200905742 九、發明說明： 〔發明所屬技術領域〕 〔0001〕 本發明係有關利用轉矩變化之硏磨終端時間點檢知方 法及其裝置者，特別是冇關一抑利用轉矩變化之硏磨終端 時間點檢知方法及裝置，係於化學機械硏磨加工 (CMP:Chemical Mechanical Polishing)中一邊即時地除 去連續變動的週期性雜訊一邊監視轉矩波形的變化並能精 確地檢知導電性膜之硏磨終端時問點。 〔先前技術〕 〔0002〕 可知有作成在對晶園上的導電性膜進行化學機械硏磨 之際，監視轉矩波形的變化以檢出該導電性膜之硏磨終端 時間點者（例如，參照專利文獻1 )。在硏磨晶圓上的導電 性膜之際所測定的轉矩波形係包含各式各樣的干擾。如何 加工這樣的轉矩波形、以及_檢出什麼樣的變化，在確寅地 檢出硏磨終端時問點上係成爲重點。 〔0003〕 對此，在有關其他的習知技術方面，可知有例如以下 那樣的終點檢出方法。此習知技術爲，針對表示硏磨時間 -轉矩變化的關係之輸入波形，假想成轉矩變化量爲縱邊 h、硏磨時間幅度爲横邊w之適宜大小的盒子（BOX )。而且， 在該盒子之一縱邊h的h/2的點，將前述波形輸入該盒子 內，看該输入波形是與盒子的哪個邊交叉並跑出盒子外以 200905742 解析轉矩變動。亦即I分類成把輸入波形與上邊交叉並跑 出時設爲「上」，與下邊交叉並跑出時設爲「下J、以及在 與另一縱邊交叉並跑出時設爲「側面J等3種來監視轉矩 變化的傾向。此盒子法，係作成透過調整盒子的尺寸來解 析輸入波形的軌跡，N時在反複峰和谷那樣的输入波形， 將檢知第η次的峰或谷的時問點當作硏磨終點予以檢出 (例如，參照専利文獻2 )。 〔0004〕 再者，有關其他的習知技術方面，可知有例如以下那 樣的硏磨終點檢出裝匱。此習知技術爲，在將與附著在基 底材料上的不同於該基底材料的附著材料硏磨除去之硏磨 裝置中，具有：計測機構，其訃測平臺驅動用的第1旋轉 軸及使被硏磨物旋轉的第2旋轉軸當中至少…方的轉矩； 及判定設備，判定由該訃測機構所計測之轉矩及該轉矩的 時間微分値當中至少·方既變化到預先賦與的設定値以 上，在前述計測機構的次段，插人具有比前述第1旋轉軸 的旋轉數和第2旋轉籼的旋轉數當中較大者的旋轉數還低 的截止頻率之低通濾波器或是具有與前述第1旋轉軸的旋 轉數和第2旋轉軸的旋轉數常中至少一者的旋轉數相當的 陷波頻率之陷波濾波器並由訃测轉矩除去雜訊*再由前述 判定設備的判定結果來檢出硏磨終點（例如，參照專利文 獻2 )。 (專利文獻1〕美國專利第5069002號說明書。 [專利文獻2〕美國專利第5 1 90614號說明書。 [專利文獻3〕特開平6-315850號公報。 200905742 〔發明內容〕 〔發明所欲解決之課題〕 〔0005〕 在專利文獻1所記載的習知技術中，透過監視在硏磨 之際所測定的轉矩波形而檢出硏磨終端時問點。然而，轉 矩波形係包含各式各樣的干擾》因此，以光是單純地監視 道樣的轉矩波形的變化ifil Η，足無法檢出硏磨終端時問點 的。以進展到實用上的等級方面而言，適切地加工所獲得 之轉矩資料，若沒冇利川仆麼樣的方法來檢出加工後之轉 矩波形是什麼樣變化的話，則無法適用於實際的製程。 〔0006〕 在專利文獻2所記載的習知技術中，係作成在表示硏 磨時間一轉矩變化的關係之輸人波形是反複峰和谷那樣的 波形，將所檢知的第η次的峰或谷的時間點當作硏磨終點 予以檢出》然而，晶圓上的礴電性膜硏磨時之轉矩變化係 在硏磨終點時作突發性地減少等之變化。因此，當適用於 盒子時，具有所謂的若未滿足檢知η次迚續的「上」或「下」 的條件就無法檢出硏磨終點的問題點，在監視有個體差之 晶圓上的導電性膜之硏艄轉矩的情況，係造成錯誤檢出硏 磨終點。而且’轉矩變化的解析乃是以從轉矩波形输入盒 子內之後等到跑出該盒子外爲lh的所謂「0」、「1 j之數位 式判斷而進行著。因此，波形的梯度程度（數値）之解析 不明且難以和應用算式並用，冏時難以即時檢出硏磨終 端。又、硏磨墊的表面狀態等飄移成份之干擾無法除去。 200905742 〔0007〕 在專利文獻3所記載的習知技術中，作成使用低通濾 波器及陷波濾波器除去雜訊，利m已除去此雜訊的轉矩或 該轉矩的微分値來檢出硏磨終點。以下，針對與轉矩波形 有關連的干擾除去方法、以及在已除去干擾要尜的狀態下如 何判別與硏磨終點有關係的資訊等，茲針對此專利文獻3 所記載的習知技術（以丨、，你稱爲此習知技術）和本發明 中的情況，叙述其不同點。 〔0008〕 在此習知技術中，使用低通濾波器及陷波濾波器來除 去干擾。但是，例如，在僅是低通濾波器的情況，不可能 除去低週期的雜訊。於是，爲除去這樣的週期性雜訊，係 利用陷波濾波器來除去起因於平臺及硏磨頭的旋轉之週期 振動。又，在此習知技術作爲對象的加工材料*係形成平 面狀的磁性體裝匱、光學部件 '電鉍配線、光配線等。但 以這一-連串的部品來說，進入硏磨中的雜訊狀態，係假想硏 磨初期及結束前诗爲‘龙，Π.假想慚在硏磨結朿附近變化 的情況。因此，應除去的週期振動，也只不過是除去所謂 的平臺和硏磨頭之旋轉的固芷週期成份而已。 〔 0009〕 相對地，在本發明所處理之硏磨對象材料上所產生的 振動與這樣大幅度的硏磨加:」：製程中的振動狀態明顯不 同。首先，在本發明所處埋的平坦化製程中，晶圓的表面 存在有微小凹凸，欲透過將其微小凹凸平坦化而形成多層 配線等。又，這樣的微小lu丨凸雖在具有起伏的晶圓表面狀 200905742 態形成一樣，但是在進行硏磨時，要求一邊隨著這樣的起 伏均一地硏磨一邊將微小凹凸漸漸平坦化。因此，在硏磨 初期的晶圓表面狀態與硏磨結束直前的晶圓表面狀態，在 硏磨時的摩擦狀態明顯不冏。初期囚爲有微小凹凸所以摩 擦力大，伴隨而來的是混入來&丨各柿構件之固有振動的干 擾。 〔0010〕 但是，在硏磨結束附近，因爲達成可確保用以形成多 層配線的步進機（Stepper)之焦點深度的程度之充分的平 坦化，所以晶圓表面較平滑，摩擦力亦小。因此，伴隨其之 起因於各種構件的间苻振勋之干擾要索的混入程度亦小》ώ 以上情事可知，以使用於本發明所處理之裝置晶圓平坦化 的硏磨製程而言，在硏臍初期和結束附近振動狀態係明顯 有變化，混入轉矩波形的干擾狀態也有大的變化。 〔0011〕 在此習知技術中，雖已述及除去固定的雜訊之方法，但 此方法終究無法利用於除去裝罔品圓平坦化中之帱矩波形 的干擾成份。原因在於，以平則化CMP來說，與其說是平 臺或硏磨頭之阁定的週期成份*倒不如說是受即時且連續 地持續變動的週期成份之干擾要尜所支配的》因此，有關 裝置晶圓平坦化中之轉矩波形的干擾除去方法方面，並非 要求除去固定的週期性雜訊，而是要求除去即時且連續變 動的週期性雜訊。 〔0012〕 再者*在半導體裝茼品_之平坦化所需的CMP中，轉 200905742 矩變動的要因不僅是晶岡的狀態。甚於修整而變化之硏磨 墊的表面狀態亦成爲轉矩變動之大的要因。例如，利用修 整效果大的修整器進行修整的情況，硏磨墊表面因爲被進 行大修整（明顯），所以晶_和硏磨墊間之摩擦力變大，結 果所監視之轉矩也變大。相反地，在未進行修整的情況， 因爲硏磨墊會堵塞，所以晶圆成爲在硏磨墊上滑動的狀 態，所監視的轉矩係變小。 〔0013〕 本發明中*屢次依硏臍製程不N而存在臨場修整 (in-situ dressing)的情況或間隔修整（interval dressing)的情況等。臨場修整係指一邊硏磨一邊同時進 行修整的情況。間隔修整則是在硏磨與硏磨之間執行修整 者，硏磨中並不進行修整。特別是間隔修整的情況，於硏 磨前進行修整，但硏磨中不進行修整，所以在硏磨中，硏 磨墊的表面堵塞狀態雖微小但係慢慢地進展著。其結果， 與晶圓的表面狀態無關，即使是在硏磨通常的覆式 (blanket)氣化膜品麻丨之悄況，硏磨轉矩還是會慢慢地降 低。 〔0014〕 又，即使在臨場修幣的情況，蒞是配合硏磨墊的堵塞 而即時地進行與其硏磨墊面內之堵塞程度配合的修整的 話，則原理上轉矩係成爲一定。但實際上是使用小型的修 整器，透過使其修整器掃描於硏磨墊半徑方向而進行修 整。因此，原理上是無法一次就能解消硏磨墊之堵塞，在 平裹一次旋轉當中，山於只有硏磨墊的一部份被修整’結 10 200905742 果觀察到所監視的轉矩亦非完全一定，乃是與修整器的掃 描相應的轉矩波形。 〔0015〕 如此，在實際監視轉矩的情況，並非一定僅監視起因 於晶圓表面狀態之轉矩變動者》與硏麽中之硏磨墊的狀態 或修整的狀態相應之轉矩變動亦進入成爲干擾要素。起因 於硏磨墊的表面狀態之干擾要尜爲，因爲波形是以一種飄 移方式和緩地變化，所以無法當成先前所示的那種週期性 雜訊予以除去。而且很清楚的足，就算是低通濾波器亦無法 予以除去。由這樣的情事可知，就算是除去了週期的波形 之變動，仍難以除去伴隨著硏臍墊的表面狀態變化之和緩 變動的雜訊，以此習知技術的方法而言，預測將對這樣的干 擾作出錯誤檢測。 〔0016〕 於是衍生出應解決如下的技術課題，亦即、一邊即時地 除去連續變動的週期性雜訊一邊監視轉矩波形的變化，例 如’一邊除去起因於修幣條件或硏磨墊的狀態之飄移雜訊 等的非起因於晶圓狀態的雜訊、一邊切開該雜訊成份而純 粹檢知起因於晶圆狀態之轉扪波形的變化，而在硏磨結束 時間點的晶圓狀態中精確地檢知硏磨終端時間點，而本發 明之目的就在於解決此課題。 〔解決課題之手段〕 [0017〕 本發明係爲逹成上述β的而提案者，申請專利範圖第1 11 200905742 項記載的發明係提供一棉利用轉圯變化之硏磨終端時問點 檢知方法，係將表而冇微小凹凸之既定的膜之晶圓保持於 硏磨頭，使前述硏磨頭一邊在會旋轉的平蠱表面所設置的硏 磨墊旋轉一邊按壓前述既定的膜而進行硏磨，監視隨著該 硏磨的進行而變化之表示硏磨轉矩之資料，檢知前述既定 的膜之硏磨終端時間點，其特徴爲，具柯：計測前述轉矩 或與該轉矩對應的指標之第1步驟；對其II·測的資料施以 傅立葉變換以分析前述資料中的週期成份之第2步驟；依 據前述週期成份算出丨Π以除去週期性雜訊成份的移動平均 處理時間之第3少驟；依據即時算出的前述移動平均處理 時間，對前述資料進行平均處理以修正波形之第4步驟： 以及依據其已修正之轉矩波形的變化，檢知前述既定的膜 之硏磨終端時間點之第5少驟》 〔0018〕 依據此構成，既定的膜之表面因爲有微小凹凸所以摩 擦力大，伴隨而來的是，在硏磨轉矩中持續混入來自硏磨 機械中的各種構件之固柯振動的丨·擾。透過對表示這樣的 硏磨轉矩之資料施以傅立葉變換，分析與平臺馬達或硏磨 頭馬達的旋轉冋少產虫之1¾丨定的週期成份及起因於問隔修 整或臨場修整（一邊進行硏麽的修整）等的修整條件或依 該修整而變化之硏磨墊的表面狀態等而即時且連續地持續 變動之週期成份等的該資料中之週期成份》依據此分析的 週期成份以即時算出的最短必要程度之移動平均處理時 間，對前述資料施以平均處理，藉此可從該資料有效率地 求得除去週期性雜訊成份並被修正的轉矩波形。而且，依 12 200905742 據該轉矩波形的變化以適切的時序檢知既定的膜之硏磨終 端時間點。 〔0019〕 申請專利範圃第2項記載的發明係提供一種利用轉矩 變化之硏磨終端時問點檢知方法，係將表面有微小凹凸之 既定的膜之晶圓保持於硏磨頭，使前述硏磨頭一邊在會旋轉 的平臺表面所設置的硏麽墊旋轉一邊按壓前述既定的膜而 進行硏磨，監視隨著該硏磨的進行而變化之表示硏磨轉矩 之資料，檢知前述既定的膜之硏磨終端時問點，其特徴爲， 具有：計測前述轉矩或與該轉矩對應的指標之第1步驟； 對其訃测的資料施以傅立架變換以分析前述資料中的週期 成份之第2步驟；依據前述週期成份來算出用以除去週期 性雜訊成份的移動平均處理時問之第3步驟；依據即時算 出的前述移動平均處理時間，對前述資料進行平均處理以 修正波形的第4少驟：算出其修正後的轉矩波形之一次微 分値，依據硏磨終端附近的一次微分値對既定的硏磨初期 的一次微分値之比或硏磨終端附近的一次微分値與既定的 硏磨初期的-·次微分値之差分當中至少任一者的變化，檢 知前述既定的膜之硏濟終端時問點之第5少驟。。 [ 0020〕 依據此構成，透過監視硏磨終端附近的一次微分値對 既定的硏磨初期的一次微分値之比、抑或硏磨終端附近的 一次微分値和既定的硏磨初期的一次微分値之差分的至少 任一者，在未受到起因於硏磨墊的修整狀態等所導致硏磨 轉矩持續減少之飄移雜訊的影響之下，能適切地檢知既定 13 200905742 的膜之硏磨終端時問點》 (0021〕 申請專利範丨胡第3项記載的發明係提供一種利用轉矩 變化之硏磨終端時問點檢知方法，係將表面有微小凹凸之 既定的膜之晶圆保持於硏磨頭，使前述硏磨頭一邊在會旋轉 的平臺表面所設置的硏磨墊旋轉一邊按壓前述既定的膜而 進行硏磨，監視隨著該硏磨的進行而變化之表示硏磨轉矩 之資料，檢知前述既定的膜之硏磨終端時間點，其特徵爲， 具有：ίΙ·测前述轉矩或與該轉矩對應的指標之第1少驟； 對其計測的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期 成份之第2步驟：依據前述週期成份來算出用以除去週期 性雜訊成份的移動平均處理時問之第3少驟：依據即時算 出的前述移動平均處理時問，對前述資料進行平均處理以 修正波形之第4步驟；進行其修正後的轉矩波形之二次微 分，依據硏磨終端附近之該二次微分波形的變化點，檢知 前述既定的膜之硏磨終端時問點之第5步驟》 〔0022〕 依據此構成，在硏磨終端附近之一次微分的波形，幾 乎所有的情況是取以變化點爲界的上凸下凹的波長到下凸 上凹的波形。當對這樣的硏磨終端附近之區域的一次微分 再施以二次微分時，該二次微分値以前述變化點（極小點） 爲界而由減少轉爲增加。於是，針對轉矩波形施以二次微 分，從該二次微分値由減少轉爲增加的點來求取前述變化 點，依據此變化點，在未受到起因於硏磨墊的修整狀態等 所導致硏磨轉矩持續減少之飄移雜訊的影響之下，能適切 14 200905742 地檢知既定的膜之硏磨終端時問點。 〔0023〕 申請專利範_第4項記載的發明係提供一種利用轉矩 變化之硏磨終端時間點檢知方法，其中在上述第2步驟， 對所計測到的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的複 數個週期成份，在上述第3步驟，算出分別與前述複數個 週期成份對應的複數個移動平均處理時問，在上述第4少 驟，依據即時算出的前述複數個移動平均處理時間，對前 述資料進行複數個平均處理以修正波肜》 〔0024〕 依據此構成，在表示硏磨轉矩之資料中，生成有與平 臺馬達或硏磨頭馬達的旋轉等冏步產也之固定的週期成份 及修整條件或起因於該修牿而變化之硏磨墊的表面狀態等 而即時且連續地持續變動之週期成份等的複數個週期成 份。於是，透過以分別針對此等複數個週期成份所即時算 出的最短必要程度之各移動平均處理時間，對前述資料施 以複數個平均處理，可由該資料獲得既除去複數個週期性 雜訊成份的轉矩波形。 〔0025〕 申請專利範圍第5項記載的發明係提供一種利用轉矩 變化之硏磨終端時問點檢知裝匱，係將表面有微小凹凸之 既定的膜之晶圓保持於硏磨頭，使前述硏磨頭一邊在會旋轉 的平臺表面所設置的硏磨墊旋轉一邊按壓前述既定的膜而 進行硏磨，監視隨著該硏磨的進行而變化之表示硏磨轉矩 之資料，檢知前述既定的膜之硏磨終端時問點，其特徴爲， 15 200905742 具有：計測前述轉矩或與該轉矩對應的指標之轉矩計測設 備；對其計測的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的 週期成份之週期成份分析設備：依據所分析的前述週期成 份來算出用以除去週期性雜訊成份的移動平均處理時間之 平均處理時間算出設備：依據即時算出的前述移動平均處 理時間，對前述資料進行平均處理以修正波形之平均處理 設備：以及、依據其已修正之轉矩波形的變化檢知前述既 定的膜之硏磨終端時間點之第5步驟》 〔0026〕 依據此構成，既定的膜之表面因爲有微小凹凸所以摩 擦力大，伴隨而來的是，在由轉矩訂測設備所訃測之硏磨 轉矩中持續混入來自硏磨機械中之各種構件的固有振動之 干擾。透過對表示這樣的硏磨轉矩之資料以週期成份分析 設備施以傅立葉變換*分析與平臺馬達或硏磨頭馬達的旋 轉同少產生之固定的週期成份及修整條件或依該修整而變 化之硏磨墊的表面狀態等所起因之即時且連續地持續變動 之週期成份等的該資料中之週期成份·•利用平均處理時間 算出設備，依據前述分析的週期成份而即時算出最短必要 程度的移動平均處理時間，利用平均處理設備，以前述即 時算出的移動平均處理時間，對前述資料施以平均處理，藉 此可有效率地從該資料求得已除去週期性雜訊成份並被修正 後的轉矩波形。而且，利用終端時間點檢知設備，依據前 述已修正之轉矩波形的變化以適切的時序檢知既定的膜之 硏磨終端時間點。 16 200905742 〔0027〕 申請專利範圖第6項記載的發明係提供一種利用轉矩 變化之硏磨終端時間點檢知裝_，係將表面有微小凹凸之 既定的膜之晶圓保持於硏磨頭，使前述硏磨頭一邊在會旋轉 的平臺表面所設匿的硏磨墊旋轉一邊按懕前述既定的膜而 進行硏磨，監視隨著該硏磨的進行而變化之表示硏磨轉矩 之資料，檢知前述既定的膜之硏磨終端時間點，其特徵爲， 具有：計測前述轉矩或與該轉矩對應的指標之轉矩計測設 備；對其I丨·測的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的 週期成份之週期成份分析設備；依據所分析的前述週期成 份來算出用以除去週期性雜訊成份的移動平均處理時問之 平均處理時間算出設備：依據即時算出的前述移動平均處 理時間，對前述資料進行平均處理以修正波形之平均處理 設備；算出其修正後的轉矩波形之一次微分値，依據硏磨 終端附近的一次微分値對既定的硏磨初期的一次微分値之 比或硏磨終端附近的一次微分値與既定的硏磨初期的一次 微分値之差分當中至少任·者的變化，檢知前述既定的膜 之硏磨終端時間點之終端時間點檢知設備。 〔 0028〕 依據此構成，透過利用終端時間點檢知設備算出修正 後的轉矩波形之一次微分値，監視硏磨終端附近的一次微 分値對既定的硏磨初期的一次微分値之比或硏磨終端附近 的一次微分値與既定的硏廢初期的一次微分値之差分當中 至少任一者，可在未受到起因於硏磨墊的修整狀態等所導 致硏磨轉矩持續減少之飄移雜訊的影響之下，適切地檢知 17 200905742 既定的膜之硏磨終端時問點。 ， 〔0029〕 申誧專利範圃第7項記載的發明係提供一種利用轉矩 變化之硏磨終端時間點檢知裝匱，係將表面有微小凹凸之 既定的膜之晶圓保持於硏磨頭，使前述硏磨頭一邊在會旋轉 的平臺表面所設匱的硏磨墊旋轉一邊按壓前述既定的膜而 進行硏磨，監視隨著該硏磨的進行而變化之表示硏磨轉矩 之資料，檢知前述既定的膜之硏磨終端時間點，其特徵爲* 具有：計測前述轉矩或與該轉矩對應的指標之轉矩計測設 備：對其胃丨·測的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的 週期成份之週期成份分析設備；依據所分析的前述週期成 份來算出用以除去週期性雜訊成份的移動平均處理時間之 平均處理時問算出設備；依據即時算出的前述移動平均處 理時間，對前述資料進行平均處理以修正波形之平均處理 設1備：以及，進行其修正後的轉矩波形之二次微分，依據 硏磨終端附近的該二次微分波形之變化點來檢知前述既定 的膜之硏磨終端時問點之終端時間點檢知設備。 〔0030〕 依據此構成，利用終端時問點檢知設備對修正後的轉 矩波形施以二次微分，從其二次微分値由減少轉爲增加的 點來求取變化點，依據此變化點，在未受到&因於硏磨墊 的修整狀態等所導致硏磨轉矩持續減少之飄移雜訊的影響 之下，能適切地檢知既定的膜之硏磨終端時間點。 〔0031〕 申誧專利範阖第8項記載的發明係提供一種利用轉矩 18 200905742 變化之硏磨終端時間點檢知裝廣*其中在上述週期成份分 析設備對所計測的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中 的複數個週期成份，在上述平均處理時問算出設備算出分 別與前述複數個週期成份對應的複數個移動平均處理時 間，在上述平均處理設備，依據即時算出的前述複數個移 動平均處理時問，對前述資料進行複數個平均處理以修正 波形。 C 0032) 依據此構成，在表示由轉矩計測設備所計測之硏磨轉 矩之資料中，生成有與平棗馬達或硏磨頭馬達的旋轉等同 步產生之固定的週期成份及修整條件或起因於該修整而變 化之硏磨墊的表面狀態等而即時且連續地持續變動之週期 成份等的複數個週期成份。於是，在平均處理時間算出設 備中，分別即時算出針對前述複數個週期成份的移動平均 處理時間，在平均處理設備利用前述即時算出的各移動平 均處理時間而對前述資料施以複數個平均處理，藉此可從該 資料獲得已除去複數個週期性雜訊成份的轉矩波形。 〔發明效果〕 〔0033〕 申誚專利範圖第1項記載的發明，由於具備：訃測前 述轉矩或與該轉矩對應的指標之第1 1步驟；對其計測的資 料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期成份之第2步 驟；依據前述週期成份算出用以除去週期性雜訊成份的移 動平均處理時問之第3少驟；依據即時算出的前述移動平 19 200905742 均處理時間，對前述資料進行平均處理以修正波形之第4 步驟；以及、依據其已修正之轉矩波形的變化檢知前述既 定的膜之硏磨終端時問點之第5少驟；所以分析起因於固 定的週期成份及修整條件或硏磨墊之表面狀態等而即時且 連績地持續變動之週期成份，依撺此分析的週期成份，利 用被即時算出的移動平均處理時間，對表示硏磨轉矩的資 料施以平均處理，藉此可有效率地求得已除去週期性雜訊成 份的轉矩波形。而且具有所謂依據該轉矩波形的變化能精 確地檢知既定的膜之硏磨終端時問點的優點。 〔0034〕 申誧專利範圔第2项記載的發明，山於具備：計測前 述轉矩或與該轉矩對應的指標之第1少驟：對其計測的資 料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期成份之第2步 驟；依據前述週期成份來算出用以除去週期性雜訊成份的 移動平均處理時間之第3步驟；依據即時算出的前述移動 平均處理時間，對前述資料進行平均處理以修正波形的第4 少驟：以及、算出其修正後的轉矩波形之一次微分値，依 據硏磨終端附近的一次微分値對既定的硏磨初期的一次微 分値之比或硏磨終端附近的一次微分値與既定的硏磨初期 的一次微分値之差分當中至少任一者的變化，檢知前述既 定的膜之硏磨終端時問點之第5少驟：所以，具有所謂的 在未受到起因於硏磨墊的修整狀態等所導致硏磨轉矩持續 減少之瓢移雜訊的影響之下，能精確地檢知既定的膜之硏 磨終端時間點的優點。 20 200905742 C 0035 ) 申誧專利範圖第3項記載的發明，山於具備：胃|·測前 述轉矩或與該轉矩對應的指標之第1少驟：對其訃測的資 料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期成份之第2步 驟：依據前述週期成份來算出川以除去週期性雜訊成份的 移動平均處理時間之第3少驟；依據即時算出的前述移動 平均處理時間，對前述资料進行平均處理以修正波形之第4 步驟；以及、進行其修正後的轉矩波形之二次微分，依據 硏磨終端附近之該二次微分波形的變化點，檢知前述既定 的膜之硏磨終端時間點之第5少驟；所以具有所謂的對轉 矩波形施以二次微分以求得變化點，並依據此變化點，在 未受到起因於硏磨墊的修整狀態等所導致硏磨轉矩持績減 少之飆移雜訊的影響之下，能精確地檢知既定的膜之硏磨 終端時間點的優點》 〔 0036〕 申請專利範圖第4項記載的發明，山於作成在上述第2 步驟，對所胃丨·測到的資料施以傅立葉變換以分析前述資料 中的複數個週期成份，在上述第3步驟，算出分別與前述 複數個週期成份對應的複數個移動平均處理時間，在上述 第4步驟，依據即時算出的前述複數個移勖平均處理時間， 對前述資料進行複數個平均處理以修正波形，所以在表示 硏磨轉矩之資料中是包含有被固定之週期成份及即時且連 績地持續變動的週期成份等之複數個週期成份的情況，透 過以針對此等複數個週期成份所分別即時算出的各移動平 均處理時間施以複數個平均處理，具有所謂可有效率地由 21 200905742 前述資料獲得已除去複數個週期性雜訊成份的轉矩波形之 優點。 〔0037〕 申請專利範圍第5項記載的發明，由於具備：目丨·測前 述轉矩或與該轉矩對應的指標之轉矩計測設備；對其計測 的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期成份之週 期成份分析設備；依據所分析的前述週期成份來算出用以 除去週期性雜訊成份的移動平均處理時間之平均處理時間 算出設備；依據即時算出的前述移動平均處理時間，對前 述資料進行平均處理以修正波形之平均處理設備；以及、 依據其已修正之轉矩波形的變化檢知前述既定的膜之硏磨 終端時間點之第5少驟；所以，在週期成份分析設備分析 固定的週期成份及即時且連續地持續變動的週期成份，在 平均處理時間算出設備依據前述分析的週期成份來即時算 出移動平均處理時問，在平均處理設備以前述被即時算出 之移動平均處理時間，對表示硏磨轉矩的資料施以平均處 理，藉此可有效率地求得已除去週期性雜訊成份的轉矩波 形。而且具有所謂能利用終端時間點檢知設備，依據前述 轉矩波形的變化而精確地檢知既定的膜之硏磨終端時間點 的優點。 〔0038〕 申請專利範圍第6項記‘載的發明，由於具備：計測前 述轉矩或與該轉矩對應的指標之轉矩計測設備；對其計測 的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期成份之週 期成份分析設備；依據所分析的前述週期成份來算出用以 22 200905742 除去週期性雜訊成份的移動平均處理時問之平均處理時問 算出設備；依據即時算出的前述移動平均處理時間，針對 前述資料進行平均處理以修正波形之平均處理設備；以 及、算出其修正後的轉矩波形之一次微分値，依據硏磨終 端附近的一次微分値對既定的硏磨初期的一次微分値之比 或硏磨終端附近的一次微分値與既定的硏磨初期的一次微 分値之差分當中至少任者的變化，檢知前述既定的膜之 硏磨終端時間點之終端時間點檢知設備；所以具有所謂的 利用終端時問點檢知設備，透過監視硏磨終端附近的一次 微分値對既定的硏磨初期的一次微分値之比或硏磨終端附 近的一次微分値與既定的硏磨初期的一次微分値之差分當 中至少任一者，可在未受到硏磨轉矩持續減少之飄移雜訊 的影響之下，能精確地檢知既定的膜之硏磨終端時間點的 優點。 〔0039〕 申請專利範圍第7項記載的發明，山於具備：計測前 述轉矩或與該轉矩對應的指標之轉矩訃測設備；對其目I·測 的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期成份之週 期成份分析設備；依據所分析的前述週期成份來算出用以 除去週期性雜訊成份的移動平均處理時問之平均處理時間 算出設備；依據即時算出的前述移動平均處理時間，對前 述資料進行平均處理以修正波形之平均處理設備：以及， 進行其修正後的轉矩波形之二次微分，依據硏磨終端附近 的該二次微分波形之變化點來檢知前述既定的膜之硏磨終 端時間點之終端時問點檢知設備；所以具有所謂的利用終 23 200905742 端時間點檢知設備，對轉矩波形施以二次微分並求得變化 點，依據此變化點，在未受到硏磨轉矩持續減少之飄移雜 訊的影響之下，能精確地檢知既定的膜之硏磨終端時間點 的優點" (0040〕 申請專利範圖第8項記載的發明，由於作成在上述週 期成份分析設備對所訃測的資料施以傅立葉變換以分析前 述資料中的複數個週期成份，在上述平均處理時間算出設 備算出分別與前述複數個週期成份對應的複數個移動平均 處理時間，在上述平均處理設備，依據即時算出的前述複 數個移動平均處理時間，對前述資料進行複數個平均處理 以修正波形，所以在表示由轉矩計測設備所計測之硏磨轉 矩之資料中是包含有被固定之週期成份及即時且迪續地持 續變動的週期成份等之複數個週期成份的情況，針對此等 複數個週期成份分別即時算出移動平均處理時間，透過在 平均處理設備以此即時算出的各移動平均處理時間，對前 述資料施以複數個平均處理，具有所謂可有效率地由前述 資料獲得已除去複數個週期性雜訊成份的轉矩波形之優點。 〔實施方式〕 〔本發明最佳實施形態〕 (0041〕 爲達成所謂一邊即時地除去連續變動的週期性雜訊一 邊監視轉矩波形的變化，例如，一邊除去起因於修整條件 或硏磨墊的狀態之飄移雜訊等的非起因於晶圓狀態的雜 24 200905742 訊、一邊切開該雜訊成份並純粹檢知起因於晶阒狀態之轉 矩波形的變化，而在硏磨結束時間點之晶圓狀態下能精確 地檢知硏磨終端時問點之目的，係利用了轉矩變化之硏磨 終端時間點檢知方法來實現，係將表面有微小凹凸之既定 的膜之晶圓保持於硏磨頭，使前述硏磨頭一邊在會旋轉的平 臺表面所設匱的硏磨墊旋轉一邊按壓前述既定的膜而進行 硏磨，監視隨著該硏磨的進行而變化之表示硏磨轉矩之資 料，檢知前述既定的膜之硏臍終端時問點，其特徴爲，具 有：旨丨·測前述轉矩或與該轉妒對應的指標之第1步驟：對 其計測的資料施以傅立葉變換以分析前述資料中的週期成 份之第2步驟；依據前述週期成份算出用以除去週期性雜 訊成份的移動平均處理時間之第3少驟；依據即時算出的 前述移動平均處理時問，對前述資料進行平均處理以修正 波形之第4步驟；以及依據其已修正之轉矩波形的變化檢 知前述既定的膜之硏磨終端時問點之第5少驟。 〔實施例1〕 〔 0042〕 以下，茲依圖面來詳述本發明一較佳實施例》首先， 從本實施例所涉及的利用轉矩變化的硏磨終端時間點檢知 裝匱之構成作說明。圖1係化學機械硏磨裝匱之槪略構成 及硏磨終端時間點檢知裝匱的方塊圖。 〔0043〕 圖1中，化學機械硏磨裝置丨主要是由平臺2和硏磨 頭3所構成。前述平皇2形成圆盤狀，在其上面貼附著硏 磨墊4，下面中央則是透過平棗旋轉籼5而與成爲旋轉驅動 25 200905742 源的平臺馬達Μ，連結著。前述硏磨頭3係形成比平臺2側 還小型的圓盤狀，上面中央則是透過硏磨頭旋轉軸6而與 成爲旋轉驅動源的硏磨頭媒達M2連結著。 〔0044〕 化學機械硏磨裝it 1，係以硏磨頭3保持晶圓W，從未 圖示的噴嘴對前述硏磨墊4上一邊供給硏磨漿一邊將晶圓W 上（圖1中的下側）之既定的導電性膜7壓接於該硏磨墊4， 在此狀態，利用前述平棗馬達Mi及硏磨頭馬達Μι分別使平 臺2和硏磨頭3旋轉，對晶闕W上之既定的導電性膜7進 行化學機械硏磨。 〔0045〕 接著，在前述平臺旋轉軸5的部分，安裝有在硏磨終 端時間點檢知裝匱8中作爲轉矩胃I·測設備的轉矩|丨·測部9。 該轉矩計測部9係依平臺旋轉軸5的轉矩而計測表示前述 既定的導電性膜7之硏磨轉矩之資料。此外，表示硏磨轉 矩之資料的計測，亦可取代計測前述平臺旋轉軸5之轉矩， 而改以計測硏磨頭旋轉軸6之轉圯或訃測與流通於平躉馬 達I或硏磨頭馬達M2之電流等的轉矩相應之指檩來進行。 〔 0046〕 在硏磨終端時問點檢知裝匿8，除Γ前述轉矩計測部9 以外，在該前述轉矩計測部9的後段還依序連接有：作爲 週期成份分析設備的週期成份分析部丨0,其對已計測的資料 施以傅立葉變換並分析前述資料中之週期成份；作爲平均 處理時間算出設備的平均處理時問算出部1 1，其依據所分 析的前述週期成份而算出用以除去週期性雜訊成份的移動 26 200905742 平均處理時問；作爲平均處理設備的平均處理部1 2，依據 即時算出的前述移動平均處理時問，對前述資料作平均處 理以修正波形；及作爲終端時問點檢知設備的終端時間點 檢知部13,其依據所修正之轉矩波形的變化來檢知前述既 定的膜之硏磨終端時間點。 〔 0047〕 其次，有關利用上述構成的硏磨終端時間點檢知裝置8 之硏磨終端時間點檢知方法，茲依「由顯示所計測之硏磨 轉矩資料除去週期性雜訊成'份」及「利用已除去週期性雜訊 成份的轉矩波形來檢知硏磨終端時間點j的順序作說明。 〔 0048〕 茲使用圖2及圖3的（a)〜圖3(d)來說明「由顯示 所計測之硏磨轉矩資料除去週期性雜訊成份j。圖2係晶圓 表面的微小凹凸隨著硏磨的進行而被平坦化的樣態之說明 用圖，圖3係表示硏磨轉矩之資料例以及對該資料施以平 均處理之轉矩波形等的波形圖，圖3 ( a )係表示硏磨轉矩 之資料例的波形圖，阆3 ( b )係表示由圖丨3 ( a )的資料 所分析之週期成份的分析結果例之波形圖，圖3(c)係對圖 3(a)的資料施以平均處理之轉矩波形的波形圖，圖3(d)係 顯示表示圖3(c)的轉矩波形之週期性雜訊成份的分析結果 例之波形圖。 〔 0049〕 在本實施例所適用之前述晶_W上之既定的導電性膜7 的表面，如圖2所示，存在有微小凸部7 a，7 a，…，前述 化學機械硏磨裝匱1係欲在這樣的表面將具有微小凸部 27 200905742 7a , 7a，…的導電性膜7硏磨除去使之平坦化以形成多層配 線等。因此，在圖2所示的微小凸部7a，7a，…被平坦化的 過程之摩擦力大，伴隨而來的是，在表示屮轉矩計測部9 所計測之硏磨轉矩的資料中，混入來自於包含化學機械硏 磨裝匱1中的平棗馬達M,或硏磨頭馬達M2之各式各樣的機 器、構件之固有振動等的干擾》 〔0050〕 圖3(a)係顯示由轉矩計測部9所計測的轉矩資料Ta， 該轉矩資料Ta混入有複數個週期性雜訊成份，該複數個週 期性雜訊成份係與和化舉機械硏磨裝匱1中的平臺馬達M, 或硏磨頭馬達Nb之旋轉同少產生之闽定的週期成份及修整 條件或與起因於依該修整而變化的硏磨墊之表面狀態等而 即時且連續地持續變動的週期成份等相對應。因此，直接 使用該轉矩資料Ta係難以由其變化來精度佳地檢出既定的 導電性膜7之硏磨終端時問點。 〔0051〕 於是，在本寅施例中，柃先，透過對前述轉矩資料Ta 施以傅立葉變換，分析在該轉矩資料Ta中產生的前述複數 個週期成份，Ρί屮該已分析的複數個週期成份，分別即時算 出用以除去複數個週期性雜訊成份之最短必要的該各週期 成份所對應的移動平均處理時間。接著*對前述轉矩資料 Ta即時施以有關對應前述各週期成份的移動平均處理時間 之複數個平均處理，藉此而求取已除去前述複數個週期性雜訊 成份的轉矩波形Tb。 28 200905742 〔0052〕 圖3(b)顯示著透過在週期成份分析部10對轉矩資料 Ta施以傅立葉變換所分析的複數個週期成份。在含有該複 數個週期成份之週期性雜訊成份Na的波形中’特別是強度 大的週期性雜訊成份，乃存在有U秒週期的週期性雜訊成 份、V秒週期的週期性雜訊成份及w秒週期的週期性雜訊 成份等。其次，利丨!]平均處理時問算出部丨丨，由此等週期 成份亦即u秒週期成份、V秒週期成份、W秒週期成份等， 分別即時算出與用以除去複數倘週期性雜訊成份的最短必 要之該各週期成份相對應的移動平均處理時間。最短必要 的移動平均處理時問係比複數個週期性雜訊成份之各週期 還分別稍長的時間。 〔0053〕 I» 3(c)係顯示著對轉矩資料Ta施以有關對應前述各週 期成份所即時算出的移動平均處理時問之複數個平均處理 而獲得之轉矩波形Tb。又，阓3(c〇係顯示著透過對該轉矩 波形Tb施以傅立葉變換所分析之週期性雜訊成份Nb的波 形。該雜訊成份Nb的波形已除去钽含有前述強度大的週期 性雜訊成份之複數個週期性雜訊成份。 〔 0054〕 接著，茲使用_ 4的（a)〜圖4(c)來說明「利用已除去 週期性雜訊成份的轉矩波形來檢知硏磨終端時間點」。圖4 係依據轉矩波形的變化來檢知硏磨終端時間點的方法之說 明用圖*圖4(a)係顯示受到依修整方法之差異的飄移雜訊 影響而變動之轉矩波形例的波形圖，圖4(b)係對圖4(a)的 29 200905742 轉矩波形施以一次微分以檢知硏磨終端時問點的方法例之 說明用圖，圖4(c)係對圖4(a)的轉矩波形施以二次微分以 檢知硏磨終端時問點的方法例之說明用圖。 〔0055〕 茲由使用圖4的（a)、圖4(b)對轉矩波形Tb施以一次 微分來檢知硏磨終端時間點的方法作說明。圖4(a)中，Tbi 係一邊硏磨一邊進行硏磨墊的修整之臨場修整的情況之轉 矩波形，Tb:係在硏磨前進行硏磨墊的修整之間隔修整的情 況之轉矩波形。在間隔修整的怙況，硏磨中因爲不進行修 整，所以在硏磨中，硏磨墊的表面堵塞狀態雖微小但係慢慢 地進展著。此結采爲，問隔修整的情況之轉矩波形Th係受 到飄移雜訊的影響而如圖示般持續慢慢減少。 〔 0056〕 因此，在轉矩波形係例如在達到既定的梯度（一次微 分値）時設爲硏磨終端之檢測時問點且未受飄移雜訊的影 響之轉矩波形Tbi的情況，在E點到達既定的梯度（一次微 分値），此E點被檢測爲硏磨終端時間點。相對地，在是受 到飄移雜訊的影響之轉矩波形Tb2的情況，在G點就到既定 的梯度（一次微分値）而對正確的硏磨終端時間點E點造成 錯誤檢測。 〔0057〕 於是，在本實施例中，如圖4( b )所示，首先，對任一 轉矩波形施以一次微分，求得對轉矩波形Tin —次微分 (dTbi/dt )的波形，及對轉矩波形Th —次微分（dTb:/dt ) 的波形。接著如冋以下那樣’針對兩個一次微分値，硏磨 30 200905742 終端附近t 2 (圖4 ( b )的t 2係與E點相等）的一次微分値 對既定的硏磨初期t丨的一次微分値之比’亦即、監視 (dTbi/dt)t2/(dTbi/dt)t1 · · · ( 1 ) (dTb“dt) t2，（dTb"dt) 11 …（2)。 上述式（1 >和式（2 )的値係變大致相等。此結果爲，在 未受到起因於硏磨墊的修整狀態等所導致硏磨轉矩持續減 少之飄移雜訊的影響之下，可正確地檢知既定的導電性膜 之硏磨終端時間點E。 〔0058〕 又、如同以下，硏磨終端附近t2的一次微分値與既定 的硏磨初期t丨的一次微分値之差分’亦即、監視 (dTb./dt)t2-(dTb./dt)t1··*(3) (dTb2/dt)t2-(dTb2/dt)tl...(4)。 上述式（3)和式（4)之値係變大致相等。此結果爲，和 使用前述式（1 )與式（2 )之關係的衍況同樣地，在未受到起 因於硏磨墊的修整狀態等所導致硏磨轉矩持續減少之飆移 雜訊的影響之下，可正確地檢知既定的導電性膜之硏磨終 端時間點E。 〔0059〕 茲使用圖4( c )來說明對轉矩波形Tb施以二次微分以檢 知硏磨終端時間點的方法。係取代對前述轉矩波形Tb施以 一次微分而檢知硏磨終端時間點的方法，改以如次那樣， 透過對轉矩波形Tb2之二次微分而求取變化點，依據 該變化點也可檢知既定的導電性膜之硏磨終端時間點。 31 200905742 〔 0060〕 亦即，在硏磨終端附近t2之前述一次微分（dTbi/dt) 及（dTb"dt)的兩個波形，幾乎所有的情況是取以與前述E 點的位置大致相等之變化點屮及爲界的上凸下凹的波形 到下凸上凹的波形。常對這樣的硏磨終端附近12之區域的 各一次微分的波形再施以二次微分（d2Tbi/dt2)及（d2Tb"dt2) 時，如圖4(c)所示，該二次微分（fTbi/dt2)及（fTb"dty的 値係分別以前述變化點（極小點）及屮爲界而從減少轉爲 增加。於是，針對轉矩波形Tb>及Tb2施以二次微分 (dlbJdt2)及（d2TbWdt2)，從該二次微分値由減少轉爲增加 的點來求取前述變化點…或Q2,依據此變化點屮或乃與 前述同樣地，在未受到起因於硏磨墊的修整狀態等所導致 硏磨轉矩持績減少之飄移雜訊的影響之下，可正確地檢知 既定的導電性膜之硏磨終端時問點E。 〔0061〕 而且，在以上述任一方法來檢知硏磨終端時間點E的情 況中，都難以把既定的緝電性膜既完全除去的瞬間檢出作 爲硏磨終端時間點E。因此，由本算式所檢知的終端，事先 利用其他參數賦與過度硏炳時問，並在繼續一定時問的後 使硏磨處理，藉此能保證既定的導電性膜之取切》 〔0062〕 如同上述，在本實施例所涉及的利用轉矩變化之硏磨 終端時間點檢知方法及苒裝匱中，利用針對複數個週期成 份所分別即時算出的各移動平均處理時間，對轉矩資料Ta 施以複數個平均處理，藉此可有效率地求得已除去複數個週 32 200905742 期性雜訊成份的轉》1:波形Tb。 (0063 ) 透過作成對轉矩波形Tb施以一次微分，監視硏磨終端 附近t2的一次微分値對既定的硏磨初期tl的一次微分値 之比或硏磨終端附近I 2的一次微分値與既定的硏磨初期t 1 的一次微分値之差分當中至少任一者的變化，在未受到起 因於硏磨墊4的修整狀態等所導致硏磨轉矩持續減少之飄 移雜訊的影響之下，能精確地檢知既定的導電性膜7之硏磨 終端時間點E » 〔 0064〕 透過對轉矩波形Tb施以二次微分而求得變化點Q，依據 此變化點Q，乃與前述同樣地，在未受到起因於硏磨墊4的修 整狀慂等所導致硏磨轉矩持續減少之飄移雜訊的影響之下， 能精確地檢知既定的導電性膜7之硏磨終端時間點E。 〔 0065〕 * 此外，本發明係可在不逸脫本發明的精神之下進行各 種改變，而ft，本發明常然可涵燕該改變者。 〔圖式簡單說明〕 〔 0066〕 圖式乃係表示本發明實施例所涉及利用轉矩變化之 硏磨終端時間點檢知方法及其裝置者。 〔圖1〕化學機械硏磨裝置之槪略構成及硏磨終端時間 點檢知裝置的方塊圖。 〔圖2〕晶圓表面的微小凹凸隨著硏磨的進行而被平坦 33 200905742 化的樣態之說明用岡。 (圖3(a)〜圖3(d)〕顯示表示硏磨轉矩之資料例及對 該資料施以平均處理後的轉矩波形等之波形圖，圖3(a)係 表示硏磨轉矩之資料例的波形圖，圖3(b)係顯示從圖3(a) 的資料所分析之週期成份的分析結果例之波形圖，圖3(c) 係對圖3(a)的資料施以平均處理後的轉矩波形之波形圖， 圖3(d)係顯示圖3(c)的轉矩波形之週期性雜訊成份的分析 結果例之波形圖》 〔圖4( a )〜圖4( c )〕係依據轉矩波形的變化來檢知硏 磨終端時間點的方法之說明用圖，圖4(〇係顯示受到依修 整方法之差異的飄移雜訊之影響而變動的轉矩波形例之波 形圖，圓4(b)係對圖4(a)的轉矩波形施以一次微分來檢知硏 磨終端時間點之方法例的說明用圖，圖4(c)係對圖4(a)的轉 矩波形施以二次微分來檢知硏磨終端時間點之方法例的說 明用圖。 〔主要元件代表符號〕 〔0067〕 1 化學機械硏磨裝厲 2 平臺 3 硏磨頭 4 硏磨墊 5 平臺旋轉軸 6 硏磨頭旋轉軸 7 導電性膜 34 200905742 7a 微小凸部 8 硏磨終端時間點檢知裝置 9 轉矩計測部（轉矩I丨測設備） 10 週期成份分析部（週期成份分析設備） 11 平均處理時間算出部（平均處理時間算出設備） 12 平均處理部（平均處理設備） 13 終端時間點檢知部（終端時間點檢知設備） Μι 平臺馬達 Μ： 硏磨頭馬達 Na 週期性雜訊成份 Nb 雜訊成份 Ta 轉矩資料 Tb 轉矩波形 W 晶圓 Q. ' Qa變化點 35