TW201037032A - Blue ray sensitive polymer engineering storage type material and producing method thereof - Google Patents

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Jeng-Fu Chen
Jang-Jyi Jiang
Ren-Jie Chiou
Yu-Hsien Lin
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Univ Chung Yuan Christian
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation

Description

201037032 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種藍光敏感性高分子工學儲存型材及其製 造方法,尤指一種適合量產及實際應用之PMMA感光性^ 全像儲存材料及其製造方法。 【先前技術】 全像攝影發展至今已有六十多年歷史,在實用上有幾個應 用領域較為成熟’即全像赫、全軒涉術、全像光學元件及 ❹ 訊上的應用。由於全像儲存材料的改良有助於全像片的發 展,更可提高全像光學元件的效率,所以此方面的研究,將是 今後發展的重要課題之一。 目前全像儲存材料包括有··鹵化銀照相材料、重鉻酸明 膝光阻劑、光導熱塑片、光折變晶體及感光高分子材料,其 中用於製作全像片之鹵化銀材料的粒徑小於卿,它不僅吸 光也散射光’雖然這種散射光干擾通常不重要,但對需求高 〇 Λ之i像>;會造成影像對比的降低。且若需財反光晕塗層 之底作反射式全像片時,必彡貞事先於暗室以適當之溶劑(如酒 )之除去而重路酸明谬(dichromated gelatin, DOG)不易製 成相位王像片且必須防止濕氣故尚未能如齒化銀材料的全面 "身又全像片上常用的正性及負性光阻劑可以記錄所需的 干"條紋’再藉由顯影過程來產生表面起伏圖樣之母片,再對 b»己載有王像訊息的母片作電鑄,最後以此電鑄好之金屬模來 201037032 壓举債格相當低廉的熱塑材料,使其具有全像訊息。而光導熱 塑片(Motoconductor thermo-plastic films)初期成本(底片及設 備)高是其最大的缺點,另外熱塑材料對低頻的反應不佳,使 其解析能力限制於某一範圍之内,底片面積小且無法存檔備查 (因需重複使用)’皆使得光導熱塑片無法如傳統卣化銀底片那 麼普及。至於光折變晶體(Photorefractive Crystals)如LiNb03、 BaTi〇3等不易量產,成本非常昂貴。 而感光高分子材料具有良好的折射率變化及感光度,成本 非常便宜’唯至目前仍難以量產與實際應用。雖然之前於1998 年加州理工學院的D. Psaltis教授的研究團隊,提出發表了一 種掺入感光分子PQ的PMMA感光高分子材料,來做全像儲 存的材料。一直到最近則有研究摻雜ΖηΜΑ與PQ的PMMA 感光1¾分子塊材’以提rfj光敏感度。 唯使用光聚合啟始劑PQ (9,10-phenanthrenequinone)粉 末、熱聚合啟始劑AIBN (Azobisisobutyronitrile)粉末以及MMA (Methyl methacrylate)液體製作PQ/PMMA全像儲存材料,pq 在製作時或PQ/PMMA建光栅前後都不能曝光,一旦曝光則 PQ就會迅速發生明顯的光化學反應,以致PQ/PMMA不容易 量產與實際應用。 【發明内容】 本發明之目的即在提供一種藍光敏感性高分子工學儲存 型材及其製造方法’主要以AQ與AIBN摻入MMA製成固 201037032 體狀感光性高分子AQ/PMMA,達到80%繞射效率,且AQ 化學結構穩定性高,適合量產及實際應用。 為達上揭目的,本發明藍光敏感性高分子工學儲存型 材’包含有曱基丙稀酸甲S旨液悲早體(Methyl methacrylate ; MMA)、熱聚合啟始劑及光聚合啟始劑,上述熱聚合啟始劑 為偶氮雙異丁腈(Azobisisobutyronitrile ; AIBN),上述甲基 丙烯酸甲酯液態單體與熱聚合啟始劑混合構成高分子聚合物 PMMA主體;上述光聚合啟始劑為乙烷萘醌 ❹ (AcenaPhthenequinone ; AQ) ’係混合分佈於高分子聚合物 主體’以共同構成固體狀感光性高分子工學儲存型材。 又’本發明種藍光敏感性高分子工學儲存型材製造方 法’係將粉末狀熱聚合啟始劑偶氮雙異丁腈 (Azobisisobutyronitrile ; AIBN)與粉末狀光聚合啟劑乙烷萘 醌(Acenaphthenequinone ; AQ)摻入曱基丙烯酸甲酯液態單 體(Methylmethaciylate ; MMA)内,進行攪拌混合成溶液; 將攪拌混合完畢之溶液進行過濾,以濾掉過飽和光聚合啟始 〇 劑,將過濾完畢之溶液注入成型容器内進行加熱,以製成固 體狀感光性高分子工學儲存型材;最後開啟成型容器,以取 出感光性高分子工學儲存型材成品。 【實施方式】 有關本發明為達成上述目的,所採用之技術手段及其功 效’茲舉出可行實施例’並且配合圖式說明如下: 本發明藍光敏感性高分子工學儲存型材製造方法主要作 為全像儲存材料,並且更適合量產及實際應用。首先,本發明 可使用粉末狀熱聚合啟始劑偶氮雙異丁腈 201037032 (Azobisisobutyronitrile ; AIBN) 0.005〜5 重量%,以及粉末狀 光聚合啟始劑乙烧萘S昆(Acenaphthenequinone ; AQ) 0.005〜5 重量%,共同摻入甲基丙烯酸甲酯液態單體(Methyl methacrylate ; MMA) 90〜99.99重量%。而且於較佳實施例中 可再限縮範圍,例如:甲基丙婦酸甲g旨液態單體之含量為 95〜99.9重量%,粉末狀熱聚合啟始劑之含量為0.05〜2.5重量 %,粉末狀光聚合啟始劑之含量為0.05〜2.5重量%。而此三種 化學物質的分子式與結構式如下:
Methyl methacrylate (MMA): C5H8〇2 (99% > TCI)
ch5 AIBN(Azobisisobutyronitrile): C8H,2N4 (99% » TCI)
N N
III III c c CH3—q-N —N-C 'CH, ch3 ch3
Acenaphthenequinone (AQ): C]2H6〇2 (98〇/0 , Lancaster)
6 201037032 發明將熱聚合啟始劑偶氮雙異丁猜、光聚合啟始劑乙烧 基丙_ ? 鮮魏行獅混麵雜;將游 ^ 70畢液進^|濾、’以赫過飽和絲合啟始劑;將過 滤完畢之溶液注人成型S器内進行加熱,以製成固體狀感光性 南分子工學齡型材;最制啟成型容H,以取域光性高分 子工學儲存型材成品’簡_ 8G%繞射效率,並且乙烧蔡酿 AQ化學結構穩定性高,適合量產及實際應用。
於上述製造過程巾,當A聰遇熱時,如以下化學反應 式,中間的氮就會開始斷鏈而產生氮氣與兩個自由基 ,而這時 候單體MMA會與自由基做結合反應,而變成一個比較大的分 子且帶有一個自由基。 ch3 ch3 ch3 1 CH3 — C— N I J 二 N —d: 一 ch3 — 1 △ -► 2CH3— C· +N2 1 CN 1 CN 1 CN ch3 ch3 ch3 ch3 1 ch3—c. + 1 1 ch2 =c 1 > ch3 —^—ch2 1 —c· 1 CN COOCHj i CN 1 COOCH: 當起鏈完後,依然帶有一個自由基,所以如以下化學反應 式,還會繼續與MMA單體做一個鏈結的反應,一直增加分子 大小。 CH, ch3 ch3 CH3 —ό — ch2 - Ο + nCH2 = c —— I 1 1 CM COOCH3 COOCH3
ch3 ch3—c I CN CH3 CH2 一c 1 COOCH3 CH3 -ch2—c. COOCH3 當增殖的分子帶有一自由基和另一增殖分子的自由基做 互相反應時,如以下化學反應式,就會停止鏈結。停止鏈結的 201037032 反應有兩種,一種稱為「耗合」(coupling),另一種稱為「不 均齊化」(disproport-ionation)。這兩種終止反應的比例是聚合 體種類及反應溫度而定,對PMMA而言,反應溫度越高,以 不均齊化中止比例反應越高。 ch3 ch3
CN CH3 1 ch2-c- 1 L cooch3」 ch3 ch2-c n 1 COOCH:
ch3 ch3 —c—I CN ch3 ch2—οι cooch3 _ ch3 -ch2-c m COOCH3 coupling
CH J. CHi CN ch3 _ ] ch3 1 ch3 1 一 CH3 一 ch2 c —ΓΉ^ _Γ· …· 1 I +CH〕一 (j— CH2_ c---— 里 一 cooch3 — η 1 cooch3 1 CN 1 一 COOCH3 _ CH3 I CH2-C· U coochj disproportionation ch3
CH J.
CN CH, ch2-c- COOCH, CH, —ch2 = cn 1 COOCH,
CH +CH:; — C— I CN CH, CH,一 C- COOCH3 CH3 -ch2^c m coochj 經過上述的熱反應過程可知大部分單體mma會和aibn 聚合成高分子PMMA。而因為Aq不會因為受熱而做反應, 所以均勻分佈在塊材内。且單體MMA並不會全部聚合成 PMMA所卩會有殘餘單體驗^,這裡所殘餘力單體μ嫩 和均勻溶解在型材内的Aq是形成光柵的重要角色。 於製作AP/PMMA型材時,必須將單體MMA純化, 除安定劑及其他雜質。另外如第丄及2圖所示,先,作一 兩側玻璃1 1、i 2及中間模框上3之成型容器丄〇'而; 201037032 模框具有兩側開口 1 4及上方注液口 1 5,並且採用耐強酸強 驗之鐵弗龍材質。製作成型容器10時,將兩乾淨玻璃11、 12貼置封閉中間模框13之兩側開口14,並且配合白膠黏 接固化。 本發明於較佳實施例中,以AQ 0.3wt%、AIBN 0.5wt%摻 入單體MMA99.2wt%内來做藥品的配製,其實驗流程如下: 1. 將感光分子AQ與AIBN摻入純化過的單體MMA内,且 使用錫箔紙密封不使液體曝光,把溶液放置超音波震盪上震 Ο i半小時’加速使AQ與AIBN快速溶解於單體MMA内。 2. 再把溶液放在加熱攪拌器上以3〇°c (可包含25〜34它)加熱 和每分鐘300轉授拌一天。 當攪拌完畢,用孔徑0.2//ni的濾紙將溶液做過濾,可使過 飽和AQ和内部雜質被濾掉。 4. 將過濾好的溶液注入成型容器i 〇内,(需用錫箔紙密封使 液體不曝光),再放入恆溫箱加熱溶液,保持39〇c (可包含 35〜55°C)加熱12小時所製作AQ/pMM材料可以達到較 © 良好的繞射效率。 5. 經上述步驟後,就會形成固體塊材的AQ/pMMA,拿出成型 各為1 0放入冰箱放置20分鐘,利用熱脹冷縮的道理,玻 螭會和AQ/PMMA塊材自然分開,就可取出塊材。 6. 取出的感光高分子AQ/PMMA材料,用錫落紙包好以免曝 光’避免長期曝光影響到塊材品質。 使用時將上述製成材質絲崎需祕曝絲成全像儲 存型材’當AQ/PMMA的材料中照到適當波長的光的時侯, 201037032 如以下圖式主要是感光分子AQ與單體做光化學反 應,而AQ是不會與PMMA做反應,所以感光分子AQ照光 後會產生雙自由基。
-l· h υ
在製成AQ/PMMA感光南分子材料方面,已經可以製作 不同厚度和大小的塊材,AQ/PMMA經過一連串的實驗和改 進,我們發現,在 AQ 0.3wt%、AIBN 0.5wt%、MMA99.2wt% 的條件下’所作的AQ/PMMA感光高分子材料折射率飽和強度 為7.12X10·4 ’繞射效率約80%,繞射效率定義是(_|||||_)。
而且AQ化學結構穩定性比PQ高,可以把AQ放置於^見光 一天’才會有明顯的光化學反應的現象(變成黃色),建完光栅 的塊材可放在日光燈下四天,光柵才會被洗掉(第一天:繞射 效率80%、第二天:繞射效率57%、第三天:繞射效率37〇/〇、 第四天··繞射效率19%、第五天:繞射效率4%)。AQ/PMMA 感光高分子材料製成時間為兩天,比Pq/PMMA製成時間快了 一天’製成溫度更是低了 6度,所以AQ/PMMA比PQ/PMMA 更容易量產以及應用。 以上所舉實施例僅用為方便說明本發明,而並非加以限 制’在不離本發明精神範疇,熟悉此一行業技藝人士所可作之 各種簡易變化與修飾,均仍應含括於以下申請專利範圍中。 10 201037032 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明較佳實施例所使用成型容器之立體圖; 第2圖係第1圖成型容器之立體分解圖。 【主要元件符號說明】 10成型容器 11玻璃 12玻璃 13中間模框 14開口 15注液口

Claims (1)

  1. 201037032 七、申請專利範圍: 1. 一種藍光敏感性高分子工學儲存型材,包含有甲基丙烯酸甲 酯液態單體(Methyl methacrylate ; MMA )、熱聚合啟始劑及 光聚合啟始劑,上述熱聚合啟始劑為偶氮雙異丁腈 (Azobisisobutyromtrile ; AIBN ) ’上述曱基丙烯酸曱酯液態 早體與熱t合啟始劑混合構成南分子聚合物PMMA主體;上 述光聚合啟始劑為乙烧萘酿(Acenaphthenequinone ; AQ ), ,混合分佈於高分子聚合物主體,以共同構成固體狀感光性 南分子工學儲存型材。 2·如申請專利範圍第1項所述之藍光敏感性高分子工學儲存型 材’其中上述甲基丙稀酸甲酯液態單體之含量為9〇〜99.99重 罝%,粉末狀熱聚合啟始劑之含量為0.005〜5重量%,粉末狀 光聚合啟始劑之含量為0.005〜5重量%。 3·如申請專利範圍第2項所述之藍光敏感性高分子工學儲存型 ^ ’其中上述甲基丙烯酸甲酯液態單體之含量為95〜999重 ’粉末狀熱聚合啟始劑之含量為〇 〇5〜2 5重量%,粉末狀 光聚合啟始劑之含量為0.05〜2.5重量%。 4.如申請專利範圍第3項所述之藍光敏感性高分子卫學儲存型 $,其中上述感光性高分子工學儲存型材中殘餘未參與熱聚 &反應之甲基丙烯酸甲酯液態單體。 =申請專利細第4項所述之藍光敏感性高分子譯儲存型 一錄其巾ϋ感紐高分子工學儲存·财_彳平整表面。 二高分子卫學儲存型材製造方法,係將粉末狀 (Azobisisobutyromtrile ; AIBN) Acenaphthenequinone ; AQ) ^ 土丙稀酉夂甲®日液恶單體(Methyl methacrylate ; MMA ) 2 液;將授摔混合完畢之溶液進細? 哭^隹啟始劑;將過濾、完畢之溶液注入成型容 仃〇”、、,以製成固體狀感光性高分子工學儲存型材; 201037032 最後開啟成型容器,以取出感光性高分子工學儲存型材成品。 7.如申請專利範圍第6項所述之藍光敏感性高分子工學儲存型 材製造方法,其中上述曱基丙烯酸甲酯液態單體之含量為 90〜99.99重量%,粉末狀熱聚合啟始劑之含量為〇〇〇5〜5重量 % ’粉末狀光聚合啟始劑之含量為0.005〜5重量%。 8.如申請專利範圍第7項所述之藍光敏感性高分子工學儲存型 材製造方法,其中上述甲基丙烯酸甲酯液態單體之含量為 95〜99.9重量0/〇 ,粉末狀熱聚合啟始劑之含量為〇 〇5〜2 5重量 %,粉末狀光聚合啟始劑之含量為〇 〇5〜2 5重量%。 Ο
    9. 如申請專利範圍第7項所述之藍光敏感性高分子卫學儲存型 材製造方法,其中上述溶液於攝氏25〜34度進行攪拌混合。 10. 如申請專娜圍第9項所述之縣㈣性高分子工學儲存 型材製造找,其巾上:祕麟前,先進行超音波振 11,如申專利範圍第7項所述之藍光敏感性高分子工學 ==度其中上述娜11及其霜液進行加熱保 12.如申請糊制第7項所叙藍綠雜高分子工 中上述成型容器及其内部固體狀感光性高 型材具有兩側平整表面。 子保存 13存目第12項賴之藍綠紐高分子工學儲 Sis 其中上_光性高分子工學儲存型材進行
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