭 的離間距離。通常係爲，OPC區域內尙未消耗的未使用部 分的開頭的離間距離。此外，所謂「接下來使用之部分」 的開頭，係於上述的TDDS中，表示成OPC動作執行可能 位址（Next available Ln OPC Address)的位址。. 例如，於各OPC區域中，箭頭OU之長度所表示的部 分，是已經在OP C動作中被消耗的情況下，外觀上的離 間距離ΑΒ 1、ΑΒ2，係如圖所示。 若能確保外觀上的離間距離ΑΒ1、ΑΒ2，則隨著OPC 區域的使用方式，可獲得一能夠達成上記重點P2(OPC區 域不重疊）之目的的實際上之離間距離。 例如，於圖19的第一OPC配對中，OPC(LO)、OPC(L2) 係如箭頭OU所示而被消耗時，接下來使用的OPC位置就 不會重疊。可是，若考慮最大公差，且例如OPC(L2)的消 耗量是相對於OPC(LO)顯著較多時，則OPC區域就有可能 發生實質上的重疊。 關於這點，以圖20的第一 OPC配對爲例來說明。 圖20(a)係想定在〇PC(L0)和〇PC(L2)之間，在半徑方 向上不帶有離間距離之佈局的情形。 -53- 201108220 2048叢簇的〇PC區域之半徑尺寸，係爲約250μιη。 即使不帶有如該圖2〇(a)所示之離間距離，在理想狀 態下，OPC(LO)與〇PC(L2)係在層方向上不重疊。 可是，如上述，若容許約200μιη的公差，且層L0、 L2的偏移爲最大，則會發生如圖20(b)所示的約200μιη之 範圍的重疊。 但是，若考慮上記外觀上的離間距離ΑΒ 1，則即使發 生了如圖20(b)所示的層方向之重疊，還是可使OPC記錄 中所使用的位置是呈不會重疊的狀態。例如OPC(LO)和 Ο P C ( L 2 )只要如圖中的虛線箭頭所示總是大略均等地被消 耗下去的話，則可總是保持外觀上的離間距離ΑΒ 1。（外 觀上的離間距離AB1，係相當於各虛線箭頭的尖端彼此的 離間距離） 然而，各OPC區域的消耗量係不一定均等。通常是 OPC(LO)消耗得比較快，但隨著情形不同，也有可能 OPC(L2)消耗得比較快。然後，在圖20(b)的情況下，相對 於OPC(LO)的消耗量，假設OPC(L2)的消耗量是2倍，則 外觀上的離間距離ΑΒ 1就會變成零。 這是因爲，層L0、L2的偏移是在公差內的最大値， 且OPC(LO)與〇PC(L2)的消耗平衡變得非常差的時後才會 發生的稀少案例，但此種事態發生的可能性，必須要僅可 能地減小。 於是，針對公差再度檢討。 圖 21(a)係圖示了 ，上記 3層碟片中公差最大約 -54 - 201108220 2 00μπι之條件。 將其再次檢討’首先’偏芯量係爲碟片製造上的問題 ’要達到75μιη以下是有困難的。又，散焦的29μιη也不 會改變。 於是’如圖21(b)所示，將半徑位置精度設定成，在 半徑24mm的位置上，最大係爲相對値5〇μηι之誤差。雖 然3層的情況下是從基準層起算的絕對値誤差，但實際上 ，層的偏移在各層間所造成的是相對性影響。於是，將容 許公差變更成，在4層當中，偏移最大的2個層的半徑 2 4mm位置的偏差係爲50μπι之範圍以內即可。 如此一來，可預估最大公差爲約150μηα。於是，各層 即使在最糟狀況下，也不會有1 50 μπι以上的偏移，可以此 爲前提。 此時，若層L0、L2的偏移是最大，則如圖20(c)所示 ，會發生約150μπι之範圍的重疊。此係比圖20(b)的狀態 較有改善。亦即，即使當〇PC(L2)的消耗是多於OPC(LO) 的情況下，仍可降低外觀上之離間距離AB 1變成零的可能 性。 此處，再進行檢討，降低外觀上之離間距離AB 1變成 零之可能性。 首先，考慮第一 OPC配對與第二OPC配對的配對間 的離間距離。 假設最大公差1 50μιη下，配對間的離間距離，亦即圖 I7的OPC(LO)的最內緣側與OPC(Ll)的最外緣側的離間距 -55- 201108220 離Gp，係只要是150μιη以上即可。 這是因爲，若離間距離Gp爲Ι50μιη以上，則層L0、 L1即使發生最大偏移，OPC(LO)與〇PC(Ll)在層方向上仍 不會重叠。 圖17、圖18所示之配置下，該離間距離〇ρ=153μιη 〇 接著，在重點P 4 (從Ο P C區域往碟片基板2 0 1側不配 置管理資訊記錄再生領域）的觀點下，針對OPC(L3)進行 探討。 於圖17中’從OPC(L3)往碟片基板201側，係有層 L2的緩衝區域BUF、層L1的緩衝區域BUF、及層L0的 P 1C，沒有管理資訊記錄再生領域。 但是，若考慮層的偏移，則層L 2的IN F Ο # 6必須要 在半徑方向上充分遠離。圖1 7的離間距離係爲G f 2。 此時，若假設最大公差爲200μπι，則離間距離Gf2係 必須要有200μηι以上’但右如上記將最大公差設成150μιη ，則離間距離G f2係只要1 5 0 μηι以上即可。圖1 7、圖1 8 所示之配置下，該離間距離Gf2= 153μπι。 再來，在重點Ρ5(從OPC區域往雷射入射面側係不配 置2個以上的管理資訊記錄再生領域）的觀點下，著眼於 OPC(LO)。 從OPC(LO)往雷射入射面側，係只有配置層L1的 TDMA#1。可是，若考慮層的偏移，貝IJ層L1的TDMA#1、 與L3的INFO#8的位置關係，會是問題。亦即圖17的離 -56- 201108220 間距離係爲Gtf。 此情況下也是，若除了散焦部分而假設最大公差爲 1 7 5 μιη ’則離間距離Gtf係必須要有1 7 5 μηι以上，但若除 了散焦部分而假設最大公差爲125μηι，則離間距離Gtf係 只要125 μιη左右即可。圖17、圖18所示之配置下，該離 間距離 Gtf= 145μιη。 此處，關於離間距離Gtf要將散焦部分除外的理由是 ，若參照圖15(b)，則層L1與層L2是從左右記錄至圖中 —點虛線爲止即可，對層L0的影響，係從層L1與層L2 分別各半而合計爲1層份的緣故。 離間距離Gf2、Gtf係分別不是200μιη、1 75μιη以上 ，而是150μηι、125μιη以上即可，這是意味著，藉由將公 差設成150μηι，就可將離間距離Gf2、Gtf分別縮小50μιη 而設定。 如此一來，該各50μηι的餘裕，就可分配給各OPC配 對的配對內的離間距離Gil、Gi2。 由於以上理由，如圖20(d)所示，作爲配對內的 OPC(LO)與〇PC(L2)之配置，是可設定50μιη的離間距離（ 相當於圖1 7的離間距離G i 1)。 此時，若層L0、L2的偏移是最大，則如圖20(e)所示 ，會發生約ΙΟΟμιη之範圍的重疊。此係比圖20(c)的狀態 更加改善。 亦即，即使當OPC(L2)的消耗是遠多於OPC(LO)的情 況下，仍可降低外觀上之離間距離AB 1變成零的可能性。 -57- 201108220 實際上，即使在最差的情況下，也可幾乎避免外觀上 之離間距離AB1消失。 又，亦可在記錄裝置側上以〇PC(L2)與OPC(LO)之處 理，調整OPC區域的使用，來避免外觀上的離間距離 AB1消失。關於這點，將用圖25、圖26而後述。 根據以上理由，在第一OPC配對的OPC(L2)與OPC(LO) 之間設定離間距離Gil，又在第二OPC配對的OPC(L3)與 OPC(Ll)之間設定離間距離Gi2。圖17、圖18所示之配置 下，離間距離Gil=Gi2=57pm。 藉由如以設計，圖1 9所示的外觀上的離間距離AB 1 、AB2係被確保，就可實際上避免〇PC(L2)與OPC(LO)、 及OPC(L3)與OPC(Ll)在層方向上重疊。 又，如上述，在OPC(LO)的最內緣側與OPC(Ll)的最 外緣側係設定離間距離Gp= 153 μηι。因此，層的偏移在公 差內最差情況下，〇PC(L0)與OPC(Ll)在層方向上仍不會 重疊。 因此，圖17、圖18的佈局，在實際上是滿足重點P2( 〇PC區域不重疊）之條件。 關於重點P4(從OPC區域往碟片基板201側不配置管 理資訊記錄再生領域），係說明如下。 關於OPC(L3)係如上述，在該碟片基板201側沒有管 理資訊記錄再生領域存在。 若針對OPC(L2)來看，在碟片基板201側，配置有層 L1的緩衝區域BUF、層L0的緩衝區域BUF，沒有管理資 -58- 201108220 訊記錄再生領域。根據層的偏移而所應考慮的是層L0的 INF0#1、層L1的INFO#3，但由目前爲止的說明可知，圖 1 7所示的離間距離Gi3係只要1 5 0 μπι以上即可。圖1 7、 圖1 8所示之配置下，離間距離G i 3 = 1 5 3 μ m。因此，在 OPC(L2)的碟片基板201側係不會有管理資訊記錄再生領 域。 又，若針對OPC(Ll)來看，在碟片基板201側，係配 置有層L0的PIC，沒有管理資訊記錄再生領域。根據層 的偏移而所應考慮的是層L0的INF0#2，但和上記同樣地 ，只要離間距離Gfl係爲150μιη以上即可。圖17、圖18 所示之配置下，離間距離 Gf2 = 153μιη。因此，在 OPC(Ll)的碟片基板201側係不會有管理資訊記錄再生領 域。 由於以上理由，重點P4的條件也被滿足。 關於重點P5(從OPC區域往雷射入射面側不配置2個 以上的管理資訊記錄再生領域），係說明如下。 作爲對象的是〇PC(L0)、OPC(Ll)的層方向位置。關 於OPC(LO)，係如上述，不會有問題。 關於OPC(Ll)，係在其雷射入射面側存在有層L2的 INFO#6及TDMA#2，層L3係爲緩衝區域BUF，因此不會 有問題。 亦即滿足重點P5的條件。 此處，要滿足重點P4和重點P5之條件，且將離間距 離Gil與Gi2作最大確保所需的設計是，TDMA不配置在
C -59- 201108220 層L〇，這點看圖17與圖18可知。如前述，因爲是將各 記錄層的TD Μ A合起來當作1個大的T DMA來使用，所 以可以不必所有的記錄層中都有TDMA存在。 若考慮4層碟片的佈局，則OPC區域的層方向之重 疊必須要重視，而將TDMA從碟片基板側的記錄層中移除 〇 將其當作4層碟片時的追加重點P 7而參照以下。 然後，針對T D Μ A而觀看圖1 7和圖1 8，則可知層L1 〜L3的TDMA的大小幾乎相等。若TDMA是集中配置在 1個記錄層、例如層L3，則爲了更新TDMA，在層L3的 記錄調整時就會消耗〇PC(L3)。 因此’爲了使OPC的消耗有所偏頗，將TDMA儘可 能地均等分配在各記錄層中，較爲理想。 此處’於TDMA的分配大小中，若最大之記錄層和最 小之記錄層相較，差異在2倍以下，則可視爲大致均等的 分配。 將其當作4層時的追加重點P8而參照以下。 如以上，本例的4層碟片，係設計成例如圖1 7、圖 18所示的內圈區間佈局，就成了滿足重點P1〜p8之條件 的適切佈局。 將本例的4層碟片之要點整理如下。 .在碟片基板201上，記錄層被設置4層（層L0〜L 3) ，在雷射入射面側形成有透光層203而成的可記錄型之光 碟。 -60- 201108220 ♦在各記錄層（層L0〜L3)中，作爲雷射功率控制所需 的測試區域 OPC(LO) > OPC(Ll) ' OPC(L2) ' OPC(L3)，是 分別被設置在比用來記錄使用者資料之資料區間更爲內緣 側的內緣側領域（內圈區間），因而具有4個測試區域。 •將4個測試區域當中位於碟片外緣側的2個測試區 域（OPC(LO)、OPC(L2))當作第一 OPC配對，將位於碟片 內緣側的2個測試區域（OPC(Ll)、OPC(L3))當作第二OPC 配對。此時，形成第一 OPC配對的測試區域，和形成第 二OPC配對的測試區域，彼此是在層方向上互不重疊地 配置。 •構成第一OPC配對的2個測試區域（OPC(LO)、 OP C (L2 ))，係各自的測試區域的消耗方向是相同，並且各 測試區域係藉由外觀上的離間距離AB 1，使得下次使用之 部分彼此在層方向上不會重疊地配置。 •構成第二 OPC配對的2個測試區域（OPC(Ll)、 OP C (L3 ))，係各自的測試區域的消耗方向是相同，且與第 一 OPC配對的測試區域之消耗方向是呈相反方向。（但是 ，若採用上述的平行軌跡路徑的情況下，則是和第一OPC 配對的測試區域之消耗方向爲相同方向）。然後，各測試 區域（0?(：(1^1)、0?(：(1^3))係藉由外觀上的離間距離八82, 使得下次使用之部分彼此在層方向上不會重疊地配置。 •在各記錄層的上記內緣側領域中係被設置有，進行 管理資訊之記錄及再生的管理資訊記錄再生領域。其合計 大小係確保爲，現行單層碟片之管理資訊大小乘以層數之 -61 - 201108220 後的大小。 •對於各記錄層（層 L0〜L3)的測試區域之每一者 (OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC(L2)、〇PC(L3))，從測試區域 往雷射入射面側，在層方向上重疊的管理資訊記錄再生領 域係爲1個以下的方式，來配置管理資訊記錄再生領域。 •管理資訊記錄再生領域，係對於各記錄層的測試區 域（OPC(LO)、OPC(Ll) ' OPC(L2)、Ο P C (L 3 ))，在碟片基 板201側中，在層方向上互不重疊而配置。 .OPC區域的層方向之重疊必須要重視，而將TDMA 從碟片基板側的記錄層（層L0)中移除。 •在配置T D Μ A的記錄層中，係儘可能地以均等大小 來分配TDMA。 若以更爲實際的配置而言則如以下。 .本例的4層碟片，係爲直徑12 cm的光碟。而且， 各測試區域（〇PC(L0)、OPC(Ll)、OPC(L2) ' OPC(L3)) ’ 係於光碟的半徑位置22.5mm〜24.0mm內的範圍中’以約 250 μιη半徑幅度而被形成。 •各記錄層（層L0〜L3)係其相對性半徑位置誤差是約 150μηι公差內而被形成。 •形成第一 OPC配對的測試區域的最內緣半徑位置 (OPC(LO)的最內緣側），和形成第二OPC配對的測試區域 的最外緣半徑位置（OPC(Ll)的最外緣側）係被配置在，將 上記相對性半徑位置誤差想成零的時候，在半徑方向上帶 有約150μιη以上的離間距離Gp而在層方向上不會重疊的 -62- 201108220 位置。 .構成第一OPC配對的 2個測試區域（OPC(LO)、 OPC(L2))係被形成在，將上記相對性半徑位置誤差想成零 的時候，在半徑方向上帶有約50μιη以上的離間距離Gil 而在層方向上不會重疊的位置。 •構成第二OPC配對的2個測試區域（OPC(Ll)、 OP C(L3))係被形成在，將上記相對性半徑位置誤差想成零 的時候，在半徑方向上帶有約50μιη以上的離間距離Gi2 而在層方向上不會重疊的位置。 .TDMA係不配置在層L0，在層L1〜L3中係以均等 的大小而配置。 順便一提，圖17的例子係表示了屬於一次寫入型碟 片的BD-R。若是可複寫型碟片的BD-RE時，則只要如圖 22般地設定內圈區間佈局即可。 該圖22，係將圖17的TDMA改成預留區域RSV而成 的佈局。各區域的大小係和圖18相同。只要將圖18中的 TDMA之位置想成預留區域RSV即可。 如上述，TDMA係爲，直到最終封片處理爲止的資料 改寫、爲了交替處理而依序更新TDFL或空間位元映像等 時候，會被使用。若是可資料改寫的可複寫型碟片，則只 要直接寫入INFO內的DMA即可’因此不需要TDMA。 於是，只要設計成如圖2 2所示般地將圖1 7的T D Μ A 改成預留區域R S V而成的佈局即可。當然’重點P 1〜P 8 之條件係被滿足。 -63- 201108220 藉由如此的內圈區間佈局，在bd-re中也可適切進 行內圈區間中的試寫或管理資訊之記錄再生。 [7.碟片驅動裝置] 接著逐一說明，支援本例的例如作爲BD-R、BD-RE 的3層碟片、4層碟片的碟片驅動裝置（記錄再生動作）。 本例的碟片驅動裝置，係對於例如僅形成有上述的 BCA、PIC的狀態下’且在可記錄領域中沒有作任何記錄 之狀態的碟片’進行格式化處理。藉此，就可形成圖13 或圖1 7所說明之狀態的碟片佈局。又，對如此已格式化 完成的碟片’在使用者資料領域中進行資料的記錄再生。 因應必要，也進行對TDMA、IS A、OSA的記錄/更新。 圖23係表示碟片驅動裝置的構成。 碟片1係上述實施形態的3層碟片或4層碟片。碟片 1係被載置於未圖示的轉台，於記錄/再生動作時，藉由轉 軸馬達52而以一定線速度（CLV)旋轉驅動。 然後藉由光學拾取器（光學頭）5 1，將碟片1上的以凹 軌軌跡之搖擺而被嵌埋之ADIP位址或作爲預錄資訊的管 理/控制資訊予以讀出。 又’在初期化格式化時，使用者資料記錄時係藉由光 學拾取器5 1而在可記錄領域的軌跡，記錄下管理/控制資 訊或使用者資料，在再生時則藉由光學拾取器51而進行 所被記錄之資料的讀出。 在光學拾取器5 1內係形成有：作爲雷射光源的雷射 -64- 201108220 二極體、用來偵測反射光的光偵測器、作爲雷射光輸出端 的接物透鏡、將雷射光透過接物透鏡而照射至碟片記錄面 ，或將其反射光導入光偵測器的光學系（未圖示）。 於光學拾取器51內，接物透鏡係藉由二軸機構而保 持成可在循軌方向及聚焦方向上移動。 又，光學拾取器51全體係藉由螺紋機構53而可在碟 片半徑方向上移動。 又，光學拾取器51中的雷射二極體係藉由來自雷射 驅動器6 3的驅動訊號（驅動電流）而進行雷射發光驅動。 來自碟片1的反射光資訊係被光學拾取器51內的光 偵測器所偵測，成爲相應於受光光量的電氣訊號而供給至 矩陣電路54。 矩陣電路54中，係對應於作爲光偵測器的複數受光 元件所輸出之電流而具備電流電壓轉換電路、矩陣演算/ 增幅電路等，藉由矩陣演算處理而生成必要之訊號。 例如生成，相當於再生資料的高頻訊號（再生資料訊 號）、伺服控制所需的聚焦錯誤訊號、循軌錯誤訊號等。 然後’涉及凹軌之搖擺的訊號’亦即作爲搖擺偵測訊 號，而生成推挽訊號。 此外，矩陣電路54有時候是在光學拾取器51內被一 體構成。 從矩陣電路54所輸出的再生資料訊號係供給至讀取 器/寫入器電路5 5 ’聚焦錯誤訊號及循軌錯誤訊號係供給 至伺服電路6 1，推挽訊號係供給至搖擺電路5 8。 -65- 201108220 讀取器/寫入器電路5 5係對再生資料訊號進行2値化 處理、PLL所致之再生時脈生成處理等，將光學拾取器51 所讀出的資料予以再生，供給至變解調電路56。 變解調電路56’係具備作爲再生時之解碼器的功能部 位，作爲記錄時之編碼器的功能部位。 再生時的解碼處理’是基於再生時脈而進行持續長度 限制碼（Run Length Limited Code)的解調處理。 又，ECC編碼器/解碼器57係在記錄時進行用來附加 錯誤訂正碼的ECC編碼處理，在再生時進行錯誤訂正的 ECC解碼處理。 在再生時’變解調電路56所解調過的資料係擷取至 內部記憶體’進行錯誤偵測/訂正處理及去交錯等處理， 獲得再生資料。 在ECC編碼器/解碼器57中被解碼成爲再生資料的資 料’係基於系統控制器60的指示，而被讀出，被傳輸至 所連接的機器，例如AV(Audio-Visual)系統120。 作爲涉及凹軌之搖擺的訊號而從矩陣電路54所輸出 的推挽訊號’係於搖擺電路58中被處理。作爲ADIP資訊 的推挽訊號’係於搖擺電路58中被解調成構成ADIP位址 的資料串流而被供給至位址解碼器59。 位址解碼器5 9 ’係針對所被供給之資料進行解碼，獲 得位址値，供給至系統控制器60。 又，位址解碼器5 9係使用從搖擺電路5 8所供給之搖 擺訊號而以PLL處理生成時脈，例如當作記錄時的編碼時 -66- 201108220 脈而供給至各部。 又，作爲涉及凹軌之搖擺的訊號而從矩陣電路54所 輸出的推挽訊號’作爲預錄資訊（P 1C)的推挽訊號，係於 搖擺電路5 8中進行帶通濾波處理然後供給至讀取器/寫入 器電路55。然後’被2値化，轉成資料位元串流後，在 ECC編碼器/解碼器57中進行ECC解碼、去交錯，抽出預 錄資訊方式的資料。所被抽出的預錄資訊係被供給至系統 控制器60。 系統控制器60，係基於所讀出的預錄資訊，而可進行 各種動作設定處理或防拷處理等。 記錄時’從A V系統1 2 0會傳輸記錄資料，但該記錄 資料係被送往ECC編碼器/解碼器57中的記憶體而被緩衝 〇 此時，ECC編碼器/解碼器57係作爲已被緩衝之記錄 資料的編碼處理，而進行錯誤訂正碼附加或交錯、副碼等 之附加。 又，已被ECC編碼過的資料，係於變解調電路56中 實施例如RLL(1-7)PP方式的調變，供給至讀取器/寫入器 電路55。 於記錄時’這些編碼處理所需之基準時脈的編碼時脈 ，係使用如上述從搖擺訊號所生成的時脈。 由編碼處理所生成的記錄資料，係在讀取器/寫入器 電路55中作爲記錄補償處理，而針對記錄層的特性、雷 射光的光點形狀、記錄線速度等進行了最佳記錄功率之微 -67- 201108220 調或雷射驅動脈衝波形的調整等後，成爲雷射驅動脈衝而 送往雷射驅動器63。 在雷射驅動器6 3中係將所被供給之雷射驅動脈衝， 給予至光學拾取器51內的雷射二極體，進行雷射發光驅 動。藉此，就會在碟片1中形成相應於記錄資料的凹坑。 此外，雷射驅動器63係具備所謂的APC電路（Auto Power Control)，藉由設在光學拾取器51內的雷射功率監 視用偵測器的輸出，一面監視著雷射輸出功率一面進行控 制，使得雷射的輸出不會隨溫度等變化而呈一定。記錄時 及再生時的雷射輸出之目標値係從系統控制器60所給予 ’記錄時及再生時係分別將雷射輸出位準，控制成爲目標 値。 伺服電路61，係根據來自矩陣電路54的聚焦錯誤訊 號、循軌錯誤訊號，而生成聚焦、循軌、螺紋進退之各種 伺服驅動訊號，執行伺服動作。 亦即相應於聚焦錯誤訊號、循軌錯誤訊號而生成聚焦 驅動訊號、循軌驅動訊號，而驅動光學拾取器51內的二 軸機構的聚焦線圈、循軌線圈。藉此就形成了，光學拾取 器51、矩陣電路54、伺服電路61、二軸機構所致之循軌 伺服迴圈及聚焦伺服迴圈。 又’伺服電路6 1係隨應於來自系統控制器60的循軌 跳躍指令，而將循軌伺服迴圈予以關閉，輸出跳躍驅動訊 號，以執行循軌跳躍動作。 又’伺服電路6 1係基於作爲循軌錯誤訊號之低頻成 -68- 201108220 分而獲得之螺紋進退錯誤訊號、或來自系統控制器6 〇的 存取執行控制等而生成螺紋驅動訊號，驅動著螺紋機構53 。在螺紋機構53上，雖未圖示，但具有用來保持光學拾 取器51的主軸、螺紋馬達、傳動齒輪等機構，藉由隨著 螺紋驅動訊號而驅動螺紋馬達，光學拾取器51就會進行 所要的平滑移動。 轉軸伺服電路6 2係進行使轉軸馬達2作c LV旋轉的 控制。 轉軸伺服電路62，係將對搖擺訊號之PLL處理所生 成的時脈，當作現在的轉軸馬達52之旋轉速度資訊而取 得’將其與所定之C LV基準速度資訊作比較，以生成轉 軸錯誤訊號。 又’於資料再生時’讀取器/寫入器電路55內的PLL 所生成的再生時脈（作爲解碼處理之基準的時脈），係爲現 在的轉軸馬達52的旋轉速度資訊，因此將其與所定之 CLV基準速度資訊作比較，也可生成轉軸錯誤訊號。 然後’轉軸伺服電路62係將隨應於轉軸錯誤訊號而 生成的轉軸驅動訊號予以輸出，執行轉軸馬達62的CLV 旋轉。 又’轉軸伺服電路62，係隨應於來自系統控制器6 0 的轉軸加速/煞車控制訊號而產生轉軸驅動訊號，也執行 轉軸馬達2的啓動、停止、加速、減速等之動作。 以上的伺服系及記錄再生系的各種動作，係藉由微電 腦所形成之系統控制器60所控制。 -69- 201108220 系統控制器60係隨應於來自AV系統120的命令而 執行各種處理。 例如若從AV系統1 20發出寫入命令，則系統控制器 6〇係首先使光學拾取器51移動到欲寫入之位址。然後， ECC編碼器/解碼器57係藉由變解調電路56，針對從AV 系統120所傳輸過來之資料（例如MPEG2等各種方式的視 訊資料、或音訊資料等），執行上述的編碼處理。然後， 上述’來自讀取器/寫入器電路55的雷射驅動脈衝係被供 給至雷射驅動器63，以執行記錄。 又，例如從AV系統1 20供給了要求碟片1中所記錄 之某個資料（MPEG2視訊資料等）之傳輸的讀取命令時，首 先進行以所被指示之位址爲目的的找尋動作控制。亦即對 伺服電路6 1發出指令，以找尋命令所指定之位址爲目標 ，執行光學拾取器51的存取動作。 其後進行，將該所被指示之資料區間的資料傳輸至 AV系統1 20所需的必要之動作控制。亦即進行來自碟片 1的資料讀出，執行讀取器/寫入器電路5 5、變解調電路 56、ECC編碼器/解碼器57中的解碼/緩衝等，而將所被要 求的資料，予以傳輸。 此外，這些資料的記錄再生時，系統控制器60係可 使用搖擺電路58及位址解碼器59所偵測出來的AD IP位 址而進行存取或記錄再生動作之控制。 又，在碟片1被裝塡之際等所定時點上，系統控制器 60係執行碟片1之BCA中所被記錄之獨特ID、或在再生 -70- 201108220 專用領域中以搖擺凹軌方式而被記錄的預錄資訊（pic)之 讀出。 此時，首先以BCA、PIC爲目的而進行找尋動作控制 。亦即對伺服電路61發出指令，執行令光學拾取器51往 碟片最內緣側的存取動作。 其後，執行光學拾取器51的再生追蹤，獲得身爲反 射光資訊的推挽訊號，執行搖擺電路58、讀取器/寫入器 電路55、ECC編碼器/解碼器57所致之解碼處理。藉由獲 得作爲BCA資訊或預錄資訊的再生資料。 系統控制器60係基於如此所讀出的BCA資訊或預錄 資訊，進行雷射功率設定或防拷處理等。 在圖2 3中係圖示了系統控制器6 0內的快取記億體 6〇a。該快取記憶體60a係被使用於，例如，從碟片i之 TDMA所讀出的TDFL/空間位元映像之保持，或其更新時 〇 系統控制器60係例如在碟片1被裝塡之際控制著各 部’執行TDMA中所記錄之TDFL/空間位元映像的讀出， 將所讀出之資訊保持在快取記憶體60a。 其後’資料改寫或缺陷導致交替處理被進行之際，係 將快取記憶體60a內的TDFL/空間位元映像逐一更新。 例如亦可每當資料的寫入、或資料改寫等而進行交替 處理’進行空間位元映像或TDFL之更新之際，每次就會 於碟片1的T D Μ A中’將T D F L或空間位元映像進行追加 曰己錄。可是’如果如此’則碟片1的T D μ A會很快消耗。 -71 - 201108220 於是’例如直到碟片1被從碟片驅動裝置排片（排出） 爲止的期間，只在快取記憶體60a內進行TDFL/空間位元 映像的更新。然後，在排片時等，將快取記憶體60a內的 最終（最新）的TDFL/空間位元映像，寫入至碟片1的 TDMA。如此一來，就可總結多數次TDFL/空間位元映像 之更新而在碟片1上進行更新，可降低碟片1的TDM A之 消耗。 順便一提，該圖23的碟片驅動裝置的構成例，係以 被連接在AV系統1 20的碟片驅動裝置爲例子，但作爲本 發明的碟片驅動裝置係亦可和例如個人電腦等連接。 甚至，亦可爲沒有和其他機器連接的形態。此情況下 ’可設置操作部或顯示部，而資料輸出入的介面部位之構 成’係與圖2 3不同。亦即，相應於使用者操作而進行記 錄或再生’並且形成有各種資料之輸出入所需的端子部即 可。 當然，作爲構成例係亦可有其他多樣考慮，例如亦可 考慮記錄專用裝置、再生專用領域的例子。 圖24中係圖示，碟片驅動裝置之動作所需的系統控 制器60的控制處理例。 圖24(a)係圖示格式化處理。 未格式化的碟片1被裝塡、進行格式化處理時，系統 控制器60係首先進行碟片判別而確認內圈區間佈局，掌 握OPC區域的位置。 至於碟片判別的手法係有各種方法，這裡雖不詳述， -72- 201108220 但例如當藍光碟片的碟片1被裝塡時，係判別記錄層數。 此處針對3層碟片、或4層碟片被裝塡時的情形加以說明 〇 系統控制器60係針對3層碟片而將圖13、圖14所說 明過的內圈區間的區域構造之資訊、及針對4層碟片而將 圖17、圖18所說明過的內圈區間的區域構造之資訊，保 持在內部記憶體。 在步驟F 1 0 1中，根據該區域構造的資訊，確認所被 裝塡之碟片1(3層碟片或4層碟片）的OPC區域之位置。 系統控制器60係在步驟F102中，進行OPC控制處 理。亦即對伺服電路61係向轉軸電路62發出指示，使光 學拾取器54對OPC區域作存取。又，從讀取器/寫入器電 路5 5將作爲Ο P C測試圖案的訊號供給至雷射驅動器6 3， 執行對〇 P C區域的測試記錄。然後，將已記錄之〇 p C區 域進行再生，針對再生資訊訊號，取得評價値，例如顫動 (jitter)、非對稱性、錯誤率等，而判定最佳記錄雷射功率 。然後，將雷射功率設定成最佳功率。 其後，系統控制器6 0係在步驟F 1 0 3中，進行作爲格 式化處理的記錄動作之控制。 例如，於可配置之記錄層中儘可能地配置成均等容量 的TDMA中的空間位元映像、TDFL等之位址，進行其對 TDDS記錄等之記錄動作的執行控制，以後就能根據 TDDS之資訊，而掌握TDMA的構造。 藉由此種格式化處理，圖13或圖17之格式的碟片1 -73- 201108220 ，以後就可使用了。 圖24(b)係圖示記錄時的處理。 系統控制器60 ’係在使用者資料或管理資訊的記錄動 作之際，首先在步驟F201中檢査TDMA之資訊’掌握 TDDS、缺陷清單、空間位元映像、下個可使用之〇PC區 域等之必要事項。 接著，在步驟F202中，系統控制器60係使用OPC 區域來執行OPC動作，根據其結果而設定最佳記錄雷射 功率。 然後，在步驟F2 03中，執行使用者資料等之記錄動 作。 於記錄後，在步驟F204中進行TDMA的更新。亦即 ，將TDDS、缺陷清單、空間位元映像、下個可用OPC區 域等之資訊當中的必要資訊予以更新過的TDMA，予以更 新記錄。 圖24(c)係圖示再生時的處理。 系統控制器60係在步驟F301中根據TDMA或檔案系 統等的讀取資料而掌握各種管理資訊。 然後’在步驟F302中，隨應於來自AV系統120的 讀取命令而令光學拾取器51存取目的位址，步驟f3 〇3中 執行再生動作。亦即進行來自碟片1的資料讀出，執行讀 取器/寫入器電路55、變解調電路56、ECC編碼器/解碼器 57中的解碼/緩衝等’而將所被要求的資料，傳輸至Αν 系統1 2 0。 -74- 201108220 以上係對3層碟片、4層碟片而由碟片驅動裝置所執 行的格式化處理、記錄處理、再生處理。 此處，說明關於碟片1是4層碟片時的OPC動作之 處理。 如之前所示，在4層碟片中，針對4個OPC區域’ 係導入了第一 OPC配對、第二OPC配對的思考方式。然 後，關於配對內的2個OPC區域，係藉由確保外觀上的 離間距離（下個使用部分之彼此開頭的離間距離），以使 OPC動作中所使用的部分在層方向上不會重疊。 例如，若依據上述的圖1 7、圖1 8的佈局，則即使各 層的偏移是許容公差內的最差情況下，仍可通常地保持外 觀上的離間距離（圖19的AB1、AB2) »可是，例如若針對 第一OPC配對而言，假設 〇PC(L2)的消耗量遠多於 OPC(LO)的消耗量，則外觀上之離間距離（AB1)消失的可能 性也不能說是零。於是，在碟片驅動裝置側也對爲了確保 外觀上之離間距離所需的OPC動作處理上作些設計，較 爲理想。 接下來說明的圖25、圖26係分別針對第一 OPC配對 、第二OPC配對，針對配對內的〇PC區域使得外觀上之 離間距離不會發生消失之事態所需的碟片驅動裝置側的處 理例。 首先說明圖25的處理例。 在圖25中，首先作爲步驟F4〇l〜F4〇8，圖示碟片裝 塡時的處理。此外，該步驟F40 1〜F408之處理，係當所 -75- 201108220 被裝塡之碟片1是3層碟片時也同樣進行。例如，是早於 圖24(a)(b)(c)所進行之處理。 在步驟F401中’進行碟片載入。系統控制器60係偵 測到碟片插入’就控制圖2 3中未圖示的碟片載入機構， 將碟片1變成可被光學拾取器51及轉軸馬達52進行記錄 再生驅動之狀態（鉗夾狀態）。 在步驟F4〇2中’進行伺服調整。亦即，系統控制器 6〇係進行轉軸馬達52之啓動、光學拾取器5 1之伺服開機 之控制。系統控制器60係控制著轉軸電路62，固定成所 定的旋轉速度，並且控制著伺服電路61，執行聚焦搜尋、 聚焦伺服啓動、循軌伺服啓動等，成爲可再生狀態。 若至此爲止的開機啓動動作完成，則系統控制器60 係在步驟F4〇3中，令光學拾取器51存取碟片1的PIC領 域。然後，在步驟F4〇3中執行PIC領域之再生，進行各 記錄層之記錄條件等的PIC資訊之讀取。 接著，系統控制器60係在步驟F405中，令光學拾取 器51存取開頭的TDMA。如上述，在開頭的TDMA(例如 圖17的TDMA#1)中，係設有TDMA存取指示元。在步驟 F406中令其執行TDMA存取指示元的再生，系統控制器 6〇就可判別已被記錄有最新TDDS等的使用中的TDMA( 以下稱作TDMA_N)。 接著，在步驟F407中，系統控制器60係令光學拾取 器51去存取TDMA — N。然後’在步驟F408中’令其執行 該 TDMA_N之再生，讀取最新的TDMA資料（最新的 -76- 201108220 TDDS 等）。 以上，碟片裝塡時的管理資訊讀取就結束。其後，等 待來自主機機器（AV系統120)的命令。 此處是以OPC處理係在有寫入命令發生時才執行爲 例子，說明步驟F501〜F51 1之處理。 此外，亦可爲，碟片裝塡時的管理資訊讀取後，即使 沒有寫入命令，也可針對各記錄層執行OPC動作的動作 例。 該圖25的步驟F501〜F511的OPC處理例係爲，隨 應於寫入命令，而針對各層L0〜L3分別進行OPC動作之 例子。 —旦有寫入命令產生，系統控制器60係從步驟F5 01 前進至F5 02處理，針對各層的OPC區域，掌握下個可執 行OPC的位址ADD[n]。亦即，於上述的TDDS中，表示 成 OPC 動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)的位址。 針對各 OPC 區域（OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC(L2)、 OPC(L3))，下個可執行OPC的位址ADD[n]，是可根據已 經讀取的最新T D D S而掌握。 在步驟F503中，系統控制器60係將代表層的變數X ，設成X= 0。然後，在步驟F504〜F509中，針對各層的 OPC 區域（OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC(L2)、OPC(L3))，分 別執行OPC動作。 在步驟F504中，系統控制器60係令光學拾取器51 -77- 201108220 ，對層L(X)的OPC區域（OPC(L(X)))的下個使用部分的位 址ADD[n]，進行存取》 在步驟F505中，確認該當位址ADD[n]是否確實是未 記錄（亦即是否可使用於OPC動作）。例如，執行從位址 ADD[n]的再生，確認有無記錄。此外，當從該當位址 ADD [η]起的部分是已被使用時，則探索未使用的部分，而 移動至該未使用部分。 在步驟F5 06中，系統控制器60係對記錄系的所要各 部（ECC編碼器/解碼器57、變解調電路56、讀取器/寫入 器電路55、雷射驅動器63等）下達指示而於位址ADD [η] 起的部分中，執行試寫。例如，一面使記錄雷射功率作階 段性變化，一面已所定的測試圖案或隨機資料等而執行資 料記錄動作。 然後，一旦試寫結束，在步驟F507中，將進行過該 當試寫之部分，藉由光學拾取器51而進行再生。此時， 觀測相應於各記錄雷射功率的指標値（例如顫動、非對稱 性、錯誤率、SAM値等），決定最佳記錄雷射功率。 系統控制器60，係在步驟F5 08中將變數X予以增値 ’在步驟F509中若變數X是3以下，則返回步驟F504。 因此，變數X會一面增値一面執行步驟F504〜F507 ’亦即會於 OPC(LO)、OPC(Ll) > OPC(L2) > OPC(L3)中依 序執行O P c動作。 在4個OPC區域中完成以上OPC動作的時點上，就 會針對各層L0〜L3分別決定最佳記錄雷射功率。此時點 -78- 201108220 上，係從步驟F509前進至F510。 在步驟F5 10中，系統控制器60係令光學拾取器51 對TDMA_N進行存取。然後，在步驟F5 11中，針對各層 L0〜L3 ，分別更新OPC動作執行可肯g位址（Next available Ln OPC Address)。亦即，隨著本次的OPC動作，關於各 層的下次使用部分的位址會有變動，因此在TDMA_N中 係記錄著，關於各層的新的「Next available Ln OPC Address」是被描述的最新之TDDS。 以上就完成了 〇PC動作，其後，藉由最佳記錄雷射 功率，執行寫入命令所指示的記錄動作。 此外，此處僅是說明上的一例，是在步驟F5 1 〇、 F511的TDDS記錄處理後，才進行實際資料記錄，但實際 的碟片1上的TDDS之更新係在記錄資料結束後的時點， 或是碟片排出、電源關閉等時點上進行即可。這是因爲要 避免浪費TDMA領域。 亦即，步驟F510、F511所示的碟片1上的TDDS更 新，亦可不在該時點上進行。因此，在該步驟F510、 F5 1 1之時點上，只要想到至少爲了後面的時點上的TDDS 記錄，將新的TDDS資訊（此時係爲「Next available Ln OPC Address」）’而由系統控制器60進行保存至內部記 憶體之處理即可。 以上的OP C動作係爲一例，但在此例中，寫入命令 是針對全部的層都執行OPC動作，因此OPC(LO)、 OPC(Ll)、OPC(L2)、〇PC(L3)的各消耗量是常時同等。即 -79- 201108220 使因任何錯誤導致OPC重試等之發生，而不是嚴謹的同 等的情況下，仍可視作大致同等。 如此一來，在配對內的2個OPC區域，就不會發生 外觀上之離間距離消失而導致消耗量的「後來居上」。 例如，針對圖20中所說明過的配對內的2個OPC區 域（OPC(LO)、0PC(L2))來作考量。就消耗方向而言，追趕 側的 OPC(L2)的下個使用部分的位址（Next available Ln OPC Address)，和被追趕側的OPC (L2)的下個使用部分的 位址（Next available Ln OPC Address)，係大約同等地在碟 片內緣側前進。因此，「後來居上」的可能性，亦即外觀 上之離間距離AB 1小於記錄層偏移之容許公差1 5 0 μπι甚 至不見的情形，就不會發生。 此外，每次寫入命令就對全部層執行OPC動作，也 可說是浪費OPC區域。於是，亦可考慮例如只在碟片裝 塡後的最初之OPC動作時，進行如圖25的OPC處理，其 後的寫入命令時，係不執行OPC動作的處理方式。 此時，爲了對應經時變動、溫度變化等，亦可考慮不 是每次寫入命令時，而是因應需要，例如經過所定時間以 上等，才對全部的層進行OPC處理。 接著在圖26中係說明，在有寫入命令之際，僅針對 進行記錄的層執行OPC的處理例。 於圖26中’步驟F401〜F408係和上記圖25同樣的 碟片裝塡時之處理，因此避免重複說明。 此處是以OPC處理係在有寫入命令發生時才執行爲 -80- 201108220 例子，說明步驟F601〜F612之處理》 一旦有寫入命令產生，系統控制器60係從步驟F60 1 前進至F6 02處理，針對各層的OPC區域，掌握下個可執 行OPC的位址ADD[n]。亦即，於上述的TDDS中，表示 成 OPC 動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address) 的位址。 針對各 OPC 區域（OPC(LO)、OPC(Ll)、OPC(L2)、 OP C( L3))，下個可執行〇PC的位址ADD [η]，是可根據已 經讀取的最新TDDS而掌握。 在步驟F603中，系統控制器60係判別本次寫入命令 所要進行資料記錄之對象的層。 此處，隨著對象層是層L0或L1，還是餍L2或L3, 而處理會有所分歧。 此外，所謂層L0或L1，係OPC區域（OPC(LO)、 OPC(L 1))的消耗方向是在配對內作爲被追趕側的層。 又’所謂層 L2 或 L3，係 OPC 區域（OPC(L2)、OPC(L3)) 的消耗方向是在配對內作爲追趕側的層。 首先說明，進行記錄的對象層是層L0或L 1的情形。 此時，系統控制器60係將處理前進至步驟F607，令 光學拾取器51去存取對象層的OPC區域中的下個使用部 分的位址ADD[n]。例如，當層L1是記錄對象層時，則令 其對OPC(Ll)中的位址ADD[n]進行存取。 在步驟F608中，確認該當位址ADD[n]是否確實是未 記錄（亦即是否可使用於OPC動作）。例如，執行從位址 -81 - 201108220 ADD[n]的再生，確認有無記錄。此外，當從該當位址 ADD [η]起的部分是已被使用時，則探索未使用的部分，而 移動至該未使用部分。 在步驟F609中，系統控制器60係對記錄系的所要各 部下達指示而於位址ADD [η]起的部分中，執行試寫。例 如，一面使記錄雷射功率作階段性變化，一面已所定的測 試圖案或隨機資料等而執行資料記錄動作。 然後，一旦試寫結束，在步驟F610中，將進行過該 當試寫之部分，藉由光學拾取器51而進行再生。此時， 觀測相應於各記錄雷射功率的指標値（例如顫動、非對稱 性、錯誤率、SAM値等），決定最佳記錄雷射功率。 在步驟F61 1中，系統控制器60係令光學拾取器51 對TDMA_N進行存取。然後，在步驟F612中，針對進行 過OPC動作的層，更新OPC動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)。亦即，隨著本次的OPC動作 ，關於該層的OPC區域的下次使用部分的位址會有變動 ，因此在TDMA_N中係記錄著，關於各層的新的「Next available Ln OPC Address」是被描述的最新之TDDS。 以上就完成了 OPC動作，其後，藉由最佳記錄雷射 功率，執行寫入命令所指示的記錄動作。 此外’在圖25的說明中也有提到，在步驟F611、 F612的時點上’亦可不進行實際的在碟片1上的TDDS之 更新。因此’在該步驟F 6 1 1、F 6 1 2之時點上，只要想到 至少爲了後面的時點上的TDDS記錄，將新的TDDS資訊（ -82- 201108220 對象層的「Next available Ln OPC Address」），而由系統 控制器60進行保存至內部記憶體之處理即可。 如此，當記錄對象層是層L0或層L1，而在該層上的 OPC動作是使用配對內被追趕側的〇PC區域（OPC(LO)或 OPC(Ll))時，則依照「Next available Ln OPC Address」 而進行通常的OPC處理。 另一方面，當記錄對象層是層L2或層L3，而在該層 上的OPC動作是使用配對內追趕側的OPC區域（OPC(L2) 或OPC(L3))時，則加入了不使OPC區域之消耗發生「後 來居上」的處理。 其係爲步驟F6 04〜F606的處理。 當記錄對象層是層L2或L3時，系統控制器60係將 處理從步驟F603前進至F604。 此處，系統控制器6 0，係辨識配對內的外觀上之離間 距離。 以下，說明記錄對象層是層L2的情形。 系統控制器60，係在該步驟F604的時點上，求出圖 19所示配對內的外觀上之離間距離AB1。此係只要求出步 驟F6 02中所確認的〇PC(L2)的位址ADD[n]，和同一配對 的〇PC(L0)的位址ADD[n]之間的位址差，將其換算成半 徑方向之離間距離即可。 此外，OPC(L2)的位址ADD[n]係不是直接使用，而是 使用從位址ADD[n]前進了本次OPC動作中所使用之所定 扇區數後的位址，這點在求出本次OPC後的離間距離 -83- 201108220 AB1這點來說是適切的》 系統控制器60，係判定該配對內的外觀上之離間距離 AB 1，是否能夠維持所定的離間距離。亦即，是否能夠確 保上述的層疊合誤差之容許公差的15 Ομηι以上。 若能確保容許公差以上之離間距離AB 1，則系統控制 器60係從步驟F605前進至F607，從層L2的OPC(L2)中 的位址 ADD[n]起，開始執行本次的 OPC動作（F607〜 F6 10)。然後，系統控制器60係於TDMA_N中，爲了更新 關於本次進行過OPC動作的層L2的OPC動作執行可能位 址（Next available Ln OPC Address)，進行 TDDS 寫入（或 是之後的TDDS寫入所需之保存）（F611、F612)» 其後，藉由最佳記錄雷射功率，執行層L2的所定寫 入命令所指示的記錄動作。 另一方面，在步驟F605中若判斷爲配對內的外觀上 之離間距離AB 1是無法維持所定的離間距離時，則系統控 制器60係前進至步驟F606，針對配對之對方之層L0的 OPC(LO)，進行OPC動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)的變更處理。 這是因爲，若本次使用追趕側的OPC區域（L2)，則會 沒有足夠的離間距離A B 1，因此將被追趕側的Ο P C (L 0)的 下個使用部分，往消耗方向推進的處理。在OPC(LO)的情 況下，是將 OPC動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)往內緣側推進所定量的處理。 系統控制器6 0，係針對〇 P C (L 0)，新設定Ο P C動作 -84- 201108220 執行可能位址（Next' available Ln OP C Address)，保存在內 部記憶體，前進至步驟F607。
在步驟F007〜F610中，係針對對象層L2進行OPC 動作。 其後在步驟F6 11、F6 12中，進行用來更新關於本次 進行過OPC動作之層L2的OPC動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)、和關於已變更之層 L0 的 OPC 動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)所需的 處理。亦即，進行TDDS寫入，或之後的TDDS寫入所需 之保存。 其後，藉由最佳記錄雷射功率，執行層L2的所定寫 入命令所指示的記錄動作。 目前爲止是已層L2爲記錄對象層爲例來說明，但即 使層L3是記錄對象時，仍在與層Li中之關係中，進行同 樣的處理即可。 如以上’在圖26之例子的情況下，在寫入命令時針 對對象層執行OPC動作，但此時會進行使配對內的外觀 上之離間距離保持在容許公差15 0 μπι以上的處理。 亦即在使用配對內追趕側的0 P C區域時，係判別外 觀上之離間距離’是否有保持各記錄層之重疊容許公差所 對應的必要之離間距離（1 5 0 μιη以上）。然後，若沒有保持 必要之離間距離時，則進行將被追趕側的OPC區域中的 下個使用部分的開始位置加以變更之處理。 藉此’即使記錄層的偏移是許容公差內的最大量，仍 -85- 201108220 可使第一OPC配對內、及第二OPC配對內，OPC區域的 下個使用部分在層方向上不會重疊。 此外，在圖2 6之例子中，係在使用追趕側的op c區 域時，會先確認外觀上之離間距離，但亦可在OPC動作 之際，無論使用的OPC區域爲何，都進行外觀上之離間 距離確認處理。當然，此時是因應需要，進行一方之OPC 動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)的變更 ο 又，在圖26之例子中，係在使用追趕側的OPC區域 時，實施OPC動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address)的變更處理，但亦可同樣在使用被追趕側之〇PC 區域時也實施OPC動作執彳了可能位址（Next available Ln OPC Address)的變更處理。 再者，在圖26的例子中，係在步驟F602從TDDS取 得 OPC 動作執行可能位址（Next available Ln OPC Address) ’但亦可考慮進行Ο P C領域之未記錄檢索，來探索〇 p c 動作執行可能位址。因此’在步驟F 6 0 6中亦可追加，針 對因 OPC 動作執 丫了可目旨位址（Next available Ln OPC Address) 的變更處理而產生的未記錄部分，將已記錄領域、或是未 記錄領域的長度變成所定以下之處理。 以上’雖然針對實施形態的碟片及對應於其的碟片驅 動裝置來說明’但本發明係不限定於這些例子，在要旨的 範圍內可考慮各種變形例。 -86 - 201108220 【圖式簡單說明】 圖1係本發明的實施形態之碟片的區域構造的說明圖 〇 圖2係實施形態之碟片的DMA的說明圖》 圖3係實施形態之碟片的DDS之內容的說明圖。 圖4係實施形態之碟片的DFL之內容的說明圖》 圖5係實施形態之碟片的DFL及TDFL之缺陷清單管 理資訊的說明圖。 圖6係實施形態之碟片的DFL及TDFL的交替位址資 訊的說明圖。 圖7係實施形態之碟片的TDMA的說明圖。 圖8係實施形態之碟片的空間位元映像的說明圖。 圖9係實施形態之碟片的TDFL的說明圖。 圖10係實施形態之碟片的TDDS的說明圖。 圖1 1係實施形態之碟片的層構造的說明圖。 圖1 2係現行的2層B D - R的內圈區間構成的說明圖。 圖1 3係實施形態的3層B D - R的內圈區間構成的說明 圖。 圖14係實施形態的3層BD-R的內圈區間之各區域位 置的說明圖。 圖1 5係實施形態之3層碟片的各記錄層之公差的說 明圖。 圖16係實施形態的3層BD-RE的內圏區間構成的說 明圖。 -87- 201108220 圖1 7係實施形態的4層BD-R的內圏區間構成的說明 圖。 圖1 8係實施形態的4層BD-R的內圈區間之各區域位 置的說明圖。 圖1 9係實施形態之4層碟片的各記錄層OPC配對的 說明圖。 圖20係實施形態之4層碟片的各記錄層的配對內 〇PC配置的說明圖。 圖2 1係實施形態之4層碟片的各記錄層之公差的說 明圖。 圖22係實施形態的4層BD-RE的內圈區間構成的說 明圖。 圖23係實施形態之碟片驅動裝置的區塊圖。 圖24係實施形態之碟片驅動裝置之處理的流程圖。 圖2 5係實施形態之碟片驅動裝置之Ο P C處理的流程 圖。 圖26係實施形態之碟片驅動裝置之OPC處理的流程 圖。 [主要元件符號說明】 1 :碟片 5 1 :拾取器 5 2 :轉軸馬達 53 :螺紋機構 -88- 201108220 54 :矩陣電路 55 :讀取器/寫入器電路 5 6 :變解調電路 57 : ECC編碼器/解碼器 58 :搖擺電路 5 9 :位址解碼器 6 0 :系統控制器 6〇a :快取記憶體 6 1 :伺服電路 62 :轉軸伺服電路 63 :雷射驅動器 1 20 : AV系統 201 :碟片基板 203 :透光層 2 04 :中間層