TW201102448A - Vapor deposition processing device and vapor deposition processing method - Google Patents

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201102448 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 如製置及獅嫩，祕在例 【先前技術】 之有 ί t (_咖 Lurainesce_ 線管等，且成乎不發熱，消耗電力小於陰極射 上優異等優點，液晶顯示器⑽）等有在視角 疊陽ί Ιΐίϊ最ίΐ的構造係三明治構造，在玻璃基板上重 將癸杏思.θ、叙光層及陰極（cathode)層而形成之。為 (todef ^ * IT〇 如以ϊΞΪΐ成 使封裝膜層成膜，藉此製造之。 置内進行。翻城 财理褒 之蒸錢處雜置及綠。’歐找雜EL轉時進行成膜 材料供給室用真空用 【f利文獻1】___891A1 n 【專利文獻2】曰本特.開2〇〇7_155〇〇5號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 征仏f上述專利文獻1記載之蒸織置切包知右仙』丨 望：機構内，有機材料係固形顆 =材料材料 物聰記載之蒸鎮裝置中，作為材料所:示；以 201102448 晶或是丸粒形狀供給。 壯右利文獻1、2所記載’藉由閘閥等開閉式閱供仏顆朽 ，機材料時’有機材料流動性高 粒 自材料供給機構朝材料蒸發室等供給有，可喊率地 顆2而機材料呈顆粒狀等，使用開閉式閥進行供给時，闽 上以ίΓΐΓ閉時間之長短等要因，於有機材料置入Ξ 會變動，而置入之有機材料顆粒大小昇華或溶解之速产 i材料1曰贫、速率上產生差異。且相較於例如呈粉末狀之= 巧點。另—方面，有機材料呈粉“，自低之 蒸發室等供給時，因呈粉太=目材科供給機構朝材料 ===:用配管等中，設:; -之速率料、溶解。 釋柯機糾磁率地以均 (解決課題之手段） 依本發明，提供一種蒸鑛處理穿 、 膜於基板，其特徵在於包含：材料供鑛之方式使薄膜成 可任意減壓；及成職置，㈣财供給材料氣體， 裝置包含：定量部，用以使材料定、及二二5 ’且該材料供給 過該定量部之材料氣化。 ’才料氣體產生部，使通 該定量部亦可包含：f興，σ 體’與該蓋體上表面對向而設I朝:=圓錐狀，·圓錐狀凹 量部亦可包含：材料置入機^度^直下斜度緩和。且該定 含使該様嶋定彻。且亦可;: 且於該材料供給裝置内，2 八獅顆粒狀材料之擾拌器之攪 201102448 ⑶料;既定長度之通 有於内部具有該加埶哭之密閉二^〜二=；：刊竹汁莘莖外面形成 液體。該材料昇華間’於該密閉空間内封入揮發性 ，·及昇筮u2有’材料分散板’藉由使材料穿透使其 ίί;=之?;ΪΓ:;定量‘ 有於内部結紅。_在該通路及該材料昇華室外面形成 分散；及昇華材斜絮八加狀议棺田沿 椹出。θ姑·u·+丨i二、XD ，；上表面具有突出部，由多孔陶瓷所 由對材料進 機構，固定於該轴端部拍献:=二二才阳^遇塔内；及材料分散 該通路及祕心’：置於雜料昇華板上表面附近。在此 構成。且該材料昇華官内出部’ 行加熱使其昇華ί 有：材料昇華板，藉由對材料進 播椹，轴可任意旋轉並穿職通路内； 該通;=;ί室内表面亦麵面。 部，使既定長度之通路連通該定量 器，對該通路通路及該材料溶解室具有加熱 高之溫度梯度。在^，5亥材料氣體產生部側溫度 通路解室内表面亦崎發性液體。該 系；及基板i待:處理腔室’連通外部之真空 i:rir 之以==== H任意開閉之閥的流出用流路 料置人機構亦可由下列者構成：材料導人邱，可道4 S空及將經導入之材=該= 該材料導入部柯具有以入部經由閘閥連接。 氛導入該定量部及該材料^體產生^。、.。且作為載持氣It將 薄膜成2基明可提供—種材料供給裝置，對使 成躁裝置供給材料氣體，其特徵在於包含 201102448 ==_量；_氣組部，___ 該定量部包含··蓋體，呈朝 ίϊί體上表面對向設置；及旋_構，使、4^^?四面體， 入且该定量部包含：材料置人機構，經抽直1凹面體相 入忒疋夏部；及昇降機構，任魚 ”二，將材料置 隙。 ， 〜更a盍體與該凹面體之間之間 材料供給裝置亦可財健定量部騎却’ 機構。且具有攪拌顆粒狀材料之攪拌附近振動 該定量部上方。 仵°°之攪拌部亦可設於 «玄材料氣體產生部亦可係經由既定長声 和使材料昇華之材料昇華 連通該定量 高之溫度梯度，該材料昇華室内亦可材^體產生部側溫度 材料穿透使其分散；及昇華材料蒸發ς，於’藉由使 ，多孔陶曼所構成。且該材料昇華室内亦可^面出部’ 藉由對材料進行加熱使其昇華 2 #材料昇華板’ 及材料分散機構，固饮該軸端部並配置通路内； 附近。在此該通路及該材料昇華室内表 表面 且該材料氣體產生部亦可係經由 i力為粗铋面。 部，使材料溶解之材料溶解室，該通路及定量 =溫度梯度。在此該通路及該材赌解室内. —且自又一觀點而言依本發明可提供_種墓铲虛琿方味 瘵鍍之方式使薄膜成膜於基板，其ϋ ^错由 藉由使經粉碎之婦料昇㈣溶解^錄制粉碎， 基板。在此使粉狀材料粒狀化以製作顆粒狀之 (發明之效果） 201102448 、、“，本發ΐ ’可提供—種蒸鑛處理裝置，可高效率地使保持宫 Ϊ華、；^態=機材料昇華、賴。藉由高效率地使有機材ί •^_n4u烕艇後用以使下一基板成膜之待命時間等。且藉由谪日丰估 i#rr ：r ^ 枝m鱗，故謂得均—之蒸發速率。 【實施方式】 式中關於本發明實施形態。又，本說明書及圖 符號省略重一功能構成之構成要素，藉由賦予同一 成膜ϋΐΐίίί依本發明實郷態之蒸麟理裝置1之各種 二ίί ίΐ )層1〇成膜於上表面之基板G。基板G由例 且陽，1〇 由1Τ〇(ΐ:= 鍍法等形成於基板G上表面。又陽極層i〇係藉由例如藏 發—、^ ί 子： 層10之露出邻。Ml 七光曰11及陰極層12周圍，盥陽極 製造之有购嫩件工 8 201102448 树（卿、光料），除狀外，尚可用 圖^系依本實施形態之蒸鑛處理裝置i之概略性說明圖 通节於洛鍍處理裝置中，為蒸鐘例如電洞輸送層、非發光声 ί2層）、藍發光層、紅發光層、綠發光層、電子輸送層i複ί 有=丄雖會準備複數崎絲G㉞有機 形態中係參糊式例示以蒸鋪為1個之情形^於 圖^所示之蒸錢處理裝置i包含：成膜裝置… ί 裝置3g ’對成縣置15供給成膜 固持宮？、1、π枚又有用以進行成膜處理之處理腔室20及基板 室=腔室20與基板固持室21設置有蒸鑛頭/ 室20下方，基板固持室21内部中，設 23在此3又置洛鑛頭22 ’俾蒸_ 22之材料氣體嗜屮 =口 ΐ；； ^ ° 2〇 真空泵26，於成膜時抽真空。 連通 生部給ΐ置3〇由控制部3〇a、供給部30b、材料氣體產 Ϊ 22^0^ 22 ^ ^ 鐘頭22之材料氣體之闕33 $ 無導入蒸 35之材料退避通路34。且f ；；泵26亚可任意開閉之閥 有可任意，之閥37之流出、mY。，設有連通真空泵26，具 射之窗反固持室21兩側部設有使光線透 光線透射此等窗39a，藉^例如^有 =裝錢，可使 等方法調查_ 22 __體=认^光法（_ 201102448 3，2 德議谢圖之圖 置30由控制部3〇供之構成。如圖3所示，材料供給裝 制部30a郎仏部3〇b、= 3〇b與材料氣體產生部30c構成，控 置入機構40，將顆位狀機材料，例如負载鎖定式之材料 器之檀拌^粒=^斗自材料置入編〇導入具錢拌 狀空間，於攪拌,㈣旧下却所不，授拌部42係愈往下愈窄之圓錐 撥拌写訂卩設有有機材料會落下之落下孔43。且 結設糊供^之置方央。在此，婦器㈣ 帶輪祝。且在於轉筒44上部設有 •⑽綱由旋轉 之間，旋韓摟椹μ展開述帶輪45a與帶輪45b 拌部42内旋轉。又，^拌哭41= 達至旋轉筒44，授拌器41於攪 七“麟1中，於旋轉筒44外周以垂直之方 ，有複數個複數之攪拌用棒狀體48 ‘垂= 轉可以各棒狀體48攪拌置入半部42之有機=授拌⑽之旋 且於繼半部42兩側部安裝有加熱器52，可控制产牲心9々 =^且^掉部42藉由彈性密封材3%相對於^料^裝置30 ^ (控制部30a)而密封，授拌部42内部藉由 °、 猎由氣體導入器57導入例如氬等載持氣體。一泵55抽真工， 宾社!!=1423，設有上方凸出之圓錐形蓋體60，俾自下方 ^住洛下孔43。盍體60由設於蓋體6〇上部之軸61 藉由結合構件61,由上下2個軸618與61b摄点，、車1 安裝有例如旋轉用馬達等旋轉機構62Γ軸 上部 ，所撒碰㈣咖轉。 ^幾構65，昇降機構65使包含旋轉機構 持之蓋體60之控制部30a昇降。在此，M你盆u曰=釉bl所支 降之昇降距離，可伴隨該昇降使控制部咖昇 控制部30a之例如測微計等測定器66測定之 .精由女展於 於蓋體60上部附近設有與蓋體60上表面對向設置之圓雜形 10 201102448 凹面體63，因蓋Rn > θ ^ 間隙部64寬度會變H戸降’於蓋體60與凹面體63之間產生之 度之變化。又，^亦即’可藉由測定器66測定間隙部64寬 體63構成，下η’作為定量部70說明由此蓋體6Q與凹面 部64之寬度^化之部機構及料機構旋轉、騎，使間隙 有機方^有倒圓錐形空間71，於空間71下部設有 為載持氣體導人例如^通!「。氣體導入器57連通空間71'，作 路72兩側部具有加由壓力計73測定該塵力。且於落下通 72賦予定量部7〇側溫；制溫度。在此’宜對落下通路 梯度。 咖'又氏’材料氣體產生部30c側溫度高之溫度 材料3〇gh連通材料氣體產生部3〇c。在此， 部30c經液化或是^具+有加熱器52 ’有機材料於材料氣體產生 路，為避免於材料氣體產=通，72 ί用以使有機材料落下之通 落下通路72之長产〇C經乳化之有機材料氣體逆流， ，度。 X為有機材料氣體大致不逆流之既定以上的長 機材化歧統。在此，有 華材與溶解材之蒸發_ 1 等$解材，但昇 使用昇華材時與使用溶艋 丈材科乳體產生部3〇c之構造於 在此，參照圖4說_:大幅不同才能高效率地進行蒸發。 昇華材於有機材料時所使用⑤體產生部3〇c設有使用 說明關於作為材料材容㈣之情形。且參照圖5 所使用之溶解材容H 9GH e紗使用轉材於有機材料時 機材㈣W材時，使有 圖4所示，於昇華材容器80 概略性剖面圖。如 下通路72之出口，且於ϋ連通材料供給裝置30之落 材料導入通道31。且於昇華:容器8二=:==

II 201102448 料分散板δΐ ’於其下方較材料導入通道31上方，設有例如多孔陶 究所構成之材料蒸發板82。在此，材料蒸發板從呈於上表面 ifi大，相較於通常之平板形狀表面積大心， if It 料導入通道3卜如上述所述分別在兩側部設置 Ϊ ί 於/華材容器8〇上表面部及兩側部亦設置有加孰 二1在_.1 ^朗内使其均熱則更理想。 3〇 ^Γ7?；Ϊ! 内之_2之材料導入糊。了二; 通路心明近材料導人通道3U；^解部落下 過孔91之雜板92。在此，分^㈣數處氣體通 溶解材容器90内部空如圖5所不’未完全分隔 ，未到達下 ^此，經液化之有機材料所構成 刀隔之構 ’基住氣體通過孔9卜材料導入通道31之旦。二Θ ^致為不 孔91設於較溶解材β液面更上# ^ 氣體通過 90 ： 1參照圖2及圖3所說明之蒸鑛處理裝置 心== 狀’=鍍法使有機層成：： 部42藉域置人—部42。在此4半 ，導入氬之狀態。工藉\=鈦構呈5= 體】入部⑺料载持 攪拌置入攪拌部42之顆構50而旋轉之攪拌器41均— 置於側部之加熱器52 =料。=夺於攪拌部42，藉由設 抽真空，故可去除水分等有機部42進行 12 201102448 人，經攪拌之顆粒狀有機材料自落下孔43朝定量部70之 ^ 與凹面體63之間之間隙部64落下。在此，間隙部64之 狀有機材料之直徑。且蓋體6〇由軸61自上部支持， 車顏^讀機構62補，故蓋體6Q亦囉賴轉。因此可以使 於間隙部64使落下至間隙部64之顆綠有機材 ^ ί碎成財狀。在此，因蓋體6G旋轉產生之周速於 朝外侧—粉碎讀末狀有機材料會沿蓋體60上表面逐漸 且伴ϋ其會落下至設於定量部7〇下方之空間71。 藉由測升降機構65使軸61昇降，蓋體6〇亦會昇降。 可隨蓋體°6°G - (Γ測定關於此昇降距離。因此，間隙部64之寬度 3 :面：意變更’間隙部64之寬度可藉_器^ 擾拌部42，但亦域減體將氬自氣料人^ 57導入 粉末狀有機材料、^ 7丨將載持氣體導人定量部7G及空間7卜 要因71餅氣體之壓力差作為- 隙部64之&將 =幾$料自材料置入機構40置入時，可藉由間 力差3個要因‘自 旋轉速度、攪拌部42與空間71之屋 述3個要f 2 f部42朝空間71有機材料之落下量。1 制，故可定ΐί 、旋轉機構5G、氣體導入器57控 量。又，藉由使^鶴所希望的 攪拌部42與空間7142 /、工間71之载持氣體壓力相等， ^ 50 65 材料氣體產生部3〇c。 4疋里可更間便地將有機材料導 下通路72粉末狀有機材料自空間71通過落 部30c p张道导材枓氣體產生部30c。在此，鉍^心各 造參照圖'及众5之昇華材或係溶解材構造不ϊ 有機材料係昇及係溶解材之情形。 叫，使用圖4所示之昇華材容器80。自落 13 201102448 下通路72落下至昇華材容器δ 網格狀之材料分散板81而分丑末狀有機材料因通過例如為 構成之材料蒸發板82上表面—其會堆積於例如多孔陶瓷所 有機材料（昇華材）昇華點 '斗療發板82因加熱器保持高於 材料會昇華而成為材料氣體。^ 士堆積於材料蒸發板82之有機 產生之材料氣體自材料導人^’可大量產生材料氣體。 流入昇華材容器8Q之載持氣f 31〜出，俾推擠自、落下通路72 作為材料蒸發板82之形肤，3 :料進行力姻吏其昇華之W二=之粉i狀有 上表面具有複數突起部82， 1」^如圖6所不’宜呈於 質’係可均等地對堆積/°作為材料蒸發板82之材 之材質:可，已浙=¾材料進行加熱’具有均熱性 器卯。自落下iiHf nnt使用圖5所示之溶解材容 ^材容㈣蝴祕高絲錢材料因 2處氣體通過孔91。阳 下。卩無分隔部分，於上部設有 液化有機材料B因安裝於溶解好六哭Ωη 受到加熱，故於溶解材 、^态90之加熱器52而經常 材料氣體。又，.載内乳化’於溶解材容器90内充滿 料氣體自設於溶赌容㈣’故材 分之材料導入通道H出卯與3又有洛下通路72之部分對向之部 是溶材，氣化之材料氣體自昇華材容器80或 又，如圖2 ^示，伽料/1體產生部3〇C流出材料導入通道31。 22，故問π門私*材料"入通道31連通處理腔室20内之蒸鍍頭 裝有加敎哭&材料氣體導人蒸魏22内。蒸_ 22'中安 —52於讀頭22内部不析出材料氣體，而自蒸錢頭 14 201102448 22對基板g喷出材料氣體。 331 ^ Μ ^ ^ 時於材料氣體導入通道31會殘留 辦、、^碩22。此時，有 31可具有閥35，設置連通真二二^’故於材*導入通道 空J 26抽吸、回收材料氣體。i於蒸鑛頭34，藉由真 之流出用流路36，以在成麟束時抽^二=空泵26 内之材料氣體，對蒸_ 22口；^留^鍍頭22

通路34及流出用流路36殘留於材料$由此^材料退避 之，料氣歡讀时，進行成默魏^^^22内 之成膜環境可均-，對複數基板G進行均_|夺，各基板G 之麗 以:7。導入之載持氣體量或“溫度 有機 ====且對基板g嗔出材=: 亦可經常均-地使基板Gi^。 目同之條件下進行成膜， 村料，且可順暢地連續進行置入。 確疋里材枓置场之 實施S限二，但本發明不受上述 專利範圍所記載之構想料内所可㈣之請 15 201102448 备然亦屬於本發明之技術性範圍。 電子ί件於處理進行細、表面處理等所^之各種 之有昇==崎置_ 此。以下參照圖7及圖8說關於採取曰= 要素則賦予同一符號，藉此省略其說明。刀把構成之構成 ^ #. ^Tst^^iTJT,72 ™9" 材料昇華板98之加敎^昇華板98。藉由安裝於 —體97其剖面為三角;l 板⑽進行加溫。材料均 板98上表面夾—隔著適當間‘互平行。句—體97底面與材料昇華 轉而旋轉= 體6〇因旋轉機構62運 !；r 94 ZZiVlZtZVr：m 氣體流動，曰自材料供給裝置“载持 由旋轉之材料散布體96廣^^華材之粉末狀有機材料藉 在材料昇華板9δ上的粉卵上。又，堆積 —地在材料昇華板98上擴散。又幾材^才料均-體97旋轉而均 溫之材料昇華板98上受彳 ^地擴散的有機材料在經加 '料氣體)與上述實施形態=自二導^:有機材 16 201102448 士於上述實施形態中，雖已說明於材料氣體產生部％ 材谷裔80、80、溶解材容器90)上表面及側面與落下通路72 側面設置有加熱器52之要旨，但該加熱^ 52宜設置於所設 密閉空間内’俾包覆例如材料氣體產生部3〇c及落下通路W外面 ^面。在此’以下參照圖9說明關於包覆材料氣體產生 落下通路72外面之密閉空Γ曰 1100之構成。又，於以下說日== 作為材料氣體產生部3Gc例示以昇華材容器8Q而說明之卞 係其他構成（溶解材容器9G或昇華材容 益80 4構成）時當然亦可於其外面設置密閉空間1〇〇。 圖9係顯示在圖4所示之昇華材容器8〇與連 ft洛下通ί72外面形成有密閉空間⑽之情形之^圖3 圖9所不於汁華材容器8〇外面全面（侧面、上表自、底面）及落 下通路72之侧面分別設有密閉空間1〇〇 I : 於昇華材容器_面、上表面、底面，亦可

g液體L ’且配置加熱器52俾浸潰於液體L中。液體/ U 或奈等於既定溫度下氣化者。且液體L封人量非多到充 主；始、閉空間100内’而大致儲存於密^ ，液體L中之狀態配置之加熱器52具有:致^^圍^ 體^加熱之大小、長度，其大小、ί度可適當^。圍的液 於密閉空間100中，儲存在密閉* 疋（ 2:错此對額空間⑽整體進行加熱。亦即，3= 為所微熱官之構成、作_理。此時，賴 之蒸氣因與其内部侧面熱交換而冷卻=

不在閉空間100内液體L重複蒸發鱼 W I ΐΖ^F" till ^ 100 17 201102448 Ιΐ溝^洲發杨管絲之雜，亦可㈣加Μ例如網格 圖9所示構成為具有密閉空間1〇〇之昇 料昇華時，密閉空間⑽内液體加麵:^ 80令，於材 密閉空間内充滿溫度大致-定之蒸蒸氣， 包覆之昇華材容器8()外面分別藉tit 熱而受到均熱、加熱之落下通路72内=/昇=面;^^射 亦即，藉由控:加二 ίϊί内通路72之有機材料溫度，及在1華 與落下又通======

Ts^7^：t!：2 之構成 考慮為如加熱1152設於密閉空間 νίΐϊΐ施形態中，雖已說明關於蒸鑛頭為1個的情形， 置，、，為蒸細°電洞輸送層、非=(電 有機二可^複數曰之^光;?為綠發光層、電子輸送層等複數 於因應此等複數基機材料氣體之蒸锻頭。關 的蒸鍍處理裝置^亦屬於I發^^月設置複數材料供給部時 態中，亦可考慮於&°_部42或空間71 構。藉此’顆粒狀錄末狀有機材料 置雖已舉祕又’作為設錄誠構之位 料可能堆積、滯只要%有機材 田〜ulixt、涤緞處理裝置i内何處皆可設置。 18 201102448 係粗=量 72内表面而會落下有拽材科不會附著於空間或落下通路 且於上述實施形態中，雖 剌朝上凸出之圓錐形ίΐί:，要素之-之 Ft段傾斜度的朝上凸出之圓錐#彡_ =狀亦可為具 度之圓錐形之蓋體6〇，之側 囷〇係為具有2階段傾斜 為朝上凸出的圓錐形，其所示，蓋諸 緩之緩斜面101a(上側面）盘^邻持说續上部斜度平 而形成。亦即，比較緩斜二 ，5緩斜面l〇la之斜度較急斜面之之斜度時’相對 f急斜面H)lb之交界1G3係側面1 且，面HUa 5 ma與急斜面咖之具f τ =位£以及緩斜 有機材料量為既定量。 卩了俾以疋1部70所定量之 上述實施形態中，雖已說明利用蕞 高而使有機材料粉末朝空間71落下—匕卜周部車交内周部周速 有機材料不-定會高效率地完全 二^依蓋體60之斜度 ^面（側面）。且蒸鍍處_置丨之運於蓋體60上 二，料隨時間經過殘留、堆積於蓋體6()間時， 運轉初期之蒸鍍處理裝置與長時間運 ^面(側面），亦有 部7〇内有機材料之落下效率不同之虞。錢處理裝置中定量 在此’圖10所示之變形例作為如此有機 =0上表面（侧面）時之對應策有效。何隹積於盍 里4 7G藉蛾蓋n 6〇為财2 j W所不於定 〇，可減少殘留於蓋體60，側® 101、之$ f之圓錐形蓋體 體63與蓋體60,之間隙部64朝空間7有^料，使通過凹面 ，由使緩斜面101a與急斜面腿之斜^之$材料量穩定。 ^面l〇la與急斜面馳之具體斜度分⑽之位置、 。於定量部⑽細叫= 19 201102448 間71落下。 圖11係分別就於定量部70設置呈朝上 60時，與設置具有2階段傾斜度並朝上凸形之蓋體 而言，顯示於定量部70穩定供給有機材料既旦形蓋體60，時 開始之經過時間與材料來自定量部7〇之 ^里時，自材料供給 圖11之曲線圖經測定之條件下，如斛1彳/、，量之曲線圖。於 階段傾斜度之蓋體60,於定量部7〇時^ 置具有2 過成正比增加（亦即，不依時間經過以旦給置隨時間經 ^之圓錐形之蓋體6Q於定量部7()時，供給 °旦)’設置呈通 減少。吾人認為此係因有機材料、雄^ 4赠時間經過 蓋體60上表面（側面）。又，圖=示之通常之圓錐形之 同’故宜對應定量有機材料時之條件員或定量條件等不 階段傾斜度並朝上凸二二日月之^ft已例示以具有2 限於此。在此，於圖12顯 5 但盍體60之形狀不 關於該形狀。 …、— ，、他變形例，於以下說明 圖12係顯示蓋體6〇變形 # (a)所示，亦可僅去& 圖。盍體60之形狀如圖12 於圓錐部KM下方圓雜形的一部分（周緣部）， 所示，亦可於朝上凸出之:5。且盍體6G之形狀如圖12⑻ 周緣方向伸長之縱向溝1〇6j’ y、則面101設置自圓錐形t心朝 60側面101實施喷砂處理。又、:五=2 (c)所示，亦可於蓋體 具有2階段傾斜度之蓋 σ人*然亦可想到上述圖1 〇所示 斜面黯與急斜面咖其t任者置及縱雔向^傷峰之顧，或於缓 使用圖12 (a)辦-丄任者及雙方貫施喷砂處理。 60時，可實現減少殘留^蓋=^=柱部】05構成之蓋體 效率。且使用圖12 、^60之有機材料，並提升材料之落下 由變更縱向溝⑽數旦、置縱向溝觸之蓋體60時，可藉 料，保證有機材料落二，於蓋體60定量所希望的有機材 洛下的“疋性。且使用& 12(c)所示於側面 20 201102448 1〇1>貝施嗔今、處理之盍體時，因於側面仙已 高效率地傳達至蓋^ 式二構雖：==¾方 ，料f入機構40由下列者構成：材料導入部Γ用 =3所 =裝置30内。材料導入部120配置於材料材料 η 與材料置入路125經由閘閥⑽連ϊ 材 120構成為可密封，於材解入部12〇設有排氣口H導入部 通排氣口 121，未圖示之真空泵運轉，材料導人部=由連 導空間 =由 平之古動機構運轉而旋轉；及複數之擾拌棒1仙，2 及由於精製機構14◦經精製之材料‘之導其1:' 構對導入精製機 料朁Λ泌讲μ …、人關於加熱益之設置、配罟， , 40 看’於其他部分亦宜設置加熱器。/ 加‘、、、、均熱之觀點來 21 201102448 依如以上圖13所示構成之材料 =、’首先，_導人部⑽在_ f3Q 料供給裝置 自導入口 133將（有機）材料導 = 大氣開放， :熱又：ί，4°中藉由 接著，藉由自排氣口 121排翕對 空。在此，材料供給裝置3〇處於運轉中蚌H卩120内進行抽真 給震置30内部，亦即授拌部42呈Ϊίί之:，3所示材料供 真空度（内廢）需大致相同，故 材枓置入路125内的 與材料供給妓3_空度蝴；部呦魏，俾呈 材料導入部12。内經排氣後間閥。 經精製之材料通過導管150自材料&通精製機構⑽ 二30之授拌部42。又，材料 & 〇 =料供給装、 材料導入部12。再次大氣開放，:'製;= 並將;圖;3二之材^ ^ 轉t之材料供給ή6 此於不對在抽真空之狀態下運 新的材料導入材餘_二，===情形下可將 料精i:⑶以:==機構之材 _部42内部等宜設置精虽製機;^述貫施形射圖示，但例如於 述實種亦不限於上述實施形態。例如於上 拌，但不限;ί此猎由具有棒狀體之旋轉軸旋轉而進行攪 (產業上利用t) 旋轉軸安裝羽毛狀的平板。 本發明可_於例如製造錢EL元件咖於使發光層成膜之 22 201102448 蒸锻處理裝置及綠處理方法。 【圖式簡單說明】 圖2 機EL元件A之製程說明圖。 Ξ之概略性說明圖。 =係材·給之放大圖。 昇料容㈣之概略性剖面圖。 Ξ ti解材容1190之概略性剖面=。 圖6係材料蒸發板82之概略圖。 研 =::95:=:。 圖。圆係具有2階段傾斜度’呈圓錐形之蓋體6〇，之側視放大 曲線^ U係顯不自材料供給開始之經過時間與材料累積供給量之 H'a): (c)係顯示蓋體60變形例之側視圖。 -係顯示材料置入機構40構成一例之說明圖。 a 【主要元件符號說明】 A 有機EL元件 液化有機材料（溶解材） 基板 揮發性液體 蒸鍍處理裝置 10...陽極（anode)層 U.··發光層（有機層） 12. ·.陰極（cath〇de)層 13. .·封裝臈層 23 201102448 15.. .成膜裝置 20.. .處理腔室 21.. .基板固持室 22.. .蒸鍍頭 23.. .固持台 25.. .排氣管 26.. .真空泵 30.. .材料供給裝置 30a...控制部 30b...供給部 30c...材料氣體產生部 31.. .材料導入通道 33、35、37...閥 34.. .材料退避通路 36.. .流出用流路 38.. .蒸氣量測定裝置（蒸氣量測定器） 39a...窗 39b...彈性密封材 40.. .材料置入機構 41.. .攪拌器 42.. .攪拌部 43.. .落下孔 44.. .旋轉筒 45a、45b...帶輪 46.. .旋轉軸 47.. .皮帶 48.. .棒狀體 50.. .旋轉機構 51…旋轉傳達部 52.. .加熱器 24 201102448 55.. .真空装 57.. .氣體導入器 60、 60’ ...蓋體 61、 61a、61b...軸 61’ ...結合構件 62.. .旋轉機構 63.. .凹面體 64.. .間隙部 65.. .昇降機構 66.. .測定器 70.. .定量部 71.. .空間 72.. .落下通路 73.. .壓力計 80、80’ ...昇華材容器 81.. .材料分散板 82.. .材料蒸發板 82’ ...突起部 90.. .溶解材容器 91.. .氣體通過孔 92.. .分隔板 94. ·.轴 95.. .材料分散機構 96.. .材料散布體 97.. .材料均一體 97a...旋轉轴 98.. .材料昇華板 100.. .密閉空間 101.. .侧面（傾斜面） 101a...緩斜面 25 201102448 101b. ..急斜面 103.. .交界 104.. .圓錐部 105.. .圓柱部 106.. .縱向溝 120.. .材料導入部 121.. .排氣口 125.. .材料置入路 130.. .閘閥 132.. .空間 133.. .導入口 140.. .精製機構 142·. .加熱器 145.. .攪拌機構 147.. .旋轉軸 149.. .攪拌棒 150.. .導管

Claims (1)

1. 201102448 七、申請專利範圍·· 特徵1 在:S鍍處理裝置’以蒸鍍之方式使薄膜成膜於基板’其 錢’用以供給材料氣體’可任意減壓；及 成膜裝置，使薄膜成膜於該基板； 且該材料供給裝置包含： 定量部，用以使材料定量；及 材料氣體產生部，使通過該定量部之材料氣化。 2.如申請專利範圍第1項之蒸鍍處理裝置， 其中，該定量部 包含： 盍體，呈朝上凸出之圓錐狀； 圓錐狀凹面體’與該蓋體上表面對向而設置.及 ㈣機構’使該蓋體及該凹面體相對旋轉。 3.如申清專利範圍第2項之基梦卢 面由傾斜度相對不同的上側面卿’其中，該蓋體側 較該下側面傾斜度緩和。^ 1面所構成，該上侧面傾斜度 包含 部 如申請專利範圍第2項之蒸鱗理裝置，射，該定量 ‘ Hi機構，經抽真空，將材料置入财量部·及 痛，可任意變更該蓋體與該凹面體:Si:。 5. 如申請專利範圍第丨 定量部及财量_近_之絲、=裝置’射，包含使該 6. 如申請專利翻第丨項之 供給裝肋，在該定量部的裝置’射，於該材料 攪拌器的攪拌部。 ° 又有匕3用來攪拌顆粒狀材料之 27 201102448 7. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍處理裝置，其 ，產生部係為經由既定長度之通路連通於該定 丨‘;斗, ===室；該通路及該材料昇華室具有加熱器； 量部継度較低、喊騎料氣财生部侧溫度較高 8. 如申請專利範圍第7項之蒸鍍處理裝置，i 及該材料昇華室外面形成有於内部具有該加熱i 該密閉空_封人揮發性液體。 之㈣工間’於 華室請專職M 7狀銶纽較，射，該材料昇 材料分散板，藉由使材料穿透而令其分散；及 成。昇特料蒸發部，在上表面具有突出部，而由多孔喊所構 華室請專利範圍第7項之蒸鑛處理裝置，其中，該材料昇 材料昇華板，藉由對材料進行加熱使其昇華； 軸’可任意旋轉並穿過該通路内；及 上表散機構’固定於雜的端部並配置於該材料昇華板的 體產概圍第1項之驗處縣置，其巾，該材料氣 Si材定長度之通路連通賤定量部，並使材料溶 ;麵驗鋪前駿具有減器；對該通路 在叙1糊溫度較低、而在該材料氣體產生部側溫度較高 28 201102448 之溫度梯度。 13.如申請專利範圍第12 及該材料溶解室的外面，來由、^瘵鍍處理裝置，其中在該通路 間，於該賴空間内封人揮内部具有該加熱器之密閉空 14.如申請專利範圍第12 及該材料鑛卽表面鍊㈣、。讀處理裝置，其巾，該通路 置，其中，該成膜裝 置係1 由5下如二專：成圍第1項之蒸鍍㉞ 處理腔室，連通於外部之真空泵；及 基板固持室，用以固持基板； 體二導順賴於該材料氣 16.如申請專利範圍第15 設有連通於料真妓麟材任意_^^^?鐘頭 17·如申睛專利範圍第4項蒸 入機構由下列部分構成·· ⑽處理農置，其中，該材料置 材料導入部，可導入材料並抽真空；及 空；材料置人部，可將經導人之材料置人該材料供給裝置並抽真 且該材料導人部與騎料置人部經㈣閥連接。 導入蒸物•其中，該材料 e 29 201102448 19.如申％專利範g第1項之蒸鐵處理 部及該材料氣體產生部導人氬氣轉為载持氣體Γ巾’於該定量 給材之成膜裝置供 定量部，用以使材料定量；及 材料氣體產生部’使通過該定量部之材料氣化。 却上如申請專利範圍第20項之材料供給裝置，其中，該定量 蓋體，呈朝上凸出之圓錐狀； 圓錐狀凹面體，與該蓋體上表 旋轉機構，使該蓋體及該凹及 部包$如”翻翻f 2()奴侧供钱置，其巾，該定量 材料置入機構，經抽真空，將材 旦 昇降機構，可任意變更該蓋體與1 23. 如申請專利範圍第2〇項之 該定量部及較量部附近_之彳_^'·5置’射，具有使 24. 如申請專利範圍第2〇項 量部上綠枕含岐娜麵_於該定 氣體崎ϊ，λ巾，該材料 華之材料再華室；該通路及“ 量部’並使材料昇 賦予在該定量部側溫度較低、品爭至具有加熱器；對該通路 之溫度梯度。 _ 在該材料氣體產生部側溫度較高 .201102448 26.如申請專利範圍第25 昇華室内言失有： 、才料供給裝置，其中，該材料 散板’藉由使材料穿透 ㈣料蒸發部，於上表面具有突^由多孔陶細成。 昇華2室7内=咖娜25奴難峨，料，該材料 2料昇華板，藉由對材料進行加熱使立 軸，可任意旋轉並穿過該通路内；、， 材料分散機構，固定於該軸端廿 面附近。 卩並配置於該材料昇華板上表 28.如申請專利範圍第25 及該材料昇華如表_顧面。糾供給裝置’其中，該通路 氣體料供給裝置，其中，該材料 之材料溶解室；’並使材料溶解 iiii 較低、而錢材贼财生部娜度較高之 及請專利翻第29奴材料供給裝置，其巾，該通路 及该材料〉谷解室内表面係粗糙面。 其特H.祕處理紐’藉岭敗方式使触顏於基板， 使顆粒狀之材料粉碎， 藉由使經粉碎之該材料昇華或溶解而令其氣化， 使用經氣化之材料氣體使薄臈成膜於基^反。 201102448 32.如申請專利範圍第31項之蒸鍍處理方法，其中，該顆粒 狀之材料係使粉狀材料粒狀化而製成。 八、圖式： 32