TW200846752A - Sub-aperture deterministic finishing of high aspect ratio glass products - Google Patents

Description

200846752 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】

本發明係關於製造LCD(液晶顯示器)景緣遮罩之方法 呑亥遮罩符合小於40微米平坦度之規定;以及特別是本發明 係關於製造高長寬比之LCD影像遮罩。 X

[先前技術] 得到LCD遮罩所需要平坦度之目標難以達成;特別是斑 ic(積體電路)遮罩作比較時。在LCD遮罩情況中，達成次二 40微米平坦度規格之問題由於元件長寬比以及其本身重量 及幾何形狀產生彎曲或捲曲贿而惡化。修，溶融石夕石 之標準1C遮罩尺寸為152.4χ152.4χ6.35咖當由其邊緣水 平地固办械罩可看職大變位為0.18微米。加以比較， 熔融石夕石LCD影像遮罩尺寸為122〇χΜ〇〇χ13順(胸麵對角 線)當以相同的方式固定時看到最大變位接近為24〇微米（ 參閱圖2)。 對於上述範例之1C遮罩，達成在〇. 5_ι. 〇微米細内特 奸件職姻雜辭坦度工作如及均勾地 去除材料之相當單純的問題。後側支撐表面並不需要具有 工作台之平坦性，此祕在處理酿巾關树變形所致 。任何非均自絲/基__及棚應力並不會顯著地 作用使元件㈣，此纟於其長寬比相當低以及元件相當地 剛性。 與1C遮罩對比，上_兒明LCD影像遮罩之極大長寬比 (例如對聽長寬輯14G/聰6)會鮮奴特定平坦度 200846752 之處理過程，此部份由於在研磨，研光以及拋光過程中變位 所致。假如後侧支撐表面並非平坦的，元件將順應該表面 以及無論工作台本身如何平坦並不會達成均勻材料去除。 由於非均勻材料去除所致，表面/次表面損壞(以及由於表 面/次表面損壞所致在元件中所引起應力)在整個元件中通 常並非均勻的以及導致額外的變形，此由於元件太薄使得 元件彎曲以減緩應力所致。 因而，高長寬比元件例如LCD影像遮罩達成次-40微米 平坦度之標準方法在於在大的平面性工作台單侧研光，使 得元件以其本身重量情況下支撐以及促使在較高應力位置 處去除較多材料(由元件初始幾何形狀所支配初始接觸位 置）。不過，該處理過程相當緩慢以及並未提供元件改正之 機制，在最初處理後並不符合規定。相反地，能夠採用雙侧 研光以及拋光，但是限制可達成之平坦度，此由於在研磨材 料去除過程中元件受到壓平，隨後促使整個元件非均勻應 力維4寸元件接觸工作台，使得一旦元件由工作台移除將促 使研光/拋光表面產生彈回現象。 雖然LCD平坦度之工業標準為次—4〇微米，最終產品拋 光平坦度存在目標值為10—2〇微米。由於平坦度在抛光過 私中會失去，需要立即拋光平坦度目標為2—1〇微米以促使 製造商達成1G-2G絲最終平坦度目標。本發鴨關於製 k衫像遮罩的方法，其在次孔徑確定性拋光，研光及研磨中 最終平坦度在10-20微米範圍内。 【發明内容】 200846752 本發明一項樣關於製造LCD影像遮罩的方法，其最終平 坦度為小於40微米。在一項實施例中，树明係關於LCD影 健I，其平坦度在1㈣微絲_。為了達成最終抛光 平坦度為10-20微米，該方法更進一步係關於製造La)影像 遮罩，其立即拋光平坦度為2—1〇微米。 - 本發明方法更進一步關於使用光學非接觸裝置，其量 * 測咼達尺寸為UOOxMOOmm及厚度為8-13mm LCD影像遮罩 • 的平坦度。在優先實施例中，光學非接觸裝置為雷射干涉 儀。在量測t：，LCD影像遮罩當需要時制CNC(計算機獅 控制)裝置加以研磨，研光以及拋光，其使用干涉數據以研 磨，研光及拋光LCD遮罩表面以去除高出點以及其他缺陷以 形成LCD衫像遮罩表面，其最終力口工平坦度為碰微米。在 最終加工之前(即任何研磨，研光及拋光之前)在優先實施 例中LCD影像遮罩表φ之平坦度在2一1〇微米麵内以及最 . 終加卫平坦度為<20微米。在-項特定實施例中最終加工 蠢 平坦度在10一20微米範圍内。在另-項特定實施例中最終 加工平坦度為<10微米。 在另-項中，本發明係關於製造非常大LCD影像遮罩之 方法，該影像遮罩最伽工平坦度為微米。該方法具有 具有特定長度，寬度以及厚度 適合^製造LCD影像遮罩，其中物體具有第一或前端表面 以及第一或後侧表面;懸吊物體為垂直位置，使得其本身重 量並不會彎曲物體;使用光學干涉儀以麟存影像麟為 坦工作台上，其第一表面朝上 200846752 ，頂部位置以及帛二錄與轉*細以及勤其本身重 1或優先地對第二或底部表面施加真空保持物體在適當值 研磨/研光/拋光為表面分佈如使用干涉儀對兩個表面 得到數據所計算舦，_麵磨/研綱^以及由工作 台釋出後第-表面被再懸吊為垂直位置，其具有平坦的第 k 一表面如同干涉儀決定出。玻璃物體再返回到平坦工作台 • ，此時第—表面解故作台接_及第三表面在頂部位 • 置，以及物體再藉由其本身重量或優先地對第-表面施加 真空保持物體在適當位置;研磨/研光/拋光第二表面為表 面刀佈如使用干涉儀對兩個表面得到數據所計算情況，因 而在研磨/研光/拋光以及由工作纟釋出後第二表面被再懸 吊為垂直位置，其亦具有平坦的第二表面。在第一及第二 表面被研磨/研光/拋光之後，表面再以干涉儀掃瞄以決定 第-及第平坦度。假如並未啦恍份平坦性，能夠 - 再使用新的干涉儀數據重複上述步驟以達成目標平坦度。 _ 應用本發明方法將導致玻璃LCD影像遮罩之最終平坦度<4〇 微米。在一項優先實施例中，最終平坦度為〈2〇微米。在另 一項實施例中，最終平坦度為<1 〇微米。 本發明亦關於具有長度，寬度以及厚度之LCD影像遮罩 ，其每一長度及寬度彼此獨立，為大於400腿以及厚度為小 於20腿。在一項實施例中，長度以及寬度為彼此獨立地大 於800mm。在另一項實施例中，長度以及寬度彼此獨立地大 於1000mm。在另一項實施例中，長度以及寬度彼此獨立地 大於1200mm。在另一項實施例中，LQ)影像遮罩厚度為小於 第 8 頁 200846752 15mm。在其他實施例中，LCD影像遮罩厚度為小於1〇刪。在 所肴先前實施例中「本發明LCD影像遮罩真有裏择半垣度為 <40nm，優先地<20nm 〇在另一項實施例中先前LCD影像遮罩 隶終平坦度為小於lOnim。能夠使用任何適合作為LQ)影像 遮罩之玻璃以實施本發明。優先玻璃為熔融石夕石玻璃，高 純度熔融矽石玻璃以及含有5-10%重量比氧化鈦之石夕石一氧

化鈦玻璃。高純度熔融矽石玻璃之範例為符合或實質上符 合本公司銷售商標名稱為HPFS之高純度熔融石夕石的規範。 【實施方式】 本發明係.LCD影像遮罩以及製造LQ)影像遮罩之方 法，其元件尺寸大至1220x1400mm符合次-40微米之平坦度 規足，甚至於需要更大尺寸。雖然目前使用作為LCD影像遮 罩之材料為熔融石夕石以及高純度溶融石夕石玻璃，其他玻璃 材料例如含冑飢了丨⑽嫌綱^之超低膨服性 玻璃可提供有益的材料雛作域在或未麵的應用。 —與1C遮罩比較，達成平坦度規格之問題受困於元件之 長見比以及由於其本身重量以及幾何形狀導致之元件彎曲 ，捲曲程f。對於尺寸為152.4x152· 4x6. 35刪之標準、熔融 石Γ石if當遮罩邊緣水平地固定時(參晒d遮罩能夠看到 取大义位為〇·18微米。加以比較，對於尺寸為1220χ1400χ 士 矽石LCD影像遮罩，當遮罩邊緣以相同方式固定 閱圖2)遮罩能夠看到最大變位為240微米。 去於1C遮罩，達成〇· 5—丨· 〇微米範圍内特定平坦度為相 _單的問題，使元件川員應相同或更高平坦度工作台，以及 第 9 頁 200846752 均勻地去除材料。後側支撐表面並不需要具有工作台之平 坦度’此由於盍理過程中元件有限變形ϋ。均与-表面/次表φ娜α及相職力並不會顯著地伽使元件 變形，此由於其長寬比相當麟奴因而為相當地剛性。 不過，對於LCD影像遮罩例如尺寸為122〇xl4〇〇xl3fflm， ‘ 遮罩非常大的長寬比(對於先前遮罩對角線簡麵為140 . 會影響達成特定平坦度之處理過程，其由於研磨，研光 參 以及拋光過程中遮罩(亦稱為元件)變位所致。假如後侧支 撐表面並非平坦的，元件將順應該表面以及均勻去除材料 將無法達成而不論οι作纟如何平坦。纟於 ’表面/次表面損壞U及在元件中由於表面/次表面損壞導 致引起之應力）通常在整個元件並非均勻的以及導致額外 變形，其由於元件太薄會彎曲以緩和這些應力所致。 因而，高長寬比元件例如LCD影像遮罩達成次_4〇微米 平坦度之標準方法為在大的平面工作台上單側研光，使得 • 元件在其本身重量下放置以及促使在位於較高應力處(由 疋件初始幾何形狀表示初始接觸位置)去除較高球料。 不過，該處理過程進行非常緩慢及並未提供機制作為元件 在初始處理過程後並不符合規定。相反地，能夠採 用雙侧研光及拋光但是受限可達成平坦度，其由於在使用 研磨材料過程中元件被壓平，隨即施加非均勻應力於整個 元件以保持與工作自接觸，一旦元件自工作台移除研私抛 光表面產生”彈回”所致。 目如本發明係關於對高長寬比玻璃元件使用次孔徑確 第10 頁 200846752 定微研磨結合大規模干涉技術崎製等高線圖以及改正整 體平坦度。使用本發明，人們能夠得到加工平坦度為〈如微 米以及亦克服在處理步大的高長寬比元件所遭遇之其他困 _。例如，對於大的元件傳統研磨/研綠光處理過程極 為耗時，並未提供改正偏離規範元件，以及並非可靠的製造 方法以產生高長統元件，此由於應力狀捲崎致。本 發明藉由合併確定性材料去除以及工作元件之高解析度等 高線圖克服傳統方法之缺點。 在依據本發明第一步驟中，LCD影像遮罩具有第一或前 端表面20以及第二或後侧表面3〇(參_ 3)垂直地懸吊以 及第一及第二表面干涉性地量測或掃瞄以得到每一表面之 等高線圖。繪圖區段地完成以及邏輯地儲存之數據加以連 結在-起以形成每—表面之整體圖像。例如12_棚刪 LCD影像遮罩可以重疊2〇〇潮〇刪區段地加以掃目苗。當掃瞄 完成時，區段數值地連結在一起以產生表面完整圖像。本 公司2005年6月15日中請之美國第n/腿69號專利說明數 位影像處理過程，特別是作為光學量測用途，其中多個影像 區段被合併或連結在一起以形成複合影像。得到該數據之 處理過程能夠使用商業化可利用干涉儀，優先地利用計算 機數值控制(CNC)干涉儀，以及相關之軟體達成。在干涉掃 瞄過程中LCD影像遮罩(工作物件)被垂直性地懸吊以得到 存在於工作物件上缺陷之真實圖像以及假如工作物件放置 於非平坦工作台上將防止在研磨，研光，拋光處理過程中發 生變位’干涉處理過程帽由垂直地鮮能夠得到遮罩 第η 頁 200846752 表面中缺陷確實之影像以及其能鉤在研磨，研光，拋光處理 過耘中加时除。—旦制干涉雜以及纽聯存，遮罩 由其垂直位置移除以及放置於平坦工作台上以進行研磨， 研先抛光處理過程。 ’ 圖3a-3d示意性地顯示出LCD影像遮罩1〇處理過程豆 使用次孔徑礙性H觀及先前所制之干涉錄據。圖 3a為LCD影像遮罩侧視圖，其具有第一凸面2〇以及第二凹面 30。遮罩亦能夠具有次外形以及為凹下/凸出;例如為微突 出，波谷，小的表面裂縫等，其能夠使用本發明方法加以去 除或實質上地去除。使財發财絲触除遮罩之凹下 /凸^外形以及可能存在微突出，波谷，小的表面裂縫等，因 〜力!71影像遮罩(在研磨，研光，拋光處理過程完成後)被 ，吊於垂直位置時，鮮之第一及第二表面為平坦的，具有 隶、、、平:L·度為<4〇微米，以及優先地平坦度〈2〇微米。在另 —項實施例中最終平坦度為<1〇微米。 、固3a側視圖顯示出當遮罩為垂直位置獲得干涉數據時 、:罩之圖示。圖％為相同元件放置於平坦工作台(並未顯 不出)曰上側視圖以進行研磨/研光以及拋先以及藉由其本 身重里固定在適當錄或藉由其他方式例如朗真空或機 械構件以固定遮罩;例如使用真空或機械構件並不會損壞 =罩真空為優先之方法。如圖3b所示，當遮罩放置於平 作〇日守，凹下/凸出表面將平坦化。不過，假如移除裝 隹而不作任何_，凹下/凸出外形將會再出現。使用所收 邊據同時遮罩在*直位置，遮罩表面能夠加以研磨，研光 第12 頁 200846752 ，抛光，使得兩個表面最終加工平坦度為<40微米及優先地 平坦度<20微米。在另一實风卞，及1夂无地 、 貝知例中攻終平坦度為10微米。 拋編干涉Γ據，遮罩2G之第—表面2G加以研磨，研光， 抛先至内凹職20,如圖3c所示撕遮罩固定在工作台上

:當遮罩由工作台釋出後，第—表面20為平坦的如圖况所 丁亦如圖3d所不，第一表面3〇保持其内凹特性，因為其尚 未研磨，研光以及拋光。-旦第—表㈣研磨，研光，拋光 完成後，遮罩加以翻轉，使得第一表面2〇接觸工作台以及第 =表面30再使用干涉數據以相同的方式進行研磨，研光，拋 光。在兩個表面20及30加以研磨，研光，抛光後，LC])影像遮 罩干涉性地加以掃猫以確定達成所需要之平坦度。假如未 達成，使用撕瞄數據重複必需之處理過程以得到最終拋 光產物。在另-實施例中在第一表面進行研磨/研光/抛光 後以及在第二表面進行研磨/研光/拋光處理過程之前，第 一表面作干涉性掃瞄。本發明方法因而促使人們再加工 LCD影像遮罩使得產品符合規格以及避免必需丟棄並不符 合規格之遮罩。由於LCD遮罩進行初始處理過程所需要之 時間以及材料太昂貴，該再加工元件之能力導致節省相當 費闬。 能夠使用業界已知的方法以及使用干涉數據之CNC裝 置進行研磨，研光以及拋光。該方法包含離子研磨，磁流變 加工，以及確定性拋光。確定性研磨及/或拋光為優先的， 其包含一些選擇例如由Zeeko Limited所提供(http:// www· zeeko· co· uk/)。一些技術文獻說明使用新形式裝置 第13 頁 200846752 例如Zeeko裝置之拋光。該文獻範例包含D· D· Walker等人 之1’The Zeeko/UCL Process for Polishing Large Lenses and Prisms’1，Proc· SPIE，Vol· 4411 (2002)，pp· 106-111 ;D.D. Walker 等人之’’Commissioning of tiie First Precessions 1.2m CNC Polishing Machines for Large Optics’’，Proc. SPIE Vol. 6288 (2006)，62880P-1 to 8· (Paper 62880，pages 1-8); Graham Peggs 等人之” Dimensional metrology of mirror segments for extremely • large telescopes'1, Proc. SPIE Vol. 5382 (2004), pp. ,224-228;D.D· Walker 等人之"Recent development of

Precessions polishing for larger components and free form surfaces' Proc. SPIE Vol· 5523 (20040， pp. 281-289;D.D· Walker 等人之nNew Results from the Precessions Polishing Process Scaled to Larger Sizes，，， Proc· SPIE Vol· 5494 (2004)，pp Ή-80;以及H. Pollicove • 等人之’’Deterministic Manufacturing Processes for precision Optical Surfaces% Key Engineering Materials 、 Vols· 2383-239 (2003)，pp· 533-58。 確定性研磨拋光使用具有顯著地小於工作物件之接觸 頭的CNC最佳地加以說明。器具表面能夠為任何傳統之搬 光表面，其包含非限制性金屬研磨顆粒嵌入或按裝至金屬， 樹脂，聚胺曱酸酯具有或不具有嵌入研磨劑，鐵氟龍，彈性 樹脂為主薄膜具有或不具有嵌入研磨劑，或樹脂。填充研 磨劑流體/泥漿，水份，或其他液體能夠使用作為載體流體 第14 頁 200846752 由，工作物件界面移除及/或研磨/研光/抛光碎 屑。機械加工表面分佈絲面係依據表面—以及已知的工作 5當領_應力狀態下細分__ 據決定出。 ^ 確定性拋光步驟之選擇包含(非限制性)下列技術，其

=部使用干涉數據以觸出工作物件上需要去除高點以達 成所需要之表面幾何形狀。 確定性樾光步驟之選擇包含(非限制性)下列技術豆 全部使用干涉數據以辨識出工作物件上需要去除高點以達 成所需要之表面幾何形狀。 1.磁流變加工_，細卿猶為概，其巾磁性泥裝， 球形鐵縣錢⑽賴挪磨舰敝孔彳蝴^生器且 ，其愧漿變硬以及放置與工作物件接觸。去除速率藉/、 由态具壓力，接觸面積，以及停留時間加以控制。 2·鐵研磨，可經由多個製造商可娜商業化處理過程，其中 工作物件表面恭露於磨損原子之離子束(即電裝）。去除 速率由離子束特性，各別原子鍵結強度，以及工作物件中 局部應力決定出。 3·確定性拋光，由zeek〇 C〇n)〇rati〇n首先商業化之處理過 程，其中較傳統性拋光消耗品例如聚胺甲酸酯墊及Ce〇2 研磨劑使肖:饥彳&||具塗覆於工作物彳核面，其中抛光 獅c裝於可、曲囊狀物上。研磨冑彳或冷卻劑通常喷灑至 為具/工作物件接觸區域。施力口於工作物件之囊狀物壓 力以及為具角度控制接觸面積，利用接觸面積，壓力，轉 200846752 動速率等控制材料去除。亦能夠使用樹脂以及結構化拋 光塾(例如3M之Trizac墊）。 .........—....... · 在Zeeko方法中使用傳統材料之嫁定性拋光為優先的。 本發明亦關於具有長度，寬度及厚度之LCD影像遮罩， 其長度及寬度彼此不相關的，為大於400麵以及厚度為小於 20mm。在一項實施例中，長度以及寬度均獨立地大於8〇〇刪 。在另一項實施例中，長度以及寬度均獨立地大於1〇00刪 。在另一項實施例中，長度以及寬度均獨立地大於12〇〇刪 。在更進一步實施例中，LCD影像遮罩厚度為小於15mm。在 其他實施例中，厚度為小於10mm。在所有上述實施例中本 發明LCD影像遮罩最終平坦度為<4〇微米，優先地<2〇微米。 在另一項實施例中，先前LCD影像遮罩最終平坦度為<1〇微 米。實施本發明能夠使用任何適合作為LCD影像遮罩之玻 璃。優先玻璃為熔融矽石玻璃，高純度熔融石夕石玻璃以及 含有5-10%重量比氧化鈥之石夕石—氧化鈥玻璃。高純度溶融 矽石玻璃為符合或實質上符合本公司jjPFS品牌規格之高純 度溶融石夕石玻璃。 雖然本發明已對有限數目實施例加以說明，熟知此技 術者能夠受益於本發明揭示内容以及能夠設想出其他實施 例而並不會脫離在此所揭示之本發明範圍。因而，本發明 範圍只受限於下列申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 第一圖顯示出尺寸為152· 4x152· 4x6· 35麵邊緣水平固 疋熔融矽石1C遮罩引起之捲曲的計算值。 第16 頁 200846752 第二圖顯示出尺寸為1200xl400xl3mm邊緣水平固定熔 融矽石LCDIC遮罩引起之捲曲的計算值。..... 第三圖顯示出使用次-孔徑確定性器具LCD影像遮罩處 理過程之示意圖。 附圖元件數字符號說明： 影像遮罩10;第一或前端表面20;第二或後侧表面 30。

Claims (1)

1. 200846752 十、申請專利範圍： 1,種製造非常大LCD影像遮罩之紐，該遮罩最終加卫平 坦度為〈40微米，該方法包含下列步驟： (a)得到玻璃LCD影像遮罩，其具有第一表面及第二表面， 以及按裝遮罩為垂直位置； • (b)使用計算機數值控制光學干涉儀掃瞄遮罩之第一表 , 面及第二表面以及儲存掃瞄過程中所得到數據為邏輯形式 ⑩ ；以及 (c)使用计异機數值控制裝置研磨，研光，拋光遮罩之第 -及/或第二表面以在拋光後得到LCD影像遮罩之最終加工 平坦度為<40微米。 2·依據申请專利細f 1項之方法，其中LC])影像遮罩之第 -及第二麵在第-表面研磨，研光職域第二表面研 磨，研光及拋光之間再作掃晦。 • 3.依據申5青專利麵第1項之方法，其中LCD影像遮罩之第 # —及第一表面研磨’研光及抛光之後，兩個表面作干涉性地 掃瞄以及重機雜麟麵，tt要敏職撕猫數 據以得到在抛光後LCD景綠遮|之最終加工平坦度為<4〇 微米。 4依射料概目帛1奴職其巾她辅實施研磨 及研光，以及在拋光之前該研磨及研光產生表面平坦度在 10-20微米範圍内。 5·依據f料繼圍第1奴妹其巾桃絲實施研磨 及研光，以及在拋光之前該研磨及研光產生表面平坦度在 第18 頁 200846752 2-1〇微米範圍内。 6. 錄申請糊細第5項之麵，其中在腿後遮罩之最 終加工表面之平坦度為<20微米。 7. 依據申請專利麵第5項之方法，其中在抛光後遮罩之最 終加工表面之平坦度為<1〇微米。 * 8·依射請專利麵第5項之麵，其中在拋光後遮罩之最 , 終加工表面之平坦度為<5微米。 • 9.依據申請專利範圍第5項之方法，其中實施研磨使用-種 由磁流變，離子研磨以及水溶性泥漿技術選取出之方法。 10.依據申請專利細幻項之方法，其中玻璃 LCD影像遮罩 之長度及見度彼此獨立為大於侧麵以及厚度為小於2〇刪。 11·依據申請專利範圍第！項之方法，其中玻璃LCD影像遮罩 之長度及寬度彼此獨立為大於8〇〇麵以及厚度為小於15臟。 12·依據申請專利細第！項之方法，其中玻璃LCD影像遮罩 、 之長度及見度彼此獨立為大於1000mm以及厚度為小於15腿。 _ 13·依據申請專利細第1項之方法，其中玻璃LCD影像遮罩 之長度及寬度彼此獨立為大於12〇〇刪以及厚度為小於15腿。 14· 一種LCD影像遮罩，該遮罩由經選擇玻璃材料所構成，其 長度及寬度彼此獨立為大於棚腿以及厚度為小於2〇麵， 其中玻璃具有最終厚度為<20微:米。 15·依據申睛專利範圍第μ項之[〇)影像遮罩，其中長度及 寬度彼此獨立為大於800麵以及厚度為小於15刪以及平坦 度為小於20微米。 16·依據申請專利範圍第14項之LCD影像遮罩，其中長度及 第19 頁 200846752 寬度彼此獨立為大於1000画以及厚度為小於l5mm以及平坦 度為小1〇微米。 —......... Π·依據申請專利範圍第14項之LCD影像遮罩，其中玻璃由 溶融矽石，高純度熔融石夕石以及含有5—i重量比氧化欽之 石夕石-氧化鈇選取出。 18· —種LCD影像遮罩，該遮罩由經選擇玻璃材料所構成，其 長度及寬度彼此獨立為大於1〇〇〇腿以及厚度為小於15腿， 其中玻璃最終平坦度為<1〇微米； 其中玻璃由熔融石夕石，高純度熔融矽石以及含有5-灌重 里比氧化鈥之碎石-氧化鈥選取出。 19·依據申請專利範圍第18項之LCD影像遮罩，其中平坦度 為<5微米。 第20 頁