TW201035001A - Refractory product with high zirconia content - Google Patents

Description

201035001 . 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有高氧化鍅含量之新穎熔鑄埘火 產物。 【先前技術】 在耐火產物中，熟知用於構建玻璃熔融爐之熔鑄產物 與燒結產物之間存在區別。 不同於燒結產物，熔鑄產物最常包括連接結晶晶粒之 晶粒間玻璃相。燒結產物及熔鑄產物所造成之問題不同， 因此解決該等問題所採用之技術解決方案一般亦不同。因 此，一種開發用於製造燒結產物之組成物顯然不適用於製 造熔鑄產物，反之亦然。 熔鑄產物常被稱為電溶合產物，其係藉由在電弧爐中 溶融合適原料之混合物或利用適用於該等產物之任一其他

技術而獲得。㈣隨後㈣鑄至模具中，且所得產物接著 =又控制冷部循環以恢復室溫而不破裂。熟習此項技術者 亦將此項操作稱為「退火」。 重量^鑄產物中’具有高氧化錄含量，亦即包括超過μ 高耐：性乳：：(Zr〇2)之電溶合產物之顯著特性在於其極 慣常地：製造之玻璃著色且不會產生缺陷。 (一，/避免有由t氧化錯含量之料產物亦包括氧化納 錯石。當物中之氧化錯與二氧化石夕形成 。之形成伴隨有約20%之體積減小時，其實際 5 201035001 上為有害的，由此在裂痕起點處產生機械應力。 由Samt-Gobain SEFPRO製造及銷售且涵蓋於專利 EP-B-403 3 87中之產品ER-1195現今廣泛用於玻璃熔融爐 中。其化學組成包含約94%之氧化錘、4%至5%之二氧化 矽約1/(>之氧化鋁' 0.3%之氧化鈉及小於〇 〇5重量％之 P2〇5。其為用於玻璃製造爐之典型的具有高氧化鍅含量之產 物。 FR 2 701 022描述具有高氧化鍅含量之熔鑄產物，該等 溶缚產物含有0·05至U重量％之PA及〇〇5至1 〇重量 %之三氧化二硼Bar此等產物具有高電阻率。藉此，其 可能宜穩定玻璃電熔融期間之耗電量且避免在耐火產物中 出現任何會導致其快速降解之短路問題。實際上，在玻璃 電溶_ ’部分電流通過該等耐火產物。增加此等耐火 產物之電阻率能夠使能夠流經其之電流量減少。 ▲ WO 2005 〇68393描述具有高氧化結含量之溶鑄產物， 該等炫鑄產物具有高電阻率，同時將BaQ、SK)、Mg〇、Ca〇 P2〇5、Na2〇及κ2〇含量降至最低。針對氧化紹含量介於⑸ 與2.5%之間，此等產物含有0·ι至1.2重量％之β2〇3。 ㈣285173描述具有高氧化錯含量之溶鑄產物，針對 二氧切含量小於6.5%，該等料產物具有優良電阻率及 k破裂性。 …一 2卞曲營 之玻璃板會增加對玻璃熔融爐之耐火產物的要求 之’需要無須借助於摻雜劑而具有進—步增強的電阻率 201035001 耐火產物6 本發明旨在滿足此需要。 【發明内容】 更特疋言之，本發明係關於一種熔鑄耐火產物，其包 含以下質量百分比之各氧化物且該等氧化物之總量為 100% ： 補足餘數至100%; 7.0%至 12.5% ; 0.2%至 0.8% ; < 0.10% ； 0.3%至 1.5% ; < 0.4% ； < 0.15% ； < 0.55% ； < 1.5% ； 即「A/B」比小於或 Ο Ο -Zr02 + Hf2〇 : -Si02 : -ai2〇3 : -Na20 + κ20 : Β203 :

-CaO + SrO + MgO + ZnO + BaO P2〇5 : -Fe2〇3 + xi〇2 ： 其他氧化物物質：

Al2〇3質量含量/ b203質量含量 等於2.0。 如稍後可見，本發明者已意外地發現，具有該組成之 本發明產物可能具有改良電阻率。 本發明之耐火產物可能接著包括一或多個以下可選特 徵： -Al2〇3質量含量/ b203質量含量，即「A/B」比小於或 荨於1 · 8，較佳小於1.5 ’較佳小於1.2 ’ ·$父佳小於1. 〇 ’小 7 201035001 於〇·8或甚至小於0.7。 八丨2〇3質篁含量/ Β2〇3質量含量，即「Α/Β」比大於0.1， 或甚至大於〇·2，或甚至大於0.3。 氧化矽（SiCh)之質量含量小於或等於11〇%，或 甚至J於或等⑨1〇 〇% ,或甚至小於或等於Μ。，。。 氧化矽（Si〇2)之質量含量大於或等於7.5%，大於 或等於7_7%，或甚至大於或等於8 〇%。 氧化鋁（Ai2〇3)之質量含量小於或等於〇.7%，或甚 至小於或等於〇.6%，或甚至小於或等於〇 5%。 _Al2〇3之質量含量大於或等於0.25%，大於或等於 〇·3%。在一具體實例中，此含量大於或等於0.4%。 -氧化I呂（Al2〇3 )僅以雜質形式存在。 (Na2〇 + κ20 )之質量含量小於或等於〇〇5%，或甚 至小於或等於0.03%。 -Β2〇3之質量含量大於或等於〇 35%，或甚至大於或等 於0.4%，或甚至大於或等於〇 5%。 -Β2〇3之質量含量小於或等於12%，或甚至小於或等於 Ι.Ο/ό或甚至小於或專於0.80%，或小於或等於0.75%，或 小於或等於0.70%，或小於或等於0.65%。 -Ρ2〇5之質量含量小於或等於0.05%。 -氧化鐵及/或氧化鈦及/或氧化妈及/或氧化錄及/或氧 化鋇及/或氧化鎂及/或乳化鋅及/或五氧化二碟僅以雜質形 式存在。 -氧化鐵及/或氧化缺Fe2〇3 + Ti02之質量含量小於 201035001 〇.4°/°，較佳小於0.3%，較佳小於0.2%。 •氧化鈣及/或氧化锶及/或氧化鋇及/或氧化鎂及/或氧 化鋅之質量含量小於0.2%，較佳小於0.1%。 -氧化鈣及/或氧化鎇及/或氧化鋇及/或氧化鎂及/或氧 化鋅Ca〇 + Sr〇 + Ba〇 + Mg〇 + Zn〇之總質量含量小於 0.3% ’較佳小於〇.2〇/〇。 -「其他氧化物物質」之總質量含量小於1 .〇%。 -「其他氧化物物質」僅由雜質組成，且「其他氧化物 物質」之總質量含量小於0.6% ’小於〇 5%，或甚至小於 0.3%。 -產物包括質量含量大於或等於〇」％，較佳大於或等於 0.2%，較佳大於或等於〇_25%及/或小於或等於1.3%，小於 或等於1 ·0%，較佳小於或等於〇·9%，更佳小於或等於〇.6% 之選自Nb2〇5、Ta2〇5及其混合物的換雜劑。 -Zr02 / ( Nb205 + Ta205 )之莫耳比介於 2〇〇 與 35〇 之 間〇 ❹ -Zr〇2 / ( Nb205 + Ta205 )之莫耳比大於 250。 •摻雜劑Ta2〇5之質量含量大於或等於〇1%，較佳大於 或等於0_2。/〇,及/或小於或等於1·2%，較佳小於或等於〇.6〇/〇β -摻雜劑Nb2〇5之質量含量大於或等於〇.丨〇/❶，較佳大於 或等於0.2%，及/或小於或等於1_0%’較佳小於或等於〇 6%。 -在一具體實例中，Nb2〇s + Ta2〇5之總質量含量小於或 等於0.6%。 -二氧化矽（SiCh)之質量含量大於或等於8.0%且小於 9 201035001 或等於10.0%，且選自Nb2〇5、Ta2〇5及其混合物之摻雜劑 的質量含量小於或等於0.6%。 -三氧化二釔（Y2〇3 )之質量含量小於或等於1%，較佳 小於0 · 5 °/〇 ’更佳小於0 · 3 % ’或甚至小於〇 · 2 %。 -在一具體實例中，BaO含量小於〇 1〇%，或實質上為 零。 _本發明不包括專利申請案第w〇 2〇〇7 〇99 號、第 PCT/FR2008/051516 號及第 PCT/FR2〇〇8/〇5i5i5 號（及同族 專利申請案）中所揭示之產&，且尤其不包括此等專利申 5月案之實施例中的產物。 I本發明不包括下列呈22〇 χ 45〇 χ 15〇mm3之塊狀或 呈直住為30 mm且高度為3〇 mm之圓柱棒狀的產物，其組 成由以下質量百分比之各氧化物提供：

•在一 包括在内 -在 - /、體實例中’所有具有上表中之組成之產物皆不 無論其為何種形式。 〃體Λ例中，所有組成接近於上表中之至少一種 10 201035001 組成的產物皆不包括在内。在不考慮第一種組成之相關組 分的情況下’當第一種組成中該組分之含量與第二種組成 中該組分之含量的絕對差異以質量百分比計小於〇.丨〇% 時’認為第一種組成「接近」於第二種組成。 在一較佳具體實例中，Si〇2 < 11.0%，較佳Si〇2 < 10.0%，且 Ta2〇5 + Nb2〇5 <1·〇%，較佳 Nb205 S0.6%。 更佳地， -Si〇2 S1〇.〇〇/0且 Ta2〇5 + Nb2〇5 d 〇%，其中則2〇5 < 0.6%，且 -Na20 + K2〇 〇5%，或甚至 Na2〇 + κ2〇 <〇 〇3%， 且 -CaO + SrO + MgO + ZnO + Ba〇 < 〇·3%，或甚至 ca〇 h

SrO + Mg〇 + Zn〇 + Ba0 < 〇 2%，且 -BaO < 〇·ι〇/〇，且

-Fe2〇3 + Ti〇2 < 0.3%，且 -Y2〇3 < 0.3%。 本發明亦係關於一種製造本發明之耐火產物的方法， 其包含以下連續步驟： 3)混合原料以獲得初始負載； b)溶融該初始負載直至獲得熔料； )澆鑄s亥熔料且藉由冷卻使其凝固，以獲得耐火產 卞今 顯者之處在於，該等原料係經選擇使得該耐 火產物符合本發明。 11 201035001 較佳地，系統且有條理地添加需要極少含量之氧化 尤，、Zr〇2、Si〇2、B2〇3或此等氧化物之前驅體。較佳 地，考慮慣常將此等氧化物視為雜質之其他氧化物來源中 此等氧化物之含量。 杈佳控制冷卻，以便較佳以每小時小於2(TC之速率進 行冷卻，較佳以每小時約1〇t之速率進行冷卻。 本發明亦係關於一種包括本發明之耐火產物或根據本 發明方法製造之耐火產物或能夠根據本發明方法製造之耐 火產物的玻璃熔融爐，詳言之，該玻璃熔融爐意欲在—定 區域中與熔融玻璃接觸。在本發明之爐中，耐火產物宜成 為藉由熔融、尤其藉由電熔融製備玻璃之容器的一部分， 在該容器中耐火產物能夠在以上之溫度下開始與熔 融玻璃接觸。 定義 氧化物質量含量係指根據通常工業慣例，各表示為最 穩定氧化物之對應化學元素的整體含量；因此，次氧化物 及可能存在之氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氧化物、碳 氮化物或甚至上述元素中之金屬物質亦包括在内。 「熔料（molten material)」為液體塊，為保持其形狀， 應將其容納於容器中。熔料可能含有少量固體粒子，但固 體粒子之量不足以使其能夠構成該塊狀物。 「雜質（impurities )」意謂偶然但亦必然與原料一起引 入或由該等組分反應所產生之不可避免的組分。雜質非所 需組分’而僅為容許存在之組分。例如，鐵、鈦、飢及絡 12 201035001 之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氧化物、碳氮 化物及金屬物質之群中之部分化合物為雜質。 除非另外指明，否則所描述且主張之產物中所有氧化 物之含量均為該等氧化物之質量百分比。 【實施方式】 在本發明之具有尚氧化鍅（Zr〇2)含量的熔鑄產物中， 有τ此滿足以下需纟，即纟有高耐钮性，而不會使所製造 之玻璃著色或產生對此玻璃之品質有害的缺陷。 在藉由熔融而獲得之產物中，Hf〇2無法以化學方法與

Zr〇2分離。因此，在此類產物之化學組成中，心〇2 + Hf〇2 表不該兩種氧化物的總含量。然而，根據本發明，初始負 載中之Hf〇2並非特思添加的。因此，僅表示痕量二氧 化給，該氧化物始終以一般小於2%之含量天然存在於氧化 錯來源中。因此，為清晰起見，可由Zr〇2 + Hf〇2或由Zr〇2 D 或另外由「氧化鍅含量」表示氧化鍅含量及二氧化铪微含 量。 在本發明產物中，二氧化铪Hf02含量小於或等於5%， 一般小於或等於2%。 一氧化矽Si〇2之存在尤其會導致形成晶粒間玻璃相， 晶粒間玻璃相在氧化鍅發生可逆性同素異形變態期間（亦 即，自單斜晶相變化為四方晶相時）能夠有效地調節其體 積化。在質量含量大於7〇%之二氧化石夕（si〇〇存在下， 可獲得南電阻率。 13 201035001 ^方面，所添加之二氧化矽不應超過12.5%，因為添 力氧化石夕會對氧化鍅含量造成不利影響且因此可對财银 〖、成不利影響β另外，過尚二氧化矽含量可藉由釋放石 塊（由於產物喪失内聚力而產生之财火產物碎片）而在玻 璃中產生缺陷，這在應用時被視為不良行為。 ^氧化鋁之存在會促進穩定破璃相形成且會改良產物在 模’、中的可鑄性。含量過高會導致玻璃相不穩$ (形成晶 體）’其對可行性產生消㈣響，尤其在三氧化二硼存在下 如此。因Λ ’氧化18質量含量應保持低於0.8%。 在本發明產物中，認為氧化物Na2〇及κ2〇具有類似效 應。

NaaO及Re氧化物對電阻率具有反效應。因此，Ν&0 + K2〇之質量含量應小於0.1%。 ⑽旦Β2〇3質量含量之存在比例使得αι2ο3質量含量/ β2〇3 負里3夏（即Α/Β比）小於或等於2，由此增加電阻率。 根據本發明’ Fe2〇3 + Ti〇2之質量含量小於〇·55%且 Ρ2〇5之質里含量小於〇 15% ’較佳小於〇1〇%，更佳小於 0.05%。實際上，已知該等氧化物為有害的，且其作為雜質 一原料起引入時的含量應較佳限於痕量。 「其他氧化物物質」為以上未列出之物質，亦即，除

Zr〇2 邱〇、Sl〇2、Α12〇3、Na20、κ20、Β2〇3、CaO、SrO、

BaO Mg〇 ' Ζη〇、PA、卜2〇3及丁⑴2以外的物質。詳言 之Nb2〇5及Ta2〇5屬於「其他氧化物物質」。 在一具體實例中，「其他氧化物物質」限於非特別需要 14 201035001 存在且一般以雜質形式存在於原料中之物質。 在另—具體實例中，「其他氧化物物質」亦可能包含宜 存,之物質。因此，在一具體實例中，產物宜包括：少 0:1/。、較佳至少02%之可能進一步改良電阻率的摻雜劑， 丄 2〇5、Ta2〇5或其混合物。然而，摻雜劑質量含量較 佺小於或等於1〇%，較佳小於或等於〇 9%，更佳 於0.6%。 义4寺 在一具體實例中’「其他氧化物物質」既不包括風办， 亦不包括Ta2〇5 (產物不含此等氧化物）。 償:地，在溶鑄產物中，氧化物佔產物質量之％ 5%以 :此99%以上’或實質上1〇〇%。上述情況亦適用於本發明 本發明產物慣常可根據下述步驟a)至c)來製造： a) 混合原料以形成初始負載； b) 熔融s亥初始負載直至獲得熔料； 〇物。）藉由冷卻使該熔料凝固，以獲得本發明之耐火產 旦在步驟y中’原料係經選擇以保證成品中氧化物之含 在步驟b)中’較佳藉助於不會引起你於且+ 弧與促進產物再^ θ人 何還原之較長電 . 再氧化之此合的組合作用來實現熔融。 在最終：物ΐ金屬態樣之生料粒的形成減至最少且為避免 融。 形成裂痕或裂紋，較佳在氧化條件下進行熔 15 201035001 優先使用法國專利第！ ,Λ。 寻㈣1 2G8 577號及其增補案第75893 號及第8231G號中所述之長弧溶融方法。 該方法係由以下步驟組成 便用電弧爐，其弧存在於 負載與至少一個遠離該負載 戰之電極之間，及調節弧長度使 付其逛原作用減少至最低鞀庳 ni . ▲ ^ 琅低釭度，同時在熔化浴上方保持氧 化氣氣且藉由弧本身之作用， ^ 或藉由使氧化氣體（例如空

氣或氧氣）在浴中鼓泡戎另M 匕次另外猎由向浴中添加釋放氧氣之 物質（諸如過氧化物或硝酸鹽）來混合該浴。 。之可在2,300 C以上之溫度下，較佳在介於2,4〇〇(^ 與2,50(TC之間之溫度下進行熔融。 在步驟c)中’較佳以每小時小於2〇t之速率，較佳以 母小時約101:之速率進行冷卻。 由此製le之本發明產物由玻璃相所圍繞的氧化鍅晶粒 組成。以質量百分比計超過8〇%、超過9〇%、超過99%或 實#上1 〇〇%之氧化錯可為單斜曰曰曰的。以基於玻璃相之質量 百分比計，玻璃相可包括超過50%或甚至超過70%之二氧 化矽在5%與20%之間的B2〇3及在1〇/〇與20%之間的氧化 鋁。二氧化矽、B2〇3及氧化鋁可佔玻璃相質量之95%以上、 97%以上或實質上ι〇〇%。 亦可應用任何基於意欲應用於玻璃熔融爐中之氧化鍅 來製造熔合產物的習知方法，其限制條件為初始負載之組 成允許獲得組成符合本發明產物之組成的產物。 實施例 給出以下非限制性實施例以達成說明本發明之目的。 16 201035001 在此等實施例中，使用以下原料： -氧化錯，主要含有平均質量為98 5〇/〇之Zr〇2 + Hf〇2、 為 0.2%之 Si〇2 及為 0.02%之 Na20 ; -錯砂’含有33%之二氧化矽； -二氧化二硼，純度超過99%。 在電孤爐中根據標準熔融方法熔融原料，隨後濟鑄熔 料以獲得規格為220 mm X 450 mm X 150 mm之塊。 實施例1對應於由Saint_Gobain SEFpR〇銷售之產品 ER1195 ’且為參考物。 :斤有所彳于產物而έ ,結晶分析顯示由玻璃相圍繞 之單斜晶氧化結晶體通常包括超㉟7()%之二氧化石夕。在玻 璃相中再-人發現二氧化矽以及除氧化鍅以外之其他氧化物 物質全體。 表1給出所得產物之化學分析；此分析為平均整體化 學分析，以質量百分比形式給出。 〇 中 心示該實施例不在本發明内，空方框對 二；3量J於或等於〇 〇5質量％。用「其他氧化物物質」 補足餘數至1 00%。 、 自不同的所得例示性塊上取出直徑為_且高产 3〇 _之產物圓柱棒。分別使此等棒在以啊或 :乂⑽赫％ H㈣1伏特電位差，以分別進行電阻 率量測「_〇」及「R1600」。 進订電阻 17 201035001 矣1

實施例6至9之比較證實，在二氧化矽含量實質上恆 定且不存在Na20的情況下，小於2 G或甚至小於15且甚 至小於0.8之A/B比會引起正效應，實施例9為較佳實施例。 、、-»果亦展示，儘管不存在摻雜劑，但本發明之測試產 物仍具有改良電阻率。 為證實此等最初結果，本發明者結合之1 kg玻璃相 塊上繼續進行其他電阻率量測。分別使此等塊在i，5 0 01或 下以2,5〇〇赫兹之頻率經受i伏特電位差以分別 進行電阻率量測「R15G()」及「R1_r結果概述於表2中。 此等測試證實A/B比之重要性。 --- 表2 ------ —iL-_ 13 ^ϊ〇τη Β2〇3 __在所分; Aun^ 时之玻璃相r Δ /Χ> 7 76.2 ~783^ 7Ζ6~ 9.1 14.7 r\f D 1.6 R1500 (Ω .cm) 2344 —3020 ~ 4074 R1600 (Q.cm) 1259 9.6 8^9 --i2d___ 5.2 1.3 06 1778 3162 13.^ _ 7.2 0.5 3090 2188 73.4 ， 18.6 _15 8 0.4 2285 1504 1Τ3 ^ ----- 18.5 L-_16__ 0.2 — 3548 2630 表2進一步展示，在A/B比為0.6之實施例12中，針 ’十R1500所獲得之最佳效能類似於針對ri6㈧所獲得之最 佳效能。 18 201035001， 當然，本發明不限於所描述且說明之具體實例，該等 具體實例作為說明性及非限制性實施例提供。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無

19

Claims (1)

1. 201035001 七、申請專利範圍： 1*種炫鱗耐火產物，其包括以下質量百分比之各氧化 物且該專氧化物總計為1 〇〇% : Zr02 + Hf2〇 : Si02 : ai2〇3 : Na20 + κ20 ： Β2〇3 ： CaO + SrO + Mg〇 + ΖηΟ + BaO P2〇,: 補足餘數至100% ; 7.0%至 11.0% ; 0.2%至 0.7% ; < 0.10% ； 0.3%至 1.5% ; :< 0.4% ; < 0.15% ; Fe203 + Ti02 : < 0.5 5% ； 其他氧化物物質： <1.5%; 選自Nb2〇5、Ta2〇5及其混合物之摻雜劑的質量含量小 於或等於1.〇〇/0 ; A12〇3質量含量/ b203質量含量，即「A/B」比小於或 專於2.0 ; 不包括呈220 x 450 x 150 mm3之塊或直徑為30 mn 且间度為30 mm之圓柱棒狀的熔鑄產物，該等產物具有以

   量百分比計） Β2〇λ Α120, Nb2〇5 Ta205 Y2O3 BaO 0.6 0.44 0.17 0.13 0.41 0.54 0.74 0.20 0.48 0.44 0.66 0.20 0.49 0.47 0.71 0.20 0.54 0.50 0.76 0.20 0.13 0.53 0.53 0.80 0.19 0.10 0.89 0.54 0.20 0.18 0.03 20 201035001 2. 如^述中請專利範圍之產物，其中該A/B比小於i.5。 3. 如則述申請專利範圍之產物，其中該A/B比小於0.8。 胃4·如别述中請專利範圍中任—項之產物，其包括質量含 量大於或等於〇.1 %之該摻雜劑。 5.如刖述申請專利範圍中任-項之產物，其包括質量含 量小於或等於〇 6%之該接雜劑。 6’如申請專利範圍第丨項至第3項中任—項之產物，复 〇既不包括Nb2〇5 ’亦不包括％〇5。 7·如刖述申請專利範圍中任一項之產物，其中二氧化矽 Si〇2之質量含量小於或等於1〇〇%。 8·如刖述申請專利範圍中任一項之產物，其中二氧化矽 Sl°1之質量含量大於或等於8.0%。 9·如刖述申請專利範圍中任一項之產物，其中Μ〗之 質量含量大於或等於0.5%。 ι〇.如則述申請專利範圍中任一項之產物，其中B2〇3 Q 之質量含量小於或等於1.0〇/〇。 U.如別述申請專利範圍之產物，其中B2〇3之質量含量 小於或等於0.8%。 12.如前述申請專利範圍中任一項之產 六 Τ Λ12υ3 之貝i含量小於或等於0.7% 13·如刖述申請專利範圍中任-項之產物，其中Na2〇 + 之質里3里大於或等於〇〇5%，氧化鐵及/或氧化鈦 21 1 々3 Tl〇1之質量含量小於0.4%，P2〇5之質量含量小於 /等於0.05%’氧化转及/或氧化錄及/或^化鎖及/或氧化鎖 201035001 及/或氧化鋅CaO + SrO + Ba〇 + MgO + ZnO之總質量含量 小於0.3% ’且「其他氧化物物質」之總質量含量小於〇.6〇/。。 14.一種熔鑄耐火產物，其包括以下質量百分比之各氧 ’化物且該等氧化物總計為100%: Zr02 Si02 : ai2o3 ： Na20 + K20 ： Hf20 補足餘數至100% ; 7.0%至 10.0% ; 0.2%至 0.7% ; < 0.10% ； ϋ2υ3 · 0.3%至 1.5% ; CaO + SrO + MgO + ZnO + BaO : < 0.4〇/〇 ; p2〇5 : < 0.15% ； Fe203 + Ti〇2 : < 0.55% ； 其他氧化物物質： <1.5%; Ah〇3質量含量/ B2〇3質量含量，即「A/B」比小於或 等於2.0，Nb205及Ta205之含量使得： Nb205 <0.6% » Nb205 + Ta205 ^1.0% ； 不包括呈220 χ 450 χ 150 mm3之塊或直徑為30 mm 且高度為30 mm之圓柱棒狀的熔鑄產物，該等產物具有以 J化學組成（以各氧化物之質量百分比計）： Zr02 Si02 B2O3 AI2O3 Nb2〇5 Ta205 Y2O3 BaO 91.1 7.5 0.60 0.44 0.17 0.13 八、圖式· (無） 22