TW200901459A - Organic electroluminescent device - Google Patents

Description

200901459 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種有機電致發光裝置。 【先前技術】 用於一有機電致發光顯示器的有機電致發光裝置為一自發光裝置，其 具有一發光層形成位於一基板上的兩個電極之間。 視其發光方向而定，所述有機電致發光裝置可分為頂部發射式和底部 發射式。另外，視其驅動方法而定，所述有機電致發光裝置可分為被動矩 陣式和主動矩陣式。 因為這種有機電致發光裝置對於潮濕或者氧氣較弱，一密封基板被提 供以保護該裝置，並且，執行用於密封一基板的密封處理以及利用如密封 劑的密封體之密封基板。在密封過程中，密封劑通常藉由uv照射硬化， 從而密封地密封所述基板和所述密封基板。 在配置密封劑以及被uv照射的密封區域内，在基板上形成的複數條 配線線路進行配線。一些配線妨礙密封劑均勻地應用於基板上，或者妨礙 uv有效地照射在密封劑上，因此，導致裝置製造中的不利結果。 此外，甚至當選擇除了密封劑之外的其他密封體用於密封時，這個問 題t會發生。因此，這侧題不健顧在密测上，而且也細在利用 =密封體進行密封處理的過程中，並且需要在密封體形成的整個區域上 杆改：i隹。 【發明内容】 本發明提供—有機電致發光裝置，包括：—基板； 基板上並包顧數鮮像素；—贿區域，餅齡 界 密封體；以及複數條配線線路，連接至顯示單元並=ίίί 早兀的側邊上’該複數條配線線路的大部分位於一密封體肉 ==:具有一窄線寬度其係為位於其他區域内二線線 200901459 具有一窄線寬度的配線線路寬度可為ίο至50卿。 具有一窄線寬度的配線線路可為電源線。 所述電源線自所述密封體形成區域的邊緣線，可從間隔2〇〇至3〇〇㈣ 的一區域開始逐漸地變窄。 所述電源線可朝向配線線路内部呈110至175。的傾斜度逐漸變窄。 所述電源線可朝向配線線路内部呈150至175。的傾斜度逐漸變窄。 可以瞭解到前面對於本發明的大概描述和下面對於本發明的詳細描述 具有實例性和轉性，並且將要對本發_實施例提供作為帽 的進一步解釋。 【實施方式】 在下面詳細的描述中’以下參考所關式及元件魏對本發 的示例做更詳細的說明。 以:，依據本發明實施例的-個具體實施例將參考所附圖式進行描述。 —如第1圖所不’依據本發明實施例的有機電致發光裝置具有一顯示 元130，包括有複數個位於基板u〇上的子像素12〇。 ”…、 包括在顯示單元130的子像素12〇中，一有機發光層位於連接至 括在位於基板110上的-電晶體陣列中之驅動電晶體的源極電極或者 電極的陽極和陰極之間。提供參考，上述的電晶體陣列包括—個ϋ以 上的電晶體以及電容在對應於子像素12()的區域十。 ’ 包^顯示單㈣〇中的子像素包括三個子像素廣、職和咖 發出、4、綠光和藍光，並且這些子像素可定義為—個像素單元。 在該我明圖式巾’子像素12G健紐紅、綠減，碰 神I，且子像素12G可藉由進—步包含—發射顏色，如白色，從而j Ίίί四個以上。此外，可發出其他顏色(例如，橘色、黃色等）。 作為參考，子像素！20包括至少—有機發光層、至少—發射層、) i入ί步注人層、—電洞傳輸層、—電子傳輸層、以及—電子 極之間的《或流動㈣料可進—步包括仙_祕極和陰 6 200901459 开1區域S的密封體⑽位於基板⑽上、顯示單元⑽的外週邊處， 執行-㈣絲，義將職£賴免受外界干擾。此處，形成區 域S的贫封體是-界定的真實空間，從而形成密封體⑽，而且，如圖式中 所說明的，也是密封體180實際形成所在的一個位置。 同時’連接至子像素12〇的複數條崎線路14G在顯示單元⑽的側 基板11〇上進行配線。特別是，本發明的優點是複數條配線線路14〇 ^的大部分在形成輯_聽叫有線寬度，其為⑽其他區域内 的配線線路線寬度的10%至50〇/〇。 一此處’複數條配線線路140包括用於將正電源提供至子像素12〇的第 二電源線(例如，虛擬裝置驅動器，VDD)146，用於提供低於正電源的較低 二原的弟二電源線(例如，地線’ gn〇)144，用娜f料信號提供至子像素 12〇的= 料線142 ’以及用於提供掃描信號的掃描線(圖中未示）。 一同時’-驅動單元160位於顯示單元13〇的側邊處的基板ιι〇上，而 一塾f元17G位於鄰近驅動單元的區域之基板^㈣外週邊處。此處， 該塾早το 17G跡與-外部裝置連接，並且轉單元⑽帛於驅動由塾單 兀17〇提供的信號並將其提供至位於顯示單元13〇之内的子像素12〇。 、在上述的複數條配線線路140中，所述掃描線(圖中未示)和資料線142 連接至驅解元i6G ’⑽由外部裝置提供的職發送至齡單元13〇。 v ^ β作為參考，所述驅動單元160可分為一掃描驅動單元，用於將掃描信 號，供至包括在顯示單元13〇㈣獨立子像素丨施、丨观和丨施，以及 資料驅動單元，用於將資料信號提供至掃描子像素12〇R、12〇G和ΐ2〇Β。 雖然該，描4_單元和龍鶴單元的位置並沒有詳細地綱，但所述掃 描驅動單70可位於顯示單元的側邊之左側或者右側，而所述資料驅動單元 可位於顯示單元13〇的側邊之上側或者下側。 、本發明藉由一個示例被描述，其中所述有機電致發光裝置為一主動矩 陣式。包括在第1圖之顯示單元13〇⑽子像素結構的描述將參考第2圖 洋細說明。 參考第2圖，一玻璃基板、一金屬基板、一陶瓷基板、或者一塑膠基 板(聚碳酸醋樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙晞樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、 7 200901459 聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂1樹脂、a樹脂等)皆可⑽第一基板 110 〇 缓衝層位於第-基板11G上。所述緩衝層m形相保護在下列處 理中形成的細電晶體免受雜質困擾，如從第—基板11G中漏出的驗離子， 且其有選擇地由氧化矽(Si〇2)、氮化矽(SiNx)等形成。 半導體層112位於緩衝層111上。所述半導體層112可包括一非晶石夕層 或者藉由結晶該非晶⑦層所形成的-多祕層。軸沒有表示妹，但是 所述半導體層112可包括-通道區域、一源極區域、以及一汲極區域，且 所述源極區域和汲極區域可摻雜P型或者雜質。 閉極絕緣義113位於包括有半導體層„2的第一基板11〇上。所述閉 極絕緣層113可有選擇地由氧化石夕層如2或者氮化石夕層所形成。 閉極電極114位於閘極絕緣層113上，從而對應於該半導體層的預定 區域，例如-通道區域。所述閘極電極114可由選自在呂⑽，合金、錫(Ti)、 翻(Mo)、齡金、鎢(W)、以及魏鶴(WSl2)組成的_組材的至少 所形成。 爽層絕緣層115位於包括閘極電極i 14的第一基板】1〇上。所述夾層絕 緣層115可為-有機層、—無機層、或兩者的組合。如果所述爽層絕緣層 115為-無機層，則可包括氧化碎Sl〇2、氣化妙、或者(玻璃上的 石夕酸鹽）。如果所述爽層絕緣層115為一有機層，則可包括丙烯酸樹脂、聚 醯亞胺樹脂、或者苯環丁烯(BCB)樹脂。 用於曝露出部分半導體層112的第一接觸孔肠和第二接觸孔mb 可位於夾層絕緣層115和閘極絕緣層113之内。 第一電極116a位於夾層絕緣層m上。所述第一電極_可以為—陽 極’亚且可以包括一透明傳導層，如銦錫氧化物(Ιτ⑺或者銦鋅氧化物 (ΙΖΟ)所述第一電極n6a可具有一分層結構，如ito/a^tio。 源極電極116b和沒極電極116c位於夾層絕緣層115上。所述源極電極 116bj〇汲極電極116e經由第一接觸孔115a和第二接觸孔丨丨北與半導體層 112包性連接，且一部分的汲極電極116位於第一電極11如上，並與第一 電極116a電性連接。 200901459 所述源極電極ll6b和汲極電極116c可包括一低電阻材料，從而減少配 線電阻’並且可為由钥-鎮(M〇w)、鈦(Ti)、#呂(A1)或者鋁合金所形成的多層 薄膜。對於所述多層薄臈，可使用Ti/A1/Ti的分層結構。 用於曝露一部分第一電極116&的儲存層117位於第一電極1163上。所 述儲存層117可包括一有機材料，如苯環丁烯(BCB)樹脂、丙烯酸樹脂或者 聚醯亞胺樹脂。 叙光層118位於曝露的第一電極n6a上，而一第二電極119位於發 光層118上。所述第二電極119可為用於將電子提供至發光層118的陰極， 並可包括鎂(Mg)、銀(Ag)、鈣(Ca)、鋁(A1)或者以上的合金。 再度參考第1圖，在上述的複數條配線線路14〇中，在形成區域$的 密封體内具有一窄線寬度的配線線路用作第二電源線144。以下，將進一步 參考第3圖和第4圖詳細描述。 如第3圖中的-「Z」區域内所示，可看出位於形成區域的密封體内的 所述第二電源線144進行配線處理，錢其具有相對於位在其他區域内之 配線的較窄的線寬度。「180」代表一密封體。 以:’參考第4圖’將對一配線結翻Μ田描述’其中當位於與形成區 域s的密封體有關的内側和外側處的第二電源線144靠近形成區域s的密 封體時，第二電源線144的寬度逐漸減小。 參考第4圖’如果位於形成區域s的密封體外側處的第二電源線⑽ 的寬度「L」例如是1〇〇㈣，則位於形成區域s的密封體内的第二電源線 144b的寬度「L2」大約是1〇至5〇聊^「18〇」代表一密封體。 #即疋’如上面所述，因為位於形成區域§的密封體⑽第二電源線i桃 的l度，與位於外側的電源線的寬度相比，可以窄至。 如果配線線路的寬度「L2」小於範圍由5卿至5〇//m，則配線電阻增加， 並因此功率消耗也增加’因此由於信號失真導致了光度降低。此外，如果 配線的寬度「L2」大於範圍由5卿至5〇卿，在密封線s上形成的密封體 180可不會硬化。 同時’位於形成區域S的密封體外側處的第二電源線144a的寬度相對 於形成區域S的密封體之邊緣線逐漸變窄。此時，第二輯線144a變窄的 200901459 部分「L」是彼此隔開200至300泖的一區域。 這裡，考慮到配線電阻問題和信號失真，配線線路的寬度「L3」自相 對於形成區域S的密封體之邊緣線彼此隔離 i 3⑻卿的區域開始，逐 漸地變窄。 這裡，所述第二電源線144朝向配線線路内部呈uo至175。的傾斜度 逐漸變窄。此時，第二電源線144的角r與「Ll」和「L2」的配線寬度^ 比例’角r最小可具有150。至175。的範圍内。 在一個示例中，如果所述第二電源線144形成具有「L1尸1〇〇燜、「u」 =10仰、「L3」=200/a，則所述角：可大約為167。，而如果所述第二電源線 〆144形成具有「L1」，〇卿、「L2」=動、「u」，則所述角r可 大約為175。。另外’如果「U」固定為1〇〇娜，所述配線線路可在最小角 度167°至最大角度175。的範圍内逐漸變窄。 如上所述，本發明中，對於一有效的密封處理，形成在複數條配線線 路140中具有最大線寬度的所述第二電源線144，從而當穿過形成區域$ 的密封體時，配線寬度變窄。 如上所述，-旦穿過形成輯S的密親的第二電源線144之線寬度 變窄’假設密封劑選擇做為所述密封體，則照射於密封體上的uv昭射 量增加。因此’在密封處財，進—步增進裝置的氣密性，並因此可以解 決有機電致發絲置易受到外界產生_腿或者氧氣紐的缺點，且裝置 、 的使用壽命可進一步延長。 因此’如上所述，本發明可藉由區分有機發光裝置的配線結構， 可更加密封地密封裝置並延長其使用壽命。 以上所述實_及優點僅為肋解釋本發明之示例，並非企圖據以對 本發明作任何形式上之關，是以，凡有在相同之翻精神下所作有關本 發明之任何修飾或蚊，皆減包括在本發明意圖麵之範,。在申請專 利範圍A t置加功此條放的思圖是作為描述的功能和結構等效體與等效 結構，覆蓋本發明中所描述地結構。另外，除非「裝置」術語明確地限制 在申請專利粑圍β，此限制並不能用35USC 112⑹做出解釋。 200901459 【圖式簡單說明】 =圖式其t提供本翻實施綱進—纽 本㈣實嫌繼，供轉 第1圖係依據本發明—會jt&Ai _L_ 第3圖係第-圖的「Zj區域之放大圖丨 ㈣， 第4圖係第二電源線之結構圖。 【主要元件符號說明】 110 基板、第一基板 111 緩衝層 112 半導體層 113 閘極絕緣薄臈 114 閘極電極 115 夾層絕緣層 115a 第一接觸孔 115b 第二接觸孔 116a 第一電極 116b 源極電極 116c 汲極電極 117 儲存層 118 發光層 119 弟一電極 120 子像素 120R、 120G、120B子像素 130 顯示單元 140 配線線路 142 資料線 11 200901459 144 144a 144b 146 160 170 180 第二電源線 第二電源線 第二電源線 第一電源線 驅動單元 墊單元 密封體 12

Claims (1)

1. 200901459 十、申請專利範圍·· 1. 一種有機電致發光裝置，包括： 一基板； 一顯示單元，位於基板上並包括複數個子像素； 一密封區域’位於顯示單元的外週邊處並定義形成一密封體；以及 複數條配線線路，連接至顯示單元並配置在顯示單元的側邊上， 該複數條配線線路的大部分位於一密封體的形成區域内，在該複數條配 線線路中，具有一窄線寬度其係為位於其他區域内的配線線路線寬 度的10%至50%。 / 2. 依據申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中， 具有一窄線寬度的配線線路寬度為10至50/an。 3. 依據申請專利範圍第1項所述之有機電致發光裝置，其中， 具有一窄線寬度的配線線路為電源線。 4. 依據申請專利範圍第3項所述之有機電致發光褒置，其中， 所述電源線自所述密封體形成區域的邊緣線，從間隔·至獅卿的一 區域開始逐漸地變窄。 5. 依據申請專利範圍第3項所述之有機電致發光裝置，其中， 所述電源線朝向配線線路内部呈110至175。的傾斜度逐漸變窄。 6. 依據申請專利範圍第3項所述之有機電致發光裝置，其中， 所述電源線朝向配線線路_呈15〇 175。_斜度逐漸變窄。 7. 依據申清專利範圍弟1項所述之有機電致發光裝置，盆中 所述子像素包括一個或一個以上的電容和電晶體。一 13