200939521 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關半導體發光裝置，以及使用此而成之背 光及顯示裝置。更詳細係本發明乃有關亮度不勻或色度不 勻情形較少之半導體發光裝置，使用此所成之背光及顯示 • 裝置。 9 0 【先前技術】 發光二極體（Light Emitting Diode，以下 LED)係爲 將電性能量變換爲紫外光或可視光等之光而放射之半導體 元件，並以各種領域使用例如以透明樹脂密封如此之LED 晶片之LED燈。而LED晶片係因爲爲半導體元件，故從 長壽命且信賴性高，對於做爲光源而使用之情況，減輕交 換作業之情況，成爲作爲攜帶通信機器，PC周邊機器， OA機器，家庭用電器機器，信號裝置，各種開關類，背 Q 光型顯示板等之各種顯示裝置之構成構件而被廣泛利用。 此等之中，對於液晶背光係現在主要使用冷陰極管， -但冷陰極管係含有汞等，對於環境有害，另外，LED則具 _ 有如前述之多數優點，銳意檢討對於LED之切換。但， 另一方面，LED係在光均一性與亮度方面，較冷陰極線管 差，而爲了解決此等問題之情況則成爲朝向正式應用展開 之課題。 關於光均一性，LED之所以成爲問題主要有三個理 由。首先，第一，係經由LED相當1個大小，作爲代表 200939521 性之構成爲〇.3mmx0.3mmx0.25mm程度之小 況。通常係將複數個LED排列於基板上使 任何形式之排列，無法成爲完全之線光源或 經由LED之明亮發光的部分，和經由LED | 的非發光部分，產生明亮度的不勻之問題。 ' 第二的理由係爲LED本身之發光不勻 1 以長方體或近似長方體之形狀所使用，但對 0 各面所釋放的光的強度會有差異，依取出來 之方向的不同，會產生亮度差之情況。 第三之不均一性係爲顏色不勻。關於顏 於組合LED與螢光體材料等之波長變換材 白色光之情況而產生的問題。例如，在至現 之事例中，係有日本特開2003-315796號公 係爲組合藍色發光LED與黃色發光螢光體 得到白色發光之構成，但具有著經由所視: 〇 黃’另外在投影至白色面時，出現黃色或藍 點。因此，此形式之白色LED燈係亦稱作爲 -對於冷陰極管之LED的缺點之中，關 _ 由使用多數個LED的情況，可解決某種程 均一性並沒有有效之對策’成爲很大的課題 專利文獻1:日本特開2003-315796號么 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 的點光源之情 用，無論做爲 面光源，而有 每LED之間隙 。LED係通常 於從長方體之 自 LED的光 色不勻係爲對 料，例如合成 在爲止所實用 報。而此發明 (YAG等）而 方向而看到偏 色的不勻之難 擬似白色。 於明亮度係經 度，但對於光 〇 報 -6 - 200939521 本發明係爲解決上述課題之構成，其目的係爲提供光 均一性提升之半導體發光裝置。而本發明係將改善光均一 性之問題的同時，得到演色性良好之更明亮自然之多色發 光裝置成爲目的者。 [解決課題之手段] ' 有關本發明之半導體發光裝置，其特徵乃於紫外線半 Q 導體發光元件與波長變換材料層之間，形成有光強度差減 低化層，前述波長變換材料層則含有吸收來自前述紫外線 半導體發光元件之紫外線，發光呈紅，藍或綠之三種類的 螢光體之至少一種而成之波長變換材料者。 有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想爲前述 光強度差減低化層乃包含由透明樹脂材料而成者。 有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想爲前述 波長變換材料層則於透明樹脂材料中，包含吸收來自前述 〇 紫外線半導體發光元件之紫外線，使發光呈紅，藍或綠之 三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料分散者。 -有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想爲包含 .由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆前 述之複數個紫外線半導體發光元件之中之任意2個以上之 紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之連續層，以 及被覆該光強度差減低化層之連續層的波長變換材料層之 連續層而成者。 有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想爲包含 200939521 由設置於基板上之複數個紫外線半導體發光元件，被覆前 述之複數個紫外線半導體發光元件之中之任意1個或2個 以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之非連 續層，以及被覆該光強度差減低化層之非連續層的波長變 換材料層之連續層而成者。 有關如此之本發明的半導體發光裝置，係理想爲前述 光強度差減低化層乃包含呈被覆前述紫外線半導體發光元 件，以及連接於該紫外線半導體發光元件之配線的兩者所 形成者。 另外，經由本發明之背光，其特徵乃由上述任一之半 導體發光裝置而成之構成者。 並且，經由本發明之顯示裝置，其特徵乃具備上述背 光之情況者。 [發明之效果] Q 經由本發明之半導體發光裝置係由於爲於紫外線半導 體發光元件與波長變換材料層之間形成有光強度差減低化 - 層者，因而在紫外線半導體發光元件所產生的光（含有紫 .外線等）則在透過光強度差減低化層時被均一化，並且由 於光均一地到達至波長變換材料層，因而改善在波長變換 材料層之發光的均一性。 到達至波長變換材料層的光之均一性係均一化存在於 波長變換材料層中之螢光體之發色，特別是將存在於波長 變換材料層之複數種的螢光體之發色平衡作爲良好。因而 200939521 可得到演色性良好之可更自然表現色彩之多色發光裝置。 隨之，有關本發明之發光裝置係可發揮其優越之特性 而利用於各用途。本發明之效果則做爲特別認爲顯著之構 成，係可舉出各種顯示裝置，理想係如行動電話，攜帶資 訊終端，電子辭典，數位相機，電腦，液晶TV及此等週 邊機器等，針對在特別要求小型化，輕量化，薄型化，省 電化及即使在太陽光之中，亦可得到良好辨識性之高亮 度，以及良好演色性之機器的顯示裝置之發光裝置等。 【實施方式】 有關本發明的半導體發光裝置，其特徵乃爲於紫外線 半導體發光元件與波長變換材料層之間，形成有光強度差 減低化層。 經由如此本發明之半導體發光裝置之特別理想之一具 體例，係可舉出圖1所示之裝置。而經由其圖1所示之本 Q 發明的半導體發光裝置1係爲於設置於基板2上之1個紫 外線半導體發光元件3之表面，形成有光強度差減低化層 - 4，更加地，於其光強度差減低化層4的表面，形成有波 . 長變換材料層5。 針對在經由圖1所示之本發明的半導體發光裝置1， 作爲紫外線半導體發光元件3係特別理想爲紫外線半導體 發光元件，另外，前述波長變換材料層4乃理想爲含有吸 收來自前述紫外線半導體發光元件3之紫外光，發光呈 紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之波長變換 -9- 200939521 材料。而連接配線6於其紫外線半導體發光元件3之表面 部的情況，前述光強度差減低化層4係理想爲呈被覆前述 紫外線半導體發光元件3及配線6之兩者地所形成者。 <紫外線半導體發光元件〉 作爲紫外線半導體發光元件係可利用各種構成。在本 發明中，特別理想係針對在發光光譜，於360nm以上 〇 44〇nm之波長範圍內，具有峰値波長之紫外線半導體發光 元件。作爲如此紫外線半導體發光元件之具體例，係可舉 出例如InGaN系，GaN系，AlGaN系之二極體等。 如此，經由使用於 3 60nm以上 440nm之波長範圍 內，具有峰値波長之紫外線半導體發光元件之情況，根據 與後述之波長變換材料的組合，可得到演色性更優越之白 色發光裝置者。 (注：一般紫外線係指400nm以下之波長域。但多數 © 的紫外線半導體發光元件係至440nm之範圍有著峰値波 長’在發光光譜之短波長側，出現發光光譜於40Onm以下 之紫外線波長域，在此係做爲紫外線半導體發光元件）。 <波長變換材料層> 在本發明之波長變換材料層係理想爲吸收來自前述紫 外線半導體發光元件之紫外線，使發光呈紅，藍或綠之三 種類的螢光體之至少一種而成之波長變換材料分散在透明 樹脂材料中者。以下，將發光呈紅色的螢光體稱做紅色螢 -10- 200939521 光體，將發光呈藍色的螢光體稱做藍色螢光體，將發光呈 綠色的螢光體稱做綠色螢光體。 經由上述之藍色發色螢光體及綠色發色螢光體，紅色 發色螢光體之混合，得到白色光之情況，各螢光體的平均 粒徑，並未特別限定，但理想係平均粒徑爲3 μ m以上。 而平均粒徑爲3 m以上，也就是粒徑大的情況則容易得 • 到高亮度。關於平均粒徑的上限，並無特別限定，可配合 0 經由本發明之白色發光裝置的構造而作適當的決定，但過 大時，由於不易均一地混合，理想之上限爲平均粒徑1 00 //m以下。另外，關於藍色發色螢光體與綠色發色螢光 體，紅色發色螢光體之混合比率，係如爲作爲發光元件而 成爲適當的色度之比率，而爲任意。但理想爲藍色發色螢 光體10〜25重量％，綠色發色螢光體10〜25重量％，紅色 發色螢光體50〜80重量％之範圍內。 作爲各單色之發光材料而使用藍色發色螢光體及綠色 〇 發色螢光體，紅色發色螢光體之情況係無平均粒徑等之限 制》 -使用在如此本發明之半導體發光裝置之紫外線半導體 . 發光元件與螢光體之組合係做爲理想之形態，最佳爲前述 紫外線半導體發光元件則針對在其發光光譜，於36〇nm以 上440nm之波長範圍內，具有峰値波長之構成，作爲波長 變換材料之螢光體係具體而言，針對在其發光光譜，於 440nm以上460nm以下之藍色部的波長範圍內，具有峰値 波長，且於510nm以上5 3 0nm以下之綠色部的波長範圍 -11 - 200939521 內，具有峰値波長，且於5 85nm以上63 0nm I 部的波長範圍內，具有峰値波長之構成的1種ί 最佳。 在如此之組合中，由於接受來自LED之S 而呈現均一發光，因而未產生不均一之不勻，5 如稱爲擬似白色之不自然的白色，而可得到更ί ' 之演色性優越之白色光等，故特別理想。 ❹ 藍色發色螢光體 針對在本發明，作爲理想之藍色發色螢光i 針對在其發光光譜，於440nm以上460nm以· 的波長範圍內，具有峰値波長之構成。作爲如J 色發色螢光體之具體例係可舉出以下記一般式 示之銪賦活鹵磷酸鹽螢光體。 〇 (Sr 丨-x.yBaxCayEuz)i〇(P04)6.Cl2 •[式中 ’ X’ y’ z 係爲 x<0.2，y<〇.i，〇·〇〇5< . 對在其式（I) ，χ及y係包含0(零）] 對於針對在本發明，特別理想之藍色發色^ 含下記之構成。 (1) ( S Γ〇 . 99 E U ο 〇 1 ) 1 〇 ( P 〇4 ) 6 * Cl2 (2) (Sr〇.97Ca〇.〇2Eu〇.〇|)i〇(P〇4)6 · CI2 (3) ( S Γ ο . 9 7 E U ο ο 1 ) 1 ο ( Ρ Ο 4 ) 6 * Cl2 下之紅色 組合則爲 外線能量 外並非爲 近自然光 係理想爲 之藍色部 理想之藍 (I )所表 (I) < 0.1。針 光體係包 -12- 200939521 (4) (S r 〇. 7 5 B a 〇. 2 3 C a 〇. 〇 】E u 〇. 〇j ) 1 〇 (Ρ Ο 4 ) 6 · C12 (5) (Sr〇.98Eu〇.〇2)l〇(P〇4)6· CI2 (6) ( S r 0 9 9 E U 0 0 3 ) 1 0 ( P O 4 ) 6 * CI2 在本發明中，特別是（1) (Sro.MEuo.odioROOe.Cl；!則 爲理想。 綠色發色螢光體 針對在本發明，作爲理想之綠色發色螢光體係理想爲 針對在其發光光譜，於510nm以上530nm以下之綠色部 的波長範圍內，具有峰値波長之構成。作爲如此理想之綠 色發色螢光體之具體例係可舉出以下記一般式（II)所表 示之銪，錳賦活鋁酸鹽螢光體。 (Bai.x-y-zSrxCayEuz)(Mgi-uMnu)Ali〇〇i7 (II) [式中，X，y，z，u 係爲 χ<0·5，y<〇.l，〇·15<ζ<0.4， 0_3<u<0.6針對在其式（II) ，x及y係包含〇(零）] 對於針對在本發明，特別理想之綠色發色螢光體係包 含下記之構成。 (1) (Ba〇.726Eu〇.274)(Mg〇.65Mn〇.35)Ali〇〇i7 (2) (Ba〇.726Eu〇.274)(Mg〇.5〇Mn〇.5〇)Ali〇0]7 (3) (Ba〇25Sr〇.475Eu〇.275)(Mg〇.55Mn〇.45)Ali〇〇i7 (4) (Ba〇.756Eu〇.274)(Mg〇.55Mn〇.45)Ali〇〇i7 (5) (Ba〇.756Eu〇.274)(Mg〇.65Mn〇.35)Ali〇〇i7 -13- 200939521 (6) (Ba〇.35Sr〇.375Eu〇.275)(Mg〇.55Mn〇.45)Ali〇〇i 7 (7) (Ba〇.75Eu〇.25)(Mg〇.55Mn〇.45)Ali〇〇i7 (8) (Ba〇.726Eu〇.274)(Mg〇.55Mn〇.45)Ali〇〇i7 在本發明中，特別是（1) (Ba〇.726EUQ.274)(Mg〇.65MnQ.35)Ali〇〇i7 則爲理想。 紅色發色螢光體 針對在本發明，作爲理想之紅色發色螢光體係理想爲 針對在其發光光譜，於5 8 5nm以上630nm以下之紅色部 的波長範圍內，具有峰値波長之構成。作爲如此理想之紅 色發色螢光體之具體例係可舉出以下記—般式（ΙΠ )所表 示之銪，釤賦活稀土類硫氧化物螢光體。 M202S ： Eu3 + ,.x > Sm3 + X (HI) [式中，x係爲x< 0.5，M係從Y，La ’ Ga，Gd之中所選 擇之至少1種以上，針對在其式（ΠΙ) ’X係包含0 (零）] 對於針對在本發明，特別理想之紅色發色螢光體係包 含下記之構成。 (1) La2〇2S ： Eu3 + 〇.95 * Sm3 + 〇.〇5 (2) Y202S : Eu3+ (3) La202S : Eu3+ (4) Y2O2S ： Eu3 + 〇.95 ' Sm3 + 〇.〇5 -14- 200939521 在本發明中’特別是⑴La2〇2s : EU3 + 〇.95，Sm3\.05 則爲理想。 透明樹脂材料 作爲透B月樹脂材料，係可使用可使上述螢光體之粒子 分散之合目的的任意之透明樹脂材料。而作爲如此之透明 樹脂材料之理想的具體例係可舉出例如環氧樹脂，胺酯樹 脂’矽氧樹脂，變性環氧樹脂，變性矽氧樹脂。其中特別 理想係爲矽氧樹脂。 波長變換材料層 針對在本發明之波長變換材料層係爲於前述透明樹脂 材料中，吸收來自前述紫外線半導體發光元件之紫外線， 使發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之至少一種而成之 波長變換材料分散之構成。 其波長變換材料層係亦可於同一之波長變換材料層 中，只將發光呈紅，藍或綠之三種類的螢光體之任一種類 作爲分散，或將兩種類以上之螢光體作爲分散。 波長變換材料層之形成方法，並無特別限定，但在本 發明中，例如，將各色的螢光體粉末各自與透明樹脂材料 混合之後，混合與各色樹脂之混合體而製作混合螢光體之 方法，或預先混合各色之螢光體粉末彼此之後，混合透明 澧 具 之 料 。材 想換 理變 爲長 則波 等應 法因 方可 的係 體度 光厚 螢之 合層 混料 作材 製換 而變 料長 材波 脂 樹 -15- 200939521 種類或粒徑，塡充密度，其他條件等而適當做訂 0.3mm以上3.0mm以下，特別理想爲0.5mm以 以下。 <光強度差減低化層> ' 針對在本發明之半導體發光裝置之光強度差 * 係主要具有將在紫外線半導體發光元件產生的光 0 其光強度差減低化層時，做爲均一化，使光均一 波長變換材料層之機能的構成。 在未形成有如此之光強度差減低化層之以往 發光裝置之中，直接反映紫外線半導體發光元件 發光不勻，或經由紫外線半導體發光元件之有無 量之強度差，對於波長變換材料層，亦產生發 勻’但在針對在形成有特定之光強度差減低化層 的半導體發光裝置之中，通過光強度差減低化層 〇 量係爲了謀求在其層內作爲其強度之均一化，改 波長變換材料層中的螢光體之發光均一性。 -本發明之光強度差減低化層係可使用任意之 . 材料而形成。作爲如此之透明樹脂材料的理想具 可舉出例如環氧樹脂，胺酯樹脂，矽氧樹脂，變 脂’變性矽氧樹脂。其中特別理想係爲矽氧樹脂 形成光強度差減低化層之透明樹脂材料係針 之波長變換材料層’亦可爲與爲了使波長變換材 使用之透明樹脂材料同一種類之構成，或相異 定，但爲 上 2.0mm 減低化層 5在透過 地到達至 的半導體 之本身的 的激發能 光強度不 之本發明 之激發能 善針對在 透明樹脂 體例，係 性環氧樹 〇 對在前述 料分散所 種類之構 -16- 200939521 成，但在本發明之中係理想爲同一種類之構成。由此，光 強度差減低化層與波長變換材料層之化學性，機械性之特 性則相一致或近似，兩層間的接合強度之提升，或將經由 熱，化學性影響之經時變化控制爲最小限度，且更確實且 有效率地進行兩層之形成作業之情況則變爲更容易。 光強度差減低化層之厚度係考慮紫外線半導體發光元 件之大小，或半導體發光裝置之具體的用途，紫外線半導 體發光元件之發光不勻之程度，必要之光強度差減低化作 用等，而可適宜作訂定，而在本發明中係爲0.3 mm以上 3.0mm以下，特別理想爲0.5mm以上2.0mm以下。 其光強度差減低化層則爲呈被覆紫外線半導體發光元 件以及連接於其紫外線半導體發光元件之配線的兩者地所 形成之構成情況，其光強度差減低化層係同時亦發揮被覆 雙方於紫外線半導體發光元件及配線而做固定化之機能。 <半導體發光裝置> 經由本發明之半導體發光裝置係爲於紫外線半導體發 光元件與波長變換材料層之間，形成有光強度差減低化層 之構成。 針對在經由本發明之半導體發光裝置，光強度差減低 化層係理想爲直接接觸於紫外線半導體發光元件與波長變 換材料層之兩者者，但亦可不直接接觸於此等。即，對於 光強度差減低化層與紫外線半導體發光元件之間或光強度 差減低化層與波長變換材料層之間係可因應必要而介入存 -17- 200939521 在有其他的層者。 經由如此之本發明之半導體發光裝置係將圖1所示之 裝置作爲理想之一具體例，但除此之外的裝置，亦作爲其 他理想的具體例而包含。圖2及圖3係爲表示如此之其他 的理想之具體例的構成。 ' 圖2係爲表示由設置於基板上之複數個紫外線半導體 * 發光元件，被覆複數個紫外線半導體發光元件之中之任意 Q 2個以上之紫外線半導體發光元件的光強度差減低化層之 連續層，以及被覆其光強度差減低化層之連續層的前述波 長變換材料層之連續層而成，有關本發明之半導體發光裝 置之一的理想具體例之構成。如根據如此之半導體發光裝 置，成爲可縮小光束之配光性，例如，可得到針對在使用 導光板之背光等，可效率佳地輸入光束於其入光面之效 果。 另外，圖3係爲表示經由由設置於基板上之複數個紫 Q 外線半導體發光元件，被覆前述之複數個紫外線半導體發 光元件之中之任意〗個或2個以上之紫外線半導體發光元 - 件的光強度差減低化層之非連續層，以及被覆其光強度差 . 減低化層之非連續層的前述波長變換材料層之連續層而成 的本發明之半導體發光裝置之一的理想具體例之構成。如 根據如此之半導體發光裝置，成爲可擴大光束之配光性， 例如，可得到針對在正下方型背光，照明等，可廣範圍地 照射光束之效果。 經由圖2及圖3所示之本發明的半導體發光裝置10 -18- 200939521 係爲於配置在基板20上之複數個（具體而言ί 之紫外線半導體發光元件30的表面，形成有 低化層40，更於其光強度差減低化層40之表 波長變換材料層50之構成，而光強度差減低# 數個紫外線半導體發光元件3 0則可呈含於做 ' 續的光強度差減低化層40中地形成者（圖2 ) * 數個紫外線半導體發光元件30則呈可含於做 0 之光強度差減低化層40中地形成者（圖3)。 對於圖2及圖3係具體而言，表示3個紫 發光元件乃被覆於一個波長變換材料層50之 導體發光裝置，但，針對在經由本發明之半丨 置，被覆於一個波長變換材料層之連續層之紫 發光元件的個數係爲任意。而被覆於一個波長 之連續層中之紫外線半導體發光元件的個數係3 個，特別理想爲3〜8個。 ❹ <背光及顯示裝置> - 經由本發明之背光，其特徵乃由上述任一 . 光裝置而成者。 作爲經由如此之本發明之背光的理想具體 出例如，將圖1〜圖3所示之半導體發光裝置1 最小之構成單位（模組），由其半導體發光裝丨 1單位（1模組）或2單位（2模組）以上而成 經由平面地，或依據狀況，三維地，有規則或 %爲3個） 光強度差減 面，形成有 ，層40係複 爲共通之連 ，另外，複 爲各自獨立 外線半導體 連續層的半 尊體發光裝 外線半導體 變換材料層 里想爲2〜1 6 之半導體發 例，係可舉 ，10，作爲 置1，1 0之 之構成者。 不規則地重 -19- 200939521 複配置其構成單位（模組）之情況，可得到經由期望大 小，面積之本發明的背光者。 在經由本發明之半導體發光裝置中，由於模組的尺寸 小，因而可增加可設置於單位面積中之模組的數量。因 而，經由模組之設置個數或設置密度爲高之情況，更可謀 求亮度的提升。 因而，經由本發明之半導體發光裝置及背光係可發揮 其優越之特性而利用於各用途者。作爲特別顯著認爲本發 明之效果的構成，係可舉出各種顯示裝置，理想係如行動 電話，攜帶資訊終端，電子辭典，數位相機，電腦，液晶 TV及此等週邊機器等，針對在特別要求小型化，輕量 化，薄型化，省電化及即使在太陽光之中，亦可得到良好 辨識性之高亮度，以及良好演色性之機器的顯示裝置之發 光裝置等。 Q 實施例 <實施例1 > - 經由下述方法而製作經由圖1所示之本發明的半導體 ^ 發光裝置。 於具備配線圖案電極之基板（縱 2.Ommx橫 2.0 mm )，經由焊料等接合紫外線發光 LED。將所接合之 LED晶片，使用金導線而導線接合於配線圖案而接合。在 確認LED亮燈後，以熱硬化性透明矽氧樹脂被覆紫外線 發光LED及金導線。被覆方法係使將前述樹脂，使用分 -20- 200939521 配器、光罩，以使紫外線發光LED成爲中心部的方式進 行塗佈所需量，以100〜150°C之溫度進行加熱硬化，並因 應必要，重複塗佈，加熱硬化，形成光強度差減低化層。 光強度差減低化層之大小係爲縱1 .5 mmx橫 1.5mm，厚度 係爲0.5 m m。 接著’於光強度差減低化層之表面，塗佈含有螢光體 之熱硬化性透明矽氧樹脂，經由進行加熱硬化之情況，形 成波長變換材料層（縱2.0mmx橫2.0mmx厚度1.5mm)， 製造經由本發明之半導體發光裝置。 <比較例1 > 除針對在實施例1未形成光強度差減低化層之外，係 與實施例1同樣地製造半導體發光裝置。 <實施例2 > 〇 經由下述方法而製作經由圖2所示之本發明的半導體 發光裝置。
於具備配線圖案電極之基板（縱8.Ommx橫3.0 mm )，各自以2.0mm之間隔，經由焊料等接合3個紫外 線發光LED。將所接合之LED晶片，使用金導線而導線 接合於配線圖案而接合。在確認LED売燈後，以熱硬化 性透明砂氧樹脂被覆紫外線發光LED及金導線。而被覆 方法係使將前述樹脂，使用分配器、光罩，以使中央的紫 外線發光LED成爲中心部，且上述3個紫外線發光LED -21 - 200939521 乃由作爲共通之連續的光強度差減低化層所被覆的方式進 行塗佈所需量，以100〜150°C之溫度進行加熱硬化，並因 應必要，重複塗佈，加熱硬化，形成光強度差減低化層。 而光強度差減低化層之大小係爲縱5.5mmx橫2.5mm，厚 度係爲1 . 3 m m。 接著，於光強度差減低化層之表面，塗佈含有螢光體 之熱硬化性透明矽氧樹脂，經由進行加熱硬化之情況，形 成波長變換材料層（縱7.5mmx橫3.0mmx厚度1.5mm)， 製造經由本發明之半導體發光裝置。 <比較例2 > 除針對在實施例2未形成光強度差減低化層之外，係 與實施例2同樣地製造半導體發光裝置。 <實施例3 > 〇 經由下述方法而製作經由圖3所示之本發明的半導體 發光裝置。 * 於具備配線圖案電極之基板（縱 8.0mmx橫 . 3.〇mm)，各自以2 · 0mm之間隔，經由焊料等接合3個紫
外線發光LED。將所接合之LED晶片，使用金導線而導 線接合於配線圖案而接合。在確認LED亮燈後，以熱硬 化性透明矽氧樹脂被覆紫外線發光LED及金導線。而被 覆方法係使將前述樹脂，使用分配器光罩，以使中央的紫 外線發光LED成爲中心部，且上述3個紫外線發光LED -22- 200939521 之各自乃呈含於作爲各自獨立的光強度差減低化層中的方 式，塗佈所需量之前述熱硬化性透明樹脂，以100〜150 °c 之溫度進行加熱硬化，並因應必要，重複塗佈，加熱硬 化，形成光強度差減低化層。而光強度差減低化層之大小 係爲縱2.5mmx橫2.5mm，厚度係爲1.3mm。 接著，於光強度差減低化層之表面，塗佈含有螢光體 之熱硬化性透明矽氧樹脂，經由進行加熱硬化之情況，形 成波長變換材料層（縱7.5mmx橫3.0mmx厚度1.3mm)， 製造經由本發明之半導體發光裝置。 <比較例3 > 除針對在實施例3未形成光強度差減低化層之外，係 與實施例3同樣地製造半導體發光裝置。 <評價> Q 經由 Konica Minolta公司製之二維色彩亮度計CA- 2 〇 〇 0測定在實施例1及比較例1所得到之各半導體發光裝 * 置之波長變換材料層上的9個'測定點（圖4A)，在實施 . 例2及比較例2所得到之各半導體發光裝置之波長變換材 料層上的9個測定點（圖4B )，在實施例3及比較例3 所得到之各半導體發光裝置之波長變換材料層上的9個測 定點（圖4B )的亮度，從各測定點之亮度的測定値，評 價各半導體發光裝置之亮度不勻。 其結果係如表1所示。表中的數値係爲亮度 -23- 200939521 (Cd/m2)，（）內的數値係表示將在e點的亮度作爲loo 之情況的相對値。 當進行中心點e與其周邊之各點的亮度比較時，可知 在各實施例之中心部與周圍部之亮度差係較各比較例的亮 度差少，實施例之發光裝置，具有均一之亮度特性者。 [表1]
G LED 數 測定點 a b c d e f 8 h i 實施 例1 1 23250 (83) 25580 (91) 23500 (84) 26050 (93) 28120 (100) 25500 (91) 24150 (86) 26450 (94) 23750 (84) 比較 例1 1 19700 (50) 23850 (60) 20050 (51) 24260 (61) 39450 (100) 22450 (57) 18850 (48) 23950 (61) 18000 (46) 實施 例2 3 26150 (86) 27890 (91) 26420 (87) 30000 (98) 30520 (100) 30250 (99) 26600 (87) 27650 (91) 26550 (87) 比較 例2 3 27960 (68) 28120 (69) 27020 (66) 38220 (93) 40940 (100) 38730 (95) 25260 (62) 25920 (63) 24990 (61) 實施 例3 3 28890 (81) 30070 (85) 27980 (79) 33220 (94) 35450 (100) 32690 (92) 29510 (83) 29360 (83) 28740 (81) 比較 例3 3 24990 (59) 25010 (59) 26220 (62) 38410 (91) 42250 (100) 38320 (91) 25550 (60) 25720 (61) 25980 (61) 另外，經由Konica Minolta公司製之二維色彩亮度計 CA-2000，評價在實施例2及比較例2所得到之各半導體 發光裝置之顏色不勻。而結果係如圖5及圖6所示。標繪 於圖中之黑點的集合係表示由發光裝置所輸出之光的色度 不均。而於xy色度圖上之中心部的白色範圍’集中有資 料，但了解到實施例較比較例’資料分布的面積較小’顏 -24- 200939521 色不勻較少之情況。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]爲經由本發明之半導體發光裝置之特別理想之 一具體例的剖面圖。 [圖2]爲經由本發明之半導體發光裝置之特別理想之 ’ 一具體例的剖面圖。 0 [圖3]爲經由本發明之半導體發光裝置之特別理想之 一具體例的剖面圖。 [圖4]表示評價半導體發光裝置之亮度不勻時之測定 點的位置圖。 [圖5]表示實施例之半導體發光裝置之顏色不勻的評 價結果圖。 [圖6]表示比較例之半導體發光裝置之顏色不勻的評 價結果圖。 〇 【主要元件符號說明】 - 1 :半導體發光裝置 . 2 :基板 3 =紫外線半導體發光元件 4 :光強度差減低化層 5 :波長變換材料層 6 :配線 1 0 :半導體發光裝置 -25- 200939521 3 0 :紫外線半導體發光元件 40 :光強度差減低化層 50 :波長變換材料層
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