TW201035589A - Miniature image capture lens - Google Patents
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Description
201035589 ‘ 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種透鏡系統,特別是關於一種晶圓 級(wafer-level)微型影像擷取透鏡(miniature image capture lens)。 【先前技術】 由於固態影像擷取單元,例如電荷輕合元件 0 (charge-coupled device,CCD)、CMOS 感測器或相似之元 件的發展,手機或個人電腦搭載影像元件變得越來越普 及。此外’設置於影像元件上的影像擷取透鏡需要更進一 步的微型化。 然而,儘管有上述需求,對於傳統的影像擷取透鏡而 言’其微型化已經遇到瓶頸,理由是上述透鏡是真正的三 維(3_D)結構’微型化具有相當的困難度,且其中的感測器 亦需要微型化。此種技術很難控制每個透鏡表面侧向移動 〇 和傾斜的精確度,此外,在製造過程中,亦很難操作微小 的透鏡。換言之,上述傳統透鏡之容許度(tolerance)較小。 第1圖顯示使用已發表的透鏡模組系統的影像元件, 其中光線係穿過晶圓級透鏡1〇2、104到達感測單元106。 在此技術中’晶圓級透鏡模組1〇2、104和影像感測單元 106可藉由超大型積體電路(VLSI)製程技術製作,因此,可 將影像元件製作得較小,應用於攜帶型電子元件,例如手 機或個人數位助理(PDA)。晶圓級透鏡可以隨著例如墨爾定 律(Moore’s law)之半導體製程的發展,更進一步的微型 0978-A33976TWF—2008-045 5 201035589 化,且此種透鏡之控制精確度較佳。另外,傳統的透鏡是 以離散式製程(discrete process)製作,將透鏡一個一個地組 裝,相較之下,晶圓級透鏡可連續製程製作,將數千個透 鏡堆疊於透鏡板上,排列成一透鏡陣列。然而,儘管晶圓 級透鏡的體積較小,要將晶圓級透鏡設計成有良好的特性 和足夠高的容許度(tolerance)是很困難的。因此,業界需要 一晶圓級透鏡系統,其具有良好的特性和高容許度。 晶圓級透鏡由於其玻璃基板結構和反覆製程限制,存 在許多設計限制,例如透鏡材料、基板厚度、鏡片挽曲rfj 度(lens sag height)和尺寸、光學中央對準精確度等限制。 若晶圓級透鏡要成為如塑膠和玻璃透鏡般之主流產品應 用,晶圓級透鏡在上述設計限制上要有相稱的光學設計表 現和適當的製造容許度。 【發明内容】 根據上述問題,本發明題供一種微型影像擷取透鏡。 孔徑光圈具有一孔徑,使微型影像擷取透鏡穿過孔徑擷取 一影像,一晶圓級透鏡系統包括一第一透鏡群組和一第二 透鏡群組,第一透鏡群組包括一第一基板’ 一位於第一基 板之第一侧的第一表面,一位於第一基板之第二側的第二 表面,一第二透鏡群組,包括一第二基板,一位於第二基 板之第一側的第三表面,一位於第二基板之第二侧的第四 表面,其中第一表面,第二表面,第三表面,第四表面係 為非球面,第一表面和第二表面之一表面,和第三表面和 第四表面之一表面具有一高折射係數Nd_h和一高阿貝數 0978-A33976TWF 2008-045 6 201035589 V d_h,第一表面和第二表面之另一表面,和第三表面和第 四表面之另一表面具有一低折射係數Nd_l和一低阿貝數 VdJ,高折射係數Nd_h係大於低折射係數NdJ,高阿貝 數Vd_h係大於低阿貝數VdJ,微型影像擷取透鏡符合以 下條件:
Nd_h = 1.58〜1.62 ;
Nd—1 = 1.48〜1.53 ;
Nd_l/Nd_h = 0.91〜0.97; 〇 Vd_h = 35〜45 ;
Vd_l = 25〜35 ;且
Vd_l/Vd_h= 1.2〜2.2, 其中第一表面和第二表面之一表面係為凸面,第一表 面和第二表面之另一表面係為凹面,第三表面和第四表面 之一表面係為凸面,第三表面和第四表面之另一表面係為 凹面。 為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂, ❹ 下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如 下: 【實施方式】 以下係描述本發明之實施範例,其係揭示本發明之主 要技術特徵,但不用以限定本發明。 本發明係有關於在玻璃基板相對兩側包括兩個光學 表面之晶圓級透鏡系統,在本發明中,透鏡之兩個光學表 面可以由不同材料所組成,其中一表面具有高折射係數, 0978-A33976TWF 2008-045 7 201035589 另一表面具有低折射係數’透鏡材料可以為紫外光(uv)固 化高分子化合物。此外,本發明所提供之兩側(tw〇_side)晶 圓級透鏡除了在兩側之表面分別為高折射係數和低折射係 數,本發明提供之晶圓級透鏡在兩侧之表面分別為凸面和 凹面以使光學散射最小化。請注意,本發明可藉由於玻璃 基板之兩侧表面使用不同的材料,達成玻璃基板之兩側表 面分別為局和低折射係數。 根據以上之設計規則,本發明以下題供一晶圓級透 鏡’其在基板兩側之表面以不同材料組成,以達成不同之 折射係數’且在兩側分別為凸面和凹面。根據上述,本發 明之透鏡模組會有以下8組透鏡設計,包括(+h,-l,+h,-l)、 (+l,-h,+l,-h)、(+h,,l,-l,+h)、(+l,-h,-h,+l)、(-h,+l,+l,-h)、 (-1,+11,+11,-1)、(-11,+1,-11,+1)和(-1,+11,-1,+11),其中+11係指正曲 率和高折射係數’ -h係負曲率和高折射係數,+i係指正曲 率和低折射係數’ -1係指負曲率和低折射係數。 请參照第2A圖’其係顯示本發明第一實施例之晶片 設計,提供一第一基板202和一第二基板210,第一表面 204係設置於第一基板202之第一側,第二表面206係設 置於第一基板202之第二侧,以構成第一鏡片群組208。 第三表面212係設置於第二基板210之第一側,第四表面 214係設置於第二基板210之第二側,以構成第二鏡片群 組216。在此實施例中,第一表面204具有高折射係數 Nd_h、高阿貝數(abbe number) Vd—h和凸面形狀(正曲率), 第一表面206具有低折射係數Nd_l、低阿貝數(abbe number) Vd_l和凹面形狀(負曲率),第三表面212具有高折射係數 0978-A33976TWF_2008-045 201035589
Nd_h、高阿貝數Vd_h和凸面形狀(正曲率),第四表面214 具有低折射係數Nd」、低阿貝數(abbe number) Vd_l和凹 面形狀(負曲率)。 請參照第2B圖,其係顯示本發明第二實施例之晶片 設計’提供一第一基板218和一第二基板226,第一表面 220係設置於第一基板218之第一侧,第二表面222係設 置於第一基板218之第二侧,以構成第一鏡片群組224。 第三表面228係設置於第二基板226之第一侧,第四表面 〇 230係設置於第二基板226之第二側,以構成第二鏡片群 組232。在此實施例中,第一表面220具有低折射係數 NdJ、低阿貝數Vd_l和凸面形狀(正曲率),第二表面222 具有高折射係數Nd_h、高阿貝數Vd_h和凹面形狀(負曲 率)’第三表面228具有低折射係數Nd_l、低阿貝數Vd_l 和凸面形狀(正曲率),第四表面230具有高折射係數 Nd—h、高阿貝數Vd_h和凹面形狀(負曲率)。 請參照第2C圖,其係顯示本發明第三實施例之晶片 ❾ 設計’提供一第一基板234和一第二基板242,第一表面 236係設置於第一基板234之第一侧,第二表面238係設 置於第一基板234之第二侧,以構成第一鏡片群組240。 第三表面244係設置於第二基板242之第一侧,第四表面 246係設置於第二基板242之第二側,以構成第二鏡片群 組248。在此實施例中,第一表面236具有高折射係數 Nd_h、高阿貝數Vd_h和凸面形狀(正曲率),第二表面238 具有低折射係數Ndj、低阿貝數vd_l和凹面形狀(負曲 率),第三表面244具有低折射係數NdJ、低阿貝數Vd__l 0978-A33976TWF 2008-045 9 201035589 和凹面形狀(負曲率),第四表面246具有高折射係數 Nd_h、高阿貝數(abbe number) Vdji和凸面形狀(正曲率)。 請參照第2D圖,其係顯示本發明第四實施例之晶片 設計,提供一第一基板25〇和一第二基板258,第一表面 252係設置於第一基板250之第一側,第二表面254係設 置於第一基板250之第二側,以構成第一鏡片群組256。 第三表面260係設置於第二基板258之第一側,第四表面 262係設置於第二基板258之第二側,以構成第二鏡片群 組264。在此實施例中,第一表面252具有低折射係數 NdJ、低阿貝數Vd_l和凸面形狀(正曲率),第二表面254 具有高折射係數Nd_h、高阿貝數Vd_h和凹面形狀(負曲 率),第三表面260具有高折射係數Nd_h、高阿貝數Vd_h 和凹面形狀(負曲率)’第四表面262具有低折射係數NdJ、 低阿貝數Vd j和凸面形狀(正曲率)。 請參照第2E圖,其係顯示本發明第五實施例之晶片 設計,提供一第一基板266和一第二基板274,第一表面 268係設置於第一基板266之第一側,第二表面270係設 置於第一基板266之第二側,以構成第一鏡片群組272。 第三表面276係設置於第二基板274之第一側,第四表面 278係設置於第二基板274之第二側,以構成第二鏡片群 組280。在此實施例中,第一表面268具有高折射係數 Nd_h、高阿貝數Vd—h和凹面形狀(負曲率),第二表面270 具有低折射係數NdJ、低阿貝數Vd_l和凸面形狀(正曲 率),第三表面276具有低折射係數NdJ、低阿貝數Vd_l 和凸面形狀(正曲率),第四表面278具有高折射係數 0978-A33976TWF 2008-045 10 201035589
Nd_h、高阿貝數Vd_h和凹面形狀(負曲率)。 請參照第2F圖,其係顯示本發明第六實施例之晶片 設計,提供一第一基板282和一第二基板290,第一表面 284係設置於第一基板282之第一侧,第二表面286係設 置於第一基板282之第二側,以構成第一鏡片群組288。 第三表面292係設置於第二基板290之第一侧,第四表面 294係設置於第二基板290之第二側,以構成第二鏡片群 組296。在此實施例中,第一表面284具有低折射係數 O Nd_l、低阿貝數Vd_l和凹面形狀(負曲率),第二表面286 具有高折射係數Nd_h、高阿貝數Vd_h和凸面形狀(正曲 率),第三表面292具有高折射係數Nd_h、高阿貝數Vd_h 和凸面形狀(正曲率),第四表面294具有低折射係數NdJ、 低阿貝數Vd_l和凹面形狀(負曲率)。 請參照第2G圖,其係顯示本發明第七實施例之晶片 設計’提供一第一基板298和一第二基板257,第一表面 251係設置於第一基板298之第一侧,第二表面253係設 © 置於第一基板298之第二侧,以構成第一鏡片群組255。 第三表面259係設置於第二基板257之第一侧,第四表面 261係設置於第二基板257之第二側,以構成第二鏡片群 組263。在此實施例中,第一表面251具有高折射係數 Nd—h、高阿貝數Vdji和凹面形狀(負曲率),第二表面253 具有低折射係數NdJ、低阿貝數Vd_l和凸面形狀(正曲 率),第三表面259具有高折射係數Nd_h、高阿貝數Vd_h 和凹面形狀(負曲率)’第四表面261具有低折射係數NdJ、 低阿貝數VdJ和凸面形狀(正曲率)。 0978-A33976TWF_2008-045 11 201035589 請參照第2H圖,其係顯示本發明第八實施例之晶片 設計,提供一第一基板265和一第二基板273,第一表面 267係設置於第一基板265之第一側,第二表面269係設 置於第一基板265之第二側,以構成第一鏡片群組271。 第三表面275係設置於第二基板273之第一側,第四表面 277係設置於第二基板273之第二側,以構成第二鏡片群 組279。在此實施例中,第一表面267具有低折射係數 NdJ、低阿貝數Vd_l和凹面形狀(負曲率),第二表面269 具有高折射係數Nd_h、高阿貝數Vd_h和凸面形狀(正曲 率)’第三表面275具有低折射係數NdJ、低阿貝數Vd_l 和凹面形狀(負曲率),第四表面277具有高折射係數 Nd_h、高阿貝數Vdjh和凸面形狀(正曲率)。 特別是’上述實施例之第一表面、第二表面、第三表 面和第四表面是非球面,且該微型影像擷取透鏡符合以下 條件:
Nd_h = 1.58〜1.62 ;
Nd」=1.48〜1.53 ;
Nd_l / Nd—h = 0.91 〜0.97 ;
Vd_h = 35-45 ;
Vd_l = 25〜35;i ν(ι/ν〇”.2〜2·2。 請參照第3圖,其顯示本發明—透鏡設計之範例,本 範例微型影像擷取透鏡從要擷取的影像(未繪示)到影像平 面322(或感測益)依序包括一前置玻璃蓋302、一第一透鏡 群組31〇(包括第〜基板306和位於第一基板306相對兩侧 0978-A33976TWF一2008-045 201035589 之第一表面304和第二表面308)、一第二透鏡群組318(包 括第二基板312和位於第二基板312相對兩侧之第三表面 314和第四表面316)和一後置玻璃蓋320。第一表面304 和第三表面314具有低折射係數,第二表面308和第四表 面316具有局折射係數。另外,第一表面304之中央厚度 d〗為ΙΟΟμιη,第三表面314之中央厚度d2為169μηι,第四
表面316之邊緣厚度為125μιη。第三表面314之寬高比 為0.14,第四表面316之寬高比為〇.〇7。請注意,在本範 例中’第一表面304和第二表面308之寬高比係小於第三 表面314和第四表面316之寬高比,因此第一表面3〇4和 第二表面308之寬南比並非製作上的關鍵條件,其在本範 例中不特別描述。第四表面316至影像平面322之距雞是 0.55匪,且本微型影像擷取透鏡之總執道長度⑼如的化 length)為2.5mm。釗置玻璃盍302包括一孔徑光圈,呈有 一孔徑,使微型影像擷取透鏡可穿過該孔徑擷取一影像, 且紅外線(IR)濾光層可塗佈在前置玻璃蓋3〇2或第一透鏡 群組310之第-表面304上。請參照第4圖,其顯示本發 明-實施例微型影像擷取透鏡之分解圖,本實施例微型影 像擷取透鏡由頂部至底部依序包括—前置麵蓋撤、一 間隙塾片305(spacerdam)、第-透鏡群組31〇(包括第一基 板304和位於第-基板304相對兩侧之第—表面施和^ 二表面释-第一間隔物311、—第二透鏡群組318(包 =,板314和位於第二基板314相對兩侧之第三表面 320 一第二間隔物319卜後置玻璃蓋 值付注本發明不特顧定紅外、線 層 0978-A33976TWF 2008-045 13 201035589 的位置,舉例來說,紅外線(IR)濾光層可以形成於前置玻 璃蓋302上或微型影像擷取透鏡之第一表面304。請參照 第5圖’其顯示本發明一範例微型影像擷取透鏡之像差曲
線(aberration curve),在 IMA(像高)分別在 0.0000ΜΜ、 0.1760MM、0.5280MM、0.7040MM 和 0.8800MM 之 EY(Y 軸橫向像差)和PY(Y軸瞳高)之關係圖,及EX(X轴橫向像 差)和PX(X軸瞳高)之關係圖,如圖所示,本範例之微型影 像擷取透鏡具有足夠小的像差。請參照第6圖,其顯示本 發明一範例微型影像擷取透鏡之色差(lateral color),本範例 之微型影像擷取透鏡可得到良好的色差表現。請參照第7A 圖和第7B圖’其中第7A圖顯示本發明一範例微型影像擷 取透鏡之像場彎曲(field curvature),第7B圖顯示本發明一 範例微型影像摘取透鏡之變形曲線(distortion curve),如圖 所示,本實施例可以得到足夠好的像場彎曲和變形的表 現。請參照第8圖,其顯示本發明一範例微型影像操取透 鏡之相對照度(relative illumination),如圖所示,本實施例 可以得到足夠好的照度表現。請參照第9A圖和第9B圖, 其中第9A圖顯示本發明一範例容忍度分析(t〇ierance analysis)之切線’第9B圖顯示本發明一範例容忍度分析之 弧線’其中容忍度分析係依據±10μιη之偏心錯誤,根據調 變轉換函數(MTF)>40之標準,0.8像場(field),1/4奈奎斯 特頻率(Nyquist frequency)之條件,其良率可以接近1〇〇〇/〇。 根據以上敘述,本發明微型影像擷取透鏡至少具有以 下優點:第一’本發明可以在基板之兩侧形成不同材料的 透鏡模組,以使光學散射最小化。特別是,本發明在基板 0978-A33976TWF 2008-045 14 201035589 之兩側形成不同材料的透鏡模組並不會特別增加製造之費 用,理由是即使是一般的晶圓級透鏡,其基板相對兩邊的 透鏡必須在不同步驟製作。第二,紅外線(IR)濾光層可以 塗佈於玻璃基板的表面。第三,本發明技術製作的透鏡模 組具有較短的總執道長度。 雖然本發明已揭露較佳實施例如上,然其並非用以限 定本發明,任何熟悉此項技藝者,在不脫離本發明之精神 和範圍内,當可做些許更動與潤飾,因此本發明之保護範 〇 圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示使用已發表的透鏡模組系統的影像元件。 第2A圖係顯示本發明第一實施例之晶片設計。 第2B圖係顯示本發明第二實施例之晶片設計。 第2C圖係顯示本發明第三實施例之晶片設計。 第2D圖係顯示本發明第四實施例之晶片設計。 ❹ 第2E圖係顯示本發明第五實施例之晶片設計。 第2F圖係顯示本發明第六實施例之晶片設計。 第2G圖係顯示本發明第七實施例之晶片設計。 第2H圖係顯示本發明第八實施例之晶片設計。 第3圖顯示本發明一透鏡設計之範例。 第4圖顯示本發明一實施例微型影像擷取透鏡之分解 圖。 第5圖顯示本發明一範例微型影像擷取透鏡之像差曲 線。 0978-A33976TWF 2008-045 15 201035589 第6圖顯不本發明一範例微型影像擷取透鏡之色差。 ^第7A圖顯不本發明一範例微型影像擷取透鏡之像場 彎曲。 第7B圖顯不本發明一範例微型影像擷取透鏡之變形 曲線。 第8圖顯示本發明一範例微型影像擷取透鏡之相對照 度。 第9A圖顯示本發明一範例容忍度分析之切線。 第9B圖顯示本發明一範例容忍度分析之弧線。 【主要元件符號說明】 102〜透鏡模組; 104〜透鏡模組; 202〜第一基板; 204〜第一表面; 206〜第二表面; 208〜第一鏡片群組; 210〜第二基板; 212〜第三表面; 214〜第四表面; 216〜第二鏡片群組; 218〜第一基板; 220〜第一表面; 222〜第二表面; 224〜第一鏡片群組; 226〜第二基板; 228〜第三表面; 230〜第四表面; 232〜第二鏡片群組; 234〜第一基板; 236〜第一表面; 23 8〜第二表面; 240〜第一鏡片群組; 242〜第二基板; 244〜第二表面, 246〜第四表面; 248〜第二鏡片群組; 250〜第一基板; 251〜第一表面; 0978-A33976TWF 2008-045 16 201035589 252〜 第一表面; 253- /第二表面; 254〜 第二表面; 255- -弟一鏡片群組, 256〜第一鏡片群組; 257- /第二基板; 258〜 •第二基板, 259- "第三表面; 260〜 ,第三表面; 261- ;第四表面; 262〜 ‘第四表面; 263- "弟二鏡片群組, 264〜 -第二鏡片群組, 265- 。第一基板; 266〜 -第一基板; 267- -第一表面; 268- -第一表面; 269- -第二表面; 270- /第二表面; 271- "第一鏡片群組; 272〜 /第一鏡片群組; 273- -第二基板; 274- -第二基板; 275- 。第三表面; 276' 第三表面; 277- 。第四表面; 278- -第四表面; 279- 第二鏡片群組, 280- 〃第二鏡片群組, 282- 第一基板; 284- 第一表面; 286- -第二表面; 288- -第一鏡片群組; 290- 。第二基板, 292- 。第三表面; 294- -第四表面; 296- -第二鏡片群組; 298- -第一基板; 302- 。前置玻璃蓋; 304。 -第一表面; 306- -第一基板; 308^ 、第二表面; 310。 、第一透鏡群組; 312, -第二基板, 314^ 、第三表面, 316^ 、第四表面; 318^ 、第二透鏡群組; 319^ -第二間隔物; 32(l· 、後置玻璃蓋; 322^ 、影像平面。 0978-A33976TWF 2008-045 17
Claims (1)
- 201035589 七、申請專利範圍: 使該微型影像擷取透鏡穿 1.一種微型影像擷取透鏡,包括 一孔徑光圈,具有一孔徑, 過該孔徑擷取一影像; 一晶圓級透鏡系統,包括: 一第一透鏡群組,包括: 一第一基板; 及 一第一表面.,位於該第—基板之第—側; 一第二表面,位於該第一基板之第二側; 一第二透鏡群組,包括: 一第二基板; 一第三表面,位於該第二基板之第一侧; 一第四表面,位於該第二基板之第二側; 其中該第一表面,該第二表面,該第三表面, 表面係為非球面,該第一表面和該第二表面之一表面^, :第二表!和該第四表面之一表面具有一高折:係: N〇和一局阿貝數ν〇,該第—表面和該第二表面之另 一表面,和該第三表面和該第四表面之另_表面且有一低 折射係數Nd—i和-低阿貝數VdJ,該高折射純飢係 ^於该低折㈣數NdJ,該高阿貝數Vd—h係大於該低阿 貝數VdJ,該微型影像擷取透鏡符合以下條件: Nd_h = 1.58-1.62 ; Nd_l = 1.48〜1.53 ; NdJ / Nd_h = 0.91-0.97 ; Vd_h = 35-45 ; 0978-A33976TWF 2008-045 18 201035589 VdJ = 25〜35 ;且 VdJ / Vd__h = 1.2〜2.2。 申请專利範圍第1項所述之微型影像擷取透鏡, /、中該第一表面具有該高折射係數Nd—h、該高阿貝數別h 和凸面形狀,該第二表面具有該低折射 阿 貝數VdJ和凹面形肤,诗楚_主工 ~及低,叮 ' 面狀該弟二表面具有該高折射係數 Ο Ο 则』、該㈣貝數VdJi和凸面形狀,該第四表面具有該 低折射係數NdJ、該低阿貝數VdJ和凹面形狀。 3.^睛相範圍第丨項所述之微㈣像齡透鏡, 八一第表面具有該低折射係數Nd_l、該低阿貝數Vdj 矛凸面H該第二表面具有該高折射係數Nd_h、該高阿 :數Vd_h和凹面形狀,該第三表面具有該低折射係數 _ =低阿賤VdJ和凸面形狀,該第四表面具有該高 糸Nd-h、該鬲阿貝數Vd一h和凹面形狀。 1广.如中凊專利範圍第i項所述之微型影像擷取透鏡, 其中該第-表面具有該高折射係數Nd—h、該高阿貝數別―h 和凸面形狀’該第二表面具有該低折射係數爾」、該低阿 貝數Vd_l和凹面形狀,該第三表面具有該低折射係數 Nd—1、該低阿貝數VdJ和凹面形狀,該第四表面具有該高 折射係數Nd—h、該高阿貝數vd_h和凸面形狀。 =申請專利範圍第丨項所述之微型影絲取透鏡, 八中k苐表面具有該低折射係數Nd_l、該低阿貝數1 和凸面形狀’該第二表面具有該高折射係數Ndji、該高阿 貝數Vd—h和凹面形狀,該第三表面具有該高折射係數 Nd—h、該高阿貝數VdJi和凹面形狀,該第四表面具有該 0978-A33976TWF—2008-045 19 201035589 低折射係數NdJ、該低阿貝數vdj和凸面形狀。 6.如申請專利範圍第1項所述之微型影像擷取透鏡, 其中該第一表面具有該高折射係數NdJl、該高阿貝數vd』 和凹面形狀,該第二表面具有該低折射係數NdJ、該低阿 貝數Vd—Ι和凸面形狀,該第三表面具有該低折射係數 NdJ、該低阿貝數VdJ和凸面形狀,該第四表面具有該高 折射係數Nd—h、該高阿貝數vd—h和凹面形狀。 1 申請專利範圍第1項所述之微型影像擷取透鏡, 其中該第一表面具有該低折射係數N dJ、該低阿貝數v d t 和凹面形狀,該第二表面具有該高折射係數Nd—h、該高阿 貝數Vd—h和凸面形狀,該第三表面具有該高折射係數 N(Lh、该南阿貝數Vd—h和凸面形狀,該第四表面具有該 低折射係數NdJ、該低阿貝數vdj和凹面形狀。 复8.如申請專利範圍第1項所述之微型影像擷取透鏡, ’、中°亥第一表面具有該高折射係數Nd_h、該高阿貝數h 和凹面形狀,該第二表面具有該低折射係數NdJ、該低阿 貝數Vd一1和凸面形狀,該第三表面具有該高折射係數 該同阿貝數Vd—h和凹面形狀,該第四表面具有該 低折射係數Nd j、該低阿貝數vdj和凸面形狀。 复9·如申請專利範圍第1項所述之微型影像擷取透鏡, 、中該第一表面具有該低折射係數j、該低阿貝數Vd工 =凹面形狀,該第二表面具有該高折射係數Nd—h、該高阿 =數Vd—h和凸面形狀,該第三表面具有該低折射係數 、該低阿貝數Vdj和凹面形狀,該第四表面具有該高 斤射係數Nd-h、該高阿貝數Vd_h和凸面形狀。 0978'A33976TWF_2008-045 201035589 ιο·如申請專利範圍第丨項所述之微型影像擷取透 鏡:其中該第-表面和該第二表面係以不同材料組成,該 第二表面和該第四表面係以不同材料組成。 11. 如申請專利範圍第丨項所述之微型影像擷取透 鏡,更包括一第一間隔物,位於該第一透鏡群組和該第二 透鏡群組間。 12. 如申請專利範圍第丨項所述之微型影像擷取透 鏡,更包括一紅外線(IR)濾光層,塗佈在該第一透鏡群組 〇 之第一表面上。 13. 如申請專利範圍第】項所述之微型影像擷取透 鏡,更包括一後玻璃蓋與一位於該後玻璃蓋和該第二透鏡 群組間之第二間隔物。 M.如申請專利範圍第1項所述之微型影像擷取透 鏡,其中根據該第一表面、該第二表面、該第三表面和該 第四表面在該特定條件下,該微型影像擷取透鏡係減少光 學散射。 〇 15.如申請專利範圍第1項所述之微型影像擷取透 鏡’其中每一該第一表面和該第二表面之寬高比小於每一 該第三表面和該第四表面之寬高比。 16. —種微型影像擷取透鏡,包括: 一孔徑光圈’具有一孔徑,使該微型影像擷取透鏡穿 過該孔徑擷取一影像; 一晶圓級透鏡系統,包括: 一第一透鏡群組,包括: 一第一基板; 0978-A33976TWF 2008-045 ·— *71 201035589 一第一表面,位於該第一基板之第一側; 一第二表面,位於該第一基板之第二側;及 一第二透鏡群组,包括: 一第二基板; 表面,位於該第二基板之第 一第四表面,位於該第二基板之第二側; 其中該第-表面’該第二表面,該第三表 表面係為非球面,該第—表 第四 兮筮m 衣面和3亥第一表面之一表面,和 :第二表面和該第四表面之一表面具有一高 一主 —及弟表面和该第二表面之另 -表面’和該第三表面和該第四表面之另一表面具有一低 折射係數Nd 1和一低阿目盤彳斗> " 丄一—簡貝數Vd」,該向折射係數Ndji係 大於該低折射係數Nd 1,兮古psi•目奴u〆 一該间阿貝數Vd_h係大於該低阿 、 -,該微型影像擷取透鏡符合以下條件: = 1.58〜1.62 ; Nd_l = 1.48-1.53 ; Nd_l / Nd_h = 0.91-0.97 ; Vd_h = 35-45 ; Vd」=25〜35 ;且 VdJ / Vd_h = 1.2〜2.2, 其中該第一表面和該第二表面之一表面係為凸面,該 第表面和邊第二表面之另一表面係為凹面,該第三表面 和遠第四表面之一表面係為凸面,該第三表面和該第四表 面之另一表面係為凹面。 π.如申請專利範圍第16項所述之微型影像擷取透 〇978-A33976TWF_2008-045 201035589 該第一表面和該第二表面係以不同材料組成,該 ^和該第四表面係以不同材料組成。。 土如申請專利範圍第16項所述之微型影像揭取透 =,矣、根據該第-表面、該第二表面、該第三表面和該 四面在該特定條件下,該微型影像擷取透鏡係減少光 學散射。 如申請專利範圍第16項所述之微型影像擷取透 鏡,其中每—該第一表面和該第二表面之寬高比小於每一 ❹該第二表面和該第四表面之寬高比。 20.如申請專利範圍第16項所述之微型影像擷取透 鏡,更包括一紅外線(IR)濾光層,塗佈在該第—透鏡群組 之第一表面上。0978-A33976TWF 2008-045 23
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