TW201025637A - Solar cell - Google Patents

Description

201025637

* I 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本案係關於一種光電元件，尤指一種可運用紫外光及 紅外光之光譜範圍之太陽能電池(Solar cell)。 【先前技術】 現今，由於全球能源的持續短缺且對於能源的需求與 曰俱增，因此如何提供環保且乾淨的能源便成為目前最迫 φ 切需要研究的議題。在各種替代性能源的研究當中，利用 自然的太陽光經由光電能量轉換產生電能的太陽能電池， 為目前所廣泛應用且積極研發之技術，且隨著太陽能電池 研發技術之精進’更已研發出雙面之太陽能電池(Bifacial Solar Cell)，藉由太陽能電池雙面受光之設計，使得太陽能 電池的兩個表面皆可接收光線，並轉換太陽能，進而可有 效地提升雙面太陽能電池之效率。 請參閱第一圖A〜D，其係顯示傳統太陽能電池之製造 ❷ 流程結構示意圖。如第一圖A所示，首先，提供P型半導 體基板11 ’然後’將P型半導體基板11的表面形成凹凸 的紋理(Texturing)，以減低光線的反射率，其中由於凹凸的 紋理相當細微，因此在第一圖A中省略繪示。接著，如第 一圖B所示’提供摻雜劑以及利用熱擴散的方式在受光面 S1形成由N型半導體所構成的射極層12(Emitter)(亦稱為 擴散層），且在P型半導體基板11與射極層12之間形成pn 接面。此時’在射極層12上亦會形成磷矽玻璃層 13(Phosphorous Silicate Glass，PSG)。之後’如第一圖 c 3 201025637 所示，利用蝕刻的方式將表面的磷矽玻璃層13移除，再使 用沈積(Deposition)的方式於射極層π上形成一層由氮化 妙（SiN)構成的抗反射膜 14 (Anti-Reflective Coating， ARC)，以降低光線的反射率並保護射極層12。接著，如第 一圖D所示’使用網版印刷（screen Printing)技術將紹導電 材料印刷在背光面S2上。然後，再以同樣的方式將銀導電 材料印刷在受光面S1上。最後’進行燒結(Firing)步驟， • 使受光面S1產生第一電極15’以及背光面S2產生背表面 電場層16(Back surface field，BSF)以及第二電極17，藉此 以完成太陽能電池之製造。 然而’無論是在傳統單面受光的太陽能電池或是可雙 面吸收光能的雙面太陽能電池中，並非所有入射進來的太 陽光均能被吸收、利用’舉例來說，習知太陽能電池所能 運用的太陽光波長僅介於波長4〇〇nm〜u〇〇nm之間，且每 ,個太陽能電池所能運用的光線波長係取決於其所使用之 鲁微日曰矽材料以及光吸收層之材質，一般而言，只要是波長 夂於400nm的紫外光以及波長大於11 以上的紅外光 句…、法被傳統的太陽能電池吸收而轉換為電能，意即習知 太陽能電池無法有效利用不同波段的紫外光與紅外光，因 2導致其所__光電能受限，亦無法有效提升太陽能 電池之效能。 因此，如何發展一種可運用更廣之光譜範圍之太陽能 池，且忐改善上述習知技術缺失之太陽能電池，實為目 别迫切需要解決之問題。 4 201025637 【發明内容】 本案之主要目的在於提供一種太陽能電池，其係透過 光轉換層吸收第一波長之第一光線而發射具有第二波長之 第二光線，藉由光轉換層使太陽能電池可運用更廣之光譜 範圍，以提高太陽能電池之效能，並解決傳統太陽能電池 無法運用紫外光及紅外光，因而使得太陽能電池n 限之缺失❶ /》月匕叉 為達上述目的，本案之一較廣義實施態樣為提供一 太陽能電池，至少包含··半導體基板；射極層^形成:一 導體基板之受光面上，且與半導體基板之間形成沖接^半 抗反射膜，形成於射極層上；第一電極，其係與面’ 接；第二電極，形成於半導體基板之背光面上；^ 一 光轉換層，形成於該抗反射膜上，用以接收具第 之第-光線而發射具有第二波長之第二光線！長 ί池㈣’以增加入射.進而提高太陽能 種太目:少t:之::較廣義實施態樣為提供-半導體基板之受hr:半導體基板；射麵層，形成於 面；抗反射膜，形成於二導體基板之間形成pn接 層連接；第二電極第一電極，其係與射極 第二光轉換層，形成導體基板之背光面上；以及 具有第一波長之第= 導體基板之背光面上，用以接收 線，俾供太陽能電池進 及長之第二光 進而提高太陽能電池之效能、轉換’ Μ加人射光能， 5 201025637 插雜目的’本案之又一較廣義實施態樣為提供-種雙面太％此電池’其係包含：半導體基板；射極層，形 成It導，板之第一表面上，且與半導體基板之間形成 pn接面；抗反射膜，形成於射極層上；第一電極，並係鱼 射極層連接；第二電極，其係與半導體基板連接；第-光 轉換層’形成於抗反射膜上，用以接收具有第―波^之^ 層，形成於半導體基板之第：表面上，Μ接= ίΐίί:光線而發射具有第四波長之第四光線；其中， 透匕第-光轉換層與第二光轉 光線轉換為第二光繞万㊣丄ώ 册弟光線及第二 電能轉換，進而俾供太陽能電池進行光 何间雙面太陽能電池之效能。 【實施方式】 明中特^優點的一些典型實施例將在後段的說 各=其;：:是本案能夠在不同的態樣上具有 示在本質上係當作^案的_ ’且其中的說明及圖 請參閱第二圖，I用以限制本案。 電池之結構示意圖本案=較佳實施例之，能 受光之太陽能電池，主：不 ㊣電池2係為-単面 換為電能，且其係由封光面S1來接收太陽光並轉 層26、抗反射膜22 H層27、弟一電極24、第一光轉換 電場層20，、第1♦層21、半導體基板20、背表面 其中，半導體其Γ电材料23以及第二電極25所構成，. 土 2〇之受光面si係具有凹凸紋理（未圖 6 201025637 示）’用以減低光線的反射率，由於凹凸紋理相當細微，因 此在第二圖中省略緣示’且形成此凹凸紋理之方式可採用 但不限於濕银刻或反應性離子餘刻等方式，於一些實施例 中，半導體基板20可為但不限於p型矽基板。 以及，如第二圖所示，在半導體基板20之受光面S1 上係具有射極層21 ’於本實施例中，射極層可為但不限為 N型射極層，其形成的方式可為利用摻雜劑及熱擴散的方 式而形成之’且在半導體基板20與射極層21之間形成pn _ 接面。另外’在射極層21上還會形成一層磷矽玻璃層（未 圖示），由於磷矽玻璃層會再以蝕刻的方式而移除，因此在 第二圖中省略繪示。當罐矽玻璃層被移除後，則會暴露出 射極層21，此時，再於射極層21之上沉積一氮矽化合物 (SiNx)層，以形成抗反射膜22 ,其係具有可降低光線的 反射率、保護射極層21並具有高通透性等優點，可使氫由 抗反射膜22内大量穿透至矽晶片之半導體基板20内部， 以進行氫鈍化過程，進而提升太陽能電池之效能。於一些 ® 實施例中’形成抗反射膜22之方式係為使用電漿輔助化學 1 相沉積法（plasma enhanced chemical vapor deposition， PECVD) ’且抗反射膜22係可由氮化矽、二氧化矽、二氧 化鈦、氧化鋅、氧化錫、二氧化鎂等材質構成，且不以此 為限。 另外’在半導體基板20之背光面S2上係具有一層第 二導電材料23 ’其主要是利用網版印刷技術將第二導電材 料23印刷於半導體基板20之背光面S2上，於本實施例 中’第二導電材料23可為但不限為鋁或銀’以及，在半導 7 201025637

I 體基板20之受光面si上亦同樣以網版印刷技術將第一導 電材料（未圖示），例如··銀’且不以此為限，印刷於抗反 射膜22上，接著，進行燒結，使得第一導電材料於半導體 基板20之受光面S1上形成第一電極24，且其係穿越抗反 射膜22並延伸連接至射極層21，以及，半導體基板2〇之 背光面S2則因第二導電材料23之導熱而在半導體基板2〇 與第一導電材料23之間形成一層背表面電場層2〇，，同 時，部分之第二導電材料23亦於背光面S2形成第二電極 • 25，其中’主要之光電能轉換作業係於由第一電極24、抗 反射膜22、射極層21、半導體基板20、背表面電場層2〇，、 第二導電材料23以及第二電極25所組成之半導體結構28 中進行。 請再參閱第二圖，如圖所示，當完成第一電極24及第 二電極25之製程後，則在抗反射膜22上，塗佈一層光波 長轉換材料，再於受光面S1上進行烘烤(Baking)，以形成 光轉換層，用以接收具有第一波長之第一光線而發射出具 • 有第二波長之第二光線，於本實施例中，烘烤之溫度係可 為但不限為130度，其烘烤之溫度係可依實際製程需求而 任施變化，並不以此為限。以及，構成光轉換層之光波長 轉換材料通常係為可發射螢光之磷光體，此光波長轉換材 料之折射係數係介於氮矽化合物（SiN)及玻璃之間，且其係 可為將短波長之光線轉換為長波長之光線的下轉換材料或 是將長波長之光線轉換為短波長之光線的上轉換材料，以 本實施例為例，光轉換層係為設置於太陽能電池之受光面 S1之第光轉換層26，其係由下轉換材料之磷光體所構 8 201025637 成’例如：銘酸鎖鎖（Barium magnesium aluminate ’ BAM)、 蹄化編（Cadmium telluride，CdTe)、磷酸鑭（Lanthanum phosphate，LaP04)之複合物等，且不以此為限。以及，第 一光轉換層26係用以在受光面S1上吸收光線，並將短波 長之紫外光進行下轉換(Down Conversion，DC)，而發射出 長波長之光線，例如：將第一波長為300nm之第一光線轉 換為第二波長為450nm-500nm之第二光線，藉此使原先無 法被利用之紫外光的波長透過第一光轉換層26而調整至 魯 可使用的光波長範圍内，例如：400nm-11 OOnm範圍内，但 不以此為限，俾增加太陽能電池2之效能。 請再參閱第二圖，如圖所示，在第一光轉換層26的第 一表面26a上以及第二導電材料23之第一表面23a上各具 有一層封裝層27，其係由可透光之材質所構成，例如··玻 璃，但不以此為限，其t，封裝層27之製程係為將已於受 光面si上塗佈第一光轉換層26之半導體結構28進行封裝 作業，將可透光之封裝層27完整包覆於已塗佈第一光轉換 ❹層26之半導體結構28的外表面上，以用於保護半導體結 構28，如此一來，即可完成太陽能電池2之製作，並可使 光線穿越可透光之封裝層27進入第一光轉換層26内，將 短波長之光線轉換調整為長波長之光線，使可利用之入射 光能增加’再進行後續的光電能轉換，俾增加太陽能電池 2之效能。 於另一些實施例中，太陽能電池2之封裝層27亦可設 置於第一光轉換層26的第二表面26b上，即設置於第—光 轉換層26及抗反射膜22之間，且此實施例之製程係為先 201025637 將半導體結構28 面上包覆一層封裝爲封裝作業，在半導體結構28之外表 第一光轉換層26，二27 ’最後再於受光面S1上塗佈一層 2時，會先進入第_、此貫施例中’當光線射入太陽能電池 27而進入半導體結^轉換層26，再穿越可透光之封裝層 可見，太陽能電池〗28内’以進行光電能之轉換。由此 前或是封裝後而形成 光轉換層26並不限定於在封裝 整，並不以此為限。、’其係可依實際施作情形而進行調 請參閱第三_，t 電池之結構示意51，〜係為本案第二較佳實施例之太陽能 面受光之太陽能電圖所示，太陽能電池3同樣為一單 電能。太陽能電池^，可自受光面S1接收太陽光並轉換為 一電極34、第一光輸t結構由上而下依序為封裝層37、第 半導體基板3G、j^36、抗反射膜32、射極層3卜 第二電極35、第4=，30,、第二導電材料33、 尤轉換層33以及封裝層37，其中，封 裝層37、第一電極34、楚 ❿ 第一光轉換層36、抗反射膜32、 射極層31、半導體基板3〇、背表面電場層3〇，、第二導 電材料33及第二電極35之結構、功能以及製程均與前述 實施例相仿，於此不再贅述，惟於本實施例中，當第二電 極35已形成於背光面S2上後，則更可塗佈一層上轉換材 料於背光面S2上，並且以130度之溫度進行烘烤，以形成 第二光轉換層38,用以將長波長之紅外光進行上轉換(Uj) Conversion，UC)，而發射出短波長之光線。 於本實施例中’第一光轉換層36係設置於太陽能電池 3之受光面S1，用以在受光面S1上吸收光線，並將短波長 201025637 ， . 之紫外光進行下轉換而發射出長波長之光線，並向下傳 遞，將可利用之光線進行光電能之轉換，由於波長較長之 紅外光無法被吸收利用，因而會持續地向下穿越，直至進 入第二光轉換層38，其係可將穿透半導體結構39的長波 長光線進行上轉換而發射出短波長之光線，藉此使原本無 法被利用的紅外光在透過第二光轉換層38時，使其波長調 整至可使用的光波長範圍内，再透過反射，而再次射入半 導體結構39中進行光電能的轉換，換言之，太陽能電池3 ❿ 係可藉由下轉換之第一光轉換層36來利用短波長之紫外 光，同時亦可藉由上轉換之第二光轉換層38以利用長波長 之紅外光，使得太陽能電池3可運用更廣光譜範圍的入射 光，俾可大幅增加太陽能電池3之效能。 當然，於另一些實施例中，太陽能電池3之封裝層37 之設置方式亦可如前述實施例所述，設置於第一光轉換層 36及抗反射膜32之間，即為先將半導體結構39進行封裝 作業後，再包覆封裝層37，最後再於受光面S1上塗佈第 ❿一光轉換層36，以完成太陽能電池3之組裝，如此同樣可 透過第一光轉換層36轉換光線之波長，以增加可利用之光 能，俾提升太陽能電池3之效能。 請參閱第四圖，其係為本案第三較佳實施例之太陽能 電池之結構示意圖，如圖所示，太陽能電池4亦為一單面 受光之太陽能電池，且其主要結構係由封裝層47、第一電 極44、抗反射膜42、射極層41、半導體基板40、背表面 電場層40’ 、第二導電材料43、第二電極45及第二光轉 換層48所構成，其中，封裝層47、第一電極44、抗反射 11 201025637 膜42、射極層41、半導體基板4〇、背表面電場層仙，、 第:導電材料43、第二電極45之結構、功能以及製程均 與前述實施例相仿，於此不再贅述，惟於本實施例中，太 陽能電池4僅具設置於背光面S2上的第二光轉換層料， 其中’第二光轉換廣48係由上轉換材料之碟光體所構成， 但不以此為限’用以將長波長之紅外光進行上轉換，而發 射出短波長之光線。故於本實_中，#光線穿越太陽能 電池4内部後而向下進人第二光轉換層48時，即可將長波 長之紅外紐行上㈣㈣射綠波長之树，藉此使原 先無法被湘之紅外柄波錢過第二光轉換層48而調 整至可使㈣紐絲_，再料彻之 而進入太陽能電池4之内部進行光電能的轉換，J 光轉換層48之^置’以增進太陽能電池4對^二 之利用，並增進太陽能電池4之效能。 、長波長先線 同樣地，太陽能電池4之封裝層47亦 Π 48及第二導電材料43之間，其與前述實施例相: 由於第二光轉換層48係設置於太陽能電池4 相仿 封裝層47係為可透光之材質所製成，因而 ^鄕面’且 長轉換之效過，同樣可使太陽能電池4掸衫a到光波 能，以提升太陽能電池4之效能。 θ可利用之光 閱^圖，其係為本案第四較佳實施例之雙 面太 陽能電池之結構示意圖，如圖所示，太 八塚威電池5係盎— 雙面受光之太陽能電池’其係可由第一我 系馬 二受光面Sib來接收光線並轉換為電能。或第 結構主要係由封裝層58、第一電極54、楚一旎電池5之 乐一光轉換層56、 12 201025637 第一抗反射膜52、射極層51、半導體基板50、背表面電 %層50 、第二抗反射膜53、第二電極55以及第立光轉 換層57所構成’其中，封裝層58、第一電極54、第一光 轉換層56、第一抗反射膜52、射極層51、半導體基板5〇 以及第二光轉換層57之結構、功能以及製程係與前述實施 例相仿，故不再贅述，惟於本實施例中，太陽能電池5係 為雙面太陽能電池’因而在第二受光面Slb上之背表面電 %層50及第二抗反射膜53之材質、結構與製程係與第 • 一受光面Sla上之射極層51及第一抗反射膜52相仿，於 此不再費述。 另外，由於太陽能電池5之兩面均為受光面，因而覆 蓋於第一抗反射膜52上之第一光轉換層56以及覆蓋於第 二抗反射膜53上之第二光轉換層57均由下轉換材料所構 成，藉由第一光轉換層56及第二光轉換層57將原先無法 利用之短波長之光線轉換為長波長之光線，再分別射入半 導體結構59内，以進行光電能之轉換，使可利用的入射光 ❿增加，以增進太陽能電池5對於短波長光線之利用，並有 效增進雙面太陽能電池5之效能。 請參閱第六圖，其係為本案第五較佳實施例之雙面太 陽能電池之結構示意圖，如圖所示，太陽能電池6亦為一 雙面受光之太陽能電池，其係藉由第一受光面Sla及/或第 二受光面Slb來接收光線並轉換為電能。太陽能電池6之 結構係由第一光轉換層66、封裝層68、第一電極64、第 一抗反射膜62、射極層61、半導體基板6〇、背表 層60’ 、第二抗反射膜63、第二電極65以及第二光轉換 13 201025637 . 層67所構成，其中，第一電極64、第一抗反射膜62、射 極層61、半導體基板60、背表面電場層60，、第二抗反 射膜63以及第二電極65之結構、功能以及製程係與前述 實施例相仿，故不再贅述，惟於本實施例中，太陽能電池 6之封裝層68係分別設置於第一光轉換層66的第二表面 66b以及第一光轉換層67的第二表面67b上，即先將半導 體結構69進行封裝作業後，再於半導體結構的外表面 上包覆封裝層68，最後再於第一受光面sia及第二受光面 0 Sib上分別塗佈第一光轉換層66及第二光轉換層67，其與 剷述實施例之差異僅在於太陽能電池6係在封裝後再設置 光轉換層，由此可見，太陽能電池6之光轉換層不限定於 在封裝前或是封裝後而形成，其係可依實際施作情形而進 行調整，並不以此為限。 綜上所述，本案所提供之太陽能電池係包含一光轉換 層，藉由光轉換層可吸收第一波長之第一光線而發射具有 第二波長之第二光線之特性，並將光轉換層依其上轉換或 ❿下轉換之特性，分別設置於背光面或向光面，以進行光波 長之轉換，使太陽能電池可更有效的運用原先無法被使用 之光譜範圍’以有效提高太陽能電池之效能’俾解決傳統 太陽能電池無法運用紫外光及紅外光，而使得太陽能電池 之效能受限之缺失。 是以，本案之太陽能電池之製造方法具有極高之實用 性，實為一具產業價值之發明，爰依法提出申請。 本案得由熟習此技術之人士任施匠思而為諸般修飾， 然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。 201025637 【圖式簡單說明】 第一圖A-D :係為傳統單面太陽能電池之製造流程結構示 意圖。 第二圖：係為本案第一較佳實施例之太陽能電池之結構示 意圖。 第三圖：係為本案第二較佳實施例之太陽能電池之結構示 意圖。 第四圖：係為本案第三較佳實施例之太陽能電池之結構示 ❹意圖。 第五圖：係為本案第四較佳實施例之雙面太陽能電池之結 構示意圖。 第六圖：係為本案第五較佳實施例之雙面太陽能電池 之結構示意圖。 15 201025637 【主要元件符號說明】 2、3、4、5、6··太陽能電池 11、 20、30、40、50、60 :半導體基板 12、 2卜3卜4卜5卜61 ··射極層 13 :石脉玻璃層 14、 22、32、42 :抗反射膜 15、 24、34、44、54、64 :第一電極 • 16、20，、30’ 、40’ 、50’ 、60，：背表面電場層 17、25、35、45、55、65 :第二電極 23、33、43 ··第二導電材料 26、 36、56、66 :第一光轉換層 23a、26a、36a、38a、48a、56a、57a :第一表面 26b、56b、57b :第二表面 27、 37、47、58、68 :封裝層 ❹ 28、39、59、69 :半導體結構 38、48、57、67:第二光轉換層 52、 62 :第一抗反射膜 53、 63 :第二抗反射膜 51 :受光面 52 :背光面 Sla:第一受光面 Sib :第二受光面 16

Claims (1)

1. 201025637 七、申請專利範圍： 1. 一種太陽能電池，至少包含： 一半導體基板； 一射極層，形成於該半導體基板之一受光面上， 該半導體基板之間形成_pn接面； 一抗反射臈，形成於該射極層上丨 一第一電極，其係與該射極層連接； · 一第二電極，形成於該半導體基板之一背光面上， 及 -第-光轉換I，形成於該抗反射膜上，用以换^第 有：第-波長之一第一光線而發射具有一第二波長之：该 一光線，俾供該太陽能電池進行光電能轉換，進而提^ 太陽能電池之效能。 λ Ac J# 陽 2·如申請專利範圍第！項所述之太陽能電池，其中该木 能電池更包含—背表面電場層，形成於該半㈣暴板與 第二電極之間，且與該第二電極以及該半導體基板速换 .如申咐專利範園第1項所述之太陽能電池，其中该 能電池更包含一封裝層，其係為可透光之材質所構威。 4·如申請專利範圍第3項所述之太陽能電也 光之材質係為玻璃。 5·如申請專利範圍第3項所述之太陽能電池， 層係設置於該第一光轉換層之一第一表面上。其中該封裝 6·如申請專利範圍第3項所述之太陽能電也 層係設置於該第一光轉換層之一第二表面上其中該封裝 7.如申請專利範圍第〗項所述之太陽能 。 也，其中該第— 17 201025637 且該光波長轉換 池，其_該光波 =:先:料長_料所構成， =料專:=體項所述之太陽能電 9.如申請專利範圍第1項所述之 能電池更包含一第一光棘 W電池，其中該太陽 背光面上。第—先轉換層’設置料半導體基板之一

   專利範圍第9項所述之太陽能電池，α中談第-==:料長轉_所構成’且-心 η.如申鱗·㈣！〇項所叙太陽 波長轉換材料係為一磷光體。 ，、令該先 12. —種太陽能電池，至少包含： 一半導體基板； ，丰形成於該半導體基板之一受光面上，且與 該+導體基板之間形成一 ρη接面； 一抗反射臈’形成於該射極層上； 一第一電極’其係與該射極層連接； 第一電極，形成於該半導體基板之一背光面上；以 一第二光轉換層’形成於該半導體基板之該背光面 上，用以接收具有一第一波長之一第一光線而發射具有一 第二波長之一第二光線，俾供該太陽能電池進行光電能轉 換，進而提高該太陽能電池之效能。 13.如申睛專利範圍第12項所述之太陽能電池’其中該太 201025637 陽能電池更包合 t ^ & 該第二電極之^表^場=，形成於該半導趙基板與 14. 如申請專利範圍第=1該半導體基板連接。 陽能電池更包含—封裝層，電池’其令該太 15. 如申請專利範園第14日項；述^ 構成。 透光之材質係為破璃。 電池，其令該可 16. 如申請專利餘圖哲u = 裝層係設/於該第二光轉換其令該封 二如二專二範:第14項所述之太陽能電池，其h封 裝層t於該第二光轉換層之一第二表面上。封 18.如申睛專利範園第】2項所述之 二光轉換層係由—光波長轉換材料所構二且 換材料係為一上轉換材料。 '-忐波長轉 =:zz::所述之太_池，該光 20.-種雙面太陽能電池，其係包含： 一半導體基板； 一射極層’形成於解㈣餘之 與該半導體基板之間形成—pn接面； 表面上’且 一抗反射膜，形成於該射極層上； 一第一電極，其係與該射極^連接； 一第二電極’其係與該半導體基板連接； 有轉換抗反射膜上’用以接收且 ΓΓ 光線而發射具有一第二波長之-第 二光線；以及 K〈弟 201025637 一第二光轉換層’形成於該半導體基板之一第二表面 上用以接收具有一弟二波長之一第三光線而發射具有一 弟四波長之一第四光線； 其中’透過該第一光轉換層與該第二光轉換層分別將 该第一光線及該第三光線轉換為該第二光線及該第四光 線，俾供該太陽能電池進行光電能轉換，進而提高該雙面 太陽能電池之效能。

   # 21.如申請專利範圍第2〇項所述之雙面太陽能電池，其中 該太陽能電池更包含一背表面電場層，形成於該半導體基 板與該第二電極之間，且與該第二電極以及該半導體基板 連接。 22·如申請專利範圍第20項所述之雙面太陽能電池，其中 該太陽能電池更包含至少一封裝層，其係為可透光 所構成。 柯質 23.如申請專利範圍第22項所述之雙面太陽能電池，复 該可透元之材質係為玻璃。 24.如申請專利範圍第22項所述之雙面太陽能電池 該封裝層係分別於設置於該第—光轉換層及 、中 層之一第一表面上。 一光轉換 25.如申請專利ϋ圍第22項所述之雙面太陽能 該封裝層係分別於設置於該第—光轉換層及…其中 層之一第二表面上。 μ 〜光轉換 26·如申請專利範圍第2G項所述之雙面太陽 該第一光轉換層及該第二光轉換層係分別由一^池，其中 材料所構成，且該光波長轉換材料係為—勉體破長轉換 20 201025637 27.如申請專利範圍第26項所述之太陽能電池，其中該光 波長轉換材料係為一下轉換材料。

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