TWI817959B - 施行原子力顯微術之方法及原子力顯微術測量系統 - Google Patents

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Abstract

一種施行原子力顯微術(AFM)測量之方法使用一超音波轉換器來由該超音波轉換器傳送具有1GHz以上之一頻率的調變超音波至一樣本之一頂表面並由該樣本之底表面通過該樣本。超音波散射之效應係由一AFM懸臂在該樣本之頂表面的振動檢測。該等測量開始前，將如水之一液體的一液滴放在該超音波轉換器之一頂表面上。將該樣本放在該超音波轉換器之頂表面上，藉此該樣本將該液滴中之液體壓成在該超音波轉換器之頂表面與該樣本之一底表面間的一液體層。較佳地，在該樣本與該超音波轉換器間施加一夾持力以便加壓該液滴。該液體層之一厚度穩定後，開始該等AFM測量。較佳地，該樣本之底表面與該超音波轉換器之頂表面設置在一槽中，該等AFM測量時該槽中具有更多該液體樣本。

Description

施行原子力顯微術之方法及原子力顯微術測量系統
本發明有關於原子力顯微術(AFM)，其中使用聲波來獲得在如一半導體裝置之一樣本中的表面下結構(埋入結構)的影像。
AFM通常被用來獲得樣本表面之影像。在刊載於Journal of Applied Physics 109,084324(2011)中且名稱為「使用原子力聲波顯微術在GHz頻率下成像表面下結構(Imaging of subsurface structures using atomic force acoustic microscopy at GHz Frequencies)」的論文中，Shuiqing Hu等人揭示使用AFM來在未移除表面之情形下獲得表面下結構(埋入結構)的影像。
圖1顯示用於該等測量之一AFM測量系統，其包含：一樣本10，其在一超音波轉換器14之頂部且一AFM懸臂16在該樣本10之頂面上；及一檢測器18，用於感測該懸臂16之彎曲。該等測量包含由超音波轉換器14傳送振幅調變之高頻超音波通過該樣本至該AFM探針感測力之樣本表面。Shuiqing Hu使用大約1GHz之一超音波頻 率。該等波傳播至該AFM探針並穿過該等表面下結構。Shuiqing Hu使用接近1GHz之頻率及懸臂接觸共振來增加可觀察之對比。
這種AFM感測利用在該探針尖端與該樣本表面間之接觸的非線性混合。在該AFM探針尖端之該非線性振動信號混合產生具有調變頻率的該AFM探針之一振動分量。在高超音波頻率下該懸臂相當於一硬物體，這容許該樣本產生大變形。這些變形之幅度取決於該樣本表面之剛性，而該剛性則取決於埋入結構有多靠近該表面及其他表面剛性不均勻性。
當該表面與該等埋入結構間之距離增加時，該等埋入結構對剛性之影響減少，因此更難以辨別該等埋入結構對該表面之影響。但是，埋入結構亦產生超音波散射，該超音波散射影響該超音波激發之沿著基材表面的位置相關性。這影響之大小隨著超音波頻率(通常隨著超音波頻率之平方)增加而增加。增加GHz範圍中之超音波頻率可檢測散射之效應且提供更深之影像。但是，吾人發現在該GHz範圍中難以獲得可再現測量。
WO2010085948揭露用於一光柵力顯微鏡之一耦合裝置。該裝置包含在樣本下方之一聲音產生器。一水槽環繞該聲音產生器之頂部形成。該樣本放在該槽外側之多數柱上，且該樣本之底部在該槽側壁頂部上之一密封環高度上方大約0.1至0.5mm。如上所述，這具有當填充該槽時，該樣本之底部及該密封環藉由一黏著力耦合而 容許該樣本側向移動的效應。此外，該聲音產生器之頂表面比該密封環之頂表面低，使得當該槽充滿時，該聲音產生器之頂部與該樣本之底部間產生一充滿水之空間。這被用來實現一恆定之激發。
EP2219036揭露具有一槽之一顯微鏡，其可測量在一液體或電化學環境中之樣本。
EP2219036揭露一AFM顯微鏡，其中該樣本放在設置在一移動台上之一樣本保持器上。在該樣本保持器下方的是具有用於產生一超音波之一超音波轉換器的內空腔。該超音波透過該樣本保持器，且宜透過在該轉換器與該樣本背側間之一液體介面，例如一超純水之液滴而耦合至該樣本背側中。
其中一目的係由對超音波之表面回應的AFM測量獲得關於表面下結構之更可再現資訊。
在此提供一種施行原子力顯微術(AFM)測量之方法，該方法包含以下步驟：提供一超音波轉換器；將一液體之液滴放在該超音波轉換器之一頂表面上；將一樣本放在該超音波轉換器之該頂表面上，藉此該樣本將在該液滴中之該液體壓成在該超音波轉換器之該頂表面與該樣本之一底表面間的一液體層；由該超音波轉換器傳送最好具有GHz範圍中之一超音波頻率的多數調變超音波至該樣本之一頂表面並由該 樣本之該底表面通過該樣本傳送至該樣本之該頂表面；及該液體層之一厚度穩定後，當一懸臂上之一探針尖端與該樣本之該頂表面接觸時，測量被該等調變超音波激發之該懸臂的振動。
吾人發現在該超音波轉換器之頂表面與該樣本之底表面間使用一液體層可獲得被具有GHz範圍中之超音波頻率的多數超音波激發的更可再現AFM影像。該水層厚度無法減少超過由於樣本及超音波轉換器之頂表面的表面粗度產生的一厚度。因此，該液體層表面之存在未排除該超音波轉換器之頂表面與該樣本之底表面間的多數局部接觸，且當該層存在這些局部接觸外時，該等局部接觸通常存在該等表面由於粗度而接合處。該層之厚度係該轉換器與該樣本間之空間中的平均厚度。較佳地，該液體之液滴具有一體積，且當該液滴分散在該樣本與該超音波轉換器之整個接觸區域上時，該體積對應於具有小於2微米，且宜為等於或小於大約1微米之一厚度的一層。吾人發現在該液滴中不需要更多液體，而使用一較大厚度必須在該等測量可開始前使用一更長等待時間。
當施行該等測量時事實上仍存在之該層的厚度可由於液體由該樣本與該轉換器間之空間側向地流動而較小，且可由於表面曲率或表面粗度而變化。較佳地，該等測量係在該超音波轉換器之頂表面與該樣本之底表面間由於粗度而存在局部接觸時施行。
較佳地，該液體係水，但亦可使用例如石 蠟、乙醇、液化蠟或水銀之另一液體。在其他實施例中，可使用一鎵合金、一黏著劑或焊料錫。
在一實施例中，該方法包含以下步驟：提供用於該液體之一槽，該超音波轉換器之該頂表面設置在該槽內；及該液體層之厚度穩定後，用該液體填充該槽，藉此使該槽中之液體的一表面液位上升至該超音波轉換器之頂表面上方。吾人發現這可用來增加可獲得可再現測量之持續時間。較佳地，該液體之表面液位保持在該樣本之頂表面下方。依此方式，可避免與該等AFM測量發生干涉。該槽液體中之液體可在該等測量之多數連續測量間補充，藉此避免在該等測量期間補充。
在一實施例中，互相夾抵該樣本之底表面及該超音波轉換器之頂表面至少到該液體層之厚度穩定為止，藉此在該樣本底表面之底表面與該超音波轉換器之頂表面間的該液體層之液體上施加一壓迫力。這減少該等測量可開始前之一等待時間。通常，該液體層之厚度穩定由於粗度而局部地接觸的該超音波轉換器之頂表面及該樣本之底表面。在不同實施例中，該夾具可透過該樣本之頂表面、底表面及/或側邊施加一力以便將該樣本壓在該轉換器上。在此使用之用語「夾具」表示用以產生一夾持力或多數夾持力之一結構，且這結構不限於直接施加該夾持力在該樣本上之一獨立部件。
該夾持可使用包含如板片彈簧之一或多數彈性元件的一夾具，且一壓迫力透過該一或多數彈性元件 施加在該樣本之頂表面上。在另一實施例中，可使用一或多數作用致動器，該一或多數作用致動器施加一壓迫力在該樣本之頂表面上，因此將該樣本壓在該轉換器上。在另一實施例中，可使用一吸引夾，其中該夾藉由施加一減壓力或一真空在該樣本之底側而施加一力在該樣本上，因此將該樣本拉到該轉換器上。在其他實施例中，可使用一靜電夾，該靜電夾藉由在樣本底表面與轉換器頂表面間施加一靜電力而施加一力在該樣本上，因此將該樣本拉到該轉換器上。在其他實施例中，可使用一磁力夾，該磁力夾藉由在樣本底表面與轉換器頂表面間施加一磁力而施加一力在該樣本上，因此將該樣本拉到該轉換器上。
該夾持可藉由以下至少一者或其組合來施行，即：使用至少一彈簧施加一壓迫力在該樣本之頂表面上；施加吸力在該樣本之底表面上；靜電夾持；磁力夾持；及電濕潤。
在一實施例中，在該樣本放在該超音波轉換器之頂表面上後使用該超音波轉換器施行超音波反射測量，接著監測該反射結果之變化並在檢測到該等反射測量之結果表示該液體層之厚度穩定時開始測量一懸臂之振動。這樣會使得其可能用來決定何時可以開始可重現之測量。
在一實施例中，該液體層之厚度穩定後，將該液體之溫度降低至該液體之固化溫度以下。這可用來延長可施行可再現測量之持續時間。
此外，提供一種AFM測量系統，其包含：一超音波轉換器；用於一液體之一槽，該超音波轉換器之一頂表面設置在該槽內，該槽之一壁的一上緣高度設置成使得填充該槽時，該槽中之該液體的一表面液位位在該超音波轉換器之該頂表面上方；一AFM懸臂，其設置在該超音波轉換器之該頂表面上方，用於接觸該AFM懸臂與該超音波轉換器之該頂表面間的一樣本之一頂表面；及一檢測器，其組配成可檢測該AFM懸臂之彎曲。
該AFM測量系統係用於具有可放在該超音波轉換器之頂表面上且未延伸超出該槽之邊緣的一尺寸及/或形狀的多數樣本。因此，在包含該樣本及該AFM測量系統本身之操作測量系統中，該樣本可放在該超音波轉換器之頂表面上且一液體層存在其間，或與在其間之該層一起壓抵該頂表面，而非該樣本放在不是該超音波轉換器頂面的該槽或另一支持件之邊緣上。較佳地，該樣本至少部份地透過該液體層完全地放在該超音波轉換器之頂表面上。
吾人發現使用在該超音波轉換器之頂表面與該樣本之底表面間的一液體可獲得被具有GHz範圍中之超音波頻率的超音波激發的更可再現AFM影像。使用一槽液體延長可施行可再現測量之持續時間。
較佳地，該系統包含用於將該樣本頂部彈性 地壓向該超音波轉換器之頂表面的夾具。較佳地，該夾具係組配成可與該樣本之頂表面接觸且將該樣本頂部彈性地壓向該超音波轉換器之頂表面。或者，可使用一吸引夾或其他種類之夾具。在一實施例中，該夾具及若有的話，各至少另一夾具，包含一接觸本體，且該接觸本體之一最下方部份具有用於與該樣本接觸之一圓形。這可在不對該樣本造成破壞之情形下施行AFM測量。
在一實施例中，該夾具包含一板片彈簧且該系統包含連接該板片彈簧之一框架，該系統包含連接於該框架之一板片彈簧的至少另一夾具，該至少另一夾具亦組配成可與該樣本之頂表面接觸且將該樣本頂部彈性地壓向該超音波轉換器之頂表面。這有助於控制之夾持。
在一實施例中，該夾具及該至少另一夾具組配成使得它們與該樣本之接觸點可以與該懸臂呈相等距離地安置，於設置成相對該懸臂鏡像地對稱之接觸點處。這減少溫度差之影響。
較佳地，由該夾具施加之力未高於該樣本開始發生塑性變形時之力，且至少高到使得在一合理時間內可達到一適當情況。較佳地，該夾具係組配成在該樣本上施加在0.01至0.1牛頓之一範圍內的一力。這足以排除多餘液體且不會明顯地影響該等AFM測量。
10:樣本
12:信號產生器
14:超音波轉換器
16:懸臂
18:檢測器
30:夾具
32:液體槽
34:框架
36:彈性引導連接
40:AFM懸臂保持器
160:探針尖端
162:懸臂保持器
300:接觸本體
320:O環
h,h1,h2:高度
圖式簡單說明
這些及其他目的及有利態樣可參照以下圖 由以下示範實施例之說明了解。
圖1顯示一習知AFM測量系統。
圖2顯示測量穩定性。
圖3顯示一AFM測量系統。
圖4顯示具有夾具之一實施例。
圖1顯示在一習知AFM測量系統中之一樣本10的橫截面圖(未依比例)。該AFM測量系統包含一信號產生器12、一超音波轉換器14、一懸臂16及一檢測器18。信號產生器12與超音波轉換器14耦合。樣本10放在超音波轉換器14之頂部。
一探針尖端160設置在懸臂16上且在懸臂16之一第一端並且懸臂16之一第二端與一懸臂保持器162連接。懸臂保持器162保持懸臂接近樣本10之表面使得一力可施加在樣本10與尖端160之間。此外，設置一掃描機構(未圖示)以便朝與樣本10之表面平行的兩方向(或至少一方向)掃描探針尖端160與樣本10之相對位置。該掃描機構可組配成使懸臂保持器162移動，且它可被視為懸臂保持器162之一部份。該掃描機構可包含例如壓電致動器及/或電磁致動器。或者，該掃描機構可組配成例如藉由使超音波轉換器14與樣本10一起移動來掃描探針尖端160與樣本10之相對位置。
信號產生器12係組配成可產生一振幅調變高頻電子信號。超音波轉換器14係組配成可將這信號轉換 成與樣本10耦合之超音波轉換器14之一表面的機械振動。雖然超音波轉換器14顯示為一元件而沒有詳細結構，但應注意的是超音波轉換器14可包含與該樣本相同材料之一固態本體，例如一矽本體及設置在該固態本體上之一壓電材料的本體，該固態本體係設置在該壓電本體與樣本10之間。在這實施例中，來自信號產生器12之電子信號可用於對該壓電本體施加一電場，以便產生傳播通過該固態本體至樣本10的多數波。此外，超音波轉換器14可包含例如一鋼鐵之殼體。舉例而言，該固態本體可界定形成超音波轉換器14之頂部的一平台(未圖示)，且該平台係用於在樣本10之底表面的一部份上將超音波傳送至樣本10。在一示範實施例中，該平台具有一4×4毫米之一頂表面。
檢測器18係組配成可檢測懸臂16之彎曲(及選擇地或替代地檢測懸臂16之位移)。檢測器18可為一光學檢測器，該光學檢測器包含：一光源(例如一雷射)，其組配成可將光投射在懸臂16之一表面上；及一光感測器，其組配成可測量因光由懸臂16之該表面反射產生之一光點的一位置。因為懸臂彎曲會改變來自該光源之光的反射方向，所以這可用來測量懸臂彎曲。此外，檢測器18可包含用於處理來自該感測器之信號的一電子電路，例如以使檢測與來自信號產生器12之調變同步(例如朝相方向或正交方向)並衍生一測量之信號。該光感測器可為具有形成一像素陣列之一光強度陣列的一影像感測器(例如一CCD影像感測器或一光二極體陣列)，或具有二或四光強度感測器 之一光點位置檢測器。替代地或另外地，檢測器18可組配成使用例如一干涉儀來檢測該反射光之其他性質，例如其相位或都卜勒頻移。
操作時，信號產生器12產生一振幅調變高頻電子信號。超音波轉換器14將這信號轉換成機械振動且將這些振動傳送至樣本10。該等傳送之振動產生多數振幅調變超音波，該等振幅調變超音波由與超音波轉換器耦合的樣本10之一第一表面傳播通過樣本10至樣本10之一第二表面，且探針尖端160在該樣本之第二表面感測由該第二表面施加之力。較佳地，樣本10之第一與第二表面係樣本10之平行相對表面。由於在探針尖端160與樣本10之接觸部的非線性混合效應，該等振幅調變超音波在對應該調變頻率之一振動頻率產生一振動分量。
探針尖端160將這振動分量傳送至懸臂16，且藉由檢測器18檢測產生之懸臂16振動。例如，可檢測與懸臂16之振幅成正比的一信號。朝與樣本10之表面平行的一或二方向掃描懸臂16與樣本10之相對位置且在這些相對位置之一範圍內檢測該產生之懸臂16振動。因此，在懸臂16與樣本10之一相對位置的範圍內檢測該產生之懸臂16振動。該範圍可為一或二維。該表面之一影像可例如藉由與檢測器18及懸臂保持器162之掃描機構耦合的一電腦(未圖示)而由該等檢測之振動(例如其振幅)隨著位置改變自動地形成，且藉由一影像顯示裝置(未圖示)顯示。
這種習知測量提供關於樣本表面剛性之資 訊，該樣本表面剛性影響與該探針尖端接觸之表面振動的振幅。接近該表面之表面下結構影響這表面剛性。具有MHz範圍中之一頻率的超音波可用於觀察該表面剛性。在該等頻率下該懸臂作為一硬物體，使表面剛性變化可由該振幅檢測。通常，為測量剛性，用至少0.1微牛頓，通常是大約1微牛頓之力迫使該探針尖端朝向該樣本表面。
但是，該測量之剛性變化大部份提供關於比較靠近該表面之結構的資訊。更深之結構無法由剛性可靠地檢測。但是，該更深之結構會影響超音波散射之效應。隨著沿該表面之位置變化測量散射效應可用於形成具有關於更深結構之資訊的一影像。例如由於表面不均勻性，在MHz範圍中之超音波頻率下剛性效應支配該等測量。但是該等散射效應之大小隨著超音波頻率(通常隨著該頻率之平方)增加。利用GHz範圍中之超音波頻率(等於或大於1GHz，或至少大於0.5GHz)可測量散射效應。為施行該等散射測量，由該探針尖端施加在該樣本表面上之力宜保持比用於剛性測量之力小很多。由該GHz範圍中之一超音波頻率至另一超音波頻率之該等AFM測量的變化，或隨著該GHz範圍中之超音波頻率變化的這變化可選擇地用於辨別該等散射效應。
為觀察對散射之效應，必須使用具有1GHz以上之一頻率的超音波並使用大約1奈牛頓(例如在0.1與50奈牛頓之間且最好在0.1與10奈牛頓之間)的力。較佳的是使用接觸模式共振。在接觸模式共振中，探針尖端160 設置在一懸臂振動模式之一節點。在已知該探針尖端160與懸臂之一固定端間的距離之情形下，可決定探針尖端160在該節點處之一懸臂振動頻率。藉由使用等於這懸臂振動頻率之一超音波調變頻率，可實現接觸模式共振。
該超音波頻率越高，來自表面下結構之更深及/或更多的散射越能影響該檢測。需要利用在GHz範圍中，即1GHz以上或至少0.5GHz以上之超音波頻率來測量，例如在1至2、1至4或1至10GHz之頻率。但是，吾人發現該等測量難以再現。在相同樣本每次放在相同超音波轉換器上之不同實驗中，只有少數實驗產生可檢測之效應。大部份實驗未產生效應或具有比最佳測量低非常多之信號雜訊比。
發明人發現超音波轉換器14與樣本10間之介面係該等AFM測量缺乏可再現性的重要原因。在超音波轉換器14與樣本10間使用如凡士林之一習知黏性耦合媒介在GHz測量之情形中產生明顯阻尼且該媒介之厚度的微觀變化使檢測之懸臂16振動產生不穩定性。
圖3顯示具有較佳靈敏性及穩定性之AFM測量系統之一實施例的橫截面圖。除了圖1所示之元件以外，這實施例更包含多數夾具30及一液體槽32。在所示實施例中使用包含多數板片彈簧之多數夾具且多數夾具30之板片彈簧全部安裝在一共用框架34上。多數夾具30係組配成可施加使樣本10及超音波轉換器14相向移動之一力。雖然該橫截面圖中可看到二夾具30，但可使用更多夾 具。圖4顯示具有在樣本10上方之三夾具30及一AFM懸臂保持器40之一實施例的俯視圖。
可使用板片彈簧以外之其他種類的夾具，例如吸引夾、靜電夾、電濕潤夾或磁力夾或具有其他種類之彈簧的夾具。在吸引夾之情形中，多數吸引管可設置在該樣本下方並例如藉由O環相對該液體形成密封。
液體槽32具有包圍超音波轉換器14之一壁。液體槽32壁之頂緣的高度h可稱為「h」。該高度h至少高到使得當液體槽32完全裝滿時，在液體槽32中之液體的一頂液位在該超音波轉換器14之頂表面上方。即h>h1，其中h1係該壁之一高度，該高度使得當液體槽32完全裝滿時，在液體槽32中之液體的一頂液位與上述超音波轉換器14之頂表面齊平(若該液體係水，則由於在該壁之液體表面曲率，該高度h1可稍高於超音波轉換器14之頂表面，或若該液體係水銀，則可稍低於超音波轉換器14之頂表面)。
較佳地，液體槽32之壁的上緣比一高度h2低，該高度h2係高到使得當液體槽32完全裝滿時，在液體槽32中之液體的一頂液位與樣本10之頂表面齊平。在所示實施例中，液體槽32之底部由一O環320形成，該O環320係在該液體槽32之壁與超音波轉換器14之頂表面下方的超音波轉換器14之一垂直部份之間。
在所示實施例中，各夾具30包含一板片彈簧及在該板片彈簧末端之接觸本體300。使用時，只有該接 觸本體接觸樣本10。較佳地，該接觸本體具有至少在且環繞其最低點之一球形表面，且該接觸本體300在該最低點接觸樣本10直到該最低點上方之一距離，此時該表面相對該最低點之一高度比該樣本之表面的凹凸高(例如高10微米)。這減少當接觸本體300沿著該樣本表面移動時之側向力。可使用例如在不同方向上相對該夾具與樣本接觸點具有不同曲率半徑的另一圓形。
在圖4之所示實施例中，各板片彈簧具有一鉤形，且在該板片彈簧之末端的一部份朝向該AFM懸臂之方向延伸超出該板片彈簧之其他部份之邊緣的一外插。如此可在超音波轉換器14之一小頂表面之情形中使接觸本體300更靠近該AFM懸臂，同時避免AFM懸臂保持器40與該夾具30之其他部份間的干涉。
較佳地，在該等夾具之定位誤差內，該懸臂末端相對該等夾具與樣本接觸點呈鏡像對稱(使得各未位在該懸臂之中心軸上的各接觸點在相對該中心軸與該接觸點之位置呈鏡像對稱的另一位置具有一對應體)。在所示例子中，該懸臂末端係在夾具30中之二夾具的接觸本體300接觸點間的中途且在與該其他夾具之接觸點間之連接線垂直的一方向上，該等第三夾具30之接觸本體300接觸點與該懸臂末端等距。這增加懸臂測量之溫度穩定性。在該等夾具之定位誤差內，可採用該懸臂之位置作為其探針尖端之位置。
在所示實施例中，夾具30之板片彈簧全部安 裝在一共用框架34上。使用時，框架34直接或間接機械地耦合在超音波轉換器14上。在框架34與支持超音波轉換器14之另一結構間可使用一彈性引導連接36。彈性引導連接36可包含以規則地分開角度差由框架正切地發散的多數(例如三個)板片彈簧。這可用於限制框架上或下移動時之側向運動。可在不同高度使用二層該彈性引導連接36。可使用如調整螺絲之一致動器或多數致動器來調整框架34之垂直位置。
較佳地，在對應方向上該等安裝夾具之夾具與樣本接觸點間的最大距離比超音波轉換器14之頂表面的直徑小。因此全部夾具可同時垂直地設置在放置樣本10的超音波轉換器14之頂表面上方。這避免對樣本10產生彎曲力。
在測量前，確保超音波轉換器14之頂表面及該樣本之表面平滑、清潔且無油脂。在開始一示範測量程序時，首先在液體槽32為未填充或至少填充非常少使得在液體槽32中之液體(水)未到達超音波轉換器14之頂表面的高度時，將(最好是去離子(例如蒸餾))水之一液滴放在超音波轉換器14之頂表面上。該液滴體積不必完全覆蓋超音波轉換器14之頂表面。該液滴體積應足夠在超音波轉換器14之整個頂表面上填充一1微米層。0.1至10微升(0.1至10 10-9立方米)之體積產生最佳結果。體積可較大，但增加在該AFM測量可開始前之等待時間。
接著，將樣本10放在超音波轉換器14之頂 表面上。較佳地，這緊接在放置該液滴後且至少在該液滴完全蒸發前完成。接著，將多數夾具30放在樣本10上且將框架34固定在夾具30迫使樣本朝向超音波轉換器14之頂表面移動的一位置。較佳地，使用每一夾具至少0.01N之力。平均而言，可能需要某些更大之力來補償該等夾具間之力差。該夾具係組配成可在該樣本上施加0.01至0.1牛頓之一範圍內的一力。
該力具有加速減少該水之液滴厚度及將該水分散在超音波轉換器14之頂表面上及由該頂表面分散的效應。即使在該力之固定壓力下，厚度亦隨著時間而減少：它非立即發生。隨著時間過去，該水層厚度減少直到它由於樣本10及超音波轉換器14之頂表面的表面粗度而無法進一步減少為止。通常這產生等於或小於1微米之一平均水層厚度(在該轉換器之頂表面與該樣本之底表面方共用區域上的平均)。可注意到的是由於表面粗度，在該樣本與該超音波轉換器間之距離會有局部變化，且在某些地方該樣本及該超音波轉換器會直接接觸。在此使用之用語「液體層」(例如水層)表示存在樣本與該超音波轉換器間之液體，且與是否有缺少該層時直接接觸之位置無關。該用語「液體層厚度」表示該層之平均厚度，即該液體之體積除以其面積。
在一等待時間後，填充該液體槽32且開始該等AFM測量。或者，在使用一或多數超音波頻率開始真正AFM測量前，施行選擇該或該等超音波頻率或超音波 頻率之一步驟。這步驟可藉由測量隨著頻率變化而偏離該樣本之頂表面的表面位移及選擇隨著在一預期測量頻率範圍內之頻率變化的一(局部或全體)最大位移之一頻率，或選擇在多數預期頻率範圍內之最大位移的各個頻率來達成。
雖然本發明不限於任何操作理論，但可假設該效應如下地產生。施加在該樣本上之一小力足以使該樣本及該轉換器產生其距離由於該樣本及/或該轉換器之粗度變成極小的機械接觸。該等接觸確保位置穩定性。可使用一0.01至0.1牛頓之力。該力大小之一上限係該力應在該樣本之塑性變形發生時之一力值以下。在該力值以下，該力大小主要與獲得垂直位置穩定性前之時間延遲相關。該力大小之一下限取決於可接受作為一時間延遲的是什麼。
確保一穩定位置之另一種方式係沿著固定在夾具間之樣本的邊緣保持該上與下表面。但是，這會產生比較難以保持穩定之一明顯較大定位環。
雖然由於粗度產生之該等接觸確保垂直位置穩定性，但是它們在該轉換器與該樣本間留下未接觸之空間，這種情形部分是由於粗度，但主要是由於該樣本表面，例如一半導體晶圓之背面的殘餘曲率(弓形翹曲)造成。通常，該樣本及該轉換器之粗度係ra=0.1微米之級數(表面高度之標準差)且弓形翹曲可為每毫米0.1微米。
使用液體來「填充」該轉換器與該樣本間之 這空間以便確保超音波耦合。通常所需液體體積對應於一層之體積，該層之體積具有該樣本與轉換器接觸之面積及小於2微米(例如等於或小於0.5微米)之一平均厚度。
圖2顯示在接近1GHz之頻率下該樣本之頂表面的示範偏離表面位移。該樣本之頂表面的偏離表面位移可藉由該探針尖端在該表面之一單一位置的AFM測量來測量，或在多數位置測量作成表面位移測量的一平均。由於例如在該超音波轉換器、該液體層及該樣本中之共振，該偏離表面位移會隨著超音波頻率改變而改變，且有許多局部極大值及極小值。該頻率選擇選擇一最大值，最好是具有最大偏離表面位移之最大值。
該等待時間係用於確保超音波轉換器14與樣本10間之水層的厚度減少至等於或小於1微米。較佳地，這使用藉由超音波轉換器14之反射測量來測量。該水層與超音波轉換器14之頂表面及樣本10的介面產生具有一小延遲的超音波反射。因此，該水層厚度之減少可使用脈衝回波測量或共振峰位置測量來監測，且該等測量可在這些測量顯示一穩定回應後開始。但是，亦可不使用多數測量而是使用例如1分鐘或2分鐘之一預定等待時間。
實際上等待時間通常係10至40秒，取決於該液滴之體積(隨著體積增加而增加)。該等待時間後，用水填允該液體槽32並開始該等AFM測量。在液體槽32之液體具有在超音波轉換器14之頂表面與樣本10間之水層的水位，這可防止或至少明顯地減緩該水層之厚度的進一 步減少。這可用於在該等AFM測量時由超音波轉換器14透過一有效地穩定厚度之一水層傳送超音波通過樣本10。此外，小於1微米之一厚度限制通過該水層之超音波傳送衰減至可進行充分靈敏AFM測量之程度。
或者，在將該樣本放在超音波轉換器14且接著將該樣本壓在超音波轉換器14之頂表面上前，該槽可填充至超音波轉換器14之頂表面高度上方的一液位，例如在該頂表面上方小於0.01或0.1mm。在這情形中，在該槽中之高度越大，到達一穩定厚度前需要之時間越多。
只在到達該層之穩定厚度後填充該槽的優點是更快地到達該穩定厚度，使得該等測量可更快開始。該槽係用於藉由防止該樣本與該超音波轉換器間之液體的蒸發來延長該測量時間，以便保持該樣本之底表面與該超音波轉換器之頂表面間的距離為一定。即使在該槽中沒有液體，該液體亦不會立即蒸發。若在該槽中沒有液體之情形下可提供足夠測量時間，可使用省略該槽之一實施例。
較佳地，該等AFM測量係組配成可使用一1GHz以上之超音波頻率及由該AFM探針尖端施加之大約1奈牛頓(例如在0.1與50奈牛頓之間)的力來檢測對散射之效應。
雖然已說明使用水之一較佳實施例，但應注意的是可使用如一乙醇、石蠟或水銀之另一液體來取代。因為水蒸發比較慢，所以水優於乙醇，且由於水銀有毒 性，使用水銀需要更小心。
該等夾具係用於縮短在到達該水層之穩定厚度前的等待時間。當該等待時間在沒有該等夾具之情形下可接受時，可使用省略它們之一實施例。到達該穩定層厚度後不需要該夾持力。在一實施例中，該夾持力可在到達該穩定層厚度後移除。
若該測量時間由於來自該槽之液體的蒸發仍然太短，則可進行進一步測量。該AFM測量系統可包含用於該等測量時(最好在該懸臂之振動的連續測量間在該懸臂相對該樣本之不同位置)補充該槽之裝置(未圖示)。該用於補充該槽之裝置可包含：用於該液體之一容器；由該容器至該槽之一導管；及用於控制地阻擋及允許液體流經該導管之一閥。可選擇地設置用於感測該槽中之液位的一液位感測器。可使用用於補充該槽之裝置來保持該樣本與該超音波轉換器之該等頂表面間的液位。這可用於藉由防止該樣本與該超音波轉換器間之蒸發來延長測量時間。較佳地，該等槽中之液位例如藉由使用一回饋迴路控制補充來保持實質一定。這減少在該樣本上之力的變化。
在一實施例中，該AFM測量系統包含一溫度控制系統。在另一實施例中，該溫度控制系統可用於減少該液體之溫度至其固化溫度以下。這可用於藉由因該液體之固化而減少在該樣本與該超音波轉換器間之液體的蒸發來延長測量時間。該樣本及該超音波轉換器之溫度可 與該液體一起降低。
或者，可暫時地加熱該樣本及該超音波轉換器以確保當供應該液體時，該液體未固化，且可在到達一所需液體層厚度後，停止或減少該加熱以確保固化。可加熱例如石蠟或光學蠟作為所示實施例中之液體，且可停止或減少該加熱以固定該石蠟或蠟。若該固化本身足夠增加效能，可使用省略夾持之一實施例。

Claims (16)

  1. 一種施行原子力顯微術(AFM)測量之方法，該方法包含以下步驟：提供一超音波轉換器；將一液體之一液滴放在該超音波轉換器之一頂表面上；將一樣本放在該超音波轉換器之該頂表面上，藉此該樣本將在該液滴中之該液體壓成在該超音波轉換器之該頂表面與該樣本之一底表面之間的一液體層；由該超音波轉換器傳送多數調變超音波至該樣本之一頂表面並由該樣本之該底表面通過該樣本傳送至該樣本之該頂表面；在該液體層之一厚度穩定之後，當在一懸臂上之一探針尖端與該樣本之該頂表面接觸時，施行被該等調變超音波激發之該懸臂的振動之測量；提供用於該液體之一槽，該超音波轉換器之該頂表面設置在該槽內；及在該液體層之該厚度穩定之後用該液體填充該槽，藉此使該槽中之該液體的一表面液位升高到該超音波轉換器之該頂表面上方。
  2. 如請求項1之方法，其中該液體之該表面液位保持在該樣本之該頂表面下方，且在該填充之後該樣本之該底表面低於該液體之該表面液位。
  3. 如請求項1之方法，其中該方法包含以下步驟：在該等測量之多數連續測量之間在該槽中補充該液 體。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中放在該超音波轉換器之該頂表面上的該液滴之一體積除以該樣本與該超音波轉換器之間之一接觸面積係為小於2微米，且宜小於0.5微米。
  5. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該方法包含以下步驟：將該樣本底表面之該底表面及該超音波轉換器之該頂表面互相對抵地夾持，藉此在該樣本之該底表面與該超音波轉換器之該頂表面之間的該液體層中之液體上施加一壓迫力，至少直到該液體層之厚度穩定為止。
  6. 如請求項5之方法，其中該夾持係藉由以下至少一者來施行，即：使用至少一彈簧施加一壓迫力在該樣本之該頂表面上；施加吸力在該樣本之該底表面上；靜電夾持；磁力夾持；及電濕潤。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，更包含以下步驟：在該樣本放在該超音波轉換器之該頂表面上之後，使用該超音波轉換器施行超音波反射測量；監測該反射結果之變化；及在檢測到該等反射測量之結果表示該液體層之厚度穩定時，開始測量一懸臂之振動。
  8. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該液體係水、石蠟、乙醇、液化蠟、水銀、一鎵合金、一黏著劑或焊料錫。
  9. 如請求項1至3中任一項之方法，更包含以下步驟：在該液體層之厚度穩定之後，將該液體之一溫度 降低至該液體之一固化溫度以下。
  10. 一種原子力顯微術(AFM)測量系統，其包含：一超音波轉換器；用於一液體之一槽，該超音波轉換器之一頂表面設置在該槽內，該槽之一壁的一上緣高度設置成使得填充該槽時，該槽中之該液體的一表面液位位在該超音波轉換器之該頂表面上方；一AFM懸臂，其定位在該超音波轉換器之該頂表面上方，用於接觸該AFM懸臂與該超音波轉換器之該頂表面之間的一樣本之一頂表面；一檢測器，其組配成可檢測該AFM懸臂之彎曲；及一可彈性變形之夾具，該夾具係組配成可與在該槽上方的該樣本之該頂表面接觸且將該樣本頂部彈性地壓向該超音波轉換器之該頂表面進入該槽內。
  11. 如請求項10之系統，其係組配成在該樣本放在該超音波轉換器之該頂表面上之後，利用該超音波轉換器施行超音波反射測量，進一步組配成監測該反射測量之結果的變化，且組配成當該等反射測量之結果的變化表示該液體層之厚度穩定時，開始測量該懸臂之振動。
  12. 如請求項10之系統，其中該夾具包含一板片彈簧，該系統包含連接該板片彈簧之一框架，該系統包含連接於該框架之一板片彈簧的至少另一夾具，該至少另一夾具亦組配成可與該樣本之該頂表面接觸且將該 樣本頂部彈性地壓向該超音波轉換器之該頂表面。
  13. 如請求項12之系統，其中該夾具及該至少另一夾具亦組配成可以與該懸臂呈相等距離地安置，於設置成相對該懸臂鏡像地對稱之接觸點處與該頂表面接觸。
  14. 如請求項10至13中任一項之系統，其中該夾具係組配成可在該樣本上施加在0.01至0.1牛頓之一範圍內的一力。
  15. 如請求項10至13中任一項之系統，其中該夾具及若有的話，各至少另一夾具，包含一接觸本體，且該接觸本體之一最下方部份具有用於與該樣本接觸之一圓形。
  16. 如請求項10之系統，更包含該樣本，其中該樣本放在或壓抵在該槽內的該超音波轉換器之該頂表面上，且該液體之一層至少部份地存在該超音波轉換器之該頂表面與在該槽內的該樣本之一底表面之間，且該樣本之一頂表面在該槽上方。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5654546A (en) * 1995-11-07 1997-08-05 Molecular Imaging Corporation Variable temperature scanning probe microscope based on a peltier device
US5675075A (en) * 1993-07-26 1997-10-07 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderungder Angewandten Forschung E.V. Acoustic microscope
US20040152355A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 Rudy William J. Electrical connector for securing a wire to a contact
US20080276695A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Veeco Instruments Inc. Non-destructive wafer-scale sub-surface ultrasonic microscopy employing near field afm detection
WO2010085948A1 (de) * 2009-02-02 2010-08-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Flexibel verschiebbare kopplungseinrichtung für die akustisch angeregte rasterkraftmikroskopie mit akustischer anregung der probe
US20110296565A1 (en) * 2009-02-13 2011-12-01 NT-MDT Service & Logistics Ltd. Multifunctional scanning probe microscope
TW201736822A (zh) * 2016-04-15 2017-10-16 財團法人工業技術研究院 檢測材料表面抗污能力的方法以及檢測材料表面抗污能力的檢測裝置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6779387B2 (en) * 2001-08-21 2004-08-24 Georgia Tech Research Corporation Method and apparatus for the ultrasonic actuation of the cantilever of a probe-based instrument
US7448269B2 (en) * 2003-08-12 2008-11-11 Northwestern University Scanning near field ultrasound holography
US8037762B2 (en) * 2005-03-18 2011-10-18 State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University Whispering gallery mode ultrasonically coupled scanning probe microscopy
EP3349020A1 (en) 2017-01-13 2018-07-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of and system for performing subsurface imaging using vibration sensing
EP3349002A1 (en) 2017-01-13 2018-07-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of and system for detecting structures on or below the surface of a sample using a probe including a cantilever and a probe tip
EP3385725A1 (en) 2017-04-04 2018-10-10 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method of and atomic force microscopy system for performing subsurface imaging

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675075A (en) * 1993-07-26 1997-10-07 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderungder Angewandten Forschung E.V. Acoustic microscope
US5654546A (en) * 1995-11-07 1997-08-05 Molecular Imaging Corporation Variable temperature scanning probe microscope based on a peltier device
US20040152355A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 Rudy William J. Electrical connector for securing a wire to a contact
US20080276695A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Veeco Instruments Inc. Non-destructive wafer-scale sub-surface ultrasonic microscopy employing near field afm detection
WO2010085948A1 (de) * 2009-02-02 2010-08-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Flexibel verschiebbare kopplungseinrichtung für die akustisch angeregte rasterkraftmikroskopie mit akustischer anregung der probe
US20110296563A1 (en) * 2009-02-02 2011-12-01 Frauhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Flexibly displaceable coupling device for acoustically excited atomic force microscopy with acoustic excitation of the sample
US20110296565A1 (en) * 2009-02-13 2011-12-01 NT-MDT Service & Logistics Ltd. Multifunctional scanning probe microscope
TW201736822A (zh) * 2016-04-15 2017-10-16 財團法人工業技術研究院 檢測材料表面抗污能力的方法以及檢測材料表面抗污能力的檢測裝置

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