TW201030802A - Tape-based epitaxial lift off apparatuses and methods - Google Patents

Description

201030802 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 t 本發明之實施例大體上是有 電子材料和裝置的設備和方法 (ELO)薄臈和裝置。 關製造太陽能 ，且特別是關 Λ半導髗與 於遙晶移植 【先前技術】 ❿

在一裝置製造階段涉及搬運及封裝做為光電或太陽能 裝置、半導體裝置或其他電子裝置薄 衮1之潯膜。藉由採行各種 沉積材料至基板或晶圓及移除其上材料的製程可製造此 薄膜裝置。製造薄膜裝置的一罕見技術已知為蟲晶移植 (則）製程。ELO製程包括沉積蟲晶層或膜至生長基板上的 犧牲層上’接著银刻犧牲層以隔開蟲晶層和生長基板。移 除之薄蠢晶層已知為ELO或蟲晶膜或層，且—般包括用於 光電或太陽能裝置、半導體裝置或其他電子裝置的薄膜。 由於薄ELO膜很脆又窄，故很難管理或搬運el〇薄 膜，例如當接合至基板或封裝時，施予很小的力量，⑽ 膜即會碎裂。又，因ELO膜很窄，故报難對準。 犧牲層一般很薄且可由溼式化學製程蝕刻。整體處理 速度受限於缺乏輸送或使反應物接觸蝕刻正面，以致較少 移除蝕刻正面的副產物。EL〇蝕刻製程為擴散限制製程， 當ELO膜維持呈其沉積幾何形狀時，將形成相當細長的開 口，因而嚴重限制整體處理速度。為減輕擴散製程的輸送 限制，敞開經蝕刻或移除犧牲層且把EL〇膜彎離生長基板 201030802 而得的開π是有益的。_時的，折動作將於el〇膜與生 長基板間形成裂縫’裂縫的幾何形狀提供更大角度進而 增加物種朝向及遠離蝕刻正面舲a * 囱輸送。反應物朝餘刻正面移 動時，副產物通常移動遠離蝕刻正面。 然弯折ELO膜會誘發蟲晶層内產生應力，且弯折量受 限於ELO膜的強fELQ膜通常含有易碎材料，其在失效 前未經塑變，因而易遭碎裂誘發失效。

為降低碎裂增生的可能性，易碎的則膜可保持處於 壓縮應力。碎裂通常不會增生到殘餘壓縮應力區域。把則 膜弯離生長基板時，則臈位於裂縫曲率外，故Eu^處 於拉伸應力。拉伸應力限制裂縫曲率並減慢钮刻處理速 度。為克服此限制’蝕刻犧牲層冑，殘餘壓縮應力可導入 ELO膜。最初壓縮應力偏離f折引起的拉伸應力因而容 許分離製程有更大的彎折量。 又，ELO製程-直是商業化生產e]lq薄膜裝㈣& # ❿阻礙技術。目前的則製程包括傳送單—生長基板通過許 :製造步驟’同時製造單一咖膜。目前製程相當費時、 高成本且不易製造商業化品質的EL〇膜。 、 目此’需要更有效、更省時且更便宜的方法和設備來 : 移除及處理ELO薄膜。 【發明内容】 本發月之實施例大體上是有關利用磊晶移植（ELO)製 程製造為晶薄膜和裝置的設備和方法。薄膜裝置通常包含 5 201030802 蟲晶成長層’其形成在生長基板（如晶圓）上的犧牲層上。 支撐帶設於蠢晶臈的對側上當作晶圓。支擇帶可於EL〇製 程的钱刻及移除步驟期間或之後來支托蟲晶膜。在不同實 f 施例中，移除基板之磊晶膜的設備包括蝕刻批式貯槽、基 ) 板與支撐帶搬運裝置、和各種拉伸控制裝置，以於ELO移 除製程期間保護磊晶膜。 在一實施例中’提出在磊晶移植製程期間形成薄膜裝 參置的方法，包括形成磊晶膜或材料至基板上的犧牲層上、 將細長支撐帶黏接於磊晶膜上、在蝕刻製程期間移除犧牲 層、以及剝除基板上的磊晶膜，同時把細長支撐帶彎離基 板。 在另一實施例中，提出形成基於支撐帶之El〇膜或堆 疊結構（如磊晶膜）的設備，包含第一末端、第二末端、以 及鄰接第一末端的帶供應區段。帶供應區段提供至少一卸 載支撐帶、用來接收至少一卸載支撐帶之層壓區段、和複 # 數個具磊晶層於上的基板。層壓區段黏接基板和至少一卸 載支撐帶而構成至少一裝載支撐帶，且EL〇蝕刻區段鄰接 第二末端，ELO蝕刻區段移開至少一裝載支撐帶上的基 ' 板，而將磊晶膜留在至少一裝載支撐帶上。帶供應區段一 : 般包括至少一滚軸，其中至少一滾轴纏繞上至少一支撐帶。 設備實施例更提出設於帶供應區段與層壓區段間的疊 接/打孔區段，疊接/打孔區段於細長之卸載支撐帶中形成開 口。可配置包含蝕刻浴貯槽或儲槽的EL〇蝕刻區段，以連 續移開裝載支撐帶上的基板，且可配置以批次移開裝載支 6 201030802 撐帶上的基板。 φ 在一些實施例中，支推帶具有至少—列延伸支撐帶長 度的軌道開口。其他實例提出支撐帶各側具有一列延伸支 撐帶長度的軌道開口。在—㈣造中，支撐帶Μ至少二 捲轴、滾筒或滾軸移動。支#帶繞著至少—滾軸移動滾 轴設有複數個從滾轴延伸的㈣來何軌道開口。在一些 實例中’滾軸包含扣鏈齒或鈍齒來嚙合軌道開口。裝載支 據帶包含複數個從切帶外緣垂直或實質垂直延伸的狭 缝。複數個狹縫設有多對對準狹縫，其從裝載支摔帶的相 反外緣延伸。各對狹縫位於裝載支撐帶的區域内且此區 域不含基板。基板雜接二對連續狹縫間的裝載支撐 帶’例如含狹缝對的區域外。 在又-實施例中，提出在ELO製程期間形成薄膜裝置 的方法，其包括耦接細長支撐帶和複數個基板其中每一 基板包含蟲晶膜置於晶圓上的犧牲層上、在钱刻製程期間 參使基板接觸蝕刻劑，同時移動細長支撐帶、以及蝕刻犧牲 層及剝除晶圓上的磊晶膜，同時移動細長支撐帶。 細長支撐帶利用置於其上之磊晶膜耦接各基板。耦接 : 細長支撐帶的複數個基板通常有約4個基板至約1〇〇個基 :板或以上。細長支撐帶包含多層。在一些實施例中細長 支撐帶含有至少一金屬’例如至少一金屬箔。金屬箔包含 金屬，例如鐵、鎳、鈷、鋼、不鏽鋼、其合金、其衍生物 或其組合物《在其他實施例中，細長支撐帶含有至少一材 料，例如聚合材料、共聚材料、寡聚材料、其衍生物或其 7 201030802 組合物。在一些實例中，細長支撐帶含有聚丙烯酸材料、 聚乙烯材料、聚丙烯材料、聚四氟乙烯材料、氟化聚合材 料、其異構物、其衍生物和其組合物。 • 在一些實施例中’細長支撐帶繞著至少二捲軸、滾筒 ，或滾轴移動。細長支撐帶的至少一側包含一列延伸細長支 撐帶長度的軌道開口。在一些實例中，細長支撐帶各側包 含一列延伸細長支撐帶長度的執道開口。細長支撐帶繞著 至少一滾轴移動’滾轴設有複數個從滚軸延伸的接腳來嚙 合軌道開口。滾麵具有扣鏈齒或純齒當作接腳來鳴合軌道 開口。細長支撐帶具有複數個從細長支撐帶外緣垂直或實 質垂直延伸的狹縫。複數個狹缝設有多對對準狹缝，其從 細長支撐帶的相反外緣延伸。在一些實施例中，各對狹缝 位於細長支撐帶的區域内，且此區域不含基板。每一基板 耦接二對連續狹縫間的細長支撐帶。 在許多實施例中’黏著層設於各基板與細長支撐帶之 φ 間。黏著層可藉由塗鋪膠黏劑於各基板，並耦接各基板和 細長支樓帶而形成。黏著層可包含感壓膠、熱溶膠、紫外 線（uv)固化膠。在一些實例中，黏著層含有丙烯酸膠黏劑。 : 在一些實施例中’犧牲層含有坤化銘、其合金、其街 : 生物或其組合物。犧牲層的厚度為約1奈米（nm)至約 20nm。在蝕刻製程期間，犧牲層接觸溼蝕刻液。渔姓刻液 含有氫氟酸、界面活性劑和緩衝劑。在一些實例中，以約 5毫米厂h時（mm/hr)或更快的速率蝕刻犧牲層。 生長或形成在晶圓上的磊晶膜或材料有多層。晶圓通 8 201030802

常含有坤化鎵、神化鎵合金、其換質或其衍生物。蟲晶膜 或材料各層含有珅化鎵、料輯、魏銦鎵、其合金、 其衍生物或其組合物。在—實施例中蟲晶膜具有一含砰 化鎵層和另—含珅化料m膜具有坤化鎵緩衝層、 至少一坤化18鎵鈍化層和坤化鎵主動層。在-些實例中， 申化鎵緩衝層的厚度為約100nm至約5〇〇nm，神化銘嫁純 化層的厚度為約⑺⑽至約5Gnm’耗鎵主動層的厚度為 約·m至約2_咖。在一些特定實例中，每一蟲晶膜含 有具多層之光電或太陽能電池結構。光電電池結構包含至 少二材料’例如神化鎵、n型捧雜之珅化鎵、p型摻雜之碎 化鎵、坤化銘鎵、„型摻雜之珅化銘鎵、？型摻雜之珅化銘 鎵、填化銦鎵、其合金、其衍生物或其組合物。 【實施方式】 第1圖緣示根據所述實施例，含有ELO薄膜堆要結構 150的基板100。则薄臈堆疊結構15〇設在晶圓1〇2上， ❹且包含蟲晶膜106置於犧牲層1〇4上。蟲晶膜ι〇6 一般包 含多層遙晶材料。晶圓102含有或由各種材料組成例如 第刪族材料’且可掺雜其他元素。晶圓1()2可為晶圓或 基板，並通常含有神化冑、石申<匕鎵合金或其他衍生物且 可經η型摻雜或P型掺雜。在一實例中，晶圓1〇2含有n 型摻雜之神化鎵材料。在另_實例中，晶圓1〇2含有Μ 摻雜之砰化鎵材料。在一些實施财，犧牲層1〇4含有砰 化銘其〇金、其衍生物或其組合物。在一實例中， 9 201030802 層104含有卜 . 兩至一—砷化鋁層。犧牲層104的厚度 或以下，例如钧t 斤復馮約2〇nm "nm至約2〇nm、或約lnm至約l〇nm、或 約4nm至約6nm。 nm或 在些實施例巾’遙晶膜1〇6縣晶材料 化㈣、碟化銦鎵、其合金其衍生物或其組合物。 蟲：膜1〇6可包含-層，但通常包含多層。在一些實例中， 蟲S曰膜106具有—含神化嫁層和另一含神化銘嫁層。在另

實例中，蟲晶臈106包含碎化鎵緩衝層、石申化銘録純化 層和坤化鎵主動層。_化鎵緩衝層的厚度為約刚⑽至約 5〇〇nm’例如約300nm’钟化銘鎵鈍化層的厚度為約l〇nm 至約50nm’例如、約3〇nm，碎化鎵主動層的厚度為約则咖 至約2_nm，例如約⑽〇nm H㈣iQ6 更包含第二坤化_純化層1二珅化鎵緩衝層的厚度為 約lOOnm至約50〇nm，例如約3〇〇ηι^在所述其他實施例 中，磊晶膜106含有具多層之光電電池結構。光電電池結 構含有砷化鎵、η型摻雜之砷化鎵、p型摻雜之砷化鎵、砷 化銘鎵、η型摻雜之神化鋁鎵、ρ型捧雜之砰化鋁鎵、構化 銦鎵、其合金、其衍生物或其組合物。 如第1圖所示，基板100是很難處理的產物，其需個 別處理每一 ELO薄膜堆疊結構150。此外，用於形成ELO 薄膜堆疊結構丨50之磊晶層的晶圓102通常很昂貴，尤其 是砷化鎵組成之晶圓。 第2Α-2Ε圊繪示根據本發明實施例，將磊晶膜1 06從 晶圓102傳送到滾轴上之支撐帶基板的不同階段。第2Α 10 201030802 圖為組件200的側視圖，第2B圖為底部視圖，其包括附接 支擇帶2 0 2的複數個第1圖之基板1〇〇(顯示六個）。美板 100具有置於晶圓102上的犧牲層104和置於犧牲層1〇4 " 上的遙晶膜黏著層204 δ史在各基板1〇〇與支撐帶202 / 之間。 在一實施例中，黏接或耦接支撐帶202前，將黏著層 204塗鋪於基板1〇〇或磊晶膜1〇6。或者，黏接或麵接基板 ❹ 1〇〇或蟲晶膜106前，將黏著層204塗鋪於支撐帶2〇2。又’ 黏著層204可塗鋪於支撐帶202和基板100或磊晶膜1〇6, 然後黏接或耦接在一起。黏著層204可由感壓膝（psa)、熱 溶膠、紫外線（UV)固化膠、丙烯酸膠黏劑、橡膠膠黏劑、 天然膠黏劑（如天然橡膠）、合成膠黏劑（如合成橡膠）、其衍 生物或其組合物組成。黏者層204的材料乃至少實質抵抗 下述蝕刻製程使用的蝕刻劑。 在一些實例中，黏著層204含有或由光學膠及/或υν ® 可固化膠組成，其已於固化製程期間曝照UV輻射。一般 來說，膠黏劑曝照UV輻射的時間為約1分鐘至約10分鐘， 較佳約3分鐘至約7分鐘，例如約5分鐘。膠黏劑的固化 溫度為約25 C至約75°C，例如約50。(：。例示之光學膠為市 ' 售之Norland UV可固化光學膠。在一些實例中，黏著層 204含有酼基酯化合物。在其他實例中黏著層更包 含膠黏材料，例如鄰苯二甲酸丁辛酯、甲基丙烯酸四氫呋 喃曱酯、丙烯酸酯單體、其同分異構物、其衍生物或其組 合物。在一實例中，黏著層204含有丙烯酸化合物或其衍 11 201030802 生物。 在其他實例中，黏著層204的膠黏劑為矽氧烷膠或含 有矽酸鈉》在這些實例中，膠黏劑的固化時間為約1〇小時 至約100小時，較佳約20小時至約60小時，更佳約3〇小 時至約50小時，例如約42小時。膠黏劑的固化溫度為約 25°C至約75°C，例如約5(rc。又，膠黏劑可藉由施磨而固 化。施予膠黏劑的壓力為約i磅每平方吋至約5〇磅每平方 吋’較佳約3磅每平方吋至約25磅每平方叶，更佳約5磅 每平方吋至約15磅每平方吋。在一實例中，壓力為約9磅 每平方吋。 在其他實例中，黏著層204含有聚合物、共聚物、寡 聚物、其衍生物或其組合物。在一實施例中，黏著層2〇4 含有共聚物。在一實例中，共聚物為乙烯/乙酸乙烯酯（eva) 共聚物或其衍生物。有益於黏著層2〇4的EVA共聚物為 WAFER GRIP膠黏膜，其可購自位於美國加州Santa R〇sa 之 Dynatex International。 在一實施例中’支撐帶202為細長的材料條。在一些 實施例中，支撐帶202的結構類似照相軟片。遍及磊晶膜 106的細長支撐帶（如支撐帶202)利用黏著層2〇4的膠黏劑 耦接基板100。複數個基板1〇〇耦接支撐帶2〇> 一般來說， 有4、8、1〇、20、50、1〇〇或更多個基板附接支撐帶2〇2。 在一些實施例中，支撐帶202具有約4個基板至約1〇〇個 基板或以上。 支撐帶202具有單層、或包含多層相同或不同材料。 12 201030802 ΓΓ實施例中，讀帶2G2的材料包括金屬、㈣、聚 α、/、聚及/或寡聚材料。在一些實財，切帶搬含有 =丙：酸材料、聚乙婦材料、聚丙婦材料、聚四氣乙 :材料、氣化聚合材料、其同分異構物、其衍生物或其組 合物組成。支撐帶202的材料乃至少實質抵抗下述㈣製 程使用的㈣劑。在—些實施例中，支料202含有至少 -金屬、或含有至少一金屬箔。金屬箔包含至少一金屬， ❹ 例如鐵、_、錯、鋼、不鑛鋼、其合金、其衍生物或其組 合物β 在不同實施例中，支擇帶202的寬度w丨為約10匪至 mm或約5〇mm至約300mm、或約70mm至約 150随。支撑帶2G2的總長（未㈣）僅受限於纏繞上支撐帶 202的儲存滾轴或捲轴尺寸。在—實施例中支撐帶· 的長度為約1公尺（m)至約1〇〇〇m。基板^⑽在支撐帶 的縱向上具有長度Li、橫切支樓帶202的方向上具有寬度 ❿W2在實施例中’ L,為約8mm至約950mm，W2為約8mm 至約95〇mm。在一實施例中，基板100實質置於支撐帶中 間且彼此相距Dl。在一實施例中，為約至約2〇mm。 * 支揮帶202選擇性包括沿著支撐帶202側邊的軌道開 ·· 2〇6以供下述各種設備實施例之驅動元件嚙合。此外， 在一實施例中’支撐帶202包括等距相隔之狹縫208， 以依需求提供橫向更大的靈活度。狹縫208通常置中於二 相鄰基板1〇〇間，且在一實施例中，寬度W3為約〇.5mm 至約2mm。在一實施例中，狹缝208位於基板1〇〇之間’ 13 201030802 使相鄰狭縫208間有約2個基板至約5個基板。另外在 一些實施例中，狹縫2〇8延伸到支撐帶2〇2的中心約25% 至約90%。例如’若支撐帶寬度W,約20mm且狹缝208 ： 延伸約7mm，則狹縫208將延伸到支撐帶2〇2的中心约 _· 70%，而於狹縫208間留下約6mm的連接邊緣。 第2C圖顯示組件21〇的側視圖，其包括利用黏著層 2〇4附接支撐帶202的複數個第2A圖之磊晶膜ι〇6(顯示六 ❹個）有4 8、1〇、20、50、1〇〇或更多個磊晶膜1〇6附接 支撐帶202。在-些實施例中，支禮帶2〇2在複數個蟲晶 膜106内有約4個磊晶膜至約1〇〇個磊晶膜或以上。 在一些實施例中，藉著在EL0蝕刻製程期間，使第2A 及2B圖組件200之犧牲層1〇4接觸溼蝕刻液，以形成組件 210。在一些實例中，溼蝕刻液含有氫氟酸且包含界面活性 劑及/或緩衝劑。犧牲層1 以約〇.3mm/hr或更快的速率 蝕刻，較佳約lmm/hr或以上，更佳約5mm/hr或以上。在 • 一替代實施例中，犧牲層1〇4於ELO蝕刻製程期間遭電化 學蝕刻。電化學蝕刻可為偏壓處理或電流處理。又，在所 述另一實施例中，犧牲層104於EL〇蝕刻製程期間遭氣相 ' 蝕刻。氣相蝕刻包括使犧牲層104接觸氟化氫蒸氣。EL〇 蝕刻製程可為光化學蝕刻、熱輔助蝕刻、電漿辅助蝕刻、 應力辅助餘刻、其衍生物或其組合物。 第2D圖顯示第2C圖組件21〇的側視圖，其纏繞在支 撐捲軸或支撐滾轴212上。組件210包括支撐帶2〇2，其 具複數個如上述般與之附接或黏接的磊晶膜106。組件21〇 201030802 顯示纏繞滾軸212，且磊晶膜1〇6附接支撐帶2〇2底部， 使磊晶膜106面向滾轴212的表面。在一替代實施例中， 磊晶膜106位於支撐帶202上方，使磊晶膜1〇6背對滾軸 • 212的表面。保護膜或薄板214設置防止磊晶膜1〇6接觸 •相鄰表面。滾軸212有最小（卸載）半徑。在一實施例中， 滾軸212的半徑為約1〇公分（cm)至約滾轴 的半徑R,是重要的設計考量，縣晶膜1G6遭受太小的曲 ❹率半徑時可能會碎裂或損壞。故可依據蟲晶膜106的結構 限制，選擇滚軸212的半徑Rm如第2E圖所示，一旦滾 軸212裝載適當長度的組件21〇，即搬運、傳送或裝載大 量磊晶膜106至後續處理設備，例如組件22〇 ^ 第3圖為設備300之一實施例的平面視圖，用以進行 形成基於支撐帶之ELO產物的方法，例如第2E圖組件 220。第39圖為方法3900的流程圖，在一實施例中，其由 没備300施行》在設備3〇〇的第一末端35〇，第一區段3〇2 • 包括含有一或多個空的或卸載支撐帶352的一或多個捲轴 或滾轴354。在第3圖所示之實施例中，有六個平行支撐 帶352。然應理解，在設備3〇〇的物理限制内當可有任何 : 數量的支撐帶352裝載於一或多個滾轴354上。在方法39〇〇 : 的方塊3902中，鬆開滾轴上的卸載支撐帶352、及將卸載 支撐帶352從滾軸354送入疊接/打孔區段3〇4。在方法39〇〇 的方塊3904中，在疊接/打孔區段3〇4中，卸載支撐帶352 被切割、打孔、或結合切割及打孔而於帶内形成開口，以 依需求進行搬運和其他用途。在一實施例中，例如，在疊 15 201030802 接/打孔區段304中形成於支撐帶352的開口包括軌道開口 206和狹缝20 8(如第2B圖所示）。在其他實施例中，若不 需有開口’則設備300可省略設置疊接/打孔區段3〇4。 • 在方法390〇的方塊3906中，於方塊3904(若有）後， / 層壓基板或晶圓至卸載支撐帶上。如第3圖所示，於疊接/ 打孔區段304(若有）後，卸載支撐帶352進入層壓區段 3 06〇層壓區段3 06接收來自基板輸入區段308的基板356。 在一實施例中，機器人310用來把基板3 56裝載至層壓區 攀 段306。在一實施例中’基板356的結構類似第1圖基板 100。在層壓區段306中，基板附接、黏接或接合支撐帶 352 ’如接合裝載支撐帶368的基板358所示。在一實施例 中’裝載支撐帶368的結構類似第2A及2B圖組件200。 離開層壓區段306後，裝載支撐帶368進入積聚區段 312 °如方法3900的方塊3908所示，在積聚區段312中， 裝載支撐帶368進入ELO蝕刻區段314的蝕刻浴貯槽或儲 • 槽前，積聚裝載支撐帶368。 於積聚區段312後，裝載支撐帶368進入ELO蝕刻區 段314的蝕刻浴貯槽或儲槽。在方法39〇〇的方塊391〇中， • 在EL〇蝕刻區段314中，蝕刻犧牲層（如第1及2A圖犧牲 : 廣1〇4) ’以移除犧牲層和裝載支撐帶368上的晶圓（如第i 及2A圖晶圓102)。在方法3900的方塊3912中，所得之 EL0膜裝載支撐帶364行進到支撐帶後蝕刻處理區段，卸 裁基板360則行進到晶圓後蝕刻處理區段。卸載基板360 進入輸送器裝載區段316,在此卸載基板3 60例如由機器 16 201030802 人（未繪示）放到輸送器上。在一實施例中，晶圓後蝕刻處 理區段包括第一晶圓潤洗區段3 1 8、晶圓清潔區段32〇、第 二晶圓湖洗區段322和晶圓乾燥區段324。晶圓後蝕刻處 -· 理區段設計來移除晶圓的污染物，以製備晶圓供製程重新 •v 使用。機器人326將基板從晶圓乾燥區段324卸載至晶圓 輸出區段328。晶圓輸出區段328的晶圓362已備有重新 /冗積於上的犧牲層和遙晶材料層。輸送器（未纷示）使晶圓 _ 362改向往沉積腔室或製程。一旦犧牲層和磊晶膜沉積在 基板上’則進一步將基板輸送到基板輸入區段3 〇8，如同 供製程重新使用的基板356»如此，很昂貴的晶圓可多次 用於生成預定磊晶膜和裝置。 移除犧牲層和裝載支撐帶368上的晶圓後，所得之 ELO膜裝載支撐帶364行進到支撐帶後蝕刻處理區段。在 一實施例中，支撐帶後蝕刻處理區段包括第一支撐帶潤洗 區段330、支撐帶清潔區段332、第二支撐帶潤洗區段334 Φ 和支揮帶乾燥區段336。在一實施例中，ELO膜裝載支撐 帶類似第2C圖組件210。支撐帶後蝕刻處理區段設計來清 潔及乾燥ELO膜裝載支撐帶364,以移除支撐帶和其上磊 - 晶材料的污染物。 '•一旦已清潔ELO膜裝載支撐帶364，其行進到位於設 備300之第二末端37〇的帶捲繞區段338。在方法39⑻的 方塊3914中，如第2D圖所示，在帶捲繞區段338中，將 〇膜裝載支摔帶3 64纏繞在一或多個捲轴或滾軸366 上。一旦滚轴366完全裝載，則把裝載滾轴移開帶捲繞區 17 201030802 段338、及換上空的滾轴。在一實施例中，裝載滚轴類似 第2E圖組件220。 第4-6圖繪示設備400的縱向傳動楔實施例，用以進 * 行ELO蝕刻製程來移除支撐晶圓上的EL〇膜堆疊結構。設 : 備400包括支撐帶與晶圓裝載區段402、蝕刻浴4〇4、晶圓 卸載區段406和支撐帶卸載區段4〇8。第5圖為設備4〇〇 之部分蝕刻浴404和帶驅動與拉伸部的頂部視圖。類似第 2B圖’支撐帶2G2沿著其侧邊包括複數個開口或軌道開口 206。設備400包括複數個驅動與拉伸齒輪5〇2，用以嚙合 軌道開口 206中的支撐帶。驅動與拉伸齒輪5〇2驅動支撐 帶通過蝕刻浴404,亦藉由嚙合軌道開口 2〇6的外部5〇4 而保持支撐帶202側邊的側向位置。驅動與拉伸齒輪5〇2 利用傳動轴508連接從動扣鏈齒5〇6。從動扣鏈齒5〇6進 而利用傳動鏈或傳動帶（未繪示）附接傳動扣鏈齒和馬達（未 繪示）。在一實施例中，從動扣鏈齒5〇6和其驅動元件位於 籲餘刻浴404上方。帶導件51〇亦設置引導支撑帶2〇2通過 蝕刻浴404。參照第4_6圖，靜態楔由二斜面512構成。靜 態楔逐漸施壓以移開支撐帶2〇2上的晶圓，而將el〇堆叠 :、结構留在支撐帶202上。一些可調式支推件514可調整連 :接斜面5!2和高架組件（未繪示）。可調式支撑件514以螺 旋或其他方式調整斜面512於餘刻浴4G4各階段的水平面。 如第4圖所示，斜面512在其鄰接支撐帶與晶圓裝載 區段402的第-末端分開，並在其鄰接支撐帶却載區段彻 的第二末端相會。斜面512還從其第一末端往其第二末端 18 201030802 ’以於行經餘刻浴404時， 基板支樓件（未續示）從底下 進一步向下延伸到蝕刻浴4〇4 漸漸嚙合支撐帶202的頂部t 支撐晶圓102，其利用 用彈簧或浮力支撐靠近設備400之支 樓帶卸載區段408的晶圓1〇2。 第6 A - 6 C圖繪"示營去掩袖； 圓叹不虽支撐帶202和晶圓1〇2行經蝕刻浴 4〇4(參見第4圖)時，斜面512、支撐帶2〇2和晶圓1〇2間 的關係。在第6A圖中，±4^·««= Λ 支標帶202和晶圓1〇2處於触刻浴 ❺

404的最初位置。斜面512實質位於支撐帶2〇2和晶圓 的最初水平面’故組件相當平坦而只有很小或沒有壓力 施加於支撐帶202和晶^ 1〇2。驅動與拉伸齒輪5〇2保持 支撐帶202的末端位置。在第6Β圖所示之位置（約通過蝕 刻浴404的中點）中，斜面512進一步延伸到蝕刻浴4〇4, 且支撐帶和晶圓102的中心相對支撐帶2〇2的末端向下推 動。裂缝600因而形成在支撐帶2〇2與晶圓1〇2(和其上el〇 堆疊結構）之間。在第6C圓所示之位置（靠近支撐帶卸載區 段408的位置）中，斜面5 12更進一步延伸到餘刻浴4〇4， 且支撐帶和晶圓102的中心更相對支撐帶2〇2的末端向下 推動。裂縫600’的尺寸比裂縫6〇〇大，且晶圓1〇2漸漸移 離支#帶202。在緊接第6C圖位置後的行進位置中，支擇 帶202與晶圓102間的黏接最少，且晶圓1〇2移離支撐帶 202並經由晶圓卸載區段406離開。 第7圖為支撐帶與晶圓儲槽進入組件7〇〇的等角視 圖，用於本發明ELO處理設備實施例的晶圓裝栽區段 402(參見第4圖）。支撐帶與晶圓儲槽進入組件7〇〇包括支 19 201030802 撐帶與晶圓引導區塊702。雖然在此實施例中，支撐帶與 晶圓引導區塊702有四個帶喷合側邊704，但也可採用其 他數量的側邊。帶响合侧邊704包括複數個接腳706，用 : 以喊合支撐帶202的軌道開口 206。支撐帶與晶圓引導區 : 塊702繞著伸過置中孔洞708的轴（未繪示）旋轉。軸支撐 板710設在支撐帶與晶圓引導區塊702的對側，用以支樓 及引導轴。狹縫712設於各軸支撐板71〇，並容許軸隨著 支撐帶與晶圓引導區塊702旋轉而振盪。支撐帶與晶圓引 參導區塊702在侧邊的每一角落包括導柱714，孔洞7〇8由 此延伸。導柱7 14嚙合轴支撐板7丨〇的側邊716，使晶圓 引導區塊702的每一角洛在橫向行進前，先實質垂直向下 進入蝕刻浴。結合這些元件的互動可平面支撐晶圓引導區 塊702之側邊704上的晶圓1〇2，以降低支擇帶202在進 入蝕刻浴404前遭撕裂或移離晶圓丨〇2的可能性。以此方 式支標晶圓102 ’可減少支撐帶與晶圓組件進入蝕刻浴4〇4 φ 時破壞ELO堆疊結構的機會。 第8圖繪示支撐帶抽出組件8〇0之一實施例，用於本 發明ELO處理設備實施例的支撐帶卸載區段4〇8。支撐帶 • 202包括ELO膜，其已於前述蝕刻浴4〇4中自晶圓ι〇2移 - 除。支擇帶抽出組件800包括帶嚙合滾筒或滾轴802 ,其 繞著支樓軸804旋轉。滾軸802包括複數個接腳806，用 以嚙合支擇帶202的軌道開口 206。在一些實施例中，接 腳806藉由附接鈍齒或扣鏈齒和滚軸8〇2而構成。或者， 滾軸802可形成或製成單一裝置。如同上述第2£)圖r 20 201030802 滾軸802的半徑R2大小乃足以避免破壞支撐帶2〇2上的 ELO膜或堆疊結構。在一實施例中，脫離滾軸8〇2後，其 上具ELO膜或堆疊結構的支撑帶202行進到上述設備300 ： 的支撐帶後蝕刻處理區段。 ， 在一些情況下’因各種處理變數所致，晶圓102未完 全自蚀刻浴中的支撐帶202移開。第9圖繪示正面基板分 離組件900 ’其可配合本發明ELO處理設備實施例使用。 正面基板分離組件900包括晶圓嚙合棒902，一旦支撐帶 ❹ 202達到滾轴802，其即接觸留在支撐帶202上任一晶圓 102的前緣904。當接腳806驅動支撐帶202繞著滾轴8〇2 時，晶圓嚙合棒902剝除支撐帶202上的晶圓1 〇2。儘管 此動作會破壞ELO堆疊結構（如晶圓102相關的磊晶族 106) ’然正面基板分離組件900仍免除技術員手動操作， 故可縮短停機時間及增加產物產量。 第1 0-11圖繪示設.備1 〇〇〇的縱向鏈楔實施例，用以進 φ 行EL0製程來移除支撐晶圓上的ELO膜或堆疊結構。設備 1000中類似設備400之部件構造的部件以相同元件符號表 示。類似設備400’設備1〇〇〇包括支撐帶與晶圓裝載區段 : 402、蝕刻浴404、晶圓卸載區段406和支撐帶卸載區段 : 408。第11圖為設備1〇〇〇的局部放大圖，其繪示設備1〇〇〇 的帶驅動與拉伸部1100。類似第2B圖，支撐帶202沿著 其側邊包括複數個開口或軌道開口 206。帶驅動與拉伸部 1100包括複數個驅動區塊1002,其裝設在傳動帶或傳動鏈 1006上。傳動鏈1〇〇6由蝕刻浴404各侧上的複數個傳動 21 201030802 扣鏈齒1008驅動及引導。蝕刻浴4〇4各側上的至少一傳動 扣鏈窗1008利用傳動軸（未緣示）附接馬達（未纷示），以轉 動傳動扣鏈齒和傳動鏈1〇〇6。在一些實施例中相關馬達、 傳送轴及/或其他驅動結構依此方式驅動二或多個傳動扣 鍵齒圆。驅動區塊贈還包括接腳m2,用以唾合軌 道開口 206中的支撑帶2()2。驅動區塊讀更包括拉伸滚 轴n〇4,其樞接於軸1106上。拉伸滾軸ιι〇4噛合軌條 1004(第10圖）’以當其由此驅動時保持驅動區塊於 蝕刻浴404對側的間隔關係。驅動區塊1002驅動支撐帶 202通過蝕刻浴404時，嚙合軌道開口 2〇6之外部5〇4的 接腳11 02保持支撐帶2〇2側邊的側向位置。 ’ 如同設備400,設備1〇〇〇包括由二斜面512構成的靜 態楔。靜態楔逐漸施壓以移開支撐帶2〇2上的晶圓而將 ELO堆疊結構留在支撐帶2〇2上。一些可調式支撐件（未繪 示）可調整連接斜面512和高架組件（未繪示）。可調式支撐 件包括調整機構，以調整斜面512於蝕刻浴4〇4各階段的 水平面。 如第10圖所示，斜面512在其鄰接支撐帶與晶圓裝載 區段402的第一末端分開，並在其鄰接支撐帶卸載區段4〇8 的第二末端相會《斜面512還從其第一末端往其第二末端 進一步向下延伸到餘刻浴404，以於行經蝕刻浴404時， 漸漸嚙合支撐帶202的頂部。基板支撐件（未繪示）從底下 支撐晶圓102’其利用彈簧或浮力支撐靠近設備1〇〇〇之支 撐帶卸載區段408的晶圓1〇2。 22 201030802 第11A-11C圖 '續·示當支撞器 田又得帶202和晶圓1 〇2行經蝕刻 浴4〇4時，斜面512、支揮帶202和晶Κ 102間的關係。 在第ι1Α圖中，支撐帶202和晶圓1〇2處於姓刻浴4〇4的 ; 最初位置0斜面512實皙相掩地。 耳賢位於支撐帶202和晶圓1〇2的最 ' 初水平面，故組件相當单to，, 邳虽干坦，而只有很小或沒有壓力施加 於支樓帶202和晶圓1〇2。當支撑帶2〇2行經姓刻浴4〇4 時’接腳1102保持支撑帶202的末端位置。接腳1102和 ❷驅動區塊1002利用嚙合軌條1004的拉伸滾軸丨丨04保持間 隔關係。在一實施例中，通道11〇8(第u圖）圍繞接腳ιι〇2 的底部，以確保接腳1102不會脫離軌道開口 2〇6。在第ιΐβ 圖所示之位置（約通過蝕刻浴4〇4的中點）中，斜面512進 一步延伸到钱刻浴404,且支撐帶和晶圓1〇2的中心相對 支撐帶202的末端向下推動。裂缝6〇〇因而形成在支樓帶 2〇2與晶圓1〇2之間。在第uc圖所示之位置（靠近支撐帶 卸載區段408的位置）中’斜面5 12更進一步延伸到蝕刻浴 • 404，且支撐帶和晶圓102的中心更相對支撐帶2〇2的末端 向下推動。裂缝600,的尺寸比裂缝600大，且晶圓1〇2漸 漸移離支撐帶202。在緊接第11C圖位置後的行進位置中， 支撑帶202與晶圓102間的黏接最少，且晶圓1 〇2移離支 :撐帶202並經由晶圓卸載區段406離開。 第12-14圖繪示設備1200之另一實施例，用以進行 ELO製程來移除支撐晶圓上的ELO膜或堆疊結構。應注意 為清楚說明，第12-14圖已省略一些元件。設備UOO包括 蝕刻浴404和上鏈傳動1202，且複數個縱向點荷重1206 23 201030802 裝α在上鏈傳動1202與一系列橫向支撐構件1208構成的” 籠’内。縱向點荷重1206樞接各末端1302和橫向支撐構件 1208’以容許縱向點荷重12〇6往下轉動及施壓於晶圓。縱 ，·向點荷重1206繞著沿設備1200之縱向延伸的軸旋轉。縱 、向點荷重12〇6可藉由其重量不斷施壓’或在另一實施例 中’利用喃合縱向點荷重1206的凸輪（未繪示）定點控制壓 力各籠經調整大小以圍繞單一晶圓，使各縱向點荷重 1206施壓於下方晶圓。 參 ； 認:備1200更包括具複數個基板支撐件及/或推動器 1402的下鏈傳動12〇4。下鏈傳動12〇4還包括一系列橫向 支撐構件1404，其於下鏈傳動1204中形成，，籠”。，，籠，，包括 推動器1402,其從晶圓1〇2底下支撐晶圓1〇2。推動器14〇2 利用彈力或姓刻浴404内的浮力而施壓。上鏈傳動1202更 包括複數個接腳1304，其穿過支撐帶202的軌道開口 206 而伸入下鍵傳動1204的凹部（未繪示），以將支撐帶2〇2固 籲定在鏈傳動間。如同上述第6A-6C圖及第11A-11C圖之設 備400和設備10〇〇，當縱向點荷重1206施壓於支撐帶202 中心和其下晶圓丨〇2時’結合接腳1304保持支撐帶202側 ' 邊的動作會於支撐帶202與晶圓1 〇2間產生裂縫和間隔。 ' 在一實施例中，上鏈傳動1202包括複數個接腳1306，其 咬住下鏈傳動1204的插座1308，以將鏈傳動固定在一起 及牢牢托住二者間的支撐帶202。 第15-17圖繪示設備1500之再一實施例，用以進行 ELO製程來移除支撐晶圓上的el〇膜或堆疊結構。設備 24 201030802 1 500的操作類似設備1200 ’且相仿元件已以相同元件符號 表示。設備1500的重大差異在於採用橫向點荷重15〇2。 橫向點荷重1502的末端1604柩接上鏈傳動1202，使橫向 點荷重15〇2繞者橫切設備1500之縱向的轴旋轉。上鍵傳 : 動1202的橫向支撐構件1602包括複數個接腳1606，其嚙 合支撐帶202且伸入下鏈傳動12〇4之橫向支撐構件1610 的凹部1608。接腳1606保持支撐帶202各區段在上鍵傳 動1202、下鏈傳動1204和橫向支撐構件1602、1610構成 之“籠”内的縱向位置。 第17圖繪示支撐帶202各區段因橫向點荷重1502作 用在支撐帶202各區段中心的力量而逐漸下彎。在區段 1702中，支撐帶202開始彎曲而於各區段末端形成裂缝 1710。在區段1704中，裂缝171〇變大而從晶圓1〇2移除 區段1704中更多部分的支撐帶202。在區段1706中，裂 縫進一步增大；在區段1708中，晶圓102從支撐帶2〇2放 • 開。為清楚說明，這些區段並未顯示橫向點荷重1502。第 17圖尚繪示推動器14〇2的其他細節，在一些實施例中， 其常見於設備1500和設備1200。推動器14〇2利用穿過橫 ，向支撐構件1610之孔洞1712的轴（未繪示）樞接橫向支撐 :構件1610。推動器14〇2的中央凸起部1714支撐其上晶圓 02的中〜邛分。藉由彈簧（未緣示）或推動器Mo]於餘刻 浴404中的浮力可提供推動器14〇2施加力量如此當其逐 漸從支撐帶202放開時，推動器14〇2隨著晶圓1〇2移動。 第18-20圖繪示設備1800之批式實施例，用以進行 25 201030802 〇製程來移除支標晶圓上的EL〇膜或堆疊結構。設備 1800包括支揮帶與晶圓裝載區段_、餘刻浴刪、晶

圓卸載區段1806和支撐帶卸載區段18G8。在設備1800中， 批次移開支撐帶2G2上的晶圓1G2。例如，在第18圖實施 例中，每批次移開支揮帶上的三個晶圓。視特殊構造而定， 其他實施例每批次可移開三個以上或三個以下的晶圓。設 備1800包括三個點荷^ 181〇, #提供向下力量而於支標 帶202與晶圓1()2間形成裂縫’並進一步移開支撐帶逝 上的晶圓102。點荷重181〇由突指托架i8i2支撐其可 降低及升高使點荷重1810嚙合或脫離支撐帶2〇2。突指托 架亦支撐複數個突指聰，其喷合支撐帶2〇2的軌 道開口 206 ’以保持支撐帶2〇2側邊的間隔關係。二軌條 1814(第18圖切面顯示其一）包括凹部1816供突指嚙 合’以確實固定支撐帶202的側邊位置。如第2〇圖截面所 示，突指托架1812下降時，對準支撐帶2〇2之轨道開口 206的突指1902(第20圖）穿過支撐帶2〇2而喃合凹部 1816 ^若突指1902具有彈性，則未對準支撐帶2〇2之軌道 開口 206的突指1902(第20囷）不穿過支撐帶，但保持呈支 撐帶202上方的屈曲位置。 支撐帶與晶圓組件底下為晶圓支撐與搬運組件DM。 晶圓支撐與搬運組件1904包括二基板傳動帶19〇6和底邱 推動器2002。當支撐帶與晶圓組件送入蝕刻浴4〇4時;基 板傳動帶测支撺晶圓1〇2’—旦從支樓帶2〇2移開，即 將晶圓1〇2傳送到晶圓却载區段18〇6。底部推動器Μ” 26 201030802 包括二軌條2004 ’其在卸載支撐帶與晶圓組件之後且在放 開支撐帶202上的晶圓102前的ELO製程期間支撐晶圓 102。 、 第21-38圖繪示根據所述一些實施例，設備18〇〇之運 : 轉部件於不同ELO批式製程階段的關係。第40圖為用於 批式ELO製程之方法4000的一實施例的流程圖，其可由 設備1800施行。第21及22圖顯示設備1800處於裝載位 ❹ 置’在方法4000的方塊4002中，將支撐帶與晶圓組件裝 載至蝕刻浴1804。滾轴802的接腳8〇6嚙合支撐帶2〇2的 軌道開口 206，且當滾軸8〇2旋轉時，將支撐帶與晶圓組 件裝載至钱刻浴1804。基板傳動帶1906處於升高位置使 其從底下支撐晶圓102,如此將不會過早從支撐帶2〇2放 開而破壞ELO堆疊結構。基板傳動帶19〇6裝設在傳動帶 托架2104的滑輪2102上。在一實施例中，滑輪由傳動馬 達和相關機構（未繪示）驅動，其與滾轴8〇2的驅動系統同 Ο 步。在晶圓支撐與搬運組件1904的升高位置中，槓桿21〇6 嚙合蝕刻浴1804之側壁2110的狹縫2108頂部。槓桿2106 操作傳動帶托架2104的機構（未繪示），以降低底部推動器 :2002的軌條2004(第20圖），如此其裝載至蝕刻浴18〇4時， ·· 不會嚙合晶圓。若突指托架1812處於升高位置，則點荷重 1810和突指19〇2脫離支撐帶2〇2。 在一些實施例中，在方法4000的方塊4004中，將支 擇帶與晶圓組件裝載至㈣浴18G4後，降低點荷重與突指 托架1812(如第23·28圖所示）。第23及24圖顯示突指托 27 201030802 架1812下降到第—ψ M i 广印』弟中間位置，其中點荷重181〇最初 支撐帶2G2。突指19G2保持在支撐帶202上方。在第以 及26圖中’突指托架1812進一步下降到更中間位置其 中點荷重181G由支揮帶與晶圓組件支撐時，其不進一步降 低。突指觀仍保持在支撑帶2〇2上方。第m圖顯 不突指㈣1812完全下降，使對準支撐帶2()2之軌道開口 206的突指19G2〇i合凹部1816,以將支推帶⑽側邊固定

呈間隔關係》在第23_28圖所示之位置中，晶圓支撐盥搬 運組件維持在其升高位置來支撐支撑帶與晶圓組 件’如前所述，如此將不會過早從支撐帶2〇2放開晶圓1〇2。 旦犬指托架1812已完全下降，方法4000即進行方 塊4006,降低晶圓支撐與搬運組件19〇4(如第29及3〇圖 所示）。在晶圓支撐與搬運組件19〇4的下降位置中，槓桿 2106不嚙合蝕刻浴18〇4之側壁21〇8上的狹縫^⑽頂部。 底部推動器2002的軌條2004升高至晶圓支撐與搬運組件 1904的頂部上方，但仍位於晶圓1〇2下方如此從支撐帶 202放開晶圓1〇2時，晶圓1〇2可自由向下移動。一旦降 低晶圓支撐與搬運組件1904,方法4000即進行方塊4008, 開始施行ELO製程β在一些實施例中，EL〇製程始於點荷 重1810的重量作用於支撐帶與晶圓組件而彎曲支撐帶2〇2 及往下驅動晶圓102,進而於晶圓1〇2的邊緣形成裂缝 3202。在其他實施例中，凸輪或其他元件（未繪示）施力於 點荷重1810的頂表面3204，以向下移動點荷重181〇β 第33及34圖繪示ELO製程繼續進行，其中點荷重 28 201030802 1810進一步下降以更往下推動晶圓102,且裂縫3202變大 =從支撐帶202移開更多晶gj 1〇2。帛35及％圖顯示點 %重1810位於其完全下降位置，使得晶圓ι〇2由底部推動 器2002的軌條2004支撐。支撐帶2002與晶圓1 〇2間的裂 縫3202更增大，以從支撑帶202移開更多晶圓1〇2。

一旦點荷重1810位於其完全下降位置，方法4〇〇〇即 進行方塊4〇10’轉動點荷重181〇。第”及”圖顯示點荷 重1810處於旋轉位置。藉由轉動點荷重181〇,施予支撐 帶與晶圓組件的壓力點可來回移動（從第37圖左邊到右 邊）’以進一步移除晶圓1〇2上的支撐帶2〇2和el〇堆疊 結構。點荷重1810由凸輪組件或其他元件（未繪示）旋轉。 轉動點荷重1810後，如方法4〇〇〇之方塊4〇12所示，完成 ELO製程，並從支撐帶2〇2移開晶圓1〇2。方法4〇⑽接著 進行方塊4014,升高點荷重與突指托架1812(如第22圖位 置所示）。升高點荷重與突指托架1812後，方法4〇〇〇即進 仃方塊4016，亦如第22圖所示，部分升高晶圓支撐與搬 運組件1904。在第22圖中，應注意製程此時乃移除晶圓 1〇2上的支撐帶與ELO堆疊結構的中心部分22〇2，且支撐 帶與ELO堆疊結構於上方構成直線且不接觸晶圓ι〇2。如 上所述，藉由升高晶圓支撐與搬運組件19〇4，可使基板傳 動帶1906接觸晶圃1〇2，及縮回底部推動器2〇〇2的軌條 2004。方法4000接著進行方塊4(H8，利用驅動基板傳動 帶1906的滑輪2102，將晶圓1〇2傳送出钱刻浴18〇4及送 入晶圓卸載區段1806(第18圖）。在晶圓卸载區段18〇6中， 29 201030802 182〇將移出晶圓1822傳送出 例如第3圖設備300所示之製 一連串的傳動帶1818和滑輪 設備1800及送入後續製程， 程。 將移出晶圓102傳送出讲供10Λ 足出。又備1800後，方法4000即進 行方塊4020，如第24圖所+ a _ ^ 圖所不’日日圓支撐與搬運組件1904 升南至其最高位置。方法 在4000接耆重新進行方塊4002， 將下一批（節）支撐帶與晶圓纽杜 叩〇日日圓組件裝載至蝕刻浴1 8〇4。

在替代實施例中，基板j 〇〇包含置於晶圓】上的 犧牲層刚、置於犧牲層1〇4上的蟲晶们％和置於遙晶 膜1〇6上的支撐柄。在—些實施例中支樓帶搬含有多 層，包括置於蟲晶冑1〇6上的剛硬支撐層、置於剛硬支樓 層上的柔軟支撐層和置於柔軟支撐層上的搬運板層。在其 他實施例中，支撐帶202為搬運板層且置於柔軟支撐層 上，其置於磊晶膜106上的剛硬支撐層上。支撐帶2〇2設 在蟲晶膜1 06上並維持磊晶膜丨〇6的壓縮。 在一些實施例中，剛硬支撐層含有聚合物、共聚物、 寡聚物、其衍生物或其組合物。在一實施例中，剛硬支撐 層含有共聚物。在一實例中，共聚物為乙烯/乙酸乙烯酯 (EVA)共聚物或其衍生物。有益於剛硬支撐層的EVA共聚 物為WAFER GRIP膠黏膜，其可購自位於美國加州Santa Rosa 之 Dynatex International。 在其他實例中，剛硬支撐層含有熱熔膠、有機塗層、 無機材料或其組合物。在一些實例中，無機材料包含單一 無機層或多重無機層，例如金屬層或金屬箔。在另一實例 30 201030802 中’剛硬支撐層含有石蠟或其衍 .„ ^ 例如黑增。 在另一實施例中，柔軟支撐層 發泡材料或其衍生物。或者，柔軟‘，例如橡膠、 林(n—)、乳膝或其衍生物之材料。二η: 蛋# 〇 ^ L 系軟支嫁層可含有 ，柔軟支撐層含有乙稀丙稀_ 物。 歸一烯單體或其衍生 薄膜在二實：例中’柔軟支擇層含有内含液趙或流體的 ❹ 、S 、、軟支撐層含有内含氣體的薄膜。薄膜包含 ::橡：、發泡材料、尼奥普林(合成橡膠)、乳膝或其衍 生物之材料。在一實例中 碳时 耳例中4膜包含天然橡膠合成橡膠 或乳膠。 在另實施例中’搬運板包含諸如塑膠聚合物寡 聚物、其衍生物或其組合物之材料。在一實例令，搬運板 含有聚醋或其街生物。搬運板的厚度為約50.8微米（㈣至 約 127.0μιη ’ 例如約 23 4μιη。 籲在-實施财，方法更包括移除晶圓ig2上的蟲晶膜 1〇6、及利用黏著層2G4附接支揮基板（如支樓帶搬)和蟲 晶膜106的露出裊面。士掩姓 支揮帶202利用膠黏劑接合蟲晶膜 106的露出表面。扁—窨么,士 ^ ^ α 在實例中’黏著層204含有光學膠及/ 或為uv 了固化，例如市售之可固化光學谬。 在一些實例中，膠黏劑含有巯基酯化合物。在其他實例中， 謬黏劑更包含諸如鄰苯二甲酸丁辛醋、〒基丙婦酸四氫呋 痛甲醋、丙稀酸醋單體、其衍生物或其組合物之材料。 在另一替代實施例中，基板〗〇〇包含支撐基板，例如 31 201030802 置於遙晶膜106之第一表面上的支撐帶202和置於磊晶膜 1〇6之其他表面上的支撐帶202。黏著層204設在磊晶膜 106與支撐帶202之間。支撐帶2〇2包含置於磊晶膜ι〇6 ; 上的剛硬支撐層、置於剛硬支撐層上的柔軟支撐層、和置 ， 於柔軟支撐層上的搬運板。 在一實例中，膠黏劑因曝照UV輻射而固化。一般來 說’膠黏劑曝照UV輻射的時間為約1分鐘至約1〇分鐘， 較佳約3分鐘至約7分鐘，例如約5分鐘》膠黏劑的固化 溫度為約25°C至約75。(：，例如約5(TC。 在其他實例中，膠黏劑為矽氧烷膠或含有矽酸鈉。在 這些實例中，膠黏劑的固化時間為約1〇小時至約1〇〇小 時，較佳約20小時至約60小時，更佳約3〇小時至約5〇 小時，例如約42小時。膠黏劑的固化溫度為約25。〇至約 75 C，例如約50 C。又，固化膠黏劑的壓力可為約i磅每 平方吋至約50磅每平方吋，較佳約3磅每平方吋至約25 • 磅每平方吋，更佳約5磅每平方吋至約15磅每平方吋。在 一實例中，壓力為約9磅每平方吋。 曰在其他實施例中，犧牲層104經溼蝕刻處理，以移除 •的圓1 02上的磊晶膜106。在一些實施例中，犧牲層104 ; 於钱刻製程期間接觸溼蝕刻液。 在一些實施例中，犧牲層1〇4於蝕刻製程期間接觸溼 钱刻液。渔银刻液含有氫氟酸且包含界面活性劑及/或缓衝 劑。在—些實例中，犧牲層1〇4以約〇 3酿~或更快的速 率蝕刻，較佳約imm/hr或以上，更佳約5mm/hr或以上。 32 201030802 在一替代實施例中，犧牲層104於蝕刻製程期間遭電化學 蝕刻。電化學蝕刻可為偏壓處理或電流處理。又，在所述 另一實施例中’犧牲層104於蝕刻製程期間遭氣相钱刻。 ·* 氣相蝕刻包括使犧牲層104接觸氟化氫蒸氣。蝕刻製程可 . 為光化學蝕刻、熱辅助蝕刻、電漿辅助蝕刻、應力輔助钱 刻、其衍生物或其組合物。 在所述實施例中，磊晶膜106的磊晶材料包括珅化 鎵、砷化鋁鎵、磷化銦鎵、其合金、其衍生物或其組合物。 磊晶膜106可具矩形幾何形狀、方形幾何形狀或其他幾何 形狀。磊晶膜106可包含一層，但通常包含多層。在一歧 實例中，磊晶膜106具有一含砷化鎵層和另一含砷化鋁鎵 層。在另一實例中，磊晶膜1〇6包含砷化鎵緩衝層、砷化 鋁鎵鈍化層和砷化鎵主動層。砷化鎵緩衝層的厚度為約 l〇〇nm至約50〇nm，例如約3〇〇nm，砷化鋁鎵鈍化層的厚 度為約lOnm至約5〇nm，例如約3〇nm’砷化鎵主動層的厚 ❹度為約5〇〇nm至約2000nm,例如約1〇〇〇nm。在一些實例 中，磊晶膜106更包含第二砷化鋁鎵鈍化層。 在所述其他實施例中，蟲晶膜1〇6含有具多層之光電 :電池結構。光電電池結構含有坤化鎵、n㈣雜之坤化鎵、 :ρ型換雜之耗鎵、_化㈣、nS|#雜之钟魅鎵ρ型 摻雜之神化銘鎵、鱗化銦嫁、其合金、其衍生物或其組合 物》在許多實例中，神化鎵經n型換雜或？型捧雜。 在另實施例中，犧牲層1G4含有碎化銘其合金、 其衍生物或其組合物。在一實例中，犧牲層m包含珅化 33 201030802 銘層’且厚度為約20nm或以下，較佳約inm至約1 〇nm , 更佳約4nm至約6nm。 雖然本發明之實施例已揭露如上，在不脫離基本範圍 ‘内’當可設計出本發明之其他或進一步之實施例，且其範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施 _ 例說明，其部分乃燴示如附圖式。須注意的是，雖然所附 圖式揭露本發明特定實施例，但其並非用以限定本發明之 精神與範圍，任何熟習此技藝者，當可作各種之更動與潤 飾而得等效實施例。 第1圖為根據所述實施例之基板的等角視圖，其含有 ELO薄膜堆疊結構於晶圓上。 第2A圏為根據本發明實施例，由複數個黏接支撐帶之 基板組成的組件側視圖。 Φ 第2B圖為第2A圖組件底部的平面視圊。 第2C圖為根據本發明實施例，由複數個附接支撐帶之 蟲晶膜組成的組件側視圖。 -第2D圖為根據本發明實施例之第2c圖組件的側視 : 圏’其纏繞在支撐滾轴上。 第2E圖為根據本發明實施例之組件的侧視圖其包括 缠繞在支撐滾軸上的第2C圖組件。 第3圖為一設備實施例的平面視圖，用以形成基於支 34 201030802 撐帶之ELO膜和裝置。 第4圖為-設備實施例的等角視圖，用以進行el〇製 程來移除支撐晶圓上的ELO膜。 帛5圖為第4®設備之帶媒動與拉伸部的放大頂部等 -角視圖。 第6圖為第4圖設備之帶驅動與拉伸部的放大水平等 角視圖。 第6A-6C圖為支撐帶和晶圓組件通過第4圖設備的截 ®面圖。 第7圖為配合本發明ELO處理設備實施例使用之支撐 帶與晶圓儲槽進入組件的等角視圖。 第8圖為配合本發明ELO處理設備實施例使用之支撐 帶抽出組件的等角視圖。 第9圖為配合本發明ELO處理設備實施例使用之正面 基板分離組件的等角視圖》

❿ 第10圖為另一設備實施例的等角視圖，用以進行ELO 製程來移除支撐晶圓上的ELO膜。 第11圖為第10圖設備之帶驅動與拉伸部的放大等角 * 視圖。 ： 第11A-11C圖為支#帶和晶圓組件通過第10圓設備的 截面圖》 第12圖為又一設備實施例的等角視圖，用以進行ELO 製程來移除支撐晶圓上的ELO膜。 第13圖為第12圖設備之帶驅動與拉伸部的放大等角 35 201030802 視圖。 第14圖為第12圖設備之晶圓支撐件與推動器部分的 放大等角視圖。 : 第I5圖為再一設備實施例的等角視圖，用以進行EL〇 . 製程來移除支撐晶圓上的ELO膜。 第16圖為第15圖設備之帶傳動與點荷重拉伸部分的 放大等角視圖。 第17圖為第15圖設備之晶圓支撐件與推動器 β放大等角視圖。 第18圖為一批式設備實施例的等角視圖，用以進行 ELO製程來移除支撐晶圓上的el〇膜。 第19圖為第18圖設備之晶圓支撐件與帶傳動和點荷 重拉伸部分的放大等角視圖。 第20圖為第18圖設備之晶圓支撐件與帶傳動和點荷 重拉伸部分的截面圖。 ❹ 第21圖為第18圖設備處於袭載位置之晶圓支撐件與 帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第22圖為第18圖設備處於裝載位置之晶圓支撐件與 ’ 帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 第23圖為第18圖設備處於點荷重與突指下降位置之 日日圓支撲件與帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第24圖為第18圖設備處於點荷重與突指下降位置之 曰圓支撐件與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 第25圖為第18圖設備處於點荷重與突指更低位置之 36 201030802 圓支揮件與帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第26圖為第18圖設備處於點荷重與突指更低位置之 •晶圓支擇件與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 第7圏為第18圖設備處於帶鎖定位置之晶圓支撐件 帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第8圖為第18圖設備處於帶鎖定位置之晶圓支撐件 與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 ❹ 第29圖為第18圖設備處於下降帶位置之晶圓支撲件 、帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第30圖為第18®設備處於下降帶位置之晶圓支撐件 與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 第31圖為第18圖設備處於最初ELO位置之晶圓支撐 件與帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第32圖為第18圖設備處於最初ELO位置之晶圓支撐 件與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 ·$ 33圖為第18圓設備處於連續ELO位置之晶圓支撐 牛與帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第34圖為第18圖設備處於連續ELO位置之晶圓支撐 件與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 第35圖為第18圖設備處於ELO完成位置之晶圓支撐 半與帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第36圖為第18圖設備處於ELO完成位置之晶圓支撐 牛與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 第37圓為第18圖設備處於點荷重旋轉位置之晶圓支 37 201030802 撐件與帶傳動和點荷重拉伸部分的放大等角視圖。 第3 8圖為第18圖設備處於點荷重旋轉位置之晶圓支 撐件與帶傳動和點荷重拉伸部分的截面圖。 第39圖為形成ELO薄膜和裝置之方法實施例的流程 圖’其可由第3圖設備施行。 第40圖為批式ELO方法實施例的流程圖，其可由第 18-38圖設備施行。 【主要元件符號說明】

100 基板 102 晶圓 104 犧牲層 106 蟲晶膜 150 堆疊結構 200 組件 202 支撐帶 204 黏著層 206 軌道開口 208 狹縫 210 組件 212 滾轴 214 薄板 220 組件 300 組件 302、3 04、306、308、312、314、316、318、320、322、 324、328、330、332、334、336、338 區段 310、326 機器人 352 ' 364 ' 368 支撐帶 356、358、360 基板 400設備 404 蝕刻浴 350 ' 370 末端 354 ' 366 滚轴 362 晶圓 402、406、408 區段 502 齒輪 38 201030802

504 外部 506 扣鏈齒 508 傳動軸 510 導件 512 斜面 514 支撐件 600 ' 600’ 裂縫 700 組件 702 引導區塊 704 ' 716 側邊 706 接腳 708 孔洞 710 支樓板 712 狹縫 714 導柱 800 組件 802 滾軸 804 支撐軸 806 接腳 900 組件 902 响合棒 904 前緣 1000 設備 1002 區塊 1004 軌條 1006 傳動鏈 1008 扣鏈齒 1100 拉伸部 1102 接腳 1104 滾軸 1106 軸 1108 通道 1200 設備 1202 、1204 鏈傳動 1206 點何重 1208 支撐構件 1302 末端 1304 > 1306 接腳 1308 插座 1402 推動器 1404 支撐構件 1500 設備 1502 點何重 1602 ' 1610 支撐構件 1604 末端 1606 接腳 1608 凹部 39 201030802 1702 、1704 ' 1706 、 1708 區段 1710 裂縫 1712 孔洞 1714 凸起部 1800 設備 • 1802 、1806 、 1808 區段 1804 蝕刻浴 • 1810 點荷重 1812 托架 1814 軌條 1820 滑輪 1822 晶圓 1902 突指 1904 搬運組件 1906 傳動帶 參 2002 推動器 2004 軌條 2102 滑輪 2104 托架 2106 槓桿 2110 側壁 2202 中心部分 3202 裂縫 3204 表面 3900 、4000 方法 3902 ' 3904 ' 3906 ' 3908、 3910、 3912、3914、4002 ' 4004 、4006、4008 ' 4010、 4012、 4014、4016、4018、 4020 方塊 Dj 距離 Li 長度 Rl -2 半徑 W,.3 寬度 40

Claims (1)

1. 201030802 七、申請專利範圍： 1. 一種在磊晶移植製程期間形成薄膜裝置的方法，該方 包含下列步驟： ~ -· 耦接一細長支撐帶和複數個基板，其中每一基板包含一 / 蟲晶膜置於一晶圓上的一犧牲層上； 在一蝕刻製程期間，使該些基板接觸一蝕刻劑，同時移 動該細長支撐帶；以及 ❹ 蝕刻該犧牲層及剝除該晶圓上的該磊晶膜，同時移動該 細長支撐帶。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該細長支擇帶 耦接該磊晶膜。 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中耦接該細長支 揮帶的該些基板包含約4個基板至約1〇〇個基板。 4·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該細長支撐帶 包含至少一金屬。 - 5.如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該細長支撐帶 包含至少一金屬箔。 6.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該金屬箔包含 201030802 至少一金屬，該金屬選自由鐵、鎳、鈷、鋼、不鏽鋼、其 合金、其衍生物和其組合物組成之一群組。 : 7.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該細長支撐帶 • 包含至少一材料，該材料選自由聚合材料、共聚材料、募 聚材料、其衍生物和其組合物組成之一群組。 8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該細長支撐帶 參 包含至少一材料’該材料選自由聚丙烯酸材料、聚乙烯材 料、聚丙烯材料、聚四氟乙烯材料、氟化聚合材料、其同 分異構物、其衍生物和其組合物組成之一群組。 9. 如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該細長支撐帶 包含多層。 ❹10.如中料㈣圍第丨項所述之方法，其中該細長支撐 帶繞著至少二捲軸、滚筒或滾軸而移動。 其中該細長支撐 之一長度的軌道 11.如申請專利範圍第1項所述之方法， 帶的至少一侧包含一列延伸該細長支撐帶 開口。 12·如申請專利範圍第u項所 ^^ ^ 万法，其中該細長支撐 帶的每一側包含一列延伸該細長支 芽▼之一長度的軌道開 42 201030802 σ 〇 L3.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該細長支樓 η一滾輛而移動’該滾軸設有複數個從該滾轴延 伸的接腳來喷合該些轨道開口。

   14.如申請專利範圍第13項所述之方法， 轴包含一扣鏈齒或一鈍齒來嚙合該些軌道 其中該至少一滾 開口。 ’其中該細長支撐 質垂直延伸的複數 15.如申請專利範圍第i項所述之方法 帶包含從該細長支撐帶之外緣垂直或實 個狹縫。 16.如申請專利範圍第15項所述之方沐甘丄_ π 万去，其中該些狹缝包 含多對從該細長支撐帶之一相反外缝 个久卜緣延伸的對準狹缝。

   A如中請專利範圍第16項所述之方法，其中每—對狭縫 位於該細長支撐帶的一區域内’且該區域不含該些基板。 方法，其中每一基板耦 18.如申請專利範圍第16項所述之 接二對連續狹缝間的該細長支撐帶 19.如申請專利範圍第i項所述之方法，其中一黏著層設 於各基板與該細長支撐帶之間。 43 201030802 20.如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該黏著層是 藉由塗鋪一膠黏劑於各基板、及耦接各基板和該細長支撐 帶而形成。 21.如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該黏著層包 含一感壓膠、一熱熔膠、一紫外線（uv)固化膠。 ^ 22.如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該黏著層包 含一丙烯酸膠黏劑。 23.如申請專利範圍第i項所述之方法，其中在該勉刻製 程期間’使該犧牲層接觸-㈣刻液，該絲刻液包含氮 氣酸、一界面活性劑和一緩衝劑。 Μ • 2:如申請專利範圍第i項所述之方法，其甲該犧牲層 ，’ 5毫米Λ】、時（mm/hr)或更快的一速率蝕刻。 2含5二:：專利範圍第1項所述之方法，其中㈣晶膜包 枓兑該材料選自由坤化鎵、碎化銘 金、其衍生物和其級合物組成之-群組。 26.如申請專利範圍第25 含—含坤化鎵層和另-切化銘鎵層方法’其中㈣晶膜包 201030802 27.如申請專利範圍第26項所述之方法，其中該磊晶膜包 含一砷化鎵緩衝層、至少一砷化鋁鎵鈍化層和一砷化鎵主 動層。 28.如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該遙晶膜包 含一具多層之光電電池結構，且該光電電池結構包含至少 二種材料’該些材料選自由砷化鎵、n型摻雜之砷化鎵、p 型推雜之珅化鎵、_化銘鎵、η型摻雜之_化IS鎵、ρ型摻 雜之坤化銘鎵、鱗化銦鎵、其合金、其衍生物和其組合物 組成之一群組。 29. 如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該犧牲層包 含-材料’該材料選自由坤化銘、其合金、其衍生物和其 組合物組成之一群組。 30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該犧牲層包 含一碎化銘層，該坤化銘層的-厚度為約i奈料nm)至約 20nm之範圍内。 31.如申請專利範圍第 砷化鎵、砷化鎵合金、 1項所述之方法，其中該晶圓包含 其捧質或其衍生物。 32. 一種形成基於支撐帶之蟲 晶移植膜的設備，該設備包 45 201030802 含： 一第一末端； 一第二末端； 帶供應區段，鄰接該第一末端，該帶供應區段提供一 卸載支撐帶； 一層壓區段，用以接收該卸載支撐帶和複數個基板，各 該基板含有一磊晶膜於其上，該層壓區段黏接該些基板 和該卸載支標帶而構成一裝載支撐帶；以及 一 ELO餘刻區段’鄰接該第二末端，該el〇蝕刻區段自 該裝載支撐帶上移開該些基板，而將該磊晶膜留在該裝 栽支撐帶上。 33.如申請專利範圍第32項所述之設備，其中該帶供應區 段包括至少一滾轴，該至少一滚轴具有該至少一支撐帶纏 繞於其上。 34. 如申請專利範圍第32項所述之設備，於該帶供應區段 與該層壓區段之間更包含一疊接/打孔區段，該疊接/打孔區 段於該至少一卸載支撐帶中形成一開口。 35. 如申請專利範圍第32項所述之設備，其中配置該el〇 蝕刻區段以自該之少一裝載支撐帶上連續移開該些基板。 36·如申請專利範圍第32項所述之設備，其中配置該el〇 46 201030802 ㈣區段以自該至少-裝栽切帶上批次移開該些基板 37_如申請專利範圍第32 支撐帶的該複數基板有約 項所述之設備，其中耦接該襞載 4個基板至約100個基板。 38. 如申請專利範圍第32項 z項所述之設備，其中該裝載支撐 帶包含至少一金屬。 39. 如申請專利範圍第38項所述之設備，其中該裝載支撐 帶包含至少一金屬領。 4〇·如申請專利範圍第39項所述之設備，其中該金屬落包 含至j/ 一金屬，該金屬選自由鐵、錄錄、鋼不錄鋼、 其合金、其衍生物和其組合物組成之一群組。 ❹41.如申凊專利範圍第32項所述之設備，其中該裝載支撐 帶包含至少一材料，該材料選自由聚合材料、共聚材料、 寡聚材料、其衍生物和其組合物組成之一群組。 42.如申請專利範圍第41項所述之設備，其中該裝載支撐 帶包含至少一材料，該材料選自由聚丙烯酸材料、聚乙烯 材料、聚丙婦材料、聚四氟乙稀材料、氟化聚合材料、其 同刀異構物、其衍生物和其組合物組成之一群組。 47 201030802 43.如申請專利範圍第 帶包含多層。 32項所述之設備， 其中該裝載支撐 • 44.如申請專利範圍第32 n此 帶镇英s I 斤述之設備’其中該裝載支撐 , 咿繞著至少二捲軸、渰n +^衣取又仿 神展筒或滾軸而移動。 45.如申請專利範圍第μ ^ 項所述之方法，其中續獎恭古德 帶的至少一側包含一列具’該裝載支樓 • 開口β Λ裝載支撐帶之一長度的軌道 ’其中該裝載支撐 夂一長度的轨道開 46.如申請專利範圍第45項所述之設備 帶的每-侧包含一列延伸該裝載支撐帶 4'如申請專利範圍第45項所述之設備，其中該裝載支撐 鲁帶繞著至少-滾軸而移動，該滾轴具有複數個從該滾轴延 伸的接腳來嚙合該些軌道開口。 -48.如申請專利範圍第47項所述之設備其中該至少一滾 ' 軸包含一扣鏈齒或一鈍齒來嚙合該些軌道開口。 49.如申請專利範圍第32項所述之設備其中該裝載支撐 帶包含從該裝載支撐帶之外緣垂直或實質垂直延伸的複數 個狹缝。 48 201030802 項所述之設備，其中該複數狹縫 之一相反外緣延伸的對準狹縫。 圍第50項所述之設備，其中每一對狹缝 的區域内，且該區域不含該些基板。

   50.如申請專利範圍第49 包含多對㈣裝載支撐帶 51.如申請專利範 位於該裝栽支撐帶 52·如申清專利範圍第50項所述之設備，其中每一基板耦 接二對連續狹縫間的該裝載支撐帶。

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