201002096 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種發聲裝置，尤其涉及一種基於奈米碳 管的發聲裝置。 【先前技術】 發聲裝置一般由信號輸入裝置和發聲元件組成。通過 信號輸入裝置輸入電信號給發聲元件，進而發出聲音。先 前技術中的發聲元件一般爲一揚聲器。該揚聲器爲一種把 電信號轉換成聲音信號的電聲器件。具體地，揚聲器可將 一定祀圍内的音頻電功率信號通過換能方式轉變爲失真小 並具有足够聲壓級的可聽聲音。揚聲器的種類很多，雖然 它們的工作方式不同’但一般均爲通過產生機械振動推動 周圍的空氣，使空氣介質産生波動從而實現“電-力 轉換。 、請參閱圖1，先前的電動式揚聲器⑽通常由三部分 組成：音圈102、磁鐵104及振膜1〇6。音圈1〇2通常採用 H當音圈U)2中輸入一個音頻電流信號時，音圈皿 nr個載料體。純其放在固定磁場*，根據載流 ¥體在磁場中會受到洛倫兹力作用，音圈⑽會受到一個 大小與音頻電流成正比、方向隨音頻電流方向變化而變化 的力。故’音圈102就會在磁場作用下產生振動，並帶動 振膜1〇6振動’振膜106前後的空氣亦隨之振動，將電信 號轉換成聲波向四周輕射。銶而 、— &而㈣動式揚聲器100的 、、、σ構較爲複雜，且其必須在有磁的條件下工作。 6 201002096 進一步地，先前技術中的發聲裝置的發聲原理爲“電_ 力-聲，，之轉換原理，即發聲的最基本條件爲電信號的輸 入。在極端環境，如無電環境下，則無法應用上 置進行發聲。 光聲效應係指當物質受到周期性强度調製的光照射 時，會，生聲信號的現象。當物質受到光照射時，物質因 吸收光能而受激發，並通過非輻射躍遷使吸收的光能全部 或部分轉變爲熱。如果照射的光束經過周期性的强度調 製，則在物質内産生周期性的溫度變化，使這部分物質及 其鄰近的媒質熱脹冷縮而産生應力（或壓力）的周期性變 化，因而産生聲信號，此種信號稱光聲信號。光聲信號的 頻率與光調製頻率相同，其强度和相位則决定於物質的光 學、熱學、彈性和幾何的特性。目前，利用光聲效應製造 的光聲譜儀及光聲顯微鏡已經被廣泛應用於物質組分分析 檢測領域。例如，先前技術中的光聲譜儀一般包括一光源、 V 一樣品室及一信號檢測器。該光源一般爲一調製的脉衝雷 射源或連續雷射源。該信號檢測器一般爲一麥克風。該樣 品至中放置有待測的樣品，該樣品材料不限，可以爲氣體、 液體或固體材料，如一固體粉末或一生物樣品等/該雷射 源發射雷射照射到樣品室中的樣品上，由於光聲效應中產 生的聲能直接正比於物質吸收的光能，而不同成分的物質 在不同光波的波長處出現吸收峰值，故當具有多譜線或連 縯光譜的光源以不同波長的光束相繼照射樣品時，樣品内 不同成分的物質將在與各自的吸收峰相對應的光波波長處 7 201002096 ，産生S聲信號極大值。該信號檢測器通過檢測該光聲信號 的極大值，從而判斷待測樣品的材料種類。 然而，一般材料受到光吸收能力的限制，産生的光聲 信號强度較弱，且頻率範圍在兆赫兹以上，只能通過麥克 風或麼電傳感器等換能裝置接收，故，先前技術中還沒有 .利用光聲效應製造的發聲裝置使其產生的聲音信號能直接 被人耳感知。另外，先前技術中也沒有將廣義的電磁波應 用光聲效應製造的發聲裝置。 自九十年代初以來，以奈米碳管（請參見Helicai microtubules of graphitic carbon, Nature, Sumio lijima, vol 354, P56(l991))爲代表的奈米材料以其獨特的結構和性質 引起了人們極大的關注。近幾年來，隨著奈米碳管及奈米 材料研究的不斷深入，其廣闊的應用前景不斷顯現出來。 例如，由於奈米碳管所具有的獨特的電磁學、光學、力學、 化學等性能，大量有關其在場發射電子源、傳感器、新型 光學材料、軟鐵磁材料等領域的應用研究不斷被報道。然 而，先前技術中却尚未發現奈米碳管作爲發聲元件用於 學領域。 有鑒於此，提供一種結構簡單，可在無磁、無電的條 件下直接發出能够被人耳感知的聲音的發聲裝置實為必 要。 【發明内容】 ^ 一種發聲裝置，其包括一電磁波信號輸入裝置及一發 聲元件。該發聲元件與該電磁波信號輸入裝置間隔設置二 8 201002096 其中，所述發聲元件包括一奈米碳管薄膜，該奈米碳管薄 膜包括多個相互纏繞的奈米碳管，該電磁波信號輸入裝置 傳遞電磁波#號至該奈米碳管薄膜，使該奈米碳管薄膜通 過吸收該電磁波信號發熱，從而加熱氣體介質發出聲波。 —， 相較于先前技術，所述發聲裝置具有以下優點··其— 由於所述發聲裝置中的發聲元件僅由奈米碳管薄膜組、成 ，需磁鐵等其它複雜結構，故該發聲裝置的結構較爲簡 單，有利於降低該發聲裝置的成本。其二，該發聲裝置利 用輸入信號造成該奈米碳管薄膜溫度變化，從而使其周圍 氣體介質迅速膨脹和收縮，進而發出聲波，故該奈米碳管 薄膜組成的發聲裝置可在無磁的條件下工作。其三，由於 該奈米碳管薄臈由相互纏繞的奈米碳管組成，故該奈米碳 管薄膜具有較小的熱容和大的比表面積，故該奈米碳管薄 膜具有升溫迅速、熱滯後小、熱交換速度快的特點，故該 奈米碳管薄膜組成的發聲裝置可以發出很寬頻譜範圍内的 聲音（lHZ-l〇〇kHz)，且具有較好的發聲效果。其四，由 於奈米碳管薄膜中奈米碳管相互纏繞，具有較好的機械强 度和勃性，，所述奈米碳管薄膜可以f曲折叠成任意形狀而 不破4從而有利於製備由奈米碳管薄膜組成的各種形 狀、尺寸的發料置，進㈣便地應詩各種領域。其五， 由於奈米碳f具有極大的比表面積，在凡德瓦爾力的作用 下不米碳&薄臈本身有报好的點附性，故奈米碳管薄膜 可方便地直接_於支撑結構表面。 “專膜 【實施方式】 201002096 以下將結合附圖詳細說明本技術方案實施例的發聲裝 置。 請參閱圖2,本技術方案第一實施例提供一種發聲裝 置10,該發聲裝置1〇包括一電磁波信號輸入裝置112，一 發聲元件114, 一支撐結構116及一調製裝置118。該發聲 •元件I14設置於該支撑結構116上。該支撑結構116爲一 可選擇結構，用於支撑和固定該發聲元件114。該電磁波 佗號輸入裝置112與該發聲元件114對應且間隔設置，用 於提供一電磁波信號12〇。該調製裝置118設置於該電磁 波尨號輸入裝置112與發聲元件114之間，用於對所述電 磁波#號120進行强度或頻率的調製。從該電磁波信號輸 入裝置112發出的電磁波信號12〇通過該調製裝置118進 行强度和頻率的調製後傳遞至該發聲元件114表面。 所述發聲元件114包括一奈米碳管薄膜。該奈米碳管 4膜包括多個相互纏繞的奈米碳管，其掃描電鏡照片請參 見圖3。所述奈米碳管薄膜中，奈米碳管爲各向同性，均 勻分佈，無規則排列。所述奈米碳管之間通過凡德瓦爾力 相互吸引、纏繞，形成網絡狀結構，進而形成大量的微孔。 «亥微孔的孔径小於1 〇微米。大量微孔的存在可確保所述發 聲元件114具有較大的比表面積。所述奈米碳管的長度較 長且相互纏繞，故，該奈米碳管薄膜具有自支撑結構。所 述奈米碳管薄膜中的奈米碳管可爲單壁奈米碳管、雙壁奈 米碳管及多壁奈米碳管中的一種或多種。所述單壁奈米碳 官的直徑爲0.5奈米〜50奈米，所述雙壁奈米碳管的直徑 201002096 t 1二米〜5G奈米，所述多壁奈米碳管的直徑爲1.5奈米 :— 卡。所述奈米碳管薄膜的長度及寬度不户艮 據 實際需求製備。 了根據 解所逑奈米石反官薄膜的厚度不能太厚，太厚 則影響奈米碳管盥月同名#人#、在—& 坪太厚 〇周圍軋體"質進仃熱父換，從而影響該 二' 114的發聲效果。另外，該奈米碳管薄膜的厚度 不！!太薄薄則該奈米碳f薄膜强度較差，在發聲過程 中谷易抽壞。當所述奈米碳管薄膜的厚度比較小時，例如 小於10山微米’該奈米碳管薄膜具有較高的透明度，故採用 該奈米奴官薄膜的發聲元件114爲透明發聲元件，此 時，可以將該發聲元件114直接設置在各種顯示裝置、手 機顯示屏或油晝的上表面，從而達到節省空間的目的。優 選地，所述奈米碳管薄膜的厚度爲0.5奈米〜1毫米。本技 術方案實施例中，所述奈米碳管薄膜的長度爲3厘米，寬 度爲3厘米’厚度爲5〇奈米。 另外，由於奈米碳管相互纏繞，故所述奈米碳管薄臈 具有很好的韌性，可以彎曲折叠成任意形狀而不破裂。本 技術方案實施例中的奈米碳管薄臈爲一平面結構。 所述支撑結構116主要起支撑作用，其形狀不限，任 何具有確定形狀的物體，如一墙壁或桌面，均可作爲本技 術方案第一實施例中的支撑結構116。具體地，該支撑結 構116可以爲一平面或曲面結構，並具有一表面。此時， 該發聲元件114直接設置並貼合於該支撑結構116的表面 上。由於奈米碟管具有極大的比表面積，在凡德瓦爾力的 11 201002096 作用下，該奈米碳管薄膜本身有很好的枯附性， 奈米碳管薄膜作發聲元件114時，可以將奈米碳管薄膜直/ 接枯附於支擇結構116表面。進—步地，所述支撑結構加 與所述發聲7G件114之間還可以通過枯結劑相互枯处 而使所述發聲元件114更好地固定在支撑結構m表面 上。所述粘結劑可以爲一耐高溫的矽膠。 由於該發聲元件m整體通過支撑結構m支撑，故 該發聲元件m可以承受强度較高的電磁波信號12〇輸 :，：：具有較高的發聲强度。另外，該支撑結構ιΐ6也 以爲一框架結構、杆狀結構或不規則形狀結構 ， 與該支撑結構116相接觸，其餘部分 2介質更好地進行熱交換。該發聲元件114與空氣= 接觸面積更大，熱交換速度更快，故具有更好的發 全剛該支撑結構116的材料不限，可以爲一硬性材料，如 還=二：質材料、玻璃或石英。另外，所述支撑結構116 該主h士^生材料’如紙質材料、塑料或樹脂。優選地， 該發^件1二的产材應具―有較好的絕熱性能’從而防止 -. 生生的熱量過度的被該支撑結構110吸 優選i且古到加熱空氣發聲的目的。另外’該支撑結構116 4爲具有一較爲如妙认I ^ 烏才糙的表面，從而可以使設置於上述支 有；面的發聲元件114與空氣或其他外界介質具 3文大的接觸面積。 12 201002096 可以理解，由於上述發聲元件114中的奈米碳管薄膜 爲一自支撑結構，故該支撑結構116爲一可選擇結構。 所述電磁波信號輸入裝置112包括一電磁波信號源， 該電磁波信號源可以發出强度或頻率可變的電磁波，形成 一電磁波信號120。該電磁波信號12〇的强度或頻率可不 斷變化，從而能够使作爲發聲元件114的奈米碳管薄膜吸 收该電磁波信號120間歇加熱空氣，使空氣不斷膨脹收 縮，進而持續發出聲音。該電磁波信號12〇的頻率範圍包 括無線電波、紅外線、可見光、紫外線、微波、X射線及 γ射線等。優選的，該電磁波信號源爲一光信號源，所發 出的電磁波彳§號120可以爲一光信號，該光信號的波長包 括從紫外至遠紅外波長的各種光波。該電磁波信號12〇的 平均功率密度在1/z W/mm2〜20W/mm2範圍内。可以理解， 該電磁波彳§號120的强度不能太弱，太弱則無法使奈米碳 管薄膜充分加熱周圍空氣發出聲音，並且，該電磁波信號 120的强度不能太强，太强使奈米碳管薄膜與空氣中的氧 發生反應，從而破壞該奈米碳管薄膜。優選地，該電磁波 信號源爲一膝衝雷射發生器。 該電磁波信號輸入裝置112發出的電磁波信號120在 發聲元件114上的入射角度與位置不限。另外，該電磁波 信號輸入裝置112與發聲元件114之間的距離不限，但應 確保從該電磁波信號輸入裝置112發出的電磁波能够傳遞 至該發聲元件114表面。優選地，當該電磁波信號爲一光 信號，且該電磁波信號輸入裝置112與該發聲元件114距 13 201002096 離較遠時，該電磁波信號輸入裝置112可以進一步包括— 光纖，該光纖一端與所述光信號源連接，另一端延伸至所 述奈米碳管薄膜附近，從而使通過上述雷射發生器發出的 電磁波信號120通過光纖遠距離傳遞至發聲元件114表面。 所述調製裝置118爲一可選擇結構，設置於該電磁波 信號120的傳輸路徑上，包括强度調製器、頻率調製器或 兩者的結合。所述發聲裝置1〇通過調製裝置n8對電磁波 信號120的强度及頻率進行調製，從而實現使發聲元件114 所發出的聲音的强度及頻率的改變。具體地，可以通過以 不同頻率開關電磁波信號120調製電磁波信號12〇的强 弱，或者以不同頻率變化電磁波信號12〇的强度調製電磁 波信號120的强弱。電磁波信號12〇强弱的變化影響發聲 元件114發聲頻率的變化。通過對該電磁波信號12〇進行 調製，可以使該發聲元件114發出不同頻率的聲音。可以 理解’該調製裝置118可以與所述電磁波信號輸入裝置us 集成或間隔設置。當所述電磁波信號輸入裝置112包括一 光纖時’該調製裝置118可設置於光纖的起始端或結束端 上。本實施例中，該調製裝置118爲一電光晶體。 本技術方案實施例發聲裝置中採用奈米碳管薄膜作爲 發聲元件’由於奈米碳管對電磁波的吸收接近絕對專體， 從而使發聲裝置對於各種波長的電磁波具有均一的吸收特 性。另外，奈米碳管具有較小的熱容和較大的散熱面積。 故，當發聲元件114中的奈米碳管受到如雷射等電磁波的 照射時’奈米碳管因吸收光能而受激發，並通過非輻射使 14 201002096 二收的光能全部或部分轉變爲熱。奈米碳管溫度迅速升 .高，並和周圍的空氣或其他介質進行迅速的熱交換。如果 照射的電磁波經過周期性的强度調製，則在奈米碳管内産 生周期性的溫度變化，從而使其周圍的氣體介質也產生周 期性的溫度變化，造成周圍空氣或其他介質迅速的膨脹和 收縮，從而發出聲音。進一步地，本實施例中，所述發聲 元件114包括由大量相互纏繞的奈米碳管組成的奈米碳管 薄膜，故當電磁波信號輪入裝置118發出的電磁波信號12〇 的頻率合適，且發聲元件114周圍介質爲空氣時，發聲元 件114發出的聲音可以直接被人耳感知。可以理解，當電 磁波信號120的頻率增高時，該發聲元件114可以發出超 聲波。 請參閱圖4,本技術方案第二實施例提供一種發聲裝 置20，該發聲裝置20包括一信號輸入裝置212、一發聲元 件214、一支撑結構216及一調製裝置218。 該支撑結構216爲一框架結構、杆狀結構或不規則形 狀結構。該發聲元件214部分與該支撑結構216相接觸， 其餘部分懸空設置，從而使聲音能够透過該發聲元件214 傳遞。該電磁波信號輸入裝置212與該發聲元件214對應 且間隔設置。該調製裝置218設置於該電磁波信號輸入裝 置212與發聲元件214之間。 該發聲裝置20與第一實施例中的發聲裝置10的結構 基本相似，與第一實施例中的發聲裝置的區別在於，該 發聲裝置20進一步包括一攏音結構222，該攏音結構222 15 201002096 間隔設置在所述發聲元件214遠離電磁波信號22〇輸入的 一側:該攏音結構222與該發聲元件214相隔設置，從而 使毛聲元件214發出的聲波通過攏音結構222反射，增强 该發聲裝置20的發聲效果。根據發聲元件214的大小，該 距離可以爲i厘米〜丄米。可以理解，該擺音結構222可以 爲具有一較大表面的各種結構，如一平面結構或一曲面結 構本實知例中，該攏音結構222爲一平板。該擺音結構 222可以通過支架與該發聲元件214間隔。另外，該攏音 、、α構222與該支撑結構216也可爲一集成設置的整體，如 八有狹窄開口的腔體，5亥發聲元件平鋪於該腔體的 開口上，從而形成一亥姆霍茲共振腔。該攏音結構222的 材料爲木質、塑料、金屬或玻璃等。 本技術方案實施例提供的發聲裝置的發聲强度可達 ⑽刀貝聲壓級，發聲頻率範圍爲工赫兹至W萬赫兹（即 lH=l〇〇kHz)。另外，本技術方案實施例中的奈米碳管薄膜 由夕個相互纏繞的奈米碳管組成，故該奈米碳管薄膜具有 ，好的章刃性和機械强度’利用所述奈米碳管薄膜可方便地 製成各種形狀和尺寸的發聲裝置，該發聲裝置可方便地應 用^各種音樂設備中，如音響、手機、MP3、MP4、電視、 3機等電子領域及其它發聲裝置中。另外，由於電磁波， 其，雷射，可以在真空中遠距離傳播，該發聲裝置可以 2遠距離信號傳輸領域，如將聲音信號通過電磁波的形 =距離傳輸。進一步地，由於上述發聲元件通過電磁波 …射即可發聲，故，當該電磁波爲紅外線、可見光、紫外 16 201002096 線、微波、X射線及γ射線時，該發聲元件可以在一無電、 無磁的極端環境下工作。 本技術方案實施例提供的發聲裝置具有以下優點：其 、’由於所述發聲裝置中的發聲元件僅由奈米碳管薄膜組 成’無需磁鐵等其它複雜結構，故該發聲裝置的結構較爲 簡單，有利於降低該發聲褒置的成本。其二，由於所述由 奈米碳管薄膜組成的發聲元件可以通過 發聲:故，該發聲元件可以在一無電環境下工作。虎 该發聲裝置利用輸入信號造成該奈米碳管薄膜溫度變化， 從而使其周圍氣體介質迅速膨服和收縮，進而發出聲波， 故該奈米碳管薄膜組成的發聲裝置可在無磁的條件下工 作。其四，由於該奈米碳管薄膜由相互縷繞的奈米碳管組 成’故該奈米碳管薄膜具有較小的熱容和大的比表面積， =米碳管薄膜具有升溫迅速、熱滯後小、熱交換速度 円故該奈米碳管薄膜組成的發聲裝置可以發出很 外里甘Γ Hz)，且具有較好的發聲 if °其五’由於奈米碳管薄膜中奈求碳管相互纏繞，具 2好的機械强度和韌性，所述奈米碳管薄膜可以彎曲折 狀而不破裂，從而有利於製備由奈米碳管薄膜 +的發聲裝置’進而方便地應用於各 咕开二士八八纟於奈米石反管具有極大的比表面積，在凡 =力的作用下，奈米碳管薄膜本身有很好的枯附性， 碳㈣料方便地直接_於支撑結構表面。盆 :元:=，件厚度比較小時，例如小於ιο微米，該發 件八有較南的透明度，此時，可以將該發聲元件直接 17 201002096 没置在各種顯示裝置、手機顯示屏的顯示表面或油晝的上 表面，從而達到節省空間的目的。其八，所述發聲裝置可 ^步包括支撑結構及攏音結構，該支撑結構可以提高發 ，裴置的發聲强度，該攏音結構可以反射發聲元件發出的 聲波’增强所述發聲裝置的發聲效果。 日综上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法 提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例， 自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝 之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應二 蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係先前技術中揚聲器的結構示意圖。 圖2係本技術方案第一實施例發聲裝置的結構示意圖。 圖3係本技術方案第—實施例發聲裝置中奈米碳管 膜的掃描電鏡照片。 ’ 圖4係本技術方案第二實施例發聲裝置的結構示意圖 【主要元件符號說明】 100 102 104 106 10, 20 112, 212 114, 214 116, 216 揚聲器 音圈 磁鐵 振膜 發聲裝置 電磁波信號輸入裝置 發聲元件 支撐結構 18 201002096 調製裝置 電磁波信號 攏音結構 118, 218 120, 220 222 19