TW200912181A - Light source - Google Patents

Light source Download PDF

Info

Publication number
TW200912181A
TW200912181A TW097119850A TW97119850A TW200912181A TW 200912181 A TW200912181 A TW 200912181A TW 097119850 A TW097119850 A TW 097119850A TW 97119850 A TW97119850 A TW 97119850A TW 200912181 A TW200912181 A TW 200912181A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
light source
optical element
emitting
input surface
Prior art date
Application number
TW097119850A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Marfeld
Julius Muschaweck
Alessandro Scordino
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of TW200912181A publication Critical patent/TW200912181A/zh

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/69Details of refractors forming part of the light source
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0028Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed refractive and reflective surfaces, e.g. non-imaging catadioptric systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0052Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode
    • G02B19/0057Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode in the form of a laser diode array, e.g. laser diode bar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Description

200912181 九、發明說明: 本專利申請案聲明歐洲專利申請第0 7 0 1 0 8 3 6 . 〇號的優 先權,其揭示內容在此係倂入本文供參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明係揭示一種光源。 【先前技術】 Μ 〇 【發明內容】 在此描述裝置的具體實施例之至少一個目的是要提供 一光源,其包括一發光裝置與一光學元件。 此目的可藉由根據申請_利範圍第1項之光源而達 成。進一步具體實施例係在進一步申請專利範圍中詳述。 根據至少一個具體實施例,一光源包括: -一發光裝置’其係從一發射面發射電磁輻射;及 -一光學元件’其具有一光輸入面;一光輸出面;與 多個側面’係將該光輸入面連接至該光輸出面; 其中 -該光輸入面係位在發光裝置的光程,電磁輻射係透 過該光輸入面以進入該光學元件;及 -該光輸入面具有一凹曲度;及一面積,其係小於該 光輸出面的面積。 在此及下列’「電磁輻射」與「光」係同義字用法,兩 者皆表示具有從紫外線至紅外線範圍的一波長或一些波長 組合的電磁輻射。 200912181 光輸入面可面對發光裝置的發射面。光學元件的光輸 入面的凹曲度係表示光輸入面可有關於光學元件的體積向 內彎曲及/或凹陷’且因此,當從發光裝置看時,如同形成 爲一凹陷或凹處。因爲發光裝置發射之光輸入面光的凹曲 度可非常有效地耦合至光學元件,由於從發射面看,凹曲 的光輸入面可覆蓋比具有與凹曲光輸入面一樣表面積之一 平坦輸入面更大的立體角。若發光裝置提供具一角分布的 光發射,即是發光裝置可發光至不同方向以覆蓋一發射立 體角,此可能特別有利。例如,發光裝置的發射面可爲平 坦,其特徵爲一平面具有一垂直表面,其係與發射面的延 申方向垂直。發光裝置的發光之特徵爲有關該發射面垂直 的表面之角強度分布。例如,發光裝置可提供一朗伯 (Lambertian)發射特徵,即是發光裝置的發光可提供與發射 面垂直的表面有關的一類似餘弦強度分布。此表示發光的 有效部分是在不是與發射面垂直的方向來發射,產生發射 立體角。當光學元件的凹曲光輸入面可覆蓋一立體角(其係 等於或接近發光裝置的發射立體角)時,在不是與發射面垂 直的方向中發射、且如此與發射面垂直的表面偏離之發光 部分可有效耦合在至該光學元件。因此,光輸入面可捕捉 從發光裝置發射的全部或幾乎全部的光,例如超過80%或 更大於8 5 % 或甚至超過9 0 %。 當光輸出面具有比光輸入面更大的表面積時,光學元 件可進一步提供通過光學元件的光集中,所以光從光輸出 面發射而進入的立體角係小於光是從發光裝置的發射面發 200912181 射的發光裝置的發射立體角。此表示光學元件可提供透過 光學元件的光之瞄準。集中及/或瞄準可能發生,因爲展度 保留(其爲一基本光學定律)係遵循只以光束的擴大截面爲 代價來達成 先束的集中及/或猫準。例如,光學元件可將 由具朗伯(Lambertian)強度分布的發光元件之發光集中及/ 或瞄準成具有在2 0 °和6 0 °之間、或3 〇。和5 0。之間、或例 如約3 8°開角的一類似圓錐體光束。 光輸入面可如同一橢圓體、一球體、一橢圓拋物面或 其任何itti合的一部分加以形成。光輸入面可使用一光滑面 形成’或可包括複數個平坦表面部分,其傾斜係與該等前 述形狀之彼此接近一者有關。 此外’光輸入面可具有一多角形、圓形或橢圓形或其 其任何混合的周長。在此及以下,「周長」可表示一平面或 曲面的邊界線。多邊形狀可爲例如三角形、四角形,特別 是一長方形、或具η個邊與角的任何其他規則或不規則多 邊形’其中η係等於或大於3。周長的形狀之特徵可爲歐 幾里德(Euclidian)幾何(即是周長的各邊可位在—平面)或 可爲非歐幾里德(Euclidian)、橢圓幾何(即是周長的各邊可 位在一橢圓體、一球體、一橢圓拋物面、或任何其他彎曲 或彎折表面、或其任何組合之表面)。 光輸出面具有的形狀可類似或不同於光輸人面之开多 狀。此可表示光輸出面可具有的周長係類似或不同於光輸 入面之周長。特別地係,光輸出面之周長可爲多角形、圓 形或橢圓或其任何混合。例如,輸出面可具有一規則八邊 200912181 形狀(即是具有八個角的八邊形狀)的一多角形周長。此 外,光輸出面的周長之特徵可爲歐幾里德(Euclidian)幾何 (即是周長的各邊可位於一平面)或可爲非歐幾里德 (Euclidian)、橢圓幾何(即是周長的各邊可位於—橢圓體' 一球體、一備圓拋物面、或任何其他彎曲或彎折表面、或 其任何混合)。 此外’光輸出面可爲平面。或者,光輸出面可能有一 曲度,最佳地係一凸曲度。此表示光輸出面可在光學元件 的體積向外凸。一彎曲光輸出面可提供對來自光學元件發 射的光進行瞄準、聚焦或散焦。例如,光輸出面可如同一 凸透鏡面加以形成。 側面可爲平面。因此,側面不可相關於彼此呈彎曲或 彎折及傾斜。例如,光學元件可具有三角形狀的側面、及/ 或具有四角形狀的側面,特別是梯形。光學元件可分別具 有類似棱柱體形狀及/或一圓錐體或一角錐的一部分,例如 一錐形或角錐截角錐體,其中光輸入面與光輸出面係分別 形成該截角錐體的上及下表面。或者(或此外),一或多個 側面可沿著從光輸入面至光輸出面的方向來彎曲及/或彎 折。一或多個側面可爲例如橢圓形、圓形、拋物線、雙曲 線或其任何組合之曲線。 發光裝置發射的電磁輻射的第一部分可耦合至光學元 件’即是該第一部分可經由光輸入表面進入光學元件及通 過’所以該第一部分係直接照明光輸出面。此可表示光的 第一部分係行進光學元件從光輸入面至光輸出面,而不會 200912181 碰觸側面。最佳地,該光的第一部分可照明整個光輸出面。 進入光學元件的電磁輻射的第二部分可碰觸側面,並可經 由整個內反射而由側面加以反射。此外,朝向光輸出面而 由側面反射光的第二部分可照明整個光輸出面。因此,電 磁輻射的第一部分與電磁輻射的第二部分之(簡單地說,其 可爲耦合至光學元件的所有電磁輻射)可照明整個光輸出 面。此可表示’最佳地,在光輸出面的每一點及進入產生 光束的每一方向上,光混合係從直接通過的光學元件產 生,即是,不會在側面反射,並且從非直接通過的光學元 件產生,即是,透過光學元件,在至少一側面上反射。因 此,光學元件可爲非成像,即是在光輸入面的光分布不是 投射至光輸出面,並在光輸出面上提供相似的亮度與顏色 分配。 光學元件可包括或可爲玻璃製成(類似石英或光學玻 璃)、及/或塑膠(類似環氧樹酯、矽酮、環氧矽複合材料、 聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或任何其他塑膠或其任何混 合。爲了提供整個內部反射至如上述的電磁輻射的第二部 分’光學元件可包括一材料或可爲提供折射率大於空氣折 射率(例如等於或大於1 · 5 )的材料製成。例如,光學元件可 包括或由聚碳酸酯製成,其於約6 4 0 nm (奈米)波長的光係 提供約1 5 8的折射率,且於約4 8 0 nm (奈米)波長的光係提 供約1 . 6的折射率。 發光裝置可包括至少一發光二極體(LED,“light-emitting diode”)。該LED可包括在一基體上的一磊晶成長半導體層, 200912181 並可例如基於一氮化物半導體材料系統,例如InGaA1N。 或者,半導體層序可基於InGaAlP或AlGaAs。或者(或另 外),半導體層序亦可包括其他III-V半導體材料系統或 II-VI半導體系統、或所述材料之任何組合。LED可進一步 形成爲薄膜半導體晶片。半導體序列可包括一主動區,其 係形成爲pn轉移、一雙異型結構、單一量子阱結構或多個 量子阱結構。另外,發光裝置可包括一外殼及/或一光學元 件,例如一透鏡、一漫射器及/或一波長轉換器。外殼可包 括一或多個LED。一漫射器可有利地特別放置在發射輻射 裝置的輻射路程,當對外部觀察者所爲之同質光與強度效 果較偏好時。一發光轉換器可與一半導體層序加以組合, 以對外部觀測者提供混色或白光效果。 較佳地,LED可提供白光。例如,LED可包括發射藍 光之一主動區;與一發光轉換器,其係局部將藍光轉換成 黃光及/或綠光與紅光。發光轉換器可形成爲在半導體層序 頂上的一層,或可形成爲半導體層序的封裝。 此外,發光裝置可包括複數個LED。所有複數個LED 可發射具有相同或類似光譜分布與強度的光。或者,複數 個LED之至少兩者可分別發射具有光譜分布(彼此相比較 而不同)的光。此外,複數個LED可配置形成LED陣列, 例如形成一矩形或圓形陣列。包括複數個LED的發光裝置 的發射面可藉由複數個LED的個別LED的發射面的總數予 以定義。
光學元件的光輸入面具有的形狀可相同或類似於LED 200912181 陣列的形狀。僅作爲範例,LED陣列可爲2 x 3 LED形成 的矩形陣列,且光輸入面的形狀(即是其周長)可亦爲矩 形。例如,發射面的面積可等於或大於9 mm2 (毫米2)及/或 等於或小於15 mm2(毫米2)。光輸入面的面積可等於或大於 28 mm2(毫米2)及/或等於或小於45 mm2(毫米2)。 光學元件的光輸入面可配置於遠離該發光裝置的發射 面’藉此在發光裝置與光學元件之間形成一間隙,即是在 光輸入面與發射面之間。因此,在發光裝置與光學元件之 間不需要折射率匹配。距離(即是間隙的寬度)可等於或大 於約0.8 mm (毫米)及/或可等於或小於約2 mm(毫米),進一 步等於或大於約1 mm(毫米)及/或等於或小於約1 .5 mm(毫 米)。間隙寬度愈大’光源的壽命愈高,因爲可使用氣體(例 如空氣)塡滿的間隙可在發光裝置與光學元件之間提供熱 隔離’以及具有接近發射面的高強度的發射電磁輻射的薄 弱化。 此外,光輸入面的面積可大於發射面的面積,所以(關 聯於如上述的光輸入面的凹曲度)從發射面垂直的表面偏 離的方向所發射的光係有效地耦合至該光學元件。該光輸 入面的面積與該發射面的面積的比率可等於或大於約2, 及/或可等於或小於約5,例如4。 本發明的進一步特徵、具體實施例及優點,將在下文 中配合根據附圖的示範性具體實施例之描述來揭示。 【實施方式】 第1 A圖係顯示根據至少一具體實施例的光源1 〇 〇之截 -11- 200912181 面示意圖。光源100包括發光裝置1與光學元件2。 發光裝置1是在第1B圖中更加詳細顯示,且將先描 述。發光裝置1包括一 LED 11,其具有具有一主動區15 之半導體層序1 4。在此特別具體實施例中顯示的半導體序 1 4是基於一氮化物半導體材料,且僅作爲範例,在施加電 流至主動區1 5時,提供藍光發射。一發光轉換器1 6(形成 爲應用於半導體層序14的一層)係經由藍光的吸收及重新 發黃光,將藍光部分轉換成黃光。發光轉換器16的表面 1 8係形成LED 1 8的發射面,其特徵爲如虛線所指示的— 垂直面1 9。 主動區15所發藍光的吸收槪率(且如此爲轉換成黃光 的槪率)是與在發光轉換器16中的藍光之光程長度有關。 因此,在與垂直表面19(如光束方向B1所指示)有關的小角 度下’通過發光轉換器16的光會經歷比在一較大角度(如 光束方向 B2所指示)下通過發光轉換器16的光更小的吸 收槪率。因此,在小角度下(例如沿著方向B 1 ),從發射面 18發射的藍光之百分率係比在一較大角度下(例如沿著方 向 B2)從發射面發射的藍光之百分率更高。因此,相關於 垂直表面之小視角下,外部觀測者所觀察的光係比在一較 大視角下觀察的光來得更藍,其實際上係更黃,所以LED 1 1的色彩效果係取決於視角。 如第1 A圖所示,發射面1 8所發射的光係經由光輸入 面21進入光學元件2。該光係通過光學元件2,並從光輸 出面22放射,其依次具有比光輸入面21更大的表面面積。 200912181 光輸出面22的面積與光輸入面21的面積之比率係選擇來 提供在光輸出面22上,達成所需光束所需之想要的瞄準。 光輸入面21與光輸出面22係由平面、非彎曲側面23連 接。光學元件2係利用一透明材料製成,其係爲(僅作爲範 例)聚碳酸酯。 由於光學元件2的光滑面,所以如在該說明書的一般 部分所討論的展度保留係傾向應用於如第1圖所示在紙 平面(垂直面)中的光瞄準及在與紙平面(水平面)垂直的一 平面中的光瞄準。因此,相較於從發光裝置發射面所發射 的光圖案之態樣比率,從光輸出面22出現的光束之態樣比 率可被光學元件所改變。此配合於第3A圖和第3B圖而更 加詳細顯示。 光輸入面2 1係呈凹曲形,且因此相關於光學元件2的 體積呈向內彎曲。光輸入面21的曲度與發射面的距離及大 小和發光裝置1的_射圖案有關。因此,光輸入面2 1可覆 蓋一立體角,其至少係接近從發光裝置1的發射面18的發 光所覆蓋。此外,由於光輸入面2 1的曲度,所以進入光學 元件2的光折射在甚至與垂直表面19有關的大角度時可最 小。如進入光學元件2的光線係幾乎垂直於光輸入面2 1, 散射角度在光輸入面21係保持較小,所以由於散射的一效 率降低可降到最小或甚至避免。相反地,由於光係來自如 從光輸出面2 2所見的一顯然「較小」發光裝置,所以在光 輸出面22的散射係比在光輸入面2 1的散射更可幫助改善 亮度及/或彩色同質性。因此,由於光輸入面2 1的固定曲 200912181 度,所以在光輸入面2 1的光散射與折射控制可幫助改善從 光輸出面22所放射光的同質性,並經由光學元件2提供發 射面18的一同質放大。 光輸入面21可設計爲例如布爾(Boolean)差値,其係藉 由從一類似錐體或類似角錐的光學元件「扣除」一橢圓體、 一球體或任何其他適當彎曲體積。布爾(Boolean)差値爲一 眾所週知的建構法,特別是在兩體積之間的差,其中一第 二表面(例如橢圓體或球體)是從一第一體積(例如「原始」 光學元件)予以「扣除」,其中表面的部分與在第二體積內 的第一體積的體積係被修整,而保留第一體積的表面的其 餘部分。此外’表面的部分與在第一體積內的第二體積之 體積係受到保護,而第二體積的其餘表面係被修整。若一 表面係爲沒有包圍一體積的張開面,有關另一體積的表面 方向係指示表面的「外部」。同樣地,可設計光輸出面22。 光學元件2係相關於發光裝置1來配置,所以光輸入 面21係面對發光裝置的發射面18,如此在發光裝置與光 學元件2之間有至少1 m m (毫米)的空隙3。如上述,由於 光學元件2與發光裝置1的熱隔離,大的空隙3可幫助改 善光源100的壽命時間。由於光輸入面21的凹曲度,多達 9 0 %的大百分比及發光裝置所發射的更多光可有效地耦合 至甚至在大空隙3的光學元件2中。由於凹曲度,光輸入 面2 1的面積可相關於發射面1 8的面積保持在適度大小。 僅作爲範例,在顯示的具體實施例中,光輸入面面積與發 射面面積的比率係約4。 -14- 200912181 如在第1A圖中的由示範性光線Dl、D2、和D3所表 示者,從發光裝置發射的電磁輻射的第一部分係經由光輸 入面21進入光學元件2,並直接通過光學元件2而至光輸 出面22。電磁輻射的第一部分藉此照明整個光輸出面22。 由於直接照明光輸面22的光之第一部分是在與發射面i 8 的垂直面19有關的小角度下,從發光裝置1的發射面18 發射,所以光的第一部分係呈現得更爲藍色,如同上列相 關於第1 B圖的描述。電磁輻射的第二部分(藉由示範性光 線II、12和13所指示)係經由光輸入面21進入光學元件2, 並撞擊側面23。在側面23,電磁輻射的第二部分係經由朝 向光輸出面22的整個內反射而反射。在側面23反射之後, 電磁輻射的第二部分係間接照明整個光輸出面2 2。由於間 接照明光輸出面2 2的光之第二部分係在比電磁輻射的第 一部分更大的與發射面1 8的垂直表面1 9有關的角度下, 從發光裝置1的發射面1 8發射,所以光的第二部分係呈現 爲更黃色,如同上列相關於第1 B圖的描述。 因此,由於直射光線(形成電磁輻射的第一部分)是從 在接近表面垂直方向1 9的發光裝置發射,且間接射線(其 係在側面23反射且形成電磁輻射的第二部分)是在指向進 一步遠離垂直面19的方向,從發光裝置發射,且直接與間 接射線係照明整個光輸出面22,電磁輻射的第一部分愈帶 藍色、且電磁輻射的第二部分愈帶黃色是,其在從光輸出 面22出現的光束中充份混合。因此,光源1〇〇提供發光的 良好色彩同質性,特別地係在遠場。 200912181 在下文中,第2圖至第3B圖係顯示在進一步具體實施 例中的光源1 0 0之修改,所以只描述第1 A圖與第1 B圖的 具體實施例的差異。 如在第2圖的截面圖所示的光源200包括一發光裝置 1,其包括複數個LED 11。複數個LED 11係配置在一外殼 1 2中,並以2 X 3 LED的矩形陣列形成。外殼1 2可放置 在保持構件1 3,其亦支撐光學元件2,如虛線所示。或者, 保持構件1 3可爲外殼1 2的部分。 光學元件2的光輸出面22係凸曲面,如此相關於光學 元件2的體積而向外凸出。凸曲度可作用類似一透鏡,並 進一步提供從光輸出面22發射光的瞄準或散射。 第3 A和3 B圖係以兩頂視圖來顯示光源3 0 0的進一步 具體實施例,其中第3 A圖的視圖係沿著在第3 B圖中所指 示的方向A,且在第3 B圖的視圖係沿著在第3 A圖中所指 示的方向B。 發光裝置1 (如虛線所示)係類似與第2圖關連而顯示的 發光裝置,特別地係包含2 X 3 LED的LED陣列。 光源3 00的光學元件2具有如第2圖顯示的凸曲光輸 出面22、及具有八邊形周長的八邊形截面。光輸入面21 具有一周長,其係根據發光裝置1的發射面18的矩形形 狀,在上述的橢圓幾何中爲矩形。連接光輸入面21至光輸 出面22的側面23爲三角形與梯形形狀,以將光輸入面2 1 的矩形形狀周長轉換成光輸出面22的八邊形狀周長。如上 述,光源3 00的光學元件2係將由發光裝置1所發射的光 -16- 200912181 圖案的縱橫比(其係受到發射面18的矩形形狀的影彳 成具有縱橫比1的一更對稱光束形狀。沒有三角形 時(即是若光輸出面的周長爲方形形狀)’從光輸出ΐ 現的光束本質將會是方形。三角形各邊2 3係「切除 布的「角落」,如此建立從光輸出面2 2發射的光束 質圓形遠場分布。 在下文之第4Α圖至第4C圖中,其係顯示了從光 的光輸出面22所發射的光束之模擬。對於那些特別 言,1.3 mm(毫米)的距離係選擇在發光裝置1的 1 8 (其係假設爲如上述的2X3 LED陣列)與光學元件 輸入面21之間。發射面18的面積是6·59 mm2 (毫珠 具10.50 mm(毫米)的周長,其中該等LED之每一者 1 mm2(毫米2)的面積。每一 LED的光通量係假設爲 黃光與0.3 lm藍光,造成發光裝置1的61m之 (Lambertian)光通量。在聚碳酸酯光學元件2中的吸 略。光輸入面21的面積係假設爲28.68 mm2 (毫米2 長爲21.05 mm (毫米)。這些設定造成發光裝置1的 8 8 %耦合至光學元件2。光學元件2的長度(即是在 面21與光輸出面22之間的距離)與光輸出面22的 其中選擇以產生從輸出面發射的一光束,其具有來 與間接光線約3 8°的張開角(即是如上述電磁輻射的 第二部分)。張開角認爲是圓錐體的張開角,其尖端 光裝置1的發射面1 8的中心之後面。選擇的張開角 電磁輻射的第一與第二部分之大約相等比率。 響)改變 側面2 3 S 22出 」光分 的一本 ^源 3 0 0 模擬而 發射面 2的光 :2),且 具有約 0.97 lm 總朗伯 收可忽 ),且周 發光的 光輸入 面積, 自直接 第一與 是在發 係建立 200912181 在第4A圖中’其係顯示了在光輸出面22後面5〇〇毫 米位置的模擬光束圖型’其中已模擬了三億條射線。如圖 所示,從光輸出面22出現的光束在遠場具有一圓形狀,且 不包a可見亮度或色彩的圖案或不均勻性。第圖係顯示 在來自第4A圖中的光束中心的水平及垂直方向(實線與虛 線)中的亮度分布。亮度分布係顯示38。的想要張開角(注 意,在第4B圖中’ 19°的張開角的一半係表示最大亮度的 一半)、及從光束的中心的平穩強度減少。強度的降低係少 3 0°張開角的10%。模擬光源的效率爲遠離牆壁5 00 mm(毫 米)的75%。弟4C圖顯τρ: CIE X和y坐標中的色彩分配。 從圖可輕易看出’色彩分布中沒有可見的不均勻性。 因此’揭示的光源係提供良好的白色混色,其中led 1 1的異質輻射圖案係經由單一光學元件2而均質化,造成 一均勻與均質的輸出光束。 第5圖係顯示一光源的模擬’其係類似在關聯於第4 a 圖至第4C圖所述的光源,其中在發光裝置1與光學元件2 之間的間隙係以0 · 3 m m (毫米)至1 m m (毫米)減少。在此模擬 中,可獲得略微增加78%的效率、略低的峰値強度(降低5%) 與40°張開角形成的略寬光束圖案特徵。如前述的模擬, 沒有獲得色彩或亮度不均勻性。 第6圖係顯示一光源的模擬,其係類似關聯於第4A 圖至第4C圖所述的光源’其中發光裝置係從其中心位置向 側面偏移0.3 m m (毫米)。相較於關聯於第4 A圖至第4 C圖 顯示的模擬’獲得了效率略微減少(7 4 % ),然而沒有獲得光 200912181 束圖案與光束均勻差異。 這些模擬顯示,如在描述的一般部分以及配合於圖式 所描述的光源之具體實施例係提供(對照於普遍使用的反 射器、透鏡 '透鏡陣列及/或擴散性結構)在發光裝置1與 光學元件2之間的一有效率光耦合、在光輸出面22與在遠 場的一均勻亮度與色彩分布、排列與製造偏差與誤差的容 許度,光源提供發射面的均勻放大(當從遠處看,均勻分布 在不同光程之中)。光源進一步提供一高壽命時間,只需一 ( 點空間,及確保物體的照明,而不會在這些物體背後的牆 壁上建立多個色彩陰影,即使LED陣列使用在發光裝置。 本發明的範疇並未侷限於在此描述的示範性具體實施 例。本發明是以任何新特徵及特徵的任何新組合具體實 施,包括在此揭示、以及在文後申請專利範圍中所述特徵 的任何組合,即使新特徵或特徵的組合未明確在文後申請 專利範圍或在具體實施例中描述。 【圖式簡單說明】 ί : 第1Α圖至第3Β圖係顯示根據不同具體實施例的光源 之示意圖; 第4 Α圖至第6圖係顯示根據不同具體實施例的光源之 光束特徵測量。 在該等圖式中,具類似功能或功能性的類似元件或一 些元件係以類似的參考數字來表示。關於彼此的顯示元件 及其尺寸並未打算依比例繪出。相反地,一些或所有元件 (例如層、裝置、及/或部件、元件及其區域)的尺寸及/或厚 -19- 200912181 度予以放大,以提供對顯示具體實施例之更佳瞭解。 【主要元件符號說明】 f
1 發光裝置 2 光學元件 3 空隙 11 發光二極體 12 外殼 13 保持構件 14 半導體層序 15 主動區 16 發光轉換器 18 發射面 19 垂直面 2 1 光輸入面 22 光輸出面 23 側面 100 光源 200 光源 3 00 光源 A 方向 B 方向 B 1 光束方向 B2 光束方向 D 1 光線 -20 - 200912181 D2 光 線 D3 光 線 11 光 線 12 光 線 13 光 線

Claims (1)

  1. 200912181 十、申請專利範圍: L 一種光源,其包括: 一發光裝置(1 ),其係從一發射面(1 8)發射電磁輻 射;及 一光學元件(2),其具有—光輸入面(21)、一光輸出 面(22)與多數側面(23),其係將該光輸入面(21)連接至該 光輸出面(22), 其中 r 該光輸入面(21)係位在發光裝置(1)的光程,該電磁 輻射係透過該光輸入面(21)以進入該光學元件(2);及 該光輸入面(21)具有一凹曲度;及一面積,其係小於 該光輸出面(22)的面積。 2 ·如申請專利範圍第1項之光源,其中 該光輸入面(2 1)是一橢圓體、一球體、一橢圓拋物面 或其任何混合的一部分。 3 ·如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 1 該光輸入面(21)具有多邊形狀的周長。 4 ·如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光輸入面(2 1)的周長具有矩形狀。 5 .如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該等側面(2 3 )是平表面。 6 .如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光輸出面(22)具有曲度。 7 ·如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 -22 - 200912181 該光輸出面(22)具有凸曲度。 8 ‘如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光輸出面(2 2)具有周長,該周長具有多邊形狀。 9.如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光輸出面(22)的周長具有八邊形狀。 1 〇.如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光學元件(2)是非成像。
    1 1 _如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光學元件(2)包括聚碳酸酯。 1 2 ·如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該發光裝置(1)包括至少一個發光二極體(11)° 1 3 .如前述申請專利範圍中之光源,其中 該發光裝置(1)包括發光二極體陣列(11)° 1 4.如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光學元件(2)的該光輸入面(21)係與該發光裝置 (1)的發射面(1 8 )相隔一距離而配置,在該發光裝置(1)與 光學元件(2)之間形成間隙(3);及 該相隔距離係等於或大於約〇.8mm(毫米)’及等於或 小於約2mm(毫米)。 15. 如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該光學元件(2)的該光輸入面(21)的面積係大於_ # 光裝置(1)的發射面(18)的面積。 如前述申請專利範圍中之光源,其中 面積的比 該光輸入面(21)的面積與該發射面(18)的 -23 - 16. 200912181 率係等於或大於約2 ’且等於或小於約5。 1 7 ·如前述申請專利範圍中任—項之光源,其中 該進入光學元件(2)的電磁輻射的一部分係撞擊側面 (23)’並經由全內反射加以反射》 1 8 _如前述申請專利範圍中任一項之光源,其中 該電磁輻射的第一部分係直接照明該光輸出面 (22);及 該電磁輻射的第二部分係在該等側面(23)反射至該 光輸出面(22)之後,照明該光輸出面(22), 其中 該電磁輻射的第一部分與第二部分係分別完全照明 該光輸出面(22)。 -24 -
TW097119850A 2007-05-31 2008-05-29 Light source TW200912181A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07010836.0A EP1998102B8 (en) 2007-05-31 2007-05-31 Light source

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200912181A true TW200912181A (en) 2009-03-16

Family

ID=38567061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097119850A TW200912181A (en) 2007-05-31 2008-05-29 Light source

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8944657B2 (zh)
EP (1) EP1998102B8 (zh)
KR (1) KR20100084468A (zh)
CN (2) CN101711327B (zh)
TW (1) TW200912181A (zh)
WO (1) WO2008145360A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010113113A1 (en) * 2009-04-02 2010-10-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device and luminaire
US8465190B2 (en) 2009-05-22 2013-06-18 Sylvan R. Shemitz Designs Incorporated Total internal reflective (TIR) optic light assembly
JP4576491B1 (ja) * 2009-08-24 2010-11-10 フェニックス電機株式会社 発光装置
CN102280566A (zh) * 2010-06-09 2011-12-14 北京汇冠新技术股份有限公司 一种红外发射管及触摸屏
DE102010042611A1 (de) * 2010-10-19 2012-04-19 Osram Ag LED-Modul und Beleuchtungseinrichtung
US9103526B2 (en) 2010-11-09 2015-08-11 Osram Gmbh Phosphor assembly with phosphor element and optical system
CN104763921A (zh) * 2010-12-23 2015-07-08 四川新力光源股份有限公司 大功率led照明装置
JP5548153B2 (ja) * 2011-03-01 2014-07-16 株式会社ユーテクノロジー 発光ダイオード照明装置および発光ダイオード照明用部材
TWM416736U (en) * 2011-06-03 2011-11-21 Lustrous Technology Ltd Light guide structure and lamp structure
HU4053U (en) * 2011-10-28 2012-01-30 Zsolt Nagy Luminaire for public lighting
GB2497942B (en) 2011-12-22 2014-08-27 Univ Glasgow Optical element
DE102012211938B4 (de) * 2012-07-09 2015-07-16 Oktalite Lichttechnik GmbH Reflektor mit ebenen Reflektorflächen
TWI461737B (zh) * 2012-12-12 2014-11-21 Univ Nat Taiwan Science Tech 放光透鏡模組
CN103943759B (zh) * 2013-01-21 2018-04-27 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 包括发光含钆材料的物件及其形成工艺
PT3345042T (pt) * 2015-09-05 2022-02-18 Leia Inc Colimador de superfície dupla e ecrã eletrónico 3d com retroiluminação baseada em rede, utilizando o mesmo
CN105280789A (zh) * 2015-09-18 2016-01-27 创维液晶器件(深圳)有限公司 一种量子点led
KR102322461B1 (ko) * 2017-08-08 2021-11-05 에스엘 주식회사 차량용 헤드 램프
US20230392768A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-07 Dicon Fiberoptics, Inc. Highly efficient light extraction system for led chip arrays

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS48102585A (zh) * 1972-04-04 1973-12-22
US6896381B2 (en) 2002-10-11 2005-05-24 Light Prescriptions Innovators, Llc Compact folded-optics illumination lens
DE10314524A1 (de) * 2003-03-31 2004-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Scheinwerfer und Scheinwerferelement
DE602004026739D1 (de) 2003-08-22 2010-06-02 Konica Minolta Opto Inc Lichtquelleneinrichtung und optische erfassungseinrichtung
CN100429710C (zh) * 2003-08-22 2008-10-29 柯尼卡美能达精密光学株式会社 光源装置和光拾取器装置
JP4636804B2 (ja) * 2004-01-27 2011-02-23 キヤノン株式会社 3次元構造体の製造方法
US7172319B2 (en) * 2004-03-30 2007-02-06 Illumination Management Solutions, Inc. Apparatus and method for improved illumination area fill
US20080062682A1 (en) * 2004-09-24 2008-03-13 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Illumination System
WO2006043195A1 (en) * 2004-10-18 2006-04-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. High efficiency led light source arrangement
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
WO2006109113A2 (en) * 2005-04-12 2006-10-19 Acol Technologies Sa Primary optic for a light emitting diode
JP5122565B2 (ja) * 2006-07-31 2013-01-16 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 集積光源モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN102518949A (zh) 2012-06-27
EP1998102B8 (en) 2018-03-21
CN101711327B (zh) 2012-01-11
EP1998102B1 (en) 2017-12-13
US20110044037A1 (en) 2011-02-24
EP1998102A1 (en) 2008-12-03
CN101711327A (zh) 2010-05-19
US8944657B2 (en) 2015-02-03
WO2008145360A1 (en) 2008-12-04
KR20100084468A (ko) 2010-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200912181A (en) Light source
US10677981B2 (en) Large area light source and large area luminaire
JP4861328B2 (ja) 照明システム
KR101214135B1 (ko) 광 엔진
CN101140384B (zh) 光源
US7780317B2 (en) LED illumination system
US20100110673A1 (en) Luminaire with leds
TWI537523B (zh) 光學透鏡以及應用該光學透鏡的發光元件
JP2008515139A (ja) 照明システム
US8690395B2 (en) Efficient light emitting device and method for manufacturing such a device
US9976707B2 (en) Color mixing output for high brightness LED sources
WO2019165741A1 (zh) 光源系统及照明装置
US8157411B2 (en) Illuminating device
US10066793B2 (en) LED luminaire
TW201506321A (zh) 發光二極體光源模組
CN108692205A (zh) 照明装置和探照灯
JP2013161561A (ja) 光源装置および照明装置
TWI480489B (zh) 發光二極體光控制透鏡及其光源裝置
KR101848842B1 (ko) 레이저 조명 장치
TWM277003U (en) Concentrating lens having the effect of uniform lights
TW202040054A (zh) 照明裝置
TW201511343A (zh) 發光裝置
JP2013131438A (ja) 照明装置