TW201036140A - Substrate carrier for mounting substrates - Google Patents

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201036140 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於晶圓及封裝製品之製造方法。 【先前技術】 近年來，廣泛使用具備有基座基板及頂蓋基板和作動 片的封裝製品，該基座基板及頂蓋基板係在互相疊層狀態 0 下陽極接合，並且在兩者間形成空腔，該作動片係被在基 座基板中被支架在位於空腔內之部分。就以該種封裝製品 而言，所知的有例如被安裝於行動電話或攜帶資訊終端機 器，利用水晶等之壓電振動件以當作時刻源或控制訊號等 之時序源、基準訊號源等。 然而，該封裝製品如例如下述專利文獻1所示般，藉 由下述步驟形成。 首先，將基座基板用晶圓及頂蓋基板用晶圓設置在被 〇 配設於真空腔室內之陽極接合裝置，經由導電性材料所構 成之陽極接合用之接合膜，重疊該些晶圓。 在此，在頂蓋基板用晶圓之接合面，於與基座基板用 晶圓重疊時，形成成爲上述空腔之多數凹部，再者，在基 座基板用晶圓之接合面，與上述凹部對應支架多數作動片 ，並且在該接合面除支架作動片之部份外的部份上形成有 上述接合膜。並且，頂蓋基板用晶圓係被設置在陽極接合 裝置之電極板上。 接著，加熱頂蓋基板用晶圓一面使其內部之離子活性 -5- 201036140 化一面對接合膜和電極板之間施加電壓，將電流流通於頂 蓋基板用晶圓，使接合膜和頂蓋基板用晶圓之接合面和界 面產生電化學性之反應，依此陽極接合兩者而形成晶圓接 合體。 之後，藉由在特定位置切斷該晶圓接合體，多數形成 封裝製品。 [專利文獻1]日本特開2006-339896號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但在，在以往之技術中，於上述陽極接合時，在兩晶 圓中，配設有上述凹部（空腔）或作動片之製品區域中， 外周部份彼此有較中央部份彼此更早接合之傾向，例如有 下述之可能性，於該接合時在兩晶圓間產生的氧氣蓄積於 上述中央部份彼此之間，使得從該中央部份所取得之封裝 置製品之空腔內之真空度降低，而取得不具備所期待之性 能的封裝製品，或由於上述中央部份扭曲，使得上述中央 部份彼此之接合強度較外周部彼此之接合強度低，或有時 上述中央部份彼此不接合。 本發明係考慮如此之情形而硏究出，其目的在於提供 可以在略全區域確實接合兩片晶圓之製品區域彼此，並且 可以將於接合兩晶圓時產生在兩晶圓間之氧氣容易釋放至 外部的晶圓以及封裝製品之製造方法。 201036140 [用以解決課題之手段] 本發明爲一種晶圓，用以藉由 接合，多數形成具有在兩者間收納 品，其特徵爲：在與其他晶圓疊層 成成爲上述空腔之凹部的製品區域 形成有平面積大於一個上述凹部之 孔。 0 再者，本發明爲一種封裝製品 層兩片晶圓之狀態下互相陽極接合 間收納作動片之空腔的封裝製品， 本發明之晶圓。 若藉由該發明時，因在晶圓形 孔，故可以將於兩晶圓接合時產生 過上述凹窪部或貫通孔而容易釋放 空腔內之真空度低之封裝製品。 〇 再者，在該接合之過程中，可 中於上述凹淫或貫通孔，而使該凹 形。因此，可以將兩晶圓之製品區 或貫通孔以及凹部以外之全區域維 以在略全區域確實接合該製品區域 再者，因上述凹窪部或貫通孔 之晶圓，故藉由例如模壓加工或鈾 之時，可同時形成上述凹窪部或貫 該晶圓。 在疊層狀態下互相陽極 作動片之空腔的封裝製 之狀態下位於較多數形 之外周緣內側之部分， 平面積的凹窪部或貫通 之製造方法，藉由在疊 ，多數形成具有在兩者 其特徵爲：上述晶圓爲 成有上述凹窪部或貫通 在該些晶圓間之氧氣通 至外部，可以抑制形成 使在晶圓產生之扭曲集 窪部或貫通孔積極性變 域彼此在除上述凹窪部 持予以抵接之狀態，可 彼此。 被形成在具有上述凹部 刻加工等形成上述凹部 通孔，可以效率佳形成 201036140 在此，即使在上述晶圓之中央部形成上述貫通孔亦可 〇 此時，因在晶圓之中央部形成有上述貫通孔，故可以 藉由兩晶圓之接合過程中在晶圓產生之扭曲，使上述貫通 孔更確實變形，則可以更加確實在略全區域接合兩片晶圓 之製品區域彼此。 再者，於接合兩晶圓時，因在該些晶圓間產生之氧容 易蓄積的晶圓之中央部份形成有貫通孔，而不自該中央部 份取得封裝製品，故可以確實抑制形成空腔內之真空度低 之封裝製品。 [發明效果] 本發明之晶圓及封裝製品之製造方法係可以在略全區 域確實接合兩片晶圓之製品區域彼此，並且可以將於接合 兩晶圓時產生在兩晶圓間產生的氧氣容易釋放至外部。 【實施方式】 以下’參照第1圖至第1 5圖說明本發明所涉及之一 實施型態。 在本實施型態中’以壓電振動件爲例，說明具備有基 座基板及頂蓋基板和作動片之封裝製品，該基座基板及頂 蓋基板係在互相疊層狀態下陽極接合，並且在兩者間形成 空腔’該作動片係被在基座基板中位於空腔內之部分支架 -8 - 201036140 該壓電振動件1係如第1圖至第5圖所示般，藉由基 座基板2和頂蓋基板3形成疊層兩層之箱狀，成爲在內部 之空腔內收納有壓電振動片（作動片）4之表面安裝型。 並且，在第5圖中，爲了容易觀看圖面，省略後述之激振 電極13、引繞電極16、支架電極14及配重金屬膜17之 圖示。 壓電振動片4係如第6圖至第8圖所示般，爲藉由水 0 晶、鉅酸鋰或鈮酸鋰等之壓電材料所形成之音叉型之振動 片，於施加特定電壓時振動。 該壓電振動片4具有平行配置之一對振動腕部10、 1 1，和一體性固定該一對振動腕部1 〇、11之基端側的基 部1 2，和形成在一對振動腕部1 0、1 1之外表面上而使一 對振動腕部1 〇、1 1振動之激振電極1 3，和電性連接於該 激振電極13之支架電極14。再者，本實施型態之壓電振 動片4係在一對振動腕部1 0、1 1之兩主面上，具備有沿 〇 著該振動腕部1〇、11之長邊方向而各自形成的溝部15。 該溝部1 5係從振動腕部1 0、1 1之基端側形成至略中間附 近。 上述激振電極1 3係利用特定共振頻率使一對振動腕 部1 〇、1 1在互相接近或間隔開之方向振動的電極，在一 對振動腕部1 〇、1 1之外表面，在各自電性被切離之狀態 下被圖案製造形成。具體而言，如第8圖所示般，一方之 激振電極1 3主要形成在一方之振動腕部1 〇之溝部1 5上 和另一方之振動腕部1 1之兩側面上，另一方之激振電極 -9 - 201036140 13主要形成在一方之振動腕部1〇之兩側面上和另一方之 振動腕部1 1之溝部1 5上。 再者，激振電極13係如第6圖及第7圖所示般’在 基部12之兩主面上，分別經引繞電極16而電性連接於支 架電極14。然後，壓電振動片4係經該支架電極14而施 加電壓。並且，上述激振電極13、支架電極14以及引繞 電極16係藉由例如鉻（Cr )、鎳（Ni )、鋁（A1 )或鈦 (Ti )等之導電性膜之覆膜而形成。 再者，在一對振動腕部1〇、11之前端，以本身之振 動狀態在特定頻率之範圍內予以振動之方式被覆有用以執 行調整（頻率調整）之配重金屬膜17。並且，該配重金 屬膜17分爲於粗調整頻率之時所使用之粗調膜17a，和 於微小調整時所使用之微調膜1 7b。藉由利用該些粗調膜 1 7a及微調膜1 7b而執行頻率調整，則可以將一對振動腕 部10、11之頻率調整在裝置之公稱頻率的範圍內。 如此所構成之壓電振動片4係如第2圖、第3圖以及 第5圖所示般’利用金等之凸塊B，凸塊接合於基座基板 2之上面。更具體而言’在形成在後述引繞電極28上的 兩個凸塊B上，分別接觸一對支架電極14之狀態下被凸 塊接合。依此’壓電振動片4係在從基座基板2之上面浮 起之狀態下被支撐’並且支架電極14和引繞電極28成爲 分別被電性連接之狀態。 上述頂蓋基板3爲由玻璃材料，例如鈉鈣玻璃所構成 之透明之絕緣基板’如第1圖、第3圖、第4圖以及第5 -10- 201036140 圖所示般，形成板狀。然後，在頂蓋基板3於接合基座g 板2之接合面，形成有收放壓電振動片4之俯視觀看呈$ 形狀之凹部3 a。該凹部3 a係於重疊兩基板2、3之時， 成爲收容壓電振動片4之空腔C。然後，該凹部3a利用 頂蓋基板3和基座基板2被陽極接合，藉由基座基板2被 封閉。 上述基座基板2係與頂蓋基板3相同由玻璃材料，例 0 如鈉鈣玻璃所構成之透明絕緣基板，如第1圖至第5圖戶斤 示般，以可以重疊於頂蓋基板3之大小形成板狀。在該基 座基板2形成有貫通該基座基板2之~對通孔25。一對 通孔25係被形成收放於空腔C內。當更詳細說明時，則 係被形成一方之通孔25位於被支架之壓電振動片4之基 部12側，另一方之通孔25位於振動腕部1〇、11之前端 側。 並且，在圖示之例中，雖然以在基座基板2之板厚方 〇 向的全區域具有同等內徑之通孔25爲例而予以說明，但 是並不限定於此情形，即使例如沿著上述板厚方向而形成 具有逐漸縮徑或擴徑之內徑的錐形狀亦可。無論哪一種， 若貫通基座基板2即可。 然後，在該些一對通孔25埋設有貫通電極26。該些 貫通電極26完全塞住通孔25維持空腔C內之氣密，並且 使後述之外部電極29和引繞電極28導通。在基座基板2 中接合頂蓋基板3之接合面，藉由例如鋁等之導電性材料 ，圖案製作有陽極接合用之接合膜27，和一對引繞電極 -11 - 201036140 28。其中，接合膜27係被配置成在頂蓋基板3之接合面 中之凹部3a之非形成部分之略全區域，包圍該凹部3a之 周圍。 再者，一對引繞電極2 8係被圖案製作成電性連接一 對貫通電極26中，一方貫通電極26和壓電振動片4之一 方的支架電極1 4，並且電性連接另一方之貫通電極26和 壓電振動片4之另一方支架電極14。當更詳細說明時， 則如第2圖及第5圖所示般，一方之引繞電極2 8以位於 壓電振動片4之基部12之正下方之方式，形成在一方貫 通電極26之正上方。再者，另一方之引繞電極28係被形 成從與一方之引繞電極28鄰接之位置，沿著振動腕部11 而被引繞至前端側之後，位於另一方之貫通電極26之正 上方。 然後，在該些一對引繞電極2 8上形成凸塊B，利用 該凸塊B支架壓電振動片4。依此，壓電振動片4之一方 的支架電極14經一方之引繞電極28與一方之貫通電極 26導通，另一方之支架電極14經另一方之引繞電極28 與另一方之貫通電極26導通。 再者，在基座基板2中上述接合面和相反側之表面， 如第1圖、第3圖及第5圖所示般，形成分別電性連接於 一對貫通電極26之外部電極29。即是，一方之外部電極 29係經一方之貫通電極26及一方之引繞電極28而被電 性連接於壓電振動片4之一方之激振電極1 3。再者，另 一方之外部電極29係經另一方之貫通電極26及另一方之 -12- 201036140 引繞電極28而被電性連接於壓電振動片4之另一方之激 振電極1 3。 於使如此構成之壓電振動件1作動之時，對形成在基 座基板2之外部電極29，施加特定驅動電壓。依此，可 以使電流流通於壓電振動片4之激振電極1 3，可以藉由 特定頻率在一對振動腕部1 0、1 1在接近或間隔開之方向 振動。然後，利用該一對振動腕部1 0、1 1之振動，可以 0 當作時刻源、控制訊號之時序源或基準訊號源等而予以利 用。 接著，針對一面參照第9圖所示之流程圖，一面利用 基座基板用晶圓40和頂蓋基板用晶圓50 —次多數製造上 述壓電振動件1之方法予以說明。 首先，執行壓電振動片製作工程，製作第6圖至第8 圖所示之壓電振動片4(S10)。 具體而言，首先以特定角度切割水晶之朗伯（ ❹ Lambert )原石而設爲一定厚度之晶圓。接著，摩擦該晶 圓而予以粗加工之後，藉由蝕刻取除加工變質層，之後執 行拋光等之鏡面硏磨加工，使成爲特定厚度之晶圓。接著 ，於對晶圓施予洗淨等之適當處理之後，藉由光微影技術 以壓電振動片4之外形形狀圖案製作該晶圓，並且執行金 屬膜之成膜及圖案製作，形成激振電極1 3、引繞電極1 6 、支架電極14及配重金屬膜17。依此，可以製作多數壓 電振動片4。 再者，於製作壓電振動片4之後，執行共振頻率之粗 -13- 201036140 調。該係藉由對配重金屬膜1 7之粗調膜1 7 a照射 使一部份蒸發，並使重量予以變化而執行。依此， 頻率調整在較設爲目標之公稱頻率略寬之範圍內。 關於將共振頻率調整成更高精度，使頻率最終進入 率之範圍內，則於支架後執行。針對此，於之後說 接著，執行第1晶圓製作工程（S20 )，該第 製作工程係至執行陽極接合之前的狀態爲止製作之 頂蓋基板3之頂蓋基板用晶圓50。 首先，於將鈉鈣玻璃硏磨加工至特定厚度而予 之後，如第10圖所示般，形成藉由蝕刻等除去最 之加工變質層的圓板狀之頂蓋基板用晶圓50 ( S2 1 圖示之例中，頂蓋基板用晶圓50係被形成俯視觀 形狀，並且在該晶圓50之外周部，沿著連結其外 之兩點的直線（弦）而被切口之基準標記部A1。 接著，在頂蓋基板用晶圓5〇之接合面，執行 成空腔用之凹部3a之凹部形成工程（S22 )’並且 成貫通孔21之貫通孔形成工程（S23 )。 凹部3 a係在頂蓋基板用晶圓5 0之接合面，被 位於較外周緣部5 Ob靠徑方向內側之部分（以下’ 品區域）5 0 c。並且’凹部3 a係在製品區域5 0c隔 而多數形成在一方向’並且隔著間隔而多數形成在 方向正交之另一方向。再者，在圖示之例中’於製 5 0c之中頂蓋基板用晶圓50之徑方向中央部5〇a， 凹部3a，凹部3a係在頂蓋基板用晶圓50之接合 雷射光 可以將 並且， 公稱頻 明。 1晶圓 後成爲 以洗淨 外表面 )。在 看呈圓 周緣上 多數形 執行形 形成在 稱爲製 著間隔 與該一 品區域 不形成 面，被 -14- 201036140 形成在位於上述徑方向中央部50a和外周緣 部分。 貫通孔2 1係形成在上述徑方向中央部 在較製品區域50c之外周緣靠徑方向內側。 21被形成圓形狀，並且被配置在與頂蓋基相 中心同軸。然後，貫通孔21之平面積大於-平面積。 〇 在此，在頂蓋基板用晶圓50之外周緣 徑方向夾著貫通孔21而在互相成爲相反之 插入後述之陽極接合裝置3 0之定位用銷的気 此時，藉由蝕刻加工頂蓋基板用晶圓 形成凹部3 a和貫通孔2 1亦可。再者，利用 熱頂蓋基板用晶圓5 0，一面從上下加壓， 形成凹部3a和貫通孔21亦可。並且，藉由 晶圓5 0上的所需處，網版印刷玻璃塗料， 〇 凹部3a和貫通孔21亦可。即使爲任一方法 在該時點，完成第1晶圓製作工程。 接著，在與上述工程同時或前後之時序 圓製作工程（S30 )，該第2晶圓製作工程 接合之前的狀態爲止製作之後成爲基座基板 用晶圓40。 首先，於將鈉鈣玻璃硏磨加工至特定厚 之後，形成藉由蝕刻等除去最外表面之加工 狀之基座基板用晶圓40 (S31)。基座基板 部5 0b之間的 5 0 a，被配置 並且，貫通孔 ί用晶圓5 0之 -個凹部3 a之 部50b中，在 各位置，形成 E位孔50d。 5 0，即使同時 治具，一面加 依此即使同時 在頂蓋基板用 即使同時形成 亦可。 ，執行第2晶 係至執行陽極 2之基座基板 度而予以洗淨 變質層的圓板 用晶圓4 0係 15- 201036140 如第1 3圖所示般，被形成俯視觀看呈圓形狀，並且在該 晶圓4〇之外周部，沿著連結其外周緣上之兩點的直線（ 弦）而被切口之基準標記部A2。再者，在基座基板用晶 圓4〇之外周緣部4 〇b中，在徑方向夾著該晶圓40之中心 而在互相成爲相反之各位置，形成插入後述之陽極接合裝 置30之定位用銷的定位孔40d。 接著，如第Π圖所示般，執行多數形成貫通基座基 板用晶圓40之一對通孔25的通孔形成工程（S32 )。 並且’第11圖所示之虛線Μ係圖示在之後執行之切 斷工程中切斷之切斷線。再者，通孔25係藉由例如噴砂 法或治具之加壓加工等而形成。 在此’一對通孔2 5係形成在之後重疊兩晶圓4 0、5 0 時’在形成頂蓋基板用晶圓5 〇之凹部3 a內個別收放之位 置’並且一方之通孔25被配置在之後支架之壓電振動片 4之基部1 2側，並且另—方之通孔2 5被配置在振動腕部 1 1之前端側的位置。圖示之例中，一對通孔25係在基座 基板用晶圓40之接合面，被形成在位於較外周緣部40b 靠徑方向內側之部分（以下，稱爲製品區域）40c。並且 ’一胃S ?L 25係在製品區域40c隔著間隔而多數形成在 ~方向’並且隔著間隔而多數形成在與該一方向正交之另 一方向。再者，在圖示之例中，於製品區域40c之中基座 基板用晶圓4〇之徑方向中央部40a，不形成一對通孔25 ’一對通孔25在基座基板用晶圓40之接合面，被形成在 位於上述徑方向中央部40a和外周緣部40b之間的部分。 -16 - 201036140 接著，以無圖示之導電體掩埋一對通孔25，執行 對貫通電極26之貫通電極形成工程（S33)。接著，在 座基板用晶圓40之接合面圖案製作導電性材料，如第 圖及第1 3圖所示般，執行形成接合膜27之接合膜形成 程（S34 )，並且執行引繞電極形成工程（S35 )，該引 電極形成工程係多數形成分別電性連接於一對貫通電 26之引繞電極28。藉由上述，導通一方之貫通電極26 一方之引繞電極28，並且成爲另一·方之貫通電極26和 一方引繞電極28導通之狀態。 在該時點，完成第2晶圓製作工程。 並且，第12圖及第13圖所示之虛線Μ係圖示在 後所執行之切斷工程切斷的切斷線。再者，在第13圖 ，省略接合膜27之圖示。 並且，在第9圖中，於接合膜形成工程（S34 )之 ，設爲執行引繞電極形成工程（S35 )之工程順序，但 Q 即使與此相反，於引繞電極形成工程（S35 )之後，執 接合膜形成工程（s 3 4 )亦可，即使同時執行兩工程亦 。即使爲任一工程順序，亦可以達成相同作用效果。依 ，因應所需，適當變更工程順序亦可。 接著，執行分別經引繞電極28將所製作之多數壓 振動片4凸塊接合於基座基板用晶圓40之表面的支架 程（S40)。首先，在一對引繞電極28上分別形成金等 凸塊Β。然後，將壓電振動片4之基部12載置在凸塊 上之後，一面將凸塊Β加熱至特定溫度’ 一面將壓電振 基 12 工 繞 極 和 另 之 中 後 是 行 可 此 電 工 之 Β 動 -17- 201036140 片4推壓至凸塊b。依此，壓電振動片4係機械性被支 於凸塊B’電性連接支架電極14和引繞電極28。依此 在該時點’壓電振動片4之一對激振電極13相對於一 貫通電極26成爲分別導通之狀態。尤其，壓電振動片 被凸塊接合’故在自基座基板用晶圓40之接合面浮起 狀態下被支撐。 接著’將基座基板用晶圓40及頂蓋基板用晶圓50 置在陽極接合裝置30。 在此’陽極接合裝置30係如第14圖所示般，具備 以導電性材料所形成之下治具3 1，和藉由加壓手段3 2 支撐成可對下治具31進退之上治具33，和電性連接被 置在上治具33之基座基板用晶圓40之接合膜27和下 具31之通電手段34，配設置在無圖示之真空腔室內。 然後，在下治具3 1，以使凹部3 a朝向上治具3 3 口之狀態下，設置頂蓋基板用晶圓5 0，並且在上治具 ，以使壓電振動片4與頂蓋基板用晶圓50之凹部3a對 之狀態下，設置基座基板用晶圓40。並且，此時邊以 別形成在基座基板用晶圓40及頂蓋基板用晶圓50之基 標記部A1、A2作爲指標，邊將設置在陽極接合裝置 之無圖示之定位用插銷插入在被形成在各晶圓40、50 定位用孔40d、50d，依此對準沿著各晶圓40、50各個 面方向的位置。 之後，驅動加壓手段3 2，使上治具3 3朝下治具 前進移動，並使基座基板用晶圓40之壓電振動片4進 撐 > 對 4 之 設 有 被 設 治 開 33 向 分 準 30 之 沿 3 1 入 -18- 201036140 至頂蓋基板用晶圓50之凹部3a內，而執行重疊該些兩晶 圓40、50之重疊工程（S50)。依此，被支架於基座基板 用晶圓40之壓電振動片4成爲被收容於形成在兩晶圓40 、5 0彼此之間的空腔C內之狀態。 接著，執行在特定溫度下施加特定電壓而予以陽極接 合之接合工程（S60)。具體而言，藉由通電手段34對基 座基板用晶圓4〇之接合膜27和下治具31之間施加特定 Q 電壓。如此一來，在接合膜27和頂蓋基板用晶圓50之接 合面的界面，產生電化學性之反應，兩者分別強固密接而 成爲陽極接合。依此，可以將壓電振動片4密封於空腔C 內，並可以取得基座基板用晶圓40和頂蓋基板用晶圓50 接合之第1 5圖所示之晶圓接合體6〇。 並且，在第15圖中，爲了容易觀看圖面，圖示分解 晶圓接合體60之狀態，從基座基板用晶圓40省略接合膜 27之圖示。再者，第15圖所示之虛線Μ係圖示在之後執 〇 行之切斷工程中切斷之切斷線。 然而，於執行陽極接合之時，形成在基座基板用晶圓 40之通孔25因藉由貫通電極2 6完全被堵塞，故空腔C 內之氣密不會通過通孔25而受損。 然後，於上述陽極接合之後，在基座基板用晶圓 ，於與接合頂蓋基板用晶圓50之接合面相反側之表面， 圖案製作導電性材料，而執行多數形成分別電性連接於一 對貫通電極26之一對外部電極29的外部電極形成工程（ S70 )。藉由該工程，可以利用外部電極29 ’使被密封在 -19- 201036140 空腔c內之壓電振動片4作動。 接著，在晶圓接合體60之狀態下，執行將密封於空 腔C內之各個壓電振動片4之頻率微調整在特定範圍內之 微調工程（S90)。當具體說明時，對外部電極29施加電 壓而使壓電振動片4振動。然後，一面測量頻率一面通過 頂蓋基板用晶圓50自外部照射雷射光，使配重金屬膜17 之微調膜17b蒸發。依此，因一對振動腕部10、11之前 端側之重量變化，故可以將壓電振動片4之頻率微調整在 公稱頻率之特定範圍內。 於頻率之微調結束之後，執行沿著第1 5圖所示之切 斷線Μ切斷被接合之晶圓接合體60而予以小片化之切斷 工程（S100)。其結果，可以一次多數製作第1圖所示之 表面安裝型之壓電振動件1，該壓電振動件1在形成於互 相陽極接合之基座基板2和頂蓋基板3之間的空腔C內封 密有壓電振動片4。 並且，即使爲執行切斷工程（S 1 00 )而小片化成各個 壓電振動件1之後，爲執行微調工程（S90 )之工程順序 亦可。但是，如上述般，因藉由先執行微調工程（S90 ) ，可以在晶圓接合體60之狀態下執行微調，故可以更有 效率微調多數壓電振動件1。依此，因可以謀求處理量之 向上化，故爲更佳。 之後，執行內部之電特性檢查（S1 1 0 )。即是，測量 確認壓電振動片4之共振頻率、共振電阻値、驅動位準特 性（共振頻率及共振電阻値之激振電力依存性）等。再者 -20- 201036140 ，一起確認絕緣電阻特性等。然後，最後進行壓電振動件 1之外觀檢察，最終確認尺寸或品質等。依此完成壓電振 動件1之製造。 如上述說明般，若藉由本實施型態之壓電振動件1之 製造方法時，因在頂蓋基板用晶圓50形成有貫通孔21， 故可將於上述接合工程時產生在兩晶圓40、50間之氧氣 通過貫通孔2 1而容易從兩晶圓40、50間釋放至外部，可 0 以抑制形成空腔C內之真空度低之壓電振動件1。 再者，在上述接合工程之過程中，可使在頂蓋基板用 晶圓5 0產生之扭曲集中於貫通孔2 1，而使該貫通孔21 積極性變形。因此，可以將兩晶圓40、50之製品區域 40c、50c彼此在除貫通孔21及凹部3a以外之全區域維 持予以抵接之狀態，可以在略全區域確實接合該製品區域 40c ' 5 0 c 彼此。 並且，因貫通孔21被形成在具有凹部3a之頂蓋基板 〇 用晶圓50，故藉由例如模壓加工或蝕刻加工等形成凹部 3 a之時，則可同時形成貫通孔2 1，可以效率佳形成該晶 圓50。 再者，在本實施型態中，因在頂蓋基板用晶圓50之 徑方向中央部50a形成有貫通孔21，故可以藉由上述接 合工程之過程中在頂蓋基板用晶圓50產生之扭曲，使貫 通孔2 1更確實變形，則可以更加確實在略全區域接合兩 晶圓40、50之製品區域40c、50c彼此。 並且，於接合兩晶圓40、50時，因在該些晶圓40、 -21 - 201036140 50間產生之氧容易蓄積的晶圓之上述徑方向中央部50a 形成有貫通孔21，而不自上述徑方向中央部50a取得壓 電振動件1，故可以確實抑制形成空腔C內之真空度低之 壓電振動件1。 並且，本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態， 只要在不脫離本發明之主旨的範圍，亦可以作各種變更。 在上述實施型態中，雖然於頂蓋基板晶圓50形成貫 通孔2 1，但是即使也形成在基座基板用晶圓40亦可。 再者，雖然表示圓形狀以作爲貫通孔2 1之一例，但 是並不限定於此，即使形成例如多角形等亦可。 並且，即使取代貫通孔2 1，在晶圓40、50之板厚方 向設非貫通之凹窪部亦可。作爲該凹窪部，並不限定於限 定在晶圓4 0、5 0之中央部而形成的構成，即使採用例如 沿著直徑方向而延伸之溝亦可。針對該溝，例如第1 6圖 所不般，以繞著中心而隔者等間隔之方式，多數形成自晶 圓40、50之中心朝向半徑方向之兩外側而延伸之溝22爲 佳。此時，可以將接合時產生在兩晶圓40、50間之氧氣 確實從該些晶圓40、50間釋放至外部。 並且，在該構成中，溝22之半徑方向外端係以位於 較晶圓40、5 0之外周緣靠半徑方向內側爲佳。此時，抑 制因形成溝22而使得晶圓40、50之強度降低。 再者，在該構成中’係以在較溝22之半徑方向外端 位於半徑方向之外側的部分，不形成接合膜2 7爲佳。 此時，在兩晶圓4〇、50彼此之間，位於溝22之半徑 .22- 201036140 方向外端和晶圓4 0、5 0之外周緣之間的部分不接合，通 過該些之間的微小間隙可使氧氣確實從兩晶圓40、50間 釋放至外部。 並且’如第1 6圖所示般，將溝22之寬度設爲例如形 成俯視觀看呈矩形狀之凹部3a之長邊方向中之長度以下 時’比起第1圖所示之型態，可在頂蓋基板用晶圓5 0容 易確保寬廣可形成凹部3 a之製品區域，增多可一次形成 之封裝製品的數量，即是提局良率。 再者’在上述實施型態中，雖然凸塊接合壓電振動片 4 ’但是並不限定於凸塊接合。例如，即使藉由導電性接 著劑接合壓電振動片4亦可。但是，藉由凸塊接合，可以 使壓電振動片4從基座基板2上浮起，可以自然確保振動 所需之最小限的振動間隙。依此，針對該點，以凸塊接合 爲佳。 並且，在上述實施型態中，雖然表示壓電振動件1以 〇 作爲封裝製品，但並不限定於此，即使例如適當變更亦可 〇 其他，只要在不脫離本發明之主旨的範圍內，可將上 述實施型態中之構成適當置換成悉知的構成要素，再者， 即使適當組合上述變形例亦可。 產業上之利用可行性 可以在略全區域確實接合兩片晶圓之製品區域彼此， 並且可以將於接合兩晶圓時產生兩晶圓間的氧氣容易釋放 -23- 201036140 至外部。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示本發明之一實施型態的圖式，爲壓電振 動件之外觀斜視圖。 第2圖爲表示第1圖之壓電振動件之內部構成圖，在 取下頂蓋基板之狀態下，由上方觀看壓電振動片之圖式。 第3圖爲表示沿著第2圖所示之A-A線之壓電振動 件的剖面圖。 第4圖爲表示沿著第2圖所示之B-B線之壓電振動件 的剖面圖。 第5圖爲第1圖所示之壓電振動件之分解斜視圖。 第6圖爲構成第1圖所示之壓電振動件之上視圖。 第7圖爲第5圖所示之壓電振動件之下視圖。 第8圖爲第6圖所示之剖面向視C - C。 第9圖爲表示製造第1圖所示之壓電振動件之時的流 程圖。 第10圖爲表示沿著第9圖所示之流程圖製造壓電振 動件之時的一工程之圖式，表示在爲頂蓋基板之根源的頂 蓋基板用晶圓上形成有凹部之一實施型態的圖式。 第1 1圖爲表示沿著第9圖所示之流程圖製造壓電振 動件之時的一工程之圖式，表示在爲基座基板之根源的基 座基板用晶圓上形成有一對通孔之狀態的圖式。 第1 2圖爲表示第1 1圖所示之狀態後，在一對通孔內 -24- 201036140 形成貫通電極，並且在基座基板用晶圓之上面圖案製作接 合膜及引繞電極之狀態的圖式。 第13圖爲第12圖所示之狀態的基座基板用晶圓之全 體圖。 第14圖爲表示將基座基板用晶圓及頂蓋基板用晶圓 設置在陽極接合裝置之狀態的槪略圖。 第15圖爲表示沿著第9圖所示之流程圖製造壓電振 0 動件之時的一工程之圖式，表示在空腔內收容壓電振動片 之狀態下陽極接合基座基板用晶圓和頂蓋基板用晶圓之晶 圓接合體之分解斜視圖。 第1 6圖爲表示沿著第9圖所示之流程圖製造壓電振 動件之時的一工程之圖式，表示在爲頂蓋基板之根源的頂 蓋基板用晶圓上形成有凹部之其他實施型態的圖式。 【主要元件符號說明】 〇 1 :壓電振動件（封裝製品） 3 a :凹部 4:壓電振動片（作動片） 2 1 :貫通孔 22 :溝（凹窪部） 40 :基座基板用晶圓（晶圓） 40c、50c:製品區域 5 〇 :頂蓋基板用晶圓（晶圓） C :空腔 -25-

Claims (1)

1. 201036140 七、申請專利範園： 1.—種晶圓，用以藉由在疊層狀態下互相陽極接合 ’多數形成具有在兩者間收納作動片之空腔的封裝製品， 其特徵爲： 在與其他晶圓疊層之狀態下位於較多數形成成爲上述 空腔之凹部的製品區域之外周緣內側之部分，形成有平面 積大於一個上述凹部之平面積的凹窪部或貫通孔。 2·如申請專利範圍第1項所記載之晶圓，其中 在其中央部形成有上述貫通孔》 3 . —種封裝製品之製造方法，藉由在疊層兩片晶圓 之狀態下互相陽極接合，多數形成具有在兩者間收納作動 片之空腔的封裝製品，其特徵爲·. 上述晶圓爲申請專利範圍第1或2項所記載之晶圓。 -26-