200922000 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種部分反射面天線，尤指一種可提升 其孔徑效率並可減少製作反射板之各微帶反射單元所需耗 5 費之材料的部分反射面天線。 【先前技術】 近年來’不論在軍用或民用的應用領域中，部分反射 面天線（Partial Reflective Surface Antenna)已經廣泛地被應 用因β刀反射面天線具有低高度（low profile)，且可以使 用印刷電路板製作等優點。但是，目前應用之部分反.射面 天線的孔徑效率非常有限，仍有相當大的提升的空間。 圖1係習知之部分反射面天線的立體示意圖，其中習知 之部分反射面天線包括基板U、反射板12及複數個支撐單 15 70131、132、133、134。其中，基板11及反射板12均由厚 度0.8 mm之FR-4材質的微波基板構成，且反射板12藉由前 述之複數個支撐單元131、132、133、134而與基板11之間 保持一特定距離。另一方面，基板丨丨具有一上表面丨丨1，一 訊號出入口 112設置於此上表面in，且此矩形槽孔112電連 20 接於一同軸電纜113以輸出或接受一高頻訊號。 而如圖1所示’習知之部分反射面天線之反射板12的表 面的中央部分設置有一陣列天線區塊14，且此陣列天線區 塊14的面積幾乎等於反射板12之表面積。此外，一天線陣 列141佈設於此陣列天線區塊14内，且此天線陣列141包含 200922000 121個微帶反射單元142，這些微帶反射單元i42並形成一 11X11的陣列。意即，這些微帶反射單元142幾乎佈滿了習 知之部分反射面天線之反射板12的表面。 另一方面，在習知之部分反射面天線中，反射板12為 5正方开y板，其長寬均為12·9 cm，前述之陣列天線區塊14之 卜i為正方开>，其長寬均為丨2 cm。至於佈設於陣列天線區 塊14内之天線陣列141，其組成單元之微帶反射單元142之 n 外型為正方形，它們的長⑹及寬（W)均為！ cm。此外，在 =線陣引141中，存在於母一微帶反射單元142與相鄰之微 ίο ▼反射單疋142之間之χ方向的間距（Dxi)與Y方向的間距 (Dyl)均為 1 mm ° 雖然習知之部分反射面天線可藉由適當地調整位於其 陣列天線區塊14内之微帶反射單元142的排列方式（即調整 各微帶反射單元142之間的間距），提升其所發射之高頻訊 15说的指向性。但是，習知之部分反射面天線反射電波之機 制僅利用金屬材料之部分，並未思及利用非金屬之絕緣材 ϋ f做為反射電波之用途，故習知之部分反射面天線需耗費 相田的材料以製作刖述之各微帶反射單元並將這些微帶反 射單元填滿於其反射板上。如此，習知之部分反射面便無 2〇法藉由利用非金屬材料於適當調整的方式進一步地提升其 所輸出之高頻訊號的r孔徑效率」。 因此’業界亟需-種可提升其孔徑效率並可減少製作 反射板之各微帶反射單元所需耗費之材料的部分反射面天 線。 6 25 200922000 【發明内容】 本發明之部分反射面天線，包括：一具有一上表面之 基板、一用以部分反射一高頻訊號的反射板以及複數個支 撐單元。其中，一訊號輸出入口開設於此基板之上表面並 5用以接收及輸出此高頻訊號，此反射板之表面設置有一陣 列天線區塊，此等支撐單元則支撐此反射板於此基板之上 表面並使此反射板與此基板之間維持一特定距離。此外， 一天線陣列佈設於此陣列天線區塊内，且此天線陣列包含 複數個微帶反射單元，此陣列天線區塊之面積則介於此反 10 射板之表面積的0.3 1至0.8倍之間。 本發明之部分反射面天線，包括：一具有一上表面之 基板、一用以部分反射一高頻訊號的反射板以及複數個支 撐單元。其中，一訊號輸出入口開設於此基板之上表面並 用以接收及輸出此尚頻訊號，此反射板之表面設置有一陣 15列天線區塊，此等支撐單元則支撐此反射板於此基板之上 表面並使此反射板與此基板之間維持一特定距離。此外， 一第一天線陣列及一第二天線陣列分別佈設於此陣列天線 區塊内，此第二天線陣列包圍此第一天線陣列，且此第一 天線陣列及此二天線陣列分別包含複數個第一微帶反射單 20 元及複數個第二微帶反射單元。除此之外，介於此等第一 微帶反射單元之間的間距係小於介於此等第二微帶反射單 元之間的間距’此陣列天線區塊之面積則介於此反射板之 表面積的0.31至0.8倍之間。 200922000 因此，藉由適當控制其反射板之「陣列天線區塊面積/ 反射板之表面積比」以使得其「陣列天線區塊面積」介於 「反射板之表面積」的0.31至〇·8倍之間的方式，本發明之 部分反射面天線可提升其孔徑效率並可減少製作反射板之 5各微帶反射單元所需耗費的材料。此外’再藉由於其反射 板之表面没置兩種具有不同排列方式之天線陣列的方式， 本發明之部分反射面天線所發射出之高頻訊號之「旁波瓣」 的比率可進一步降低，使得本發明之部分反射面天線所發 射出之高頻訊號的能量可更加集中於其主波瓣（main 1〇be) 10部分，使得此高頻訊號不但可傳遞更遠的距離，也不容易 受到干擾。 本發明之部分反射面天線之反射板可具有任何大小之 陣列天線區塊於其表面，此陣列天線區塊之面積較佳介於 反射板之表面積的的0.31至〇.8倍之間。本發明之部分反射 15 面天線之反射板可具有任何外型之陣列天線區塊於其表 面’此陣列天線區塊之外型較佳為正方形或矩形。本發明 之部分反射面天線之反射板所具有的陣列天線區塊可包含 各種外型之複數個微帶反射單元於其中，這些微帶反射單 元之外型較佳為正方形或矩形。本發明之部分反射面天線 20 的基板可由任何材質的印刷電路板構成，其較佳為FR-4材 質的微波基板、Duroid材質的微波基板或Teflon材質的微波 基板。本發明之部分反射面天線的反射板可由任何材質的 印刷電路板構成’其較佳為FR-4材質的微波基板、Duroid 材質的微波基板或丁eflon材質的微波基板。本發明之部分反 200922000 射面天線可使用任何形狀之反射板，其較佳為正方形板、 長方形板或圓形板。本發明之部分反射面天線可使用任何 =質的支撑單元，其較佳為塑膠或任何具絕緣功能的材 夤。本發明之部分反射面天線之反射板可與基板相距任何 5的距離，其較佳為本發明之部分反射面天線所接收或輸出 之高頻訊號之波長的三分之一至三分之二，最佳為本發明 之部分反射面天線所接收或輸出之高頻訊號之波長的二分 之一。本發明之部分反射面天線可具有任何外型之訊號輸 ’ 出入口，其較佳為正方形槽孔或長方形槽孔。本發明之部 10分反射面天線之訊號輸出入口可電連接於任何種類之訊號 線，其較佳為一同軸電纜或一銅絞線。 【實施方式】 圖2A係本發明第一實施例之部分反射面天線的立體 15不意圖，其中部分反射面天線包括基板21、反射板22及複 數個支撐單元231、232、233、234。其中，基板21及反射 〇 板22均由厚度0.8 mm之FR-4材質的微波基板構成，且反射 板22藉由前述之複數個支撐單元231、232、233、234而與 基板21之間保持一特定距離，即所謂的「共振距離」。此 20 外’這些支撐單元231、232、233、234係由絕緣材質構成， 且此共振距離之長短係與本發明第一實施例之部分反射面 天線的設計頻率有關。一般而言，此共振距離為本發明第 一實施例之部分反射面天線所接收或輸出之高頻訊號之波 長的一分之一 *在本實施例中，此共振距離約為丨.7 cm。 200922000 另一方面，基板21具有一上表面211，且一訊號出入口 212設置於此上表面211，以接收一頻率範圍介於9.25 GHz 及9.55 GHz之間的高頻訊號。在本實施例中，訊號出入口 212為一矩形槽孔，且此矩形槽孔電連接於一同軸電纜213 5 以輸出或接受前述之高頻訊號。此外，當本發明第一實施 例之部分反射面天線於其發射狀態時，此高頻訊號係在基 板21與反射板22之間來回地反射，且經由反射板22所造成 之「部分反射」效應的協助，此高頻訊號最終穿透反射板 Γ) 22而被本發明第一實施例之部分反射面天線發射出去《但 10 是’前述之部分反射效應除了包含反射板之金屬部分的反 射以外，其更包含反射板之非金屬部分（即介值部分）的反 射。 而如圖2A及圖2B所示，本發明第一實施例之部分反射 面天線之反射板22的表面設置有一陣列天線區塊24，此陣 15 列天線區_塊24位於反射板22之表面的中央部分，且此陣列 天線區塊24的面積為反射板22之表面積的0.31倍。此外，一 Q 天線陣列241佈設於此陣列天線區塊24内，且此天線陣列 241包含複數個微帶反射單元242。在本實施例中，天線陣 列241包含25個微帶反射單元242，且這些微帶反射單元242 20 形成一 5X5的陣列。 另一方面，如圖2B及圖2C所示，在本實施例中，反射 板22為正方形板，其長寬均為11.4 cm，陣列天線區塊24之 外型為正方形，其長寬均為6,4 cn^至於佈設於陣列天線區 塊24内之天線陣列241，其組成單元之微帶反射單元242之 200922000 外型為正方形，它們的長（L)及寬（W)均為12 mm。此外，在 天線陣列241中，存在於每一微帶反射單元242與相鄰之微 帶反射單元242之間之X方向的間距（Dxl)與Y方向的間距 (Dyl)均為 1 mm (Dxl =Dyl = lmm)。 5 圖 3 A係一顯示藉由 HFSS (High Frequency Structure Simulator)
軟體模擬以及實際量測所得之本發明第一實施例之部分反 射面天線所發射出之高頻訊號於磁場平面上的波形示意 圖，其中曲線A為藉由HFSS軟體模擬所得之波形，曲線B D 則為實際量測所得之波形。從圖3 A中可以看出，藉由HFSS 10 軟體模擬所得之結果與實際量測所得之結果相當符合。 圖3B係一顯示藉由HFSS軟體模擬以及實際量測所得 之本發明第一實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊 號於電場平面上的波形示意圖，其中曲線C為藉由HFSS軟 體模擬所得之波形，曲線D則為實際量測所得之波形。從圖 15 3B中可以看出，藉由HFSS軟體模擬所得之結果也與實際量 測所得之結果相當符合。 q 圖3C係一顯示藉由HFSS軟體模擬所得之本發明第一 實施例之部分反射面天線之孔徑效率（aperture efficiency) 與其反射板之尺寸之間關係的示意圖，而所謂的孔徑效率 20 係藉由下列之公式計算而出： η = λ2 Θ/(4πΛ) (式一） 其中，A為包含金屬部分及非金屬部分之整體反射板 之表面積，A為自由空間波長（free space wavelength)，G則 為模擬所得之增益。 11 200922000 從圖3C中可看出，隨著反射板之邊長逐漸增加，本發 明第一實施例之部分反射面天線的孔徑效率也逐漸增加， 尤其當反射板之邊長介於6.4 cm至12.4 cm之間時。此外， 在本發明第一實施例之部分反射面天線中，反射板之邊長 5 為11.4 cm ’其陣列天線區塊之邊長為6.4 cm，而其孔徑效 率則約為50 % 。 因此，與習知之部分反射面天線（其反射板之邊長僅略 大於其陣列天線區塊之邊長）互相比較，首先，習知之部分 (’ 反射面天線的孔徑效率並不易達到50 %之效率，況且，即 10 便習知之部分反射面天線可以達成此水準，習知之部分反 射面天線係經由將金屬材質填滿其反射板之表面的方式形 成其反射板（其係一部分反射面）。也就是說，習知之部分反 射面天線在其反射板之長寬均約為lh4 ^瓜時，其孔徑效率 均低於50 % (相對地，本發明之部分反射面天線模擬所得之 15 數值在相同的條件下約為40 %)。但是，本發明第一實施例 之。卩为反射面天線在其反射板之長寬均為cm時，其孔徑 0 效率已可達到約50 %。需注意的是，本發明之部分反射面 天線僅需利用長寬均約為6.4 cm之反射板，即可達到與習知 之部分反射面天線相當之孔徑效率。因此，本發明之部分 2〇 反射面天線於提升孔徑效率外，亦可減少製作反射板之各 微帶反射單元所需耗費的材料。 圖4A係本發明第二實施例之部分反射面天線的立體 不意圖，其中部分反射面天線包括基板41、反射板42及複 數個支撐單元431、432、433、434。其中，基板41及反射 12 200922000 板42均由厚度〇·8 mm之fr_4材質的微波基板構成，且反射 板42藉由前述之複數個支撐單元431、432、433、434而與 基板41之間保持一特定距離，即所謂的「共振距離」共振 距離。此外，這些支撐單元431、432、433、434係由絕緣 5 材質構成’且在本實施例中，前述之共振距離約為1.7 cm。 另一方面’基板41具有一上表面411，且一訊號出入口 412設置於此上表面411，以接收及輸出一頻率範圍介於9.25 GHz及9.55 GHz之間的高頻訊號。在本實施例中，訊號出入 Ο 口 412為一矩形槽孔，且此矩形槽孔電連接於一同軸電纜 10 413以輸出或接受前述之高頻訊號。此外，當本發明第二實 施例之部分反射面天線於其發射狀態時，此高頻訊號係在 基板41與反射板42之間來回地反射，且經由反射板42所造 成之「部分反射」效應的協助’此高頻訊號最終穿透反射 板42而被本發明第二實施例之部分反射面天線發射出去。 15 而如圖4A及圊4B所示，本發明第二實施例之部分反射 面天線之反射板42的表面設置有一陣列天線區塊44 ’此陣 列天線區塊44位於反射板42之表面的中央部分，且此陣列 天線區塊44的面積為反射板42之表面積的〇.72倍。此外，一 第一天線陣列441及一第二天線陣列442分別佈設於此陣列 20 天線區塊44内’且第二天線陣列442將第一天線陣列441圍 繞於其中。其中，在本實施例中，第一天線陣列441包含25 個第一微帶反射單元443，第二天線陣列442則包含48個第 二微帶反射單元444，且這些第一微帶反射單元443形成一 5X5的陣列。 13 200922000 另一方面，如圖4B及圖4C所示，在本實施例中，反射 板42為正方形板，其長寬均為14.5 cm，唪列天線區塊44之 外型為正方形，其長寬均為12.4 cm。至於第一天線陣列441 的第一微帶反射單元443外型為正方形，它們的長（L)及寬 5 (W)均為12 mm。此外，第二天線陣列442之第二微帶反射 單元444的外型亦為正方形，它們的長（L)及寬（W)也均為12 mm。需注意的是，在第一天線陣列441中，存在於每一第 一微帶反射單元443與相鄰之第一微帶反射單元443之間之 Ο X方向的間距（Dxl)與Y方向的間距（Dyl)均為1 mm (Dxl 10 =Dy 1 = 1 mm)。在第二天線陣列442中，存在於每一第二微帶 反射單元444與相鄰之第二微帶反射單元444之間之X方向 的間距（Dx2)與Y方向的間距（Dy2)均為4 mm (Dx2 =Dy2=4 mm) 0 圖5A係一顯示藉由HFSS軟體模擬以及實際量測所得 15 之本發明第二實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊 號於磁場平面上的波形示意圖，其中曲線E為藉由HFSS軟 / , 體模擬所得之波形，曲線F則為實際量測所得之波形。從圖 5A中可以看出，藉由HFSS軟體模擬所得之結果與實際量測 所得之結果相當符合。 20 圖5B係一顯示藉由HFSS軟體模擬以及實際量測所得 之本發明第二實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊 號於電場平面上的波形示意圖，其中曲線G為藉由HFSS軟 體模擬所得之波形，曲線Η則為實際量測所得之波形。從圖 14 200922000 5B中可以看出，藉由HFSS軟體模擬所得之結果也與實際量 測所得之結果相當符合。 圖5C係一顯示藉由HFSS軟體模擬所得之本發明第二 實施例之部分反射面天線之孔徑效率與其反射板之尺寸之 5間關係的示意圖，且從圖5C中可看出，隨著反射板之邊長 逐漸增加，本發明第二實施例之部分反射面天線的孔徑效 率也逐漸增加，尤其當反射板之邊長介於12_5 cm至15.5 cm 之間時。此外，在本發明第二實施例之部分反射面天線中， 〇 反射板之邊長為5 cm，其陣列天線區塊之邊長為124 10 cm ’而其孔徑效率則約為65 % 。 因此，與習知之部分反射面天線（其反射板之邊長僅略 大於其陣列天線區塊之邊長）互相比較，習知之部分反射面 天線的孔徑效率頂多約為50 %，本發明第二實施例之部分 反射面天線可具有較高的孔徑效率（約為65 % 。也就是 15說，本發明第二實施例之部分反射面天線僅需要一具有較 小面積之反射板，便可具有與習知之部分反射面天線相同 〇 的孔徑效率，以減少製作反射板之各微帶反射單元所需耗 費的材料。 圖6A係本發明第三實施例之部分反射面天線的立體 20示意圖，其中部分反射面天線包括基板61、反射板62及複 數個支樓單元631、632、633、634。其中，基板61及反射 板62均由厚度0·8 mm之FR-4材質的微波基板構成，且反射 板62藉由前述之複數個支撐單元631、632、633、幻4而與 基板61之間保持一特定距離，即所謂的「共振距離」。此 15 200922000 外，這些支撐單元631、632、633、634係由絕緣材質構成， 且在本實施例中’前述之共振距離約為1.7 cm。 另一方面，基板61具有一上表面611，且一訊號出入口 612設置於此上表面611 ’以接收及輸出一頻率範圍介於9 25 5 GHz及9.55 GHz之間的高頻訊號。在本實施例中，訊號出入 口 612為一矩形槽孔’且此矩形槽孔電連接於一同軸電鐵 613以輸出或接受前述之高頻訊號。此外，當本發明第三實 施例之部分反射面天線於其發射狀態時，此高頻訊號係在 基板61與反射板62之間來回地反射，且經由反射板62所造 10 成之「部分反射」效應的協助，此高頻訊號最終穿透反射 板6 2而被本發明第三實施例之部分反射面天線發射出去。 而如圖6A及圖6B所示，本發明第三實施例之部分反射 面天線之反射板62的表面設置有一陣列天線區塊64，此陣 列天線區塊64位於反射板62之表面的中央部分，且此陣列 15 天線區塊64的面積為反射板62之表面積的0.74倍。此外，一 天線陣列641佈設於此陣列天線區塊64内，且此天線陣列 641包含複數個微帶反射單元642 ^在本實施例中，天線陣 列641包含81個微帶反射單元642，且這些微帶反射單元642 形成一 9X9的陣列。 20 另一方面，如圖6Β及圖6C所示，在本實施例中，反射 板62為正方形板，其長寬均為13·5 cm，陣列天線區塊64之 外型為正方形，其長寬均為Π·7 em。至於佈設於陣列天線 區塊64内之天線陣列6W，其組成單元之微帶反射單元642 之外型為正方形，它們的長（L)及寬（w)均為12mn^此外， 200922000 在天線陣列641中，存在於每一微帶反射單元642與相鄰之 微帶反射單元642之間之X方向的間距（Dx!)與γ方向的間距 (Dyl)均為 1 mm (Dxl =Dyl = lmm)。 圖7係一顯示藉由HFSS軟體模擬所得之本發明第二實 5施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號以及本發明第 三實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號於磁場平 面上的波形示意圖，其中曲線I為本發明第二實施例之部分 反射面天線所發射出之高頻訊號之波形，曲線j則為本發明 〇 第三實施例之部分反射面天線所發射出之波形。 1〇 從圖7中可以看出，由於第二實施例之部分反射面天線 在其反射板的陣列天線區塊中設置兩種具有不同排列方式 的天線陣列’即第一天線陣列及第二天線陣列，所以雖然 第二實施例之部分反射面天線與第三實施例之部分反射面 天線具有相近之「陣列天線區塊面積/反射板之表面積比」 15 (分別為0.72及0.74) ’第二實施例之部分反射面天線所發射 出之高頻訊號於磁場平面上之波形的「旁波瓣（sidel〇be q level)」部分較第三實施例之部分反射面天線所發射出之高 頻訊號於磁場平面上的波形之「旁波瓣」部分為低。也就 是說，相較於第三實施例之部分反射面天線所發射出之高 20 頻訊號，第二實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊 號之「旁波瓣」部分佔其整體波形的比率較低，使得第二 實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號的能量更加 集中於其主波瓣（main lobe)部分。如此，本發明第二實施例 17 200922000 之部分反射面天線所發射之高頻訊號不但可傳遞更遠的距 離’其亦不易受到干外界的干擾。 綜上所述，藉由適當控制其反射板之「陣列天線區塊 面積/反射板之表面積比」以使得其「陣列天線區塊面積」 5介於「反射板之表面積」的〇·31至0.8倍之間的方式，本發 明之部分反射面天線可提升其孔徑效率並可減少製作反射 板之各微帶反射單元所需耗費的材料。此外，再藉由於其 反射板之表面設置兩種具有不同排列方式之天線陣列的方 〇 式，本發明之部分反射面天線所發射出之高頻訊號之「旁 10波瓣」的比率可進一步降低，使得本發明之部分反射面天 線所發射出之高頻訊號的能量可更加集中於其主波瓣 (main lobe)部分，使得此高頻訊號不但可傳遞更遠的距離， 也不容易受到干擾。 上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所 15主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限 於上述貫施例。 【圖式簡單說明】 圖1係習知之部分反射面天線的立體示意圖。 2〇圖2八係本發明第一實施例之部分反射面天線的立體示意 圖。 圖2B係本發明第一實施例之部分反射面天線之反射板的示 意圖。 18 200922000 圖顯示位於本發明第一實施例之部分反射面天線之 反射板表面的天線陣列之排列方式的示意圖。 圖3A係一顯示藉由HFSS軟體模擬以及實際量 發=第-實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號於 5 磁場平面上的波形示意圖。 圖3B係一顯示藉由HFSS軟體模擬以及實際量測所得之本 發明第一實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號於 電場平面上的波形示意圖。 圖3C係一顯示藉由HFSS軟體模擬所得之本發明第一實施 1〇例之部分反射面天線之孔徑效率與反射板尺寸之間關係的 示意圖。 圖4A係本發明第二實施例之部分反射面天線的立體示意 圖。 、 圖4B係本發明第二實施例之部分反射面天線之反射板的示 15 意圖》 圖4C係一顯示分別位於本發明第二實施例之部分反射面天 〇 線之反射板表面的第一天線陣列與第二天線陣列之排列方 式的不意圖。 圖5A係一顯示藉由HFSS軟體模擬以及實際量測所得之本 20 發明第二實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號於 磁場平面上的波形示意圖。 圖5B係一顯示藉由HFSS軟體模擬以及實際量測所得之本 發明第二實施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號於 電場平面上的波形示意圖。 19 200922000 圖5C係一顯示本發明第二實施例之部分反射面天線之孔徑 效率與反射板尺寸之間關係的示意圖。 圖6A係本發明第三實施例之部分反射面天線的立體示意 圖。 5圖6B係本發明第三實施例之部分反射面天線之反射板的示 意圖。 圖6 C係一顯示位於本發明第三實施例之部分反射面天線之 反射板表面的天線陣列之排列方式的示意圖。 圖7係一顯示藉由η F S S軟體模擬所得之本發明第二實施例 1〇之部分反射面天線所發射出之高頻訊號以及本發明第三實 施例之部分反射面天線所發射出之高頻訊號於磁場平面上 的波形示意圖。 【主要元件符號說明】 11、 21、41、61 基板 12、 22、42、62 反射板 Η、24、44、64陣列天線區塊 111、 211、411、611 上表面 112、 212、412、612 訊號出入口 113、 213、413、613 同軸電纜 131 、 132 、 133 、 134 、 231 、 232 、 233 、 234 、 431 、 432 、 433、434、631、632、633、634 支揮單元 141、 241、641天線陣列 142、 242、642微帶反射單元 20 200922000 441第一天線陣列 442第二天線陣列 443第一微帶反射單元 444第二微帶反射單元