201102761 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於曝光裝置、曝光方法、液浸構件及元件 製造方法。 本申請案主張2009年1月30曰申請之美國專利暫時 申請61/202J43號及2010年1月22曰申請之美國申請案 12/692,087主張優先權，將其内容援用於此。 、 【先前技術】 微影製程所使用之曝光裝置中，皆知有例如下述專利 文獻所揭示之透過液體以從投影光學系統射出之曝光用光 使基板曝光之液浸曝光裝置。 專利文獻 [專利文獻1]美國專利申請公開第2005/259234號說 明書 【發明内容】 液浸曝光裝置在以高速移動形成有液浸區域之物體（基 板）時’有可能產生液體漏出、或物體上殘留液體（膜、滴 等）。其結果’即有可能產生曝光不良、或產生不良元件。 另一方面’為良好的保持液體而降低物體之移動速度時， 有可能導致生產率之降低。 本發明之目的，在提供一種能抑制曝光不良之發生之 曝光裝置及曝光方法。又，本發明之另一目的’在提供一 201102761 種能抑制不良元件之產生之元件製造方法。 本發明各態樣之目的，係提供一種能抑制液體在物體 上之殘留之曝光裝置、曝光方法及液浸構件。此外，本發 明之另-態樣，係提供一種能在抑制生產率降低之同時、 抑制不良元件之產生之元件製造方法。 本發明第.1態樣之曝光裝置，係使基板曝光，其具備： 光學系統’具有射出曝光用光之射出面；帛i面，配置在 來自射出面之曝光用光之光路周圍至少一部分；第2面， 配置在第4周圍之至少一部分；以及第i供應口，於第i ^周圍之至少-部分、ge>置成朝向相對光學系統光轴之放 :方向外方’對第2面供應帛i液體；於基板之曝光之至 :部分過程中，基板表面對向於射出面、第i面及第2面； 過射出面與基板表面之間第 光用光使基板曝光。 以體以來自射出面之曝 之曝第2態樣之元件製造方法’包含使用第1態樣 動、使基板曝光之動作，以及使曝光後基板顯影之 學系統：：第3態樣之曝光方法，其包含：使配置在從光 j 、面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第 1面及配置在第i面周圍至少 （第 動作.w +姑 〇P刀之第2面與基板對向之 夺… 面周圍之至少—部分、配置成朝相對光學 液二之光軸之放射方向外方之第丨供應 液體，在射出面I 同之第2供應口供應第2 面及第2面之至少—部分與基板表 6 201102761 =以第2液體形成液浸空間，以將射出面與基板之Η 之曝光用光之光路以第2液體加以充滿之動作；間 射出面與基板之間之第2液體，以來自射出過 使基板曝光之動作。冑卩來自“面之曝光用光 本發明第4態樣之曝光方法，其包含： 學系統射出面射出之眼夯用 -在攸光 对出之曝先用光之光路周圍至少一 1面及配置在第丨刀I弟 動m 部分之第2面與基板對向之 田对第2面供應第！液體，以在第 少一部分朝相對光學系統之光軸放方 … 〈元釉之放射方向外方形成液體 L ，以第2液體在射出面、帛1面及第2面之至 少-部分與基板表面之間形成液浸空帛，以將射出面盘基 板之間之曝光用光之光路…液體加以充滿之動作了以 出面與基板之間…液體以來自射出面之曝光 用先使基板曝光之動作；朝相對光學系統之光轴之放射方 向卜方机動之液體之面與基板表面之間’存在氣體空間。 本發月第5態樣之凡件製造方法，包含使用第3戍第4 ^之曝光方法使基板曝光之動作，以及使曝光後基板顯 影之動作。 本發明第6態樣之液浸構件，係搭載於以來自光學系 、·充射出面之曝光用光使基板曝光之曝光裝置，其具備：第^ 面：配置在來自射出面之曝光用光之光路周圍至少一部 刀’第2面’配置在第！面周圍之至少一部分；第【供應 口，於第1面周圍之至少-部分，配置成朝向相對光學系 統之光軸之放射方向外方’用以對第2面供應第i液體； 201102761 以及第2供應口，用以對曝光用光之光路供應第2液體。 發明效果 依據本發明之態樣，能在㈣生產帛降低之同時，抑 制曝光不良之產生。又，依據圭本發明之態樣，能在抑 制生產率降低之同時，抑制不良元件之產生。 【實施方式】 以下，一邊參照圖式一邊說响本發明之實施形態，但 本發明不限定於此。以下之説明中，係、設定—χγζ正交座 標系，並一邊參照此χγζ正交座標系一邊說明各部之位置 關係。設水平面内之既定方向為χ軸方向、於水平面内與χ 軸方向正交之方向為γ軸方向、與又軸方向及γ軸方向分 別正交之方向（亦即鉛直方向）為Ζ軸方向。此外，並設繞χ 軸、Υ軸及Ζ軸之旋轉（傾斜）方向分別為βχ、0Υ及0Ζ 方向。 <第1實施形態> 首先，說明第1實施形態。圖i係顯示第丨實施形態 之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝 置EX，係經由液體以曝光用光EL使基板p曝光之液浸曝 光裝置。又，如後所述，本實施形態中，作為液體使用第i 液體LQ1與第2液體LQ2，曝光用光係經由第2液體 LQ2照射於基板P。 圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩河移動之光 罩載台1、可保持基板P移動之基板載台2、以光學方式測 8 201102761 量光罩載台1及基板載台2之位置之干涉儀系統3、以曝光 用光EL照明光罩Μ之照明系統化、將以曝光用光照明 之光罩Μ之圖案像投影至基板p之投影光學系統pL、可將 曝光用光EL之至少部分光路以第2液體LQ2充滿以形成液 浸空間LS之液浸構件4、以及控制曝光裝置Εχ全體之動 作之控制裝置5。 光罩Μ，包含形成有待投影至基板ρ之元件圖案之標 線片。光罩Μ，包含具有例如玻璃板等透明板、與該透明 板上使用鉻卓遮光材料形成之圖案之透射型光罩。此外， 光罩Μ亦可使用反射型光罩。 基板Ρ係用以製造元件之基板。基板ρ包含例如半導 體晶圓等基材、與形成在該基材上之多層膜。多層膜係積 層有至少包含感光膜之複數層膜之膜。感光膜係以感光材 形成之膜。又’多層膜亦可包含例如反射防止膜及保護感 光膜之保護膜（面塗層膜）。 照明系統IL對既定照明區域ir照射曝光用光ΕΙ^照 明區域IR包含從照明系統IL射出之曝光用光EL可照射到 之位置。照明系統IL，以均勻照度分布之曝光用光el照明 被配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系統 IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線（g 線、h線、i線）及KrF準分子雷射光（波長248nm)等之遠紫 外光（DUV光）、ArF準分子雷射光（波長19311〇1)及F2雷射光 (波長157nm)等之真空紫外光（vuv光）等。本實施形態中， 曝光用光EL係使用紫外光（真空紫外光）之ArF準分子雷射 201102761 光。 光罩載台1具有能將光罩M保 部6，能在保持光罩M之狀態下在第j· ’、、°,釋放之光罩保持 上移動。光罩載台！可藉由驅動系統：：：7之引導面8 區域汛保持光罩Μ移動。驅動系統9包含平面^對照明 面馬達具有配置在光罩載台〗之 3 •…達，此平 勒子9Α、與配置在第1 平。7之固定子9Ββ可移動光罩载台ι之平面馬達 不於例如美國專利帛6452292號說明書。光罩载台ι藉由 驅動系統9之作動’能移動於χ軸、γ.軸、三軸n 0 Υ及ΘΖ方向之6方向。 投影光學系、统PL對既定投影區域pR照射曝光用光 EL。投影光學系統PL，以既定之投影倍率將光罩％之圖案 之像投影於配置在投影區域PR之基板ρ之至少一部分。投 影光學系統PL之複數個光學元件被保持於保持構件（鏡 筒）10。本實施形態之投影光學系統PL係投影倍率為例如1 / 4、1/ 5或1/ 8等之縮小系統。又，投影光學系統&亦 可以是等倍系統或及放大系統之任一者。本實施形態中， 投影光學系統PL之光軸ΑΧ與Ζ軸平行。此外，投影光學 系統PL亦可以是不包含反射光學元件之折射系統、不包含 折射光學元件之反射系統、包含反射光學元件與折射光學 元件之反射折射系統之任一種β又，投影光學系統PL可以 是形成倒立像與正立像之任一種。 投影光學系統PL具有朝向投赛光學系統PL之像面射 出曝光用光EL之射出面1丨。投影光學系統PL之複數個光 201102761 學兀件中、最靠近投影光學系統pL之像面之終端光學元件 12具有射出面11。投影區域Pr包含從射出面11射出之曝 光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面i丨朝 向一 Z方向（下方）、與Χγ平面平行。又，朝向—z方向之 射出面11可是凸面、亦可以是凹面。 本實施形態中’投影光學系統PL之像面近旁之光軸 ΑΧ、亦即終端光學元件12之光軸Αχ與ζ軸大致平行。又， 將以和終端光學元件12相鄰之光學元件規定之光軸視為終 端光學元件12之光軸亦可。又，本實施形態中，投影光學 系統PL之像面與包含X軸與γ軸之χγ平面大致平行。此 外，本貫施形態中，像面大致水平。不過，像面可不與χγ 平面平行、亦可為曲面。 基板载台2具有能將基板ρ保持為可釋放之基板保持 部Β，能在第2平台14之引導面15上移動。基板載台2 可藉由驅動系統16之作動，相對投影區域pR保持基板ρ 移動。驅動系統16包含平面馬達，此平面馬達具有配置於 基板載台2之可動子16A、與配置於第2平台14之固定子 16B七。可移動基板載台2之平面馬達已揭示於例如美國專 利第6452292號說明書。基板載台2，可藉由驅動系統16 之作動，移動於X軸、γ軸、ζ軸、βχ、方向 之6方向。 基板載台2具有配置在基板保持部13之周圍、能與射 出面11對向之上面17。本實施形態中，基板載台2具有如 美國專利申請公開第2〇〇7/〇177125號說明書等所揭示， 201102761 配置在基板保持部13周圍之至少—部分'將板片構件” 下面保持成可釋放之板片構件保持部18。本實施形態中， 基板載台2之上面17包含板片構件τ之上面。上面以 平坦。 本實施形1中’基板保持部13能將基板！>保持成基板 ?之表面與ΧΥ平面大致平行。板片構件保持部U能將板 片構件τ保持核片構件τ之上面17與灯平面大致平行。 干涉儀系統3具有能以光學方式測量光罩載 Μ)在ΧΥ平面内之位置之第1 弟干涉儀早兀3Α、與能以光學 方式測量基板載台2(基板Ρ)在Χγ平面内之位置之第2干 涉儀單元3Β。實施基板ρ之曝光處理時、或實施既定測量 處理時，控制裝置5根據干涉儀系統3之測量結果使驅動 系統9'16作動’以實μ罩載台1(光罩Μ)及基板載台2(基 板Ρ)之位置控制。 、液浸構件4係配置在曝光用光EL之光路周圍至少一部 分°本實施形態中’液浸構# 4之至少—部分配置在終端 光學元件12周圍之至少-部分。液浸構件4具有能與配置 在與射出面11對向位置之物體表面對向之下面2〇β液浸構 件4係以在射出面丨丨、及配置在與射出面丨〖對向位置之物 體之間之曝光用光EL之光路被第2液體LQ2充滿之方式， 形成液浸空間LS。第2液體LQ2被保持在下面2〇之至少 分與物體表面（上面）之間而形成液浸空間乙S。 液浸空間LS係以第2液體LQ2充滿之部分（空間、區 域本實施形態中，物體包含基板載台2(板片構件τ)及基 12 201102761 板載台2所保持之基板p之至少一方。於基板p之曝光中， 液^構件4形成一將終端光學元件丨2與基板p之間之曝光 用光EL之光路被液體LQ充滿之液浸空間lS。 本實施形態之曝光裝置ΕΧ，係一邊將光罩M與基板p 同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩皿之圖案之像投影 至基板P之掃描型曝光裝置（所謂之掃描步進機卜於基板p 之曝光時、控制裝置5控制光罩載台i及基板载台2使光 罩Μ及基板P移動於與光軸Αχ(曝光用光el之光路）交又 之XY平面内之既定掃描方向。本實施形態中，基板p之掃 描方向（同步移動方向）為γ軸方向、光罩M之掃描方向（同 步移動方向）亦為γ軸方向。控制裝置5，使基板p相對投 影光學系統PL之投影區域PR移動於γ轴方向，並與該= 板Ρ往Υ軸方向之移動同步’一邊使光罩Μ相對照明系統 IL之照明區域IR移動於γ軸方向、一邊經由投影光學系统 PL與基板Ρ上液浸"LS之第2液體吻對基板ρ照射 曝光用光EL。如此，光罩μ之圖案之像即被投影至基板ρ， 基板Ρ被曝光用光EL曝光。 其次，參照圖2〜圖5說明液浸構件〇圖2係顯示液 浸構件4之近旁之側視剖面圖、圖3係從上方觀察液浸構 件4之圖、圖4係從下方觀察液浸構件 舟卞4之圖、圖5係放 大圖2之一部分之圖。 本實施形態中，液浸構件4為環狀構件。液浸構件^ 之至少-部分係配置在曝光用光肛之部分光路及緣端光與 元件12之周圍。第2構件23之至少—部分配置在第^ 13 201102761 件3i之周圍。如圖3及圖4所示，本實施形態中，液浸構 件4在XY平面内之外形為圓形。X，液浸構件4之外形亦 可以是其他形狀（例如矩形）。 本實施形態中，液浸構件4具有配置成至少—部分與 射出面11對向之板片部4 i、與至少一部分配置在終端光學 元件12周圍之本體部42。 液浸構件4，具備配置在從投影光學系統pL之射出面 11射出之曝光用光EL之光路κ周圍至少一部分之第丨面 21、配置在第1面21周圍至少一部分之第2面22、在第丄 面21周圍之至少一部分於相對投影光學系統pL之光軸 之放射方向配置成朝向外側（朝向放射方向外方）對第2面 22供應第1液體LQ1之第i供應口 5卜本實施形態中，液 浸構件4之下面20包含第1面21及第2面22。 又，本實施形態中，液浸構件4具備對從射出面丨丨射 出之曝光用光EL之光路K供應第2液體LQ2之第2供應 口 52 » " 本實施形態中， 第1液體LQ1與第2液體LQ2為同種 類之液體。本實施形態中’第i液體LQ1及第2液體吻 係使用水（純水）。以下之説明中，適當的將第i液體 及第2液體LQ2總稱為液體LQ。 本實施形態中，第1面2〖配置在從射出面丨丨射出之曝 光用光EL之光路K周圍。第2面22配置在第1&21之周 圍。本實施形態中 之外形為圓形。又 ’在XY平面内之第 1面21及第2面22 在XY平面内之第2 面22之内側邊緣 14 201102761 22E1亦為圓形。本實施形態中，第1面之至小一 一部分择 配置在板片部41，第2面22則配置在本體部42。 ’、 又，液浸構件4具有朝向第1面21之反方向、γ 一部分與射出面π對向之方式配置在曝光用光二二 周圍之第3面23。第3面23配置於板片部41。 液浸構件4之板片部41，具有從射出面u射出之曝光 用光EL可通過之開口 43。第^21及第3面23.配置^開 口 43之周圍。於基板1>之曝光中，從射出面u射出之^ 光用光EL經由開口 43照射於基板p之表面。如圖3及圖4 所示，本實施形態中，開口 43係在與基板p之掃描方向 轴方向）交叉之X轴方向長》 射出面η、第1面21及第2面22能與配置在液浸構 件4下方之物體表面（上面j對向。於基板ρ之曝光之至少— 部分中，射出面11、第1面21及第2面22與基板ρ之表 面對向。又，第i面2丨與基板ρ之表面對向之狀態，包含 第1面21與基板P表面之間存在第2液體LQ2之狀態。此 外，第2面22與基板P對向之狀態，包含第2面22與基 板P之間形成有液體LQ之流動（後述液體面LQS)之狀態。 第1面21旎隔著間隙G1與物體之表面（基板ρ之表 面、板片構件τ之上面等）對向。第2面22能隔著間隙G2 與物體之表面對向。第3面23能隔著間隙g3與射出面i i 對向。本實施形態中’第2面22配置在較第丨面21上方 處。本實施形態中’間隙G2大於間隙G1。 本實施形態中，第1面21與XY平面大致平行。第2 15 201102761 面22於相對光軸Αχ之放射方向朝外側向上方傾斜。亦即， 第2面22相對第i面21傾斜。又，第3面23與第 大致平行。本實施形態中’第3面23與射出自u大致平行。 液浸構件4之本體部42,具備隔著間隙G4與 仃 元件12之側面12F之至少一邻八斟“ 、、鸲先予 。”刀對向之内側面44、以及隔 曰1隙G5與保持構件1〇之下面1〇u對向之上面μ 咖係與射出面^同之面，為曝光用光虹不通過之面 側面⑵配置在射出面U之周圍。當然，内側面 少-部分與保持構件10之一部分對向亦可。或者，上面45 之至少-部分與終端光學元# 12之-部分對向亦是 的。 第1供應口 51，係以第1液體lQ1在第2面22上於 相對光轴AX之放射方向流向外側之方式供應第i液體 LQ卜第i供應口51所進行之第i液體冲之供應係使 第i液體LQ1 一邊與第2面22接觸、一邊沿第2面22於 相對光軸AX之放射方向流向外側。 本實施形態中，第1供應口 51配置在用以規定第】面 21之外形之外側邊緣21E與第2面22之内侧邊緣咖之 間。亦即’本實施形態中，第1供應口 Μ係配置在較第i 面21上方、較第2面22下方處。 本實施形態中，第i供應口 51係圍繞曝光用光肛之 光路形成之狹縫開口。第i供應口 51沿著第2面22之内 側邊緣22E1配置《於Z抽方向之第i供應口 51之尺寸 縫幅)GS，充分的小…供應口 51之尺寸gs，例如較基 16 201102761 板P之曝光中之間隙G1小。 第2供應口 52將第2液體LQ2供應至液浸構件4與終 端光學元件12間之間隙。本實施形態中，第2供應口 52 配置在液浸構件4之既定部位面向從射出面11射出之曝光 用光EL之光路K。太杳^ Λ 本實施形態中，第2供應口 52將第2 液體LQ2供應至射出面u與第3面23之間。本實施形態 中’第2供應口 52配置於内侧面44。如圖3所示，本實施 形態中’第2供應口 52對開口 43(曝光用光el之光路)分 別配置在+ Y側及一 γ側。此外，第2供應口 52亦可對開 口 43(曝光用光EL之光路）分別配置在+ χ側及—χ側。又， 第2供應口 52之數量不限於2個。第2供應口 52亦可於 曝光用光之光路周圍配置於3處以上之位置。 、 來自第2供應口 52之第2液體LQ2被供應至從射出面 11射出之曝光用光EL之光路。如此，曝光用光el之光路 :被第2液體LQ2充滿…於基板p之曝光之至少—部 分中，基板P表面對向於射出面u、第U 21及第2面 22於基板P之曝光之至少一部分中，從第2供應口 Μ供 應至射出面11與第3面23之間之第2液體LQ2之至少— 部分，經由開口 43被供應至第i面21與基板p表面之間， 射出面11與基板P表面之間之曝光用光EL之光路被第2 液體LQ2 H第2液體LQ2之至少—部分被保持在第1 面21與基板P表面之間^基板p透過射出面U與基板p
表面之間之第2液體LQ2,被來自射出面丨丨之曝光用 曝光。 L 17 201102761 本實施形態中’以保持在第1面21與物體之間之第2 液體LQ2形成液浸空間LS之一部分。本實施形態中，在曝 光用光EL照射於基板P時，形成包含投影區域Pr之基板 P表面之部分區域被第2液體LQ2覆蓋之液浸空間LS。本 實施形態之曝光裝置EX採取局部液浸方式。 以下’為簡化說明’係以基板P配置在與射出面1 1、 第1面21及第2面22對向之位置，於液浸構件4與基板p 之間保持第2液體LQ2而形成液浸空間LS之情形為例進行 説明。此外，如以上所述，亦可以是在射出面丨丨及液浸構 件4與其他構件（基板載台2之板片構件τ等）之間形成液浸 空間LS。 本實施形態，藉由從第2供應口 52供應之第2液體lq2 之至少一部分’將射出面丨丨與基板p之間之曝光用光EL 之光路以第2液體LQ2加以充滿之方式，在射出面丨丨、第 1面21及第2面22之至少一部分與基板p表面之間形成液 浸空間LS。 圖2、圖5中，液浸空間LS之第2液體LQ2之氣液界 面（彎月面、邊緣）LG係形成在第2面22與基板p表面之間。 亦即’液浸空間.LS係形成為第1供應口 5 1與由第2供應 口 52供應之第2液體LQ2所形成之液浸空間ls之第2液 體LQ2接觸。圖2、圖5中，係在第1供應口 5丨浸於液浸 空間LS之第2液體LQ2之狀態下，從第i供應口 51將第 1液體LQ1供應至第2面22。 第2面22對第1液體LQ1為親液性較佳。本實施形態 201102761 中，第2面22對第1液體LQ1之接觸角為9〇度以下。本 實施形態t ’第2面22為敛製、對第i液體LQ1為親液性 (親水性）。本實施形態中，第2面22最好是能較與第2面 22對向之物體（例如基板p)表面更為親液性。又亦可在液 浸構件4之下面2G之至少—部分’以對第i液體即為親 液之材料形成膜，以使第2面22對第！液體[pi具有親 液性。當然，第2面22對第i液體LQ1亦可以不具親液性。 本實施形態中，從第1供應口 51之第i液體LQ1之供 應係與從第2供應口 52之第2液體LQ2之供應平行實施。 亦即，在形成第2液體LQ2之液浸空間Ls之狀態下從第i 供應口 5丨將第i液體LQ1供應至第2面22，該從第丄供 應口 51供應之第i液體LQ1於相對光軸Αχ之放射方向朝 外側流過第2面22上。又’液浸空間Ls之第2液體lq2 之至少-部分’與來自第i供應口 51之第i液體LQ1 一起 於放射方向向外側流過第2面22上。據此，於相對光軸Αχ 之放射方向’在液浸空間LS之界面LG外側，液體lq(第 1液體LQ1及第2液體LQ2之至少—方）即在不與基板⑽ 體）表面接觸之情形下，於相對光軸AX之放射方向朝向外 側机過第2面22上。亦即，於相對光軸Αχ之放射方向之 液浸空間LS之界面LG外侧，在流於第2面22上之；體 LQ表面（液I^LQS)與和其對向之基板ρ(物體）表面之 在氣體空間。 子 第2 又，液浸構件4具備於相對光軸Αχ之放射方向配置在 面22之外側、用以回收第2面22上之液體LQ(第i 19 201102761 液體LQ1及第2液體LQ2之至少一方）之至少一部分之回收 部60。回收部60可回收從第1供應口 51供應、流過第2 面22上之第1液體LQ1及與第1液體LQ1 —起流過第2 面22上之第2液體LQ2。 本實施形態中，回收部60具有配置成與第2面22交 叉之第4面24。第2面22之外侧邊緣22E2與第4面24之 間形成有間隙G6。回收部60回收從第2面22流入間隙G6 之液體LQ之至少一部分。 又，本實施形態中’第4面24之至少一部分係在較第 2面22之外側邊緣22E2下方（一Z側）處、配置成朝向光軸 AX。本實施形態中’第4面24配置成與光軸AX大致平行。 .又，本實施形態中，回收部60具有連接於第4面24 之下端、配置成與第2面22之周緣區域隔著間隙G7對向 之第5面25。第5面25在第2面22之周緣區域下方配置 成朝向上方（+Z方向）。 ^ ^ ' 一一 "、π 4叫“ < 周圍配置 環狀。此外，於χγ平面内，第5面25為環狀。 本實施形態中，第2面22之外側邊緣22Ε2與第4 24之間之間隙G6構成為可回收第2 工I至少部分 體LQ之回收部60之回收口 61。本實施形態中於χγ 面内之回收口 61之形狀為環狀。此外，亦可於χγ平 將回收口 6丨以既定間隔在曝光用光EL之光路周圍^置^ 數個。又，本實施形態中，雖設有防止液體lq從回收 61近旁滴落至基板P(物體）表面之第5面25，但亦可省 20 201102761 第5面25 。 如圖2所示’第1供應口 51經由供應流路7〇連接於 第1液體供應裝置71。供應流路70包含將液浸構件4之内 部流路72及該内部流路72與第1液體供應裝置71加以連 接之供應官之'"IL路7 3。第1液體供應裝置71可將潔淨且經 温度調整之第1液體LQ1供應至第i供應口 51。 本實施形態中’内部流路72之流入口 74配置在液浸 構件4之上面45。來自第丨液體供應裝置71之第丨液體 LQ1經由流入口 74流入内部流路72。内部流路72，具有 從流入口 74於放射方向往内側（向放射方向内方）延伸之第 1部分72A、與第1部分72A連接且至少一部分彎曲之第2 部分72B、以及連結第2部分72B與第丨供應口 5ι而從第 2 刀72B之下％於放射方向往外側延伸之第3部分。 本實施形態中’包含第i部分72A、第2部分m及第3 部分72C之内部流路72係形成為圍繞光軸Αχ。 第3部分72C，形成在朝向第1面21之反方向（+z方 向）之第6面26與隔著間隙G8和第6面26對向之第7面 27之間。本實施形態中，第6面26和第7面27與灯平 面大致平行、間隙G8與尺寸⑵大致相等。 又，第6面26與第7面27可與"面22 一起相對χγ 平面傾斜。例如，第6 與第7面27可於相對光輔ΑΧ 之放射方向朝外側傾斜向木 97 a τ 上方® ,然，第6面26與第7面 27亦Τ不疋平行。例如，可決定第6 之一方相對另一方之角 面27 角度’以使尺寸GS小於間隙g8。 21 201102761 從流入口 74流入内部流路72之第1液體lqi，於第1 部分72A擴散流動而圍繞光軸AX，經由第2部分mb流入 第3部分72C。流入第3部分72C之第1液體LQ1，於放 射方向朝外側流過該第3部分72C而被供應至第1供應口 51供應。第1供應口 51以第1液體LQ1於玫射方向朝外 側流過第2面22上之方式’將來自第3部分72C之第1液 體LQ1供應至第2面22。第1供應口 51以第2面22之大 致全區域被第1液體LQ1濕潤之方式，對第2面22供應第 1液體LQ1。 又，如圖2所示，第2供應口 52經由供應流路8〇與 第2液體供應裝置81連接。供應流路80包含液浸構件4 之内部流路82及將該内部流路82與第2液體供應裝置81 加以連接之供應管之流路83。第2液體供應裝置8 1可將潔 淨且經溫度調整之第2液體LQ2供應至第2供應口 52。 又’如圖2所示’回收口 61經由回收流路90與液體 回收裝置91連接。本實施形態中，回收流路90包含液浸 構件4之内部流路9 2及將該内部流路9 2與液體回收裝置 9 1加以連接之回收管之流路93。内部流路92之至少一部 为係形成在第4面24與和第4面24隔著間隙G9對向之第 8面28之間。液體回收裝置91包含真空系統（用以控制真 空源與回收口 61之連接狀態之閥等），可從回收口 61吸引 液體LQ加以回收。 接著’說明使用具有上述構成之曝光裝置ΕΧ使基板ρ 曝光之方法。 22 201102761 首先，控制裝置5使第1面21及第2面22與基板P 表苗（或基板載台2之上面17)對向。第1面21與基板P表 面係隔著間隙G1對向、第2面22與基板P表面隔著間隙 G2對向。 控制裝置5在使第1面21及第2面22與基板P表面 對向之狀態下’從第2液體供應裝置81送出第2液體LQ2。 由第2液體供應裝置81送出之第2液體LQ2，從第2 供應口 52供應至射出面丨丨與第3面23之間，被供應至從 射出面11射出之曝光用光EL之光路。如此，曝光用光EL 之光路即被液體LQ充滿。 此外，從第2供應口 52供應之第2液體LQ2之至少一 部分經由開口 43被供應至第！面21與基板p表面之間， 被保持在第1面21與基板P表面之間。又，第2液體；LQ2 之至少一部分被保持在第2面22與基板p表面之間。如此， 藉由從第2供應口 52供應之第2液體LQ2，將射出面η 與基板Ρ之間之曝光用& EL之光路以第2液體LQ2加以 充滿，而在射出面u、第1面21及第2面22之至少一部 分與基板P表面之間形成液浸空間Ls » 此外，控制裝置5從第1液體供應裝置71送出第}液 體LQ1。又，控制裝置5使液體回收裝置9ι作動。從 液體供應裝置71送出之第【液體LQ1經由供應流路 供應至第1供應口 51。第！供應口 51對第2 1液體LQ1。 1、應第 控制裝置5控制第！液體供應裝置71及第2液體供應 23 201102761 裝置8卜以平行實施從第i供應口 51之第】液體吨之 供應、以及從第2供應口 52之第2液體LQ2之供應。亦即， 控制裝置5在以來自第2供應口 52之第2液體LQ2形成液 浸空間LS之狀態下，從第1供應口 51供應第t液體 當從第1供應口 51供應第i液體LQi時，該來自第1 供應口 5 1之第1液體LQ1即於放射方向朝向外側流過第2 面22上’且液浸空間LS之第2液體LQ2之至少一部分與 來自第1供應口 51之第1液體LQ1__起於放射方向朝向外 側流過第2面22上。控制裝置5以在流於第2面22上之 液體LQ表面（液體面LQS)與基板p(物體）表面之間形成氣 體空間之方式，從第1供應口 51供應第1液體Lq卜如此， 於光轴AX之放射方向之第1面2 1之外側（液浸空間ls之 界面LG之外側），於光軸AX之放射方向形成朝向外側流 動之液體LQ之液體面LQS。在第2面22上於放射方向流 至外側之液體LQ(第1、第2液體LQ1、LQ2)被回收至回收 部60。流過第2面22上之液體LQ之至少一部分以回收口 6 1加以回收。 控制裝置5平行實施從第1供應口 51之第1液體lqi 之供應、從第2供應口 52之第2液體LQ2之供應、以及以 回收部60(回收口 61)進行之液體LQ之回收，一邊使液體 LQ流至第2面22上、一邊將射出面11與基板p之間之曝 光用光EL之光路以第2液體LQ2加以充滿之方式，形成液 浸空間LS。 控制裝置5與從第1供應口 51之第1液體LQ1之供應 24 201102761 並行，實施從第2供應口 52之第2液體LQ2之供應，在以 第2液體LQ2加基板P表面之一部分局部分的覆蓋而形成 液浸空間LS之狀態下，開始基板p之曝光。 控制裝置5從照明系統IL射出曝光用光el，以曝光用 光EL照明光罩Μ。來自光罩Μ之曝光用光EL從投影光學 系統PL之射出面11射出。控制裝置5透過射出面丨丨與基 板P之間之第2液體LQ2，以來自射出面u之曝光用光EL 使基板P曝光。如此，光罩Μ之圖案之像即即被投影至基 板Ρ，基板Ρ被曝光用光EL曝光。於基板ρ之曝光中，亦 平行實施從第1供應口 51之第1液體LQ1之供應、與從第 2供應口 52之第2液體LQ2之供應。 如上所述，本貫施形態之曝光裝置£又為掃描型曝光裝 置，於基板P之曝光之至少一部分中，在射出面u與基板 P之間保持有第2液體LQ2之狀態下(在形成有液浸空間Ls 之狀態下）’基板P移動於XY平面内之既定方向。例如， 對基板Ρ之曝光用光EL之照射中（掃描曝光中），基板ρ相 對終端光學元件12及液浸構件4移動於γ軸方向。又，在 使基板Ρ上之複數個照射區域依序曝光之場合，在第丨照 射區域之曝光後、使其次之第2照射區域曝光之場合，基 板P相對終端光學元件12及液浸構件4，例如移動（步進二 動)於X軸方向、或在XY平面内相對χ軸之傾斜方向。此 外，不限於掃描曝光中之移動及步進移動，基板ρ能在與 射出面11之間保持有第2液體LQ2之狀態下，以各種移動 條件進行移動。 25 201102761 基板P之移動條件，包含在χγ平面内於既定方向（例 如一Y方向）之移動速度、加速度（減速度）及移動距離（在χγ 平面内從第1位置往第2位置移動時之移動距離）之至少一 種。 本實施形態中，由於第1液體LQ1從第1供應口 51於 相對光軸AX之放射方向朝向外側流過第2面22上，因此 例如在以高速或高加速度移動基板p之情形時，能抑制第2 液體LQ2從液浸構件4與基板p之間之空間漏出、或在基 板P上殘留第2液體LQ2(膜、滴等）。 圖6係顯示使用比較例之液浸構件4〇〇之情形時，液 浸空間LS之動作之示意圖。於液浸構件4〇〇並未設置第i 供應口（51) ^在終端光學元件12及液浸構件4〇〇與基板p 表面之間保持有液體LQ之狀態下，使基板p於_ γ方向高 速移動時，形成液浸空間LS之液體LQ之至少一部分在基 板P上成為膜之可能性變高。亦即，圖6所示之比較例中， 由於基板P往一γ方向之移動，於相對光軸Αχ之放射方 向液體LQ之氣液界面LG上端（氣液界面lg與液浸構件 400之下面420之交點）之位置PJ1與氣液界面下端（氣 液界面LG與基板p表面之交點）之位置pj2之距離（偏移 量）LJ有可能變大。其結果，液體LQ從液浸構件4〇〇與基 板P表面之間之空間漏出 '或成為膜、滴等殘留在基板p 上之可能性即變高。 圖7係用以說明使用本實施形態之液浸構件4時之情 形時，液浸空間LS之動作之示意圖。設有於相對光軸Αχ 26 201102761 之放射方向朝向外侧之第i供應口 51，液體LQs相對光 軸AX之放射方朝向外侧流過第2面22上，因此能抑制形 成液π工間LS之第2液體LQ2之至少—部分，從液浸構件 4與基板Ρ表面之間之空間漏出或成為膜、滴等而殘留在基 板Ρ上。亦$ ’於相對光軸ΑΧ4^放射方向之界面LG之外 側，形成於相對絲AX之放射方向朝向外側流動之液體 LQ之液體面LQS，而能抑制第2液體LQ2殘留在與該液體 面LQS對向之基板p表面。例如，即使因基板p往_ γ方 向移動而使第2液體LQ2之氣液界面LG下端之位置pj2
往-Y方向移動，由於在第2面22上第i液體LQ1往—Y 方向流動’流於第2面22上之液體叫上所形成之氣液界 面LG之上端位置PJ1亦順暢的往一 ο向位移，因此能抑 制第2液體LQ2之氣液界面LG之上端位置pn與氣液界 面LG之下端位置PJ2之距離（偏移量）以變大。承上所述， 即使在基板P移動之情形時，亦能抑制在基板p上第2液 體LQ2薄膜化。因此，能抑制第2液體吻之漏出、殘留 等之發生。 又，本實施形態中，形成在第2面22之液體LQ之流 動速度，大於與該液體LQ之流動（液體自LQS)對向之基板 P(物體）之移動速度。不過’亦可與基板p(物體）之移動速度 同等、或小於基板P(物體）之移動速度。 又，亦可視基板P移動時之移動條件，調整從第丨供 應口 5 1供應之第！液體Lq丨之供應條件。 例如，視於χγ平面内之既定方向(例如Y軸方向)之基 27 201102761 板p之移動速度，調整從第i供應口 51供應之第1液體LQi 之流速。 例如，在基板p以高速往_ γ方向移動時，提高從第i 供應口 5 1往一Y方向供應之第i液體LQ1之流速。例如， 可藉由調整從第1液體供應裝置71送出之每單位時間之第 1液體LQ1之供應量，以調整第i液體LQ1之流速。視基 板P之移動速度調整第1液體LQ1之流速，即能縮小位置 ΡΠ_與位置PJ2之偏移量LJ。 此外，亦可視於ΧΥ平面内既定方向（例如γ軸方向） 之基板Ρ之加速度，調整從第丨供應口 51往與γ軸方向大 致平行供應之第1液體LQ1之流速，例如，當基板p往一 γ方向以高加速度移動時，提高從第i供應口 51往一 γ方 向供應之第1液體LQ1之流速。如此，亦能縮小偏移量LJ。 此外，亦可視於XY平面内既定方向（例如γ軸方向） 之基板p之直線移動距離，調整從第丨供應口 5ι往與γ軸 方向大致平行供應之第丨液體LQ1之流速。 如以上所述，視基板p之移動條件調整從第丨供應口 51往與基板P之移動方向同方向（-γ方向）供應之第【液體 LQ1之供應條件，即能縮小位置ρη與位置m之偏移量 LJ，抑制第2液體LQ2之漏出、殘留等之發生。 又，上述説明，雖係針對基板P上形成有第2液體LQ2 之液浸空間LS之情形作了説明，但在基板載台2(板片構件 T)上、或橫跨基板載台2(板片構件τ)與基板p而形成第2 液體LQ2之液浸空間LS之情形時亦相同。 28 201102761 、之説明，根據本實施形態，由於設有配置成在 相對光轴AX之放射方向朝向外側、對液浸構件4之第2面 22供應第1液體吻之第1供應口 5卜因此能抑制第2液 體LQ2漏出、或第2液體LQ2殘留在與第2面22對向之 物體（基板P等）表面之事態。又，根據本實施形態，由於在 液/又構件4之第2 φ 22形成於相對光# AX之放射方向朝 外側流動之液體LQ之液體面LQS，因此能抑制第2液體 LQ2漏出、或第2液體LQ2殘留在與第2面22對向之物體 (基板P等）表面之事態。因此，能在抑制生產率降低之同 時，抑制曝光不良之產生。 此外，根據本實施形態，回收部6〇具有第4面24，因 此能在抑制液體LQ從第2面22漏出之同時，從回收口 61 良好的回收來自該第2面22之液體LQ。又，由於設有第5 面25，因此能抑制第2面22之周緣區域之液體掉落至 基板P上專之事態。再者，亦可與回收口 61設置網眼(mesh) 等之多孔構件。 <第2實施形態> 接著’說明第2實施形態。於以下之説明中，針對與 上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並 簡化或省略其説明》 第2實施形態中’第2面22並未朝向上方傾斜。
圖8係顯示第2實施形態之液浸構件4B之一例的圖。 圖8中，液浸構件4B具有第1面21與第2面22B。本實 施形態中，第1面21與第2面22B大致平行。第2面22B 29 201102761 與XY平面大致平行、對第1液體LQ1為親液性。本實施 形態中’亦能使用從第1供應口 51供應之第i液體LQ1， 抑制液浸空間LS之第2液體LQ2之漏出、殘留等之發生。 又，亦可如圖9所示之液浸構件4C，使第2面22(：於 光軸AX之放射方向朝外側向下方傾斜。 又，於圖8及圖9之例中，由於第5面（25B、25C)與 第2面（22B、22C)之周緣接近’因此於第5面與第2面之 間形成回收口（61B、61C)。亦即，從第2面（22B、22(：)回 收液體LQ之回收口（61B、61C)可面對光軸ΑΧβ亦即，從 第2面（22Β、22C)回收液體LQ之回收口，可不如第丄實施 形態般朝向下方（一Z方向）。. <第3實施形態> 接著，說明第3實施形態。於以下之説明中，針對與 上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並 簡化或省略其説明。 圖10係顯示第3實施形態之液浸構件4D之一例的圖。 圓1〇中，液浸構件4D具備用以回收第2面22上之液體 LQ之至少一部分之回收部6〇D。本實施形態中，回收部6〇d 具有在第2面22之周緣區域下方配置成朝向上方之凹部 62。凹部62係被第4面24之下端、第5面25、以及配置 成與第4面24對向之第9面29所規定。於χγ平面内，凹 部62為環狀。 由於設有凹部62，因此能抑制第2面22上之液體LQ 漏出、或掉落至基板p上之事態。 30 201102761 圖u所示之回收部60E係圖1〇所示之回收部咖之 變形例。圖11中’回收部具有在第9面携上端與第 2面22之間之回收口 61E。此外，在凹部62E.内側，具備 用以排出從第2面22上流入凹部62£之液體lq之排出口 600E。凹部62E可貯存液體LQe帛2面22上之液體 經由回收口 61E流入凹部62Εβ回收部6〇e將流入凹部62e 之液體LQ之至少一部分，從配置在該凹部62e之排出口 600E加以排出。圖11所示例中，回收口 6iE朝向光軸Αχ， 排出口 600E配置於朝向上方之第5面25E。排出口 6〇〇e 經由回收流路90E連接於液體回收裝置91E。液體回收裝置 91Ε將流入凹部62Ε之液體Lq之至少一部分，經由排出口 6 0 0 Ε及回收流路9 0 Ε加以回收。 圖12所示之回收部6〇F，係圖u所示之回收部6〇ε之 變形例。圖12中，回收部6〇F具備配置在凹部62ρ之内側、 可排出第2面22上之液體！^(5之至少一部分之排出口 600F、以及配置於排出口 6〇〇F之多孔構件64F。排出口 6〇肿 經由回收流路90F與液體回收裝置91F連接。 控制裝置5可控制液體回收裝置91F，控制多孔構件 64F之上面側空間之壓力與下面側空間之壓力之差，以僅使 液體LQ從多孔構件64F之上面側空間通過至下面側空間。 控制裝置5控制液體回收裝置9 1F來控制多孔構件64f之 上面側空間之壓力與下面側空間之壓力之差，以僅使液體 LQ從多孔構件64F之上面側空間通過至下面側空間。亦 即，控制裝置5進行之調整，係透過多孔構件64F之孔從 31 201102761 第2面22僅回收液體LQ，而不使氣體通過多孔構件64F 之孔。調整多孔構件64F之一側與另一側間之壓力差，以 僅使液體LQ從多孔構件64F之一側通過至另一側之技術， 已揭示於例如美國專利第72923丨3號說明書等。 又，圖11及圖12之實施形態中，雖係從凹部（62e、62f) 回收（排出）液體LQ，但亦可將凹部（62E、62F)上方之間隙 G6併用為回收口。 圖13所示之回收部60G係第1實施形態之回收部6〇 之變形例。圖13中，回收部6〇G具有配置在第2面22周 圍朝向下方（一Z方向）之回收口 61G、與配置在回收口 61〇 之多孔構件64G。回收部60G不具有於光轴Αχ之放射方向 在回收口 61G之外側、延伸於較回收口 61G下方（―ζ方向） 之面（壁）。本實施形態中，多孔構件64G係以多孔構件64(} 之下面與第2面22大致配置於同一平面内之方式，配置於 回收口 61G。回收口 61G經由回收流路90G與液體回收裝 置91G連接。回收流路9〇g包含液浸構件4G之内部流路 92G、以及將該内部流路92G與液體回收裝置91G加以連 接之回收管之流路93G。藉由液體回收裝置91G之作動， 與多孔構件64G下面接觸之來自第2面22之液體LQ即經 由該多孔構件64G流入内部流路92G，被回收至液體回收 裝置91G。 又’圖13所示之回收部60G中，亦可省略多孔構件64G。 此外’於第3實施形態中亦可如第2實施形態般，第2 面22與χγ平面平行、或於相對光軸αχ之放射方向朝外 32 201102761 側傾斜向下方（一z方向）。 <第4實施形態> 接著，說明第4實施形態。於以下之説明中，針對與 上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並 簡化或省略其説明》 圖14顯示第4實施形態之液浸構件4H之一例的圖。 上述第1〜第3實施形態，係以第1面21及第2面22無法 回收液體LQ之情形為例作了説明。第4實施形態中，第2 面22H則可回收液體LQ。 本貫施形態中，第2面22H包含多孔構件64H之下面 本實施形態中，第2面22H包含於光軸Αχ之放射方向@ 置在第1供應口 5 1外側之非回收面22ΗΑ、以及以多孔才; 件64Η之下面構成之回收面22ΗΒ。本實施形態中，回收召 22ΗΒ之面積大於非回收面22ΗΑ之面積。亦即，於相對^ 軸ΑΧ之放射方向，回收面22ΗΒ較非回收面22ηα長。并 浸構件4Η具有可回收液體LQ之回收口 61Η。多孔構件q 配置於回收π 61Ηβ回收σ 6111經由回收流路_與液骨 回收裝置91Η連接。回收流路规包含液浸構件4Η之戸 部流路92Η、以及連接該内部流路规與液體回 之回收管之流路93Η。 置91] 多孔構件64Η之下面能與基板ρ表面對向。夕 64Η之上面則面對内部流路92Η。 孔構件 藉由從第1供應口 51對包含多孔構件64η 面則供應第！液體抑，可於光轴Αχ *之第2 射方向_ 33 201102761 側使液體LQ流於第2面 2評τη， 曲2扭上。本實施形態，亦能抑制第 2液體LQ2之漏出、殘留等之發生。 又，第4實施形態中，亦可使多孔構件㈣之接近第1 供應口 51之部分與離第j供應口 5ι較遠之部分吸引力(多 孔構件64Η之上面與下面間之麼力差）不同，以於光軸ΑΧ 射方向，以既疋長度形成液體LQ之流動（液體面 LQS)例如’可於光軸Αχ之放射方向朝外側使多孔構件 64Η之吸引力階段性階的或連續的變強。 .又’第4實施形態中，第2面22Η亦可不包含非 面 22ΗΑ。 此外，第4實施形態中，亦可並用上述各實施形態所 説明之回收部之至少部分構成。 又’第4實施形態亦可如第2實施形態般，第2面22η 與ΧΥ平面平杆、或於相對光軸ΑΧ之放射方向朝外側向下 方（一 Ζ方向）傾斜。 此外，上述第2〜第4實施形態中，皆可視物體（基板 Ρ)在液浸構件下方之移動條件調整從第丨供應口 5 1供應之 第1液體LQ1之供應條件。 又’上述第1〜第4實施形態中，從第1供應口 51供 應之第1液體LQ1之流速，在對光軸AX之所有放射方向 可以不相同》亦即，可於相對光軸AX之放射方向中之第^ 方向以第1流速供應第1液體LQ1、而於第2方向則以和 第1流速不同之第2流速供應第1液體LQ1。 <第5實施形態> 34 201102761 其次，說明第5實施形態。於以下之説明中，針對與 上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並 簡化或省略其説明。 圖1 5係顯示第5實施形態之液浸構件4 J之一例的側視 圖，部分顯示其剖面。圖16係從下方觀察圖15所示之液 浸構件4J的圖》 圖15及圖16中，液浸構件4J具備第1面21、第2面 22、以及對第2面22供應第1液體LQ1之複數個第1供應 口 5 1J。本實施形態中，複數個第1供應口 5 u係在曝光用 光EL之光路周圍以既定間隔配置。本實施形態中，複數個 第1供應口 51J分別為圓形。當然，第1供應口 su之形狀 亦可以是圓形以外之其他形狀（例如矩形、狹縫狀）。此外， 複數個第1供應口 51J之形狀可各不相同。 本實施形態中，液浸構件4 J具有於相對光軸ΑΧ之放 射方向、朝外側配置之第10面30。第1〇面3〇形成在第i 面21之外側邊緣2ie與第2面22之内側邊緣22E1之間。 第1面21與第1〇面30所形成之角度大致為9〇度。又， 此角度可小於90度、亦可大於9〇度。 複數個第1供應口 5 1J係以既定間隔配置於第1〇面3〇。 本實施形態中，從複數個第丨供應口 5 1:之各個係以大 致相同流速供應第1液體LQ1。 本實施形態、，亦能抑制第2液體LQ2之漏出、殘留等 之發生。 此外，本實施形態亦可與上述各實施形態同樣的，視 35 201102761 物體（基板p)在液浸構件4J下方之移動條件調整從第丨供應 口 5 1J供應之第1液體LQ1之供應條件。又，亦可從複數 個第1供應口 51J中之一部分第i供應口 51J以第丨流速供 應第1液體LQ1，而從其他部分之第丨供應口 51J以和第丄 流速不同之第2流速供應第丨液體LQ1。再者，亦可停止 從複數個第1供應口 51J中之一部分第丨供應口 51J供應第 1液體LQ1。例如，可視基板p之移動條件（移動速度、加 速度、直線移動距離、移動方向等）使從複數個第i供應口 5 1J之各個供應之第1液體lq 1之流速不同。例如，在基板 P相對曝光用光EL之光路移動於—γ方向之情形時，可停 止從相對曝光用光EL之光路配置在+ γ側之第1供應口 51J供應第1液體LQ1。 又’本實施形態中’亦可不在第2面22上、於相對光 軸AX之所有放射方向形成液體LQ之流動（液體面lqS)。 例如’可僅在相對曝光用光EL之光路之γ方向兩側形成液 體LQ之流動（液體面LQS) » 又，上述第1〜第5實施形態中’雖然第1供應口（5 i、 5 1J)係在相對光轴A X之放射方向朝向外側，但只要是在第 2面22上於相對光軸AX之放射方向形成液體lq之流動（液 體面LQS)的話，第1供應口（51、51J)朝向何方並無限定。 又，上述第1〜第5實施形態中，雖係藉由在第2面 22(22B、22C、22H)上液體LQ之流動來形成液體面Lqs， 但亦可於第2面22(22B、22C、22H)之至少_部分在第2 面22(22B、22C、22H)與液體LQ之間存在氣體空間。亦即， 36 201102761 只要是在光軸ΑΧ之放射方向於液浸空間LS之外側，於光 軸AX之放射方向朝外側形成液體LQ之流動（液體面LQS) 即可。 又’上述第1〜第5實施形態中，亦可將第1面21配 置在曝光用光E.L之光路周圍一部分。此外，亦可將第2面 22(22B、22C、22H)配置在第1面21周圍之一部分。 又，上述各實施形態中，可將第2面22(22B、22C、22H) 之至少一部分配置在較第1面21下方處。例如，可如圖9 所示之液浸構件4 C，在第2面2 2 C於放射方向朝外側傾斜 向下方之情形中’將該第2面22C之外側邊緣（周緣區域） 配置在較第1面21下方處。 此外’上述各實施形態中，雖然各第1面21及第2面 22(22B、22C、22H)分別是大致平坦的’但第2面22(22B、 22C、22H)之至少一部分可包含曲面。又，第1面之至 少一部分可包含曲面。此外，第1面21亦可相對χγ平面 傾斜。又’亦可在第2面22(22B、22C、22H)於放射方向 形成長溝。再者，第3面23與第1面21可以不是平> 上述各實施形態中 丨'丁、珂射出面 與板片部41之第3面23之間供應第2液耱τ 狀趙LQ2，但亦 以是對側面12F與内侧面44之間供應第2液體 亦可將第2供應口 52配置成與終端光學元杜,， 予兀件12之側面i 對向。又’亦可在第2供應口 52之外、或取代第 52將供應第2液體LQ2之供應口設於第i面21 供應 又’上述各實施形態，皆可省略板片 1。例如，可 37 201102761 —部分設置第1面21。此場合，可 面11同高、或配置在較射出面η 於射出面11之周圍至少 將第1面21配置與射出 上方（+ Z側）處。 述各實施形態中，可將液浸構件4設置成相 對投影光學系統杜（終端光學元件⑺為可動。 又’上述各實施形態中，雖係以第1面21、第2面22 及第1供應口 51配置在同-液浸構件4之情.形為例，但亦 可將第1面21與第2面22配置在不同構件、將第1面2] 與第1供應口 51配置在不同構件、或將第2自22與第】 供應口 51配置在不同構件。當然，配置第2自22之構件 與配置回收部6G之構件亦可以是不同構件。此場合，可將 複數個構件之至少—部分設置成相對投影光學系統PL(終 端光學元件12)為可動^ 又，上述各實施形態，雖係以第2液體LQ2形成液浸 空間LS，但亦可使第i液體LQ1之一部分混入第2液體 LQ2而以第1液體lqi與第2液體LQ2形成液浸空間lS。 上述各實施形態中，因第！液體LQ1與第2液體LQ2為相 同液體，因此第1液體LQ1存在於曝光用光£匕之光路中亦 無關係。 又’上述各實施形態，雖係以第1液體LQ1與第2液 體LQ2為相同液體之情形為例作了説明，但亦可以是不同 液體。例如，第2液體LQ2可使用適於基板p之曝光之既 定物性之液體，而第1液體LQ1則使用對第2面22之親液 性高於第2液體LQ2之液體。 38 201102761 又，第1液體LQ1之品質（潔淨度、透明度等）可低於 第2液體LQ2e此場合，最好是能設^第i供應口 51之配 置、第1供應口 5 1之第1液體LQ1之供應條件，以避免來 自第1供應口 51之第1液體LQ1在曝光用光紅之光路上 與第2液體LQ2混合。 又，上述各實施形態，雖係將從第1供應口 51供應之 第1液體LQ1之温度、與從第2供應口 52供應之第2液體 LQ2之温度調整為大致相同，但避可使從第丨供應口 $ 1供 應之第1液體UQ1之温度、與從第2供應口 52供應之第2 液體LQ2之温度不同。此外，亦可使用流動於内部流路72 之第1液體LQ1來進行液浸構件4之温度調整。 又，上述各實施形態中，可在液浸空間LS之第2液體 LQ2之氣液界面LG近旁，設置供應氣體之氣體供應口。例 如，可從氣體供應口對氣液界面近旁供應氣體，以在 基板P表面與第2面22之間形成氣封。藉由從氣體供應口 供應之氣體之力抑制液浸空間Ls之擴大。以此方式，藉由 從氣體供應口供應之氣體之力，抑制第2液體LQ2之漏出、 殘留等之發生。 又，上述各實施形態中，雖係於投影光學系統PL之終 端光學元件12之射出側（像面側）光路充滿第2液體LQ2， 但亦可例如國際公開第2004/019128號小冊子之揭示，採 用將終端光學元件12之入射侧（物體面側）之光路亦以液體 加以充滿之投影光學系統。又，終端光學元件12之入射側 光路中所充滿之液體可以是與第2液體LQ2同種類之液 39 201102761 體、亦可以是不同種類之液體。 又’上述各實施形態之第1、第2液體LQ1、LQ2並不 限於水（純水），亦可以是使用例如氫氟醚（HFE)、.全氟化聚 醚（PFPE)、氟素潤滑油（fomblin 〇ii)等.。 又’作為上述實施形態之基板p，不僅是半導體元件製 造用之半導體晶圓，亦可以是顯示元件用之玻璃基板、薄 膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片 之原版（合成石英、矽晶圓）等。 曝光裝置EX，除了能適用於使光罩μ與基板P同步移 動來對光罩Μ之圖案進行掃描曝光的步進掃描方式之掃描 型曝光裝置（掃描步進機）以外，亦能適用於在使光簞Μ與 基板Ρ靜止之狀態下，使光罩Μ之圖案一次曝光，並使基 板Ρ依序步進移動的之步進重複方式的投影曝光裝置（步進 機）。 再者’於步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案 與基板Ρ大致靜止之狀態，使用投影光學系統將第丨圖案 之縮小像轉印至基板Ρ上後，在第2圖案與基板ρ大致静 止之狀態，使用投影光學系統將第2圖案之縮小像與第ι 圆案局部重疊而一次曝光至基板Ρ上（接合方式之一次曝光 裝置）。又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於基板ρ 上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板ρ依序移動 之步進接合（step & Stitch)方式之曝光裝置。 此外，本發明亦能適用於例如對應美國專利第66ιΐ3ΐ6 號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系統在基板上 201102761 加以合成，以一次掃描曝光使基板上之〖個照射區域大致 同時雙重曝光之曝光裝置等。此外，近接方式之曝光裝置、 反射鏡投影對準器（mirror pr〇jection aligner)等亦能適用本 發明。 又’曝光裝置EX亦可以是如美國專利第6341〇〇7號說 明書、美國專利第6208407號說明書、美國專利第6262796 號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝 光裝置。此種情形，可於各基板載台上、或以橫跨複數個 基板載台之方式形成液浸空間LS。 再者，曝光裝置EX亦可以是如美國專利第6897963號 說明書、美國專利申請公開第2007/ 0127006號說明書等 所揭之具備保持基板之基板載台、以及搭載了形成有基準 標記之基準構件及/或各種光電感測器、不保持曝光對象 基板之測量載台的曝光裝置。此外，曝光裝置Εχ亦可以是 具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。此種情形， 可於s十測載台上、或以橫跨基板載台與計測載台之方式形 成液浸空間LS。 曝光裝置EX之種類，並不限於將半導體元件圖案曝光 至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦能廣泛適用 於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，以及 用以製造薄膜磁頭、攝影元件（CCD)、微機器、MEMS、DNA 晶片、或用以製造標線片或光罩等之曝光裝置等。 上述各實施形態’雖係使用ArF準分子雷射來作為產 生曝光用光EL之光源，亦可如美國專利7〇2361〇號等所揭 201102761 示使用包含DFB半導體雷射或光纖雷射等固體雷射光 源、光纖放大器等之光放大部、以及波長轉換部等，輸出 波長193nm之脈衝光的高諧波產生裝置。此外，上述實施 形態中，前述各照明區域IR與投影區域pR雖分別為矩形， 但亦可以是例如圓弧形等其他形狀。 此外，上述實施形態，雖係使用在光透射性基板上形 成有既定遮光圖案（或相位圖案、減光圖案）之光透射型光 罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號 公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案 或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩（電子光罩、 主動光罩或影像產生器）。可變成形光罩，例如包含非發光 型影像顯示元件（空間光變調器）之一種之DMD(Digital Micro-mirror Device)等。又，亦可取代具有非發光型影像 顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示 凡件之圖案形成裝置。此場合，不需要照明系統。此處， 作為自發光型影像顯示元件，例如有CRT(Cath〇de Ray Tube)、無機 EL 顯示、有機 EL· 顯示器（〇LED : Organic Light Emitting Diode)、LED顯示器、lD顯示器、場發射顯示器 (FED : Field Emission Display)、電漿顯示器（pDp : piasma Display Panel)等。 上述各實施形態，雖係以具備投影光學系統pL之曝光 裝置為例作了説明，但不使用投影光學系統pL之曝光裝置 及曝光方法亦能適用本發明。此種不使用投影光學系統p]L 之If形時，曝光用光el亦係透過透鏡等光學構件照射於基 42 201102761 板p，於該等光學構件與基板p LS。 間之既定空間形成液浸空間 又’本發明亦能商 ^用於例如·國際公開第2001/ 035 168 號小冊子之揭示，藉山*甘1 错由在基板P上形成干涉條紋，據以在 基板p上曝光線與空間圖 園案（line & space pattern)的曝光裝 置（微影系統）。 如以上所述’本實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝 各種次系統（含各構成要素）’以能保持既定之機械精度、電 氣精度《予精度之方式所製造。為確保此等各種精度， 且裝⑴冑係、進行對各種^學系統進行用以達成光學精 度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調 整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各 種次系統至曝光農置Εχ之組裝製程，係包含機械連接、電 路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次 系統至曝光裝置ΕΧ之組裝製程前，係有各次系統個別之組 裝製程。當各種次系統至曝光裝置Εχ之組裝製程結束後， 即進行綜合調整，以確保曝光裝置£又整體之各種精度。此 外，曝光裝置ΕΧ之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管 理之潔淨室進行。 半導體元件等之微元件，如圖丨7所示，係經進行微元 件之功能、性能設計之步驟2〇丨，根據此設計步驟製作光罩 (才示線片）之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包 含依據上述實施形態進行基板處理（曝光處理，包含使用光 罩圖案以曝光用光使基板曝光之動作、以及使曝光後基板 43 201102761 顯影之動作）的基板処理步驟204，元件組裝步驟（包含切割 步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程）2〇5，以及檢査步 驟206等而製造。 * » 又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦 有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍内， 援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之 所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分 【圖式簡單說明】 圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構 成圖。 圖2係放大第1實施形態之曝光裝置之一部分的圖。 圖3係從上方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。 圖4係從下方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。 圖5係顯示第1實施形態之液浸構件之近旁的圖。 圖6係顯示比較例之液浸構件的示意圖。 圖7係顯示第1實施形態之液浸構件的示意圖。 圖8係顯示第2實施形態之液浸構件近旁的圖。 圖9係顯示第2實施形態之液浸構件近旁的圖。 圖10係顯示第3實施形態之液浸構件近旁的圖。 圖11係顯示第3實施形態之液浸構件近旁的圖。 圖12係顯示第3實施形態之液浸構件近旁的圖。 圖丨3係顯示第3實施形態之液浸構件近旁的圖。 圖14係顯示第4實施形態之液浸構件近旁的圖。 44 201102761 圖1 5係顯示第5實施形態之液浸構件近旁的圖。 圖1 6係從下方觀察第5實施形態之液浸構件的圖。 圖1 7係用以說明微元件之一製程例的流程圖。 【主要元件代表符號】 1 光罩載台 2 基板載台 3 干涉儀系統 4 液浸構件. 5 控制裝置 9、16 驅動系統 10 保持構件（鏡筒） 11 射出面 12 終端光學元件 13 基板保持部 14 第2平台 15 導引面 16A 可動子 16B 固定子 17 基板載台之上面 18 板片構件保持部 20 液浸構件之下面 21 第1面 22 第2面 45 201102761 22E1 第2面之内側邊緣 22E2 第2面之外側邊緣 21〜28第1〜8面 41 板片部 42 本體部 43 開口 45 本體部42之上面 51 第1供應口 52 第2供應口 60 回收部 61 回收口 62 凹部 64 多孔構件 70 供應流路 71 第1液體供應裝置 72 内部流路 72A 内部流路72之第1部分 72B 内部流路72之第2部分 72C 内部流路72之第3部分 73 流路 74 流入口 80 供應流路 81 第2液體供應裝置 82 内部流路 46 201102761 83 流路 90 回收流路 91 液體回收裝置 92 内部流路 93 流路 ΑΧ 光轴 EL 曝光用光 EX 曝光裝置 G1〜 G9 間隙 GS 第1供應口 51之尺寸 IL 照明系統 IR 照明區域 K 光路 LG 氣液界面 LQ 液體 LQ1 第1液體 LQ2 第2液體 LS 液浸空間 M 光罩 P 基板 PL 投影光學系統 PR 投影區域 T 板片構件 47