TW200930787A - Organic electroluminescence material and element using the same - Google Patents

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TW200930787A
TW200930787A TW97150005A TW97150005A TW200930787A TW 200930787 A TW200930787 A TW 200930787A TW 97150005 A TW97150005 A TW 97150005A TW 97150005 A TW97150005 A TW 97150005A TW 200930787 A TW200930787 A TW 200930787A
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Atsushi Oda
Takayuki Horiuchi
Masato Kimura
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Yamagata Promotional Org Ind
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200930787 、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係一種關於為獲得芦 又于巴砘度優異的藍色菸 光之由新穎㈣生物職成的有機電致發光材料^ 有機電致發光元件(以下稱為有機元件)。’、 【先前技術】 ❹ ❹ =元件係使有機化合物作為發光材料之 :我””件,因可行高速度發光,故適於動書 =,亦具有4構造簡單,可使顯示器面型 之特性。因具有此種優異特性,故有機EL元件 乍為订動電話或汽車用顯示器在曰常生活已逐漸普 刑又,其不同於LED,可進行面發光,活用其薄 在Si的特性’用做照明面板光源之技術開發亦 矜旦;2機EL元件係藉由在主材料(h〇st)中摻雜 二、厂色素,而可謀求發光之高效率化。因此, 料。料在獲仔兩效率有機EL元件上為極重要的材 己’、是為獲得色調校性(color rendering Pr〇PertleS)高的白色發光元件,可有效率地自藍色 3 200930787 發光色素撷取藍色發光之主材料為必要不可或缺 在習知之藍色發光用主材料方面,例如 1)、(化m示蒽衍生物,下述(化3)所示=匕 基伸芳基衍生物,下述(化4)示哭 烯 知(參昭例如日太_„工 ’、不叮生物等為周 特門= 平η — 312588號公報、曰本 梦:〜222948號公報、日本特開平2- 247278 〇
Sn ’ Applied Physics Letters, 8()〇Ό,p.3201 )。 【化1】
4 200930787 【化4】
但=,根據上述日本特開平心如咖 報、日本特開_ — 222948號公報、日本特 广侧號公報、⑽,等人,Appu ❹ =ters,8G(i7),所記載之材料,雖在誌 綠色、淡藍色發光,然而在作為主材料使用之情ς 下’要獲得在高色調校性之白色發光元件中所謀求 之色純度局的藍色發光則有困難。 【發明内容】 本發明係為解決上述技術性課題而完成者,其 ❹ ^的在於提供一種可使色純度優異之藍色發光材料 毛光之新穎有機EL材料及有機EL元件。 本發明之有機EL材料係如下述厂般式(1)所 示。 * 【化5】
…(1) 200930787 λ、;;=式係選自氫、絲、環燒 、704 缞文凡氧基及芳氧基,可為相同,亦可 為各自相異之基D Αι〜Α4係選自取代或無取代之苯 基五或/、員%之取代或無取代之雜環基,可 同,亦可為各自相異之基。 句相 ❹ 措由使此種化合物作為有機EL材料使 光區域方面為有用,可獲得色純度優異之藍色發光毛 人右2本發明之有機^件,係具備—對電極間 3有光層之—層或複數層有機層的有機EL元 件,其特徵為在該有機層之至少-層,含有該有: EL材料為單獨或混合物方式。 有械 可呈現色 藉由使用上述本發明之有機EL材料 純度優異之藍色發光的元件。 :玄:機EL广件中’該有機層之至少—層宜為含 螢光料之该有機EL材料、與作為客材料之 螢先或辞先性材料之發光層者。 者為^電極以在透明基板上形成透明導電性薄膜 如上述,根據本發明之有機E 純度優異之藍色發光,藉由此等之使用凡付色 高色調校性之白色發光元件。L权使用,而可提供 因此,本發明之有機虹元件,近年來在謀求更 200930787 為優異色再現性之辦公室電腦用或壁掛 板(广“補顯示器’進而在照明機器、;: ΐ光源、液晶顯示器或計量儀器類之作為背:光: 寺面發光體之特徵可予以靈活運 ::源 板、標誌燈之應用則廣被期待。 廣、、顯示 f實施方式j 以下就本發明予以更詳細說明。 示之化 合物 本發明之有ME “才料係該一般式⑴所 此種萘衍生物係可得色純度優異之 新賴化合物,在使用此化合物時,可提光的 性之白色發光元件。 了鈇供回色調校 基:Π1)中’R|〜R<係選自炫基、環炫 二:異之:rtr芳氧基,可為相同,亦可 苯美nt ]〜A4係4自取代或無取代之 相同,亦可為各自相異之基。之“基’可為 在上料餘巾,絲絲 :::等飽和一基,可為直鏈狀上 莰基、金剛烷基 環烷基係表示例如環己基、正 200930787 等良和知%式烴基,可為非取代,亦可為取代。 肪族ίί基係表示例如藉由甲氧基等賴之飽和脂 、" 可為直鏈狀,亦可為分支鏈狀。 日基係表示例如藉由環己基等醚鍵的環狀 p曰月族烴基’可為非取代’亦可為取代。 ❹ ❹ 芳氧基係表示例如藉由苯氧基等 ㈣’芳香族《可為非取代,亦可絲代 取代之笨基表示可被烷基'環 環燒氧基、芳氧基所取狀苯p ^基 雜環基表示除了碳以外,含有使氮 ^種作為環構成元素之基。有例如„惡唾"惡二嗤、 =、嗟二唾、吱喃、咬咕(―)、嗔吩”辰喃、 土南、吡咯、吡唑、咪唑、咪唑、吡 嘻(附如咖)、·、三哇、三嗪等,可為疋絲 代亦可為取代。 」马非取 以下,在該一般式(1)所示之化合物中,可例舉 鍵結於Al〜A4中任―項之取代基的具體例。此外, f下述(化6)所示取代或無取代之苯基、五或六員 環之取代或無取代之雜環基_,χ表示與萘環2鍵 結位置,亦即表示L〜_之鍵結位置。 8 200930787
【化6】
進而,該一般式(1)所示之化合物中’具體化合 〇 物之構造例示於下。 9 200930787 【化7】
10 200930787 【化8】
在例示於上述(化7)、(化8)之化合物中,可特 別例舉下述(化9)所示1,3,5,7 —四甲基苯基萘(以 下簡稱TMN1357)為代表。 11 200930787 【化9】
該一般式(1)所示之化合物可藉由習知之既知 合成反應來合成。 例如以被二胺基取代之萘為原料,使胺基藉由 山德邁耳(sandmeyer)反應,取代以設定之ii基。將 所得齒二取代物,於過渡金屬粉末(較佳為鐵粉)之 存在下’相對於鹵取代基於間位溴化獲得溴化物。 接著’藉由使用到此溴化物與對應之強偶合劑 (close coupiing agent)之 Ni、pd 等過渡金屬觸媒 的偶合反應’而可合成該一般式(1)所示之萘衍生 物。 此時’藉由適宜選擇山德邁耳反應時之函基, 而在使用到Ni、Pd等過渡金屬觸媒之偶合反應中, 可合成非對稱之該一般式(1)所示之化合物。 ^此外’原料並無特別限定,除了上述所例舉之 不的一版基化物以外,亦可使用二函化物、二羥基 化物、一燒氧基化物等。 又’使用狄耳士 —阿德爾(Diels Alder)反應亦 12 200930787 可合成該—般式(1)所示化合物。 本發明之有機EL元件係具備含 =層,該有機EL材料可獲得如上述之有有^材料 監色發光’此有機£L元件係在電極4度優異的 婁t層有機層的椹 積層一層或複 巧饵層的構造,具體言之, 人後 發光層/第二電極、第一 〇如4 —電極/ 電子輸逆μ/當 電極/電洞輪送層/發 电丁殉廷層/第二電極、 带 知疋層/ ❹ 層/第二電極、笫^ 电"電洞輪送層/發光 電極等之構造。電極/發光層/電子輪送層/第二 進而亦可成為含有電洞注 、帝、_ 光層、電子注入層、带子&、、, M、黾洞輸送發 構造。 4 $子輸料光層等周知之積層 本發明之有機EL元件之、 形成透0 f ί4 ~ 電極,以在透明基板上 Ο 风逍月ν電性溽膜之物為佳。 成為發::係ΐ為有機EL元件之支持體,在基板侧 == 以使用在可視光中具有透光性 ^ 先透過率以80%以上為佳、以85% 上較佳。更佳為90%以上。 笔明基板方面’―般係使M7、BaIU、F2 左、子璃、石英玻璃、無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、 ^酸玻料麵基板、P _等丙_樹脂、聚碳 “曰、聚_磺酸鹽、聚笨乙烯 '聚烯烴、環氧樹脂、 13 200930787 &乙—s旨等之聚g旨等的聚合物基板。 該基板之厚度,通常係 物,而在考慮機械強度、重量等,1〇_左:之 以〇.5〜2_更佳。 里寺以〇.3〜5_為佳, 〇 ❹ #在本^明中,以在該基板上設置第一電極為 二V、=通:為4極, 該透明基板上形成作為構成,而以在 在此透明電極,一般係使用 化銦鋅、氧化鋅等 ^Uluj虱 導電性等觀點而古以二了、南二尤其是由透明性或 J。以ΙΤ0可適當使用。 透月電極之膜厚,為確保
而曝—為佳,以丨。❶鳥mC 行通常可以賤鍍法、真空蒸鍍法等進 以形成作為透明導電性薄獏為佳。 -方面’該陽極為第一電極之情形,盥 電極的陰極,可由功函數小卿:下。) ::丄:導電性化合物所構成。有例如紹、銘 鐘β至、鎂一銀合金等。 更佳該陰極之膜厚以1Q〜5()Qnm為佳、以5Q,nra 該陽極及陰極可藉由濺錄法或離子電鑛法、基 *六、 14 200930787 鍍法等通常所使用之方法進行成膜而形成。 該電洞注入層、带 '门μ 層所使用之材料並層、電洞輸送性發光 選擇使用。 “,、、财&,可自周知之物適宜 — 之,有例如雙(二(對甲苯基)胺基苯基)
;^_稱:他)、螺旋-TPD(化 1〇)、 ,二笨基—Ν’Ν’ -雙(3-甲基笨基)—以, 基 Ν,Ν’ 一雙(1 —萘基l厂 -聯本基—4,4 —二胺(通稱:TpD)、N,N,—二苯 _ ^ -聯苯基一4,4’ -二胺(通稱:〇: ~ NPD)、TPTFY几 1,、 J 1P1L(化11)、星爆型胺 負(化12)、苯乙稀基胺類(J卜〗笙 土收头貝、化Id)寺的芳胺衍生物。 【化10】
化11 ❹
15 200930787
【化12】
❹ '又亦可使用雙(N —芳基咔唑)(化14)、雙(N — 鏈烯基°卡β坐)、雙(N —烧基σ卡嗤)等吟σ坐衍生物、°比 。坐琳衍生物、(化15 )、(化16 )、(化17)等苯乙稀 基化合物及其衍生物。 【化14】
16 200930787 【化16】
或者,亦可使用蒽、三伸笨基、茈、萘、芘、 ’、本并本(coronene)、本并菲(chrySene)、稍四苯、 四氫蒽、菲等縮合多環芳香族烴化合物及該等衍生 ❹ 物對一秘本基(paraterpheny 1)、聯四笨基 (quaterphenyl)、間伸笨基(化18)、(化19)等多環 化合物及該等衍生物。 【化18】
17 200930787 【化19】 t-Bu
t-Bu Ο ❹ 進而,作為電洞注入層、電 送性發光層,可使用使上述有機層、電洞輸 物、寡聚物或樹狀聚合物中之:化二物分W 寡聚物化或樹狀聚合物化之物,仃聚合物化、 又,亦可使用聚對伸苯基伸 衍生物等的所謂冗共輛聚 =或其 斤代表之電洞輸送性非共輛聚合物、聚石夕烷類所代 :::共軛聚合物等。進而’亦可使用苐寡聚物或 "何生物等的所謂共軛系寡聚物等。 又’電洞注入層方面’除了上述材料之外,亦 可使用金屬酞菁類及非金屬酞菁類、碳膜、氟碳膜、 2苯乙烯砜酸(PED0T— PSS)、聚笨胺等導電性聚合 進而,使四氰基對醌二曱烷、三硝基苟_等有 機系氧化性摻雜劑、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧 化紹等無機系氧化性摻雜劑作用於上述有機化1 18 200930787 物,形成自由基陽離子,亦可作為電洞注入輸送層 使用。此電洞注入輸送層中氧化性摻雜劑濃度並無 特別限定,以0. 1〜99重量%左右為佳。 又,電子注入層、電子輸送層、電子輸送性發 光層所使用之材料並無特別限定,可自周知之物適 宜選擇使用。 具體言之,可例舉對三聯苯基、聯四苯基、間 © 伸苯基(化18)、(化19)等多環化合物及該等衍生 物、(化15)、(化16)、(化17)等苯乙烯基化合物 及其衍生物。 又,可使用蒽、三伸苯基、茈、萘、芘、六苯 并苯(coronene)、苯并菲、稍四苯、四氫蒽、菲等 縮合多環芳香族烴化合物及該等衍生物、菲繞琳、 紅菲繞 σ林(bathophenanthroline)、浴銅靈 φ (bathocuproine)、3, 4 —二苯并一/5 —啥 °林、吖 〇定、 口查°林、啥喔琳、吼α定(化2 0)、〇密σ定、0比口各、吼嗤、 口荅嗪、D比唤、酿嗓(phthalazine)、萘叉 (naphthylidene)、啥也17林、σ曾琳、嗟°坐、α惡二σ坐、 口惡嗤、三嗓、啡°林(口1^1^2丨116)、0米11坐、苯并11惡11坐、 苯并°塞唾、苯并味嗤、三嗤、卟淋等縮合雜環化合 物及該等衍生物。 19 200930787 【化20】
又’有例如鋁喹啉酚錯合物、
物、苯并噻唾辞錯合物、偶氮次甲基鋅:::錯: 錯合物、銥錯合物、粗鉑錯合物等,亦可= 金屬具有 Α卜 Zn、Be、lr、pt、Tb、Ε 等,配位基 具有惡二唾、噻二嗤、裳其咐大 本丞比疋、喹啉構造之金屬 螯合錯合物材料。 Ο 亦可使用矽諾魯(silole)、矽氧烷等有機矽化 合物及該等衍生物、三芳基硼等有機硼化合物及該 專仿生物、二芳基磷化物(phosphox ide)等五價磷化 合物及其衍生物等。 進而作為電子注入層、電子輸送層、電子輸送 性發光層亦可使用將上述有機化合物分散於聚合 物、寡聚物或樹狀聚合物中之物,或經聚合物化、 寡聚物化或樹狀聚合物化之物。 又,亦可使用聚對伸苯基伸乙烯基、聚苐或其 衍生物等的所謂π共軛聚合物、聚乙烯噁二唑所代 20 200930787 表之電子輸送性非共軛聚合 寘取私十甘/ , 了 口物專。進而亦可使用第 “勿或其付生物等的所謂共麵系寡聚物等。 人物:Γ主:層之構成材料方面、除了上述有機化 口物之外’亦可使用Ba、c 等金屬之單體,氟化#Ll、Cs、Mg、Sr、W ^ ,h4¥ ^ 、、軋化鈣、氟化锶、氟化鋇、 既化鐘、氟化绝等金眉蠢 合全、氧化銘鐘合金等金屬之 乳化鎂、氧化鋇、氧 ❹ ❹ f基甲基丙烯酸酯Μ ',、至屬乳化物、聚 合物。 义西曰♦本乙一風酸納等金屬之有機錯 進而’將8 —經某口冬Ρ 物箄右嬙备、„店 土琳系Cs、Li有機金屬錯合 物4有械糸遇原性摻雜劑作 形成自由基陰離子,可二乍::上述有機化合物, J作為電子注入輸送層使用。 ^ 又,將 Ba、Ca、U、Cs、Mg、Sr、W 等全屬之 早體,氧化鎂、氧化鉀、/ 寻至屬之 化鎮、氟峰氣等r氧化物'氣 故, 肌化頌贶化鋰、顧化鉍、 氣化鉋、氯化鳃等金屬趟 " 仏合或分散,形成自由基陰離子,亦可作為雷子 注入輸送層使用。 』』作為電子 上述般之電子注入輪送 n } ^ θ τ的延原性摻雜劑濃 度並無特別限疋,而以0.U重量%左右為佳。 又本lx明之有機EL元件之有機層、可使用雜 極性(bipolar)材料來構成。 吏用又 成雙極性材料係指可輸送 21 200930787 ❹ 電洞及電子任一種,其本身亦可發光之材料。 雙極性輸送層、雙極性發光層所使用之材料並 無特別限定。 “有例如(化15)、(化⑹、(化⑺等苯乙埽基 化,物及其衍生物、對三聯苯基、聯四苯基、間伸 苯基(化18)、(化19)等多環狀芳香族化合物及 t伸苯基m、六苯并'苯 /oronene)、苯并菲、稍四苯、四氫蒽、菲等缩人 夕環芳香族烴化合物及該料生物、雙(n—芳基; °坐)、雙(N-鏈稀基味唾)、雙(N—㈣啼 衍生物(化⑷、嗔吩等縮合雜環化合物。 又’該等衍生物等以外的具體例方面,有例如 4’4~ 雙(2,2 — 二笨基 乙烯 1 一基)二苯基 ❹ (DPVBi)(化 21)、螺旋 6(化 22)、2, 2,,7 了, 個(咔唑—9 —基)一 9, 9, 四 螺旋一雙S (化23) 4’4 〜二(N — D卡唾基)—2, v ς» η * ,ύ b ? D —四笨 基—對聯三苯基(化24)、1 3 她,上,λ 、1,d〜雙(咔唑)—9—基) 二(萘一2—基) —苯(化25)、3 —三級丁基一 9,1〇 蒽(通稱:TBADN)(化 26)。 【化21】
22 200930787
❹ 【化22】
【化23】
【化25】
【化26】
雙極性材料方面’可使用將上述有機化合物分 23 200930787 散於聚合物、寡聚物或樹狀聚合物 合物化、募聚物化或樹狀聚合物化之物物,或經聚 又亦可使用聚對伸苯基伸乙烯 生物等的所謂π共輛聚合物、〒 μ υ叮 非共軛聚合物箄 水乙婦味唑所代表之 你進而亦可使用*寡聚物或m 物寺所謂共軛系寡聚物等。 次,、何生 °輸送性功能::亡:4:=’==!子 胺乙烯噁二唑)等共聚物、樹狀聚合物。-方基 進而’使用如上述般之 性摻雜劑作用於上述1劑或還原 ”層或電子注入層。氧化二== 錮、氧化鈒為佳。 乳化 Q . 5亥一般式(1)所示之有機EL材料可單γ ^ 發光層,盥令笪 丌』早獨使用於 電子輸送材料等同時進行分散❹2 U材枓、 任-有機層組合使用。隹,亦可與上述 本發明之有機EL元件中, 光材料作為宏匕其疋可使該藍色發 十作為各材料使用,以形 料的發光層為佳。在此情形之以該 其他兩種以上主材料組合使用。^為佳。又亦可與 24 ,例如對 Ο ❹ 200930787 夕士从將D玄—般式⑴所示有機EL材料作发 之主材料使用之情 +作為發光層
,,. 月^> ’ s亥發光層之客松粗-Γ A 或磷光性發光材料。 /4可為螢光 r衍生物、(化‘(==== 衍生物、四苯基丁,生物= ^ ^ 一唑何生物、香豆素衍生物、苯乙稀 胺:生物(化13)、蒽(化27)、三伸苯基、並、举(化 ⑻、祐、六苯并苯、苯并菲、稠四苯、四氫菲 等縮合多環芳香族烴化合物及該等衍生物。 又、,,有例如鋁喹啉酚錯合物、苯并噁唑鋅錯合 物笨并嘆唾鋅錯合物、⑱氮次曱基辞錯合物、銷 錯合物、铽(terbium)錯合物 '銥錯合物、粗鉑錯合 物等’亦可使用中心金屬具有M、Zn、Be、Ir、pt口、
Tb、Eu等,配位基具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、 喹啉構造之金屬螯合錯合物材料。具體言之,有例 如FIrpic(化29)所代表之金屬螯合錯合物及其衍 生物。 【化27】
25 200930787
【化28】
此外’發光層可由上述般之 成。在藉由雙極性材料所形成之層内,藉材 :般式⑴所示之有機1^材料為單獨或混:物; 式,而可擷取藍色發光。 口物方 ❹ 此發光層所使用之雙極性材料,其本身 光或磷光發光之材料。雙極性材料亦可含於心 入輸送層、發光層及電子注入輸送層之任 又’使該—般式⑴所示之材料作為客材料,在 主材料可使用螢光或磷光發光性之材料。 社 在此情形之主材料方面,可例舉間伸 物(化⑻、(化19)、二芳基,等s同化合物及:行 物、雙(N-芳基十坐)(化⑷、雙(N—鏈稀味:坐)、 雙(NLf唾)等味唾衍生物、卜(卯z)3(化如) 26 200930787 所代表之銥錯合物 【化30】
人物Γ主㈣方面亦可使用使上述有機化合物經聚 ❹ 5物化、春聚物化或樹狀聚合物化之物。 稀二所等所謂_聚合物、聚乙 养聚物或其衍生物等的所謂共輛系寡聚:等' 法等層之形成可藉由真空蒸鑛法、賤鑛 =乾式法1墨法、鑄塑法、浸潰塗佈法、棒 涂佈去=月塗佈法、輕塗佈法、凹版印刷(gravure) ❹ 版印刷法、喷灑塗佈法等濕式法來進行。 啟4_為猎由真空蒸鍍進行臈形成。 或所X各層之膜厚在考慮各層彼此間之適應性 ^所,求之全體層的厚度等,可因應適宜狀況而決 然而通常以在5簡〜5心之範圍内為佳。 :具備含有使該一般式⑴所示有機 物方式之層的有機扯元件中,藉由以該 發二綠色及 機所得高色純度之藍色 色1x先之組合,可獲得色調校性高 27 200930787 的白色發光。 具體而言,在獲得高色調校性 法方面,有在該—般式 色叙光的方 色發光,添加自綠色發光及:有機EL材料所致藍 為補色之方法;或將含m來之橙色發光作 等。 蝴才科予以獨立地發光之方法 ❹ 孩綠色發光材料或紅色發 光性發光材料。 柯卄了為赏先或磷
m了Γ:例如喹°r^(quinacridone)衍生物、四 ==卜琳衍生物、香豆素衍生物、二氛派 恩、-胺等芳基胺化合物及該等衍生物、 :二螢稀、四氫蒽、十環職cacyci·)等縮合 二核方香族烴化合物及該等衍生物、吩输 (Phen〇xaz〇ne)、喹喏啉(quin〇xau 。坐衍生物、第衍生物。 卡 又,有例如鋁喹啉酚錯合物、笨并噁唑鋅錯合 1 '苯并嘧唾鋅錯合物、偶氣次甲基鋅錯合物、銷 在曰δ物試錯合物、銥錯合物、粗鉑錯合物等,中 〜金屬具有Al、Zn、Be、Ir、Pt、Tb、Eu等,配位 基具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、喹啉構造之金 屬螯合錯合物材料。具體言之有例如Ir(ppy)3(化 31)、Irpiq3(化32)所代表之金屬螯合錯合物及其衍 28 200930787 生物。
【化32】
以下根據實齡J進而具體說明本發明,然而本 發明並非受下述實施例所限制。 [實施例一] (TMN1357之合成) ❹ 依照下述所示合成流程圖來合成TMN1357。 【化33】
首先,將1,5—二胺基萘2. 0克(12. 6毫莫耳) 懸浮於硫酸水溶液中,在冰冷下添加亞硝酸鈉2. 〇 29 200930787 克(29.0毫莫耳)水溶液進行重氮化(四偶氮化)後, :力:脲水溶液’與過剩亞硝酸鈉反應。將此溶液在 f冷下分數次添加於-r5.G克(34.9毫莫耳)= 氫肩S夂水溶液’進行山德邁耳反應所致演化。 進而在室溫經 、 〜二小時反應,將析出之固體 匕〜’以水、鮮洗淨後,進行真空加熱乾燥。 〇
Q 將所得黑色固體,佶用 便用以正己力兀/虱仿混合溶劑 -開洛劑之二氧化矽凝膠柱進行精製。 溴萘。收量為1. 32克(收 :得生成物m—麵所致分析結果. 4α疋為目的物之1,5 _ 率 36. 6%)。 將上述所得之丨,5—二溴萘丨.3 耳),與鐵粉0.30克(5 37真簟. W么其 c — ο."笔莫耳)、四氯化碳裝入 反應容器後,添加溴1·85克(〇6〇毫升、ιΐ6毫莫 耳)之四氣化碳溶液進行攪拌’纟55。。進行兩小時 反應。 在此反應液投入硫代硫酸鈉水溶液除去未反應 之填,使用氯仿萃取。萃取後,進行分液,將氯: 層以水洗淨兩次,回收氯仿,將析出之結晶以醇洗 淨。 …所得結晶,以1Η及北―騰所致分析結果,鑑 定為目的物之溴化物。收量為L3〇克(收率63 4%)。 30 200930787 裝入在上述所得1,3,5,7_四溴萘12克(2川 毫莫耳),與3—曱基苯基硼酸2. 21克(16 2毫莫 耳)、Pd(PPh3)4 0.78 克(0.675 毫莫耳),THF/=笨 (1/1)混合溶劑,進而添加2M Na2C〇3 2.86克(27 〇 宅莫耳)水溶液,在氮氛圍下,經四十八小時加熱回 流,進行偶合反應。 … 將此反應溶液注入水,使用甲苯萃取。將甲笨 © 層以水經兩次洗淨,回收溶劑,使用以氯仿/正己烷 混合溶劑作為展開溶劑之二氧化矽凝膠柱進行 製。 a 所得結晶,以1Η — 所致分析之結果,鑑定 為目的物之TMN1 357。收量為0.91克(收率69.0%)。 在以下,以此結晶進而使用到以21 〇 、3. 〇 X l〇〜4Pa進行昇華精製之TMN1357。 將以上述所合成之TMN1357在石英玻璃基板上 以膜厚300nm予以蒸鍍,進行螢光分析。 此螢光光譜如第一圖所示。 [比較例一] 將該(化13)所示短波長藍色發光材料(N20)溶 解於螢光分析用氯仿,以濃度丨〇 — 5莫耳/升之溶液進 行螢光分析。 此勞光光譜如第二圖所示。 200930787 上述螢光分析結果如第一、二圖可知,固俨 之ΊΈΝ1357與N20之稀溶液比較,在短波長處顯厂 螢光極大波長。 ' m 因此,可確認TM1V1357在作為W20所代表之古 色純度藍色發光材料用之主材料為有用。 阿 [實施例二] ❹ ❹ 使TMN1357作為主材料,具有摻雜有N2〇之於 光層,使用到作為有機EL材料之該(化ί7)所示^ 合物(DTVPF)’藉由以下方法製作由如第三圖所示層 構成所成有機EL元件。 曰 (弟一電極) 百先,將完成圖型化之透明導電膜ατ〇)以厚度 所成膜之玻璃基板,以下例之順序:經純水 ”面活14劑所致超音波洗淨,經純水所致流水洗 乎’經純水與異丙醇之1:1混合溶液所致超音波洗 經異丙醇所致煮彿洗淨,進行洗淨處理。將此 :自彿騰中之異丙醇緩緩地取出,在異丙醇蒸氣 予以乾燥’最後進行紫外線臭氧洗淨。 办此基板為陽極1,配置於真空腔室内,進行 氣Ϊ Μ0 6拖耳為止’在該真空腔室内,預 二荆使崧鍍材料經各自填充的各鉬製板,與以設 疋面,進行成膜用之蒸鍍用光罩,藉由該板之通電 32 200930787 力’、、、ι使②m㈣發*可朗序進行各 之成膜。 何喟 (電洞注入輪送層) 作為電洞輸送性材料係使用該(化19)所示化合 物(DTVPF),與二氧4卜左曰A、 ”一虱化鉬(Mo〇3)—起,使各板同時 打通電加熱’予以共蒸鑛。 醫f:m〇〇3=67:33之電洞注入層2。 心成 ❹
以膜厚56_形成僅由請即所成 达層3。 J (發光層) 4 〇 以膜厚15删形成TMN1 357:N2〇 = 94:6之發光層 (電子注入輪送層) © 以膜厚38nm形成由dTVPF所成電子輸送層5。 在其上,作為電子輸送性材料
DTVPF:Liq = 504f)$ Φ 工、+ a P 3U.50之電子注入層6以膜厚1〇nm形成。 (弟一·電極) 在照樣保持真空腔室於真空下,進行光罩交 換,设置陰極蒸鍍用之光罩,使鋁(A1)層以膜严 lOOmn形成作為陰極7。 、厗 使真空腔室回復至大氣壓,取出該藉由上述將 33 200930787 各層經蒸鍍之基板,移至經氮取代的套手工作箱 (glove box),使用UV硬化樹脂,以其他玻璃板封 閉,獲得有機EL元件。 將此元件之層構成予以簡化表示則為 IT0(150nm)/DTVPF:Mo03(10nm,67:33)/DTVPF(56nm )/TMN1357:N20(15nm, 94:6)/DTVPF(38nm)/DTVPF:L iqClQnm,5Q:50)/Al(100nm)。 ❹ 在此有機EL元件外加1 OOA/m2之直流電流之際 的發光光譜則如第四圖所示。 如第四圖所示,可獲得來自N20之純藍色發光。 又,此發光色之色度在CIE座標(1 ΟΟΑ/m2)中為 (X,yΜ0. 157, 0. 043),可確認為色純度高的藍色發 光。 [比較例二] ❹ 將該(化26)所示化合物(TBADN)作為主材料, 將具有摻雜Ν2 0之發光層的有機EL元件與實施例二 相同方式製作。 此元件之層構成予以簡化表示則為 ΙΤ0( 150nm)/NS21:Mo〇3(59nm, 90:10)/NS21(10nm)/ TBADN:N20(30nm, 97:3)/BAlq(5nm)/DPB(16nm)/DPB :Liq(5nm,74:26)/Al(100nm)。 在此有機EL元件外加1 OOA/m2之直流電流之際 34 200930787 的發光光譜則如第五圖所示。此外為比較起見,在 不摻雜N2〇之情形(僅TBADN)之發光光譜亦一併予 以表示。 如第五圖所示,在使用TBADN作為主材料之情 形,並無法獲得來自N2〇之藍色發光。 月 又,此發光色之色度在CIE座標(1〇〇A/m2)中為 (x,y) = (0. 151,0· 〇8〇),為色純度低的藍色發光。
H
[實施例三] 使ΊΈΝ1 3 57作為主材料,將具有經摻雜該(化 27)所示短波長藍色發光材料(τρΑ)之發光層的有機 EL·元件與實施例二相同方式製作。 此元件之層構成予以簡化表示則為 IT0(150nm)/DTVPF:Mo03(10nm, 67:33)/DTVPF(56nm 〇 )/TMN1357:TPA(20nm, 98:2)/DTVPF(15nm)/DTVPF:L iq(10nm, 50:50)/Al(100nm)。 在外加1 000A/m2之直流電流於此有機el元件 之際的發光光譜則如第六圖所示。 如第六圖所示,可獲得來自TPA之純藍色發光。 又此發光色之色度在CIE座標(ΙΟΟΟΑ/m2)中為 (X,yMo. 165, 0. 083) ’可確認為色純度高的藍色發 光0 35 200930787 [比較例三] 使TBADN作為主材料,將具有摻雜TPA之發光 層的有機EL元件與實施例二相同進行製作。 此元件之層構成予以簡化表示則為 IT0(1 50nin)/DTVPF :Mo〇3( 1 Onra, 67 : 33)/DTVPF (56nm )/TBADN:TPA(20nm,98:2)/DTVPF(15mn)/DTVPF:Liq (10nm,50:5〇)/Al(100nm)。 在外加1 000A/m2直流電流於此有機EL元件之 際的發光光譜係如第七圖所示。 如第七圖所示,並無法獲得來自τρΑ之純藍色 發光。 由上述實施例三、比較例三可確認TMN1 357與 TBADN比較,作為色純度高的藍色發光材料之主材 料極為優異。 謀求高度色純度之光源或顯 待。 由以上可知根據本發明一般式(丨)所示之有機 EL材料’可獲得色純度高的藍色發光,對實用性高, 示裝置之應用可廣受期 此侷限本發明之專利保護範圍,
以上所述僅為本發明之較佳可行實施例,非因 故舉凡運用本發明 ,均包含於 36 200930787 【圖式簡單說明】 第一圖表示TMN1 357之螢光光譜圖。 第二圖表示N20之螢光光譜圖。 第三圖係以模型化表示有關實施例二之有機EL 元件的層構成之剖面圖。 ❹ 第四圖表示有關實施例二之有 光光譜圖。 元件之發 第五圖表示有關比較例二之有 光光譜圖。 元件之發 第六圖表示有關實施例三之有 光光譜圖。 元件之發 第七圖表示有關比較例三之 光光譜圖。 為虹元件之發 ❹ 【主要元件符號說明】 1陽極 2電洞注入層 3電洞輸送層 4發光層 5電子輸送層 6電子注入層 7陰極

Claims (1)

  1. 所示一般式表不 【化1 Rn
    A1 〇 ❹ 200930787 七、申請專利範園: 1、一f有機電致發光材料 表示之有機電致發光材^係以下述化學式 1) (其中’ R,〜尺係、登 & 環貌氧基及芳氧基,^為^;燒基^炫基、燒氧基、 Ai〜A4係選自取代或盔取 =可為各自相異之基, 或無J代之雜環基,可為相同,亦:可戈自六之取代 間含有發光層之—層或:有m備在-對電極 弟1項所述之有機電致發光材料。月專利範圍 件,r中% Vi t利範圍第2項所述之有機電致發光- 機層之至少一層係發光層,其含ΐ +玆&14材料之如申請專利範圍第1項所述# t 電致發光材料;及 1貝所迷之有機 作為客材料之螢光或碟光性材料。 a a ^、如申請專利範圍第2項或第3項所述之古协 性以::其中該電極係於透明基板上形成透明ίί 38
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