TW201032117A - Capacitive touch sensing using an internal capacitor of an analog-to-digital converter (ADC) and a voltage reference - Google Patents

Description

201032117 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電容式接觸感測，且更具體而言，本發明 係關於使用一類比至數位轉換器（ADC)之（内部的）一部分 之一取樣電容器及一電壓參考的電容式接觸感測。 本申請案主張共同擁有的2〇〇9年1月3〇日申請之美國臨 時專利申請案第61/1 48,598號及2009年1月16曰申請之美國 臨時專利申請案第61/145，180號的優先權，二者為Dieter Peter之標題 rCapacitive T〇uch Sensing Using 抓

Capacitor of an Analog-To-Digital Converter (ADC) and a

Voltage Reference」，且為所有目的，該兩案均以引用的 方式併入本文中。 【先前技術】 偵測電容的改變用於許多應用，諸如位準偵測、近接性 偵測、接觸鍵等。偵測電容之改變有多種方式，例如其中 之一為藉由使用一振盪器。該振盪器可為一弛緩振盪器， 其包括與用以產生一頻率之其他頻率決定組件組合之一感 測器電容器。在該振盪器中使用的其他組件（例如電感 器電阻器、電流源等）被假定為穩定的。該弛緩振盪器 亦使用—窗比較器。藉由該感測器電容器、電流值及該窗 比較器的臨限電壓決定該振盪頻率。當該感測器電容器的 電容改變數值，該弛緩振盪器的頻率相應地改變。 存在關於以此方式使用一弛緩振盪器來偵測在電容中之 改變之問題。一問題係一頻率的量測需要某種參考時間基 145800.doc 201032117 準:為偵測在電容中的小改變1中常有的情況是，該參 考時間基準必須非t穩^且可能需要在該參考時間基準量 j電路中使用-共振器或水晶以便區別在頻率中的小改 不P貝的内部電阻器電容器振盪器在此類型電容改變 偵測電路令不具有足夠的穩定性。 富使用4弛緩振i器偵測在電容中之改變時之另一問題 係該他緩振Μ電路的非理想特性。㈣較ϋ的窗大小會 隨，皿度及操作電壓而改變。對於由__電阻器或—電流源/ 槽設定的電流上述亦為真。 —j他緩振蘆器亦產生電子雜訊。可藉由使得該感測器電 谷器及在此電容II上之電壓振幅儘可能小而降低此電子雜 訊。同樣因為該弛緩振盪器之波形信號係三角形或接近三 角形的形狀，其含有豐富的諧波（基本頻率之倍數）。該基 本及諧波可能呈現一電磁干擾（EMI)之問題。 關於該弛緩振i器之又另—問題係其對外部雜訊之敏感

度。該弛緩振盪器具有經設計的高阻抗電路，且可容易地 對外部信號頻率同步化。 該振盪器可為一電感器電容器（LC)振盪器，其中該振盪 器頻率部分地取決於該感測器電容器的電容。該Lc振盪器 具有與該弛緩振盪器類似的問題，除了該振盪器頻率波形 只質上係正弦曲線以外，因此含有比該弛緩振盪器較少及 較低階的諧波。然而，仍需要一穩定時間基準，且由於所 需的電感器及一更複雜的振盪器電路，該組件成本蔣升 局0 145800.doc 201032117 須測電容的改變之另一方式係藉由使用—電荷轉移技 術。該感測器電容器利用-電壓充電，且接著該電壓電荷 被轉移到-積分器，此積分器可為—較大值電容器，或一 較精密電路’如經連接作為_積分器之_運算放大器。在 某一數目的電荷轉移後，決定在該積分器之-積分電容器 上的電壓’此給與在該感測器電容器（未知電容）與該積分 電容器(已知及穩定電容值)之間的比率之一指示。同樣在 某一數目的電荷轉移後，代替決定在該電容器上的電壓， 可使用電荷平衡技術實施一持續量測。 偵測電容的改變之又另一方式係藉由使用一電流源對該 感測器電容器（未知電容）充電並量測達到某一電壓的時間 或在-時間週期後量測達到的電麗。為保持料「在一電 壓的：間」量測的「可量測」次數或對於「在一時間的電 壓^ 1測之「可设定」次數，該充電電流變得非常低。該 電机源產生與對於該他緩振I器所提到相同的組件穩定性 問題。此等電荷轉移技術都需要使用—外部電容器作為一 積分器。上文描述的該等振盪器電路需要專門的振盪器電 路及高穩定性時間基準。 【發明内容】 因此需要的是-種在無須昂貴的額外外部組件、高穩定 性時間基準及/或具有固有麵問題之振i器的情況下決定 在電谷中的小改變之方式。此係、根據本發明之教示藉由將 在一，位器件中之—_比至數位轉換器（ADC)的-内部取 樣電谷态充電至，卜參考電壓㈣透過在該丨位器件内部之 145800.doc 201032117 —低電阻開關而轉蒋A兮μ a 轉移在該内部取樣電容器上 何到一外部未知 一4ή 成。在該電荷轉移\；^如’接觸感測器電容器）而達 器上的電壓電荷二量測殘留在該内部取樣電容 電容m “已知參考電壓與在從於該内部取樣 ° 初始參考電壓電荷充電該外部電容$ (未知雷 留在该内部取樣電容器上的電壓之間的差被用 於決定該外部電容器的 的^用 部雪交$ & 7 m a丹汉燹，且最後決定該外 :、壬何電容改變，例如指示電容式接觸感測器啟 。或者’該外部電容器可被充電到一參考電壓，接著該 外部電容器被耦接至哕 ° 伐主忒内部取樣電容器（例如，在其上不 :有電荷或具有一已知電荷)且量測在該内部取樣電容器 ^仔《電荷’並用於決定該外部電容器的電容值或 具改變。 ^取樣該外部電容料源阻抗低，且外部雜訊拾取將最 小化。此在不需要專門硬體的情況下升高了雜訊免疫力。 ❹戶斤產生的一積體電路器件之雜訊亦低，因為來自該積體電 路器件之一輸入輸出的任何切換脈衝的持續時間短且可容 易地被過遽。若用於充電該内部或外部電容器的該參考電 壓係從與用於該ADC轉換之電廢參考相同的來源導出，則 錯誤被消除。在溫度及電壓上的穩定性極佳。 若該外部電容器與該内部電容器具有實f上相同的電 容，在該内部電容器上殘留的電屋電荷係在該内部電容器 隨後被㈣至該外部電容器前用於將其充電的該參考電磨 的一半，或反之亦然。因此為最大化解析度，有利的是使 145800.doc 201032117 用於充電該内部或外部電容器的該電壓儘可能高，及使用 於該ADC的一參考電壓儘可能低。用於充電該電容器的該 電壓可為電源供應器電壓，例如Vcc或vdd。該ADC參考 電壓可為Vcc或Vdd、從一内部分壓器導出的Vcc或Vdd之 一部分，其係使用一外部分壓器或一脈衝寬度調變 電路而產生，或者使用一内部絕對電壓參考（例如，能隙 參考）而產生。過渡取樣亦可用於升高該ADC的解析度。 根據本發明之一特殊實例實施例，一種用於利用一積體 電路器件決定—外部電容器之—電容的方法，該方法包括 以下步驟··將在—積體電路器件中之一内部電容器從一電 壓：考充電到一第—電壓，請内部電容器具有一已知 電容；利用在該積體電路器件中之—類比至數位轉換器 ⑽C)量測該第—電壓；利用在該積體電路器件中之一第 -開關放電一外部電容器；湘在該積體電路器件中之一 :電!” ：该内部電容器耦接至該外部電容器致使在該内 上的一些電荷轉移到該外部電容器^用在該積 體電路器件中之該卿量測在㈣部電容器上之—第二電 疋’及利用在該積體電路侔中之一 I ^ & 第-雷严……， 位處理器從所量測 ^斤量測第二電壓及該内部電容3|；^Ρ4 + 算該外部電容器之-電容。 W之已知電容計 ^據本發m特殊實例實施例， “件决…卜部電容器之一電容的方 括以下步驟：將在__ 〜方去匕 到一泉二二積體電路器件中之-内部電容器充電 〃考電壓，其中該内部電容器具有—已知電容；利用 145800.doc 201032117 在該積體電路器件中之一笫„ 电峪益仵中之#開關放電-外部電容器；利 用在該積體電路器件中之一第二開關將該内部電容器輕接 =卜部電容器致使在該内部電容器上的一些電荷轉移到 -夕邛電容器；利用在該積體電路器件中之一類比至數 轉換器(ADC)量測在該内部電容器上之一電壓；及利用在 該積體電路器件中之一數位處理器從參考電壓、所量則之 e ο 該内部電容器上的電壓及該内部電容器之已知電容計算兮 外部電容器之一電容。 ^ 根據本發明之又另—特殊實例實施例，—種用於利用一 積體電路器件決定—外部電容器之—電容的方法，該方法 匕括以下步驟.將一外部電容器充電到一參考電壓；放電 在-積體電路器件中之—内部電容器，其中該内部電容器 ^ =知電容；利用在該積體電路器件中之—開關將該 邛電容器耦接至該内部電容器致使在該外部電容器上之 -些電荷轉移到該内部電容器；利用在該積體電路器件中 之-類比至數位轉換器（ADC)量測在該㈣電容器上之一 :堅及二用在電路器件中之-數位處理器從參考 電壓所篁測之該内部電容器上的電壓及該内部電容器之 已知電容計算料料容ϋ之-電容。 ° 根據本發明之又另—特殊實例實施例，-種用於利用— 積體電路器件價測一外部電容器的電容中之一改變之方 法，該方法包括以下丰 下步驟：（a)將在一積體電路器件中之一 内部電容器充電到_參考電壓；刚用在該積體電路器件 中之一第一開關放雷_ ^ 外部電容器·，（c)利用在該積體電路 145800.doc 201032117 器件中之一第二開關將該内部電容器耦接至該外部電容器 致使在該内部電容器上的一些電荷轉移到該外部電容器； (d)利用在該積體電路器件中之一類比至數位轉換器 量測在該内部電容器上之一電壓；（e)利用在該積體電路器 件中之一數位處理器比較所量測的該内部電容器上的電壓 與一先前所量測電壓，其中若所量測電壓與先前所量測的 電壓實質上相同，則重複步驟⑷至（e)，且若所量測電壓 不同於該先前所量測電壓，則利用來自該積體電路器件之 一輸出指示該外部電容器之電容已發生一改變；及⑺繼續 重複步驟（a)至（e)。 根據本發明之另一特殊實例實施例，一種用於利用一積 體電路器件偵測複數個外部電容器的電容中之改變之方 法，該方法包括以下步驟：（a)將一積體電路器件中之一内 部電容器充電到一參考電壓；（b)利用在該積體電路器件中 之一第一開關放電該複數個外部電容器之一外部電容器 (η)，其中η係從0至〇1的一整數；（c)利用在該積體電路器件 中之一第二開關將該内部電容器耦接至該外部電容器0)致 使在該内部電容器上的一些電荷轉移到該外部電容器（η); W利用在該積體電路器件中之—類比至數位轉換器（adc) 量測在該内部電容器上之一電壓(n);⑷利用在該積體電 路器件中之一數位處理器比較在該内部電容器上的所量測 電壓⑻與-先前所量測電壓(n)，其中若所量測的電壓⑻ 與先前所量測電壓（η)實質上相同，則到達步驟（f)，且若 所量測電壓⑻不同於先前所量測電壓，則指示已發生該外 145800.doc -10- 201032117 部電容器⑻之電容的—改變；⑴決定4否等於m，其中 右η等於m，則使n為零⑼，且若n小於瓜，則使打增加一 (1);及（g)重複步驟（a)至（f)。 『 Μ本發明之另一特殊實例實施 <列，用於债測一鍵盤之 ，電容式接觸感測器鍵的致動之一裝置包括：一鍵盤矩陣， 其包括複數個電容式接觸感測器鍵；—積體電路器件，其 包括一多工器、-電容式感測電路、-電壓參考、-類比 參至數位轉換器（ADC)及-數位處理器；其中⑷該ADC之一 内部電容器係藉由該電容式感測電路而充電到一參考電 壓，（b)複數個電容式接觸感測器鍵之一外部電容器（〇)係 藉由該電容式感測電路而放電，其中η係從〇至出的一整 數；⑷該ADC之内部電容器係藉由該電容式感測電路而麵 接至該外部電容器（η)致使在該内部電容器上的一些電荷轉 移到•亥外部電谷器（n) ; (d)該ADC量測在該内部電容器上 2一電壓（n) ; (e)該數位處理器比較所量測的在該内部電 • 容器上之電壓（η)與一先前所量測電壓（n)，其中若該所量 測電壓（η)與該先前所量測電壓（n)實質上相同，則前進至 • (f)，且若所量測電壓（n)不同於該先前所量測電壓，則作 出該複數個電容式接觸感測器鍵之外部電容器（η)的電容之 一改變已發生的-指示；(f)若η等於m，則使η為零⑼，且 若η小於m，則使η增加i ;及（§)重複（a)至⑴。 【實施方式】 可藉由結合附圖參考以下說明而獲得本發明其一更完整 的理解。 145800.doc 201032117 雖然本發明容許多種修正及替代形式，其特殊實例實施 例已繪不在圖式中並在本文詳細描述。然而，應理解的 是’本文之特殊實例實施例的說明不希望將本發明限制於 本文所揭不的特殊形式’相反’本發明包含如附加申請專 利範圍定義之所有修正及等效物。 ° 現在參考g式，示意性地說明特殊實例實施例的細節。 在圖式中類似元件將藉由類似數字表示，且類似元件將藉 由具有一不同小寫字母字尾的類似數字而表示。 參考圖1，其描繪根據本發明之教示之被充電的内部電 谷器及外σ卩電谷器的示意圖。Vref 1 02係一電壓參考，其 了為電源供應器電壓Vdd、一分開的Vdd、一絕對電壓 參考（諸如一能隙參考）、來自一數位輸出之一邏輯高位 準、一外部電壓參考等。如將在下文中解釋，Vref 1〇2的 、’、邑對值係不重要的^ —開關i 〇4將該Vref丨〇2耦接至一已知 值的内部電容器108，且開關1〇6將該内部電容器1〇8耦接 至一未知值的外部電容器110。術語「内部」電容器108係 指在一數位器件（例如，分別在圖2、3及4中繪示的數位器 件200、3 〇〇及400)内並為多種目的而與該數位器件的電路 (例如，—類比至數位轉換器（ADC)之取樣電容器）共同使 用之一電容器。 在圖1中所繪示的示意圖（a)中，開關1〇4及106二者均斷 開且在電容器1〇8或11〇上不存在電壓電荷，Va=〇伏特。在 不意圖（b)中繪示開關1〇4閉合且Vref 102被耦接至電容器 108。電容器108藉此藉由來自Vref 102之一電壓Vb而充 145800.doc •12· 201032117 電’其中在該電容器108上的電荷係Q=CV，其中Q係以庫 倫計之電荷’ C係在該電容器1〇8的以法拉計之電容，且v 係以伏特計之電位（Vb)。 " 在示意圖（c)中繪示開關1〇4斷開且開關1〇6閉合，藉此轉 * 移在電容器1⑽上的一些電荷Q到電容器110。電荷Q保持 相同但現在分佈於兩個電容器108與110之間。該電壓Vc現 在為較低，此係因為並聯的電容器1〇8及11〇的經組合電容 φ C較大。現在可容易地從所量測電壓Vb及Vc決定電容器 110的電容值，且電容器108的已知電容值如下： Q=Cl*Vb Q=(Cl + C2)*Vc Cl*Vb=(Cl+C2)*Vc C2*Vc=Cl*(Vb-Vc) C2=Cl*(Vb-Vc)/Vc 可利用從一類比至數位轉換器（ADC)接收Vb& Vc的經數位 Φ 化值之一數位處理器並使用該電容器108的已知電容值而 谷易地執行此等計算。同樣有利的是觀察何時僅在該電容 . 器U〇之電谷值中存在一改變。例如，當該電容器110之一 电谷值對於第一條件（例如電容式接觸感測器未經啟動） 係於第值，且對於一第二條件（例如，電容式接觸感 測器經啟動）係於一第二值，在該電壓值Vc中將存在一改 變。藉由記住先前所量測電壓值¥(;並且比較先前所量測電 壓值Vc與一目前量測的電壓值Vc，一旦一基準電壓值 已被建置並記住（儲存在記憶體中），在某一差（百分比改 145800.doc -13· 201032117 變）上的電壓值Vc的任何改變將指示已啟動一特殊電容式 接觸感測器。根據本發明之教示，當致動為不重要時，無 論該電容式接觸感測器是否升高或降低其電容值，只要自 一先前決定的非致動條件偵測在電壓值V c中之一改變（降 低或升高）。 參考圖2，其描繪根據本發明之一特殊實例實施例的被 充電的内部電容器與外部電容器及於決定該外部電容器之 電容的所量測之内部電容器的電壓之示意圖。—積體電路 器件200包括：一類比至數位轉換器（ADC)218 ; 一數位處 ❿ 理器220 ·’ 一取樣電容器2〇8，其具有一已知電容值；及開 關204、214及216。如所繪示，具有一未知值的一外部電 容器1 ίο被耦接至該積體電路器件2〇〇。Vref係一電壓參考 (例如，圖1之Vref 102)，其可為一電源供應器電壓Vdd、 一分開的Vdd、一絕對電壓參考（諸如一能隙參考）、來自 一數位輸出之一邏輯高位準、一外部電壓參考等。該積體 電路器件200可為（例如但不限於）一微控制器、微處理器、 數位h號處理器、應用特定積體電路、可程式邏輯陣列❹ 等。 在圖2中所繪示的示意圖（勾中，開關216閉合以移除可能 . 在該外部電容器110上的任何電荷，開關，係在將Vr_ 接至該内部電容器208.的一位置，藉此將其充電到Vref之 電壓，且開關214係斷開，解除耦接電容器2〇8與對該 ADC 218的輸入。在該示意圖(b)中’開關216斷開且開關 214閉合，致使該ADC 218可將該心“的電壓轉換為發送到 145800.doc •14· 201032117 该數位處理器220之一數位值。此步驟係選擇性的，因為 當僅偵測該外部電容器丨10之電容中之一改變時可不必知 道來自Vref的電壓之絕對值。 在不意圖（c)中，開關204在將該内部電容器2〇8耦接至該 .外部電容器11〇—的位置，藉此轉移在該電容器2〇8上的一 些電荷到該外部電容器丨1〇。當此發生時殘留在該電容器 208上的電荷電壓下降。在示意圖（#中，開關2〇4在解除耦 φ 接該内部電容器208與該外部電容器110的一位置並耦接該 電合器208回到該ADC 218的輸入，其中取得一新電壓取 樣並轉換為發送到該數位處理器22〇之一數位表示法。該 數位處理器220可接著自該内部電容器2〇8的已知電容值及 在該等示意圖（b)及（d)中取樣的兩個電壓決定該電容器11〇 的電谷值。若僅需要該電容器11〇的電容值中的一改變之 決定，則不需要示意圖（b)之取樣步驟。僅f要的是該數位 處理器記住先前示意圖（d)中取得的電壓取樣並比較該先前 ❸電壓取樣與在該示意圖（d)中取得的—目前電壓取樣，且當 在該先前肖目前電壓取樣之間存在足夠之差日夺，此指示在 該外部電容器110之電容中已發生一改變。 該内部電容器208及該開關214可為在該積體電路器件 200中之該ADC 218的一部分。涵蓋於且在本發明之範圍 中的是許多在該電容器2〇8與11〇、電壓參考（Vref)及該 ADC 218之間的切換之不同組態係可能的，且具有數位電 路的一般技術並具有本發明之利益者將容易地理解如何實 施此等電路。該開關216可為—數位輸出驅動器且該開關 145S00.doc 15 201032117 204可為一内部多工 盗’二者均在該積體電路器件200中。 參考圖3，其福冷 六细臂根據本發明之另一特殊實例實施例之 被充電的内部電衮M A _ US與外部電容器及於決定該外部電容器 之電谷的所1測之内部電容器的電壓之示意圖。—積體電 路器件3GG包括—類比至數位轉換H(ADC)318、-數位處 理器320、具右—p +〜^ 、 已知電谷值之一取樣電容器308，及開關 304、314 及 316。如斛給-a . 所繪不’具有一未知值的一外部電容 :、麵接至該積體電路器件300。Vref係一電塵參考（例 如圖1之Vref !〇2)，其可為一電源供應器電壓Vdd、一分 開的Vdd、一絕對電壓參考（諸如一能隙參考）、來自一數 位輸出之-邏輯高位準、—外部電壓參考等。該積體電路 器件300可為（例如但不限於）一微控制器、微處理器、數位 k號處理器、應用特定積體電路、可程式邏輯陣列等。 在圖3中繪示的示意圖（3)中，開關316閉合以移除可能在 該内部電容器3G8上的任何電荷，開關綱係在將Vref耗接 至該外部電容器110的一位置，藉此將其充電到心矸之一 電壓，且開關314係斷開，解除耦接電容器3〇8與對該adc 318的輸入。在該示意圖（b)中，開關316斷開且開關^々閉 合，致使該ADC 318可將在該内部電容器3〇8上的任何電 屢轉換為發送到該數位處理器320之一數位值（通常該電壓 將為零，其歸因於開關316使電容器308短路）。此步驟係 選擇性的，因為當僅偵測該外部電容器u〇之電容中之一 改變時可不必知道在該内部電容器3〇8上的一電麼之絕對 值或缺乏一電壓之絕對值。 I45800.doc -16- 201032117 在不意圖（C)中，開關304在將該外部電容器J 1〇耦接至該 内部電容器308的一位置，藉此轉移在該外部電容器11〇上 的一些電荷到該内部電容器3 0 8。當此發生時殘留在該外 部電容器11〇上的電荷電壓下降。在示意圖（d)中，開關3〇4 在解除耦接該外部電容器110與該内部電容器3〇8的一位置 且開關314將該電容器308耦接回到該ADC 318的輸入，其 中取得一電壓取樣並轉換為發送到該數位處理器32〇之一 ❹ 數位表示法。該數位處理器320可接著自該内部電容器3〇8 的已知電容值、該已知Vref電壓值及在該示意圖（d)中的取 樣電壓決定該電容器110的電容值。若僅需要該電容器 的電容值中的一改變之決定，則不需要示意圖（1))之取樣步 驟。僅需要的是該數位處理器記住先前示意圖中取得的 電壓取樣並比較該先前電壓取樣與在該示意圖（d)中取得的 目别電壓取樣，且當在該先前與目前電壓取樣之間存在 足夠之差時，此指示在該外部電容器110之電容中已發生 ❹ 一改變。 s亥内部電容器308及該開關314可為在該積體電路器件 3〇〇中之該ADC 318的一部分。涵蓋於且在本發明之範圍 中的是許多在該電容器308與11〇、電壓參考（Vref)及該 * ADC 3 1 8之間的切換之不同組態係可能的，且具有數位電 路的一般技術並具有本發明之利益者將容易地理解如何實 施此等電路。該開關316可為一數位輸出驅動器且該開關 304可為一内部多工器’二者均在該積體電路器件3〇〇中。 參考圖4，其描繪根據本發明之又一特殊實例實施例之 145800.doc •17- 201032117 一電容式接觸鍵台及用於該電容式接觸鍵台之積體電路介 面及處理器的—示意性方塊圖。一電容式接觸鍵台430包 括複數個電容式接觸感測器鍵110。複數個電容式接觸感 /貝j器鍵110的母一者將在致動（例如，接觸或愚下）時改變電 容值。複數個電容式接觸感測器鍵110的每—者透過—匯 流排432輕接至該積體電路器件4〇〇之多工器438。對於該 積體電路器件4〇〇的該電容式接觸感測器鍵11〇之多工的其 他形式在本文係涵蓋且將容易地對於具有積體電路設計的 一般技術及本發明的利益者為顯而易見的。該積體電路器 件400可為（例如但不限於）_微控制器、微處理器、數位信 號處理器、應用特定積體電路、可程式邏輯陣列等。 該積體電路器件4〇〇包括一電壓參考436，其可為一電源 供應器電壓Vdd、一分開的Vdd、一絕對電壓參考（諸如一 能隙參考）、來自一數位輸出之一邏輯高位準、一外部電 壓參考等，一電容式感測電路434，諸如在圖2及圖3中更 完整地描述，一類比至數位轉換器（ADC)418、一多工器 438、及一數位處理器42〇，例如，微控制器、微處理器、 數位i號處理器、應用特定積體電路、可程式邏輯陣列 等。该多工器438、電容式感測電路434及ADC 418藉由該 數位處理器420而控制。該多工器438藉由選擇複數個電容 式接觸感測器鍵11〇的每一者而掃描該鍵台43〇，用於決定 每一鍵之電容值或從一先前掃描所量測的電壓中之一改 變。該數位處理器420包含可用於為來自先前量測的該複 數個電容式接觸感測器鍵110的每一者儲存該電容及/或電 145800.doc -18 - 201032117 壓值的記憶體，且接著使用此等經儲存電容及/或電壓值 的每―者μ定何時發生其—改變。在電容/電壓值中的 任何改變指示各自電容式接觸感測器鍵u〇被致動。 • $考圖5,其描_2中繪示之電路之㈣的1殊實例 • 冑施例的一示意性程序流程圖。在步驟550中該内部電容 器208被充電到一第一電壓，例如，w。在步驟切 測在該内部電容器208上的該第—電壓 ^ 1；壓電何。在步驟554中 _將該外部電容器m放電。在步驟556中該内部電容器2〇8 及外部電容器㈣在4以在該内部電容㈣8 :電容器11〇之間轉移電荷。在步驟558中量測在該内部電 谷器208上之一第二雷愿雷共 .. 弟電壓電何。在步驟560令，從該内 容謂的電容之已知值、該第一經量測電壓及該第二瘦 量測電塵根據公式C2=Ci *(Vb·Vc)/Vc而計算該外部電容器 110之電容，其中C2係該外部電容器11〇之電容口係談 内部電容器208之電容’Vb係所量測的第，，且Vc: Φ 所量測的第二電麼。 ’' 參考圖6，其料在圖2讀示的電路之操作之另 實例實施例的一示意性程序流程圖。在步驟65”該内呷 電容器薦被充電到—參考„。在步驟咖中該外部電容 益110被放電。在步驟656中該内部電容器彻及外 器110被糕接到-起以在該内部電容器208與外部電容2 110之間轉移電荷。接著在步驟658中量測在該内部電容器 208上的一雷愿發口 電何。在步驟660中，從該内部電容器208 ♦ ’已知值、該參考電壓及來自步驟658的經量測電 145800.doc -19. 201032117 壓根據公式C2=C 1 * (Vb-Vc)/Vc而計算該外部電容器i丨〇的 電容，其中C2係該外部電容器110的電容，C1係該内部電 容器208的電容，Vb係該參考電壓，且¥〇係在該内部電容 器208及外部電容嚭11〇被耦接在一起後所量測的該内部電 容器208之電壓。 參考圖7，其描繪圖3中繪示之電路之操作的另—特殊實 例實施例的一示意程序流程圖。在步驟75〇中該外部電容 器110被充電到一參考電壓。在步驟754中該内部電容器 308被放電。在步驟756中該内部電容器3〇8及外部電容器 110被耦接在一起以在該内部電容器308與外部電容器i 之間轉移電荷。在步驟758中量測在該内部電容器3〇8上的 一電壓電荷。在步驟760中，從該内部電容器3〇8之電容的 已知值、該參考電壓及來自步驟858的所量測電壓根據公 式C2=Cl*(Vb-Vc)/Vc而計算該外部電容器11〇之電容，其 中C2係該外部電容器110之電容，〇係該内部電容器3〇8 之電谷，Vb係該參考電壓，且vc係在該内部電容器及 外部電容器1 ίο被耦接在一起後所量測的該内部電容器3〇8 的電壓。 參考圖8,其描繪圖4中繪示之電路之操作的一特殊實例 實施例的一示意程序流程圖。在步驟85〇中一内部電容器 被充電到一參考電壓。在步驟854中將一外部電容器（n)(例 如’電容式接觸感測器鍵ll〇n(圖4))放電，其中n係從〇至 m之一整數。在步驟856中該内部電容器及該外部電容器 (η)被搞接在一起。在步驟858中量測在該内部電容器上之 145800.doc -20- 201032117 一電壓（η)。步驟860決定所量測電壓（n)是否實質上等於先 則所里測的一經儲存電壓（n)。若所量測電壓（η)及儲存的 電壓（η)不同，則該外部電容器（η)已改變其值，例如，電 容式接觸感測器鍵110η(圖4)被致動，且在步驟87〇中產生 其通知。若所量測電壓（η)及儲存的電壓（η)實質上相 同，則該外部電容器⑷未改變其值，例如，電容式接觸感 測器鍵110η未被致動。步驟864決定是否已掃描（讀取等）所 ❿有的外。卩電谷器（n)(n=〇Sm)，且若n=m，則步驟868重設 n=〇,否則，在步驟866 tn被增加一（1)。可持續地重複前 述序列的操作及電壓量測，致使將㈣任何經致動鍵⑻ 110 ° 雖然已描繪、描述且參考本發明之實例實施例定義本發 日月之實施例，此類參考並非暗示料本發明之—限制，且 不推斷此類限制。所揭示的標的能夠考慮形式及功能上的 修正、變更及等效物，如將 如將破具有本發明之利益的一般相 參關技術者想到。所描緣及描述的本發明之實施例僅係實 例’且不為本發明的詳細範圍。 【圖式簡單說明】 圖1說明根據本發明之勒+ $ 之教不的破充電的内部電容器及外 • 部電容器之示意圖； 圖2說明根據本發明之_ ^ 特殊貫例實施例的被充電的内 部電容器與外部電容哭；5、土 + — a 及决疋该外部電容器的電容之該内 部電容器之量測電壓的示意圖； 圖3s兒明根據本發明之杳/ 另特殊實例貫施例的被充電的 145800.doc 201032117 器的電容之該 内部電容器與外部電容器及決定該外部電容 内部電容器之量測電壓的示意圖； 圖4說明根據本發明之又— 接觸鍵盤及積體電路介面及用 器的一示意方塊圖； 特殊實例實施例的一電容式 於忒電容式接觸鍵盤之處理 圖5說明用於圖2中繪示的 的一示意程序流程圖； 電路操作之—特殊實例實施例 一特殊實例實施 圖6說明用於圖2中緣示的電路操作之另 例的一示意程序流程圖； 一特殊實例實施例 圖7說明用於圖3中繪示的電路操作之 的一示意程序流程圖；及 之一特殊實例實施例 圖8說明用於圖4中續' 示的電路操作 的一示意程序流程圖。 【主要元件符號說明】 104 開關 106 開關 108 内部電容器 110 外部電容器 200 積體電路器件 204 、 214 、 216 開關 208 取樣電容器 218 類比至數位轉換器（ADC) 220 數位處理器 300 積體電路器件 145800.doc -22· 201032117

304、314、316 開關 308 内部電容器 318 類比至數位轉換器（ADC) 320 數位處理器 400 積體電路器件 418 類比至數位轉換器（ADC) 420 數位處理器 430 電容式接觸鍵台 432 匯流排 434 電容式感測電路 436 電壓參考 438 多工器 Vdd 電源供應器電壓 Vref 102 電壓參考

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Claims (1)

1. 201032117 七、申請專利範圍： 1 · 一種用於利用一籍雜泰, ☆ 冑體電路器件決定-外部電容器的-電 谷之方、、’ 5亥方法包括以下步驟： 將在一積體電路考杜士々 ^ .^ 器件中之一内部電容器從一參考電壓 充電到一第一雷厭#丄 容. ，其中該内部電容器具有一已知電 利用在該積體電 ,, 路态件中之—類比至數位轉換器 ( )里測該第一·電愚； 利用在該積體電路— 器放電； B件中之—第一開關將一外部電容 利用在該積體電路— 5» .,. 牛中之弟二開關將該内部電容 益耦接至該外部電衮 15，使得在該内部電容器上的一些 之電何轉移到該外部電容器； /用在_體電路器件中之該ADC量測在該内部電容 窃上之一第二電壓；及 參 利用在該積體電路器件中夕 ^ 當— 态仵中之一數位處理器從該所量測 一亥所量測之第二電壓及該内部電容器之該 口電容計算該外部電容器之一電容。 2 · 如請求jg 1 > 士、+ 隻φ 法，其中該外部電容器之該電容等於該 第一電壓與該第二電壓之η沾法 壓之間的—差除以該第二電壓並乘 以該内部電容器之該電容。 3·如請求 f、土 ^ '，其中該内部電容器係在該積體電路 器件中之該ADC的—取樣電容器。 4.如請求項1之方、土 '，其中該積體電路器件係一微控制 145800.doc 201032117 器 5 6. 8. 9. 一種用於利用一積體電路器件決定— 、 卞六疋外部電容器之一電 容的方法’該方法包括以下步驟： 將在一積體電路器件中之—内部電 电谷裔充電到一參考 電壓’其中該内部電容器具有一已知電容； 利用在§亥積體電路器件中之—盆— 第—開關將一外部電容 器放電； 利用在§亥積體電路器件中之—第—Α μ 弟一開關將該内部電容 器耦接至該外部電容器，使得在 (于任该内部電容器上的一些 之電荷轉移到該外部電容器； 利用在該積體電路器件中 干Τ之類比至數位轉換器 (ADC)量測在該内部電容器上之一電麗；及 利用在該積體電路器件中之—童 Τ ^數位處理器從該參考電 壓、该内部電容器上之該所量 / /丨里/只j疋冤壓及該内部電容器 之該已知電容計算該外部電容器之一電容。 如請求項5之方法，其中該外部電容器之該電容等於該 參考電屋與該所量測電壓之間的_差除以該所量測電壓 並乘以該内部電容器之該電容。 :睛求項5之方法’其中該内部電容器係在該積體電路 器件中之該ADC的一取樣電容器。 士 :求項5之方法’其中該參考電壓係選自由—電源供 應器電麼、—分開的電源供應器電壓、-外部參考電麼 及一能隙參考電壓組成之群。 如叫求項5之方法，其中該積體電路器件係一微控制 145800.doc 201032117 種用於利用—積體電路器件決定一外部電容器之一電 容的方法，該方法包括以下步驟： ^ 將一外部電容器充電到一參考電壓； 將在積體电路器件中之—内部電容器放電，其令該 内部電容器具有一已知電容； 、 利用在該積體電路器件令之一開關將該外部電容器耦 Φ ，至内„(5電* @ ’使得在該外部電容器上之—些之電 荷轉移到該内部電容写； 利用在該積體電路件φ 电峪态件甲之一類比至數位轉換器 (ADC)量測在該内部電容器上之一電屬；及 利用在該積體電路器件中 蔽 崎裔仟〒之數位處理器從該參考電 、該内部電容器上之該所量 里州又電壓及该内部電容器 之该已知電容計算該外部電容器之一電容。 π_如請求項10之方法，其中該外部 夹者雷厭洳+ 電谷器之該電谷等於該 參考電壓與該戶斤量測電壓4間的 左除以s亥所量測電壓 並乘以該内部電容器之該電容。 ΐ2.=ί::之方法’其中該内部電容器係在該積體電路 器件中之该ADC的一取樣電容器。 13. 如請求項1〇之方法，其中該參考電 澄係選自由一雷调拙 應器電壓、一分開的電源供應 ’’、 电！、一外部電厚炎去 及一能隙電壓參考組成之群。 ，考 14. 如請求項10之方法，其中該積體 器。 电路益件係—微控制 145800.doc 201032117 15. 16. 17. 一種用於利用一積體電路器件偵測_々k加兩 1貝州外部電容器的電容 中之一改變的方法，該方法包括以下步驟： ⑷料-積體電路器#中之-内部電容器&電到一參 考電壓； > W利用在該積體電路器件中之—第—開關將一外部電 容器放電； ⑷利用在該積體電路器件中之一第二開關將該内部電 容器麵接至該外部電容器’使得在該内部電容器上 的一些之電荷轉移到該外部電容器； (d) 利用在該積體電路器件中之一類 頌比至數位轉換器 (ADC)量測在該内部電容器上之一電壓； (e) 利用在該積體電路器件中之一數位處理器比較在該 内部電容器上之該所量測電壓與—先前所量測之電 壓，其中 若該所量測之電壓與該先前所量測之電壓實質上 相同，則重複步驟（a)至（e)且 若該所量測之電壓不同於該先前所量測之電壓， 則利用來自該積體電路器件之一輸出指示該外部電 容器之電容已發生一改變；及 ⑴繼續重複步驟 如請求項15之方法，其中該先前所量測之電壓係儲存在 言玄積體電路器件中之一記憶體中。 如凊求項16之方法，其進一步包括利用該數位處理器控 制該記憶體及ADC的該步驟。 145800.doc 201032117 二“項17之方法，其’該積體電路器件係—微控制 19 ::Ϊ:15之:法’其^該參考電塵係選自由-電源供 :，、-分開的電源供應器錢、—外部電歷參考 及一犯隙電壓參考組成之群。 ::於利用一積體電路器件偵測複數個外部電容器的 谷之改變的方法，該方法包括以下步驟·· ⑷：―積體電路器件中之-内部電容器充電到一參考 電壓； 夕可 ⑻：：在該積體電路器件中之一第一開關將複數個外 /谷m卜部電容器⑻放電，其中η係從〇至瓜 的一整數； 0 ⑷=用在該積體電路器件中之一第二開關將該内部電 合W接至該外部電容器⑻，使得在該内部電容器 上的些之電荷轉移到該外部電容器（η); ⑷利用在曰該積體電路器件中之一類比至數位轉換器 (ADC)!測在該内部電容器上之一電壓⑻. ⑷利用在該積體電路器件中之—數位處理器比較在該 内杳雷op , 上的該所量測之電壓（η)與一先前所量測 之電壓（η)，其中 ^所里測之電壓（η)與該先前所量測之電壓（η)實 質上相同’則到達步驟（f)，及 s若該=量測之電壓（η)與該先前所量測之電壓不 同’則指示該外部電容器⑷之電容已發生一改變； 145800.doc 201032117 (f) 決定η是否等於„!，其中 若η等於m，則使η為零（0)，且 若η小於m，則使η增加一（1);及 (g) 重複步驟（a)至（f)。 21•如請求項2G之方法’其中該先前所量測之電心）係 在該積體電路器件中之一記憶體中。 22. 如請求項20之方法，其進一步包括利用該數位處理器控 制該記憶體及ADC的該步驟。 23. 如請求項20之方法’其中該積體電路器件係— 器。 24·如請求項20之方法，其中該複數個外部電容器包括—電 容式感測器接觸面板。 25. 如請求項20之方法，其中該參考電壓係選自由一電源供 應器電壓、一分開的電源供應器電壓、—外部電壓參考 及一能隙電壓參考組成之群。 26. —種用於偵測一鍵台之電容式接觸感測器鍵的致動之裝 置，該裝置包括： ~ 一鍵台矩陣，該鍵台矩陣包括複數個電容式接觸感測 器鍵； 一積體電路件，該積體電路器件包括一多工器、— 電容式感測電路、一電壓參考、一類比至數位轉換器 (ADC)及一數位處理器； 其中 (a)該ADC之一内部電容器係藉由該電容式感測電路 145800.doc 201032117 而充電到一參考電壓； (b)複數個電容式接觸感測器鍵之一外部電容器（η)係 藉由該電容式感測電路而放電，其中η係從^至瓜的 一整數； ’ 0)該ADC之該内部電容器係藉由該電容式感測電路 而耦接至該外部電容器（η)，使得在該内部電容器 上的一些之電荷轉移到該外部電容器（η); φ (句該ADC量測在該内部電容器上之一電壓（η); (e)该數位處理器比較在該内部電容器上之該所量測 電壓（η)與一先前所量測之電壓（n);其中 若。亥所量測之電壓（η)與該先前所量測之電壓（η) 實豸上相同，則到達（f)，且 若》亥所置測之電壓（n)不同於該先前所量測之電 壓，則作出該複數個電容式接觸感測器鍵之該外 部電容器（η)的電容已發生一改變之一指示； 〇 (f)若η等於m，則使η為零（〇)，且 若η小於m，則使η增加一⑴；及 (g)重複（a)至（f)。 145800.doc