TW200903571A - Measuring apparatus - Google Patents

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200903571 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於監視半導體晶圓之製造程序的測量裝 【先前技術】 微電子器件係使用各種技術製造於半導體晶圓上，例 如’包括沈積技術（CVD、PECVD、PVD等）及移除技術（如 化學飯刻、CMP等）。可以改變質量分佈之方式，例如藉 由^潔、離子植人、微影術等，進—步處理半導體，例: 夕曰曰圓。S亥等處理技術通常導致半導體晶圓表面處或其上 之質置分佈的變化。表面變化組態對器件功能通常係至關 重要的，因此出於品質控制目的需要在生產期間評估晶 圓’以便決定其是否具有正確組態。 許多現有測量技術係眾所周知的。對於蝕刻處理，一種 熟知技術係切斷處理之晶圓並對其斷面實行詳細分析。若 分析顯示處理已成功，則將同時製造的該批晶圓假定為具 有正確組態之測試（切斷）晶圓。此程序之缺點係切斷之晶 圓無法使用，所以被浪費，且每次測試一批之晶圓時通常 會中斷程序（即製造停止）。連續生產因此不可行。 其他熟知測量技術取決於處理類型或由處理建立之材料 的7性。例如，當晶圓包含介電質時，可使用橢圓對稱法 、J $處理之晶圓’或者當其上沈積導電金屬時，可使用雷 阻率探針測試晶圓。 電 【發明内容】 129580.doc 200903571 最—般概念上’本發明提供配置成藉由激發並在晶圓上 的或多個測量位置測量基板（例如塊狀矽基底）之橫向振 動產生代表半導體晶圓之特性的一組值之裝置，該等特性 可因或多個處理步驟而改變。本發明之理論將晶圓上之 各振動位置視為彈簧上之質量。晶圓處理程序（例如沈積 或蝕刻）可在（即）振動位置改變橫跨晶圓之質量分佈。振動 之已測量特性（如頻率）可代表質量，使得該等特性之變化 可代表質量變化。 本文中，晶圓振動係關於平衡（例如正常靜止）位置之基 板全部或部分的振盛。 依據本發明之第-態#，可提供用於監視半導體晶圓之 製造程序的裝置，該裝置包括：—晶圓支撐物，其係配置 成支撐該晶圓振動激發器件，其係配置成振動該晶 圓，以及一測里益件，其用於測量一或多個測量位置處的 晶圓振動’以決定晶圓之一或多個特性。 為求精確測量’需要精細界定振動區域。晶圓支律物及/ 或振動激發器件因此可包括用於在晶圓上界定約束振動模 式的-或多個邊界條件之構件。例如，可沿其周邊央緊晶 圓’藉此可將振動激發器件配置成振動整個晶圓。或者或 此外，晶圓表面之局部化子區域可藉由約束於從外部施加 之邊界條件内獨立地振動。例如’護環(較佳的係圓形)可 接觸晶圓下側，即其上未形成電路或晶片組件之晶圓表 ® 振動激發器件可係配置 成激發由護環界；t之晶圓表面的子區域之振動。子區域可 129580.doc 200903571 在護環内部或外部。 具 護環可包含實體(機械)夾具，但較佳的係包含直空夹 。晶®支撐物上可提供㈣界定1多㈣界條件 件。其可包括用於在晶圓上形成節點(非 線支撐物。 也）之點或 ㈣’振動激發構件較佳的係包括屢力差動施加器，盆 係配置成在晶圓之相反表面間建立塵力差。例如，二㈣ 面可係曝露於正（例如大氣或更高）塵力，或將相反表明暖 露於負（例如真空）壓力。壓力 表月曝 區域上將晶圓變形，！= =選擇成在施加之 猎此在釋放（或部分釋放 該區域因其固有彈性特性而 力差後， 此可以非接觸方式運作。仏振動）。振動激發構件因 較佳的係’晶圓之振動部分下方的 (黑姆荷兹；Helmholtz)頻率從半 擇成…、振 移除。 等體日日圓之典型振動頻率 為改善區域邊緣邊界條件， 内或周圍的真空井。較佳的传…界疋其所界定之邊界 發及邊界條件形成。係’分離真空來源用於振動激 較佳的係，振動激發器 位置激發据叙m L 件'配置成在後數個局部化測量 π ^ " 因此可存在複數個護環，例如豆俜配置成 同時測量振動。或者，可存 &”1、係配置成 w ^ . 子在早一護環’並且可將裝置配 置成控制護環與晶圓間 肝裝置配 測量位置（區域）。 、動，以允許依序激發不同 較佳的係，將裝置配置 战观現由製造程序内之—或多個 129580.doc 200903571 處理步驟造成的车墓辨曰 战的+ v體aa圓之質量分佈變化。亦可使用此 技術偵測晶圓總質量變化。 ^此處，a曰圓處理涵蓋任何改變半導體晶圓之質量（通常 係在表面)的程序。較佳的係，晶圓處理包括沈積程序 (VD PECVD、PVD等）及蚀刻（材料移除）程序（包括濕 触刻、乾式蝕刻及CMP)。 ' 較佳的係，在晶圓處理前後採取測量，以便可偵測由處 理造成之質量差異。

-债測之質$差異可表現為晶圓處理層厚度之變更，例如 猎由對日日圓處理層指派預定密度，以將質量差異轉換為厚 本發明可經調適以提供晶圓測量技術’其用於監視可應 用於所有類型之晶圓處理的晶圓質量分佈。較佳的係，將 '、實知於連續程序中’而無需切斷處理之晶圓。較佳的俜 將其實施於產品晶圓上。 ” 。哀置可包括配置成將測量之振動轉換為質量值之處理 器。然而’經_之振動參數本身可為用於監視之參數， 曰曰圓處理之成功可由特^貞測之參數的預定變化代 表。 、可能需要獲得關於晶圓邊緣處質量變化之資訊，因為此 通韦係可發生最大錯誤的地方。因此，振動激發器件可係 _置成力束a曰圓之中央區域並振動周邊區域。 儘管上述非接觸振動激發器件是較佳的，在替代性配置 ’振動激發器件可接觸晶圓表面。因此，可直接(例如) 129580.doc 200903571 透過機械振動部件或透過聲學耦合之接觸產生晶圓内之振 晶圓支撐物宜經配置以支撐晶圓，而不賦予其可影響振 動頻率的内部應力或應變。晶圓支撐物宜包含外殼，^具 有其上用於停留晶圓之外邊緣的凸起。凸起可包括真空夹 具或其他邊界條件界定構件。外殼宜經配置以按實質I水 平方位支撐晶圓。 凸起界孔徑’振動激發器件可透過其動作，例如藉 由麗力(非接觸)或藉由可插入以接觸晶圓下側的實體‘ 針。 通常’半導體晶圓具有實f上圓形的形式，使得晶圓支 撐物以具有用於支撐晶圓之周邊的環形凸起較佳。 本申請案内所述之半導體晶圓可係習知，且通常包含經 处理之基板層，例如’其包含在基板之一或多個表面上 ’〜積或㈣各種材料。梦可用於基板製造。振動激發器件 宜經配置以造成基板内之振動。 曰=激發&件可包括可振動接觸探針，其係配置成接觸 :;二之—點：以便將振動發送至晶圓内。可振動接觸探 :疋立於測里位置之一，並且振動激發器件較佳的 括用於使探針接觸晶圓之構件。 機構，其係連接至^件可包括驅動 向振動發送至晶圓内觸探針並配置成透過探針將橫 各測量位置可提供接觸探 括移動機構，其用…戈者振動激發益件可包 具用於在複數個測量位置之各位 129580.doc •10· 200903571 (例如）單一接觸探針。因此， 動。較佳的係，移動機構包括^盾序在各測量位置激發振 定晶圓支標物與探針間（^ ^件3’以便可精確地決 置關係。 足撑之晶圓與探針間）之位 車乂佳的係，a圓士絡 此可允，調適成以預定方位接收晶圓。 J允4知道振動激發器 ® 表面上的制 子；日曰圓整體或相對於晶圓 表面上的製造圖曰曰圓 起，其可在开彡 日日圓支撐物可具有突 圮成於日日圓内之凹口中 圓支撐物上之晶83的„1_ n。或者或此外，晶 使用曰w & a 周整，例如藉由將晶圓上（即 使用曰曰圓佈局圓 位置。對準铤圓案疋位於預定方位或 量發生於相同晶圓上之相同位置步驟别後所採取之測 追縱機構可係基於二維線性尺度(例如 徑向系統（例如r、θ座標）上。 軚）或一卓 : 之數目及組態可根據所需測量之細節加以選 較仏的係存在至少五個局部化測量位置，更 個或更多個。例如，可將複數個、、 之一内. 里饥罝奴供於以下組態 九點（如上，且沿"+ "之各臂中途具有 •五點(-個在中心’四個在，，+ "形内的邊緣附近)， 四個額外點），或 格柵圖案）’以提供整個晶圓區域的 者 多點（例如以正交 映射。 的 較佳的係，將測量器件配置成偵測各測量位置之振動 129580.doc 200903571 間變化參數。較佳的係，將測量， 時間或振動頻率之位銘甘配置成憤測晶圓隨 晶圓在复振q ，、他測量方法亦可行，例如測量 、，、振動期間的速率或加速度。 里 /貝4 Ϊ器件可白人、 器，或者〜 感測胃’例如干涉或電容感測 次者較佳的係光學或雷 冽 成情測入射至晶圓反… 測器，其係調適 期間，曰圓夕娃 上的光或雷射束的反射。振動 法可包二ST佳的係偏轉反射。因此，-種偵測方 匕括_經過預定區域之 振動頻率。另-谓測方法可包括偵測！：羊“可決定 隨時間之位移變f 、日日圓之—或多個部分 〈位移變更。-項具體實施例中 並在一或多個測量 、整個晶圓 蚀田扁 罝偵測晶囫之位移時間變更。接莫飞 使用傅立葉（Fourier)分析去卷積 更接者可 等振動之頻率❶ 振盪模式，以獲得該 位件可包括接觸探針，其係配置成在各測量 位置接觸晶圓上之點，以測量由振動激發 ？里 :::。接觸探針可在已激發振動後接 乂;: 可具有内，單-探針 圓並將振動傳輸至晶圓，第二(測量)模式，、=接觸晶 振動並相反測量晶圓振動。此情形中，可將r針^止 於類似於上述之移動機構上，其用 旦々里益件安裝 觸探針。測量H件及振動激發、用^^置間傳輸接 裝置可包括評估器件，其係配置成動機構。 驭摆收闕於各測量位置 I29580.doc 200903571 之定位地資訊及關於各測量位置之振盈的資訊。例如，由 非接觸感測器偵測的測量位置隨時間之位移可係提供巧 估器件。評估器件可係配置成從測量頻率值決定質量分 佈。 較佳的係’處理單元包括非均勻性輪廓產生器，盆係配 置成根據決定之質量分佈（或f量分佈之差異）計算用於晶 圓之非均勻性輪廓。 _ 可藉由對晶圓或各測量位置處的晶圓區域指派一 度，將計算之質量分佈差異轉換為抽象厚度。輪廓可包含 用於晶圓上預定點的-組厚度值。例如，可提供用於橫跨 晶圓之兩垂直直徑配置成|，+ "組態的五或九點之厚度值。 ::勾性輪廓產生器可係配置成產生計算之質 視覺表示。 2態樣中，本發明可提供—種在—製造程序期間監視 二導體晶圓之一質量分佈的方法’該方法包括：在晶圓 2物上支撐晶圓；振動晶圓；以及測量一或多個測量位 置處的振動。例如，可谓測振動頻率。或者， 測量位置處晶圓隨時間之位移來測量振動。 9剩 如上所述’藉由對晶圓區域制邊界條 之約束）較佳地局部化振動。 f振動 旦：：：!、’該方法包括藉由比較晶圓處理前後之採取測 里獲仔質量分佈差異。因此，該方法可 激發並測量基板上複數個測量位置處的局部化振 在晶圓處理後激發並測量基板上複數個測量位置處的局率部 129580.doc -13- 200903571 化振動頻率，並比較測量結果。 【實施方式】 圖1描述本發明之原理。矽基板10係製造成適用於處理 以產生半導體晶圓。處理通常包括半導體材料層之物理或 化學沈積，其視需要緊接著該等層之蝕刻（例如），以建立 圖案化表面。圖1之左側說明處理前之矽基板1〇。施加力 12以使基板1〇之測量區域u變形。當釋放力12時，基板ι〇 之固有彈性允許振動14a傳播至測量區域丨丨内。圖丨之右側 說明處理後之石夕基板10，其中其包括一沈積於其較高表面 13上之半導體材料的層16。施加力12以按相同方式將相同 測里區域變形，藉此在基板丨〇内激發振動14b。已處理基 板10内激發之振動14b的頻率不同於未處理基板1〇内激發 之振動14a的頻率。差異與測量區域u内之質量變化相 關。 藉由在處理前後對晶圓上之一或多個測量區域採取複數 j 個振動頻率測量，可獲得一組測量，其代表由處理造成的 晶圓質量分佈變化。接著可處理及/或推斷該等測量，以 建立用於所關注基板之非均勻性映射。 為說明該理論，考慮測量區域丨丨係圓形的情形。圖2顯 不穿過晶圓10之斷面圖，其中晶圓10上之圓形測量區域i i 由晶圓支撐物18界定。測量區域u内之晶圓ι〇的部分可視 為撓性隔膜。用於此一隔膜之振盪頻率f可表達為

rh \ E 2 心(1-V2) .，1 12958〇.d〇c -14- 200903571 此處以系振動模式常數（對所說明之隔膜=0.467)，t係晶 圓厚度，R〇係測量區域之半徑（振動隔膜），E係晶圓之揚 氏模數（Young’s moduius)，卩係晶圓密度，而“系泊松比 (Poisson s ratio)。因此顯然測量區域之質量m與頻率間存 在關係，因為m約為 m = f>7rRQ2t。 > 2 右在測里區域橫跨晶圓施加壓力差p，隔膜之初始變形 γ可表達為 Y=PR^f} 〇 \6t3E "3 可測里釋放塵力後發生的此初始偏轉距離及振動頻率， =直接比較處理前後每單位面積Μ(=ρ〇之測量區域的質 量’因為當在前後施加相同廢力差卩時，可操縱等式… 以給出 M， f.zY. 此處下標1及2分別指示在處理前後執行之測量。 圖3顯示用於測量處理之半導體晶圓内的振動頻率之裝 置。如®1所*，處理之半導體晶圓包含石夕基板1〇，其較 同表面13上具有半導體材料之沈積物16。將晶圓固持在晶 圓支撐物18上的水平方位’其包含突出物19,曰曰曰圓之周： 停留於突出物上’凸起19界定穿過支#物18之孔徑Μ，藉 此曝露晶圓之測量區域"。凸起可與真空幫浦(未顯示“ 通，其用於針對振動約束晶圓周邊，如下文所述。 支撐物18係佈置於表面20上方，其上可移動地安裝振動 129580.doc •15- 200903571 激發器件25。振動激發器件25包含探針28，其向上朝支_ 物18延伸並具有接觸尖端26，當晶圓係支撐於支撐物^上 時該接觸尖端透過孔徑24接觸晶圓下側。將探針28安^於 驅動器3 0上，其係配置成將接觸尖端2 6推向測量區域11内 之一點，已使基板10變形。驅動器30接著快速縮回探針 28，基板藉此振盪。 頻平俏測器（未 且飒识閃派盥 頻率。此頻率可用作指示質量分佈之參數，例如，以建立 用於晶圓之非均勻性映射。 將振動激發器件25安裝於移動機構32上，其可在表面2〇 上沿兩個維度移動，以便接觸尖端26接觸基板1〇之下側上 的不同點，例如，以造成不同振動模式。移動機構η具有 位置決定器件（未顯示），其能夠精確計算其相對於參考點 22之位置。參考點22相對於支撐物_固定的。支撐物18 包括突起（未顯示），其按熟知方式固定於形成於晶圓_ 的凹口内’以將晶圓10與支撐物18對準。當依此方式對準 圓旋轉或轉移至相對於振動激發器件的期 上的位置7i切地得知接觸尖端26相對於晶® 下側 許比較完成前後之發相同振動模式’以允 圖4顯不裝置40,其用於監視作 施例的半導體晶圓之質量分佈變化。裝置：圓二： =门其具有藉由較高邊二= 圓或晶圓部分（未顯 ^ % 44田日日 ' ;開放頂端上時，處理室完全關 129580.doc 16 200903571 閉。、此具體實施例中，位於處理室42上之晶圓部分係測量 品或其振動頻率需要加以偵測。因此可依據需要測量之 測量區域的大小選擇處理室開口之直徑。直徑實質上可等 於晶圓直徑，或者其可小至1⑽，例如，此處需要在晶圓 表面上採取複數個測量。 藉由將較高邊緣46夾緊於晶圓來界定測量區域，以建立 非振動邊界條件。此具體實施例中，藉由在晶圓之相反表 自間維持殘餘壓力差動實現夾緊。圖5顯示穿過較高邊緣 46之斷面圖。在邊緣内形成鳩尾溝渠。溝渠侧持由模 製全氟彈性體製成之可變形〇形環(未顯示)，晶圓係緊靠 其藉由殘餘壓力差密封。 處理至42具有第一出口 5〇，其經由間52將内部連接至抽 氣真空幫浦（未顯示）。當晶圓位於開口 44上方時，真空幫 浦可操作以在晶圓之相反表面間建立壓力差。依此方式維 持殘餘壓力差。然而，真空幫浦可增加壓力差以將晶圓彈 性地變形。 藉由壓力感測器54監視處理室42内之壓力。 為激發測量區域之振動，固定體積56可經由可切換閥“ 流體地連接至處理室42之第二出口57。當可切換閥58關閉 時，固定體積56可經由閥60曝露於大氣壓力。藉由打開可 切換閥58，可以可控制及可重複方式激發振動，並允許固 定體積（例如在大氣壓力下）與抽空之處理室42流通。最終 屢力脈衝使晶圓之測量區域振盪。 稭由頻率感測器62偵測振動頻率，此具體實施例中其係 129580.doc •17- 200903571 ”’、頁示於處理至42内部。頻率感測器62可具有任何熟知類 i 例如一角測罝雷射距離感測器或光學聚焦感測器，其 中反射離開晶圓下側的輻射（例如光或雷射束）之入射束 64(作為反射束66)導致感測器内之特性隨光束行進距離變 化而改.4。感測器62亦可偵測用於初始變形距離之值（上 述等式中的Y)。事實上，可改變壓力差，使得丫對於在處 理則後採取之測量相同，以確保施加相同振動狀況。此可 補償由晶圓處理導致之彈簧常數k或揚氏模數£的任何變 化。或者，可偵測用於相同壓力之偏轉變化。 圖4内之處理室42可係調適成允許欲振動之晶圓上之複 數個測量區域。圖6顯示此一具體實施例之範例。處理室 42之開放端部分由插塞7〇關閉，其界定開放至處理室本身 内的五個孔輕72 ^各孔徑有效地係邊界條件之較小版本， 八疋多考圖4的上述較咼邊緣46。因此，各孔徑72之邊 緣74係配置成夾緊位於其上的晶圓之表自，以界定與覆蓋 孔徑72之可振動測量區域接界的非振動邊界條件。邊緣μ 可係高真空護環（真空夹具’如下所述）或塢尾溝渠（如上所 述）’或者可包含較小喷頭孔，相對較高真空透過其作用 以將晶圓維持在裝置上的位置。 在單I置上具有複數個用於測量之孔徑可加速測量操 作。各孔徑可具有其自身頻率感測器，例如以允許針對兩 個或更多測量區域之同時振動及頻率债測。或者，單一頻 率感測器可為所有孔徑卫作。例如，感測器可在處理室基 底内移動。測置區域因此可循序加以測量，由於在測量間 129580.doc 200903571 不必相對於裝置重新定位晶圓（即釋放夾緊真空），時間得 以節省。 圖7(a)及7(b)說明用於圖6所示具體實施例的真空夾具。 晶圓1〇係下降至孔徑72之邊緣74上。邊緣74具有形成ς其 較高表面78上的環形正方溝渠76。較高表面78係剛性材 料。溝渠76與真空幫浦（未顯示）流體流通，其在溝渠76處 於晶圓之相反側面間建立強壓力差動（例如高至5〇托，如 6.7xl03 pa) ’從而夾緊晶圓1〇。 圖7(b)顯示採用在孔徑72下方施加的負壓力固定於邊緣 74之晶圓10。所以晶圓1〇之測量區域丨丨的相反側面上存在 壓力差。壓力差使晶圓1 〇在測量區域1 1處變形。藉由移除 (或至少部分減小）壓力差可激發振動。 【圖式簡單說明】 已參考附圖對本發明之範例進行詳細說明，其中： 圖1示意性地說明本發明之原理； ； 圖2顯不使晶圓之測量區域變形以激發振動的原理； 圖3顯示作為本發明之具體實施例的測量裝置之側視 圖， 圖4係作為本發明之另一具體實施例的測量裝置之示意 圖； ’ 圖5顯不穿過真空夹具之斷面圖； 圖6顯示用於激發振動之晶圓支撐物及複數個真空槽； 以及 圖7(a)及7(b)顯示穿過晶圓支撐物上之晶圓的斷面圖。 129580.doc -19- 200903571 【主要元件符號說明】 10 矽基板/晶圓 11 測量區域 13 較高表面 16 層/沈積物 18 晶圓支撐物 19 突出物 20 表面 22 參考點 24 孔徑 25 振動激發器件 26 接觸尖端 28 接觸探針 30 驅動器 32 移動機構 40 裝置 42 圓柱形處理室 44 開放頂端/開口 46 較高邊緣 48 鸠尾溝渠 50 第一出口 52 閥 54 壓力感測器 56 固定體積 129580.doc -20- 200903571 57 第二出口 58 可切換閥 60 閥 62 頻率感測器 64 入射束 66 反射束 70 插塞 72 孔徑 74 邊緣 76 環形正方溝渠 78 較高表面 129580.doc -21

Claims (1)

1. 200903571 十、申請專利範圍： 1· 一種用於監視一半導體晶圓之一製造程序的裝置，該裝 置包括： 一晶圓支撐物，其經配置以支撐該晶圓； 一振動激發器件，其經配置以振動該晶圓；以及 一測量器件，其用於測量一或多個測量位置處的該等 晶圓振動，以決定該晶圓之一或多個特性。

   2. 如請求項1之裝置，其中該晶圓支撐物及/或振動激發器 件包括一接觸元件，其用於界定該晶圓上之一或多個邊 界條件，該一或多個邊界條件約束振動模式。 3. 如請求項2之裝置，其中將該接觸元件配置於該晶圓支 撐物上，以沿其周邊夾緊該晶圓。 4·如請求項2之裝置，其中該接觸元件包括一護環，其經 配置以接觸該晶圓之下側以建立晶圓表面之獨立可振動 局部化子區域。 5. 6. 如請求項4之裝置，其中該護環包含一真空夹具。 如請求項1至5中任-項之裝置，其中該振動激發器件經 配置以在複數個局部化測量位置激發振動。 該振動激發構件包 該晶圓之相反表面 7.如請求項1至5中任—項之裝置，其中 括一壓力差動施加器，其經配置以在 間建立一壓力差。 8.如請求項1至5中任—項之裝置，其中 Λ ，、甲s亥振動激發件包 括一可振動接觸探針，其經配置以 / 且Λ钱觸該晶圓上之一點 以便將振動發送至該晶圓内。 129580.doc 200903571 9. 如請求項8之裝置，其中該振動激發器 媸，甘m 干匕括~移動機 構其用於在該複數個測量位置之各位置門 探針。 位置間傳輪該接觸 10. 如請求項9之裝置，其中該移動機構包括一追縱器件， 其經配置以決定該晶圓支撐物與探針之間的位置關係。 11，如請求項1至5中任一項之裝置，其包括—處理器，ζ處 理器經配置以根據該等測量之晶圓振動，監視由該；造 程序内之-或多個處理步驟導致之—半導體晶圓 分佈的變化》 、 12.如請求項Η之裝置’其中該處理器經配置以將該等測量 之振動轉換為質量值。 η.如請求項12之裝置，其中該處理器包括一非均句性輪廓 j生器，其經配置以根據質量分佈之該決定的變化，計 算用於該晶圓之一非均勻性輪廓。 14.如請求項!至5中任一項之裝置，其中該晶圓支撐物包含 -外殼’其具有其上用於該晶圓之外邊緣之一凸起，以 在其上停留於一實質水平方位内。 K如請求項14之裝置’其中該凸起界定一孔徑，透過其可 操作該振動激發器件。 16. 如請求項1至5中任—項之裝置，其中該晶圓支撐物係調 適成以一預定方位接收該晶圓。 17. 如請求項1至5中任-項之裝置，其中該測量器件經配置 以偵測該等振動在各測量位置處之一時間變化參數。 1 8.如Μ求項1 7之裝置’其中該測量器件包括—非接觸感測 I29580.doc 200903571 器。 19. 20. 21. 22. -種在-製造程序期間監視—半導體晶圓之—質量分佈 的方法，該方法包括： 在一晶圓支撐物上支撐該晶圓； 振動該晶圓；以及 在一或多個測量位置測量該等振動。 如明求項19之方法’其包括在振動該晶圓前將邊界條件 應用於該晶圓之區域。 如凊求項19或20之方法’其包括藉由比較晶圓處理前後 採取之測量’獲得質量分佈之—差異。 種在一製造程序#月間監視一帛導體晶圓之_冑量分佈 的方法，該方法包含： 於晶圓處理前，在-晶圓基板上之複數個測量位置激 發及測量局部化振動之一頻率； 處理該晶圓； 於晶圓處理後，在該基板上之複數個測量位置激發及 測量局部化振動之一頻率；以及 比較測量結果。 129580.doc