201000244 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於以玻璃基板及半導體基板為代表之脆 性材料基板之切斷、割劃（scribe)技術。 【先前技術】 ’ FPD ( Flat Panel Display，平面面板顯示器）係藉由 將一片母玻璃切斷為預定大小之複數個區域而形成。'FSDp 具有從使用在如大型液晶電視之數十英吋至行動電話終端 等之數英吋之各種大小，此外FPD之厚度範圍亦甚廣泛， 可從使用在大型液晶電視之數mm至使用在行動電話終端 之〇.5mm左右。 以切斷玻璃等脆性材料基板之方法而言，以往係使用 鑽石等之刀具形成割劃線（scribe line )，沿著割劃線進行 折斷（break)之技術。在此方法中，會有在折斷時產生玻 璃粉、玻璃碎片（cullet)之問題。近年來，已開發一種使 I 用雷射束之技術（稱為雷射切割）以取代刀具來形成割割 線。 在雷射切割中’係沿著加工預定線一面移動於玻璃基 板上，一面在加工預定線上將雷射照射於一點進行局部加 熱’之後再將冷卻媒體喷射在加熱區域附近予以冷卻。結 果，依據玻璃基板上之熱分布，而在將玻璃基板相對於加 工預定線垂直引拉之方向產生熱應力，而使沿著加工預定 線之割劃線在玻璃基板上持續成長。之後，藉由折斷裝置 將機械性之應力施加於玻璃基板，使之沿著割劃線進行折 321183 3 201000244 此外 由調整加熱條件:二：：°“亦稱整體切割)’其係藉 至玻璃美你」 使割I線滲透 不經由折斷裝置進行折斷處理。利二刀斷，而 需要藉由折斷裝置進行後處理，==·不 基板切割，因此從量產性之觀點而言 卩I將玻璃 (先前技術文獻） 為有利。 【發=】獻1 •屬靖嶋⑽號公報 [發明欲解決之問題] 線之f主开將1璃基板進行完全切割時，相較於僅形成割劃 ㈣月使用雷射之加熱條件極為重要。使用雷射之加 :=除雷射之能量外，亦取決於雷射束之照射= =點，強度分布(射束之剖面分布特性 =二雷射束之狀態未最佳化時，則會有無法完全切 d，或即使可完全切割，亦有良率 質惡化之問題。 Μ良丰降低，及破璃剖面之品 7如在專利域〗巾，_示—獅雷射束之形狀形 ::在沿著割劃預定線(加工預定線)之方 技術。在專利文獻1之技财，係藉由將複數個射 f㈣成複數個峰值，因此會有無法實現最適 切割之加熱狀態之問題。 、 本申請人為了將材料或厚度不同之各種玻璃基板，以 321183 201000244 高品質且良好良率進行完全切割，終而發現不僅在加工預 定線之方向，也應顧慮到與該方向垂直之方向之強度分 布，此點極為重要。 本發明係有鑑於此課題而研創者，其某一態樣之例示 - 性目的之一，係在於提供一種用以將玻璃基板等脆性材料 ， 基板，以高品質或以高良率進行完全切割之加工技術。 . 2、將玻璃基板進行完全切割時，相較於僅形成割劃 線之情形，不僅使用雷射加熱之條件，冷卻條件亦極為重 要。在習知之割劃裝置或切斷裝置中，主要係著眼在將玻 璃基板冷卻至較低之溫度，例如使用2個流體噴嘴將大量 之液滴進行寬廣面積喷射，藉此而將玻璃基板冷卻。 然而，使用此種冷卻手段時，會有因為玻璃基板之厚 度或材質而無法進行完全切割，或即使可進行完全切割， 亦有良率較低，且玻璃剖面品質惡化之問題。 本發明係有鑑於此課題而研創者，其某一態樣之例示 性目的，係在於提供一種用以將玻璃基板等脆性材料基 板，以高品質或以高良率進行完全切割之加工技術。 3、將玻璃基板進行完全切割時，’相較於僅形成割劃 線之情形，使用雷射加熱之條件極為重要。在習知之加工 裝置中，係利用雷射振盪器所具有之輸出安定化機構，將 雷射束之能量保持為一定，而與玻璃基板之狀態無關。然 而即使將雷射束之能量保持為一定，熱擴散之係數亦會隨 加工對象物之加工位置而變化，或者，雷射照射區域之溫 度會隨著使用冷卻裝置冷卻之條件之變更而變化。 5 321183 201000244 為了將加工對象物確實地以高品質進行完全切割，重 要的是在將加工對象物加熱至預定之峰值溫度之後再進行 冷卻。本申請人在以各種條件進行實驗後之結果，終至發 現可實現高品質高良率之完全切割之峰值溫度範圍並不很 寬廣，即使將雷射束之能量保持為一定，峰值溫度亦會從 預定之範圍脫離，而招致品質降低，或產生無法進行完全 切割之狀況。 本發明係有鑑於此課題而研創者，其某一態樣之例示 性目的之一，係在於提供一種用以將玻璃基板等脆性材料 基板，以高品質或以高良率進行完全切割之加工技術。 [解決問題之方案] 1、本發明之某態樣係關於一種加工裝置，係沿著加 工預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷者。 此加工裝置係具備：雷射照射裝置，將雷射束形狀化成以 加工預定線為其長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雷 射束予以照射在脆性材料基板之加工預定線上；冷卻裝 置，將位在雷射照射區域附近且為加工預定線上之預定冷 卻區域予以喷射冷卻媒體進行冷卻；及平台（stage )，在 加工預定線之方向，使脆性材料基板相對於雷射照射區域 及冷卻區域進行相對移動。雷射照射裝置係包括設在前述 雷射束之路徑上之：一對錐透鏡（axicon lens )，以彼此頂 點對向或逆對向之方式配置；及照射光學系統，將雷射光 束聚光或使之發散。 依據此態樣，藉由使用成對之錐透鏡，即可將雷射束 6 321183 201000244 形狀化成具有強度分布形態，該強度分布形態具有環狀之 夺值。藉由將此峰值聚光或使之發散，利用單一之射束之 形狀化，而非複數個雷射束之重疊，即可在沿著加工預定 線之方向形成具有2個峰值之雷射束。再者，可將與加工 預定線垂直方向之強度分布，設為適於完全切割之形狀， 而與僅將來自雷射振盪器之射束聚光之分布形態有所不 同。另外，在本說明書中，所謂「加工裝置」係指包含以 利用折斷裝置之後步驟為前提而在跪性材料基板上形成切 割劃線之割劃裝置之概念，而非僅為可將脆性材料基板進 行完全切割之裝置。 照射光學系統亦可包括設在雷射束之路徑上之：第1 柱面透鏡（cylindrical lens )，將雷射束予以聚光在與雷射 束之路徑方向垂直之第1方向；及第2柱面透鏡，使雷射 束發散在相對於路徑方向與前述第1方向垂直之第2方向。 藉由利用柱面透鏡，即可在所希望大小之照射區域形 成雷射照射區域。 一對錐透鏡之至少一方係可在雷射束之路徑方向移 動亦可。 此時，由於可使錐透鏡之頂點之間之距離變化，因此 可與形成在玻璃基板上之雷射照射區域之大小獨立地調節 雷射束之峰值之間隔。 一對錐透鏡係可在與雷射束之剖面平行之至少一方 向移動亦可。 此時，可與形成在玻璃基板上之雷射照射區域之大小 7 321183 201000244 獨立地調節雷射束之岭值之位置。 照射光學系統係設在較一對錐透鏡更靠脆性材料基 板侧亦可。 第1柱面透鏡及第2柱面透鏡係亦可獨立地在雷射束 之路徑方向移動。 一對錐透鏡與照射光學系統，係亦可以該等光軸對於 脆性材料基板大致垂直之方式配置在直線上。 一對錐透鏡與照射光學系統，係亦可裝設在可以與脆 性材料基板垂直之軸為中心旋轉之旋轉頭。此時，由於不 使脆性材料基板旋轉，亦可藉由使旋轉頭旋轉來變更切斷 方向，因此可提升生產性。 復具備光轴調整部，用以調整雷射束對於一對錐透鏡 及照射光學系統之射入方向亦可。 本發明之另一態樣亦關於一種加工裝置，係沿著加工 預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷者。此 加工裝置係具備：雷射照射裝置，將雷射束形狀化成圓環 狀並且進行聚光或使之發散，而形狀化成以加工預定線為 其長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雷射束予以照射 在脆性材料基板之加工預定線上，冷卻裝置’將雷射照射 區域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域予以射冷卻 媒體進行冷卻；及平台，沿著加工預定線，使脆性材料基 板相對於雷射照射區域及冷卻區域進行相對移動。 藉由將雷射束形狀化成圓環狀，並且將此聚光在脆性 材料基板進行照射，即可將雷射束對於加工預疋線之方向 8 321183 201000244 之強度分布、及與其垂直方向之強度分布之雙方，作成適 於完全切割之形狀。 本發明之另一態樣亦關於一種加工裝置，係沿著加工 預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷者。此 • 加工裝置係具備：雷射照射裝置，將雷射束形狀化成以加 ， 工預定線為其長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雷射 束予以照射在脆性材料基板之加工預定線上；冷卻裝置， 將在雷射照射區域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域 予以喷射冷卻媒體進行冷卻；及平台，沿著加工預定線， 使脆性材料基板相對於雷射照射區域及冷卻區域進行相對 移動。雷射照射區域中之雷射束之強度分布，係相對於長 度方向具有2個峰值，並且相對於與長度方向垂直之方向 具有2個峰值。 依據此態樣，由於在與加工預定線垂直之方向亦具有 2個峰值，因此可將脆性材料基板加熱至適於完全切割之 狀態。 \ 雷射束係亦可將單一雷射束予以形狀化而產生。 當將複數個雷射束重疊時，則會在強度分布產生參差 不均，由此即可藉由將單一雷射束予以形狀化來解決此問 題。 雷射照射裝置亦可具備設在雷射束之路徑上之：一對 錐透鏡，以彼此頂點對向或逆對向之方式配置；及照射光 學系統，將雷射束聚光。 本發明之再另一態樣係關於一種切斷方法，係沿著加 9 321183 201000244 工預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷之方 法。此方法係使脆性材料基板一面朝加工預定線方向移動 一面執行以下步驟··將雷射束形狀化成以加工預定線為其 長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雷射束予以照射在 脆性材料基板之加工預定線上之步驟，及將在雷射照射區 域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域予以喷射冷卻媒 體進行冷卻之步驟。雷射束係藉由設在雷射束之路徑上 之：一對錐透鏡，以彼此頂點對向或逆對向之方式配置； 及照射光學系統，將雷射束聚光來進行形狀化。 本發明之再另一態樣亦關於一種切斷方法，係沿著加 工預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷之方 法。此方法係一面使脆性材料基板相對於'11射照射區域及 冷卻區域進行相對移動，一面執行以下步驟：將雷射束形 狀化成圓環狀並且進行聚光或使之發散，且形狀化成以加 工預定線為其長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雷射 束予以照射在脆性材料基板之加工預定線上之步驟；及將 在雷射照射區域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域予 以喷射冷卻媒體進行冷卻之步驟。 本發明之再另一態樣亦關於一種切斷方法，係沿著加 工預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷之方 法。此方法係一面使脆性材料基板朝加工預定線方向移動 一面執行以下步驟：將雷射束形狀化成以加工預定線為其 長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雷射束予以照射在 脆性材料基板之加工預定線上之步驟，及將在雷射照射區 10 321183 201000244 域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域予以喷射冷卻媒 體進行冷卻之步驟。雷射束之強度分布，係相對於長度方 向具有2個峰值，並且相對於與長度方向垂直之方向具有 2個峰值。 - 本發明之再另一態樣係關於一種照射裝置，係搭載於 ， 加工裝置，該加工裝置係藉由雷射束將作為加工對象物之 脆性材料基板予以加熱，並接著喷射冷卻媒體加以冷卻進 行切斷者。此照射裝置係將雷射束形狀化成以加工預定線 為其長度方向之細長形狀，且照射在脆性材料基板之加工 預定線上。照射裝置係具備：在雷射束之路徑上，以光軸 相對於脆性材料基板成為大致垂直之方式配置在直線上， 且配置為彼此頂點對向或逆對向之一對錐透鏡、及將雷射 束聚光之照射光學系統。 本發明之再另一態樣，係關於一種平面面板之製造方 法。此方法係具備：製造形成有像素電路之母玻璃之步驟； 及以上述任一態樣之方法切斷母玻璃之步驟。依據此態 樣，即可從母玻璃以高良率且高品質方式切出複數個平面 面板。所謂平面面板，係包含液晶顯示器面板、電漿顯示 器面板、及有機電場發光顯示器面板等。 本發明之再另一態樣係關於一種平面面板。此平面面 板之特徵係藉由以下步驟製造：製造形成有像素電路之母 玻璃之步驟；及以上述任一態樣之方法切斷母玻璃之步驟。 本發明之再另一態樣係關於一種顯示器裝置。此顯示 器裝置係具備上述之平面面板、及用以驅動平面面板之驅 11 321183 201000244 動電路。 2、本發明之某態樣係關於一種加工 工預定線將加工對象物之胪Α』 係化者加 工裝置係具備”射=料基板予以切斷者。此加 預定線為其長度將雷射束形狀化成以加工 又向之、、·田長形狀，且將經形狀化之雷射束 以'日”、射在脆性材縣板之加工預定線上； 在f照射區域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域i =射冷卻制進行冷卻；及平台，在加1定線之方t 々h f生材料基板相對於雷射照射區域及冷卻區域進行相對 +動、Ο卩區域之與加1預定線垂直之方向之寬度，係較 给射照射區域之與加工預定線垂直之方向之寬度為短。 斤叫Q卻區域之與加工預定線垂直之方向之寬 度」’係指冷卻媒體所噴射之區域之寬度（以下亦稱「冷卻 區域之寬度」)。此外’所謂「雷射照射區域之與加工預定 線垂直之方向之寬度（以下亦稱「雷射照射區域之寬 度」）」’係指強度之半值全寬度。 藉由將冷卻區域設為較藉由雷射束之雷射照射區域 (加熱區域）更窄之區域，即可實現適於完全切割（細加） 之加熱-々评，且可改善切斷面之品質，或提高良率。 ^冷卻媒體係可為從喷嘴喷射之液滴，而該液滴之直徑 係為80 # m以下。 藉由將冷卻區域之寬度設為較雷射照射區域更窄，並 且將液滴之直徑設為較藉由2液體噴嘴產生時（最小為 ΙΟΟμηι左右）更小，較佳為8〇叫^以下，即可實現更適於 12 321183 201000244 完全切割之冷卻。 /冷卻媒體係可為從喷嘴喷射之液滴，而該液滴之直徑 係為30/zm以下。將液滴之直徑設為愈小，愈可改善切斷 面之加工精確度、直線性等之品質，尤其藉由設為30_ •以下’在加工縣物之基板厚度為數_至Qlm ， 範圍甲，可提高品質。 = 冷卻媒體係可為水滴。藉由利用水而使成本下降。 冷卻裝置係可包括具有同軸雙重管構造之喷嘴，用以 從雙重管之中心通路喷射液體，且從包圍中心通路之外側 通路噴射氣體。 j 产當將此噴嘴使用於冷卻時，即可藉由從外側通路喷出 力，將來自中心通路之液體噴射為直徑較尋也 作為°此外’由於從外側通路喷出之氣體，係發揮 '、、、心之引導作用’因此可將液滴 所希望之冷卻區域。 L Α限制在 中心通路之直徑係可為2mm以下。 較佳為’中心通路之直徑係可為Q4麵以上⑽麵 高加工2使通路之直㈣可能小之料，即可提 。此外由於冷卻區域之寬度隨著直徑變小而變 /可擴大雷射照射區域之寬度之調整範圍。 預定線之另—11樣亦關於—種加工裝置，係沿著加工 為；：射：置，將雷射束形狀化成以加工預定線 方向之細長形狀，且將經形狀化之雷射束予以照 321183 13 201000244 射在脆性材料基板之加工預定線上；冷卻裝置，將在 照射區域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域予以；射 冷卻媒體進行冷卻；及平台，在加卫預定線之方向，使脆 性材料基板相對於雷射照射區域及冷卻區域進行相對矛: 動。冷卻媒體係為從噴嘴喷射之液滴，而該液滴之直徑^ 為80/^m以下。 工’、 依據此態樣，藉由將液滴之直徑設為較藉由2 嘴所產生最小為1〇〇_左右）更小，較佳為80_: 下，即可貫現更適於完全切割之急速冷卻。 滴0 該液滴之直徑係可為30//m以下。冷卻媒體係可為片 冷部裝置係可包括具有同軸雙重管構造之噴嘴，用^ 通路喷射液體，且從包圍中心通路德 路之首中路之直徑係可為2mm以下。尤佳為，中心 1 直杬知可為〇.4mm以上0.9mm以下。 本發明之再另_態樣亦為關於—種加工裝置，係 壯定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以㈣ 加工預二雷射照射裝置’將雷射束形狀化❹ 射1+、枝、長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雪 置以知射在脆性材料基板之加工預定線上；冷卻裝 區域射區域附近且為加工預定線上之預定冷句 之方向以ΓΓ卻媒體進行冷卻；及平台，在加工預定綠 ° 馭性材料基板相對於雷射照射區域及冷卻區域 321183 14 201000244 進行相對移動。冷卻裝置係包括具有同軸雙重管構造之噴 嘴，用以從雙重管之中心通路喷射液體，且從包圍中心通 路之外側通路喷射氣體。 當將具有同軸雙重管構造之喷嘴使用於冷卻時，即可 - 藉由從外侧通路喷出之氣體壓力，將來自中心通路之液體 • 喷射為直徑較1 ΟΟμπι更小之液滴。此外，由於從外侧通路 喷出之氣體，係發揮作為液滴之引導作用，因此可將液滴 所喷射之區域，限制在所希望之冷卻區域。 從喷嘴喷射之液滴直徑係可為30/zm以下。 中心通路之直徑係可為2mm以下。尤佳為，中心通 路之直徑係可為0.4mm以上0.9mm以下。 液體係可為水。 從喷嘴喷射之冷卻媒體所形成之冷卻區域之與加工 預定線垂直之方向之寬度，係可較雷射照射區域之與加工 預定線垂直之方向之寬度為短。 本發明之再另一態樣係關於一種切斷方法，係沿著加 工預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷之方 法。此方法係一面使脆性材料基板朝加工預定線方向移動 一面執行以下步驟：將雷射束形狀化成以加工預定線為其 長度方向之細長形狀，且將經形狀化之雷射束予以照射在 脆性材料基板之加工預定線上之步驟；及將在雷射照射區 域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域予以喷射冷卻媒 體進行冷卻之步驟。冷卻區域之與加工預定線垂直之方向 之寬度，係較雷射照射區域之與加工預定線垂直之方向之 15 321183 201000244 寬度為短。 本心明之再另—態樣亦關於— 工預定線將作為加工對象、 蝣方法，係沿著加 法。此方、去係 脆性材料基板予以切斷之方 方法係-面使脆性材料板朝加 一面執行以下步驟：將雷射 彳方向私動 長度方向之細長形狀，且;::::定線為其 跪性材料基板之加工預定線上之步：之在 域附近且為加工預定線上 將在咖、射區 βΛ 預疋冷邠區域予以喷射亩涧盔 80_以下之液滴進行冷卻之步驟。 、仏為 2明之再另一態樣亦關於—種切斷方法，係 工預疋線將作為加工對象物之脆性 ’/σ σ 法。itf*方、、土及 v斗’土板予以切斷之方 面使脆性材料顧朝加1 步驟··將雷射束形狀化成以 = 長度方向之細長形狀，且將經形狀化之 、疋、、友為其 脆性材料基板之加工預定線田射束予以照射在 ΐ:::之” ’藉由從雙重管之中心通路噴射液體，： =1:通路之外侧通路喷射氣體，而產生冷卻媒體 且將在雷射照㈣域附近 某體 域予以喷射冷卻媒體進行冷卻之步^之預定冷卻區 本發明之再另一態樣係關於—種平面面 =7係、具備:製造形成有像素電路之母麵二 . 处任一悲樣之方法切斷母坡璃之步驟。依據 :板即可從母玻璃以高良率且高品質方式切出複 面板。所謂平面面板，係包含液晶顯示器面板、電聚顯= 3211S3 16 201000244 器面板、及有機電場發光顯示器面板等。 本發明之再另一態樣係關於一種平面面板。此平面面 板之特徵係藉由以下步驟製造：製造形成有像素電路之母 玻璃之步驟；及以上述任一態樣之方法切斷母玻璃之步驟。 - 本發明之再另一態樣係關於一種顯示器裝置。此顯示 ' 器裝置係具備上述之平面面板、及驅動平面面板之驅動電 路。 3、本發明之某一態樣係關於一種加工裝置，係沿著 加工預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷 者。此加工裝置係具備：雷射照射裝置，將雷射束形狀化， 且將經形狀化之雷射束予以照射在脆性材料基板之加工預 定線上；冷卻裝置，將在雷射照射區域附近且為加工預定 線上之預定冷卻區域予以喷射冷卻媒體進行冷卻；平台， 在加工預定線之方向，使脆性材料基板相對於雷射照射區 域及冷卻區域進行相對移動；及控制部，監視雷射照射區 域與冷卻區域之間之預定區域之溫度，以預定區域之溫度 與目標值一致之方式，藉由反饋來調節雷射束之能量。 依據此態樣，藉由測量雷射照射區域與冷卻區域之間 之溫度，即可測量由雷射束之總能量所加熱之溫度、亦即 峰值溫度與相關之較強之溫度。藉由將此溫度反饋，即可 使加工對象物之峰值溫度穩定化於目標值，且可實現較高 良率且較高品質之完全切割。 預定區域係可設定在較冷卻區域更接近雷射照射區 域之位置。藉由使預定區域遠離冷卻區域，即可測量冷卻 17 321183 201000244 影響較小部位之溫度，且可測量與峰值溫度關聯較強之溫 度。 預定區域係可設定在距雷射照射區域之尾端lcm以 内。 從脆性材料基板之始端至終端之間，係可虛擬地分割 為複數個區間，且可依每區間設定溫度之目標值。此時， 可依據加工位置將脆性材料基板加熱至最佳之'溫度。 在將脆性材料基板切斷之際，在從始端起預定之範 圍、與從終端起預定之範圍之至少一方，停止藉由反饋進 行雷射束之能量之調節亦可。 本發明之再另一態樣係為關於一種切斷方法，係沿著 加工預定線將作為加工對象物之脆性材料基板予以切斷之 方法。此方法係一面使脆性材料基板朝加工預定線方向移 動一面執行以下步驟：將雷射束形狀化，且將經形狀化之 雷射束予以照射在脆性材料基板之加工預定線上之步驟； 將在雷射照射區域附近且為加工預定線上之預定冷卻區域 予以喷射冷卻媒體進行冷卻之步驟；監視雷射照射區域與 冷卻區域之間之預定區域之溫度之步驟；及以預定區域之 溫度與目標值一致之方式，藉由反饋來調節雷射束之能量 之步驟。 本發明之再另一樣態係關於一種平面面板之製造方 法。此方法係具備：製造形成有像素電路之母玻璃之步驟； 及以上述任一態樣之方法切斷母玻璃之步驟。依據此態 樣，即可從母玻璃以高良率且高品質方式切出複數個平面 18 321183 201000244 面板。所謂平面面板，係包含 器面板、及有機日菸本# 日日颂不益面板、電漿顯示 次有機：包％發先顯示器面板等。 本發明之再另一態樣係關於一 板之特徵係藉由以下步·造：此平面面 _之步驟;及以上述任-態樣之方法切斷母玻璃之牛驟 器裝置係具備上述之平面面 ：:置此― 路。 攸及驅動千面面板之驅動電 成要以上構成要素之任意之衫、絲本發明之構 現’在方法、裝置、系統等之間彼此予以置換 者，作為本發‘明之態樣亦屬有效。 【實施方式】 2下根據較佳實施形態—面參照圖式—面說明本發 理，j於各圖式所示之相同或同等之構成要素、構件、處 :賦予相同符5虎’且適當省略重複之說明。此 ;形態僅_示性，«肋岐本發明，實麵態所記 之戶:有4寸徵及其組合，未必係為發明之實質性界定。 第1圖係為顯示實施形態之加工裝置100之整體構成 方鬼圖加工裝置100係沿著加工預定線，從始端112朝 :終：114將作為加工對象物11〇之脆性材料基板切斷(完 王切吾O’或在其表面形成割劃線。以具體之加工對象物 110而言，係例示為使用在FPD之各種玻璃基板。玻璃基 板係可為單板，亦可為重疊基板。 另外，為了簡化說明，茲將第1圖之紙面左方向設為 321183 19 201000244 x方向、與紙面垂直之朝前方向設為γ方向、紙面上方向 設為“由。此外，數個圖示所示之各構件等之尺寸 (-一)，在與發明之實質無關之範圍内，為了易於 2而適田放大 '縮小，此外各構件之位置關係，亦為了 易於理解而加以適當修正、變更及顯示。 加工裝置_係具備平台2、工;；台⑽〇4、 =缝（crack)產生部6、雷射光源δ、雷射照射裝置I 冷部裝置20'溫度感測器3〇、控制部32。 加工對象物no係固定於工作台4上。固定手 =負壓吸附，亦可❹具有”性之膠帶（tape)、利用 文持為（clamper) W勿理性固定手段 U0藉由其自體重量定位在工作△ 對象物 110係與；ΧΥ平面平行配置。 了象物 一平台2係使供固定加工對象物m之工作台4移動。 猎由使工作台4朝與加工預定線平行
軸相反方向）移動，而使加 ° N(X =射區域及冷卻區域進行相對移動。第 形成於X軸方向之情形。此外，平台2 _ :周整繞著取角度Φ，藉 加工對象物110之方肖。 頂疋線相對於 雷射光源8係可依摅心丁地丄么 ^ + 據加工對象物11〇之吸收率之沽且 依存性來適當選擇，例如❹於咖之 波長 中，係可適用具有10.6皮 土板之情形 射破璃基板相對於;射雷 見九雖仏為透明，惟相對於紅外線 321183 201000244 則為不透明，因此雷射光之能量被有效率地吸收，而轉換 為熱。在使用雷射之割劃裝置、切斷裝置中，雖亦存在使 用可視光、紫外線區域、或近紅外線區域之波長之雷射者， 惟加工對象物之玻璃相對於此等波長係為透明。因此，使 -用叫雷射之本實施形態之加工技術，與利用較近紅外線 •為短之波長之加工技術，在加熱、或其後的冷卻製程中完 全不同，在該種加工技術中所獲得之知見，未必有助於本 貫施形態之加工技術，此點宜加以注意。 雷射光源8係用以射出具有圓騎束剖面分布之雷射 (GLB1·。通常，雷射束之剖面強度分布雖具備高斯 夕’惟亦可為藉由孔徑（apert⑽）等切取 帝射刊H #亦可為射其㈣度分布之射束。此外， 學系統來修正开由於可猎由後段之照射光 异方# :因此亦可為橢圓，或亦可為正方形、 長方形。為了實現最適 :從雷射光源所射出之恭之加熱，亦可能會有將 形。 田、束之形狀積極地修正較佳之情 雷射照射襞置10係將從雷射 射 =:::定形狀，且將_形狀化之 線上。照射在力110之脆性材料基板之加工預定 工預定線成為11G之雷射束LB2 ’係具有以加 /、長度方向之細長形狀。 17工對象物110上之雷 照射區域）之大丨 田射采LB2所知射之區域（雷射 之大小，係依據加工對象物110之材質、厚度 32Π83 21 201000244 而予以最佳化。再者 或形狀變化亦可。 依據如射雷射束之位 置’使該大小 冷卻裝置2G係對於加項象物m上之 之區域（雷㈣射區域）附近之加工預 ；^ 域喷射冷卻媒體CM。冷卻裝置2〇係由例如用== 與液體之混合體之噴嘴所構成。料係構成為相對於义轴 方向為可動’而冷卻區域與雷射照射區域40側之尾部之門 隔’餘據力:工對象物11G之材f、厚度、雷射照射㈣ 之大小專而最佳化。 初期裂縫產生部6係為了在加工預定線上之加工對象 物no之始端112,形成初期裂縫所設。例如初期裂缝產 生部6係由鑽石等切割刀所構成。雷射照射區域與冷卻區 域，係以初期裂缝為始點沿著加工預定線進行掃描，且完 全切割之切斷面細初期裂缝㈣eh)為種子而繼續成長。 另外，依加工對象物110及加工條件之不同，亦有不形成 初期裂缝而可進行完全切割之情形。 第2圖係為從加工對象物n〇上方觀看形成在加工對 象物110上之雷射照射區域40及冷卻區域44之平面圖。 雷射照射區域40及冷卻區域44，係沿著—點鏈線所示之 加工預定、線42❿配置。為了實現高品質、高良率之完全切 割，雷射照射區域40與冷卻區域44之加熱條件、冷卻條 件極為重要。例如，對於FpD之玻璃面板，係要求分割面 j平坦度為±2μιη左右、直線度為±25μιη左右之高品質。 貝施形態之加工裝置100具有為了以高品質將玻璃基板進 321183 22 201000244 行完全切割所需之加熱條件、冷卻條件予以最佳化之數個 特徵。 以實施形態之加工裝置100之一特徵而言，可例舉有 加工對象物110之溫度控制。首先說明此溫度控制。 - 第1圖之溫度感測器30，係用以監視雷射照射區域 ' 40與冷卻區域44之間的預定區域46之溫度。以溫度感測 器30而言，係以非接觸型者為較佳，可利用例如紅外線感 測器。 溫度感測器30係將與所測量之溫度對應之訊號（以 下稱溫度訊號）Stmp輸出至控制部32。控制部32係以藉 由反饋使溫度訊號Stmp之值與預定基準值一致之方式， 亦即使所測量之預定區域46之溫度與目標值一致之方 式，將從雷射光源8所輸出之雷射束LB1之能量進行調 節。溫度之目標值，係設定在與加工對象物110之材質對 應之軟化點以下。 在習知之加工裝置中，一般係利用雷射光源8所具有 之輸出穩定化機構。換言之，藉由雷射光源8本身，將雷 射束LB1之能量保持為一定，而與加工對象物110之狀態 無關。然而，即使將雷射束LB1之能量保持為一定，當熱 擴散之係數依據加工對象物110之加工位置變化時，或變 更冷卻裝置20所提供之冷卻條件，則雷射照射區域40之 溫度將會變化。 為了確實以高品質將加工對象物110進行完全切割， 重要的是在將加工對象物110加熱至預定之峰值溫度後加 23 321183 201000244 以冷卻。本申請人以各種條件進行實驗之結果，終而發現 可實現高品質且高良率之完全切割的峰值溫度範圍並不很 廣，即使將雷射束LB1之能量保持為一定，峰值溫度亦會 從預定之範圍脫離，而招致品質降低，或產生無法進行完 全切割之狀況。 根據此發現，乃在實施形態之加工裝置100，設置控 制雷射光源8之機構，以使預定區域46之溫度為一定，而 可將加工對象物110確實加熱至預定之峰值溫度，並且可 抑制溫度之變動，因此可提高品質。 再者，為了實現高品質之完全切割，僅單純測量加工 對象物110之溫度進行反饋並不足夠，重要的是測量溫度 之位置。預定區域46係以設定在加工預定線42上，亦即 較冷卻區域44更近雷射照射區域40之位置為佳。進而言 之，預定區域46係以盡量靠近雷射照射區域40之位置為 較佳，惟當與雷射照射區域40重疊時，則雷射束之反射光 會射入溫度感測器30，因此會有妨礙正常之溫度測量之 虞。 因此預定區域4 6在不與雷射照射區域4 0重豐之範圍 下，係設定在與雷射照射區域4 0之尾端41相距1 cni以内， 較佳為2至3mm之位置。只要將預定區域46設為此位置， 則可測量剛加熱後之冷卻影響較小之部位之溫度。如此測 量之溫度，將會接近基板之峰值溫度。從其他觀點來看， 在將加工對象物110進行完全切割上，重要的是確實將加 工對象物110加熱至預定之峰值溫度，再進一步抑制此峰 24 321183 201000244 值溫度之參差不齊。因此，測量雷射照射區域40之最近部 位之溫度，相較於測量接近冷卻區域44之位置之溫度，由 於可測量與峰值溫度關聯較強之溫度，故有其意義。 加工對象物110之最佳之峰值溫度，係依與兩端部 - 112、114之距離有所不同。因此，實施形態之加工裝置 • 100,係具有依據加熱位置而使溫度之目標值變化之功能。 第3圖係為從上方觀看經區間化之加工對象物110之 平面圖。從加工對象物110之始端112至終端114之間， 係虛擬性地分割為複數個區間SEG1至SEG5。區間之數量 及區間之長度係為任意’且為設計事項。 控制部32係以可依各區間獨立地設定溫度之目標值 之方式構成。結果，依據與兩端部112、114之距離，可將 加工對象物110加熱至最佳之溫度。 藉由控制部32之反饋而進行之溫度控制，係可依各 區間獨立地切換有效、無效。在從始端112起預定之範圍 與從終端114起預定之範圍之至少一方，亦即第1區間 \ / SEG1與第5區間SEG5之至少一方，只要停止藉由反饋之 雷射束能量之調節即可。從此觀點來看，係以分割為包含 始端之區間、包含終端之區間、任一端均不包含之區間等 3個以上區間為較理想。 包含始端112之區間SEG1及包含終端114之區間 SEG5，其熱擴散之邊界條件，係與中間之區間SEG2至 SEG4不同。因此當以將所監視之溫度保持為一定之方式 進行反饋時，雖會有實際之切割斷線從加工預定線42脫 25 321183 201000244 離，或剖面之精確度惡化之虞，惟只要將反饋無效化，即 可解除此種問題。 返回第1圖，控制部32係進行雷射光源8之雷射束 LB1之能量調整，並且控制平台2之掃描速度（亦稱加工 速度）。控制部32係設為可切換：以等速使加工對象物110 移動之等速模式、隨時間而增加加工對象物Π0之移動速 度之加速模式、及隨時間而降低移動速度之減速模式等3 個模式，且依上述之區間SEG分配任意模式。例如包含始 端112之第1區間SEG1係以加速模式、包含終端114之 第5區間SEG5係以減速模式、中間之區間SEG2至SEG4 係以等速模式進行加工。 另外，在加速模式及減速模式中，係設為可切換：從 初期速度至最終速度以一定之加速度進行變速之第1模 式、及依據三角函數（sin曲線）使速度變化之第2模式。 再者，控制部32係可依各區間設定掃描速度（初期 速度、最終速度）。掃描速度係可在〇至500mm/ s之範圍 内設定，典型而言係在5至150mm/s之間選擇。依據加 工位置，將加工對象物110之目標溫度與加工速度之2個 參數予以最佳化，即可藉此實現高品質之完全切割。如上 所述，當保持雷射能量為一定之狀態下使加工速度變化 時，加工對象物110之溫度即會變化。相對於此，藉由反 饋將雷射照射區域40附近之預定區域46之溫度保持為一 定，即使使加工速度變化，加工對象物110之溫度亦可保 持為目標值。換言之，可獨立設定加工速度與加熱溫度， 26 321183 201000244 可謂實施形態之加工裝置1〇〇之優點之一。 為加工裝置100整體之特徵之構成及控制 接下來，依序說料由與上述之控制機構組合， 切割之加熱技術、冷卻技術。然而，以 下；二卻技術係可與上述控制方式無關而單獨使用。 首广兄明加熱技術。第4圖係為顯示形成在加 域圖。在第4圖中，係合併顯示從 :::=。之上面觀看時之雷射照射區域-之形狀、 及目射束啦之x杨及y方向之強度分布。 雷射照射區财之雷射束之射束長度方向（x軸方 向）之強度分布，係具有2個峰值。換言之，在加 物no上，相對於加工預定線42之方向，係在2個部位^ f主入熱密度較高之點㈣。此外，相對於與長度方向垂 直3向（短邊方向）之強度分布，亦具有平坦之形狀， ==分布。第4圖之射束形狀’係將從單一雷射光源 8所射出之雷射束⑺予以形成特定形狀，而非將♦值之位 置^同之複數個射束予以重疊所形成者，此點可謂係實施 形悲之特徵之一。 、 乂下°兄月第4圖所7^將雷射束進行特定形狀化之技 術。 第5圖係為顯示實施形態之雷射照射裝置1G之構成 之方塊圖。對於雷射昭射梦晋彳Ω π丄一 耵…耵衣置10，係射入圖中實線所示之 從雷射光源8射出之恭射去T R i ^ — 扣之田射束LB1。第6圖係為示意性顯示 在第5圖之雷射照射裝詈〗〇 #久 对丁在置1U之各部之雷射束lb之形狀圖。 321183 27 201000244 在第5圖中，除雷射照射裝置ίο以外，尚顯示有雷 .先源8等。雷射光源8係可在2軸方向進行定位調節。 r你田射、、、射裝置1〇係具備包含第1錐透鏡㈣con lens) 户形透鏡（corneal lens)) 12與第2錐透鏡i4之一對錐 f見（錐透鏡對11 )、照射光學系、統16及第1反射鏡 (nnm>r)Ml至第3反射鏡奶。 之路λΓ^鏡對U及照射光學系統16，係設在雷射束LB1 點相對向之方f \ 錐透鏡14,係以彼此之頂 至小—古方式配置。弟1錐透鏡U及第2錐透鏡14之 可i雷射束動裝設器（m_ter)上，而構成為 錐透鏡12盘^向（z車由方向）移動。換言之，第1 如h弟錐透鏡14之頂點間之距離Δζ係可調整。 呈有=圖所示’經由錐透鏡對"之雷射束-，係 之頂點間距離&，即可依據錐透鏡對11 射區域之大小獨立地f展之直徑，甚至可與雷射照 預定線方向之強产八所產生之雷射束⑻之加工 金又刀布之峰值之間隔。 錐透鏡對1丨亦 12及第2錐透鏡14Ι;Γί:z方向）之第1錐透鏡 置，亦即以逆對向之方式=置進行彼此頂點不對向之配 方向錐：對二:::可在與雷射束之剖面平行之至少- 較佳。藉由將錐透鏡對H軸方—向任一方向或雙方移動為 方向移動，即可伟笛< ^成―體而在X軸方向或γ軸 尤第6圖之命*台4· 土 — 口 <田射束LB3之圓環之中心偏離 321183 28 201000244 » (offset)。此點係意味可任意 , 取終所產生之雷射眧射 區域40之峰值強度之位置（參昭 ’·、、 ,,^ ^ …、弟4圖），在將加工對象 物110之加熱狀態最佳化時較為便利。 再者，以構成為可獨立分別蒋 J乎夕動第1錐透鏡12及第2 .錐透鏡14為較理想。藉由此構成，即可使第4圖的Χ方 ’ 向之強0布各自所產生之2個強度峰值，從相 同之同度朝不同之南度變化，而可實 ;j男'現空間上非對稱之分 0 照射光學系統16係將經由錐透鏡對11之雷射束LB3 聚光或使之發散，而投影在加工對象物11G上之雷射照射 區域、光、發散之放大、縮小率，只要依據原本之雷射 束lB1之直徑、及雷射照射區域40之大小來決定即可。 照射光學系統16係包含第1柱面透鏡CL1、第2柱 面透鏡CL2。第i柱面透鏡⑴與第2柱面透鏡㈤，係 以具有曲率之剖面形成彼此垂直方式配置。 第1柱面透鏡CL1係為將雷射束聚光於與其路徑方向 (Z軸相反方向）垂直之第〗方向（γ軸方向）之光學元 件。具體而言，第1柱面透鏡CL1係為平凸型之柱面透鏡， 用以將照射於加工對象物110之雷射束1^2朝丫軸方向縮 小。第1柱面透鏡CL1之曲率係依據原本之雷射束乙扪 之直徑、雷射照射區域之大小來決定。亦可使用凹型之柱 面鏡作為第1柱面透鏡CL1之替代透鏡。 如第6圖所示，經由第i柱面透鏡cu之雷射束 LB4，係形成為將雷射束LB3朝γ軸方向縮小之形狀。隨 321183 29 201000244 接近加工對象物1ί0，γ軸方向之寬度變小， 定軸方向強度分布，係與第4圖所示者一致。 mi /面透鏡CU料將雷射束發散於對路徑方向 2抽相反方向）與第1方向（y軸方向）呈垂直之第2 。=:方？)之光學元件。具體而言，第2柱面透鏡 之；束型之柱面透鏡，用以將照射於加工對象物110 =第2轴方向放大。與第1柱面透鏡⑴相 咖之直徑率亦_依據原本之雷射束 田射恥射區域之大小來決定。亦可使用凸型 之柱面鏡作為第2柱面透鏡CL2之替代透鏡。 如/第6圖所不’穿經第2柱面透鏡CL2之雷射束 丄係成為田射束LB4朝X軸方向放大之形狀。隨著雷 ，束LB5接近加卫對象# UQ，X軸方向之寬度變大，而 最終之—X軸方向之強度分布，係與第4圖所示者一致。 ,第1柱面透鏡CL1及第2柱面透鏡CL2,雖係以加工 對象物&11G側成為平面之方式配置，惟亦可朝相反方向， 此外，第1柱面透鏡CL1與第2柱面透鏡CL2之位 變換。 第1柱面透鏡CL1及第2柱面透鏡CL2係裝設於可 動裝设器，且形成可獨立在雷射束之路徑方向移動。換言 之第1柱面透鏡CL1與加工對象物11〇之距離、及第2 柱面透鏡CL2與加工對象物110之距離係可獨立調節。結 果，第4圖所示之雷射照射區域4〇之又軸方向之長度l、 y軸方向之寬度w可獨立調整。另外，雷射照射區域4〇 321183 30 201000244 之長度L及覓度W係以強度之半值全寬度（Fuu& Half Maximum)來定義。 此外，藉由調節第1柱面透鏡CL1、第2柱面透鏡 CL2之Z軸方向之位置，即可使第4圖之峰值強度之位置 變化。 另外，錐透鏡對11及照射光學系統16配置之順序雖 係可變換’惟較佳為如圖所示，係以將錐透鏡對U設置在 雷射光源8侧，將照射光學系統16設置在較錐透鏡對U 靠加工對象物110側為較佳。將藉由第2桎面透鏡〇12朝 X軸方向延伸之前之射束入射於錐透鏡對u，藉此即可使 錐透鏡對11之面積較小。此外，將藉由第J杈面透鏡 朝Y軸方向聚光之前之射束入射於錐透鏡對丨1，藉此即可 使對準（alignment)較為簡單。若是將聚光後之射束入射 於錐透鏡對11，則些微之純之偏移，就會顯現為最终形 成之雷射束LB2之強度峰值之位置偏移。 V ·ι 另外，錐透鏡對11及照射光學系統16，只要配置在 雷射束之路徑上，則其光轴未必須要—致。例如，使照射 光學系統16之光軸與Ζ軸一致，將錐透鏡對u配置在藉 第3反射鏡M3折返之前之位置，且此該等光軸與X軸= 致亦可。然而從生產性之觀點而言，如坌 如弟5圖所示，錐透 鏡對η與照射光學純！6係、以該等之_㈣Μ 象物110大致垂直之方式配置在直線上為較理想t此曰士 可將錐透鏡對11及照射光學系統16 ,农壯^ ’ 文衣在可以與加工 對象物Π 0垂直之一點鏈線所示之旋轉輪1 马中心旋轉之 321183 31 201000244 旋轉頭18。 將加工對象物m _ x軸方向切割之後，使旋轉頭 18相對於X軸旋轉18〇度，且使加工對象㉗⑽之婦描方 向反轉，藉此即可折返並將加工對象物11〇切割。此外， 使方疋轉碩18相對於X軸旋轉9〇度或頂度，使平台2朝
Yj方向移動，藉此即可將加工财線設定於γ轴方向。 換σ之’即使不使加工對象物11〇旋轉，亦可進行X轴方 向與Υ軸方向之加工。 光柵（shutter) 9係為了遮斷從雷射光源8射出之雷 ^ LB1所設，以使其不會不慎照射至加工對象物110。 當第4反射鏡M4發揮作為實質之光拇功能，且將第々反 射鏡M4配置於雷射束LB1之路徑上時，雷射束咖即反 射而射入射束減速器（beamdamper)BD，停止雷射束咖 對於雷射照射裝置10之供給。當將第4反射鏡刚從雷射 束LB1之路徑上去除，則雷射束咖即供給至雷射照射裝 置10。 雷射二極體7及第5反射鏡M5係用於雷射照射裝置 1〇内之光學元件之對準而設置。由於雷射束⑶係為紅外 線區域且無法為人類肉眼所視，因此利用可視光之雷射束 (=虛線圖式）作為其替代。f 5反射鏡奶係使來自雷 射一極體7之射束之光軸、與來自雷射光源8之雷射束LB1 之光轴一致。 、構，光軸調整部17之第1反射鏡Mi及第2反射鏡 M2、及第3反射鏡M3 ’係為了將雷射束引導至錐透 321183 32 201000244 鏡對】1而設置。第1反射鏡及第2反射鏡M2係舉μ 於用以調節對於光軸之傾斜度之可動裝設器，以調整^叹 束相對於錐透鏡對及照射光學系統16之射入角Γ =射 照射裝置10之使用者係依靠從雷射二極體7所射出之 光之雷射束來調整光軸調整部17，且將來自無法由肉眼^ 視之雷射光源8之雷射束LB1適當地射入錐透鏡對又 照射光學系統16。 以上係為雷射照射裝置1 〇之詳細構成。 6依據此加工裝置100,即可將雷射束之形狀形成適於 π全切割之狀態，而該光學系統亦可簡單構成。 所謂適於完全切割之雷射照射區域40之形狀及強度 分布係為滿足以下之至少—方，較佳為雙方： " (1) 具有朝加工預定線方向延伸之細長形狀，且對 於加工預定線方向具有2個強度峰值； (2) 在加工預定線對於垂直方向亦具有 峰值。 观又 藉由利用具有此特性之雷射束，即可實現高品質且高 良率之完全切割。 從其他觀點來看，藉由使用第5圖所示之雷射照射裝 置1〇 ’即可適當形成上述⑴'⑺雙方均滿足之雷射照 射區域40。要藉由複數個射束之重疊形成具有此強度分布 之雷射照射區域4〇雖有其困難或實質上不可能，惟只要使 用第5圖之雷射照射裝置1〇，則可藉由單一之雷射束之形 狀化而簡單地產生。 321183 33 201000244 再者十’第4圖之雷射照射區域*之長度l、寬度w、 在將^、△¥、以及峰值強度1Lpk、IWpk， :對象物UQ進行完全切财面係為極重要之參 ίο 要適當設定，然而依據第5圖之雷射照射裝置 10，即可個別調節各參數。 以使:點來看，在實現高品質之完全切割方面， 取代具備錐透鏡對11之雷射照射裝置10 而將雷射束進行形狀化圖:雷射照射裝置1〇 成於加工對象物110上之4::二件之位置不同，形 (2)雔 田射"?、射區域40,未必滿足（1) 又方。然而，依加工對象物 ;:使用利用具有上述特徵之雷射照射:置 雷射照射_4〇,即可實 _巧置1G所形成之 狀化成圓環狀並且聚光或使& ⑯雷射束形 作法40係可袖x放而形成雷射照射區域的 —了'了明有助於高品質之完全切割。 月施形態之加工裝置1〇〇 步驟中亦且有 在糟由冷部裝置.20冷卻之 外，以下;=二=明:冷卻步驟之詳細内容。另 雷射照射裝置現^為依與上述具有特徵之 者，惟雷射照射裝置㈣率之完全切割 用、效果。 、他構成枯，亦可發揮同樣之作 回到第2圖，與冷輕域44之加工預定線42垂直之 321183 34 201000244 方向（換言之，為Y軸方向）之寬度Wc，係較雷射照射 區域40之Y軸方向寬度W更短。 習知技術中，為了將加工對象物110急速冷卻，一般 係利用2流體喷嘴對於較雷射照射區域40之寬度W更廣 之區域進行冷卻媒體喷霧。然而，此時，需將經由雷射束 給予加工對象物110之熱量相對增大，而未必可謂能實現 適於完全切割之加熱-冷卻效果。相對於此，在實施形態之 加工裝置100中，係藉由將冷卻區域44之寬度Wc縮窄， 即可實現適於完全切割之加熱-冷卻，且可改善切斷面之品 質、或提高良率。 冷卻媒體CM係以從喷嘴所噴射之液滴為較佳。液滴 之直徑（粒徑）係以80μιη以下為較佳，尤佳為選擇在30μιη 以下。例如，以冷卻媒體而言，係可利用室溫之水滴。藉 由使用水，即可以低成本將加工對象物110冷卻。 在習知技術中，藉由2液體噴嘴進行冷卻媒體CM之 喷霧時，液滴之粒徑最小係為1 ΟΟμηι左右。相對於此，藉 由將液滴之直徑設為30μπι以下，即可實現更適於完全切 割之冷卻。 以上之冷卻步驟係可藉由使用以下所說明之喷嘴來 實現。第7圖係為顯示適於冷卻裝置20之喷嘴21之構成 圖。喷嘴21係具有同轴雙重管結構。内管（inner tube ) 22之内壁係形成中心通路26。外管（outer tube ) 24係與 内管22同轴設置，而在内管22之外壁與外管24之内壁之 間，係形成外侧通路28。 35 321183 201000244 此種喷嘴通常雖係裝設在分配器（dispense〇或嘴搶 spray gun)之前端來販*，惟本案發明人則著眼其構造， 而'!、到利用在實現上述之冷卻步驟。 對於中心通路26，係從外部供給液體，例 1 卜側料28係供給經由調節器一 之I體’例如空氣。壓力係以5至6術左右為中心了 並依冷卻條件進行調節。 猎由第7圖之喷嘴21 ’液體從雙重管之中心通路26 7射^氣體從外侧通路28噴射。藉由從外側通路^喷 而==壓力，從中心通路26噴出之液體會被碎成較細 體之壓Γ Γ出。依據第7圖之噴嘴21，藉由適當設定氣 針將較直徑為80陣更小之液滴噴霧至加工 對冢物110。 油再者’由於從外側通路28喷出之氣體會發揮將液滴 =之引導作用，因此可將液滴所喷射之區 希望之冷卻區域。 π牡/π 另外，噴嘴2i之前端係以從加工對象物u〇之表面 -開2至3_之間隔而配置為較佳。為了實現更良好 ^狀態，亦可將噴嘴21從對加工對象物ιι〇 直: 方向⑴由方向）朝X軸方向傾斜。 孟直之 第圖所不之冷部區域44之寬度Wc係依據喷嘴η —十^路26之直徑01及外側通路28之直徑知來決 疋。雷射照射區域4〇之宫；w〆 厚度相同之程料基準，，^如與加工對象物110 土 在某乾圍内最佳化。冷卻區域44 321183 36 201000244 之寬度Wc係以較其更窄為較佳，因此為了以相同喷嘴將 各種厚度之基板進行完全切割，係以利用直徑儘量小之喷 嘴21為較佳。 使用中心通路26之直徑0 i為2. 84醒之喷嘴時，雖 - 可進行完全切割，惟有無法滿足加工精確度、加工品質之 情形，然而在直徑l_12min之喷嘴情形下，加工精確度、 加工品質可獲得相當改善，而若使用0.58mm之喷嘴，則 可實現極高品質之完全切割。在進行〇. 1mm至5mm左右 '之玻璃基板完全切割時，中心通路之直徑φ i係以選擇 0.4mm至0.9mm之範圍盡量較細者為佳。 如此，實施形態之加工裝置100係於溫度控制、加熱 步驟、冷卻步驟具有特徵，藉由此等組合，即可實現高精 確度、高品質之雷射加工。然而，以任一步驟、特徵而言， 即使是使用其他替代技術時，只要可發揮本發明之特徵性 技術，此種態樣對作為本發明而言亦屬有效。 上文雖已根據實施形態使用特定之詞句說明本發 明，惟實施形態僅係用以表示本發明之原理、應用，實施 形態中，只要在不脫離申請專利範圍所規定之本發明技術 思想之範圍内，均可進行多種變形例或配置之變更。 (產業上之可利用性） 本發明之某態樣係可利用於脆性材料基板之加工技 術。 【圖式簡單說明】 第1圖係為表示實施形態之加工裝置之整體構成方塊 37 321183 201000244 圖。 第1 2 3圖係為從加工對象物 成Dm料冷純域之平㈣加工料物上所形 圖。弟3圖係為從上方觀看經區間化之加工對象物之平面 之情=圖係為顯示加工對象物上所形成之雷射照射區域 圖。第4圖料顯示實施·之雷射照射裝置之構成方塊 中之===性顯示第5圖之雷射照㈣之各部 第7圖倍良ss二、* _ 一 用於冷卻裝置 元件符號說明】 之噴嘴之構成 平台 4 工作台 初期裂縫產生部 7 雷射二極體 雷射光源 9 光栅 雷射照射裝置 11 錐透鏡對 弟1錐透鏡 14 第2錐透鏡 照射光學系統 17 光軸調整部 旋轉頭 19 旋轉軸 冷卻裝置 21 噴嘴 内管 24 外管 中心通路 28 外側通路 溫度感測器 32 控制部 圖 321183 38 1 2 6 3 8 10 12 16 18 20 22 4 26 30 201000244 40 雷射照射區域 41 尾端 42 加工預定線 44 冷卻區域 46 預定區域 100 加工裝置 110 加工對象物 112 始端 114 終端 BD 射束減速器 CL1 第1柱面透鏡 CL2 第2柱面透鏡 CM 冷卻媒體 LB1至LB5 雷射束 Ml 第1反射鏡 M2 第2反射鏡 M3 第3反射鏡 M4 第4反射鏡 M5 第5反射鏡 SCAN掃描方向 SEG1至SEG5 區間 Stmp 溫度訊號 39 321183