TW201035386A - Method for purifying indium from waste liquor containing indium - Google Patents

Description

201035386 · 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 銦之=觀化銦之方法，制係指—種從含銦廢液中純化 ’'去’其係應用於半導體等電子材料之領域。 【先前技術】 銦在地殼巾的分佈量很少錄綠，至今未發現_富礦，只在一些 辞:錯等金屬礦中作為雜質的存在，因此銦與類似特徵的鎵m、 錄等7C素-起取稀有金屬，由於金屬銦如此稀少，因此部份_金屬必 C) ^從S銦廢液中純化取得並回收再利用。含銦廢液之來源，如tft-LCD製 程中產^的含ITO之蝴廢液及LED製程中產生含IT〇之侧廢液等等。 目前麵大量運用在LCD產業及太陽能面板中，最大的應用為ΙΤ〇靶 材，其主要細於液晶平面透明導電層的塗佈；_在半導體的應用則是 作為申化餘半導體的Ρ型摻雜原子，在绅化鎵化合物電池也相當常用，姻 還可運用於汽車、機車、飛機的擔風玻璃上及冰櫃的保溫玻璃，且在許多 4示裝置中亦扮演著十分重要的角色。由此可知銦是一個相當值得回收的 金屬’同時著3C產業的發達’全球對ιτο的需求量也隨之增加，更使 得金屬銦供不應求。 © 目前純化銦之方法，有昇華法、區域熔煉法、真空蒸餾法、金屬有機 物法、離子交換法及萃取法等，但本發明提供一種新的純化銦之方法，其 能將金屬銦純化至4Ν (99.99 wt%)，以適用於半導體等電子材料。再者， 含銦廢液(如ITO之蝕刻廢液)中具有銦化合物(如硫酸銦)的毒性物質，如排 放到環境中會對人體造成危害或增加處理含銦廢液之成本及花費，本發明 能避免含銦廢液排放到環境中對人體造成之危害或減少額外處理含銦廢液 之成本及花費。 【發明内容】 本發明之主要目的，在於提供一種新的從含銦廢液中純化銦之方法，其能 3 201035386 f 將金屬銦純化至4N (99.99罐），以適用於半導體等電子材料。 避要目的’在於提供—種從含銦廢液中純化銦之方法，其能 環射對人體造成之危害錢少處理含銦廢液之 二、.:目的本發明提供一種從含銦廢液中純化銦之方法，其步 =步電解含銦廢液得到含雜f ;將該含㈣_固體溶 析出並斜;將雜質析出物加人該含雜⑽銦溶液後， 到純度簡歲銦固i的含姻溶液；及電解該純化的含銦溶液，得 兹為使貴審查委員對本發明之技娜 之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細之說明，步 【實施方式】 本發明從含崎财純化10之綠，其步驟包括： S11初步電解含銦廢液得到含雜質的姻固體； 犯將該含雜質的_體溶於酸中，得到含雜質的銦溶液；

S13將雜質析出物加入該含雜質的銦溶液後析出並移除該雜質，得 到純化的含銦溶液；及 SH電解摘化的含銦溶液’得到純度9娜奶％之姻固體。 ^1、中su之步驟中’使用一碳陽極(或DSA陽電極或翻/鈦陽極)及一 "電解該含銦廢液，且使用之電流密度為2.5〜8ASD，較佳電流密肩 4 6ASD。仙雜陰極及該碳陽極來電解該含銦廢液之步射，該含雜 的銦固體生成速率為5〜l〇g/h。 S12之步驟中，該酸為鹽酸(硝酸 為450 g/卜 、硫酸）’且該含雜質的銦溶液之濃度 4 201035386 S13之步驟中，該雜質析出物為硫化物且該硫化物為硫化氫。 S13步驟中，更包括使用—過遽之步驟移除該雜質，且該純化的含銦溶液中 之雜質濃度小於10 ppm。 si4之步驟中’更包括使用一銘/鈦陽極(或DSA陽極)及一欽陰極電解 該純化的含銦溶液，且使狀電流密度為2 5〜8ASD，該純度9999識之 銦固體生成速率為5〜10g/h。 較佳實施例 1. 使用-碳陽極及-鈦陰極及含銷電解液5000ml (面板廠侧液，包含鹽 0 I、草酸與酸)來電解’初步得到含雜質的10固體5〇Og。電解時使用 之電流密度(ASD)為2.5〜8ASD(電流密度(ASD)=電鍵槽通電的安培數 (Amp)/電鍍面積(dm2)，且該含雜質的銦固體生成速率為5〜1〇帥。 2. 將該含雜質的銦固體500g溶於32wt% 1〇〇_的鹽酸水溶液中，得 度為450 g/Ι的含雜質的銦溶液。 3. 將50L硫化氫加入該含雜質的鋼溶液後，析出該雜質(錫、銅、錄、鐵 等)後，經由-渡膜(ADVANTEC 5C队㈣過據得到濃度為顿队純 化的含姆液綱_，氣的含娜射之雜魏度小於1〇_。 4. 使用-翻/鈦陽極(或DSA陽極)及一鈦陰極、電解液為鹽酸鋼水溶液、 〇 電流贿為2·5〜8ASD電_純⑽含贿液，即得舰度99 99 _ 之細體’該純度99.99wt%之銦g]體的生成速率為5〜1〇g/h。 〇 本發明從含銦廢液中純化銦之方法具有以下之優點： 1.能從含銦廢液中將金屬銦純化至4N (9999wt%)，以適用於 電子材料。 ^ 2. 由於回收含銦廢液並再利用 造成之傷害。 故能避免含銦廢液排放到環境中對人體所 3.減少額外處理含銦廢液之時間、成本及花費。 綜上所述’本發明實為一具有新賴性、進步性及可供產業上利 應符合我國專利法專利申請要件無疑，爰依法提出發明專利申請，祈釣 5 201035386 局早曰賜准專利，至感為禱。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例 實施之範®，故舉凡依本發”請專 麟絲限定本發明 變化與舞，均魏括财㈣之㈣概捕撕為之均等 【圖式簡單說明】 第-圖係本發觀含銦廢財純化銦之方法的步驟流雜。 【主要元件符號說明】 sii #步^：解含麵祕縣雜冑的姻固體 S12將該含雜質的_體溶於酸中，得到含雜質的銦溶液 將雜質析出物加入該含雜質的銦溶液後，析出並移除該雜質，得 到純化的含銦溶液 電解°亥純化的含銦溶液，得到純度99.99 wt%之銦固體

Claims (1)

1. 201035386 七、申請專利範圍： 1. 一種從含銦廢液中純化鋼之方法，其步驟包括·· 初步電解含銦廢液得到含雜質的銦固體； 將該含雜質的_體溶於酸巾，制含师_溶液； 析出並移除該雜質，得到純 將雜質析出物加人該含雜質的銦溶液後， 化的含銦溶液，·及 2. 電解該純倾输錄，制純度99.99 wt%之銦固體。 如申請專利範圍第i項所述之從含姻廢液中純化銦之方法 3. 觸含剛銦關之靖，制—碳陽極(或隐 陽和成始/鈦陽極)及一鈦陰極來電解該含銦廢液。 :清專利範圍第！項所述之從含銦廢液中純化銦之方法，1中使用該 或_陽極細鈦陽極)來電解該含錮廢液之步^ 中使用之電流密度為2.5〜8ASD。 .如申吻專利範圍第3項所述之從含銦廢液中純化銦之方法，里中使用咳 H及該雜極來電解該含崎液之步辦，使狀電錄佳密度Ϊ 5. 〇 π專利範圍第1項所述之從含銦廢液巾純化銦之方法，其中使用該 鈦^極及該碳陽極(或DSA陽極或#/鈦陽極)來電麟含銦廢液。° =明專她圍第1項所述之從含銦廢液中純化銦之方法，其中將該含 細體溶於酸中，得到含雜質的銦溶液之步驟中，該酸為鹽酸。 4專利範圍第1項所述之從含銦紐巾純化銦之方法，其中將該含 ^質的細體溶於财，得縣«_絲之师巾，該含雜質的銦 洛液之濃度為450g/l。 、 & ^申請專利範圍第i項所述之從含銦廢液中純化姻之方法，其中將該雜 f析出物加人該含雜質_溶錢，析出並移除該滅，得馳化的含 銦溶液之步驟中，該雜質析出物為硫化物。 7 201035386 9. 如申請專利範圍第Μ所述之從含銦廢液中純化銦之方法，其中將該雜 質析出物加入該含雜質的娜液後，析出並移除該 =:步驟中，更包括使用-猶之步规移―= 钢溶液中之雜質濃度小於10ppm。 10. 如申請專利範圍第w所述之從含銦廢液中純化銦之方法，其中電解該 純化的含銦溶液，得到該純度99.99wt%之銦固體之步驟中，更包括使" 用-始/鈦陽極(或DSA電極)及-鈦陰極電解該純化的含鋼溶液Y 11·如申請專利範圍第11項所述之從含銦廢液中純化銦之方法，其情用 該鉑/鈦陽極及該鈦陰極電解該純化的含銦溶液之步驟 ” 密度為2.5〜8ASD。 ’，賴之電流