TW201025682A - Optoelectronic semiconductor component - Google Patents
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Description
\ .201025682 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種光電半導體組件。 【先前技術】 德國專利DE 1 020060264 8 1揭示一種用於在基板上設 置粉末層之方法及一種在基板上具有至少一粉末層的層結 構。 德國專利DE 1 020070 1 5474揭示一種發出電磁輻射的 〇 光電組件及一種用於製作光電組件之方法。 德國專利DE 1 0 3 0 8 8 66揭示一種照明模組及其製造方 法。 美國專利US2002/0 1 803 5 1揭示一種紫外線反射器及 紫外線系的光源。 本專利申請案主張德國專利申請案1 0 2008 054 029.3 之優先權,其已揭示的整個內容在此一倂作爲參考。 【發明內容】 ^ 本發明的目的是提供一種光電半導體組件,其在截止 的操作狀態下在該光電半導體組件之光發出面觀看時對外 部的觀看者而言依據一可預設的感色性(color sense)來顯 現。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,其包括至 少一發出輻射的半導體晶片。此發出輻射的半導體晶片例 如可以是電致發光二極體晶片。此電致發光二極體晶片可 以是發光-或雷射二極體晶片,其在紫外線至紅外光之範圍 201025682 中發出輻射。該電致發光二極體晶片較佳是發出可見光或 紫外線範圍之電磁輻射之光譜中的光。 依據至少一實施形式,至少一轉換元件配置在該發出 輻射的半導體晶片之後,以將半導體晶片操作時所發出之 電磁輻射轉換至發射方向中。若環境光包括一種波長成 份,且此波長成份適合用來激發該轉換元件中的轉換物 質,則該轉換元件在以該環境光來照射時將發出彩色光。 該轉換元件配置在半導體晶片之輻射發出面上。該光電半 ® 導體組件操作時,該轉換元件將一種波長的光轉換成另一 波長的光。例如,該轉換元件將該半導體晶片所發出之主 要的藍光的一部分轉換成黃光,其隨後可與該藍光混合成 白光。 在該光電半導體組件操作時,該轉換元件具有光轉換 器的功能。該轉換元件可安裝在半導體晶片上且因此直接 與該半導體晶片相接觸。例如,這可藉由將該轉換元件黏 合在該半導體晶片上或藉由一種絲網印刷法來達成。然 而,亦可將該轉換元件只間接地與該半導體晶片相接觸。 即,在該轉換元件/半導體晶片的界面之間形成一間隙且医I 此使該轉換元件和該半導體晶片不相接觸。能以氣體(例 如,空氣)來塡入至該間隙中。 該轉換元件可以由矽樹脂、環氧化物、或矽樹脂和環 氧化物之混合物、或透明的陶瓷來形成,其中施加有一轉 換物質之粒子。 依據至少一實施形式,該光電半導體組件具有〜個光 201025682 發出面。由半導體晶片所發出的電磁輻射例如經由一光學 元件而由該組件中發出。該組件之光學元件具有一輻射穿 越口 ’該輻射經由此穿越口而由該組件中發出。該輻射穿 越口具有一遠離該半導體晶片之外表面,其形成該組件之 光發出面。該光學元件亦可以是一種透鏡或一單純的覆蓋 板。此外’該光學元件可由澆注物來形成,該澆注物包圍 著或包封著該半導體晶片》 又’該光電半導體組件包含一種用來使光散射的手 ® 段,其在該組件處於截止的操作狀態時用來使入射至該組 件上的環境光散射,以便使該組件之光發出面未顯示成該 轉換元件之彩色(例如,黃色)。該光發出面較佳是不顯示 成彩色而是白色。例如,當整個太陽光譜被散射時,一物 體顯示成白色。環境光若照射在該組件上,則將光予以散 射的該手段將該環境光散射,使經由該手段散射後該光對 外部的觀看者顯示成白色。因此,將光予以散射的該手段 可由唯一的元件來形成。此外,該手段亦可由多個元件所 〇 構成,每一元件都可使光散射。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,該組件包 括至少一發出輻射的半導體晶片、至少一配置在該半導體 晶片之後的轉換元件,以將該半導體晶片操作時所發出之 電磁輻射進行轉換,其中該轉換元件在以環境光來照射時 發出彩色光。又,該光電半導體組件包括一用來使光散射 的手段。此手段在該組件處於截止的操作狀態時用來使入 射至該組件上的環境光散射,以便使該組件之光發出面顯 201025682 示成白色。 此處所述之光電半導體組件另外涉及以下的認知:若 上述使光散射的手段不存在,則在該半導體組件處於截止 的操作狀態時該半導體組件對外部的觀看者顯示成彩色。 在此種情況下,該組件的光發出面由於該轉換元件而顯示 成彩色。 因此,在以環境光來照射時該轉換元件再發出彩色 光,此乃因在環境光時同樣存在對該轉換元件有激發作用 的成份。例如,該轉換元件將入射的藍光轉換成黃光。該 組件在截止的操作狀態下在其光發出面上因此顯示成和接 通的操作狀態下不同的彩色。 爲了防止此種具有干擾性的感色性,此處的組件使用 的槪念是:適當地將光散射用的手段定位在該光電半導體 組件之輻射通道中的至少一位置處。該輻射通道是指該半 導體晶片所發出的電磁輻射直至經由該組件之光發出面而 發出時所經過的路徑。所安裝的使光散射用的手段在該輻 射通道中使由外部經由該光發出面而入射的光在入射至該 轉換元件之前被散射。由於該手段使由外部入射的環境光 之整個光譜都可散射,則該光顯示成白色。該光的一部分 可入射至該轉換元件且又以彩色形式發出,但再發出的光 在經由該手段時又被散射且與散射的環境光相混合。因 此’一觀看者看到由該轉換元件所發出之彩色光與由該手 段所散射的白光。由於該光只經由該光發出面而由該組件 發出’則感色性只由該光發出面而來之光所定義。散射的 201025682 白光對再發出的彩色光之比越大,則該組件之光發出面相 對於一外部的觀看者之整個感色性將越白。 該組件之光發出面之外部感色性因此可特別有利而簡 易地進一步調整,使光散射用的該手段包括多個元素且該 手段之各別元素可以不同的濃度施加在該組件之不同的位 置處。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,使光散射 的該手段包括一種基質材料(matrix material),其中施加有 ® 使輻射散射的粒子(亦稱爲擴散粒子)。該基質材料較佳是 —種可使該半導體晶片所產生之電磁輻射透過的材料,以 確保該組件操作時輻射可儘可能多地由該組件發出。該基 質材料可以是透明之塑料,例如,矽樹脂、環氧化物或此 二者之混合物。例如,該基質材料包括該二種材料之—。 基質材料中施加有使輻射散射的粒子,其使入射至該基質 材料上的輻射發生散射。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,使輻射散 ❹ 射的粒子至少包括由材料二氧化矽(Si02)、Zr02, Ti02及/ 或AlxOy所構成的粒子。例如,氧化鋁可以是a】2〇3。使輻 射散射的粒子在施加至半導體組件之前須與基質材料混 合。使輻射散射的粒子較佳是分布在基質材料中,以便在 硬化的基質材料中使該些粒子的濃度均勻化。由硬化的基 質材料中所反射的光較佳是同向地反射及散射。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,該些使輻 射散射的粒子在基質材料中的濃度大於6 Wt%。已顯示的 } 201025682 事實是:由該粒子的此種濃度開始,會產生一種對外部的 觀看者爲白色的感色性,且散射的白光將與由該轉換元件 再發出的彩色(例如,黃色)光相重疊。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,該轉換元 件和使光散射的手段直接互相接觸。例如,該手段圍繞在 一種使光散射之箔的周圍。即,沿著該半導體組件之輻射 發出方向該箔直接在該轉換元件上。例如,該箔黏合在該 轉換元件上。在該轉換元件/箔之界面上較佳是未形成一間 ® 隙亦未形成中斷區。爲了製成該箔,在上述硬化之前可將 使輻射散射的粒子(其例如由Al2〇3構成)施加至使光散射 的箔之材料中。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,使光散射 之手段在該轉換元件之所有裸露的外表面上覆蓋該轉換元 件。該手段較佳是包括一種由基質材料所構成的層,該基 質材料與使輻射散射的粒子相混合。該基質材料在硬化之 後形成一種層,其在所有裸露的外表面上覆蓋該轉換元 w 件。因此,入射至該組件中的環境光之儘可能多之成份可 有利地由該層中由該組件中散射出而不會入射至該轉換元 件上。由於該層亦覆蓋該轉換元件之裸露之側面,則可防 止該轉換元件之側面再發出彩色。以此種方式,則可在反 射光中產生儘可能多之白色成份。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,使光散射 之手段包括一光學元件,其至少依位置而形成透鏡。例如, 該手段之與該使輻射散射之粒子相混合之基質材料是以矽 201025682 樹脂來形成,矽樹脂可使電磁輻射透過。在該基質材料硬 化之後’形成一種聚光透鏡形式的透鏡。又,同樣亦可使 硬化的透鏡材料只以透鏡形式形成在光發出面之區域中。 該光電半導體組件之透鏡可有效率地將該組件中所發出之 輻射發出。藉由使該手段形成爲透鏡,則可達成二種功能。 一種是可使該手段有較佳的輻射發出率,另一種是可使入 射的環境光散射成白光。又,到達該組件且由該轉換元件 再發出之彩色(例如,黃色)的光在經由該透鏡中所含有的 ® 使輻射散射之粒子而由該組件發出時發生散射。藉由黃光 之散射’則所發出之光譜中的白色成份又被放大。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,使光散射 之手段包括一透光體之光穿越面之粗糙區。該透光體可以 是一種透鏡、板、該組件之覆蓋物或類似物。該粗糙區較 佳是一種依據規約(NORM)VDI 3400之粗糙區,特別是N4 至N10型態者。例如,該粗糙區另外具有!至2微米之平 均深度,較佳是1.5微米。該粗糙區一方面將該轉換元件 再發出之彩色光予以散射,另一方面使入射的環境光散 射,使該光電半導體組件之光發出面顯示成白色。又,亦 可使光散射的手段除了該光發出面之粗糙區以外另具有一 散射用的元件,其使上述效應擴大。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式,使光散射 之手段包括微結構。例如,該微結構是平面式蜂巢結構, 其藉由絲網印刷法、熱轉印方法或紫外線複製法而以層的 形式施加在該透鏡之光發出面上。同樣,微結構亦可具有 201025682 與蜂巢結構不同的形式和特性且其結構因此未固 構亦可具有可變的形式及/或隨機形成之形式。層 是至少10微米。微結構對所入射之電磁輻射而言 作用。此外,入射的輻射不會由於微結構而進行 結構因此不會形成繞射光柵。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式, 的手段具有一種光散射板,其在側面上由該轉 出。該光散射板較佳是固定著。例如,該板是以 ® 著光散射用的粒子之基質材料來形成,該基質材 板。該光散射板亦能以陶瓷材料來形成。同樣, 離該半導體晶片之此側(其上入射有環境光)已粗 藉由該板之此種形式而使入射的環境光散射回來 件中發出。該光散射板與該轉換元件較佳是直接 了防止:由該轉換元件側面反射之彩色輻射來自 同時使儘可能少之環境光入射至該轉換元件,則 板須由該轉換元件側面突出。亦可使該板除了突 ® 換元件之外亦可由該半導體晶片側面突出。該光 佳是由半導體晶片側面突出200微米至500微米 3 00微米至400微米,例如3 50微米。該光散射 具有1〇〇微米至1毫米之厚度,更佳是300微米 米,例如,500微米。藉由該手段之此種佈置, 地使環境光之儘可能多的成份發生散射,這樣可 面顯示成白色。 依據該光電半導體組件之至少一實施形式, 定。微結 厚度較佳 具有繞射 繞射。微 使光散射 換元件突 一種混合 料硬化成 該板之遠 糖化,且 而由該組 接觸。爲 該組件且 該光散射 出於該轉 散射板較 ,更佳是 板較佳是 至800微 則可有利 使光發出 使光散射 -10- 201025682 的手段包括一種膜,其施加在一透鏡之外表面上。該外表 面是該透鏡之表面之遠離該半導體晶片之此側面且形成光 發出面。使光散射之手段例如以薄層膜之形式施加在此透 鏡之光發出面上。該膜藉由黏合而施加在該透鏡上。該薄 層膜除了基質材料以外亦含有使輻射散射用之粒子且因此 使入射的環境光發生散射式反射,同時使由該轉換元件所 反射之彩色光發生散射,該彩色光同樣經由透鏡而由該組 件發出。 © 此外,本發明提供光電半導體組件之製造方法。藉此 方法來製成此處所述的組件。即,整體而言該組件所揭示 的特徵亦適用於本方法且反之亦然。 依據本方法之至少一實施形式,首先製備一載體元 件。此載體元件例如可以是箔。 在下一步驟中,藉由絲網印刷過程而在該載體元件上 形成一轉換元件。在施加第一圖案之後藉由絲網印刷過程 將該轉換元件之材料例如塗布在該載體元件上。在塗布該 ® 材料且該材料硬化之後,由該載體元件中去除第一圖案。 該轉換元件之材料例如可以是一種具有矽樹脂之層或由透 明的陶瓷所構成的層,其中施加有轉換粒子。 在第三步驟中,使用一種施加在該載體材料上之第二 圖案且藉由第二絲網印刷過程而在該轉換元件之所有裸露 之外表面上施加一種使光散射用的手段以作爲第二層。使 光散射用的手段在所有裸露之側面上以及遠離該載體元件 之上側上都覆蓋該轉換元件。例如,可塗布上述材料且隨 -11- 201025682 後使材料硬化。 在將該載體元件和第二圖案由該轉換元件和第二層所 構成的複合物剝離之後,將該複合物施加在發出輻射之半 導體晶片上。 以下將依據各實施例和相關的圖式來說明上述組件及 其製造方法。 【實施方式】 各圖式和實施例中相同或作用相同的各組件分別以相 Φ 同的元件符號表示。所示的各元件和各元件之間的比例未 必依比例繪出。反之,爲了清楚之故各圖式的一些元件已 予放大地顯示。 第la圖中顯示此處所述光電半導體組件之剖面圖,其 包括一基體13,此基體13由一載體1和一施加在該載體1 上之外殼2構成。外殼2之內部中,半導體晶片3安裝在 該載體1之表面上。 載體1和外殼2能以塑料或陶瓷來形成。載體1形成 ® 爲此組件之電路板或載體框(導線架)。 半導體晶片3導電性地與載體1相連接。半導體晶片 3上施加一轉換元件4,其在該組件導通的狀態下將半導體 晶片3所發出的主要輻射轉換成另一波長。本例子中,該 轉換元件4是光學CLC(Chip-Level Conversion)層,其將半 導體晶片3所發出之藍光的一部分轉換成黃光。此外,該 轉換元件4使由外部入射之環境光再被發出且例如將環境 光中所包含的藍光轉換成黃光。該轉換元件4是一種以矽 -12- 201025682 樹脂或透明之陶瓷所形成的層,其中施加了轉換粒子。 光散射板51安裝在該轉換元件4上。光散射板51之 材料是矽樹脂,其在硬化成該板之前與由氧化鋁構成之輻 射散射用之粒子相混合1光散射板中氧化鋁粒子之濃度是 6Wt.%。藉由此種濃度,在該組件之截止的操作狀態下可 針對外部觀看者所形成之白色影像達成顯著的效果。光散 射板51未覆蓋該轉換元件4之側面。光散射板51之側面 範圍選擇成較該轉換元件4之側面範圍還大,使該光散射 ^ 板51不只突出於該轉換元件4而且亦由該半導體晶片3之 側面突出。該光散射板5 1在半導體晶片3之側面突出之長 度B是該半導體晶片3之邊長之至少10%。該長度B目前 是200微米。在該光電半導體組件處於截止的操作狀態 下,上述方式之優點是:儘可能少的環境光入射至該轉換 元件4上且由該光電半導體組件所反射的光因此主要是白 光。 又,第la圖顯示一種光學元件,其形成透鏡6之形式 且導入至外殻2中。透鏡6使該組件再發出之散射的電磁 輻射或已發出的電磁輻射有效率地發出。整個輻射中只有 入射至透鏡6之光入射面61上的輻射成份14a經由透鏡6 以及光發出面62而由該組件發出。光入射面61是透鏡6 之外表面之與該半導體晶片3相面對的部分。光發出面62 是透鏡6之外表面之遠離該半導體晶片3的部分。透鏡6 具有厚度D。厚度D是與該載體1之面對該透鏡6之表面 垂直之方向中介於光入射面61和光發出面62之間的最大 -13- 201025682 距離。未入射至光入射面61上的輻射成份HB未由該組件 發出。透鏡6在本實施例中由矽樹脂形成且可使電磁輻射 透過。透鏡6未包含使輻射散射用的粒子。到達該組件中 且由半導體晶片3所發出之電磁輻射經由該透鏡6發出, 此乃因載體1和外殼2都可使輻射透過。 第lb圖顯示光電半導體組件,其中使光散射用的手段 5是透鏡6。該透鏡之材料(本實施例中是矽樹脂)與由氧化 鋁構成的使輻射散射用的粒子在濃度是〇.2至IWt% ’較佳 © 是0.4至0.8,目前是0.6 Wt%之情況下相混合,其中該透 鏡6具有的厚度D是1.5毫米。 第lc圖就像第la圖一樣顯示一施加在該轉換元件4 上之光散射板51。又’除了光散射板51以外’透鏡6之 光入射面61已粗糙化。粗糙區7之平均深度是1至2微米, 目前是1.5微米。使光散射用之手段5在第lc圖中包括光 散射板51和粗糙區7且因此由二個部分所構成以使光發生 散射。 ® 第Id圖顯示使光散射用的手段5之各別部分之其它的 可能組合。如第lb圖所示,濃度0.2至1 Wt%,較佳是0.4 至0.8Wt%,目前是〇_6Wt%之氧化鋁粒子施加至透鏡6之 材料中,該透鏡6之厚度D是1.5毫米。又,使光散射用 的手段5另外在該透鏡6之輻射入射面61上包括該粗糙區 7。此二個部分藉由上述的組合方式而強化了對入射的環境 光之散射作用。 第le圖顯示一由透明的矽樹脂構成的透鏡6,其中藉 -14- 201025682 由使用二成份濺鏟澆注而以光散射用的材料來對該光發出 面62進行濺鍍。光散射用的材料在透鏡6之光發出面62 的周圍形成一種層且與該透鏡6 —起形成使光散射用的手 段5。散射材料亦可以是矽樹脂,其與由氧化鋁構成的使 輻射散射用的粒子相混合。氧化鋁粒子的濃度在本實施例 中是0.5Wt %,層厚度理想情況下是50至100微米,目前 是75微米。 第If圖中在透鏡6之光發出面62上施加一種具有微 ® 結構52之層,微結構對該手段5之光散射而言扮演實際的 角色。本實施例中,微結構是一種在蜂巢形結構中具有平 坦微結構5 2之層,其以層的形式藉由絲網印刷、熱轉印方 法或紫外線複製法而施加在透鏡6之光發出面62上。層厚 度目前是50微米。 第lg圖顯示一種光電半導體組件,其中使光散射用的 手段5以膜53的形式黏合在該透鏡6之光發出面62上。 膜53可以是一種箔形式之薄層,其以矽樹脂來形成。膜 53具有30至500微米之厚度。本實施例中膜53之厚度選 擇成250微米。膜53中施加有由濃度0.5至lWt%,目前 是0.7 5 Wt %之氧化鋁所構成的粒子。膜53用作使光散射的 手段。 第lh圖顯示一種光電半導體組件,其中該透鏡6之光 發出面62已粗糙化且粗糙區7是使光散射用的手段5。此 粗糙區7所具有的平均深度較佳是1至2微米,目前是15 微米。 -15- 201025682 在與第2a,2b,3a,3b圖相關聯下,依據剖面圖來說明 至少一實施例中製造光電半導體組件之方法。 第2a圖顯示一種箔,其作爲此製造中所用的載體元件 9。載體元件9上施加第一圖案8。藉由一種壓印手段,此 處是刮板12,將該轉換元件4之材料施加至圖案8之開口 中。該轉換元件4之材料可以是一種具有矽樹脂之層或由 陶瓷材料構成,該材料中施加有轉換粒子。在藉由絲網印 刷將該轉換元件4施加在圖案8上且該材料已硬化之後, © 由該載體元件9和該轉換元件4中去除該圖案8。該轉換 元件4在該載體元件9上形成第一層。 第二步驟中,第二圖案10施加在該載體元件9上且藉 由第二絲網印刷過程而在使用刮板12下將使光散射用的 手段施加在第二圖案10上以作爲第二層1.1。第二層11在 所有裸露之外表面上覆蓋該轉換元件4且與該轉換元件4 直接接觸,請參閱第2b圖。在施加第二層11於該轉換元 件4上之後,第二圖案10由載體元件9及由該轉換元件4、 ® 第二層所構成的複合物中去除。 第二層11可以是第二轉換層亦可以是設有輻射散射 用之粒子之層。例如,第二層11可以是一種轉換層,其將 該轉換元件4所發出之光的一部分轉換成另一彩色的光。 第二層可以是第二轉換層11a。此過程可重複且在第 三步驟或下一步驟中使光散射用之手段5施加至第二轉換 層1 1 a上。 除了上述之絲網印刷法以外,黏稠的媒體可滴在該圖 -16- 201025682 案8或10上。然後’藉由旋塗過程,使該材料分布在余載 體元件9之表面上,隨後可硬化。 在最後的步驟中,將該載體元件9由該轉換元件4和 第二層11所構成的複合物中去除。請參閱第3a和3b圖。 該複合物然後施加至發出輻射之半導體晶片3上。此 種施加可藉由黏合、焊接或小板轉移法來達成。 本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反 之,本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合,特 ® 別是包含各申請專利範圍或不同實施例之各別特徵之每一 種組合,當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在 各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。 【圖式簡單說明】 第la圖至第lh圖顯示此處所示之光電組件之實施例 的剖面圖。 第2a,2b, 3a和3b圖顯示各別的製造步驟以製造此處 所述組件之至少一實施例。 ® 【主要元件符號說明】 1 載體 2 外殼 3 發出輻射之半導體晶片 4 轉換元件 5 使光散射用之手段 62 光發出面 6 透鏡 -17- 201025682 6 1 光入射面 52 微結構 5 1 光散射板 53 施加在透鏡6之外表面上的膜 7 粗糙區 8 圖案 9 載體元件 13 基體
11 第二層 11a 第二轉換層 12 刮板 14a 總輻射之入射至透鏡6之光入射面61上之輻射成份 14b 總輻射之未入射至透鏡6之光入射面61上之輻射成份 B 光散射板51自半導體晶片3側面突出之長度 D 透鏡6之厚度
-18-
Claims (1)
- 201025682 七、申請專利範圍: 1 · 一種光電半導體組件,包括: -至少一發出輻射之半導體晶片(3), -至少一配置在該半導體晶片(3)之後的轉換元件(4), 對該半導體晶片(3)操作時所發出之電磁輻射進行轉 換,該轉換元件(4)在以環境光來照射時發出彩色光, 以及 -使光散射用的手段(5),其在該組件處於截止的操作狀 ® 態時使入射至該組件上的環境光發生散射,以使該組 件之光發出面(62)顯示成白色》 2. 如申請專利範圍第1項之光電半導體組件,其中該使光 散射用的手段(5)包含基質材料,其中施加有使光散射用 的粒子。 3. 如申請專利範圍第2項之光電半導體組件,其中該使光 散射用的粒子由以下材料中的至少一種所構成或包含 以下的材料:Si02,Zr02, Ti02 或 AlxOy。 ^ 4.如申請專利範圍第2或3項之光電半導體組件,其中該 使光散射用的粒子在該基質材料中之濃度大於6 Wt%。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光電半導體組 件,其中該轉換元件(4)和該使光散射用的手段(5)直接 互相接觸。 6. 如申請專利範圍第5項之光電半導體組件,其中該使光 散射用的手段(5)在該轉換元件(4)之所有裸露之外表面 上覆蓋該轉換元件(4)。 -19- .201025682 7 ·如申請專利範圍第1至6項中任一項之光電半導體組 件,其中該使光散射用的手段(5)包含一種光學元件,其 至少一部分形成一透鏡(6)。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之光電半導體組 件,其中該使光散射用的手段(5)包含一透光體(6)之光 穿越面(61,62)之粗糙區(7)。 9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之光電半導體組 件,其中該使光散射用的手段(5)包括微結構(5 2)。 β 1〇·如申請專利範圍第1至9項中任一項之光電半導體組 件,其中該使光散射用的手段(5)包括光散射板(51),其 由該轉換元件(4)之側面突出。 11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之光電半導體組 件,其中該使光散射用的手段(5)具有一施加在透鏡(6) 之外表面上的膜(53)。 12. —種如申請專利範圍第6項之光電半導體組件之製造方 法,包括以下各步驟: ® -製備一載體元件(9), -藉由第一絲網印刷過程而在該載體元件(9)上形成該 轉換元件(4), -藉由第二絲網印刷過程而在該轉換元件(4)之裸露的 外表面上形成一使光散射用的手段(5), -將該載體元件(9)剝離, -在發出輻射的該半導體晶片(3)上施加由該轉換元件 (4)和該使光散射用的手段(5)所構成的複合物。 -20-
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